CN110660646A - 硅片清洗方法 - Google Patents

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陈宏�
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Abstract

本申请公开了一种硅片清洗方法，包括以下步骤：s1：将待清洗的硅片放置在纯水内预留；s2：毛刷辊将硅片上下表面较硬的杂质颗粒去除；s3：碱洗；s4：第一次纯水喷淋；s5：烘干。该清洗方法通过毛刷辊对硅片表面的颗粒杂质进行有效清除，从而减少后续清洗剂的使用量以及清洗用水量，所需电耗少，降低成本，节约能耗，且减少了清洗过程中硅片崩边、缺角、破裂、碎片的现象。

Description

硅片清洗方法
技术领域
本申请涉及硅片清洗领域，特别是一种硅片清洗方法。
背景技术
随着太阳能快速高效的发展，硅片的大直径化、超薄化和组件结构的高集成化，对硅片清洗要求越来越高。在清洗过程中，为了清除硅片表面污渍通常采用大量的清洗剂以及清洗用水，增大了所需电耗，给企业增加成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硅片清洗方法，以克服现有技术中的不足。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
本申请实施例公开了一种硅片清洗方法，其特征在于：包括以下步骤：s1：将待清洗的硅片放置在纯水内预留；s2：毛刷辊将硅片上下表面较硬的杂质颗粒去除；s3：碱洗；s4：第一次纯水喷淋；s5：烘干。
优选的，在上述的一种硅片清洗方法中，所述s4中，第一次纯水喷淋四次，温度为20～25℃。
优选的，在上述的一种硅片清洗方法中，所述s4和s5之间还包括s41：酸洗和s42：第二次纯水喷淋。
优选的，在上述的一种硅片清洗方法中，所述s42中，第二次纯水喷淋五次，温度为20～25℃。
优选的，在上述的一种硅片清洗方法中，所述s3中，将氢氧化钾浓度为 1～20mol/L的氢氧化钾溶液经喷淋的形式喷淋至硅片表面。
优选的，在上述的一种硅片清洗方法中，所述s41中，将硅片浸泡在硝酸浓度为1～20mol/L的硝酸溶液中。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
该清洗方法通过毛刷辊对硅片表面的颗粒杂质进行有效清除，从而减少后续清洗剂的使用量以及清洗用水量，所需电耗少，降低成本，节约能耗，且减少了清洗过程中硅片崩边、缺角、破裂、碎片的现象。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本实施例中的硅片清洗方法如下：
s1：将待清洗的硅片放置在纯水内预留，促进表面硬颗粒软化；
s2：毛刷辊将硅片上下表面较硬的杂质颗粒去除；
s3：氢氧化钾浓度为7mol/L的氢氧化钾溶液经喷淋的形式喷淋至硅片表面；
s4：22度的纯水对硅片连续喷淋四次；
s41：硅片浸泡在硝酸浓度为10～15mol/L的硝酸溶液中；
s42：25度的纯水对硅片连续喷淋五次；
s5：烘干。
在该技术方案中该清洗方法通过毛刷辊对硅片表面的颗粒杂质进行有效清除，从而减少后续清洗剂的使用量以及清洗用水量，所需电耗少，降低成本，节约能耗，且减少了清洗过程中硅片崩边、缺角、破裂、碎片的现象。
在其他实施例中，s41也可以是碱洗。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (6)

1.一种硅片清洗方法，其特征在于：包括以下步骤：s1：将待清洗的硅片放置在纯水内预留；s2：毛刷辊将硅片上下表面较硬的杂质颗粒去除；s3：碱洗；s4：第一次纯水喷淋；s5：烘干。
2.根据权利要求1所述的一种硅片清洗方法，其特征在于：所述s4中，第一次纯水喷淋四次，温度为20～25℃。
3.根据权利要求1所述的一种硅片清洗方法，其特征在于：所述s4和s5之间还包括s41：酸洗和s42：第二次纯水喷淋。
4.根据权利要求3所述的一种硅片清洗方法，其特征在于：所述s42中，第二次纯水喷淋五次，温度为20～25℃。
5.根据权利要求1所述的一种硅片清洗方法，其特征在于：所述s3中，将氢氧化钾浓度为1～20mol/L的氢氧化钾溶液经喷淋的形式喷淋至硅片表面。
6.根据权利要求1所述的一种硅片清洗方法，其特征在于：所述s41中，将硅片浸泡在硝酸浓度为1～20mol/L的硝酸溶液中。
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