TWI811905B - 氣體放電腔室鼓風機之能量消耗減量 - Google Patents
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- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 title description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 58
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 182
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 43
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 28
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 6
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 claims description 5
- VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N [Kr]F Chemical compound [Kr]F VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 4
- HGCGQDMQKGRJNO-UHFFFAOYSA-N xenon monochloride Chemical compound [Xe]Cl HGCGQDMQKGRJNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 49
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 19
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 5
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000013442 quality metrics Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/131—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
- H01S3/134—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/0014—Monitoring arrangements not otherwise provided for
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/10069—Memorized or pre-programmed characteristics, e.g. look-up table [LUT]
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/102—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
- H01S3/104—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/1305—Feedback control systems
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
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Abstract
在一些一般態樣中,一種用於一光源之裝置包括:一監測模組,其經組態以監測該光源之一或多個操作條件之一故障狀況;一減量模組,其經組態以在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況係清除的情況下且在一降低的操作速度將處於或高於一基線速度的情況下,降低配置在該光源之一氣體放電腔室中的一鼓風機之該操作速度;及一增量模組,其經組態以在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況經加旗標的情況下,增加該鼓風機之該操作速度。該鼓風機經組態以使包括來自一能量源之一增益介質之一氣體混合物在該氣體放電腔室內位移,該能量源經組態以向該氣體混合物供應能量。
Description
所揭示標的物係關於控制配置在一光源之一氣體放電腔室中之鼓風機,以從而減少在該光源之操作期間由該鼓風機消耗的能量。
光微影中使用之一種類型的氣體放電光源被稱為準分子光源或雷射。通常,準分子雷射使用一或多種惰性氣體(其可包括氬、氪或氙)與反應性氣體(其可包括氟或氯)的組合。準分子雷射可在適當的電模擬(所供應能量)與(氣體混合物)高壓的條件下產生準分子、偽分子,準分子僅以通電狀態存在。處於通電狀態之準分子產生紫外線範圍內的放大光。準分子光源可使用單個氣體放電腔室或複數個氣體放電腔室。當準分子光源正運行時,準分子光源產生深紫外線(DUV)光束。DUV光可包括波長,舉例而言,自約100奈米(nm)至約400nm。
DUV光束可經引導至光微影曝光裝置或掃描器,該光微影曝光裝置或掃描器係將所要圖案施加至基板(諸如矽晶圓)之目標部分上之機器。DUV光束與投影光學系統交互作用,投影光學系統經由遮罩將DUV光束投影至晶圓之光阻劑上。以此方式,將一或多層晶片設計圖案化至光阻劑上,且隨後對晶圓進行蝕刻及清潔。
在一些一般態樣中,一種用於一光源之裝置包括:一監測模組,其經組態以監測該光源之一或多個操作條件之一故障狀況;一減量模組,其經組態以在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況係清除的情況下且在一降低的操作速度將處於或高於一基線速度的情況下,降低配置在該光源之一氣體放電腔室中的一鼓風機之該操作速度;及一增量模組,其經組態以在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況經加旗標的情況下,增加該鼓風機之該操作速度。該鼓風機經組態以使包括來自一能量源之一增益介質之一氣體混合物在該氣體放電腔室內位移,該能量源經組態以向該氣體混合物供應能量。
實施方案可包括以下特徵中之一或多者。舉例而言,鼓風機之基線速度可與氣體放電腔室之使用年限相關,基線速度隨著氣體放電腔室隨時間老化而改變。
一或多個操作條件中之每一者可係藉由與光源或由光源產生之光束相關的效能度量來定義。一或多個效能度量可包括與光束相關聯之波長直方圖、與光束相關聯之能量劑量誤差、與光束相關聯之能量誤差及氣體放電腔室在光源內之操作點。在相關聯效能度量中之至少一者不在彼效能度量之臨限值範圍內的情況下,故障狀況可經加旗標,且在所有相關聯效能度量皆在其各別臨限值範圍內的情況下,故障狀況可係清除的。光源之操作條件中之至少一者可係前瞻性的,使得在相關聯效能度量之值不在效能度量之臨限值範圍內之前調整鼓風機之操作速度。操作條件中之至少一者可係反應性的,使得在相關聯效能度量之值不在效能度量之臨限值範圍內之後調整鼓風機之操作速度。每一前瞻性操作條件可與有限臨限
值範圍相關聯,該有限臨限值範圍比效能度量之實際臨限值範圍更嚴格,且可藉由基於有限臨限值範圍判定前瞻性操作條件之故障狀況來在相關聯效能度量之值不在實際臨限值範圍內之前調整鼓風機之操作速度。
與光源之一或多個操作條件相關的故障狀況可使用低通濾波器或加權總和濾波器來判定。
減量模組可經組態以將鼓風機之操作速度降低達減量速度步長,且增量模組可經組態以將鼓風機之操作速度增加達增量速度步長。增量速度步長可大於減量速度步長。增量速度步長可小於或等於25轉/分鐘(rpm),且減量速度步長可為增量速度步長之約二分之一、三分之一、四分之一或五分之一。
可藉由增量及減量模組在由最小鼓風機速度及最大鼓風機速度定義之鼓風機速度範圍內調整鼓風機之操作速度。
減量模組及增量模組可各自經組態以避免鼓風機之二次諧波之混淆頻率干擾與光源相關聯之光譜特徵控制系統時的鼓風機操作速度。該等干擾鼓風機操作速度可相依於光源產生光束的重複率。
該裝置亦可包括基線模組,該基線模組經組態以在鼓風機之操作速度低於基線速度的情況下增加鼓風機之操作速度。
該裝置可為光源之狀態機,使得監測模組可為監測狀態,減量模組可為減量狀態,且增量模組可為增量狀態。在降低處於減量狀態之鼓風機之操作速度之後,在與光源之一或多個操作條件相關的故障狀況經加旗標的情況下,狀態機可自減量狀態轉變至增量狀態。狀態機可包括基線狀態,該基線狀態經組態以在鼓風機之操作速度低於基線速度的情況下,增加鼓風機之操作速度,且在鼓風機之操作速度跨越低於基線速度的
情況下,狀態機可自減量狀態轉變至基線狀態。在基線狀態增加處於基線狀態之鼓風機之操作速度之後,可在與光源之一或多個操作條件相關的故障狀況經加旗標的情況下,狀態機自基線狀態轉變至增量狀態。在鼓風機之操作速度低於基線速度的情況下,狀態機可自監測狀態轉變至基線狀態。在增加處於遞增狀態之鼓風機之操作速度之後,在鼓風機之增加的操作速度大於目標速度的情況下,狀態機可自增量狀態轉變至監測狀態。在與光源之一或多個操作條件相關的故障狀況經加旗標的情況下,狀態機可自監測狀態轉變至增量狀態。在滿足一或多個退出準則的情況下,狀態機可自監測狀態轉變至減量狀態,退出準則基於基線速度、由光源產生之光束脈衝之一數目及導致光源之效能之改良之事件中的一或多者。
在其他一般態樣中,一種用於光源之鼓風機控制器包括:控制系統,其與配置在光源之氣體放電腔室中之鼓風機通信;鼓風機,其經組態以使包括來自能量源之增益介質之氣體混合物在氣體放電腔室內位移,能量源經組態以向氣體混合物供應能量。控制系統經配置以:監測光源之一或多個操作條件之故障狀況;在與光源之一或多個操作條件相關的故障狀況係清除的情況下且在降低的操作速度將處於或高於基線速度的情況下,降低處於減量狀態之鼓風機之操作速度;且在與光源之一或多個操作條件相關的故障狀況經加旗標的情況下,增加處於增量狀態之鼓風機之操作速度。
實施方案可包括以下特徵中之一或多者。舉例而言,控制系統可包括:電腦可讀記憶體模組;及一或多個電子處理器,其耦接至電腦可讀記憶體模組。
可使用二進位記法定義與一或多個操作條件相關的故障狀
況,使得故障狀況在故障狀況係清除的情況下經指派值0,且在故障狀況經加旗標的情況下經指派值1。
在鼓風機之降低的操作速度低於基線速度的情況下,控制系統可經組態以增加處於增量狀態之鼓風機之操作速度。
在其他一般態樣中,執行一種用於控制配置在光源之氣體放電腔室中之鼓風機的方法。該方法包括:監測光源之一或多個操作條件之故障狀況;在與光源之一或多個操作條件相關的故障狀況係清除的情況下且在降低的操作速度將處於或高於基線速度的情況下,使鼓風機之操作速度遞減;及在與光源之一或多個操作條件相關的故障狀況經加旗標的情況下,使鼓風機之操作速度遞增。
實施方案可包括以下特徵中之一或多者。舉例而言,可藉由降低由鼓風機之移動引起的光源內之振動量來使鼓風機之操作速度遞減。可藉由將鼓風機之操作速度降低達減量速度步長來使鼓風機之操作速度遞減,且可藉由將鼓風機之操作速度增加達增量速度步長來使鼓風機之操作速度遞增。該方法可進一步包括判定鼓風機之增量及減量速度步長,每一速度步長相依於與光源之一或多個操作條件相關的故障狀況。
藉由在由最小鼓風機速度及最大鼓風機速度定義之鼓風機速度範圍內調整鼓風機之操作速度,可使鼓風機之操作速度遞減及遞增。該方法亦可包括判定鼓風機之鼓風機速度範圍,鼓風機速度範圍相依於光源之一或多個操作條件的故障狀況。
該方法可進一步包括在鼓風機之降低的操作速度低於基線速度的情況下,使鼓風機之操作速度遞增。
與一或多個操作條件相關的故障狀況可藉由監測一或多個
退出準則來監測,使得僅在滿足退出準則中之一或多者的情況下才降低鼓風機之操作速度。退出準則可基於基線速度及由光源產生之光束脈衝之數目,在鼓風機之操作速度大於基線速度且光束脈衝數目大於最小脈衝數目的情況下,滿足退出準則。
在其他一般態樣中,紫外線光源包括:光產生裝置,其包含一或多個氣體放電腔室,該一或多個氣體放電腔室經組態以保持包括增益介質之氣體混合物,容納經組態以向氣體混合物供應能量之能量源,及產生光束,該等氣體放電腔室中之至少一者經組態以保持鼓風機,該鼓風機經組態以使來自能量源之氣體混合物在氣體放電腔室內位移;及裝置,其經組態以調整鼓風機之操作速度。該裝置包括:監測模組,其經組態以監測與光源之一或多個操作條件相關的故障狀況;減量模組,其經組態以在與光源之一或多個操作條件相關的故障狀況係清除的情況下且在降低的操作速度將處於或高於基線速度的情況下,降低鼓風機之操作速度;及增量模組,其經組態以在對光源之一或多個操作條件之故障狀況經加旗標的情況下增加鼓風機之操作速度。
實施方案可包括以下特徵中之一或多者。舉例而言,增益介質可經組態以回應於施加至能量源之電壓信號而發射深紫外線(DUV)光。氣態增益介質可包括氟化氬(ArF)、氟化氪(KrF)或氯化氙(XeCl)。光產生裝置可包括兩個氣體放電腔室,氣體放電腔室包括經組態以產生種子光束之主振盪器及經組態以自種子光束產生輸出光束之功率放大器。光產生裝置可包括複數個氣體放電腔室,且氣體放電腔室中之每一者可經組態以向光束組合器發射光束。
該裝置可包括基線模組,該基線模組經組態以在鼓風機之
降低的操作速度低於基線速度的情況下,增加鼓風機之操作速度。
100:紫外線光源
101:微影曝光裝置
102:光束
103A:壁
103B:壁
104:氣體放電腔室/放電腔室
104i:內腔
105:光產生裝置
106:能量源
107:氣體混合物
108:鼓風機
110:裝置
112:監測模組
114:減量模組
116:增量模組
118:基線模組
320_1:效能度量
320_2:效能度量
320_N:效能度量
321_1:值
321_2:值
321_N:值
322_1:濾波器
322_2:濾波器
322_N:濾波器
323_1:濾波值
323_2:濾波值
323_N:濾波值
324_1:臨限值範圍
324_2:臨限值範圍
324_N:臨限值範圍
325_1:故障狀況
325_2:故障狀況
325_N:故障狀況
326:故障狀況模組
327:故障狀況
429a:恆定速率
429b:恆定速率
429c:速率
510:狀態機
511:被動狀態
512:監測狀態
514:減量狀態
516:增量狀態
518:基線狀態
532:步驟
533:步驟
534:步驟
535:步驟
536:步驟
537:步驟
538:步驟
539:步驟
540:步驟
541:步驟
542:步驟
544:步驟
545:步驟
546:步驟
547:步驟
548:步驟
549:步驟
760:程序
761:步驟
763:步驟
765:步驟
767:步驟
800:光源
801:微影曝光裝置
802:脈衝輸出光束
802s:種子光束
803A_1:腔室壁
803B_1:腔室壁
803A_2:腔室壁
803B_2:腔室壁
804A:氣體放電腔室
804B:氣體放電腔室
805:光產生裝置
806A:能量源
806B:能量源
807A:氣體混合物
807B:氣體混合物
808A:鼓風機
808B:鼓風機
810A:裝置
810B:裝置
870:半導體基板/晶圓
873A:內腔
873B:內腔
875A:光學組件
875B:光學組件
876A:光學組件
876B:光學組件
877A:光學組件
877B:光學組件
900:光源
901:微影曝光裝置
902:脈衝光束
902':成形曝光光束
904-1:氣體放電腔室
905:光產生裝置
906-1:能量源
907-1:氣體混合物
908-1:鼓風機
909-1:光學振盪器
909-N:光學振盪器
950:控制系統
970:半導體基板/晶圓
977-1:光譜特徵選擇模組
978-1:光束
978-N:光束
980-1:輸出耦合器
981-1:線心分析模組
990:氣體供應系統
991:腔室
992:光束控制裝置
993:光束組合器
994:光束準備系統
995:投影光學系統
995a:狹縫
995b:遮罩
995c:透鏡系統
996:晶圓固持器
997:感測器系統/計量系統
998:流體導管
bmax:最大基線速度
bmin:最小基線速度
dL:時間量
dS:時間量
t1a:時間
t1b:時間
t1c:時間
t2a:時間
t2b:時間
t2c:時間
t3b:時間
t3c:時間
圖1為產生供微影曝光裝置使用之光束的紫外線光源的方塊圖,該光源包括具有一或多個氣體放電腔室之光產生裝置,每一氣體放電腔室包括鼓風機,及至少部分地經組態以控制鼓風機之速度的裝置;圖2為圖1之裝置之實施方案的方塊圖,該裝置包括監測模組、減量模組及增量模組,以及視情況基線模組;圖3為展示如何基於光源之一或多個操作條件來判定光源之總體故障狀況供圖1及圖2之裝置使用的示意性說明;圖4A至圖4C為展示基線速度如何相對於不同放電腔室之放電腔室之使用年限而改變的例示性曲線圖;圖5為表示該裝置之實施方案之狀態機的示意圖,該狀態機包括監測狀態(由監測模組執行)、減量狀態(由減量模組執行)及增量狀態(由增量模組執行);圖6A為在狀態機處於減量狀態時由減量模組執行的程序的流程圖;圖6B為在狀態機處於監測狀態時由監測模組執行的程序的流程圖;圖6C為在狀態機處於基線狀態時由基線模組執行的程序的流程圖;圖6D為在狀態機處於增量狀態時由增量模組執行的程序的流程圖;圖7A為由用於控制圖1及圖2之光源之鼓風機之速度之裝置
執行的程序的流程圖;圖7B為可包括在圖7A之程序中之額外步驟;圖8為光源之實施方案的方塊圖,其中光產生裝置包括在主振盪器-功率放大器配置中之兩個氣體放電腔室;圖9A為其中光產生裝置包括複數個氣體放電腔室之光源的實施方案及微影曝光裝置的實施方案的方塊圖;及圖9B為圖9A之微影曝光裝置之投影光學系統的實施方案的方塊圖。
參考圖1,紫外線光源100包括光產生裝置105,該光產生裝置包括一或多個氣體放電腔室104;及裝置110。在圖1之實例中,光產生裝置105包括一個放電腔室104,但其可包括複數個放電腔室104(諸如在圖8及圖9A中所展示)。氣體放電腔室104經組態以在氣體放電腔室104之內腔104i內保持包括增益介質之氣體混合物107,容納經組態以向氣體混合物107供應能量以從而產生光束102的能量源106。氣體混合物107之增益介質經組態以回應於施加至能量源106之電壓信號發射深紫外線(DUV)光。能量源106可經組態以使用間置有無能量週期之高壓放電以短(例如,奈秒)電流脈衝向氣體混合物107供應能量。在向氣體混合物107提供來自能量源106之能量時,氣體混合物107藉由受激發射自在氣體混合物107之增益介質中發生之粒子數反轉產生光束102之脈衝。如此,光束102為脈衝光束,該脈衝光束包括以DUV範圍內之波長為中心的光脈衝,舉例而言,具有248奈米(nm)或193nm之波長。對於DUV光源,氣體混合物107之氣態增益介質可包括例如氟化氬(ArF)、氟化氪(KrF)或氯化氙
(XeCl)。光束102沿著路徑經引導朝向微影曝光裝置101。使用光束102來將微電子特徵圖案化在經接納在微影曝光裝置101中之基板或晶片圓上。圖案化在晶圓上之微電子特徵之大小相依於脈衝光束102之波長,其中較低之波長導致較小的最小特徵大小或臨界尺寸。舉例而言,當脈衝光束102之波長為248nm或193nm時,微電子特徵之最小大小可例如為50nm或更小。
具體而言,能量源106可包括陰極及陽極,且陰極與陽極之間的電位差在氣體混合物107中形成電場。電場向氣體混合物107內之增益介質提供能量,此類能量足以引起粒子數反轉且使得能夠經由受激發射產生光脈衝。此類電位差的重複產生形成最終構成光束102之光脈衝列。“放電事件”為施加電壓,該電壓形成足以在氣體混合物107之增益介質中引起放電及光脈衝發射的電位差。
當自能量源106附近的氣體混合物107產生光脈衝時,存在氣體混合物107內之分子恢復的時間段。此恢復時間比能量源106之脈衝之間的時間長。此外,若向恢復氣體混合物107供應另一能量脈衝,恢復氣體混合物保持最接近能量源106,則光束102之所得光脈衝之輸出品質將降低且可導致光產生裝置105之故障。為了解決此問題,氣體放電腔室104保持鼓風機108,該鼓風機固定至氣體放電腔室104之壁103A、103B。在各種實施方案中,鼓風機108可包括諸如風扇之旋轉結構。舉例而言,參見2004年7月20日頒發並命名Partlo等人作為發明人的美國專利第6,765,946號,該美國專利以全文引用的方式併入本文中。鼓風機108經組態以使恢復氣體混合物107之部分有規則地位移遠離氣體放電腔室104內之能量源106,以使得新鮮氣體混合物107在產生能量源106之下一脈衝
之前與能量源106交互作用。若鼓風機108之速度過低,則在氣體放電腔室104中會出現電弧、丟棄及無效率,且在鼓風機108不能充分清除恢復氣體混合物107之部分時,氣體放電腔室104會發生故障。另一考慮事項為鼓風機108之旋轉或運動可導致氣體放電腔室104內的振動,此可影響光束102之一或多個光譜性質以及光束102在微影曝光裝置101處之劑量效能。
在光源100之操作期間,鼓風機108之操作速度(其為鼓風機108圍繞鼓風機108之旋轉軸旋轉的速度或速率)可以預先組態的速度維持恆定。具體而言,鼓風機108之操作速度可維持處於最大鼓風機速度,使得鼓風機之操作速度108不隨時間且以及隨著光源100操作而改變。在此類條件下,鼓風機108可隨時間消耗大致恆定量的能量,或換言之,在光源100操作時需要恆定功率,此可為昂貴的且至少成本低效。因此,如本文中所論述,藉由裝置110基於光源100之一或多個操作條件之故障狀況及鼓風機108之基線速度(此為鼓風機108之最小允許速度)隨時間(在光源100操作時)而改變或調整鼓風機108之操作速度。以此方式,裝置110充當鼓風機控制器,其藉由在光源100之操作期間在最小鼓風機速度與最大鼓風機速度之間調整操作速度來控制鼓風機108之操作速度,該最小鼓風機速度及最大鼓風機速度一起定義鼓風機108之安全鼓風機速度範圍。換言之,在光源100操作時,裝置110在光源100內不會發生故障及/或問題的安全鼓風機速度範圍內調整鼓風機108之操作速度,且亦調整鼓風機108之操作速度,使得鼓風機108節省了更多的能量,且因此光源100消耗了更少的能量。接下來提供裝置110的細節。
參考圖2,裝置110(或鼓風機控制器)包括監測模組112、減
量模組114及增量模組116。
通常,監測模組112經組態以監測與光源100之一或多個操作條件相關的故障狀況。舉例而言,可藉由與光源100或由光源100產生之光束102相關的效能度量來定義一或多個操作條件中之每一者。在相關聯效能度量中之至少一者不在彼效能度量之臨限值範圍內的情況下,可認為故障狀況經加旗標,且在所有相關聯效能度量皆在其各別臨限值範圍內的情況下,可認為故障狀況係清除的。因此,在光源100操作時,監測模組112可藉由監測一或多個相關聯效能度量來監測光源100之一或多個操作條件。
一般而言,減量模組114經組態以在與光源100之一或多個操作條件相關的故障狀況係清除的情況下且在降低的操作速度將處於或高於鼓風機108之基線速度(其為鼓風機108之最小允許速度)的情況下,降低鼓風機108之操作速度。舉例而言,減量模組114可經組態以將鼓風機108之操作速度降低達減量速度步長。
一般而言,增量模組116經組態以在對光源100之一或多個操作條件之故障狀況加旗標的情況下增加鼓風機108之操作速度。增量模組116可經組態以將鼓風機108之操作速度增加達增量速度步長。在一個實例中,增量步長可例如小於或等於25轉/分鐘(rpm)。在此實例中,增量速度步長大於減量速度步長,該減量速度步長可為增量速度步長之約二分之一、三分之一、四分之一或五分之一。
裝置110亦可包括基線模組118,該基線模組經組態以在鼓風機108之操作速度低於基線速度的情況下增加鼓風機108之操作速度。
在光源100操作時,藉由增量模組114及減量模組116亦及
基線模組118在由最小鼓風機速度及最大鼓風機速度定義之鼓風機速度範圍內調整鼓風機108之操作速度。鼓風機速度範圍係光源100無問題及/或故障且恰當操作的安全範圍。以此方式,裝置110藉由在安全的鼓風機速度範圍內調整操作速度來控制鼓風機108之操作速度,使得鼓風機108消耗的能量最少且降低由光源100消耗的能量。
裝置110之模組112、114、116、118可在與鼓風機108通信的控制系統中實施,以從而控制鼓風機108。如此,鼓風機控制器108之控制系統經組態以監測光源100之一或多個操作條件之故障狀況,在與光源100之一或多個操作條件相關的故障狀況係清除的情況下且在降低的操作速度將處於或高於基線速度的情況下降低處於減量狀態之鼓風機108之操作速度,且在與光源100之一或多個操作條件相關的故障狀況經加旗標的情況下增加處於增量狀態之鼓風機108之操作速度。鼓風機控制器110之控制系統亦可經組態以在鼓風機108之降低的操作速度低於基線速度的情況下增加處於增量狀態之鼓風機108之操作速度。
裝置110可包括例如電腦可讀記憶體模組以及耦接至該電腦可讀記憶體模組之一或多個電子處理器。模組112、114、116、118中之每一個者可與記憶體模組通信且可由一或多個電子處理器控制。舉例而言,每一模組112、114、116、118可包括或得以存取一或多個可程式化處理器,且可各自執行指令程式以藉由對輸入資料進行操作及生成適當的輸出來執行所要功能。每一模組112、114、116、118可實施在數字電子電路系統、電腦硬體、韌體或軟體中之任一者。在進一步實施方案中,每一模組112、114、116、118存取記憶體模組內之記憶體,該記憶體模組亦經組態以儲存自模組112、114、116、118中之一或多者輸出的資訊、
來自放電腔室104之資訊、或關於光產生裝置105之其他態樣的資訊,此類資訊可用於在裝置110之操作期間供模組112、114、116、118的各種使用。記憶體模組內之記憶體可為唯讀記憶體及/或隨機存取記憶體,且可提供適合有形地體現電腦程式指令及資料的儲存器件。裝置110亦可包括一或多個輸入器件(諸如鍵盤、觸控器件、音訊輸入器件)及一或多個輸出器件,諸如音訊輸出或視訊輸出。
在裝置110用作鼓風機控制器之實例中,與一或多個操作條件相關的故障狀況可使用二進位記法來定義(藉由控制系統)。具體而言,故障狀況可在故障狀況係清除的情況下經指派值零(0),且在故障狀況經加旗標的情況下經指派值壹(1)。接下來提供與光源100之一或多個操作條件相關的故障狀況的細節。
參考圖3,光源100之總體故障狀況327係藉由裝置110在每次迭代基於光源100之一或多個操作條件來判定。一或多個操作條件中之每一者係藉由與光源100或由光源100產生之光束102相關的效能度量320_1至320_N定義。裝置110用來控制鼓風機108之故障狀況327應基於系統參數、度量及信號,系統參數、度量及信號以顯著方式受鼓風機108之速度的改變影響。
在圖3之實例中,一或多個效能度量320_1至320_N包括與光束102相關聯之光譜特徵精度、與光束102相關聯之能量劑量誤差、與光束102相關聯之能量誤差、光產生裝置105在光源100內之致動器操作點,以及氣體放電腔室丟棄率。
光譜特徵精度表示由光源100產生之光束102之光譜特徵(諸如波長)的穩定性及精度。具體而言,與波長相關的光譜特徵精度係基於
在光束102之M個脈衝之移動窗口內計算的光束102之波長之誤差的平均值及標準偏差,因為M為等於或大於1的整數。光譜特徵精度之值可直接量測/計算,或其可根據其他量測資料進行估計。
能量劑量誤差表示晶圓處之所要或目標劑量與微影曝光裝置107中接收之晶圓處的實際劑量之間的差。晶圓處之劑量為光束102在晶圓處在曝光時間或特定數目的脈衝內每單位面積遞送的光能的量。雖然可直接量測/計算能量劑量誤差,但替代地可能自其他量測資料估計能量劑量誤差。
能量誤差表示光束102之量測能量之標準偏差。特定而言,能量誤差可被認為係光束102之脈衝中之能量與目標能量之間的差。雖然可直接量測能量誤差,但替代地能夠自其他資料估計能量誤差。
光產生裝置105之致動器操作點特徵在於可能的設定、值或條件的範圍內,光產生裝置105內之致動器正在操作的位置。在一些實施方案中,如下文關於圖8所論述,致動器可為時序模組,該時序模組連接至包括第一放電腔室804A的第一級(構成主振盪器之第一級)及包括光產生裝置805之第二放電腔室804B的第二級(構成功率放大器之第二級)。此類時序模組控制發送至第一放電腔室804A之第一能量源806A之第一觸發信號與發送至第二放電腔室804B之第二能量源806B之第二觸發信號之間的相對時序。此相對時序可被稱為差分時序。在此等實施方案中,用於光產生裝置805之致動器操作點的度量可量化實際相對時序與峰值效率差分時序(Tpeak)的位移,其中Tpeak為在光產生裝置805以施加至光產生裝置805(經由能量源806A、806B)之特定輸入能量產生具有最大能量之光束802時相對時序之值。致動器操作點之此度量可基於以下各項來計算或估
計:供應至能量源806A、806B之電壓或能量;光束802之輸出能量,及差分時序。
氣體放電腔室丟棄率量化了故障機制,其中鼓風機108不能充分清除恢復氣體混合物107之部分,且因此氣體混合物未足夠快地移動穿過氣體放電腔室104,此導致氣體放電腔室104中之拱起及能量損失。
在一些實施方案中,如上文所論述,與光源100相關的效能度量320_1至320_N中之一或多者可在操作期間的某些時刻或在某些系統內不可用,且裝置110可估計不可用的效能度量之值來基於其他可用資料判定故障狀況327。為了計算總體故障狀況327,裝置110接收效能度量320_1、320_2、...、320_N。
一或多個效能度量320_1至320_N中之每一者與各別值321_1至321_N相關聯,使該值通過各別濾波器322_1至322_N以移除在操作期間可發生的雜訊或臨時效能問題的效應。舉例而言,濾波器322_1至322_N中之每一者可為低通濾波器或加權總和濾波器,使得使用濾波器322_1至322_N(包括低通濾波器或加權總和濾波器)來判定與光源100之一或多個操作條件320_1至320_N相關的故障狀況327。此外,濾波器322_1至322_N中之每一者可具有可組態的轉移函數來濾波效能度量320_1至320_N之值321_1至321_N。
效能度量320_1至320_N之濾波值323_1至323_N係自各別濾波器322_1至322_N中之每一者輸出。為了判定與效能度量320_1至320_N中之每一者相關聯的各別故障狀況325_1至325_N(以及因此,操作條件),比較濾波值323_1至323_N中之每一個者與相關聯於彼各別效能度量320_1至320_N的各別臨限值範圍324_1至324_N。若判定各別效能度量
320_1至320_N不在彼效能度量320_1至320_N之臨限值範圍324_1至324_N內,則對彼效能度量320_1至320_N之故障狀況325_1至325_N加旗標。若判定各別效能度量320_1至320_N在彼效能度量320_1至320_N之臨限值範圍324_1至324_N內,則彼效能度量320_1至320_N之故障狀況325_1至325_N係清除的。如上文所描述,故障狀況325_1至325_N可在故障狀況325_1至325_N係清除的情況下經指派零(0)值,且在對故障狀況325_1至325_N加旗標的情況下,經指派值壹(1)。
每一故障狀況325_1至325_N輸入至故障狀況模組326(其可為控制器),該故障狀況模組基於與光源100相關的效能度量320_1至320_N之故障狀況325_1至325_N來判定光源100之總體故障狀況327。舉例而言,在一些實施方案中,若故障狀況325_1至325_N中之任一者經加旗標(或具有值1),則光源100之總體故障狀況327經加旗標(或具有值1)。此外,若所有故障狀況325_1至325_N係清除的(或具有值0),則光源100之總體故障狀況327係清除的(或具有值0)。以此方式,可判定光源100之總體故障狀況327,且裝置110可基於光源100之故障狀況327來控制鼓風機108,以從而降低鼓風機108在操作期間的能量消耗。在其他實施方案中,故障狀況模組326可經組態以僅在複數個故障狀況325_1至325_N經加旗標的情況下才對總體故障狀況325加旗標。
接下來提供鼓風機108之基線速度的細節。
參考圖4A至圖4C,鼓風機108之基線速度可與氣體放電腔室104的使用年限相關。在圖4A至圖4C之實例中,基線速度隨著氣體放電腔室104隨時間老化而改變。換言之,基線速度隨著由氣體放電腔室104產生之光束102的脈衝數目隨時間增加(且隨著氣體放電腔室104老化)而改
變。在此等實例中,裝置110在最小基線速度bmin與最大基線速度bmax之間調整鼓風機108之基線操作速度。模組114、116、118或裝置110之另一模組中之任一者可執行此調整。一般而言,鼓風機108之基線速度需要隨著氣體放電腔室104的老化以及老化的光源100內(以及氣體放電腔室104內)更頻繁地發生效能故障、問題及/或錯誤而增加。藉由隨著放電腔室104老化而增加氣體放電腔室104之基線速度,可減少或減輕老化光源100內可能發生的效能故障、問題及/或錯誤。
在圖4A之實例中,裝置110在時間t1a將基線速度自最大基線速度bmax調整至最小基線速度bmin。然後,在時間t1a,裝置110開始逐漸增加基線速度。隨著氣體放電腔室104隨時間老化(或隨著光束102之脈衝由氣體放電腔室104產生),鼓風機108之基線速度以恆定速率429a(或斜率)遞增。鼓風機108之基線速度自最小基線速度bmin增加或遞增至最大基線速度bmax,使得基線速度在時間t2a達到最大基線速度bmax,該時間在氣體放電腔室104之使用壽命結束時。
在圖4B之實例中,裝置110在時間t1b將基線速度自最大基線速度bmax調整至最小基線速度bmin。當氣體放電腔室104在時間t1b與t2b之間的時間量dL的使用年限內保持初期的時,鼓風機108之基線速度未改變且保持恆定在最小基線速度bmin。因為氣體放電腔室104在時間t1b與t2b之間的使用年限內為初期的,所以在此實例中,不需要增加基線速度以便減少或減輕光源100內的效能問題。
在時間t2b處,裝置110開始增加或遞增基線速度。隨著氣體放電腔室104隨著時間變舊及老化(且隨著光束102之脈衝由氣體放電腔室104產生),鼓風機108之基線速度以恆定速率429b(或斜率)遞增。鼓風
機108之基線速度自最小基線速度bmin增加或遞增至最大基線速度bmax,使得基線速度在時間t3b達到最大基線速度bmax,該時間在氣體放電腔室104之使用壽命結束時。
圖4C之實例類似於圖4B之實例,除了鼓風機108之基線速度在更短的時間量dS內保持恆定且基線速度以慢於速率429b的速率429c遞增。在於時間t1c使基線速度遞增至最小基線速度bmin且在時間dS內維持此最小基線速度bmin之後,在時間t2c,基線速度隨著氣體放電腔室104隨時間變舊及老化而以恆定速率429c增加,直至鼓風機108之基線速度在時間t3c達到最大基線速度bmax,該時間在氣體放電腔室104之使用壽命結束時。
參考圖5,裝置110(圖2)經表示為光源100之狀態機510。在狀態機510之此表示中,監測模組112由監測狀態512表示,減量模組114由減量狀態514表示,且增量模組116由增量狀態516表示。狀態機510亦可包括基線狀態518,其表示基線模組118(圖2)。此外,在此實施方案中,狀態機510包括被動狀態511,其中不存在來自狀態機510之命令或指令來改變或調整鼓風機108之操作速度。
在自氣體放電腔室104產生之光束102之脈衝數目高於臨限值的情況下或在狀態機510已處於被動狀態511達臨限值時間段之後,狀態機510自被動狀態511轉變至減量狀態514 T(P-D)。一般而言,減量狀態514經組態以在與光源100之一或多個操作條件相關的故障狀況327係清除的情況下且在降低的操作速度將處於或高於基線速度的情況下,降低鼓風機108之操作速度。
具體而言,且亦參考圖6A,在減量狀態514中,減量模組
114判定光源100之故障狀況327是否係清除的(例如,處於0)(532)。若故障狀況327並非清除(且因此經加旗標或具有值1)(532),則減量模組114退出減量狀態514且狀態機510自減量狀態514轉變至增量狀態516 T(D-I)使得鼓風機108之操作速度遞增至在光源100內不會發生問題及/或故障的安全操作速度。
若故障狀況係清除(或具有值為0)(532),則減量模組114判定鼓風機108之操作速度是否大於基線速度(533)。若鼓風機108之操作速度不大於基線速度(此意味著其處於或小於或跨越低於鼓風機108之基線速度),則減量模組114退出減量狀態514且狀態機器510自減量狀態514轉變至基線狀態518 T(D-B),使得鼓風機108之操作速度遞增至高於基線速度之安全操作速度,在該基線速度下問題及/或故障不會在光源100內發生。
若鼓風機108之操作速度大於基線速度(533),則減量模組114判定建議的新鼓風機速度是否將大於基線速度(534)。建議的新鼓風機速度為鼓風機108之操作速度減去減量速度步長。若鼓風機108之提議的新速度將不大於基線速度(亦即,提議的新鼓風機速度將處於基線速度或小於基線速度)(534),則減量模組114退出減量狀態514且狀態機510自減量狀態514轉變至監測狀態512 T(D-M),使得可監測光源100之一或多個操作條件及鼓風機108之操作速度。
另一方面,若建議的新鼓風機速度將大於基線速度(534),則減量模組114判定自上次鼓風機速度改變以來由氣體放電腔室104產生的光束102之脈衝數目是否大於臨限脈衝數目(541)。臨限脈衝數目可經預先設定為正整數,以便降低改變鼓風機速度的頻率。舉例而言,鼓風機速度改變的頻率可經設定以確保光產生裝置105亦及效能度量具有足夠的時
間來調整鼓風機速度改變的效應。此外,可在減量狀態514下操作而無需執行此步驟541。
若由氣體放電腔室104產生之光束102的脈衝數目不大於臨限脈衝數目(且因此其等於或小於臨限脈衝數目)(541),則減量模組114返回至步驟532並重複步驟532、533、534。若由氣體放電腔室104產生的光束102的脈衝數目大於臨限脈衝數目(541),則減量模組114指示鼓風機108降低或遞減其操作速度(542)。舉例而言,減量狀態514可使鼓風機108之操作速度遞減減量速度步長。
在降低處於減量狀態514之鼓風機108之操作速度(542)之後,減量模組114返回詢問與光源100之一或多個操作條件相關的故障狀況327是否係清除的(例如,具有值0)(532)。
因此,總而言之,在不存在故障(532)的情況下,在鼓風機108之速度大於基線速度(533)的情況下,在建議的新鼓風機速度將大於基線速度(534)的情況下且在自鼓風機(541)的最後改變起已產生光束102之一定脈衝數目的情況下,減量模組114致使鼓風機108之速度降低(524)。以此方式,鼓風機108消耗的能量顯著降低,尤其在光源100及氣體放電腔室104之壽命開始期間。
亦參考圖5,且如上文參考圖6A所論述,如鼓風機108的建議的新速度將不大於基線速度(亦即,建議的新鼓風機速度將處於基線速度或小於基線速度)(534),則減量模組114退出減量狀態514且狀態機510自減量狀態514轉變至監測狀態512 T(D-M),使得可監測光源100之一或多個操作條件及鼓風機108之操作速度。
一般而言,在監測狀態512中,監測模組112經組態以監測
退出準則且在不存在任何故障、鼓風機速度大於基線速度且不存在退出準則事件的發生時保持處於監測狀態512。參考圖6B,在監測狀態512中,監測模組112判定與光源100之一或多個操作條件相關的故障狀況327是否係清除的(例如,具有值0)(537)。若故障狀況327並非係清除的(且因此經加旗標)(537),則狀態機510自監測狀態512轉變至增量狀態516 T(M-I),使得鼓風機108之操作速度增加至在光源100內不會出現問題及/或故障的安全操作速度。
若故障狀況係清除的(或具有值0)(537),則監測模組112判定鼓風機108之操作速度是否大於基線速度(538)。若鼓風機108之操作速度小於或低於基線速度(538),則狀態機510自監測狀態512轉變至基線狀態518 T(M-B)使得鼓風機108之操作速度增加至在光源100內不會發生問題及/或故障的安全操作速度。若鼓風機108之操作速度大於基線速度(538),則監測模組112判定是否滿足一或多個退出準則(536)。舉例而言,退出準則可基於基線速度、由光源100產生之光束102之脈衝數目以及導致光源100之效能改良之事件中的一或多者。若滿足退出準則,則狀態機510自監測狀態512轉變至減量狀態514(因為判定光源100處於安全狀態以降低鼓風機108之操作速度)T(M-D)。若不滿足退出準則,則監測模組112返回以判定與光源100之一或多個操作條件相關的故障狀況327是否係清除的(例如,具有值0)(537)。可在步驟536處評估一種可能的退出準則係判定鼓風機108之速度是否大於基線速度加上較低的臨限值(諸如200rpm)。在此情況下,於是更適合降低鼓風機速度(藉由減量狀態514)。可在步驟536處評估的另一可能的退出準則係判定光束102之當前產生的脈衝數目是否大於預定臨限值,諸如1億個脈衝。替代地,代替在步驟536
處基於光束102之所產生脈衝數目評估一組退出準則,監測模組112可評估是否已發生某些性能改良事件。舉例而言,效能改良事件可為氣體再填充或注入,其中氣體混合物107至少部分或全部被替換。此類事件可導致光源100之效能改良。
再次參考圖5,且如上文參考圖6A所論述,若鼓風機108之操作速度處於或小於基線速度(533),則減量模組114退出減量狀態514且狀態機510自減量狀態514轉變至基線狀態518 T(D-B),使得鼓風機108之操作速度遞增至高於基線速度之安全操作速度,在該基線速度下在光源100內不會發生問題及/或故障。參考圖6C論述基線狀態518。通常,基線狀態518經組態以在鼓風機108之操作速度處於或低於基線速度的情況下,增加鼓風機108之操作速度。基線模組118判定光源100之故障狀況327是否係清除的(例如,等於0)(539)。若故障狀況327並非係清除的(且因此經加旗標或具有值1)(539),則狀態機510自基線狀態518轉變至增量狀態516 T(B-I),使得鼓風機108之操作速度遞增至在光源100內不會發生問題及/或故障的安全存在速度。
若故障狀況係清除的(或具有值為0)(539),則基線模組118判定鼓風機108之操作速度是否小於基線速度(540)。若鼓風機108之操作速度不小於基線速度(540),則狀態機510自基線狀態518轉變至監測狀態512(因為不需要增加操作速度)T(B-M)。另一方面,若鼓風機108之操作速度小於基線速度(540),則基線模組118判定由氣體放電腔室104自上次鼓風機速度改變以來產生的光束102之脈衝數目是否大於臨限脈衝數目(548)。如上文所論述,可將臨限脈衝數目預設為正整數,以便降低改變鼓風機速度之頻率。若由氣體放電腔室104產生的光束102的脈衝數目不
大於臨限脈衝數目(548),則基線模組118繼續查詢氣體放電腔室104自上次鼓風機速度改變以來產生之光束102之脈衝數目是否大於臨限脈衝數目(548)。
若由氣體放電腔室104產生之光束102的脈衝數目大於臨限脈衝數目(548),則基線模組118增加或遞增鼓風機108之操作速度(549)。舉例而言,基線模組118可使鼓風機108之操作速度遞增增量速度步長。作為一實例,增量速度步長可為約為5轉/分鐘(rpm)。在增加鼓風機108之操作速度之後,基線模組118再次返回至步驟439以判定光源100之故障狀況327是否係清除的(例如,等於0)。
再次參考圖5,且如上文參考圖6A至圖6C所論述,狀態機510可自減量狀態514、監測狀態512及基線狀態518中之任一者轉變至增量狀態516。舉例而言,當處於減量狀態514時,若故障狀況327並非係清除的(且因此經加旗標或具有值1)(532),則減量模組114退出減量狀態514且狀態機510自減量狀態514轉變至增量狀態516 T(D-I)。通常,在增量狀態516中,鼓風機108之操作速度遞增至在光源100內不會發生問題及/或故障的安全操作速度。接下來參考圖6D中所展示的實施方案來論述增量狀態516。
具體而言,在增量狀態516中,增量模組116判定光源100之故障狀況327是否係清除的(例如,0)(544)。若故障狀況327並非係清除的(例如,若故障狀況為1)(544),則增量模組116為鼓風機108設定新的目標速度(545)。鼓風機108之新目標速度可等於鼓風機108之操作速度加上大的增量速度步長(諸如例如,100rpm)。該想法係在發生故障時顯著增加鼓風機108之速度。在設定鼓風機108之新目標速度(545)之後或在增量
模組116判定故障狀況係清除的(例如,故障狀況為0)(544)之後,於是增量模組116判定鼓風機108之操作速度是否小於新的目標速度(535)。若鼓風機108之操作速度不小於新的目標速度(535),這意味著鼓風機108之操作速度大於或等於新的目標速度(535),則狀態機510自增量狀態516轉變至監測狀態512 T(I-M)。
若鼓風機108之操作速度小於目標速度(535),則增量模組116判定由氣體放電腔室104產生之光束102的脈衝數目是否大於臨限脈衝數目(546)。若由氣體放電腔室104產生之光束102之脈衝數目不大於臨限脈衝數目,則增量模組116繼續查詢由氣體放電腔室104產生之光束102之脈衝數目是否大於臨限脈衝數目(546)。若由氣體放電腔室104產生之光束102之脈衝數目大於臨限脈衝數目,則增量模組116使鼓風機108之操作速度增加或遞增至規則量(547)。舉例而言,增量模組116可使鼓風機108之操作速度遞增增量速度步長,例如25rpm。在增加鼓風機108之操作速度(547)之後,增量模組116返回至步驟535以判定鼓風機108之增加的操作速度是否小於目標速度(535)。
更一般而言,且在參考圖7A時,裝置110執行用於控制鼓風機108的程序760。可針對包括裝置110(圖2)及氣體放電腔室104中之鼓風機108的光源100(圖1)來執行程序760。程序760亦可相對於狀態機510(圖5)來執行。在下文中,關於包括鼓風機108之光源100來描述程序760。
程序760包括監測光源之一或多個操作條件之故障狀況(761)。舉例而言,如上文參考圖6B所論述,監測模組112監測光源100之一或多個操作條件之故障狀況327(圖3)(537)。
接下來,在與光源100之一或多個操作條件相關的故障狀況
係清除的情況下且在降低的操作速度將處於或高於基線速度的情況下,裝置110使鼓風機108之操作速度遞減(763)。舉例而言,且參考圖6A,若與光源100之一或多個操作條件相關的故障狀況327係清除的(532)且若鼓風機108之降低的操作速度將高於基線速度(534),則減量模組114使鼓風機108之操作速度遞減(542)。使鼓風機108之操作速度遞減可包括將鼓風機108之操作速度降低達減量速度步長。此外,使鼓風機108之操作速度遞減可包括降低由鼓風機108之運動引起的光源100內之振動量。
另一方面,且再次參考圖7,在與光源之一或多個操作條件相關的故障狀況經加旗標的情況下,裝置110使鼓風機108之操作速度遞增(765)。舉例而言,參考圖6D,若光源100之故障狀況327經加旗標,則增量模組116使鼓風機108之操作速度遞增(547)。使鼓風機108之操作速度遞增可包括使鼓風機108之操作速度增加達增量速度步長。以此方式,增量模組116防止鼓風機108以可導致光源100內出現問題及/或故障之操作速度操作。
亦參考圖7B,程序760可進一步包括在鼓風機之降低的操作速度低於基線速度,則使鼓風機之操作速度遞增(767)。舉例而言,且參考圖6C,若基線模組118判定鼓風機108之降低的操作速度(其由減量模組114降低)低於基線速度(540),則基線模組118使鼓風機108之操作速度增加或遞增(549)。因此,類似於增量模組116,基線模組118防止鼓風機108以可能導致光源100內出現問題及/或故障之操作速度操作。
在一個實例中,使鼓風機108之操作速度遞減及遞增可包括在由最小鼓風機速度及最大鼓風機速度定義之鼓風機速度範圍內調整鼓風機108之操作速度。換言之,藉由增量模組114及減量模組116(亦及基線
模組118)在最小鼓風機速度與最大鼓風機速度之間調整鼓風機108之操作速度。如上文所描述,鼓風機速度範圍係光源100不具有問題及/或故障且正常操作的安全範圍。因此,裝置110可藉由在安全的鼓風機速度範圍內調整操作速度來控制鼓風機108之操作速度,使得鼓風機108消耗的能量最少且降低由光源100消耗的能量。
在一些實施方案中,程序760進一步包括判定鼓風機108之增量及減量速度步長,每一速度步長相依於與光源100之一或多個操作條件相關的故障狀況327。具體而言,舉例而言,使用者可對光源100執行一或多項研究,以判定既維持光源100之穩定性且又不對光源100之效能產生不利影響的最大增量及減量速度步長(且以使得光源100之故障狀況327保持清除的)。此外,程序760可進一步包括判定鼓風機108之鼓風機速度範圍,鼓風機速度範圍相依於光源100之一或多個操作條件之故障狀況327。類似地,舉例而言,使用者可對光源100執行一或多項研究,以判定最小鼓風機速度及最大鼓風機速度(以及因此鼓風機速度範圍),使得光源之效能當鼓風機108在鼓風機速度範圍內操作時(且使得光源100之故障狀況327保持清除)時,光源100之執行不會受到不利影響。
返回參考圖3,在一些實施方案中,光源100之操作條件中之至少一者(其與各別效能度量320_1至320_N相關聯)係前瞻性的且操作條件中之至少一者係反應性的。具體而言,對於前瞻性操作條件,在相關聯效能度量320_1至320_N之值323_1至323_N不在效能度量320_1至320_N之臨限值範圍324_1至324_N內之前調整(例如,藉由增量模組116或減量模組114)鼓風機108之操作速度。對於反應性操作條件,在相關聯效能度量320_1至320_N之值323_1至323_N不在效能度量320_1至320_N
之臨限值範圍324_1到324_N內之後調整(例如,藉由增量模組116或減量模組114)鼓風機108之操作速度。此外,在一些實施方案中,每一前瞻性操作條件與比效能度量320_1至320_N之實際臨限值範圍324_1至324_N更嚴格的有限臨限值範圍相關聯,且在相關聯效能度量320_1至320_N之值323_1至323_N不在實際臨限值範圍324_1至324_N內之前藉由基於有限的臨限值範圍判定前瞻性操作條件之故障狀況325_1至325_N調整(例如,藉由增量模組116或減量模組114)鼓風機108之操作速度。
參考圖8,光源100(圖1)之實施方案800包括光產生裝置805,光產生裝置包括兩個氣體放電腔室804A、804B,光產生裝置805產生經引導至微影曝光裝置801之脈衝輸出光束802。脈衝輸出光束802具有在紫外線範圍內(例如,在深紫外線範圍內)之波長,供微影曝光裝置801用於圖案化半導體基板或晶圓870。在圖8之實例中,氣體放電腔室804A為經組態以產生種子光束802s之主振盪器之一部分,且氣體放電腔室804B為經組態以自種子光束802s產生輸出光束802之功率放大器之一部分。放電腔室804A、804B中之每一者包括各別鼓風機808A、808B,鼓風機808A、808B中之每一者經組態以使包括來自各別能量源806A、806B之增益介質之各別氣體混合物807A、807B在各別氣體放電腔室804A、804B內位移。在圖8之實例中,裝置110經組態以控制兩個鼓風機808A、808B之操作速度。具體而言,裝置110控制鼓風機808A、808B在光源800之操作期間消耗最小量的能量或功率,同時確保在光源800內不發生問題及/或故障(或,至少降低)。光源800之其他實施方案係可能的。
每一放電腔室804A、804B經組態以將各別氣體混合物807A、807B保持在各別內腔873A、873B中。在各別放電腔室804A、
804B中使用的氣體混合物807A、807B可為用於產生將近所需波長、帶寬及能量的各別光束802s、802之合適氣體的組合。舉例而言,氣體混合物807A、807B可包括氟化氬(ArF),其發射約193nm之波長的光。每一放電腔室804A、804B由各別腔室壁803A_1、803A_2、803B_1、803B_2界定,該等腔室壁經組態以保持各別鼓風機808A、808B,且在此實施方案中,保持各別光學組件875A、876A、877A、875B、876B、877B。每一放電腔室804A、804B容納各別能量源806A、806B,該能量源經組態以向每一內腔873A、873B中之氣體混合物807A、807B供應能量。舉例而言,每一能量源806A、806B可包括一對電極,該對電極形成電位差且在操作中激發氣體混合物807A、807B之增益介質。
每一放電腔室804A、804B可包括一或多個光學組件。舉例而言,放電腔室804A包括與放電腔室804A之內腔873A相關聯的光學組件875A、876A。光學組件875A、876A可包括允許光束行進進出放電腔室804A之內腔873A的窗口。光學元件875A可為部分反射/部分透射的光耦合器,以使得種子光束802s能夠出射放電腔室804A。此外,光源800可進一步包括在放電腔室804A外部的其他光學組件,諸如對應於光譜特徵選擇模組的光學組件877A,該光譜特徵選擇模組選擇自放電腔室804A輸出之種子光束802s之波長及/或帶寬。舉例而言,光譜特徵選擇模組877A可包括擴束稜鏡或光束分光器中之一或多者。在此實例中,光學組件875A保持在腔室壁803A_1內且光學組件876A保持在腔室壁803A_2內。
放電腔室804B包括與放電腔室804B之內腔873B相關聯的光學組件875B、876B。光學組件875B、876B可包括允許光束(諸如種子光束802s及光束802)行進進出放電腔室804B之內腔873B的窗口。此外,
光源800可進一步包括在放電腔室804B外部之其他光學組件,例如對應於光束反向器或轉向器之光學組件877B,該光束反向器或轉向器經組態以將光束802引導往回穿過放電腔室804B。在圖8之實例中,光學組件875B保持在腔室壁803B_1內且光學組件876B保持在腔室壁803B_2內。
在光源800之操作使用期間,裝置110控制兩個鼓風機808A、808B之各別操作速度。在一些實施方案中,對鼓風機808A之操作速度的控制可獨立於對鼓風機808B之操作速度的控制。在一些實施方案中,每一鼓風機808A、808B由專用裝置(810A、810B)獨立控制。此外,裝置810B可與裝置810A不同地設計以解決放電腔室804A、804B如何影響輸出光束之參數之間的差。此外,雖然在此等實施方案中未耦合對鼓風機808A、808B之控制,但其藉由裝置810A、810B的同時控制可在效能上與僅控制一者時不同地耦合,因為每一鼓風機808A、808B以不同方式驅動腔室804A、804B之框架中之振動。
在其他實施方案中,對鼓風機808A及/或鼓風機808B之操作速度的控制可依賴於與光產生裝置805相關聯之效能度量,且因此可耦合對兩個鼓風機808A、808B的控制。
在一些實施方案中,可能具有單個裝置110,該單個裝置經組態以控制第一放電腔室804A之鼓風機810A但不使用裝置110來控制第二放電腔室804B之鼓風機810B。
具體而言,在圖8之實例中,裝置110(圖2)包括:監測模組112,其監測光源800之一或多個操作條件之故障狀況;減量模組114,其在與光源800之一或多個操作條件相關的故障狀況係清除的情況下且在各別鼓風機808A、808B之降低的操作速度將處於或高於基線速度的情況下
降低適當鼓風機808A、808B之操作速度;及增量模組116,其在與光源800之一或多個操作條件相關的故障狀況經加旗標的情況下增加適當的鼓風機808A、808B之操作速度。以此方式,裝置110控制鼓風機808A、808B在光源800之操作期間消耗最小量的能量或功率,使得基於光源800之故障狀況及鼓風機808A、808B之基線速度來減少或減輕光源800內之問題及/或故障。
參考圖9A,光源100(圖1)之實施方案900包括光產生裝置905,該光產生裝置包括各自包括各別氣體放電腔室904-1至904-N之複數個光學振盪器909-1至909-N,且產生經引導至微影曝光裝置901之脈衝光束902;及控制系統950。光源900經組態以產生在紫外線範圍內的輸出光束902以供例如微影曝光裝置901用於圖案化半導體基板或晶圓970。具體而言,微影曝光裝置901利用成形曝光光束902'對晶圓970進行曝光,該成形曝光光束使光束902(其在本實例中為曝光光束)通過投影光學系統995而形成。在圖9A之實例中,光產生裝置905包括N個光學振盪器909-1至909-N,且因此包括N個氣體放電腔室904-1至904-N,其中N為大於1的整數。氣體放電腔室904-1至904-N中之每一者經組態以向光束組合器993發射各別光束978-1至978-N。在所展示之實例中,控制系統950連接至光產生裝置905及微影曝光裝置901。光源900之其他實施方案係可能的。
氣體放電腔室904-1至904-N中之每一者包括各別鼓風機908-1至908-N,鼓風機908-1至908-N中之每一者經組態以使包括來自各別能量源906-1至906-N之增益介質的各別氣體混合物907-1至907-N在各別氣體放電腔室904-1至904-N內位移。在圖9A之實例中,裝置110(圖2)經包括作為控制系統950之一部分,作為控制鼓風機908-1至908-N中之每
一者之操作速度的鼓風機控制器。裝置110經組態以控制鼓風機908-1至908-N之操作速度。具體而言,裝置110控制每一鼓風機908-1至908-N在光源900之操作期間消耗最小量的能量或功率,同時確保光源900內之問題及/或故障不發生(或,至少減少)。
下文論述光學振盪器909-1之細節。光產生裝置905中之其他N-1個光學振盪器包括相同或相似特徵。
光學振盪器909-1包括氣體放電腔室904-1及鼓風機908-1,該氣體放電腔室容納可包括例如陰極及陽極的能量源906-1。放電腔室904-1亦含有氣體混合物907-1,該氣體混合物包括增益介質。諧振器形成在放電腔室904-1之一側上之光譜特徵選擇模組977-1與在放電腔室904-1之第二側上之輸出耦合器980-1之間。光譜特徵選擇模組977-1可包括繞射光學器件,諸如例如光柵及/或稜鏡,其精細調諧放電腔室904-1之光譜輸出。在一些實施方案中,光譜特徵選擇模組977-1包括複數個繞射光學元件。舉例而言,光譜特徵選擇模組977-1可包括四個稜鏡,其中一些稜鏡經組態以控制光束978-1之中心波長,而其中其他稜鏡經組態以控制光束978-1之光譜帶寬。
在一些實施方案中,光譜特徵選擇模組977-1可包括光譜特徵控制系統或與光譜特徵控制系統通信,該光譜特徵控制系統經組態以控制例如光譜特徵選擇模組977-1內之各種組件。在此等實施方案中,裝置110(其在此實例中為控制系統950之一部分)的減量模組114及增量模組116可各自經組態以避免鼓風機908-1之二次諧波之混淆頻率干擾與光源900相關聯之光譜特徵控制系統時的干擾鼓風機操作速度。舉例而言,干擾鼓風機操作速度可相依於光源900產生光束(在此實例中包括光束902或
曝光光束902')之重複率。
光學振盪器909-1亦包括線心分析模組981-1,其接收來自輸出耦合器980-1之輸出光束。線心分析模組981-1為可用於量測或監測光束978-1之波長的量測系統。線心分析模組981-1可將資料提供給控制系統950,且控制系統950可基於來自線心分析模組981-1之資料來判定與光束978-1相關的度量。舉例而言,控制系統950可基於由線心分析模組981-1量測之資料來判定光束品質度量或頻譜帶寬。
光產生裝置905亦包括氣體供應系統990,該氣體供應系統經由流體導管998流體耦接至放電腔室904-1之內部。流體導管998為任何導管,該導管能夠輸送氣體或其他流體而流體無損失或損失最小。舉例而言,流體導管998可為由不與在導管998中輸送的一或多種流體起反應的材料製成或塗覆有該材料的管道。氣體供應系統990包括腔室991,其含有及/或經組態以接納在氣體混合物907-1中使用的氣體的供應。氣體供應系統990亦包括器件(諸如泵、閥及/或流體開關),該等器件使得氣體供應系統990能夠自放電腔室904-1移除氣體或將氣體注入至該放電腔室中。氣體供應系統990耦接至控制系統950。氣體供應系統990可由控制系統950控制來執行例如再填充程序。
其他N-1個光學振盪器類似於光學振盪器904-1,且具有相似或相同組件及子系統。舉例而言,光學振盪器909-1至909-N中之每一者包括類似於能量源906-1之能量源、類似於光譜特徵選擇模組977-1之光譜特徵選擇模組以及類似於輸出耦合器980-1之輸出耦合器。光學振盪器909-1至909-N可經調諧或組態使得所有光束978-1至978-N具有相同的性質,或光學振盪器909-1至909-N可經調諧或組態使得至少一些光振盪器
具有至少一些不同於其他光學振盪器的性質。舉例而言,所有光束978-1至978-N可具有相同的中心波長,或每一光束978-1至978-N之中心波長可不同。可使用各別光譜特徵選擇模組來設定由光學振盪器909-1至909-N中之特定一者產生的中心波長。
光產生裝置905亦包括光束控制裝置992及光束組合器993。光束控制裝置992位於光學振盪器909-1至909-N之氣體混合物與光束組合器993之間。光束控制裝置992判定光束978-1至978-N中之哪一者入射於光束組合器993上。光束組合器993由入射在光束組合器993上之一或多個光束形成曝光光束902。在所展示實例中,光束控制裝置992表示為單個元件。然而,光束控制裝置992可實施為個別光束控制裝置的集合。舉例而言,光束控制裝置992可包括快門集合,其中一個快門與每一光學振盪器909-1至909-N相關聯。
光產生裝置905可包括其他組件及系統。舉例而言,光產生裝置905可包括光束準備系統994,該光束準備系統包括量測光束之各種性質(諸如帶寬或波長)的帶寬分析模組。光束準備系統994亦可包括拉伸每一脈衝之脈衝拉伸器(未展示),每一脈衝及時與脈衝拉伸器交互作用。光束準備系統994亦可包括能夠對光起作用的其他組件,諸如例如反射及/或折射光學元件(諸如例如透鏡及鏡面)及/或濾波器。在所展示實例中,光束準備系統994位於曝光光束902之路徑中。然而,光束準備系統994可置放在光源900內之其他位置處。此外,其他實施方案係可能的。舉例而言,光產生裝置905可包括光束準備系統994的N個例子,其中每一者經置放成與光束978-1至978-N中之一者交互作用。在另一實例中,光產生裝置905可包括將光束978-1至978-N引導朝向光束組合器993的光學元件(諸
如鏡面)。
微影曝光裝置901可為液浸系統或乾式系統。微影曝光裝置901包括投影光學系統995(曝光光束902在到達晶圓970之前從中穿過),及感測器系統或計量系統997。晶圓970經固持或接納在晶圓固持器996上。亦參考圖9B,投影光學系統995包括狹縫995a、遮罩995b以及包括透鏡系統995c之投影物鏡。透鏡系統995c包括一或多個光學元件。曝光光束902進入微影曝光裝置901且入射於狹縫995a上,且至少一些光束902穿過狹縫995a,以形成成形曝光光束902'。在圖9A及圖9B之實例中,狹縫995a為矩形,且將曝光光束902成形為細長的矩形成形光束,其為成形曝光光束902'。遮罩995b包括圖案,該圖案判定成形光束之哪些部分由遮罩995b透射以及哪些由遮罩995b阻擋。藉由用曝光光束902'曝光晶圓970上之輻射敏感光阻劑材料層,在晶圓970上形成微電子特徵。遮罩上之圖案的設計由所要的特定微電子電路特徵判定。
可使用以下條項進一步描述實施例:
1.一種用於一光源之裝置,該裝置包含:一監測模組,其經組態以監測該光源之一或多個操作條件之一故障狀況;一減量模組,其經組態以在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況係清除的情況下且在一降低的操作速度將處於或高於一基線速度的情況下,降低配置在該光源之一氣體放電腔室中的一鼓風機之該操作速度,該鼓風機經組態以使包括來自一能量源之一增益介質之一氣體混合物在該氣體放電腔室內位移,該能量源經組態以向該氣體混合物供應能量;及
一增量模組,其經組態以在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況經加旗標的情況下,增加該鼓風機之該操作速度。
2.如條項1之裝置,其中該鼓風機之該基線速度與該氣體放電腔室之一使用年限相關,該基線速度隨著該氣體放電腔室隨時間老化而改變。
3.如條項1之裝置,其中該一或多個操作條件中之每一者係藉由與該光源或由該光源產生之一光束相關的一效能度量來定義。
4.如條項3之裝置,其中該一或多個效能度量包括與該光束相關聯之一波長直方圖、與該光束相關聯之一能量劑量誤差、與該光束相關聯之一能量誤差,及該氣體放電腔室在該光源內之一操作點。
5.如條項3之裝置,其中在該等相關聯效能度量中之至少一者不在彼效能度量之一臨限值範圍內的情況下,該故障狀況經加旗標,且在所有該等相關聯效能度量皆在其各別臨限值範圍內的情況下,該故障狀況係清除的。
6.如條項5之裝置,其中該光源之該等操作條件中之至少一者係前瞻性的,使得在該相關聯效能度量之值不在該效能度量之該臨限值範圍內之前調整該鼓風機之該操作速度,且該等操作條件中之至少一者係反應性的,使得在該相關聯效能度量之該值不在該效能度量之該臨限值範圍內之後調整該鼓風機之該操作速度。
7.如條項6之裝置,其中每一前瞻性操作條件與比該效能度量之該實際臨限值範圍更嚴格的一有限臨限值範圍相關聯,且藉由基於該有限臨限值範圍判定該前瞻性操作條件之該故障狀況來在該相關聯效能度量之該值不在該實際臨限值範圍內之前調整該鼓風機之該操作速度。
8.如條項1之裝置,其中與該光源之該一或多個操作條件相關的該
故障狀況係使用一低通濾波器或一加權總和濾波器來判定。
9.如條項1之裝置,其中該減量模組經組態以將該鼓風機之該操作速度降低達一減量速度步長,且該增量模組經組態以將該鼓風機之該操作速度增加達一增量速度步長。
10.如條項9之裝置,其中該增量速度步長大於該減量速度步長。
11.如條項9之裝置,其中該增量速度步長小於或等於25轉/分鐘(rpm),且該減量速度步長為該增量速度步長之約二分之一、三分之一、四分之一或五分之一。
12.如條項1之裝置,其中藉由該增量模組及該減量模組在由一最小鼓風機速度及一最大鼓風機速度定義之一鼓風機速度範圍內調整該鼓風機之該操作速度。
13.如條項1之裝置,其中該減量模組及該增量模組各自經組態以避免該鼓風機之二次諧波之混淆頻率干擾與該光源相關聯之一光譜特徵控制系統時的鼓風機操作速度。
14.如條項13之裝置,其中該干擾鼓風機操作速度相依於該光源產生光束的一重複率。
15.如條項1之裝置,其進一步包含一基線模組,該基線模組經組態以在該鼓風機之該操作速度低於該基線速度的情況下增加該鼓風機之該操作速度。
16.如條項1之裝置,其中:該裝置為用於該光源之一狀態機,使得該監測模組為一監測狀態,該減量模組為一減量狀態,且該增量模組為一增量狀態。
17.如條項16之裝置,其中在降低處於該減量狀態之該鼓風機之該
操作速度之後,在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況經加旗標的情況下,該狀態機自該減量狀態轉變至該增量狀態。
18.如條項16之裝置,其中該狀態機進一步包含一基線狀態,該基線狀態經組態以在該鼓風機之該操作速度低於該基線速度的情況下,增加該鼓風機之該操作速度,且該狀態機在該鼓風機之該操作速度跨越低於該基線速度的情況下,自該減量狀態轉變至該基線狀態。
19.如條項18之裝置,其中在該基線狀態增加處於該基線狀態之該鼓風機之該操作速度之後,在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況經加旗標的情況下,該狀態機自該基線狀態轉變至該增量狀態。
20.如條項18之裝置,其中在該鼓風機之該操作速度低於該基線速度的情況下,該狀態機自該監測狀態轉變至該基線狀態。
21.如條項16之裝置,其中在增加處於該增量狀態之該鼓風機之該操作速度之後,在該鼓風機之該增加的操作速度大於一目標速度的情況下,該狀態機自該增量狀態轉變至該監測狀態。
22.如條項16之裝置,其中在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況經加旗標的情況下,該狀態機自該監測狀態轉變至該增量狀態。
23.如條項16之裝置,其中在滿足一或多個退出準則的情況下,該狀態機自該監測狀態轉變至該減量狀態,該等退出準則基於該基線速度、由該光源產生之光束脈衝之一數目及導致該光源之效能之一改良之事件中的一或多者。
24.一種用於一光源之鼓風機控制器,該鼓風機控制器包含:一控制系統,其與配置在該光源之一氣體放電腔室中之一鼓風機通
信,該鼓風機經組態以使包括來自一能量源之一增益介質之一氣體混合物在該氣體放電腔室內位移,該能量源經組態以向該氣體混合物供應能量,該控制系統經組態以:監測該光源之一或多個操作條件之一故障狀況;在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況係清除的情況下且在一降低的操作速度將處於或高於一基線速度的情況下,降低處於一減量狀態之該鼓風機之該操作速度;及在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況經加旗標的情況下,增加處於一增量狀態之該鼓風機之該操作速度。
25.如條項24之鼓風機控制器,其中該控制系統包含:一電腦可讀記憶體模組;及一或多個電子處理器,其耦接至該電腦可讀記憶體模組。
26.如條項24之鼓風機控制器,其中使用二進位記法定義與該一或多個操作條件相關的該故障狀況,使得該故障狀況在該故障狀況係清除的情況下經指派為一值0,且在該故障狀況經加旗標的情況下經指派為一值1。
27.如條項24之鼓風機控制器,其中該控制系統經進一步組態以在該鼓風機之該降低的操作速度低於該基線速度的情況下,增加處於該增量狀態之該鼓風機之該操作速度。
28.一種用於控制配置在一光源之一氣體放電腔室中之一鼓風機的方法,該方法包含:監測該光源之一或多個操作條件之一故障狀況;在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況係清除的情況下
且在一降低的操作速度將處於或高於一基線速度的情況下,使該鼓風機之該操作速度遞減;及在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況經加旗標的情況下,使該鼓風機之該操作速度遞增。
29.如條項28之方法,其中使該鼓風機之該操作速度遞減包含降低由該鼓風機之移動引起的該光源內之一振動量。
30.如條項28之方法,其中使該鼓風機之該操作速度遞減包含將該鼓風機之該操作速度降低達一減量速度步長,且使該鼓風機之該操作速度遞增包含將該鼓風機之該操作速度增加達一增量速度步長。
31.如條項30之方法,其進一步包含判定該鼓風機之該等增量及減量速度步長,每一速度步長相依於與該光源之該一或多個操作條件相關的該故障狀況。
32.如條項28之方法,其中使該鼓風機之該操作速度遞減及遞增包含在由一最小鼓風機速度及一最大鼓風機速度定義之一鼓風機速度範圍內調整該鼓風機之該操作速度。
33.如條項32之方法,其進一步包含判定該鼓風機之該鼓風機速度範圍,該鼓風機速度範圍相依於該光源之該一或多個操作條件之該故障狀況。
34.如條項28之方法,其進一步包含在該鼓風機之該降低的操作速度低於該基線速度的情況下,使該鼓風機之該操作速度遞增。
35.如條項28之方法,其中監測與該一或多個操作條件相關的該故障狀況包含監測一或多個退出準則,使得僅在滿足該等退出準則中之一或多者的情況下才降低該鼓風機之該操作速度。
36.如條項35之方法,其中該等退出準則基於該基線速度及由該光源產生之光束脈衝之一數目,在該鼓風機之該操作速度大於該基線速度且該光束脈衝數目大於一最小脈衝數目的情況下,滿足該等退出準則。
37.一種紫外線光源,其包含:一光產生裝置,其包含一或多個氣體放電腔室,該一或多個氣體放電腔室經組態以保持包括一增益介質之一氣體混合物、容納經組態以向該氣體混合物供應能量之一能量源、及產生一光束,該等氣體放電腔室中之至少一者經組態以保持一鼓風機,該鼓風機經組態以使來自該能量源之該氣體混合物在該氣體放電腔室內位移;及一裝置,其經組態以調整該鼓風機之一操作速度,該裝置包含:一監測模組,其經組態以監測與該光源之一或多個操作條件相關的一故障狀況;一減量模組,其經組態以在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況係清除的情況下且在該降低的操作速度將處於或高於一基線速度的情況下,降低該鼓風機之該操作速度;及一增量模組,其經組態以在該光源之一或多個操作條件之該故障狀況經加旗標的情況下,增加該鼓風機之該操作速度。
38.如條項37之紫外線光源,其中該增益介質經組態以回應於施加至該能量源之一電壓信號而發射深紫外線(DUV)光。
39.如條項38之紫外線光源,其中該氣態增益介質包含氟化氬(ArF)、氟化氪(KrF)或氯化氙(XeCl)。
40.如條項37之紫外線光源,其中該光產生裝置包含兩個氣體放電腔室,該兩個氣體放電腔室包括經組態以產生一種子光束的一主振盪器、
及經組態以自該種子光束產生一輸出光束的一功率放大器。
41.如條項37之紫外線光源,其中該光產生裝置包含複數個氣體放電腔室,且該等氣體放電腔室中之每一者經組態以向一光束組合器發射一光束。
42.如條項37之紫外線光源,其中該裝置包含一基線模組,該基線模組經組態以在該鼓風機之該降低的操作速度低於該基線速度的情況下,增加該鼓風機之該操作速度。
其他實施方案在申請專利範圍的範疇內。
100:紫外線光源
101:微影曝光裝置
102:光束
103A:壁
103B:壁
104:氣體放電腔室/放電腔室
104i:內腔
105:光產生裝置
106:能量源
107:氣體混合物
108:鼓風機
110:裝置
Claims (42)
- 一種用於一光源之裝置,該裝置包含:一監測模組,其經組態以監測該光源之一或多個操作條件之一故障狀況;一減量模組(decrement module),其經組態以在下列情況下降低配置在該光源之一氣體放電腔室中的一鼓風機之一操作速度:在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況清除(clear)且在經降低的該操作速度(the decreased operating speed)將處於或高於一基線速度(baseline speed),該鼓風機經組態以使包括來自一能量源之一增益介質之一氣體混合物在該氣體放電腔室內位移(displace),該能量源經組態以向該氣體混合物供應能量;及一增量模組,其經組態以在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況經加旗標(flagged)的情況下,增加該鼓風機之該操作速度。
- 如請求項1之裝置,其中該鼓風機之該基線速度與該氣體放電腔室之一使用年限相關,該基線速度隨著該氣體放電腔室隨時間老化而改變。
- 如請求項1之裝置,其中該一或多個操作條件中之每一者係藉由與該光源或由該光源產生之一光束相關的一效能度量來定義。
- 如請求項3之裝置,其中該一或多個效能度量包括與該光束相關聯之一波長直方圖、與該光束相關聯之一能量劑量誤差、與該光束相關聯之一 能量誤差,及該氣體放電腔室在該光源內之一操作點。
- 如請求項3之裝置,其中在該等相關聯效能度量中之至少一者不在彼效能度量之一臨限值範圍內的情況下,該故障狀況經加旗標,且在所有該等相關聯效能度量皆在其各別臨限值範圍內的情況下,該故障狀況係清除的。
- 如請求項5之裝置,其中該光源之該等操作條件中之至少一者係前瞻性的,使得在該相關聯效能度量之值不在該效能度量之該臨限值範圍內之前調整該鼓風機之該操作速度,且該等操作條件中之至少一者係反應性的,使得在該相關聯效能度量之該值不在該效能度量之該臨限值範圍內之後調整該鼓風機之該操作速度。
- 如請求項6之裝置,其中每一前瞻性操作條件與一有限臨限值範圍相關聯,該有限臨限值範圍比該效能度量之該臨限值範圍更嚴格(tighter),且藉由基於該有限臨限值範圍判定該前瞻性操作條件之該故障狀況來在該相關聯效能度量之該值不在該臨限值範圍內之前調整該鼓風機之該操作速度。
- 如請求項1之裝置,其中與該光源之該一或多個操作條件相關的該故障狀況係使用一低通濾波器或一加權總和濾波器來判定。
- 如請求項1之裝置,其中該減量模組經組態以將該鼓風機之該操作速 度以一減量速度步長(by a decrement speed step size)降低,且該增量模組經組態以將該鼓風機之該操作速度以一增量速度步長增加。
- 如請求項9之裝置,其中該增量速度步長大於該減量速度步長。
- 如請求項9之裝置,其中該增量速度步長小於或等於25轉/分鐘(rpm),且該減量速度步長為該增量速度步長之約二分之一、三分之一、四分之一或五分之一。
- 如請求項1之裝置,其中藉由該增量模組及該減量模組在由一最小鼓風機速度及一最大鼓風機速度定義之一鼓風機速度範圍內調整該鼓風機之該操作速度。
- 如請求項1之裝置,其中該減量模組及該增量模組各自經組態以避免該鼓風機之二次諧波之混淆頻率(aliased frequency)干擾與該光源相關聯之一光譜特徵控制系統時的鼓風機操作速度。
- 如請求項13之裝置,其中該干擾鼓風機操作速度相依於該光源產生光束的一重複率。
- 如請求項1之裝置,其進一步包含一基線模組,該基線模組經組態以在該鼓風機之該操作速度低於該基線速度的情況下增加該鼓風機之該操作速度。
- 如請求項1之裝置,其中:該裝置為用於該光源之一狀態機,使得該監測模組為一監測狀態,該減量模組為一減量狀態,且該增量模組為一增量狀態。
- 如請求項16之裝置,其中在降低處於該減量狀態之該鼓風機之該操作速度之後,在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況經加旗標的情況下,該狀態機自該減量狀態轉變至該增量狀態。
- 如請求項16之裝置,其中該狀態機進一步包含一基線狀態,該基線狀態經組態以在該鼓風機之該操作速度低於該基線速度的情況下時,增加該鼓風機之該操作速度,且在該鼓風機之該操作速度跨越至低於(crosses below)該基線速度的情況下時,該狀態機自該減量狀態轉變至該基線狀態。
- 如請求項18之裝置,其中在該基線狀態增加處於該基線狀態之該鼓風機之該操作速度之後,在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況經加旗標的情況下,該狀態機自該基線狀態轉變至該增量狀態。
- 如請求項18之裝置,其中在該鼓風機之該操作速度低於該基線速度的情況下,該狀態機自該監測狀態轉變至該基線狀態。
- 如請求項16之裝置,其中在增加處於該增量狀態之該鼓風機之該操 作速度之後,在該鼓風機之經增加的該操作速度大於一目標速度的情況下,該狀態機自該增量狀態轉變至該監測狀態。
- 如請求項16之裝置,其中在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況經加旗標的情況下,該狀態機自該監測狀態轉變至該增量狀態。
- 如請求項16之裝置,其中在滿足一或多個退出準則的情況下,該狀態機自該監測狀態轉變至該減量狀態,該等退出準則基於該基線速度、由該光源產生之光束脈衝之一數目及導致該光源之效能之一改良之事件中的一或多者。
- 一種用於一光源之鼓風機控制器,該鼓風機控制器包含:一控制系統,其與配置在該光源之一氣體放電腔室中之一鼓風機通信,該鼓風機經組態以使包括來自一能量源之一增益介質之一氣體混合物在該氣體放電腔室內位移,該能量源經組態以向該氣體混合物供應能量,該控制系統經組態以:監測該光源之一或多個操作條件之一故障狀況;在下列情況下降低處於一減量狀態之該鼓風機之一操作速度:在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況係清除的情況下且在經降低的該操作速度將處於或高於一基線速度的情況下;及在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況經加旗標的情況下,增加處於一增量狀態之該鼓風機之該操作速度。
- 如請求項24之鼓風機控制器,其中該控制系統包含:一電腦可讀記憶體模組;及一或多個電子處理器,其耦接至該電腦可讀記憶體模組。
- 如請求項24之鼓風機控制器,其中使用二進位記法定義與該一或多個操作條件相關的該故障狀況,使得該故障狀況在該故障狀況係清除的情況下經指派為一值0,且在該故障狀況經加旗標的情況下經指派為一值1。
- 如請求項24之鼓風機控制器,其中該控制系統經進一步組態以在該鼓風機之經降低的該操作速度低於該基線速度的情況下,增加處於該增量狀態之該鼓風機之該操作速度。
- 一種用於控制配置在一光源之一氣體放電腔室中之一鼓風機的方法,該方法包含:監測該光源之一或多個操作條件之一故障狀況;在下列情況下使該鼓風機之一操作速度遞減:在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況係清除的情況下且在經降低的該操作速度將處於或高於一基線速度的情況下;及在與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況經加旗標的情況下,使該鼓風機之該操作速度遞增。
- 如請求項28之方法,其中使該鼓風機之該操作速度遞減包含:降低由該鼓風機之移動引起的該光源內之一振動量。
- 如請求項28之方法,其中使該鼓風機之該操作速度遞減包含將該鼓風機之該操作速度以一減量速度步長降低,且使該鼓風機之該操作速度遞增包含將該鼓風機之該操作速度以一增量速度步長增加。
- 如請求項30之方法,其進一步包含判定該鼓風機之該增量速度步長及該減量速度步長,每一速度步長相依於與該光源之該一或多個操作條件相關的該故障狀況。
- 如請求項28之方法,其中使該鼓風機之該操作速度遞減及遞增包含:在由一最小鼓風機速度及一最大鼓風機速度定義之一鼓風機速度範圍內調整該鼓風機之該操作速度。
- 如請求項32之方法,其進一步包含判定該鼓風機之該鼓風機速度範圍,該鼓風機速度範圍相依於該光源之該一或多個操作條件之該故障狀況。
- 如請求項28之方法,其進一步包含在該鼓風機之經降低的該操作速度低於該基線速度的情況下,使該鼓風機之該操作速度遞增。
- 如請求項28之方法,其中監測與該一或多個操作條件相關的該故障狀況包含監測一或多個退出準則,使得僅在滿足該等退出準則中之一或多者的情況下才降低該鼓風機之該操作速度。
- 如請求項35之方法,其中該等退出準則基於該基線速度及由該光源產生之光束脈衝之一數目,在該鼓風機之該操作速度大於該基線速度且該光束脈衝數目大於一最小脈衝數目的情況下,滿足該等退出準則。
- 一種紫外線光源,其包含:一光產生裝置,其包含一或多個氣體放電腔室,該一或多個氣體放電腔室經組態以保持包括一增益介質之一氣體混合物、容納經組態以向該氣體混合物供應能量之一能量源、及產生一光束,該等氣體放電腔室中之至少一者經組態以保持一鼓風機,該鼓風機經組態以使來自該能量源之該氣體混合物在該氣體放電腔室內位移;及一裝置,其經組態以調整該鼓風機之一操作速度,該裝置包含:一監測模組,其經組態以監測與該光源之一或多個操作條件相關的一故障狀況;一減量模組,其經組態以在下列情況下降低該鼓風機之操作速度:與該光源之一或多個操作條件相關的該故障狀況清除且在經降低的該操作速度將處於或高於一基線速度;及一增量模組,其經組態以在該光源之一或多個操作條件之該故障狀況經加旗標的情況下,增加該鼓風機之該操作速度。
- 如請求項37之紫外線光源,其中該增益介質經組態以回應於施加至該能量源之一電壓信號而發射深紫外線(DUV)光。
- 如請求項38之紫外線光源,其中該增益介質包含氟化氬(ArF)、氟化氪(KrF)或氯化氙(XeCl)。
- 如請求項37之紫外線光源,其中該光產生裝置包含兩個氣體放電腔室,該兩個氣體放電腔室包括經組態以產生一種子光束的一主振盪器、及經組態以自該種子光束產生一輸出光束的一功率放大器。
- 如請求項37之紫外線光源,其中該光產生裝置包含複數個氣體放電腔室,且該等氣體放電腔室中之每一者經組態以向一光束組合器發射一光束。
- 如請求項37之紫外線光源,其中該裝置包含一基線模組,該基線模組經組態以在該鼓風機之經降低的該操作速度低於該基線速度的情況下,增加該鼓風機之該操作速度。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202063129122P | 2020-12-22 | 2020-12-22 | |
US63/129,122 | 2020-12-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202240309A TW202240309A (zh) | 2022-10-16 |
TWI811905B true TWI811905B (zh) | 2023-08-11 |
Family
ID=79282906
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW112127307A TW202343161A (zh) | 2020-12-22 | 2021-12-21 | 氣體放電腔室鼓風機之能量消耗減量 |
TW110147828A TWI811905B (zh) | 2020-12-22 | 2021-12-21 | 氣體放電腔室鼓風機之能量消耗減量 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW112127307A TW202343161A (zh) | 2020-12-22 | 2021-12-21 | 氣體放電腔室鼓風機之能量消耗減量 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240039228A1 (zh) |
JP (1) | JP2024500674A (zh) |
KR (1) | KR20230122144A (zh) |
CN (1) | CN116636100A (zh) |
TW (2) | TW202343161A (zh) |
WO (1) | WO2022140074A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024073396A1 (en) * | 2022-09-29 | 2024-04-04 | Cymer, Llc | Reducing energy consumption of a gas discharge chamber blower |
CN117791287B (zh) * | 2024-02-23 | 2024-04-30 | 深圳市智鼎自动化技术有限公司 | 激光脉冲能量控制系统及方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105896238A (zh) * | 2015-02-16 | 2016-08-24 | 发那科株式会社 | 具备鼓风机的激光振荡器 |
TW201901828A (zh) * | 2017-05-22 | 2019-01-01 | 美商希瑪有限責任公司 | 用於光學微影系統的監控系統 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4751713A (en) * | 1987-07-31 | 1988-06-14 | Hughes Aircraft Company | Gas laser having a piezoelectric fan |
US6034978A (en) * | 1999-05-12 | 2000-03-07 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser with gas temperature control |
US6765946B2 (en) | 2000-01-25 | 2004-07-20 | Cymer, Inc. | Fan for gas discharge laser |
US6392743B1 (en) * | 2000-02-29 | 2002-05-21 | Cymer, Inc. | Control technique for microlithography lasers |
US7471708B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-12-30 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser output light beam parameter control |
WO2017094099A1 (ja) * | 2015-12-01 | 2017-06-08 | ギガフォトン株式会社 | エキシマレーザ装置 |
-
2021
- 2021-12-09 CN CN202180086578.1A patent/CN116636100A/zh active Pending
- 2021-12-09 US US18/256,290 patent/US20240039228A1/en active Pending
- 2021-12-09 WO PCT/US2021/062705 patent/WO2022140074A1/en active Application Filing
- 2021-12-09 KR KR1020237025100A patent/KR20230122144A/ko unknown
- 2021-12-09 JP JP2023535679A patent/JP2024500674A/ja active Pending
- 2021-12-21 TW TW112127307A patent/TW202343161A/zh unknown
- 2021-12-21 TW TW110147828A patent/TWI811905B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105896238A (zh) * | 2015-02-16 | 2016-08-24 | 发那科株式会社 | 具备鼓风机的激光振荡器 |
TW201901828A (zh) * | 2017-05-22 | 2019-01-01 | 美商希瑪有限責任公司 | 用於光學微影系統的監控系統 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20240039228A1 (en) | 2024-02-01 |
TW202343161A (zh) | 2023-11-01 |
KR20230122144A (ko) | 2023-08-22 |
JP2024500674A (ja) | 2024-01-10 |
CN116636100A (zh) | 2023-08-22 |
WO2022140074A1 (en) | 2022-06-30 |
TW202240309A (zh) | 2022-10-16 |
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