TWI804817B - 深紫外線（ｄｕｖ）光源、用於光源之控制器、及用於控制一光源之方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種光源，其包括：一光產生設備，其經組態以在一第一時間段期間處於一作用中狀態，在一第二時間段期間處於一閒置狀態，且在一第三時間段期間處於該作用中狀態；及一控制系統。該第一時間段出現在該第二時間段之前且該第二時間段出現在該第三時間段之前。一激發信號在該作用中狀態下施加至該光產生設備，而在該閒置狀態下未施加至該光產生設備。該控制系統經組態以基於該第二時間段的持續時間及在該第一時間段期間施加至該光產生設備之該激發信號的一性質之一值來估計在該第三時間段期間的該性質。

Description

深紫外線(DUV)光源、用於光源之控制器、及用於控制一光源之方法

本發明係關於一種用於一光源，例如一深紫外線光源的控制系統。

光微影為藉以將半導體電路系統圖案化在諸如矽晶圓的基板上的程序。光學源產生用於使晶圓上之光阻劑曝光的深紫外線(DUV)光。DUV光可包括波長，例如，自約100奈米(nm)至約400nm。通常，光學源為雷射源(例如，準分子雷射)，且DUV光為脈衝雷射光束。來自光學源的DUV光與投影光學系統互動，投影光學系統經由遮罩將光束投射至矽晶圓上之光阻劑上。以此方式，將一層晶片設計圖案化至光阻劑上。隨後對光阻劑及晶圓進行蝕刻及清洗，且然後重複光微影程序。

在一個態樣中，一種光源包括：光產生設備，其經組態以在第一時間段期間處於作用中狀態，在第二時間段期間處於閒置狀態，且在第三時間段期間處於作用中狀態；及控制系統。第一時間段出現在第二時間段之前，且第二時間段出現在第三時間段之前。一激發信號在該作用中狀態下施加至該光產生設備，而在該閒置狀態下未施加至該光產生設備。該控制系統經組態以基於該第二時間段的持續時間及在該第一時間段 期間施加至該光產生設備之該激發信號的一性質之一值來估計在該第三時間段期間的該性質。

實施方案可包括以下特徵中之一或多者。

光產生設備可包括：放電腔室，其經組態以容納氣態增益介質；及複數個電極，其位於放電腔室中。激發信號可包括施加至複數個電極中之至少一者的電壓信號，且激發信號的性質可包括電壓信號的量值。電壓信號可包括時變電壓信號。控制系統可包括記憶體模組，該記憶體模組經組態以儲存至少一個值，該至少一個值表示在第一時間段中施加至電極的電壓信號的量值。在第一時間段期間的性質之值可包括在第一時間段期間施加至電極的最小電壓。控制系統可經組態以基於第二時間段的持續時間、在第一時間段期間施加至電極的最小電壓及與第一時間段相關聯的自適應參數來估計在第三時間段期間施加至光產生設備的激發信號的性質。氣態增益介質可包括經組態以回應於將電壓信號施加至電極中之至少一個而發射深紫外線(DUV)光的增益介質。氣態增益介質可包括氟化氬(ArF)、氟化氪(KrF)或氯化氙(XeCl)。

控制系統亦可經組態以基於激發信號的估計性質及在第三時間段期間施加至光產生設備之激發信號的性質之實際值來判定誤差度量。控制系統可經組態以基於誤差度量來更新自適應參數之值。控制系統可經組態以更新複數個自適應參數中之每一者之值，且複數個自適應參數中之每一者可與第二時間段的不同持續時間相關聯。

控制系統可經組態以基於激發信號的估計性質來判定是否起始暖機程序。若起始暖機程序，則控制系統可經組態以判定與暖機程序的持續時間有關的暖機程序度量。暖機程序度量可為在暖機程序期間激發 光產生設備的次數。

光產生設備可包括主振盪器及功率放大器。

光產生設備可包括單一放電腔室。

光產生設備可包括複數個放電腔室，且放電腔室中之每一者可經組態以朝向光束組合器發射脈衝光束。

在另一態樣中，一種用於光源之控制器包括控制系統。控制系統經組態以：存取與光源之閒置時間段的持續時間有關的資訊；存取與在閒置時間段之前出現的時間段期間施加至光源的激發信號的性質之值有關的資訊；及基於閒置時間段持續時間及在閒置時間段之前出現的時間段期間的激發信號的性質之值來估計激發信號的特性之更新值。

實施方案可包括以下特徵中之一或多者。

控制系統可經組態以在閒置時間段之後將具有性質之更新值的激發信號施加至光源。控制系統可經組態以基於性質之估計更新值及在閒置時間段之後施加至光產生設備的激發信號的性質之實際值來判定誤差度量。控制系統可經組態以基於誤差度量來更新自適應參數之值。控制系統可經組態以更新複數個自適應參數中之每一者之值，複數個自適應參數中之每一者與第二時間段的不同持續時間相關聯。

控制系統亦可經組態以基於性質的估計更新值來判定是否起始光源之暖機程序。

控制系統可經組態以自電腦可讀記憶體模組存取與光源的閒置時間段的持續時間有關的資訊以及與在閒置時間段之前出現的時間段期間的激發信號的性質之值有關的資訊。

控制系統亦可包括：電腦可讀記憶體模組；及一或多個電 子處理器，其耦接至該電腦可讀記憶體模組。

在另一態樣中，一種方法包括：存取與光源的閒置時間段的持續時間有關的資訊；存取與在閒置時間段之前出現的時間段期間施加至光源的激發信號的性質之值有關的資訊；基於閒置時間段的持續時間及在閒置時間段之前出現的時間段期間的激發信號的性質之值，估計激發信號的性質之更新值。

上文所描述技術中之任一者的實施方案可包括DUV光源、系統、方法、程序、裝置或設備。在附圖及下文說明中闡明一或多個實施方案的細節。根據描述及圖式以及根據申請專利範圍將明瞭其他特徵。

100:光源

105:光束

109:激發信號

110:光產生設備

150:控制系統

200:光源

205:光束

209:激發信號

210:光產生設備

211:激發機構

212:增益介質

250:控制系統

251:電子處理模組

252:電腦可讀記憶體模組

253:I/O介面

254:資料連接

300:程序

310:步驟

320:步驟

330:步驟

340:步驟

350:步驟

400:程序

410:步驟

420:步驟

430:步驟

440:步驟

594:值

595:值

596:值

600:光微影系統

605:脈衝光束

609:電壓

610:光學源

611A:電極

611B:電極

612:增益介質

614:放電腔室

616:線窄化模組

618:輸出耦合器

620:線心分析模組

622:光束耦合光學系統

624:種子光束

630:功率放大器(PA)

631:主振盪器(MO)

632:光束耦合光學系統

640:放電腔室

648:光束轉向光學元件

662:頻寬分析模組

663:光束準備系統

669:微影曝光設備

670:晶圓

675:投影光學系統

700:光學微影系統

704-1:光束

704-N:光束

705:曝光光束

705':曝光光束

709:電壓

710:光學源系統

711-1a:陰極

711-1b:陽極

712-1:增益介質

715-1:放電腔室

716-1:線窄化模組

718-1:輸出耦合器

720-1:線心分析模組

740-1:光學振盪器

740-N:光學振盪器

763:光束準備系統

770:晶圓

780:掃描器設備

781:投影光學系統

783:晶圓固持器

784:狹縫

785:遮罩

786:透鏡系統

787:光束控制設備

788:光束組合器

789:流體導管

790:氣體供應系統

791:腔室

797:電壓源

799:感測器系統/計量系統

ta_1:第一作用中時間段

ta_2:第二作用中時間段

ti_1:第一閒置時間段

ti_2:第二閒置時間段

t1:時間

t2:時間

△V1:第一電壓度量

△V2:第二電壓度量

圖1A至圖1C為在三個不同時間的光源的方塊圖。

圖2A至圖2C為在三個不同時間的另一光源的方塊圖。

圖3為用於估計激發信號的性質之值的程序的流程圖。

圖4為用於判定是否起始暖機程序的程序的流程圖。

圖5A為閒置時間隨時間而變的標繪圖。

圖5B為電壓度量隨時間而變的標繪圖。

圖5C為施加至第一DUV光源之電極的電壓隨時間而變的標繪圖。

圖5D為施加至第二DUV光源之電極的電壓隨時間而變的標繪圖。

圖5E為誤差度量隨圖5D之第二DUV光源的閒置時間而變的標繪圖。

圖5F為誤差度量隨圖5D之第二DUV光源的閒置時間而變的 標繪圖。

圖6為光微影系統的方塊圖。

圖7A為光學微影系統的方塊圖。

圖7B為用於圖7A的光學微影系統的投影光學系統的方塊圖。

圖1A至圖1C中之每一者為在不同時間的光源100的方塊圖。圖1A展示在時間t1的光源100。圖1B展示在時間t2的光源100。圖1C展示在時間t3的光源100。時間t1在第一時間段期間出現，時間t2在第二時間段期間出現，且時間t3在第三時間段期間出現。第一時間段出現在第二時間段之前，且第二時間段出現在第三時間段之前。出於說明目的，展示三個時間段。然而，光源100可在多於三個時間段內操作。

光源100包括光產生設備110及控制系統150，其估計激發信號109的性質。激發信號109可由控制系統150或由控制系統150控制的單獨設備(諸如電壓源或電流源)產生。激發信號109為足以使光產生設備110產生光束105的任何類型的信號。例如，激發信號109可為施加至光產生設備110中的激發機構(諸如圖2A至圖2C的激發機構211，圖6之電極611A及611b，或圖7之電極711-1a、711-1b)的信號。光束105可為例如脈衝或連續波雷射光束。光產生設備110可為發射在DUV範圍(例如，自約100奈米(nm)至約400nm的波長)中之脈衝光束的深紫外線(DUV)光學系統。在一些實施方案中，光產生設備110在每一作用中時間段期間發射脈衝突發。脈衝突發包括數百或數千個光脈衝。

當光產生設備110處於作用中狀態時，激發信號109被施加 至光產生設備110或光產生設備110的組件。光產生設備110在作用中狀態期間產生光束105。光產生設備110亦具有非作用中或閒置狀態。當處於非作用中或閒置狀態時，激發信號109不施加至光產生設備110或其組件，且光產生設備110不產生光束105。在閒置或非作用中狀態期間，光產生設備110可例如經斷電或關斷，或經通電且不產生任何光。在圖1A至圖1C之實例中，光產生設備110在第一時間段及第三時間段中處於作用中狀態，且在第二時間段中處於閒置狀態。第二時間段的時間持續時間亦稱為閒置時間，且第二時間段亦稱為閒置時間段。

如下文更詳細地論述，控制系統150基於閒置時間段的持續時間及在先前作用中時間段(例如，第一時間段)期間施加至光產生設備110的激發信號109的性質之值來估計在第三時間段期間施加至光產生設備110的激發信號109的性質。該性質可為例如提供給光產生設備110中之激發機構的電壓及/或電流信號的振幅。

藉由使用閒置時間及在第一時間段期間的性質之值來判定激發信號109的性質，控制系統150改良光源100之效能。例如，一些先前技術僅基於閒置時間來判定激發信號。舉例而言，此等先前技術在閒置時間大於預定臨限值的情況下使用預定激發信號，及/或在閒置時間大於預定閒置時間臨限值的情況下致使光產生設備110進入暖機模式。

另一方面，控制系統150實施考慮激發信號109的性質的先前值以估計激發信號109之更新值的技術。控制系統150所採用的方法致使在第三時間段中欲施加的激發信號109的性質的較準確判定，且改良暖機程序的使用。舉例而言，控制系統150減少或消除暖機程序的不必要的執行，同時亦幫助確保暖機程序被適當地調用。

此外，控制系統150亦可判定自適應參數，該自適應參數考慮光產生設備110的一或多個特性隨時間的改變。例如，光產生設備110的能量效率可隨時間改變。能量效率為提供給光產生設備110以產生具有一定能量的光的能量之間的關係。舉例而言，在其中激發信號109為施加至光產生設備110中之電極的電壓信號的實施方案中，隨著光產生設備110的能量效率降低，需要更大量的電壓來產生光束105。在閒置時間期間，光產生設備110的能量效率亦可降低。如下文更詳細地論述，自適應參數可估計並跟蹤光產生設備110的能量效率的改變。藉由考慮隨時間改變的光產生設備110的特性，控制系統150改良激發信號109的性質的估計的準確性。

參考圖2A至圖2C，展示光源200的方塊圖。光源200為光源100的實施方案。圖2A至圖2C中之每一者展示在不同時間的光源200。光源200在圖2A及圖2C中經展示為處於作用中狀態，而在圖2B中經展示為處於閒置狀態。光源200包括光產生設備210及控制系統250。光產生設備210包括激發機構211及增益介質212。

光產生設備210在作用中狀態下產生光束205。當光產生設備210處於作用中狀態(圖2A及圖2C)時，激發信號209經施加至光產生設備210且激發激發機構211。光產生設備210亦具有非作用中或閒置狀態(圖2B)。當光產生設備210處於閒置狀態時，激發信號209不被施加至光產生設備，且不激發激發機構211。在圖2A至圖2C之實例中，光源200在第一時間段(其包括時間t1)及第三時間段(其包括時間t3)期間處於作用中狀態。光源200在第二時間段(其包括時間t2)期間處於閒置狀態。第二時間段的持續時間亦稱為閒置時間。出於說明目的，展示三個時間段。然 而，光源200可在多於三個時間段內操作。

激發機構211回應於激發信號209來激發增益介質212。增益介質212為適合於產生應用所需的波長、能量及頻寬的光束的任何介質。例如，增益介質212可為氣體、晶體、玻璃、半導體或液體。

激發機構211為能夠激發增益介質212的任何機構。例如，激發機構211可為激發氣態增益介質的複數個電極。激發信號209可為例如電信號(諸如電壓信號)或致使額外元件(諸如電壓或電流源)產生提供給激發機構211的電信號的命令信號。激發信號209可為時變直流(DC)電信號或交流(AC)電信號，諸如正弦波電壓信號或方波電壓信號。在此等實施方案中，激發信號209的性質可為時變信號的最大振幅、時變信號的平均振幅、時變信號的最小振幅、時變信號的頻率、時變信號的工作循環及/或與時變信號有關的任何其他性質。

控制系統250估計激發信號209的性質。該性質可為例如提供給光產生設備210中之激發機構211的電壓及/或電流信號的振幅、頻率及/或工作循環。控制系統250基於先前或較早的閒置時間及激發信號209的性質的先前或較早值來估計激發信號209的性質。為了估計激發信號209的性質，控制系統250可實施諸如關於圖3所論述程序300的程序。控制系統250亦可將其他程序(例如，關於圖4所論述程序400)作為獨立程序或與程序300一起來實施。此外，控制系統250可與任何類型的光學源一起使用。舉例而言，控制系統250可搭配光微影系統600(圖6)或光學微影系統700(圖7)一起使用。

控制系統250包括電子處理模組251、電腦可讀記憶體模組252及I/O介面253。電子處理模組251包括適合於電腦程式的執行的一或 多個處理器，諸如通用或專用微處理器，及任何種類的數位電腦的任何一或多個處理器。通常，電子處理器自唯讀記憶體、隨機存取記憶體(RAM)或兩者接收指令及資料。電子處理模組251可包括任何類型的電子處理器。電子處理模組251的一或多個電子處理器執行指令並存取儲存在記憶體模組252上之資料。一或多個電子處理器亦能夠將資料寫入至記憶體模組252。

記憶體模組252可為揮發性記憶體，諸如RAM，或非揮發性記憶體。在一些實施方案中，且記憶體模組252包括非揮發性及揮發性部分或組件。記憶體模組252可儲存在控制系統250的操作中使用的資料及資訊。舉例而言，記憶體模組252可儲存與閒置時間段有關的資訊及在最近閒置時間之後及之前出現的一或多個時間段期間施加至光產生設備210的激發信號209的性質之值有關的資訊。記憶體模組252可儲存與在緊在最近閒置時間段之前出現的作用中時間段期間施加的激發信號209相關聯的一或多個值。舉例而言，激發信號209可為電壓信號或規定將由電壓源產生之電壓的信號。在此實例中，記憶體模組252可在最近作用中時間段期間儲存電壓信號之平均值、最小值及最大值。記憶體模組252亦可儲存自光源200及/或光產生設備210接收的資訊。

I/O介面253為允許控制系統250與操作者、光產生設備210及/或在另一電子裝置上運行的自動化程序交換資料及信號的任何類型介面。舉例而言，在可編輯儲存在記憶體模組252上之規則或指令的實施方案中，可藉由I/O介面253進行編輯。在另一實例中，I/O介面253自光產生設備210及/或自光產生設備210之硬體及/或軟體子系統接收資料。舉例而言，光產生設備210可藉由I/O介面253向控制系統250提供閒置時間及關 於光產生設備210的其他資訊。I/O介面253可包括視覺顯示器、鍵盤及通信介面中之一或多者，例如並列埠、通用串列匯流排(USB)連接及/或任何類型的網路介面，諸如例如，乙太網路。I/O介面253亦可允許藉由例如IEEE 802.11、藍芽或近場通信(NFC)連接而無需實體接觸的通信。

控制系統250藉由資料連接254耦接至光產生設備210。資料連接254可為實體纜線或其他實體資料導管(諸如支援基於IEEE 802.3的資料傳輸的纜線)，無線資料連接(諸如，經由IEEE 802.11或藍芽提供資料的資料連接)，或有線及無線資料連接的組合。藉由任何類型的協定或格式來設定經由資料連接提供的資料。資料連接254在各別通信介面(未展示)處連接至光產生設備210。通信介面可為能夠發送及接收資料的任何種類的介面。舉例而言，資料介面可為乙太網路介面、串列埠、並列埠或USB連接。在一些實施方案中，資料介面允許藉由無線資料連接進行資料通信。舉例而言，資料介面可為IEEE 811.11收發器、藍芽或NFC連接。控制系統250可連接至光產生設備210內之系統及/或組件。舉例而言，控制系統250可連接至激發機構211。

在圖2A至圖2C之實例中，控制系統250經展示為與光產生設備210分離且經由資料連接254連接。然而，在一些實施方案中，控制系統250經實施為光產生設備210的一部分，使得光產生設備210及控制系統250為單一整合式封裝的一部分(例如，封圍在同一封裝內)。在此等實施方案中，資料連接254可為允許軟體模組之間的通信之資料路徑，其中軟體模組中之一者實現控制系統250之態樣，而軟體模組中之另一者實施光產生設備210之其他功能性。

圖3為程序300的流程圖。程序300為用於估計激發信號209 的性質之值的程序之實例。程序300可由與光產生設備相關聯的控制系統執行。舉例而言，程序300可由控制系統150(圖1)或控制系統250(圖2A至圖2C)執行。在下文論述中，關於控制系統250及光產生設備210論述程序300。舉例而言，且參考圖2A至圖2C，程序300可實施為儲存在記憶體模組252上且由電子處理模組251中之一或多個電子處理器執行的指令(例如，電腦程式或電腦軟體)的集合。

存取與光產生設備210之閒置時間段的持續時間有關的資訊(310)。閒置時間段的持續時間(亦稱為閒置時間)為光產生設備210處於閒置或非作用中狀態的連續時間段的長度。閒置時間與過去出現的閒置時間段有關，且可為最近閒置時間段的持續時間。舉例而言，閒置時間可為第二時間段的持續時間，第二時間段包括圖2B中所展示的時間t2。

閒置時間可儲存在記憶體模組252上。在此等實施方案中，控制系統250自記憶體模組252存取閒置時間值。閒置時間值不必自記憶體模組252存取。舉例而言，在一些實施方案中，閒置時間由操作者藉由I/O介面253提供。此外，與閒置時間有關的資訊可為表示閒置時間的數值，或該資訊可採用其他形式。舉例而言，與閒置時間有關的資訊可包括閒置時間段開始的時間及閒置時間結束的時間。在此等實施方案中，控制系統250經組態以基於所存取資訊來判定閒置時間。

存取與在閒置時間段之前出現的作用中時間段期間施加至光產生設備210的激發信號209的性質之值有關的資訊(320)。舉例而言，該資訊可為在最近作用中時間段期間施加至激發機構211的最大電壓。該資訊可包括在先前作用中時間段期間的性質的多於一個值。舉例而言，該資訊可包括在先前作用中時間段期間施加至激發機構211的最大及最小電 壓。在另一實例中，該資訊可包括時間序列，時間序列表示在作用中時間段期間以規則間隔施加至激發機構211的電壓。可自記憶體模組252存取與激發信號209的性質之值有關的資訊，或可藉由I/O介面253存取資訊。

基於閒置時間段的持續時間及在閒置時間段之前出現的時間段期間的激發信號209的性質之值來估計激發信號209的性質之更新值(330)。下文論述係關於其中激發信號209為施加至激發機構211的時變電壓信號之實例。經估計的激發信號209的性質為在閒置時間段結束之後欲施加至激發機構211之最大電壓振幅(V _max )。激發信號209產生包括諸多單獨脈衝(例如，數百或數千)的脈衝突發。每一脈衝由時變電壓激發信號209中之對應脈衝產生。在下文論述中，最大電壓(V _max )為在作用中時間段期間施加至激發機構211以形成光脈衝的最大電壓量值，且最小電壓(V _min )在作用中時間段期間施加至激發機構211以形成光脈衝。最大電壓(V _max )通常在特定突發中相對較早地出現，而光產生設備210正在經歷與在閒置時間段之後開始產生光束205有關的瞬態效應。最小電壓(V _min )通常在瞬變效應已結束且光產生設備210處於穩態之後的突發中稍後出現。

可如方程式(1)中所展示估計在閒置時間結束之後將施加至激發機構211之激發信號209的電壓信號之值：

其中i為對光產生設備210的作用中時間段加索引的整數值，

(i)為在第i作用中時間段中使用的激發信號209的最大電壓的估計值，V _min (i-1)為在第(i-1)作用中時間段內激發信號209之最小電壓值，α(i-1)為與第(i-1)作用中時間段相關的自適應參數α之值，且△T(i)為緊在第i作用中時間段之前的閒置時間段之閒置時間。第i作用中時間段為當前作用中時間段， 且第(i-1)作用中時間段為緊在當前作用中時間段之前的作用中時間段。具有閒置時間△T(i)的閒置時間段在第i作用中時間段與第(i-1)作用中時間段之間。

舉例而言，當前或第i作用中時間段可為如圖2C中所展示的包括t3的第三時間段，且先前作用中時間段可為如圖2A中所展示的包括t1的第一時間段。繼續此實例，閒置時間為包括t2之第二時間段，如在圖2B中所展示。因此，在此實例中，V _min (i-1)為在第一時間段期間施加至激發機構211的最小電壓(且基於在(320)處存取的資訊)，△T(i)為第二時間段或閒置時間的持續時間(且基於在(310)處存取的資訊)，且激發信號之估計性質為在第三時間段期間將施加至激發機構211的最大電壓。

上文論述係關於一實例，其中激發信號209為施加至激發機構211的時變電壓信號，且經估計的激發信號209的度量為最大電壓(V _max )之值。然而，可估計其他度量。舉例而言，在一些實施方案中，將恆定電壓施加至激發機構211，且基於對閒置時間及在閒置時間之前光束205的輸出能量的瞭解，在閒置時間段之後估計光束205之輸出能量。換言之，上文論述方法可用於預測在閒置時間段之後光束205中之所產生光能。

自適應參數α(i-1)為與第一時間段相關聯的自適應參數之值。與第一時間段相關聯的自適應參數之值可儲存在記憶體模組252上，或可經由I/O介面253提供給控制系統250。程序300可結束，返回至(310)或繼續至(340)。

在一些實施方案中，針對每一作用中時間段更新自適應參數α。在此等實施方案中，判定誤差度量(340)。誤差度量基於在作用中時間段期間將施加至激發機構211之激發信號209的估計性質(如在330中估 計)以及在彼作用中時間段期間施加的激發信號209的性質之實際值。可如方程式(2)中所展示判定誤差度量：

其中i為對光產生設備210之作用中時間段加索引的整數值，e _v (i)為與第i作用中時間段相關聯的誤差度量，V _max (i)為在第i作用中時間段期間施加至光產生設備210的激發信號209之所施加最大電壓的實際值，

(i)為第i作用中時間段內之激發信號209的估計最大電壓。

可更新自適應參數之值(350)。自適應參數為表示隨時間改變的光產生設備210之特性的任何參數。舉例而言，自適應參數可為光產生設備210之能量效率的估計。能量效率使輸入能量(提供給激發機構211的電壓)與輸出能量(光束205中之光能)有關。該關係可為近似線性的。關於或有關於閒置時間的線性關係的斜率可用作自適應參數。

自適應參數(α)之值可如方程式(3)中所展示進行更新：α(i)=α(i-1)+ηe _v (i) 方程式(3)，其中i為對光產生設備210之作用中時間段加索引的整數值，η為步長或加權因子，且e _v (i)為第i作用中時間段的誤差度量。在方程式(3)之實例中，i為當前作用中時間段(例如，包括圖2C中之時間t3的第三時間段)，且i-1為緊接在前的作用中時間段(例如，第一時間段，其包括圖2A中之時間t1)。

步長或加權因子η隨時間保持恆定，除非光源200的操作者有意改變其。步長或加權因子η判定誤差值e _v (i)對自適應參數α的影響程度。如與相對較小值相比，步長或加權因子η之相對較大值致使自適應參數α的較大改變。步長或加權因子η可由製造商在組裝光產生設備210時進 行設定並將其儲存在記憶體模組252上，及/或操作者可經由I/O介面253更新步長或加權因子。

自適應參數α之更新值可與第i作用中時間段相關聯地儲存在記憶體模組252上，使得控制系統250可存取自適應參數之值以供以後使用。

在一些實施方案中，使用自適應參數的多於一個例子，其中每一例子與特定閒置時間或閒置時間範圍相關聯。舉例而言，可基於方程式(4)、(5)及(6)初始化並然後更新自適應參數α的兩(2)個、五(5)個、七(7)個或多個例子：

α _j (i)=α _j (i-1)+η _j e _v (i) 方程式(6)，其中j為一個例子，且α _j 為對應於第j例子的自適應參數，且△T為與第j例子相關聯的閒置時間範圍。閒置時間範圍未必相同。舉例而言，在一個實施方案中，對自適應參數α _j 之五(j=5)個例子進行初始化，其中對於以下閒置時間範圍△T(i)中之每一者：0至60秒(s)、61至120s、121至600s、601至3600s以及大於3600s，一個自適性參數α _j 之例子。因此，若閒置時間為60秒或較少，則α(1)用作α _j 。若閒置時間為3600秒或較大，則α(5)用作α _j 。

使用多於一個自適應參數α _j 之例子改良程序300的整體準確度。舉例而言，光產生設備210的能量效率通常隨著閒置時間的增加而降低。儘管對於較短的閒置時間(例如，小於10分鐘的閒置時間)，能量效率與閒置時間之間的關係通常為線性的，但對於相對較長閒置時間，能量效 率相對於閒置時間以未必線性的方式降低。為了考慮上述情形，可使用複數個自適應參數α _j 之例子，每一者與不同範圍的閒置時間相關聯。此方法可致使較高效過程並確保較長閒置時間的準確結果，因為閒置時間的範圍可選擇，使得能量效率在每一範圍內皆為線性或近似線性，使得可使用公式(3)來更新各種可調整參數。

在一些實施方案中，即使控制系統250在其他條件下更新自適應參數，控制系統250亦不會在某些條件下有意地更新自適應參數。舉例而言，光產生設備210可具有一或多個校準模式及/或維護模式，其中光產生設備210處於作用中狀態但在不反映典型使用條件的條件下執行。若在校準及/或維護模式期間更新自適應參數，則在光產生設備210退出維護及/或照明之後，自適應參數之值可變得不準確且可影響激發信號的性質的計算準確度。因此，當光產生設備210處於維護及/或校準模式時，控制系統250可經組態以跳過程序300之部分，例如，(340)及(350)。控制系統250可經由I/O介面253自光產生設備210或自操作者接收進入及退出維護及/或校準模式的指示。

參考圖4，展示程序400的流程圖。程序400可由與光產生設備相關聯的控制系統執行。舉例而言，程序400可由控制系統150(圖1)或控制系統250(圖2)執行。在下文論述中，關於控制系統250及光產生設備210論述程序400。程序400可實施為指令集合(例如，電腦程式或電腦軟體)，該等指令儲存在記憶體模組252上且由電子處理模組251中之一或多個電子處理器執行。

程序400為用於判定是否起始暖機程序的過程之實例。當光產生設備210在閒置時間段之後立即開始產生光束205時，光束205的一或 多個性質(例如，波長、頻寬、能量及/或時間脈衝持續時間)可能不符合與使用光束205的應用相關聯的規格。在此情況下，可將光產生設備210視為處於冷起動狀況。在冷起動狀況，光產生設備210產生光束205，但光束205不足以用於該應用。將暖機程序應用於光產生設備210以補救冷起動狀況。在暖機程序期間，將激發信號209提供給激發機構211，但不將光束205提供給下游工具或系統(或下游工具或系統不使用)直至光束205滿足效能規格。舉例而言，光束205可在執行暖機程序時經阻擋或轉向。

一些先前技術僅基於閒置時間來起始暖機程序。舉例而言，若緊接在作用中時間段之前的閒置時間超過臨限值，則此等先前技術可起始暖機程序。然而，因為僅閒置時間並非始終準確指示是否應起始暖機程序，所以此方法可導致在相對較長閒置時間內不必要地調用暖機程序。此外，此方法可導致在一些相對短的閒置時間內錯誤地未執行暖機程序。圖5A及圖5B展示僅依靠閒置時間如何可導致對是否起始暖機程序的不正確判定的實例。另一方面，且如下文所論述，控制系統250實施程序400，該程序使用激發信號209的性質之估計值來判定是否起始暖機程序。

分析激發信號209的估計性質以判定是否起始暖機程序(410)。可在程序300的(330)處判定激發信號209的估計性質，並將其傳遞給程序400(例如，藉由函數調用)。在一些實施方案中，程序400獨立於程序300執行。在此等實施方案中，激發信號209的估計性質可由光源200的操作者藉由I/O介面253提供或自記憶體模組252讀取。

可藉由將估計值與臨限值進行比較來分析激發信號209的性質的估計值。舉例而言，估計值可為估計最大電壓值(

)。在此實例 中，估計最大電壓的較高值指示相對較低的效率，且應執行暖機程序。另一方面，相對較低估計最大電壓指示相對較高效率，而無需暖機程序。

在(420)處，程序400基於在(410)執行之分析，判定是否起始暖機程序。若未執行暖機程序，則程序400結束或返回至圖3的(330)。若執行暖機程序，則判定暖機程序度量(430)。暖機程序度量可為例如在暖機程序期間將施加至激發機構211的激發信號209的一或多個特性。舉例而言，度量可指示在暖機程序期間激發信號209的時間持續時間及/或欲施加至激發機構211的多個電壓脈衝。在一些實施方案中，可基於估計最大電壓值(

)(例如，如由方程式1估計)及在暖機程序之後所要的電壓來計算電壓脈衝的數目。可藉由將暖機程序之後所要的電壓與暖機程序之後獲得的實際電壓進行比較來估計電壓脈衝的數目。具體地，可自適應地更新在暖機程序之後所要的電壓與在暖機程序之後實現的實際電壓之間的電壓誤差，以估計在下一暖機程序期間欲施加至激發機構211的電壓脈衝的數目。在一些實施方案中，暖機程序度量為儲存在記憶體模組252上之預定值。

將具有所判定性質的激發信號209施加至激發機構211(440)以執行暖機。在暖機程序完成之後，程序400結束或返回至程序300。

圖5A及圖5B說明僅依靠閒置時間不足以準確地偵測冷起動條件並準確地判定是否起始暖機程序。圖5A為以秒為單位的閒置時間隨時間而變的標繪圖。圖5B為電壓度量隨時間而變的標繪圖。在圖5B之實例中，電壓度量為在閒置時間段之後立即施加至電極的電壓。圖5A及圖5B具有相同的X軸。

光源具有第一作用中時間段ta_1。光源在第一作用中時間段之後處於第一閒置時間段ti_1中。光源在第一閒置時間段之後處於第二作用中時間段ta_2。光源在第二作用中時間段之後處於第二閒置時間段ti_2。在第一作用中時間段期間，由光源產生的光束的工作循環相對較低，如由空心圓圈符號所展示。在第二作用中時間段期間，光束的工作循環較高，如由實心圓圈符號所展示，其在時間上較靠近在一起。此指示，較之於在第一作用中時間段中，在第二作用中時間段較快速地激發激發機構。第一閒置時間(圖5A及圖5B上的t1)小於第二閒置時間(圖5A及圖5B上的t2)。然而，第一電壓度量(△V1)大於第二電壓度量(△V2)，且諸如程序400的程序將判定在第一閒置時間而非第二閒置時間之後的暖機程序將為有益的。然而，僅考慮閒置時間且將閒置時間與具有在第一閒置時間與第二閒置時間之間的值的臨限值進行比較的方法，將出現相反結果。因此，僅考慮閒置時間的傳統方法將在第二閒置時間之後起始不必要的暖機程序，而在第一閒置時間之後將不起始有益的暖機程序。因此，諸如程序400的程序，其考慮激發信號的性質之值的估計(諸如在閒置時間段之後立即施加的電壓的量)，允許以較有效方式更多使用暖機程序。

圖5C及圖5D展示諸如程序300的程序的實際量測之實例。圖5C為施加至第一DUV光源之電極的電壓隨時間而變的標繪圖。圖5D為施加至第二DUV光源之電極的電壓隨時間而變的標繪圖。在圖5C及圖5D中之每一者中，施加至電極的實際電壓由具有空心圓圈符號的線(其經標記為596)表示。連續標記為596的資料之每一點為在複數個連續突發內之最大突發平均電壓。在程序300的元素(330)處使用單一自適應參數α預測的電壓之值由具有空心方形符號的線(其經標記為594)表示。藉由具有x符 號的線(其經標記為595)表示使用自適應參數α的複數個例子在程序300的元素(330)處預測的電壓之值。在兩個實施方案中，程序300以合理的準確度估計激發信號的性質之值，且在一些情況下利用自適應參數α的複數個例子的實施方案以經改良準確度產生。

圖5E及圖5F展示隨閒置時間(以秒為單位)而變的在圖3的程序300的(340)處判定的誤差度量。使用關於圖5D所論述的第二DUV光源來模擬圖5E及圖5F中所展示的資料。在圖5E及圖5F中，空心圓圈表示用於使用單一自適應參數α的程序300的實施方案的誤差度量，且x符號表示對於其中使用自適應參數α的複數個例子的實施方案的誤差度量。如圖5E中所展示，對於約18秒或更短的閒置時間，單一自適應參數及多個自適應參數方法以相似準確度(在約2%內)預測激發信號的性質之值。如在圖5F中所展示，對於大於約50秒的閒置時間，多自適應參數方法實現較佳準確度。

關於光產生設備210論述圖3及圖4之實例。然而，控制系統250可搭配其他光源一起使用。舉例而言，控制系統250可搭配DUV雷射一起使用，該DUV雷射包括封圍氣態增益介質的單一放電腔室及經組態以激發增益介質之電極。在此等實例中，控制系統250估計在閒置時間段之後立即出現的作用中時間段內施加至電極的電壓。在另一實例中，控制系統250可搭配包括多於一個放電腔室的DUV光源一起使用，且每一放電腔室封圍氣態增益介質及經組態以激發該介質之電極。在此等實例中，控制系統250估計在一個閒置時間段之後立即出現的作用中時間段內施加至一個、多於一個、或所有放電腔室中之電極的電壓。圖6、圖7A及圖7B展示包括多於一個放電腔室且可搭配控制系統150或控制系統250一起使用 的DUV光源之實例。

參考圖6，展示光微影系統600的方塊圖。光學源610產生脈衝光束605，該脈衝光束經提供給微影曝光設備669。光學源610可為例如輸出脈衝光束605(其可為雷射光束)的準分子光學源。當脈衝光束605進入微影曝光設備669時，其經引導穿過投影光學系統675並投射至晶圓670上，以在晶圓670上之光阻劑上形成一或多個微電子特徵。光微影系統600亦包括控制系統250，在圖6之實例中，控制系統連接至光學源610及微影曝光設備669的組件。在此實例中，控制系統250可自微影曝光設備669接收與脈衝光束605有關的資料或其他資訊，及/或可向微影曝光設備669發送命令。在其他實例中，控制系統250僅連接至光學源610。

在圖6中所展示之實例中，光學源610為兩級雷射系統，其包括主振盪器(MO)631，該主振盪器將種子光束624提供給功率放大器(PA)630。MO 631及PA 630可被視為光學源610的子系統或作為光學源610之一部分的系統。功率放大器630自主振盪器631接收種子光束624，並放大種子光束624以產生用於光微影曝光設備669的光束605。舉例而言，主振盪器631可發射具有每脈衝大約1毫焦耳(mJ)之種子脈衝能量的脈衝種子光束，且此等種子脈衝可由功率放大器630放大至約10至15mJ。

主振盪器631包括具有兩個細長電極611A的放電腔室614，作為氣體混合物的增益介質612，以及使氣體在電極611A之間循環的風扇。諧振器形成在放電腔室614之一側上的線窄化模組616與放電腔室614之另一側上的輸出耦合器618之間。線窄化模組616可包括諸如光柵的繞射光學器件，其精細地調諧放電腔室614之光譜輸出。

主振盪器631亦包括：線心分析模組620，其自輸出耦合器 618接收輸出光束；及光束耦合光學系統622，其根據需要修改輸出光束之大小或形狀以形成種子光束624。線心分析模組620為量測系統，其可用於量測或監測種子光束624之波長。線心分析模組620可置放在光學源610中之其他位置處，或其可置放在光學源610之輸出處。

放電腔室614中使用的氣體混合物可為適合於以應用所需要的波長及頻寬產生光束的任何氣體。對於準分子源，氣體混合物可含有惰性氣體(稀有氣體)，諸如例如氬或氪；鹵素，諸如例如氟或氯；以及除氦及/或氖之外的微量氙作為緩衝氣體。氣體混合物的具體實例包括發出約193nm波長之光的氟化氬(ArF)，發出約248nm波長之光的氟化氪(KrF)或發出約351nm波長之光的氯化氙(XeCl)。準分子增益介質(氣體混合物)藉由向細長電極611A施加電壓609，在高壓放電中以短(例如，奈秒)電流脈衝泵送。

功率放大器630包括光束耦合光學系統632，該光束耦合光學系統自主振盪器631接收種子光束624，並將該種子光束引導穿過放電腔室640，且至光束轉向光學元件648，該光束轉向光學元件修改或改變種子光束624之方向，以使得將其發送回至放電腔室640。放電腔室640包括一對細長電極611B，作為氣體混合物的增益介質612，以及用於使氣體混合物在電極611B之間循環的風扇。

輸出光束605經引導穿過頻寬分析模組662，其中可量測光束605之各種參數(諸如頻寬或波長)。輸出光束605亦可經引導穿過光束準備系統663。光束準備系統663可包括例如脈衝拉伸器，其中輸出光束605之脈衝中之每一者在時間上例如在光學延遲單元中經拉伸，以針對入射微影曝光設備669之光束的效能性質進行調整。光束準備系統663亦可包括 能夠對光束605起作用的其他組件，諸如例如反射及/或折射光學元件(諸如例如透鏡及反射鏡)、濾光器及光學光圈(包括自動快門)。

光束605為脈衝光束，且可包括在時間上彼此分離的一或多個脈衝突發。每一突發可包括一或多個光脈衝。在一些實施方案中，突發包括數百個脈衝，例如100至400個脈衝。

如上文所論述，當藉由向電極611A施加電壓609來泵送增益介質612時，增益介質612發出光。當以脈衝的方式將電壓609施加至電極611A時，自介質612發出的光亦經脈衝化。因此，脈衝光束605的重複率由將電壓609施加至電極611A的速率判定，其中電壓609的每一施加產生光脈衝。光脈衝傳播穿過增益介質612，並藉由輸出耦合器618出射腔室614。因此，藉由向電極611A週期性重複施加電壓609來產生一列脈衝。脈衝的重複率可在約500Hz與6,000Hz之間的範圍內。在一些實施方案中，重複率大於6,000Hz，且可為例如12,000Hz或更大。

來自控制系統250的信號亦可用於分別控制主振盪器631及功率放大器630內之電極611A、611B，以控制主振盪器631及功率放大器630的各別脈衝能量，並因此控制光束605的能量。提供給電極611A的信號與提供給電極611B的信號之間可存在延遲。延遲量可影響光束605的性質，諸如脈衝光束605中之相干量。脈衝光束605可具有在數十瓦特範圍內的平均輸出功率，例如，自約50W至約130W。輸出處之光束605的照射度(即，每單位面積的平均功率)可在自60W/cm²至80W/cm²範圍內。

參考圖7A，展示光學微影系統700的方塊圖。光學微影系統700包括光學源系統710，光學源系統產生提供給掃描器設備780的曝光光束705。掃描器設備780用曝光光束705來曝光晶圓770。在所展示實例 中，控制系統250連接至光學源系統710及掃描器設備780。在其他實例中，控制系統250僅連接至光學源系統710。

掃描器設備780用成形的曝光光束705'來曝光晶圓770。藉由使曝光光束705穿過投影光學系統781來形成成形的曝光光束705'。

光學源系統710包括光振盪器740-1至740-N，其中N為大於1的整數。每一光學振盪器740-1至740-N產生各別光束704-1至704-N。光學振盪器740-1的細節在下文論述。光學源系統710中之其他N-1個光學振盪器包括相同或相似的特徵。

光學振盪器740-1包括放電腔室715-1，其封圍陰極711-1a及陽極711-1b。放電腔室715-1亦含有氣態增益介質712-1。陰極711-1a及陽極711-1b之間的電位差在氣態增益介質712-1中形成電場。可藉由控制耦接至控制系統250的電壓源797以將電壓709施加至陰極711-1a及/或陽極711-1b來產生電位差。電場將能量提供給增益介質712-1，足以致使粒子數反轉(population inversion)，並能夠經由受激發射產生光脈衝。重複產生此電位差形成一連串的光脈衝以產生光束704-1。脈衝光束704-1的重複率由向電極711-1a、711-1b施加電壓709的速率判定。脈衝光束704-1中之脈衝的持續時間由向電極711-1a及711-1b施加電壓709的持續時間判定。脈衝的重複率可在例如約500Hz與6,000Hz之間的範圍內。在一些實施方案中，重複率可大於6,000Hz，且可為例如12,000Hz或更大。自光學振盪器740-1發射的每一脈衝可具有例如大約1毫焦耳(mJ)的脈衝能量。

氣態增益介質712-1可為適用於以應用所需要的波長、能量及頻寬產生光束的任何氣體。對於準分子源，氣態增益介質712-1可含有惰性氣體(稀有氣體)，諸如例如氬或氪；鹵素，諸如例如氟或氯；以及微 量的氙，除了緩衝氣體外，諸如氦。氣態增益介質712-1的具體實例包括：發出約193nm之波長的光的氟化氬(ArF)，發出約248nm之波長的光的氟化氪(KrF)，或發出約351nm之波長的光的氯化氙(XeCl)。增益介質712-1藉由向電極711-1a、711-1b施加電壓709，在高壓放電中以短(例如，奈秒)電流脈衝泵送。

諧振器形成在放電腔室715-1之一側上的線窄化模組716-1與放電腔室715-1之另一側上的輸出耦合器718-1之間。線窄化模組716-1可包括精細調諧放電腔室715-1之光譜輸出的繞射光學器件，諸如例如，光柵及/或稜鏡。在一些實施方案中，線窄化模組716-1包括複數個繞射光學元件。舉例而言，線窄化模組716-1可包括四個稜鏡，其中一些稜鏡經組態以控制光束704-1的中心波長，而其中之其他稜鏡經組態控制光束704-1之光譜頻寬。

光學振盪器740-1亦包括線心分析模組720-1，其自輸出耦合器718-1接收輸出光束。線心分析模組720-1為可用於量測或監測光束704-1的波長的量測系統。線心分析模組720-1可將資料提供給控制系統250，且控制系統250可基於來自線心分析模組720-1的資料來判定與光束704-1有關的度量。舉例而言，控制系統250可基於由線心分析模組720-1量測的資料來判定光束品質度量或頻譜頻寬。

光學源系統710亦包括氣體供應系統790，該氣體供應系統經由流體導管789流體耦接至放電腔室715-1的內部。流體導管789為任何導管，該導管能夠輸送氣體或其他流體而流體無損失或損失最小。舉例而言，流體導管789可為由不與在導管789中輸送的一或多種流體反應的材料製成或塗覆的管道。氣體供應系統790包括腔室791，其含有及/或經組 態以接收在增益介質712-1中所使用的氣體的供應。氣體供應系統790亦包括裝置(諸如泵、閥及/或流體開關)，該等裝置使得氣體供應系統790能夠自放電腔室715-1移除氣體或將氣體注入至該放電腔室中。氣體供應系統790耦接至控制系統250。氣體供應系統790可由控制系統250控制來執行例如再填充程序。

其他N-1個光學振盪器類似於光學振盪器740-1，且具有相似或相同的組件及子系統。舉例而言，光學振盪器740-1至740-N中之每一者包括與電極711-1a、711-1b相似之電極，與線窄化模組716-1相似的線窄化模組，及與輸出耦合器718-1相似的輸出耦合器。光學振盪器740-1至740-N可經調諧或組態使得所有光束704-1至704-N具有相同的性質，或光學振盪器740-1至740-N可經調諧或組態使得至少一些光振盪器具有至少一些不同於其他光學振盪器的性質。舉例而言，所有光束704-1至704-N可具有相同的中心波長，或每一光束704-1至704-N的中心波長可不同。由光學振盪器740-1至740-N中之特定一者產生的中心波長可使用各別線窄化模組來設定。

此外，電壓源797可電連接至每一光學振盪器740-1至740-N中之電極，或電壓源797可實施為包括N個個別電壓源的電壓系統，電壓源中之每一者電連接至光學振盪器740-1至740-N中之一者的電極。

光學源系統710亦包括光束控制設備787及光束組合器788。光束控制設備787位於光學振盪器740-1至740-N之氣態增益介質與光束組合器788之間。光束控制設備787判定光束704-1至704-N中之哪一者入射於光束組合器788上。光束組合器788由入射在光束組合器788上之一或多個光束形成曝光光束705。在所展示實例中，光束控制設備787表 示為單一元件。然而，光束控制設備787可實施為個別光束控制設備的集合。例如，光束控制設備787可包括快門集合，其中一個快門與每一光學振盪器740-1至740-N相關聯。

光學源系統710可包括其他組件及系統。舉例而言，光學源系統710可包括光束準備系統763，該光束準備系統包括量測光束的各種性質(諸如頻寬或波長)的頻寬分析模組。光束準備系統763可包括拉伸每一脈衝之脈衝拉伸器(未展示)，每一脈衝及時與脈衝拉伸器互動。光束準備系統763亦可包括能夠對光起作用的其他組件，諸如例如反射及/或折射光學元件(諸如例如透鏡及反射鏡)及/或濾光器。在所展示實例中，光束準備系統763位於曝光光束705的路徑中。然而，光束準備系統763可置放在光學微影系統700內的其他位置處。此外，其他實施方案為可能的。舉例而言，光學源系統710可包括光束準備系統763的N個例子，其中每一者經置放成與光束704-1至704-N中之一者互動。在另一實例中，光學源系統810可包括將光束704-1至704-N引導朝向光束組合器788的光學元件(諸如反射鏡)。

掃描器設備780可為液浸系統或乾式系統。掃描器設備780包括投影光學系統781(曝光光束705在到達晶圓770之前從中穿過)，及感測器系統或計量系統799。晶圓770經固持或接納在晶圓固持器783上。亦參考圖7B，投影光學系統781包括狹縫784、遮罩785以及包括透鏡系統786的投影物鏡。透鏡系統786包括一或多個光學元件。曝光光束705進入掃描器設備780且入射於狹縫784上，且光束705之至少一些穿過狹縫784，以形成成形的曝光光束705'。在圖7A及圖7B之實例中，狹縫784為矩形，且將曝光光束705塑形為細長的矩形光束，其為成形的曝光光束 705'。遮罩785包括圖案，該圖案判定成形的光束之哪些部分由遮罩785透射以及哪些由遮罩785阻擋的。藉由用曝光光束705'曝光晶圓770上之輻射敏感光阻劑材料層，在晶圓770上形成微電子特徵。遮罩上之圖案的設計由所要的特定微電子電路特徵判定。

計量系統799包括感測器771。感測器771可經組態以量測成形的曝光光束705'的性質，諸如例如，頻寬、能量、脈衝持續時間，及/或波長。感測器771可為例如相機或能夠捕獲成形的曝光光束705'在晶圓770處之影像的其他裝置，或能夠捕獲描述x-y平面中晶圓770處之光能的量的資料的能量偵測器。

本發明之其他態樣在以下編號條項中闡述。

1.一種光源，其包含：一光產生設備，其經組態以在一第一時間段期間處於一作用中狀態，在一第二時間段期間處於一閒置狀態，且在一第三時間段期間處於該作用中狀態，該第一時間段出現在該第二時間段之前且該第二時間段出現在該第三時間段之前，且其中一激發信號在該作用中狀態下施加至該光產生設備，而在該閒置狀態下未施加至該光產生設備；及一控制系統，其經組態以：基於該第二時間段的持續時間及在該第一時間段期間施加至該光產生設備之該激發信號的一性質之一值來估計在該第三時間段期間的該性質。

2.如條項1之光源，其中該光產生設備包含：一放電腔室，其經組態以容納一氣態增益介質；及複數個電極，其位於該放電腔室中，且其中該激發信號包含施加至該複數個電極中之至少一者的一電壓信號，且該激發信號的該性質包含該 電壓信號的一量值。

3.如條項2之光源，其中該電壓信號包含一時變電壓信號。

4.如條項2之光源，其中該控制系統包含一記憶體模組，該記憶體模組經組態以儲存至少一個值，該至少一個值表示在該第一時間段中施加至該等電極的該電壓信號的該量值。

5.如條項2之光源，其中在該第一時間段期間的該性質之該值包含在該第一時間段期間施加至該等電極的一最小電壓。

6.如條項5之光源，其中該控制系統經組態以基於該第二時間段的該持續時間、在該第一時間段期間施加至該等電極的該最小電壓及與該第一時間段相關聯的一自適應參數來估計在該第三時間段期間施加至該光產生設備的該激發信號的該性質。

7.如條項2之光源，其中該氣態增益介質包含經組態以回應於將該電壓信號施加至該等電極中之至少一者而發射深紫外線(DUV)光的一增益介質。

8.如條項7之光源，其中該氣態增益介質包含氟化氬(ArF)、氟化氪(KrF)或氯化氙(XeCl)。

9.如條項1之光源，其中該控制系統經進一步組態以基於該激發信號的該估計性質及在該第三時間段期間施加至該光產生設備之該激發信號的該性質之一實際值來判定一誤差度量。

10.如條項9之光源，其中該控制系統經進一步組態以基於該誤差度量來更新一自適應參數之一值。

11.如條項10之光源，其中該控制系統經組態以更新複數個自適應參數中之每一者之一值，且該複數個自適應參數中之每一者與該第二時間 段的一不同持續時間相關聯。

12.如條項1之光源，其中該控制系統經進一步組態以基於該激發信號的該估計性質來判定是否起始一暖機程序。

13.如條項12之光源，其中若起始該暖機程序，則該控制系統經進一步組態以判定與該暖機程序的一持續時間有關的一暖機程序度量。

14.如條項13之光源，其中該暖機程序度量為在該暖機程序期間激發該光產生設備的一次數。

15.如條項1之光源，其中該光產生設備包含一主振盪器及一功率放大器。

16.如條項1之光源，其中該光產生設備包含一單一放電腔室。

17.如條項1之光源，其中該光產生設備包含複數個放電腔室，且該等放電腔室中之每一者經組態以朝向一光束組合器發射一脈衝光束。

18.一種用於一光源之控制器，該控制器包含一控制系統，其中該控制系統經組態以：存取與該光源之一閒置時間段的一持續時間有關的資訊；存取與在該閒置時間段之前出現的一時間段期間施加至該光源的一激發信號的一性質之一值有關的資訊；及基於該閒置時間段的該持續時間及在該閒置時間段之前出現的該時間段期間的該激發信號的該性質之該值來估計該激發信號的該性質之一更新值。

19.如條項18之控制器，其中該控制系統經進一步組態以在該閒置時間段之後將具有該性質之該更新值的該激發信號施加至該光源。

20.如條項19之控制器，其中該控制系統經進一步組態以基於該性 質之該估計更新值及在該閒置時間段之後施加至光產生設備的該激發信號的該性質之一實際值來判定一誤差度量。

21.如條項20之控制器，其中該控制系統經進一步組態以基於該誤差度量來更新一自適應參數之一值。

22.如條項21之控制器，其中該控制系統經組態以更新複數個自適應參數中之每一者之一值，且該複數個自適應參數中之每一者與該第二時間段的一不同持續時間相關聯。

23.如條項18之控制器，其中該控制系統經進一步組態以基於該性質之該估計更新值來判定是否起始該光源之一暖機程序。

24.如條項18之控制器，其中該控制系統經組態以自一電腦可讀記憶體模組存取與一光源的一閒置時間段的該持續時間有關的該資訊以及與在該閒置時間段之前出現的該時間段期間的一激發信號的一性質之該值有關的該資訊。

25.如條項18之控制器，其中該控制系統包含：一電腦可讀記憶體模組；及一或多個電子處理器，其耦接至該電腦可讀記憶體模組。

26.一種方法，其包含：存取與一光源的一閒置時間段的一持續時間有關的資訊；存取與在該閒置時間段之前出現的一時間段期間施加至該光源的一激發信號的一性質之一值有關的資訊；及基於該閒置時間段的該持續時間及在該閒置時間段之前出現的該時間段期間的該激發信號的該性質之該值來估計該激發信號的該性質之一更新值。

其他實施方案在申請專利範圍的範疇內。

250:控制系統

600:光微影系統

605:脈衝光束

609:電壓

610:光學源

611A:電極

611B:電極

612:增益介質

614:放電腔室

616:線窄化模組

618:輸出耦合器

620:線心分析模組

622:光束耦合光學系統

624:種子光束

630:功率放大器(PA)

631:主振盪器(MO)

632:光束耦合光學系統

640:放電腔室

648:光束轉向光學元件

662:頻寬分析模組

663:光束準備系統

669:微影曝光設備

670:晶圓

675:投影光學系統

Claims (26)

1. 一種深紫外線(DUV)光源，其包含：一光產生設備，其經組態以在一第一時間段期間處於一作用中狀態(active state)，在一第二時間段期間處於一閒置狀態(idle state)，且在一第三時間段期間處於該作用中狀態，該第一時間段出現在該第二時間段之前且該第二時間段出現在該第三時間段之前，且其中一激發(excitation)信號在該作用中狀態下施加至該光產生設備，而在該閒置狀態下未施加至該光產生設備；及一控制系統，其經組態以估計在該第三時間段期間施加至該光產生設備之該激發信號的一性質(property)，其係基於該第二時間段的持續時間及在該第一時間段期間的該性質之一值。
2. 如請求項1之光源，其中該光產生設備包含：一放電腔室，其經組態以容納一氣態增益介質；及複數個電極，其位於該放電腔室中，且其中該激發信號包含施加至該複數個電極中之至少一者的一電壓信號，且該激發信號的該性質包含該電壓信號的一量值。
3. 如請求項2之光源，其中該電壓信號包含一時變電壓信號。
4. 如請求項2之光源，其中該控制系統包含一記憶體模組，該記憶體模組經組態以儲存至少一個值，該至少一個值表示在該第一時間段中施加至 該等電極的該電壓信號的該量值。
5. 如請求項2之光源，其中在該第一時間段期間的該性質之該值包含在該第一時間段期間施加至該等電極的一最小電壓。
6. 如請求項5之光源，其中該控制系統經組態以基於該第二時間段的該持續時間、在該第一時間段期間施加至該等電極的該最小電壓及與該第一時間段相關聯的一自適應(adaptive)參數來估計在該第三時間段期間施加至該光產生設備的該激發信號的該性質。
7. 如請求項2之光源，其中該氣態增益介質包含經組態以回應於將該電壓信號施加至該等電極中之至少一者而發射深紫外線(DUV)光的一增益介質(gain medium)。
8. 如請求項7之光源，其中該氣態增益介質包含氟化氬(ArF)、氟化氪(KrF)或氯化氙(XeCl)。
9. 如請求項1之光源，其中該控制系統經進一步組態以基於該激發信號的該估計性質及在該第三時間段期間施加至該光產生設備之該激發信號的該性質之一實際值來判定一誤差度量(metric)。
10. 如請求項9之光源，其中該控制系統經進一步組態以基於該誤差度量來更新一自適應參數之一值。
11. 如請求項10之光源，其中該控制系統經組態以更新複數個自適應參數中之每一者之一值，且該複數個自適應參數中之每一者與該第二時間段的一不同持續時間相關聯。
12. 如請求項1之光源，其中該控制系統經進一步組態以基於該激發信號的該估計性質來判定是否起始一暖機程序。
13. 如請求項12之光源，其中若起始該暖機程序，則該控制系統經進一步組態以判定與該暖機程序的一持續時間有關的一暖機程序度量。
14. 如請求項13之光源，其中該暖機程序度量為在該暖機程序期間激發該光產生設備的一次數。
15. 如請求項1之光源，其中該光產生設備包含一主振盪器及一功率放大器。
16. 如請求項1之光源，其中該光產生設備包含一單一放電腔室。
17. 如請求項1之光源，其中該光產生設備包含複數個放電腔室，且該等放電腔室中之每一者經組態以朝向一光束組合器發射一脈衝光束。
18. 一種用於一光源之控制器，該控制器包含一控制系統，其中該控制 系統經組態以：存取與該光源之一閒置時間段的一持續時間有關的資訊；存取與在該閒置時間段之前出現的一時間段期間施加至該光源的一激發信號的一性質之一值有關的資訊；及基於該閒置時間段的該持續時間及在該閒置時間段之前出現的該時間段期間的該激發信號的該性質之該值來估計該激發信號的該性質之一更新值。
19. 如請求項18之控制器，其中該控制系統經進一步組態以在該閒置時間段之後將具有該性質之該更新值的該激發信號施加至該光源。
20. 如請求項19之控制器，其中該控制系統經進一步組態以基於該性質之該估計更新值及在該閒置時間段之後施加至光產生設備的該激發信號的該性質之一實際值來判定一誤差度量。
21. 如請求項20之控制器，其中該控制系統經進一步組態以基於該誤差度量來更新一自適應參數之一值。
22. 如請求項21之控制器，其中該控制系統經組態以更新複數個自適應參數中之每一者之一值，且該複數個自適應參數中之每一者與該第二時間段的一不同持續時間相關聯。
23. 如請求項18之控制器，其中該控制系統經進一步組態以基於該性質 之該估計更新值來判定是否起始該光源之一暖機程序。
24. 如請求項18之控制器，其中該控制系統經組態以自一電腦可讀記憶體模組存取與一光源的一閒置時間段的該持續時間有關的該資訊以及與在該閒置時間段之前出現的該時間段期間的一激發信號的一性質之該值有關的該資訊。
25. 如請求項18之控制器，其中該控制系統包含：一電腦可讀記憶體模組；及一或多個電子處理器，其耦接至該電腦可讀記憶體模組。
26. 一種用於控制一光源之方法，其包含：存取與該光源的一閒置時間段的一持續時間有關的資訊；存取與在該閒置時間段之前出現的一時間段期間施加至該光源的一激發信號的一性質之一值有關的資訊；及基於該閒置時間段的該持續時間及在該閒置時間段之前出現的該時間段期間的該激發信號的該性質之該值來估計該激發信號的該性質之一更新值。

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