CN110651228B - 用于光学光刻系统的监视系统 - Google Patents

用于光学光刻系统的监视系统 Download PDF

Info

Publication number
CN110651228B
CN110651228B CN201880033471.9A CN201880033471A CN110651228B CN 110651228 B CN110651228 B CN 110651228B CN 201880033471 A CN201880033471 A CN 201880033471A CN 110651228 B CN110651228 B CN 110651228B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light source
optical lithography
optical
monitoring system
lithography system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201880033471.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110651228A (zh
Inventor
A·多罗班图
M·R·格雷厄姆
J·J·索内斯
K·M·奥布里恩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cymer LLC
Original Assignee
Cymer LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cymer LLC filed Critical Cymer LLC
Publication of CN110651228A publication Critical patent/CN110651228A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110651228B publication Critical patent/CN110651228B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70041—Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10007—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers
    • H01S3/10015—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers by monitoring or controlling, e.g. attenuating, the input signal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2366—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media comprising a gas as the active medium

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

监视光学光刻系统。从光学光刻系统接收信息；访问规则，该规则与光学光刻系统中的事件和时间量中的一项或多项相关联；基于访问的规则标识存储在模块库中的模块；使用所标识的模块和从光学光刻系统接收的信息，确定光学光刻系统中是否存在特定条件；并且如果存在特定条件，则基于特定条件的一个或多个特性来生成命令信号，并将命令信号提供给光学光刻系统的光源。该命令信号基于所确定的特定条件，并且该命令信号足以改变光源的一个或多个操作参数。

Description

用于光学光刻系统的监视系统
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年5月22日提交的美国申请15/602,028的优先权，并且其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及一种用于光学光刻系统的监视系统。
背景技术
光刻是通过其在诸如硅晶片之类的衬底上对半导体电路进行图案化的工艺。光源生成被用来曝光晶片上的光致抗蚀剂的深紫外(DUV)光。DUV光可以包括例如从大约100纳米(nm)到大约400nm的波长。通常，光源是激光源(例如，受激准分子激光器)，而DUV光是脉冲激光束。来自光源的DUV光与投影光学系统交互，该投影光学系统将光束通过掩模投影到硅晶片上的光致抗蚀剂上。以这种方式，将芯片设计层图案化到光致抗蚀剂上。随后蚀刻和清洁光致抗蚀剂和晶片，并且然后重复光刻工艺。
发明内容
在一个总体方面，一种系统包括光学光刻系统和监视系统。所述光学光刻系统包括光源和光刻设备。所述光源被配置为产生光学光束，并且所述光源包括一个或多个控制系统，所述一个或多个控制系统中的每个控制系统被配置为调整所述光源的操作参数。所述光刻设备包括：投影光学系统，被配置为接收来自所述光源的光学光束并产生曝光光束；以及晶片区域，被配置为接收晶片和所述曝光光束。所述监视系统耦合到所述光学光刻系统，并且所述监视系统被配置为访问至少一个规则，基于所访问的规则标识来自模块库中的模块，使用所标识的模块和来自所述光学光刻系统的信息来确定所述光学光刻系统中是否存在特定条件，并且如果存在所述特定条件，则向所述光学光刻系统提供命令信号，所述命令信号基于所确定的特定条件并且足以致使控制系统中的一个或多个控制系统调整所述光源的一个或多个操作参数。所述光源的所述一个或多个操作参数中的每一个操作参数都指定所述光源的行为，并且调整所述光源的一个或多个操作参数改变所述光源的一个或多个行为。
实现可以包括以下特征中的一个或多个特征。所述光源还可以包括数据接口，所述监视系统可以耦合到所述光源的所述数据接口，可以从所述光源的所述数据接口接收来自所述光学光刻系统的信息，并且所述命令信号可以通过所述光源的所述数据接口被提供给所述光学光刻系统。
所述光源还可以包括数据接口，所述光刻设备还可以包括数据接口，所述监视系统可以耦合到所述光源的所述数据接口和所述光刻设备的所述数据接口，来自所述光学光刻系统的所述信息可以出自于所述光源和所述光刻设备中的一项或多项，并且所述命令信号可以通过所述光源的所述数据接口被提供给所述光学光刻系统。
由所述光源产生的所述光学光束可以是具有重复速率的脉冲光学光束，所述重复速率指示所述脉冲光学光束的特定脉冲与紧邻所述特定脉冲的脉冲之间的时间。所述光源的所述一个或多个控制系统可以被配置为以控制速率进行操作，所述控制速率等于或大于所述重复速率，使得所述控制系统能够针对所述脉冲光学光束中的每个脉冲调整所述光源的所述一个或多个操作参数，并且所述监视系统可以具有监视系统速率，所述监视系统速率指示被提供给所述光学光刻系统的所述命令信号的两个单独实例之间的最小时间量，并且被提供给所述光学光刻系统的所述命令信号的两个单独实例之间的所述最小时间量大于所述脉冲光学光束的脉冲之间的时间，使得所述监视系统速率比所述控制速率和所述重复速率慢。在一些实现中，所述监视系统还被配置为：存储在第一时间段内从所述光学光刻系统接收的信息，所述第一时间段大于所述脉冲光学光束中的两个相邻脉冲之间的时间；以及分析在所述第一时间段内从所述光学光刻系统接收的存储信息，其中，所述监视系统被配置为使用所标识的模块和所分析的存储信息来确定所述特定条件是否存在。所述监视系统可以进一步被配置为轮询所述光学光刻系统以从所述光学光刻系统接收所述信息。
在一些实现中，所述监视系统耦合到一个或多个其他光学光刻系统，并且所述监视系统被配置为：从任何耦合的光学光刻系统接收信息，并且向任何耦合的光学光刻系统提供命令信号。所述监视系统可以基于接收到的信息来确定在所述其他光学光刻系统的至少一个光学光刻系统中存在所述特定条件，所述监视系统可以标识所述条件存在于哪个光学光刻系统中，并且所述监视系统可以仅将所述命令信号提供给所标识的光刻系统。在这些实现中，当所述监视系统基于接收到的信息来确定在所述其他光学光刻系统的至少一个光学光刻系统中存在所述特定条件时，所述监视系统可以标识所述条件存在于哪个光学光刻系统中，并且所述监视系统可以将命令信号提供给所有光学光刻系统。
所述光源的所述操作参数可以具有默认值，并且所述命令信号致使一个或多个控制系统中的至少一个控制系统将至少一个操作参数调整为与所述操作参数的默认值不同的值。
所述至少一个规则可以包括规则集合，所述规则集合包括基于事件的规则和基于时间的规则，所述基于事件的规则是与所述光源中的事件相关联并且基于所述光源中的所述事件的发生指定所述模块库中的一个或多个模块的规则，并且所述基于时间的规则是与时间量相关联并且基于时间量的流逝指定所述模块库中的一个或多个模块的规则。所述监视系统可以进一步被配置为：确定是否在所述光源内发生了事件，确定是否经过了一段时间量，以及基于确定是否在所述光源内发生了事件以及确定是否经过了一段时间量中的一项或多项，访问所述规则集合中的规则之一。
在所述光源产生所述光学光束的同时，所述命令信号可以被提供给所述光学光刻系统，并且在所述光源产生所述光学光束的同时，所述一个或多个操作参数可以被调整。
在另一个总体方面，光学光刻系统被监视。在第一时间段期间从所述光学光刻系统接收信息；规则被访问，所述规则与所述光学光刻系统中的事件和所经过的时间量中的一项或多项相关联；基于所访问的规则，标识存储在模块库中的模块；使用在所述第一时间段期间从所述光学光刻系统接收的所述信息和所标识的模块，确定所述光学光刻系统中是否存在特定条件；并且如果存在所述特定条件，则基于所述特定条件的一个或多个特征来生成命令信号，并将命令信号提供给所述光刻系统的光源。所述命令信号基于所确定的特定条件，所述命令信号足以改变所述光源的一个或多个操作参数，并且所述命令信号在所述第一时间段之后被提供给所述光源。
可以存储在所述第一时间段期间接收到的信息，并且确定所述光学光刻系统中是否存在特定条件可以包括：在所述第一时间段之后分析存储信息。在一些实现中，可以基于从所述光学光刻系统接收到的信息来确定要访问的规则。
确定是否存在特定条件可以包括：比较在所述第一时间段期间从所述光学光刻系统接收的信息与存储信息；基于所述比较确定是否满足或超过阈值；以及
当满足或超过所述阈值时声明存在所述特定条件。
确定是否存在特定条件可以包括：分析在第一时间段期间从所述光学光刻系统接收的所述信息，基于所分析的信息，确定所述光源的一个或多个操作参数的值，将确定的值与针对所述一个或多个操作参数中的每一个操作参数的期望值进行比较，以及当所述确定的值相对于所述期望值在预定义的值范围之外时声明存在所述特定条件。
在一些实现中，可以呈现对所述光源的一个或多个操作参数的调整的指示，所述调整是由控制信号引起的，并且所述指示对于所述光学光刻系统的操作者而言是可感知的。
在另一方面，监测系统包括监测数据接口，所述监测数据接口被配置为向一个或多个光学光刻系统发送信息并从一个或多个光学光刻系统接收信息，所述光学光刻系统中的每一个光学光刻系统包括：光源；电子存储装置；以及耦合到所述电子存储装置的一个或多个电子处理器，所述电子存储装置包括指令，所述指令在被执行时致使所述一个或多个处理器：
访问至少一个规则，所述规则将所述一个或多个光学光刻系统中的任何一个光学光刻系统中的事件以及时间段中的一项或多项与被配置为分析来自所述一个或多个光学光刻系统中的任何一个光学光刻系统的信息的模块相关联并产生命令信号；基于所访问的至少一个规则，标识存储在所述电子存储装置中的模块库中的模块；使用所标识的模块和来自所述光学光刻系统的信息，确定所述一个或多个光学光刻系统中的任何一个光学光刻系统中是否存在特定条件；并且如果在所述一个或多个光学光刻系统中的任何一个光学光刻系统中存在所述特定条件，则生成命令信号，并将所述命令信号提供给至少一个光源，所述命令信号基于所确定的特定条件并且足以改变所述一个或多个光学光刻系统的任何一个光学光刻系统的光源的一个或多个操作参数。
所述命令信号可以被提供给所述至少一个光源，同时所述至少一个光源产生脉冲光学光束。
所述至少一个规则和所述模块库中的一个或多个模块可以被配置为由所述监视系统的操作者进行编辑。所述至少一个规则可以包括基于事件的规则和基于时间的规则中的一项或多项，所述基于事件的规则与所述光学光刻系统中的事件的发生相关联，并且所述基于时间的规则与时间量的流逝相关联。
以上和本文中描述的任何技术的实现可以包括工艺、装置、控制系统、存储在非瞬态机器可读计算机介质上的指令和/或方法。在附图和以下描述中阐述了一种或多种实现的细节。根据说明书和附图以及根据权利要求书，其他特征将显而易见。
附图说明
图1是耦合到光学光刻系统的监视系统的示例的框图。
图2A是耦合到图1的监视系统的光学光刻系统的示例的框图。
图2B是在图2A的光学光刻系统中使用的掩模的示例的框图。
图3是图1的监视系统的实现的示例的框图。
图4是系统的框图，该系统包括耦合到一组光学光刻系统的图3的监视系统。
图5是光学光刻系统的实现的另一示例的框图。
图6A至图6C是可以被用来控制作为图5的光学光刻系统的一部分的光源的信号图。
图7和图9是可以使用图3的监视系统执行的过程的示例的流程图。
图8A至图8D示出了从光学光刻系统接收的信息的示例。
具体实施方式
公开了一种用于光学光刻系统(或光刻系统)的监视系统。参见图1，示出了系统100的框图。系统100包括监视系统的示例。在图1的示例中，监视系统150经由数据连接104来与光学光刻系统101通信。光学光刻系统包括光源105，该光源105向光刻设备115提供光学光束160以曝光晶片。光刻设备115也可以被称为扫描仪。监视系统150可以与光学光刻系统101位于同一地点。例如，监视系统150和光学光刻系统101可以在同一工厂或位置(例如，晶片制造设施)中，或者监视系统150和光学光刻系统101可以在不同的建筑物中但是在相同的校园或客户地点之内并且在相同的电子防火墙之后。
如下面更详细地讨论的，监视系统150为光源105和/或光学光刻系统101提供用于性能监视、故障检测、性能优化和性能恢复的框架。监视系统150监视光学光刻系统101以评估光源105和/或光学光刻系统101的条件。条件是光源105或光学光刻系统101的与光源105和/或光学光刻系统101性能相关的任何属性。当确定存在特定条件时，监视系统150向光源105发出命令信号以改变或调整光源105的一个或多个操作参数。光源105的操作参数是指定或管控光源105的行为的任何数量或设置。调整操作参数中的一个或多个操作参数致使光源105的一个或多个关联行为中的对应变化。由于光源105将光学光束160提供给光刻设备115，因此改变光源105的行为也可以改变光学光刻系统101的整体性能。
监视系统150还能够将光源105置于各种操作模式中并监视光学光刻系统101的性能。例如，监视系统150可以将光源105置于受限操作模式中。受限操作模式提供受限功能性，并且可以被用来代替使光学光刻系统101完全停止使用。在受限操作模式中，响应于特定条件，光源105和/或光学光刻系统101的性能可以被有意地降级或变成次优。在这种情况下，受限操作模式允许光源105仍然产生光学光束160并以受限的方式曝光晶片，但是避免了使光学光刻系统101完全停止使用。
监视系统150还能够将光源105置于诊断模式或恢复模式中。诊断模式允许光源105执行自动和非手动测试活动。在恢复模式中，监视系统150可以致使光源105采取致使光源105返回到标称或优化性能状态的动作。诊断模式和恢复模式与受限操作模式的不同之处在于，光刻设备115在这些模式中不曝光晶片。
监视系统150监视光源105和/或光学光刻系统101，而不干扰光源105的操作并且不需要操作者干预。监视系统150还可以监视光源105和/或光学光刻系统101的性能，并且可以在光源105处于操作中并产生光学光束160时改变光源105的行为。例如，当光源105产生光学光束160并且光刻设备115曝光一个或多个晶片时，监视系统150可以调整光源105的一个或多个操作参数。
在另一个示例中，在将光源105置于受限性能模式、恢复模式或诊断模式中之后，监视系统150可以监视光学光刻系统101和/或光源105的性能。当在诊断模式或恢复模式中操作时，监视系统150可以在光源105处于操作中但未曝光晶片的同时监视光源105和/或光学光刻系统101的性能。当在受限操作模式中操作时，监视系统150可以在光学光刻系统101曝光晶片的同时监视光学光刻系统101和/或光源105的性能。
如关于图4至图9进一步讨论的，监视系统150还能够监视一组光学光刻系统和/或光源，并且使用从该组的光学光刻系统和/或光源之一确定的性能趋势来改善该组的其他成员的性能。该组光源和/或光学光刻系统可以位于相同的工厂(例如，晶片制造设施或工厂)中，由相同的公司实体拥有，并且位于相同的工厂或不同的工厂中但在同一电子防火墙之后，或者可以被用于相同的特定应用而不管共同位置或所有权如何。
再次参见图1，光源105包括控制系统107，该控制系统107通过调整光源105的某些操作参数来控制光源105的低级操作。控制系统107可以是例如在嵌入式处理器上实现的反馈或前馈控制器。控制系统107在光源105的特定子系统上操作。光源105可以包括许多子系统，每个子系统可以包括例如可控物理装置，以软件实现的系统，或包括硬件方面和软件方面的系统。控制系统107可以控制例如由源105发射的脉冲光学光束的重复速率，光源105内的各种光学元件的位置，或光源105的光学腔室中的气态增益介质的温度和/或压力。
监视系统150被实现为与控制系统107不同的系统。与控制系统107分开地实现监视系统150允许监视系统150监视和分析光学光刻系统101和/或光源105的整体性能。光源105可以包括控制系统107的许多实例，每个实例控制一个或多个子系统。监视系统150可以分析与控制系统107的所有子系统和所有实例有关的信息。因此，监视系统150能够分析光源105的整体性能，并且不限于监视特定子系统的性能。与控制系统107分开地实现监视系统150还允许监视系统150监视光源105而不会干扰光源105的操作。
控制系统107可以操作在相对短的时间帧上，例如，在由光源105发射的脉冲光学光束的每个脉冲上。监视系统150可以在比控制系统107更长的时间段上监视光学光刻系统101和/或光源105，并且监视系统150还可以基于光源105的长期性能来采取纠正动作。例如，监视系统150可以基于光学光刻系统101和/或光源105在几天、几周或几个月的时间段内的性能来采取纠正动作。
此外，监视系统150具有控制系统107所不具有的能力。不是在嵌入式处理器而是在通用计算机上实现监视系统150。嵌入式处理器通常比通用计算机小并且使用较少功率。与嵌入式处理器相比，通用计算机能够执行更复杂的计算并存储更大量的数据。因此，与嵌入式处理器(例如被用来实现控制系统107的嵌入式处理器)可能的情况相比，监视系统150能够存储来自光源105的更大量的数据并以更复杂的方式分析该数据。
另外，因为监视系统150在持续(例如，恒定、周期性、按需或定期)的基础上监视光源105的性能，所以监视系统150可以在校正根本是较简单、较快和/或可行时在早期阶段标识并校正潜在的性能问题。例如，监视系统150可以被用来在潜在问题升级到需要操作者或专家手动干预的点之前标识和纠正潜在问题。这种手动干预通常涉及从服务中移除光源105(例如，当从服务中移除光源105时，光源105和光学光刻系统101不能曝光晶片)。如此，监视系统150的使用可以减少或消除对光源105的耗时且昂贵的手动故障排除和维修的需求。
此外，并且如关于图3和图7进一步讨论的，监视系统150采用规则集合153，其将光源105和/或光学光刻系统101的条件与模块库155中的各种模块相关联。监视系统150使用规则153来从库155中选择要执行的一个或多个特定模块。监视系统150执行所选择的一个或多个模块以确定光源105和/或光学光刻系统101上是否存在特定条件，并且可以生成用于光源105的命令信号。命令信号作用于光学设备105上以调整一个或多个操作参数，以例如校正或改善光源105和/或光学光刻系统101的性能。
规则153和模块库155的使用还为监视系统150执行的监视带来了一致性和鲁棒性。通过手动故障排除和监视，这种一致性和鲁棒性可能是具有挑战性的或无法实现的。例如，模块库155可以包括基于规则153每天一次将光源105切换到诊断模式的模块。这继而致使光源105发出预定义的脉冲图案，而监视系统150从光源105收集数据。在诊断模式期间收集的数据由监视系统150执行的模块来管控。通过该模块的使用，可以确保用于在该诊断模式下收集数据的条件随着时间和光源的不同都是相同的。与手动排除故障相比，这允许更鲁棒和一致的数据集的收集。
参见图2A，示出了系统200的框图。系统200示出了其中监视系统150经由数据连接104而耦合到光学光刻系统201的示例。光学光刻系统201是光学光刻系统101(图1)的实现的示例。光学光刻系统201包括光源105，光源105将光学光束160提供给光刻设备215以处理晶片220，该晶片220被接收在晶片区域处。光刻设备215也可以被称为扫描仪。光学光束160可以是脉冲光学光束，其包括在时间上彼此分离的光脉冲。监视系统150监视光学光刻系统201的性能。
光刻设备215包括投影光学系统225，该投影光学系统225接收光学光束160并形成曝光光束291。光刻设备215还可以包括计量系统222。计量系统222例如可以包括：能够捕获晶片220的图像或在晶片220处的曝光光束291的相机或其他设备，能够捕获描述曝光光束291的特性的数据(诸如在xy平面上光束291在晶片220处的强度)的光学检测器，和/或能够测量提供关于光束291或晶片220的信息的数据的任何其他装置。光刻设备215可以是液体浸没系统或干式系统。
通过例如用曝光光束291在晶片220上曝光辐射敏感光致抗蚀剂材料层来在晶片220上形成微电子特征。还参见图2B，投影光学系统225包括狭缝226、掩模224和投影光学器件227。在到达投影光学系统225之后，光学光束160穿过狭缝226。在图2A和图2B的示例中，狭缝226是矩形的，并且将光学光束260整形为细长的矩形形状的光束。可以使用其他形状。然后，被整形的光学光束穿过掩模224。在掩模224上形成图案，并且该图案确定被整形的光学光束的哪些部分被掩模224透射并且哪些部分被掩模224阻挡。图案的设计由将在晶片220上形成的特定微电子电路设计来确定。由掩模224透射的被整形的光学光束的各部分穿过投影光学器件227(并且可以被投影光学器件227聚焦)并曝光晶片220。
监视系统150可以通过数据连接104从光学光刻系统201的任何部分接收信息249。例如，监视系统150可以从光源105和/或计量系统222接收信息。监视系统150可以不断地、周期性地从光学光刻系统201接收信息249，或者监视系统150可以轮询光学光刻系统201并作为响应接收信息249。监视系统150通过数据连接104将命令信号251提供给光源105。
图3是监视系统350的框图。监视系统350是监视系统150的实现的示例。在图3的示例中，监视系统350通过数据连接304而耦合至光学光刻系统301的光源305。在图3的示例中，监视系统350和光学光刻系统301位于同一工厂392中。工厂可以是例如晶片制造设施、房间或位置。在一些实现中，工厂392可以包括物理上分开的(诸如不同的建筑物)但是由相同的电子防火墙保护的位置。
光学光刻系统301和数据连接304可以分别被用作光学光刻系统101和数据连接104(图1和图2A)。光源305类似于光源105(图1和图2A)。光源305将光学光束360提供给光刻设备215。在图3的示例中，监视系统350从光源305接收信息349，并通过数据连接304和数据接口306向光源305提供命令信号351。监视系统350基于从光源305接收到的信息349生成命令信号351。
在一些实现中，光刻设备215包括类似于数据接口306的数据接口(在图3中未示出)，使得监视系统350也从光刻设备215接收信息。图5示出其中光刻设备215包括数据接口的示例。在这些实现中，监视系统350使用类似于数据接口306的数据连接以从光源305和光刻设备215接收信息349。
监督器模块352包括规则集合353、模块库355以及监视参数357。模块库355包括一个或多个模块，这些模块当由命令信号引擎354执行时可以产生命令信号351。模块355中的每个模块可以是例如形成计算机程序或子例程的指令集。模块355处理和/或分析来自光学光刻系统301的信息349，以确定光学光刻系统301中是否存在特定条件。如果存在特定条件，则命令信号引擎354生成命令信号351。
在任何给定时间，命令信号引擎354执行模块库355中的一个或多个模块。在一些实现中，命令信号引擎354一次执行一个模块。在图3中，由命令信号引擎354执行的模块被示为虚线矩形并标记为358。规则集合353管控命令信号引擎354执行哪个或哪些模块。
集合353中的每个规则将模块库355中的一个或多个模块与执行准则相关联。规则集合353可以包括例如基于时间的规则和基于事件的规则。基于时间的规则的执行准则基于预定义时间量的流逝。基于事件的规则的执行准则基于光学光刻系统301内的事件的发生。例如，基于时间的规则可以指示命令信号引擎354自从来自模块库355的某个模块的上一次执行以来的已定义时间量过去之后或者每周执行该模块。基于事件的规则可以指示当来自光学光刻系统301的信息349指示已将一定数量的光脉冲提供给光刻设备215时，命令信号引擎354执行来自模块库355中的某个模块。
监督器模块352还包括监视参数357。监视参数357是管控在模块库355中的模块被执行时命令信号引擎354执行的动作的变量、设置和/或数量。监视参数357中的任何一个监视参数都可以由模块库355中的一个以上模块使用。监视参数372可以被视为由一个或多个模块调用或引用的变量。监视参数357可以包括例如模块配置参数、用于基于时间和事件的规则的配置、数据馈送规则和/或保护过滤器。
模块配置参数是被用来指定模块所采取的行为或动作的细节的任何值。配置参数可以是例如由模块使用的值的范围，该模块将阈值测试应用于来自光学光刻系统301的信息，以确定光源305中是否存在特定条件。在一些实现中，监视光源305的一个方面的模块可以通过将数据与值的范围进行比较来分析来自光学光刻系统301的信息。例如，模块可以分析指示光源的放大器中的气态增益介质相对于预定义范围的压力的数据。在此示例中，值的预定义范围是配置参数。如果来自光源305的数据指示压力在预定义范围之外，则生成命令信号351并将其提供给光源305。
当光源305接收命令信号351时，调整光源305的一个或多个操作参数以例如将压力带入预定义范围中和/或进入诊断模式。如果来自光源305的信息349指示压力在预定义范围内，则模块可以执行替代动作。例如，模块生成存储在电子存储装置362处的日志文件，而不是生成命令信号351。通常，模块配置参数可以由任何模块使用。例如，与气压监视有关的任何模块都可以被编写为使用上面示例中讨论的预定义范围。
在另一个示例中，模块配置参数可以包含关于模块库355中的哪些模块处于活动状态的信息。也就是说，模块配置参数可以被用来启用或禁用模块库355中的一个或多个模块。
监视参数375还可以包括用于基于时间和事件的规则的配置，该配置致使由命令信号引擎354执行来自模块库355的模块。在一个示例中，用于基于时间的规则的配置是指定模块执行频率的特定时间量。在另一个示例中，用于基于事件的规则的配置是光学光刻系统301的操作参数的特定值，必须超越该特定值以便执行对应的模块。
数据馈送规则包含另一种类型的监视参数357，其指定基于事件或一定时间的流逝而发生的数据传送动作(例如，经由数据连接304从光学光刻系统301到监视系统350的数据传送)。例如，数据馈送规则可以指定光学光刻系统301的某个操作参数应基于某个时间量的流逝或某个事件的发生而通过数据连接304被传送给监视系统350。
保护过滤器是监视参数，其与其他规则或模块无关地防止某些动作的发生。例如，保护过滤器可以防止光学光刻系统301的一些操作参数被命令信号351改变——与指定的其在模块库355中的对应模块是什么无关。在另一个示例中，保护过滤器也可以被用来对命令信号351可以改变的内容设置限制。在该示例中，保护过滤器可以防止发出命令信号351，该命令信号351将致使光源305试图操作在其普通性能限制之外。
在一些实现中，所有或一些监视参数357对于监视系统350的操作者是可访问的，使得操作者能够修订和/或添加到模块库355中的规则和/或模块。在其他实现中，监视参数357对于监视系统350的操作者是不可访问的，并且由制造商在监视系统350被调试时设置。在其他实现中，监视参数357对于操作者是不可访问的，但是可以基于在监视系统被调试时存在的预定义内部规则来改变。
在通用计算机上实现监视系统350，该通用计算机包括电子处理器361、电子存储装置362和I/O接口363。电子处理器361包括一个或多个适合于执行计算机程序的处理器，诸如通用或专用微处理器，以及任何类型的数字计算机中的任何一个或多个处理器。通常，电子处理器从只读存储器、随机存取存储器(RAM)或两者接收指令和数据。电子处理器361可以是任何类型的电子处理器。电子处理器361执行构成监督器模块352、命令信号引擎354、规则集合353中的规则以及模块库355中的模块的指令。
电子存储装置362可以是诸如RAM的易失性存储器或非易失性存储器。在一些实现中，电子存储装置362包括非易失性和易失性部分或组件。电子存储装置362可以存储在监视系统350的操作中使用的数据和信息。例如，电子存储装置362可以存储规则集合353、模块库355和监视参数357。实现监督器模块352和命令信号引擎354的指令(例如，以计算机程序的形式)也可以被存储在电子存储装置362上。电子存储装置362也可以存储从光学光刻系统301接收的信息349和/或提供给光源305的命令信号351。
电子存储装置362还可以存储指令，或许作为计算机程序，该指令在被执行时致使处理器361与光源305和/或光刻设备215中的组件通信。例如，指令可以是致使电子处理器361将由命令信号引擎354生成的命令信号351提供给光源305的指令。在另一个示例中，电子存储装置362可以存储指令，该指令在被执行时致使监视系统350与单独的机器进行交互。例如，监视系统350可以与同一工厂392中的其他光学光刻系统进行交互。相对于图4和图9讨论了与多于一个光学光刻系统进行交互的监视系统的示例。
在一些实现中，监视系统350可以经由数据链路394将数据发送到远程站393。远程站393例如可以是计算机服务器。远程站393不在工厂392内，并且远程站393不被配置为向光源305或光学光刻系统301的任何其他部分提供命令。数据链路394可以是能够将数据从工厂392发射到工厂392之外的位置的任何通信信道。数据链路394可以经由监督控制和数据获取(SCADA)协议或其他服务协议(诸如安全外壳(SSH)或超文本传输协议(HTTP))来发射数据)。
I/O接口363是允许监视系统350与操作者、光源305、光源305的一个或多个组件、光刻设备215和/或在其他电子装置上运行的自动化过程交换数据和信号的任何类型的接口。例如，在可以编辑监视参数357的实现中，可以通过I/O接口363进行编辑。I/O接口363可以包括视觉显示器、键盘和通信接口中的一种或多种，通信接口例如是并行端口、通用串行总线(USB)连接和/或任何类型的网络接口，诸如例如以太网。I/O接口363还可以允许通过例如IEEE 802.11、蓝牙或近场通信(NFC)连接而没有物理接触的通信。I/O接口363也可以被用来将监视系统350连接到数据链路394和远程站393。
通过数据连接304将命令信号351提供给光源305。数据连接304可以是物理电缆或其他物理数据管道(诸如支持基于IEEE 802.3的数据传输的电缆)、无线数据连接(诸如经由IEEE 802.11或蓝牙提供数据的数据连接)、或有线和无线数据连接的组合。可以通过任何类型的协议或格式来设置通过数据连接提供的数据。例如，文件传输协议(FTP)或公共对象请求代理架构(CORBA)可以被用来将命令信号351发射到光源305和/或从光源305接收信息349。
数据连接304连接到监视系统350的数据接口356和光源305的数据接口306。数据接口356和306可以是能够发送和接收数据的任何种类的接口。例如，数据接口356和306可以是以太网接口、串行端口、并行端口或USB连接。数据接口356和306可以允许通过无线数据连接的数据通信。例如，数据接口356和306可以是IEEE811.11收发器、蓝牙或NFC连接。数据接口356和306可以是相同的数据接口，或者数据接口356和306可以各自具有不同的形式。例如，数据接口356可以是以太网接口，并且数据接口306可以是并行端口。在图3的示例中，与光源305一起示出了数据接口306。然而，光刻设备215还可以具有被配置用于与监视系统350通信的数据接口。
光源305包括数据接口306、与数据接口306通信的控制系统307以及由控制系统307控制的子系统308。图3示出了一个数据接口306、控制系统307和子系统308。然而，光源305可以包括一个以上的数据接口306、控制系统307和/或子系统308。
子系统308是可控制以生成和/或引导光学光束360和/或曝光光束291(如图2中所示)的任何类型的系统。子系统308可以包括可控物理装置、以软件实现的系统或包括硬件和软件方面的系统。例如，子系统308可以是光学元件(诸如棱镜、反射镜和/或透镜以及相关联的机械组件)的集合，其将光学光束360聚焦和导向在光源305内和/或朝向光刻设备215。在该示例中，控制系统307可以修改与子系统308有关的操作参数，诸如机械组件的位置、地点和/或取向，以对光学组件进行定向。在另一个示例中，子系统308可以是致使光源305以特定的重复速率产生光脉冲的定时系统。定时系统可以被实现为例如在与控制系统307通信的光源305中的现场可编程门阵列(FPGA)中的软件。在该示例中，控制系统307可以改变定时系统的操作参数，从而改变重复速率。
控制系统307是在嵌入式处理器309上实现的基于电子和软件的控制系统。嵌入式处理器309具有与监视系统350的电子处理器361不同的特性。嵌入式处理器309是实时处理器，其足够快以针对光源305生成的每个光脉冲至少执行一次控制系统。此外，嵌入式处理器309可以消耗较少的功率，并且可以比电子处理器361更小。嵌入式处理器309可以包括中央处理器(CPU)和存储器。然而，嵌入式处理器309比电子处理器361具有更少的一般处理能力，并且与电子存储装置362相比具有更少的可用存储器。因此，监视系统350能够执行比嵌入式处理器309更复杂的计算并能够存储更多数据。这允许监视系统350执行对于嵌入式处理器309而言执行起来具有挑战性或不可能的数据分析。例如，监视系统350可以分析在几天、几周和几个月的时段内从光源305收集的数据。
控制系统307与监视系统350是分开的，并且控制系统307能够独立于命令信号351来控制子系统308。然而，控制系统307与数据接口306通信，并且可以通过数据接口306从监视系统350接收信息或命令。例如，控制系统307可以基于命令信号351中的信息来改变子系统308中的操作参数，从而监视系统350能够临时控制控制系统307。在另一个示例中，命令信号351可以改变控制系统307的操作参数。
图4是系统400的框图。系统400包括监视系统350。图4示出了用来监视一个以上的光学光刻系统的监视系统350的示例。在图4的示例中，监视系统150经由相应的数据连接404_1至404_n而被耦合至光学光刻系统401_1至401_n(其每一个均包括相应的光源405_1至405_n)。光源405_1至405_n中的每一个光源可以类似于光源105(图1)或光源305(图3)。数据连接404_1至404_n中的每一个数据连接可以类似于数据连接104(图1)或304(图3)。
光学光刻系统401_1至401_n是组403的一部分。组403包括n个光学光刻系统，其中n是大于零的任何数字。在图4中所示的示例中，光学光刻系统401_1至401_n在同一工厂492内。工厂492例如可以是晶片制造设施、房间或位置。在一些实现中，工厂492可以包括物理上分开(诸如不同的建筑物)但是由相同的电子防火墙保护的位置。在一些实现中，可以在几个不同的工厂中分配组403中的系统401_1至401_n。例如，系统401_1至401_n可以是由同一公司实体拥有的系统，或者以相同的方式使用而与所有权或位置无关的系统。
监视系统350从任何或所有光学光刻系统401_1至401_n接收信息，分析数据，并将命令信号提供给任何或所有光源405_1至405_n。在一些实现中，监视系统350可以经由数据链路394向远程站393提供数据。
在进一步讨论监视系统150和350的操作之前，讨论与可以被用作光学光刻系统101或光学光刻系统301的光学光刻系统501有关的附加细节。
图5是光学光刻系统501的框图。在光学光刻系统501中，光源505产生脉冲光学光束560，其被提供给光刻设备215。例如，光源505例如可以是输出脉冲光学光束560(其可以是激光光束)的准分子光源。
光源505还包括控制系统507A和数据接口506A。光刻设备215包括控制系统507B和数据接口506B。控制系统507A、507B类似于控制系统307(图3)，并且数据接口506A、506B类似于数据接口306(图3)。控制系统507A、507B一起控制光学光刻系统501的各种操作，其中控制系统507A控制光源505的各个方面，而控制系统507B控制光刻设备215的各个方面。控制系统507A、507B分别与数据接口506A、506B通信。
数据接口506A从光源505向数据连接304提供信息，并从监视系统350接收信息和数据(例如，命令信号351)。数据接口506B将信息从光刻设备215提供给监视系统350。数据接口306A和306B还可以彼此交换数据和信息，使得控制系统507A和507B能够彼此通信。数据接口306A和306B可以经由信号路径(在图5中以虚线示出并标记为548)彼此通信并且与监视系统350通信。信号路径548可以是任何类型的有线或无线连接。
在图5中所示的示例中，光源505是两级激光系统，其包括主振荡器512，该主振荡器512向功率放大器530提供种子光学光束524。主振荡器512和功率放大器530可以被认为是光源505的子系统或者作为光源505一部分的系统。换句话说，主振荡器512和功率放大器530是关于图3讨论的子系统308的示例。功率放大器530从主振荡器512接收种子光学光束524，并放大种子光学光束524以生成用于在光刻设备215中使用的光学光束560。例如，主振荡器512可以发射脉冲种子光学光束，每个脉冲具有大约1毫焦耳(mJ)的种子脉冲能量，并且这些种子脉冲可以由功率放大器530放大到大约10mJ到15mJ。脉冲的持续时间(也被称为脉冲宽度或长度)可以是脉冲功率连续保持高于其最大值的百分比(例如50％)的时间。
主振荡器512包括具有两个细长电极517的放电室514、作为气体混合物的增益介质519、和用于使气体在电极517之间循环的风扇(在图5中未标记)。在放电室514的一侧上的线窄化模块516和放电室514的第二侧上的输出耦合器518之间形成谐振器。线窄化模块516可以包括诸如光栅之类的衍射光学器件，其微调放电室514的光谱输出。输出耦合器518可以包括部分反射镜，该部分反射镜形成朝向放电室的谐振器，并且还递送一部分输出光学光束远离放电室。主振荡器512还包括：线中心分析模块520，其从输出耦合器518接收输出光学光束；以及光束耦合光学系统522，其可以根据需要修改输出光学光束的尺寸、形状和/或方向，以形成种子光学光束524。线中心分析模块520是可以被用来测量或监视种子光学光束524的波长的测量子系统。线中心分析模块520可以被放置在光源505中的其他位置处，或者可以将其放置在光源505的输出处。
在放电室514中使用的气体混合物可以是适合于产生应用所需波长和带宽的光学光束的任何气体。对于准分子源，气体混合物可以包含：惰性气体(稀有气体)，诸如例如氩气或氪气；卤素，诸如例如氟气或氯气；以及除氦气和/或氖气之外的微量氙气作为缓冲气体。气体混合物的具体示例包括发出约193nm波长的光的氟化氩(ArF)，发出约248nm波长的光的氟化氪(KrF)或发出约351nm波长的光的氯化氙(XeCl)。准分子增益介质(气体混合物)通过向细长电极517施加电压来在高压放电中以短(例如纳秒)电流脉冲泵浦。在放电室514中的气体混合物中使用的特定量的不同气体是光源505的操作参数的另一示例。
功率放大器530包括光束耦合光学系统532，其从主振荡器512接收种子光学光束524，并将光学光束引导通过放电室540，并到达光束转向光学元件552，其修改或改变光学光束的方向，使得将光学光束发送回放电室540中。放电室540包括一对细长电极541、作为气体混合物的增益介质519'和用于使气体混合物在电极541之间循环的风扇(图5中未示出)。
输出光学光束560被引导通过带宽分析模块562，其中可以测量光束560的各种操作参数(诸如光谱带宽或波长)。输出光学光束560也可以被引导通过脉冲展宽器(图5中未示出)，其中输出光学光束560的每个脉冲例如在光学延迟单元中在时间上被展宽，以针对撞击光刻设备215的光学光束的性能特性进行调整。
控制系统507A可以连接到光源505的各个组件和子系统。控制系统507A通过调整光源505的操作参数来控制光源105的低级操作。例如，控制系统507A可以控制光源505何时发射光脉冲或包括一个或多个光脉冲的光脉冲突发。光学光束560可以包括在时间上彼此分开的一个或多个突发。每个突发可以包括一个或多个光脉冲。在一些实现中，突发包括数百个脉冲，例如100-400个脉冲。突发中的脉冲数是光源505的操作参数的另一示例。在控制系统507A中，突发中的脉冲数可以是可改变的操作参数。当以诊断模式操作时，来自监视系统350的控制信号可以通过改变控制系统507A中的对应操作参数的值来改变突发中的脉冲数。此外，突发中的脉冲数可以是关于图3讨论的监视参数357之一。
图6A至图6C提供了光源505中的脉冲的产生的概况。图6A示出了作为时间的函数的晶片曝光信号600的幅度。图6B示出了作为时间的函数的选通信号615的幅度，并且图6C示出了作为时间的函数的触发信号的幅度。
控制系统507B和数据接口506B可以被配置为将晶片曝光信号600发送到光源505的数据接口506A，以控制光源505产生光学光束560。在图6A中示出的示例中，晶片曝光信号600在时间段607期间具有高值605(例如1)，在该时间段607期间光源505产生光脉冲突发。否则，当晶片120未被曝光时，晶片曝光信号600具有低值610(例如，0)。
参见图6B，光学光束560是脉冲光学光束，并且光学光束560包括脉冲突发。控制系统507B还通过将选通信号615发送到光源505的数据接口506A来控制脉冲突发的持续时间和频率。选通信号615在脉冲突发期间具有高值620(例如1)并且在连续的突发之间的时间期间具有低值625(例如0)。在所示的示例中，选通信号615具有高值的持续时间也是突发616的持续时间。突发在时间上被突发之间的时间间隔分开。在突发之间的时间间隔期间，光刻设备215可以将下一个裸片定位在晶片220上以进行曝光。
参见图6C，控制系统507B还利用触发信号630来控制每个突发内的脉冲的重复速率。触发信号630包括触发器640，触发器之一被提供给光源505以致使光源505产生光脉冲。每当要产生脉冲时，控制系统507B和数据接口506B可以将触发640发送到光源505的数据接口506A。因此，可以通过触发信号630来设置由光源505产生的脉冲的重复速率。该重复速率是两个连续脉冲之间的时间的倒数。两个连续脉冲之间的时间在图6C中被标记为元素635。脉冲光束560的重复速率是光源505的操作参数的另一示例。
如上所讨论的，当通过向电极517施加电压来泵浦增益介质519时，增益介质519发出光。当以脉冲的方式向电极517施加电压时，从介质519发出的光也被脉冲化。因此，脉冲光学光束560的重复速率由向电极517施加电压的速率来确定，其中每次施加电压都产生光脉冲。光脉冲传播通过增益介质519，并通过输出耦合器518离开腔室514。因此，通过向电极517周期性、重复地施加电压来产生一列脉冲。例如，触发信号630例如可以被用来控制对电极517的电压施加以及脉冲的重复速率，其对于大多数应用可以在大约500Hz和6,000Hz之间的范围。在一些实现中，重复速率可以大于6,000Hz，并且可以例如为12,000Hz或更大。
控制系统507A还可以被用来分别控制主振荡器512和功率放大器530内的电极517、541，以用于控制主振荡器512和功率放大器530的相应脉冲能量，从而控制光学光束560的能量。提供给电极517的信号与提供给电极541的信号之间可能存在时延。时延量是光源505的操作参数的另一示例。例如，时延量可能影响脉冲光学光束560的光谱带宽。在此示例中，种子光学光束524的脉冲的光谱带宽可能随时间变化，其中前沿(脉冲在时间上最先出现的部分)具有最高的光谱带宽，而脉冲的随后出现的部分具有最低的光谱带宽。提供给电极517的信号和提供给电极541的信号之间的时延确定了脉冲的哪一部分被放大。因此，较大的时延导致具有较大光谱带宽的脉冲，而较短的时延导致具有较低光谱带宽的脉冲。脉冲光学光束560可以具有在数十瓦例如从约50W到约130W的范围内的平均输出功率。
参见图7，示出了过程700的流程图。过程700是可以由监视系统150或350执行的过程的示例。关于监视系统350(图3和图5)和光学光刻系统501(图5)讨论过程700。
在第一时间段期间从光学光刻系统510接收信息(710)。第一时间段可以是任何时间量。例如，第一时间段可以是大于由光源505产生的脉冲光学光束的两个连续脉冲之间的时间的时间。从光学光刻系统510接收的信息可以是与光源505或光学光刻系统501的条件有关的任何信息。条件是光源505或光学光刻系统501的任何属性，其与光源505或光学光刻系统501的性能有关。
从光学光刻系统501接收的信息例如可以包括由例如在光源505内或在光源505外的检测器或传感器系统获得的测量数据。例如，接收到的信息可以包括光学光束560的重复速率、由光源505产生的脉冲数量、由光源505产生的突发数量、测量的光学光束560的脉冲强度、测量的光学光束560的脉冲的均匀性、光学光束560的光谱带宽、光学光束560的波长和/或测量的光源的放电室的气态增益介质的温度和/或压力。
从光学光刻系统501接收的信息可以包括来自光刻设备215的测量信息。例如，信息可以包括对在晶片220处提供的剂量的指示(在光学光刻系统的光刻设备中接收的晶片处的每单位面积的光能量的量)，以及在光学光刻系统的光刻设备中接收的晶片处的曝光光束的峰值强度的测量。
附加地或备选地，从光学光刻系统501接收的信息可以包括与控制系统507A和/或507B相关联的信息，诸如在控制系统507A和/或507B中使用的设置或参数。例如，信息可以包括与控制系统507A和/或507A相关联的环路增益、与控制系统507A和/或507A相关联的操作点、和/或由控制系统507A和/或507A施加的操作限制。
从光学光刻系统501和/或光源505接收的信息与光源505和/或光学光刻系统501的条件有关。例如，光源505的条件可以是指示光源505的性能的状态或模式。例如，光源505的条件可以是(但不限于)以下任何一种：预期性能、某种故障的存在、可能的故障、离线或预定服务到期。光学光刻系统501的条件例如可以与剂量误差有关。其他条件也是可能的，并且下面将进一步讨论条件的具体示例。例如，图8A至图8D提供了确定存在已知为丢失(dropout)的故障条件的示例的图示。
可以在无需监视系统350采取动作的情况下并且周期性地从光学光刻系统501和/或光源505接收信息。例如，光源505可以基于诸如数据馈送规则之类的监视参数通过数据连接304在周期性的基础上提供预定义的信息集。在其他实现中，监视系统350可以在周期性的、随机的或恒定的基础上轮询或请求来自光源505和/或光学光刻系统501的信息。在其他实现中，监视系统350通过检索驻留在光源505上的日志文件来从光源505接收信息。例如，控制系统507A可以生成包括操作参数的测量值的日志文件。在一些实现中，监视系统350可以基于规则集合353中的基于时间的规则来轮询或请求来自光学光刻系统501的信息。例如，规则集合353中的规则可以指定在光源505已经产生一百万个脉冲之后从光源505获得某些信息。
访问来自集合353的规则(720)。规则集合353中的规则例如与如下相关联：(a)光源505和/或光学光刻系统501中的事件和/或(b)一定时间量(例如，一周、一月或一年)的流逝。光源505中的事件可以是例如一定数量脉冲的产生。集合353的规则还与模块库355中的一个或多个模块相关联。基于规则标识存储在模块库355中的模块(730)。集合353中的规则将事件或时间的流逝与库355中的一个或多个模块相关联。因此，在(720)中访问的规则指示要选择以供命令信号引擎354执行的一个或多个模块。
在一种实现中，规则集合353作为由管理者模块352和/或命令信号引擎354访问的规则文件被存储在电子存储装置362中。在该实现中，规则集合353包括模块库355中的模块列表以及直到每个模块的下一次调度执行之前的时间。在该实现中，监督模块352在无限循环中运行，其使用包含规则集合353的规则文件中的信息来标识库355中的模块。对于监督模块352的每次迭代(每次通过循环)，与规则文件中列出的每个模块相关联的时间将减少自从监督模块352最近一次迭代以来所流逝的时间量。当与模块相关联的时间达到零(或其他一些预定义值)时，命令信号引擎354执行该模块。
其他实现是可能的。例如，除了时间之外或代替时间，列表中的一些或所有模块可以与事件相关联。如果事件在监督模块352的最新迭代之后发生，那么与该事件相关联的一个或多个模块由命令信号引擎354执行。事件例如可以是一定数量的光脉冲的生成和/或测量值(诸如波长或重复速率)超过阈值或在预定义的值范围之外。事件的另一个示例是故障条件的发生，诸如丢失(稍后将详细描述)或光源无法保持指定的输出功率电平之类的。
此外，规则文件中的列表上的模块可以包括少于模块库355中的所有模块。在一些实现中，模块列表中包括的模块可以由光学光刻系统501的操作者通过I/O接口363从库355中的所有可用模块中选择。在一些实现中，可以锁定规则文件中的列表上的模块，以便仅预定义的模块集合可用于由命令信号引擎354执行。
使用所标识的模块和所接收的信息来确定光源505和/或光学光刻501中是否存在特定条件(740)。在(730)中标识的一个或多个模块由命令信号引擎354执行。执行的一个或多个模块处理来自光学光刻系统501的信息，以确定光源505中是否存在条件。例如，模块包括用于处理和分析来自光源505的信息的逻辑。在一种实现中，将在一个时间段期间从光源505和/或光学光刻系统501接收的信息与存储的信息进行比较。例如，可以将从光源505和/或光学光刻系统501接收到的信息与在较早时间接收并存储在电子存储装置362中的相同类型的信息进行比较，并且可以将差异与预定义阈值进行比较。如果满足或超过阈值，则声明存在特定条件。图8A至图8D讨论了声明丢失条件的示例。
在另一种实现中，由模块对从光学光刻系统501接收的信息进行分析，以确定或估计在相对较长时间段(例如分钟、小时或天)内的与光源505的一个或多个操作参数有关的值或度量。将操作参数的确定值或估计值与表示用于该操作参数的期望值(或值的范围)的存储值(或值的范围)进行比较。如果操作参数的确定值或估计值超出期望范围或不同于用于该操作参数的期望值，则声明存在特定条件。
如果存在特定条件，则命令信号引擎354生成命令信号351，并且通过数据连接304将命令信号351提供给光源505(750)。命令信号351可以基于所声明的特定条件。
如果声明不存在任何条件，则监视系统350可以采取替代动作(760)。替代动作可以是除了生成命令信号351并将命令信号351提供给光源505之外，监视系统350可以执行的任何动作。例如，监视系统350可以生成用于存储在电子存储装置362上的日志文件，将在该时间段内从光学光刻系统501接收的信息存储在电子存储装置362上，和/或生成一个对于光刻系统501的操作者来说是可以感知的通知，其指示监视系统350目前未采取任何动作。
因此，过程700可以被用来确定光源505或光学光刻系统501中是否存在条件，并且响应于该条件的存在而采取动作。例如，并且还参见图8A至图8D，过程700可以被用来确定光源505中是否存在丢失条件，并且如果存在该条件，则调整使气体在主振荡器腔室514中循环的风扇的鼓风机速度(例如，每分钟转数)。当向电极517施加电压但主振荡器512产生的光能量的量远小于预期或没有产生光能量时，存在丢失条件。
图8A示出了作为时间的函数的光束质量(BQ)计数801的示例。BQ计数指示在光源505中已经发生多少光束质量事件。图8A的示例是BQ计数的累积图，其在水平轴上示出自从时间0之前的一个时间以来已经发生的光束质量事件的总数。例如，图8A可以示出自从开启光源505以来已经发生的光束质量事件的总数。
当光束560的任何方面不满足预定义规格时，发生光束质量事件。例如，当光束560具有在可接受的值范围之外的光能量、光谱带宽和/或波长时，发生光束质量事件。BQ计数增加可以指示存在故障条件，但是仅BQ计数不足以确定发生了丢失(或任何其他特定错误)。在图8A中所示的示例中，BQ计数801包括增加885和886，它们中的每一个指示在特定时间处又发生了一个光束质量事件。然而，仅增加886是由丢失引起的。在不能够分析相对大量数据的情况下对脉冲到脉冲数据进行操作的控制系统(诸如通用反馈控制器或控制系统507A或507B)可能会错误地标识丢失条件。通过使用比控制系统307实际更复杂的处理以及通过还使用除了BQ计数之外的信息，监视系统350能够正确地标识出丢失，并且仅针对实际丢失增加风扇速度。
在该示例中，规则集合353包括光束质量规则，该光束质量规则将光束质量计数中的变化与模块库355中的丢失检测模块相关联。光束质量规则是基于事件的示例，每当波束质量计数增加时，其致使丢失检测模块由该规则标识并由命令信号引擎354执行。监视系统350从光源505接收光束质量计数信息。在一些实现中，当光束质量计数值改变时，控制系统507A将数据提供给监视系统350。在一些实现中，监视系统350在周期性的基础上接收光束质量计数值，并确定光束质量计数是否已改变。
命令信号引擎354响应于增加885而执行丢失检测模块。丢失检测模块包括以计算机程序的形式布置的逻辑或指令，该逻辑或指令当由命令信号引擎354执行时致使监视系统350处理和分析来自光源505的电压和能量数据。例如，监视系统350可以请求来自光源505的日志文件(例如，通过FTP调用)。日志文件包括针对脉冲窗口的能量和电压数据，该脉冲窗口周围包括与光束质量计数885中的增加同时或几乎同时出现的脉冲。图8C示出了从光源505接收到的日志文件中的指示作为电压的函数的能量的数据的示例。窗口可以包括任意数量的脉冲(例如10,000个脉冲)。在一些实现中，可以通过监视参数357来设置窗口的尺寸。
当被执行时，丢失检测模块估计线880C的斜率，其拟合从光源505接收的能量和电压数据882C。能量和电压数据在图8C中以实点示出。将数据点(针对特定脉冲测量的能量和电压)与拟合该数据的线进行比较，以标识异常值。异常值是所测得的能量比预期能量低超过阈值距离的数据点。预期能量由线880C的斜率和电压值确定。与预期能量具有最大偏差的数据点被标识并与丢失阈值884进行比较。在图8C中，具有最大能量偏差的数据点被标记为异常值883C。在命令信号引擎354上执行的丢失检测模块将异常值883C的能量偏差的量与阈值884进行比较。如果该量超过阈值884，则认为数据点表示丢失。在图8C的示例中，异常值883C没有超过阈值884，因此，命令信号引擎354不生成命令信号351。
命令信号引擎354响应于增加886再次执行丢失检测模块。监视系统350从光学光刻系统501接收信息，该信息包括针对窗口中脉冲的电压和能量，该窗口包括其中发生增加886的脉冲。丢失检测模块的逻辑分析针对脉冲的能量和电压数据882D(显示为点)，以确定拟合该数据的线。该线在图8D中被示为线880D。线880D可以具有与线880C不同的斜率。将针对每个电压点的测得能量与预期能量进行比较。实际和预期能量差异最大的数据点被标识为最大异常值，并被标记为883D。将异常值883D与丢失阈值884进行比较，并被确定为超出丢失阈值884。因此，异常值883D被视为丢失，并且声明在光源505中存在丢失条件。
响应于声明存在丢失条件，命令信号引擎354生成命令信号351。命令信号351基于特定条件，并且可以由模块通知命令信号引擎354执行以确定该条件存在。例如，可以通过增加主振荡器512中的风扇的速度来减轻丢失条件。因此，丢失检测模块可以包括指定命令信号351包括信息(诸如电压和/或电流值)的逻辑，其在被提供给光源505的控制系统507A时，将导致风扇的速度增加一定量和/或调整存储在控制系统507A中的风扇的设定点。
图8B分别示出了由风扇汲取的电流和风扇的设定点(例如，以RPM为单位)的曲线887和888。图8B示出了缩放或标准化的RPM和当前值。如通过比较图8A和图8B所示，仅当光源505中存在丢失条件时，监视系统才改变所汲取的电流和设定点。RPM 887中的增加与BQ计数886中的增加和与图8D中的数据相关联的丢失条件的声明相一致。图8A和图8B的水平轴是任意单位的时间。然而，图8A和图8B中所示的总时间远大于当光源505以6,000Hz产生脉冲时从光源505发射的两个后续光脉冲之间的时间。
关于图8A至图8D讨论的示例示出了监视系统350如何能够检测光源505和/或光学光刻系统501中的条件的存在，并校正或减轻该条件。由监视系统350检测到的条件是由于检测过程的复杂性和被分析以确定存在丢失条件的数据量而导致控制系统507A通常无法检测到的条件。另外，如图8B所指示，监视系统350可以将命令信号351提供给光源505，并且在不干扰光源505的操作的情况下改变风扇的设定点(其是操作参数)。在该示例中，即使设定点被改变，风扇也继续操作并汲取电流。
参见图9，示出了过程900的流程图。过程900提供了使用监视系统350来监视一组光学光刻系统并基于所监视的性能来改变该组中的系统的行为的示例。当监视系统350连接到光源505或光学光刻系统501的一个以上实例时，可以由监视系统350执行过程900。图4示出了其中监视系统350连接到作为组403的一部分的多个光学光刻系统401_1至401_n的实现的示例的框图。光学光刻系统401_1至401_n中的每一个可以被实现为光学光刻系统501的实例。光学光刻系统401_1至401_n中的每一个包括相应的光源405_1至405_n。光源405_1至405_n可以被实现为光源505的实例。
来自光学光刻系统401_1至401_n之一的信息由监视系统350接收(910)。对于图9的讨论，监视系统350从光学光刻系统401_1接收信息，但是可以从组403中的任何系统接收该信息。此外，监视系统350可以从光学光刻系统401_1至401_n中的一个以上接收信息。
确定光学光刻系统405_1中存在特定条件(920)。过程700的元素(710)-(740)可以被用来确定存在特定条件。基于所确定的条件来确定用于光源405_1的一个或多个操作参数的更新值(930)。在光源405_1至405_n中的任何一个处将一个或多个操作参数改变为确定的更新值(940)。可以通过生成和提供诸如针对过程700的元素(750)所讨论的命令信号来更新一个或多个操作参数。
如上所指出，对于该示例，光源405_1至405_n中的每一个光源被实现为光源505的实例(图5)。接下来提供将过程900用于组性能管理的示例。
主振荡器512中的气体可以是包括氖气和氟气的气体混合物。在最初部署组403之后，可以更新每个光源中的控制系统507A，以允许利用更少一种气体进行操作。该更新例如可以改变光源的操作参数，使得注入到腔室514中的氖气和/或氟气的最小量和最大量和/或注入任何一种气体之间的时间量从默认值改变。
在更新之后，监视系统350从光学光刻系统401_1至401_n接收信息。在该示例中，监视系统350从光学光刻系统401_1至401_n和光源405_1至405_n接收信息。例如，监视系统350从光学光刻系统401_1至401_n接收剂量信息，该剂量信息指示在晶片处接收的每单位面积的光能量的量，该晶片使用来自光源405_1至405_n的光进行曝光。监视系统350还可以从每个光源405_1至405_n接收对注入到腔室514中的氖气的量以及施加到电极517的电压的量的指示。监视系统350在相对较长的时间段(例如，几天或几周)上接收该信息，并使用模块库355中的一个或多个模块来分析接收到的信息。使用接收到的信息，监视系统350确定仅在将气体之一的最大量注入到那些光学光刻系统的光源中时，才在组403的一些光学光刻系统中出现丢失或剂量的其他错误。
基于确定当注入气体之一的最大量时更频繁地存在丢失或剂量错误条件，监视系统350生成命令信号以减小与注入到放电室514中的最大气体量有关的光源405_1至405_n的操作参数。尽管在少于组403中的所有光学光刻系统和光源上观察到剂量错误条件或丢失条件，但是因为监视系统350确定减小可以被引入到腔室514中的气体的最大量减少了丢失或剂量错误条件的发生，所以监视系统350可以将命令信号提供给组403中的所有光源，以帮助减小剂量错误和丢失条件出现在组403的其他光学光刻系统中的可能性。
监视系统可以在提供更新操作参数的命令信号之后继续监视组403的光学光刻系统。尽管组403中的光学光刻系统名义上是相同的并且以相同的方式操作，但是实际性能可能由于例如制造和安装差异而不同。如果在改变之后组403中的任何光学光刻系统的性能下降，则监视系统350可以发布命令信号以反转对该光源进行的改变。
在一些实现中，监视系统350连接到远程站493(图4)。在这些实现中，监视系统350可以被配置为向远程站493发送报告或其他通知，其指示在组403的光源405_1至405_n中已经改变了与允许被注入到腔室514中的最大气体量有关的操作参数。监视系统350还可以将与光源405_1至405_n的操作条件有关的信息提供给远程站493。远程站可以连接到监视系统350的其他实例，其他实例继而又连接到类似于组403的其他组。其他组和组403可以由同一生产者或公司实体拥有和控制，并且所有这些组都可以包括在相似条件下操作的相似装备。远程站493和监视系统350的其他实例可以进行通信，以使在组403中做出的改变的通知在监视系统的其他实例处被接收，但是远程站493不直接控制其他组的光源或光刻系统。然而，如果合适，监视系统的其他实例可以采取动作来更新其他组中的光源。
其他实现在权利要求的范围内。上面讨论的示例不是穷举的，并且过程700和900可以被用来确定光学光刻系统501和/或光源505中的各种条件并且采取一系列校正动作。例如，过程700可以被用来确定对于光源505的任何方面存在更优的操作点。如关于图5和图6A至图6C讨论的，电极517和541的发射之间的时间时延是光源505的操作参数的示例。监视系统350可以确定应当改变时间时延以获得更好的性能。对于作为一组光源的一部分的光源，可以在其中一个光源中改变时间时延，并且性能可以由监视系统350进一步监视。如果性能得到改善，监视系统350可以发布命令信号到该组中的所有光源，以使在该组中的所有光源上改变时间时延。
确定条件还可以包括确定光源505和/或光学系统501的性能不是最佳的。可以用在调试光学光刻系统501时由制造商设置的一组初始操作参数值或默认值来部署光源505和/或光学光刻系统501。因为不同的操作者和最终用户对于光学光刻系统501的输出和使用具有不同的目标，所以默认操作参数对于光刻系统501的最终用户或操作者希望使用系统501的特定情况或特定方式可能不是最佳的。监视系统350可以在最终用户的情况下监视系统501和/或源505的性能，并改变一个或多个操作参数以优化性能。
附加地，光源505的操作参数可以根据监视系统外部采取的动作发生变化。例如，对控制系统507A的软件更新可能导致一些默认操作参数发生变化，这可能会影响光源505和/或光学光刻系统501的性能。监视系统350能够监视光刻系统501和/或光源505，并采取纠正动作以解决可能出现的性能问题。
在图4的示例中，示出了与组403中的所有光学光刻系统401_1至401_n通信的单个监视系统350。然而，其他配置也是可能的。例如，每个光学光刻系统401_1至401_n可以连接到单独的监视系统。在以下编号的条款中阐述了本发明的其他方面。
1.一种系统，包括：
光学光刻系统，所述光学光刻系统包括：
光源，被配置为产生光学光束，所述光源包括一个或多个控制系统，所述一个或多个控制系统中的每一个控制系统被配置为调整所述光源的操作参数；以及
光刻设备，所述光刻设备包括：
投影光学系统，所述投影光学系统被配置为接收来自所述光源的所述光学光束并产生曝光光束；以及
晶片区域，所述晶片区域被配置为接收晶片和所述曝光光束；以及
监视系统，与所述光学光刻系统耦合，所述监视系统被配置为：
访问至少一个规则，
基于所访问的规则来标识来自模块库的模块，
使用所标识的模块和来自所述光学光刻系统的信息来确定所述光学光刻系统中是否存在特定条件；以及
如果存在所述特定条件，则向所述光学光刻系统提供命令信号，所述命令信号基于所确定的特定条件，并且足以致使所述控制系统中的一个或多个控制系统调整所述光源的一个或多个操作参数，其中
所述光源的所述一个或多个操作参数中的每一个操作参数指定所述光源的行为，并且调整所述光源的一个或多个操作参数改变所述光源的一个或多个行为。
2.根据条款1所述的系统，其中
所述光源还包括数据接口，
所述监视系统耦合到所述光源的所述数据接口，
来自所述光学光刻系统的所述信息被接收自所述光源的所述数据接口，以及
所述命令信号通过所述光源的所述数据接口被提供给所述光学光刻系统。
3.根据条款1所述的系统，其中
所述光源还包括数据接口，
所述光刻设备还包括数据接口，
所述监视系统耦合到所述光源的所述数据接口和所述光刻设备的所述数据接口，
来自所述光学光刻系统的所述信息出自于所述光源和所述光刻设备中的一项或多项，以及
所述命令信号通过所述光源的所述数据接口被提供给所述光刻系统。
4.根据条款1所述的系统，其中
由所述光源产生的所述光学光束是脉冲光学光束，
所述脉冲光学光束具有重复速率，所述重复速率指示所述脉冲光学光束的特定脉冲与紧邻所述特定脉冲的脉冲之间的时间，
所述光源的所述一个或多个控制系统被配置为以控制速率进行操作，所述控制速率等于或大于所述重复速率，使得所述控制系统能够针对所述脉冲光学光束中的每个脉冲调整所述光源的所述一个或多个操作参数，以及
所述监视系统具有监视系统速率，所述监视系统速率指示提供给所述光学光刻系统的所述命令信号的两个单独实例之间的最小时间量，以及
提供给所述光学光刻系统的所述命令信号的两个单独实例之间的所述最小时间量大于所述脉冲光学光束的脉冲之间的时间，使得所述监视系统速率比所述控制速率和所述重复速率慢。
5.根据条款4所述的系统，其中所述监视系统还被配置为：
存储在第一时间段内从所述光学光刻系统接收的信息，所述第一时间段大于所述脉冲光学光束中的两个相邻脉冲之间的时间；
分析在所述第一时间段内从所述光学光刻系统接收的存储信息；以及
其中，所述监视系统被配置为使用所标识的模块和所分析的存储信息来确定所述特定条件是否存在。
6.根据条款5所述的系统，其中所述监视系统还被配置为轮询所述光学光刻系统以从所述光学光刻系统接收所述信息。
7.根据条款1所述的系统，其中所述监视系统耦合到一个或多个其他光学光刻系统，并且所述监视系统被配置为：从任何耦合的光学光刻系统接收信息，并且向任何耦合的光学光刻系统提供命令信号。
8.根据条款7所述的系统，其中所述监视系统基于接收到的信息来确定在所述其他光学光刻系统的至少一个光学光刻系统中存在所述特定条件，所述监视系统标识所述条件存在于哪个光学光刻系统中，并且所述监视系统仅将所述命令信号提供给所标识的光刻系统。
9.根据条款7所述的系统，其中所述监视系统基于接收到的信息来确定在所述其他光学光刻系统的至少一个光学光刻系统中存在所述特定条件，所述监视系统标识所述条件存在于哪个光学光刻系统中，并且所述监视系统将命令信号提供给所有光学光刻系统。
10.根据条款1所述的系统，其中所述光源的所述操作参数具有默认值，并且所述命令信号致使所述一个或多个控制系统中的至少一个控制系统将至少一个操作参数调整为与所述操作参数的默认值不同的值。
11.根据条款1所述的系统，其中所述至少一个规则包括规则集合，所述规则集合包括基于事件的规则和基于时间的规则，所述基于事件的规则是与所述光源中的事件相关联并且基于所述光源中的所述事件的发生指定所述模块库中的一个或多个模块的规则，并且所述基于时间的规则是与时间量相关联并且基于所述时间量的流逝指定所述模块库中的一个或多个模块的规则。
12.根据条款11所述的系统，其中所述监视系统还被配置为：
确定是否在所述光源内发生了事件，
确定是否经过了一时间量，以及
基于是否在所述光源内发生了事件的确定以及是否经过了一时间量的确定中的一项或多项，访问所述规则集合中的规则之一。
13.根据条款1所述的系统，其中在所述光源产生所述光学光束的同时，所述命令信号被提供给所述光学光刻系统，并且在所述光源产生所述光学光束的同时，所述一个或多个操作参数被调整。
14.一种监视光学光刻系统的方法，所述方法包括：
在第一时间段期间从所述光学光刻系统接收信息；
访问规则，所述规则与所述光学光刻系统中的事件和所经过的时间量中的一项或多项相关联；
基于所访问的规则，标识存储在模块库中的模块；
使用在所述第一时间段期间从所述光学光刻系统接收的所述信息和所标识的模块，确定所述光学光刻系统中是否存在特定条件；以及
如果存在所述特定条件，则基于所述特定条件的一个或多个特征生成命令信号，并将所述命令信号提供给所述光学光刻系统的光源，其中：所述命令信号基于所确定的特定条件，所述命令信号足以改变所述光源的一个或多个操作参数，并且在所述第一时间段之后所述命令信号被提供给所述光源。
15.根据条款14所述的方法，还包括：存储在所述第一时间段期间接收到的所述信息，并且其中确定所述光学光刻系统中是否存在特定条件包括在所述第一时间段之后分析所存储的信息。
16.根据条款15所述的方法，还包括：在访问所述规则之前，基于从所述光学光刻系统接收到的信息来确定要访问的规则。
17.根据条款14所述的方法，其中确定是否存在特定条件包括：
比较在所述第一时间段期间从所述光学光刻系统接收的信息与存储信息，
基于所述比较确定是否满足或超过阈值，以及
当满足或超过所述阈值时声明存在所述特定条件。
18.根据条款14所述的方法，其中确定是否存在特定条件包括：
分析在所述第一时间段期间从所述光学光刻系统接收的所述信息，
基于所分析的信息，确定所述光源的一个或多个操作参数的值，
将所确定的值与针对所述一个或多个操作参数中的每一个操作参数的期望值进行比较，以及
当所确定的值相对于所述期望值在预定义的值范围之外时，声明存在所述特定条件。
19.根据条款14所述的方法，还包括：呈现对所述光源的一个或多个操作参数的调整的指示，所述调整由所述控制信号引起，并且所述指示对于所述光学光刻系统的操作者而言是可感知的。
20.一种监视系统，包括：
监视数据接口，所述监视数据接口被配置为向一个或多个光学光刻系统发送信息和从一个或多个光学光刻系统接收信息，所述光学光刻系统中的每一个光学光刻系统包括光源；
电子存储装置；和
一个或多个电子处理器，耦合到所述电子存储装置，所述电子存储装置包括指令，所述指令在被执行时致使所述一个或多个处理器：
访问至少一个规则，所述规则将所述一个或多个光学光刻系统中的任何一个光学光刻系统中的事件以及时间段中的一项或多项与被配置为分析来自所述一个或多个光学光刻系统中的任何一个光学光刻系统的信息的模块相关联，并且产生命令信号；
基于所访问的至少一个规则，标识存储在所述电子存储装置中的模块库中的模块；
使用所标识的模块和来自所述光学光刻系统的信息，确定所述一个或多个光学光刻系统中的任何一个光学光刻系统中是否存在特定条件；以及
如果在所述一个或多个光学光刻系统中的任何一个光学光刻系统中存在所述特定条件，则生成命令信号，所述命令信号基于所确定的特定条件并且足以改变所述一个或多个光学光刻系统中的任何一个光学光刻系统的光源的一个或多个操作参数，并且将所述命令信号提供给至少一个光源。
21.根据条款20所述的监视系统，其中在所述至少一个光源产生脉冲光学光束的同时，所述命令信号被提供给所述至少一个光源。
22.根据条款20所述的监视系统，其中所述至少一个规则和所述模块库中的模块的一个或多个模块被配置为由所述监视系统的操作者进行编辑。
23.根据条款20所述的监视系统，其中至少一个规则包括基于事件的规则和基于时间的规则中的一项或多项，所述基于事件的规则与所述光学光刻系统中的事件的发生相关联，并且所述基于时间的规则与时间量的流逝相关联。

Claims (23)

1.一种电子系统，包括：
光学光刻系统，所述光学光刻系统包括：
光源，被配置为产生光学光束，所述光源包括一个或多个控制系统，所述一个或多个控制系统中的每一个控制系统被配置为调整所述光源的操作参数；以及
光刻设备，所述光刻设备包括：
投影光学系统，所述投影光学系统被配置为接收来自所述光源的所述光学光束并产生曝光光束；以及
晶片区域，所述晶片区域被配置为接收晶片和所述曝光光束；以及
监视系统，与所述光学光刻系统耦合，所述监视系统被配置为：
访问至少一个规则，所述规则将模块库中的一个或多个模块与所述规则的执行准则相关联；
基于所访问的规则来标识来自所述模块库的模块；
使用所标识的模块和来自所述光学光刻系统的信息来确定所述光学光刻系统中是否存在特定条件；以及
如果存在所述特定条件，则向所述光学光刻系统提供命令信号，所述命令信号基于所确定的特定条件，并且足以致使所述控制系统中的一个或多个控制系统调整所述光源的一个或多个操作参数，其中
所述光源的所述一个或多个操作参数中的每一个操作参数指定所述光源的行为，并且调整所述光源的一个或多个操作参数改变所述光源的一个或多个行为。
2.根据权利要求1所述的系统，其中
所述光源还包括数据接口，
所述监视系统耦合到所述光源的所述数据接口，
来自所述光学光刻系统的所述信息被接收自所述光源的所述数据接口，以及
所述命令信号通过所述光源的所述数据接口被提供给所述光学光刻系统。
3.根据权利要求1所述的系统，其中
所述光源还包括数据接口，
所述光刻设备还包括数据接口，
所述监视系统耦合到所述光源的所述数据接口和所述光刻设备的所述数据接口，
来自所述光学光刻系统的所述信息出自于所述光源和所述光刻设备中的一项或多项，以及
所述命令信号通过所述光源的所述数据接口被提供给所述光学光刻系统。
4.根据权利要求1所述的系统，其中
由所述光源产生的所述光学光束是脉冲光学光束，
所述脉冲光学光束具有重复速率，所述重复速率指示所述脉冲光学光束的特定脉冲与紧邻所述特定脉冲的脉冲之间的时间，
所述光源的所述一个或多个控制系统被配置为以控制速率进行操作，所述控制速率等于或大于所述重复速率，使得所述控制系统能够针对所述脉冲光学光束中的每个脉冲调整所述光源的所述一个或多个操作参数，以及
所述监视系统具有监视系统速率，所述监视系统速率指示提供给所述光学光刻系统的所述命令信号的两个单独实例之间的最小时间量，以及
提供给所述光学光刻系统的所述命令信号的两个单独实例之间的所述最小时间量大于所述脉冲光学光束的脉冲之间的时间，使得所述监视系统速率比所述控制速率和所述重复速率慢。
5.根据权利要求4所述的系统，其中所述监视系统还被配置为：
存储在第一时间段内从所述光学光刻系统接收的信息，所述第一时间段大于所述脉冲光学光束中的两个相邻脉冲之间的时间；
分析在所述第一时间段内从所述光学光刻系统接收的存储的信息；以及
其中，所述监视系统被配置为使用所标识的模块和所分析的存储的信息来确定所述特定条件是否存在。
6.根据权利要求5所述的系统，其中所述监视系统还被配置为轮询所述光学光刻系统以从所述光学光刻系统接收所述信息。
7.根据权利要求1所述的系统，其中所述监视系统耦合到一个或多个其他光学光刻系统，并且所述监视系统被配置为：从任何耦合的光学光刻系统接收信息，并且向任何耦合的光学光刻系统提供命令信号。
8.根据权利要求7所述的系统，其中所述监视系统基于接收到的信息来确定在所述其他光学光刻系统的至少一个光学光刻系统中存在所述特定条件，所述监视系统标识所述条件存在于哪个光学光刻系统中，并且所述监视系统将所述命令信号仅提供给所标识的光刻系统。
9.根据权利要求7所述的系统，其中所述监视系统基于接收到的信息来确定在所述其他光学光刻系统的至少一个光学光刻系统中存在所述特定条件，所述监视系统标识所述条件存在于哪个光学光刻系统中，并且所述监视系统将所述命令信号提供给所有光学光刻系统。
10.根据权利要求1所述的系统，其中所述光源的所述操作参数具有默认值，并且所述命令信号致使所述一个或多个控制系统中的至少一个控制系统将至少一个操作参数调整为与该操作参数的所述默认值不同的值。
11.根据权利要求1所述的系统，其中所述至少一个规则包括规则集合，所述规则集合包括基于事件的规则和基于时间的规则，所述基于事件的规则是与所述光源中的事件相关联并且基于所述光源中的所述事件的发生指定所述模块库中的一个或多个模块的规则，并且所述基于时间的规则是与时间量相关联并且基于所述时间量的流逝指定所述模块库中的一个或多个模块的规则。
12.根据权利要求11所述的系统，其中所述监视系统还被配置为：
确定是否在所述光源内发生了事件，
确定是否经过了一时间量，以及
基于是否在所述光源内发生了事件的确定以及是否经过了一时间量的确定中的一项或多项，访问所述规则集合中的规则之一。
13.根据权利要求1所述的系统，其中在所述光源产生所述光学光束的同时，所述命令信号被提供给所述光学光刻系统，并且在所述光源产生所述光学光束的同时，所述一个或多个操作参数被调整。
14.一种监视光学光刻系统的方法，所述方法包括：
在第一时间段期间从所述光学光刻系统接收信息；
访问规则，所述规则与所述光学光刻系统中的事件和所经过的时间量中的一项或多项相关联，并且所述规则将模块库中的一个或多个模块与所述规则的执行准则相关联；
基于所访问的规则，标识存储在所述模块库中的模块；
使用在所述第一时间段期间从所述光学光刻系统接收的所述信息和所标识的模块，确定所述光学光刻系统中是否存在特定条件；以及
如果存在所述特定条件，则基于所述特定条件的一个或多个特征生成命令信号，并将所述命令信号提供给所述光学光刻系统的光源，其中：所述命令信号基于所确定的特定条件，所述命令信号足以改变所述光源的一个或多个操作参数，并且在所述第一时间段之后所述命令信号被提供给所述光源。
15.根据权利要求14所述的方法，还包括：存储在所述第一时间段期间接收到的所述信息，并且其中确定所述光学光刻系统中是否存在特定条件包括在所述第一时间段之后分析所存储的信息。
16.根据权利要求15所述的方法，还包括：在访问所述规则之前，基于从所述光学光刻系统接收到的信息来确定要访问的规则。
17.根据权利要求14所述的方法，其中确定是否存在特定条件包括：
比较在所述第一时间段期间从所述光学光刻系统接收的所述信息与存储的信息，
基于所述比较确定是否满足或超过阈值，以及
当满足或超过所述阈值时声明存在所述特定条件。
18.根据权利要求14所述的方法，其中确定是否存在特定条件包括：
分析在所述第一时间段期间从所述光学光刻系统接收的所述信息，
基于所分析的信息，确定所述光源的一个或多个操作参数的值，
将所确定的值与针对所述一个或多个操作参数中的每一个操作参数的期望值进行比较，以及
当所确定的值相对于所述期望值在预定义的值范围之外时，声明存在所述特定条件。
19.根据权利要求14所述的方法，还包括：呈现对所述光源的一个或多个操作参数的调整的指示，所述调整由所述命令信号引起，并且所述指示对于所述光学光刻系统的操作者而言是可感知的。
20.一种监视系统，包括：
监视数据接口，所述监视数据接口被配置为向一个或多个光学光刻系统发送信息和从一个或多个光学光刻系统接收信息，所述光学光刻系统中的每一个光学光刻系统包括光源；
电子存储装置；和
一个或多个电子处理器，耦合到所述电子存储装置，所述电子存储装置包括指令，所述指令在被执行时致使所述一个或多个处理器：
访问至少一个规则，所述规则将所述一个或多个光学光刻系统中的任何一个光学光刻系统中的事件以及时间段中的一项或多项与被配置为分析来自所述一个或多个光学光刻系统中的任何一个光学光刻系统的信息的模块相关联，并且产生命令信号；
基于所访问的至少一个规则，标识存储在所述电子存储装置中的模块库中的模块；
使用所标识的模块和来自所述光学光刻系统的信息，确定所述一个或多个光学光刻系统中的任何一个光学光刻系统中是否存在特定条件；以及
如果在所述一个或多个光学光刻系统中的任何一个光学光刻系统中存在所述特定条件，则生成命令信号，所述命令信号基于所确定的特定条件并且足以改变所述一个或多个光学光刻系统中的任何一个光学光刻系统的光源的一个或多个操作参数，并且将所述命令信号提供给至少一个光源。
21.根据权利要求20所述的监视系统，其中在所述至少一个光源产生脉冲光学光束的同时，所述命令信号被提供给所述至少一个光源。
22.根据权利要求20所述的监视系统，其中所述至少一个规则和所述模块库中的模块的一个或多个模块被配置为由所述监视系统的操作者进行编辑。
23.根据权利要求20所述的监视系统，其中至少一个规则包括基于事件的规则和基于时间的规则中的一项或多项，所述基于事件的规则与所述光学光刻系统中的事件的发生相关联，并且所述基于时间的规则与时间量的流逝相关联。
CN201880033471.9A 2017-05-22 2018-04-02 用于光学光刻系统的监视系统 Active CN110651228B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/602,028 2017-05-22
US15/602,028 US10234769B2 (en) 2017-05-22 2017-05-22 Monitoring system for an optical lithography system
PCT/US2018/025751 WO2018217313A1 (en) 2017-05-22 2018-04-02 Monitoring system for an optical lithography system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110651228A CN110651228A (zh) 2020-01-03
CN110651228B true CN110651228B (zh) 2022-04-15

Family

ID=64271619

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880033471.9A Active CN110651228B (zh) 2017-05-22 2018-04-02 用于光学光刻系统的监视系统

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10234769B2 (zh)
CN (1) CN110651228B (zh)
TW (1) TWI663668B (zh)
WO (1) WO2018217313A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230122144A (ko) * 2020-12-22 2023-08-22 사이머 엘엘씨 가스 방전 챔버 블로워의 에너지 소모를 줄이는 기술
CN113406864B (zh) * 2021-05-24 2022-10-28 上海顺灏新材料科技股份有限公司 光刻机外围设备集成监测系统及监测方法
WO2024073396A1 (en) * 2022-09-29 2024-04-04 Cymer, Llc Reducing energy consumption of a gas discharge chamber blower

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002103766A1 (fr) * 2001-06-13 2002-12-27 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition au balayage, et procede de production d'un dispositif associe
JP4154144B2 (ja) 2001-11-13 2008-09-24 キヤノン株式会社 露光装置、発光制御方法、およびデバイス製造方法
US20080073572A1 (en) 2006-07-20 2008-03-27 Siegfried Schwarzl Systems and methods of measuring power in lithography systems
US7935948B2 (en) 2006-08-11 2011-05-03 Sokudo Co., Ltd. Method and apparatus for monitoring and control of suck back level in a photoresist dispense system
US20080077352A1 (en) 2006-09-26 2008-03-27 Tokyo Electron Limited Methods and apparatus for using an optically tunable soft mask profile library
CN101324758B (zh) * 2007-06-13 2011-02-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种光刻机的监测系统及光刻机的监测方法
CN102023488A (zh) * 2009-09-09 2011-04-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法
NL2008924A (en) 2011-06-22 2013-01-02 Asml Netherlands Bv System and method to ensure source and image stability.
KR101344037B1 (ko) 2011-10-19 2013-12-24 주식회사 인피테크 노광용 ｌｅｄ 광원 모듈, 노광용 ｌｅｄ 광원 장치 및 노광용 ｌｅｄ 광원장치 관리시스템
US9207119B2 (en) 2012-04-27 2015-12-08 Cymer, Llc Active spectral control during spectrum synthesis
CN102802327A (zh) 2012-07-26 2012-11-28 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 Led路灯及其远程智能监控系统
US9210780B2 (en) 2012-09-21 2015-12-08 Greenstar Products Limited Street lighting system allowing multiple communication
US9715180B2 (en) 2013-06-11 2017-07-25 Cymer, Llc Wafer-based light source parameter control
US9261794B1 (en) 2014-12-09 2016-02-16 Cymer, Llc Compensation for a disturbance in an optical source
US10816905B2 (en) 2015-04-08 2020-10-27 Cymer, Llc Wavelength stabilization for an optical source
NL2017296A (en) 2015-08-12 2017-02-16 Asml Netherlands Bv Methods for controlling lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
US10627724B2 (en) 2015-09-23 2020-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US10310490B2 (en) * 2016-02-01 2019-06-04 Qoniac Gmbh Method and apparatus of evaluating a semiconductor manufacturing process

Also Published As

Publication number Publication date
TW201901828A (zh) 2019-01-01
WO2018217313A1 (en) 2018-11-29
US20180335701A1 (en) 2018-11-22
CN110651228A (zh) 2020-01-03
US10234769B2 (en) 2019-03-19
TWI663668B (zh) 2019-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110651228B (zh) 用于光学光刻系统的监视系统
JP6557353B2 (ja) 光源のための波長安定化
JP7254098B2 (ja) ガス監視システム
CN112384859B (zh) 光刻系统的维护管理方法、维护管理装置和计算机可读介质
JP7017607B2 (ja) 光ビームのコヒーレンス量の調整
JP2024016176A (ja) 複数の深紫外光発振器のための制御システム
TWI811905B (zh) 氣體放電腔室鼓風機之能量消耗減量
TWI804817B (zh) 深紫外線（ｄｕｖ）光源、用於光源之控制器、及用於控制一光源之方法
JP2023507067A (ja) ガス放電光源における予測装置
TW201812257A (zh) 評估光學源之增益關係
WO2024035528A1 (en) Apparatus for and method of controlling cold start conditioning in a light source
TWI773023B (zh) 用於深紫外線（ｄｕｖ）光學微影之系統及方法、控制光學源裝置之方法、及用於光學源裝置之控制模組
KR20240110815A (ko) 노광 광 빔의 속성의 결정 기술
WO2024073396A1 (en) Reducing energy consumption of a gas discharge chamber blower
WO2023101807A2 (en) Determination of a property of an exposure light beam

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant