CN110634929A - 显示基板及其制备方法、亮度补偿方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示基板，包括：规则排布的多个发光单元以及与所述发光单元一一对应的光感单元，任一发光单元与对应的光感单元之间设置有光传输结构，光感单元通过光传输结构接收发光单元发出的光信号，并将光信号转换为电信号，对发光单元进行亮度补偿。本申请还提供显示基板的制备方法、显示装置及亮度补偿方法。

Description

显示基板及其制备方法、亮度补偿方法、显示装置
技术领域
本文涉及显示技术领域，尤指一种显示基板及其制备方法、亮度补偿方法、显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(OLED，Organic Light-Emitting Device)具有轻薄、对比度高、工作温度范围宽等特点在显示领域大量应用。OLED作为自发光器件，由于材料、制备工艺以及背板驱动电路设计的影响，OLED的子像素与子像素之间会存在亮度差异；而且，由于OLED自身寿命问题，且不同颜色的OLED器件的老化速率不同，会导致随着时间的推移，子像素之间的亮度差异会更加严重。
针对上述问题，目前的主要方式是通过监测流过OLED器件的电流来监测单个子像素的亮度情况。然而，上述方式会增加像素电路的设计难度，而且，由于制备工艺和不同颜色的OLED器件的老化程度不同的影响，子像素之间可能存在电流相同，但是亮度不同的情况，导致无法通过监测电流来准确监测子像素的亮度情况。
发明内容
本申请提供了一种显示基板及其制备方法、亮度补偿方法、显示装置，可以解决现有技术中无法有效监测子像素亮度的问题。
一方面，本申请提供了一种显示基板，包括：规则排布的多个发光单元以及与所述发光单元一一对应的光感单元，所述发光单元与所述光感单元之间设置有光传输结构，所述光感单元通过所述光传输结构接收所述发光单元发出的光信号，并将所述光信号转换为电信号，对所述发光单元进行亮度补偿。
另一方面，本申请还提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
另一方面，本申请提供了一种显示基板的制备方法，包括：形成规则排布的多个发光单元、与所述发光单元一一对应的光感单元以及设置在所述发光单元与所述光感单元之间的光传输结构，其中，所述光感单元通过所述光传输结构接收所述发光单元发出的光信号，并将所述光信号转换为电信号，对所述发光单元进行亮度补偿。
另一方面，本申请提供了一种亮度补偿方法，应用于如上所述的显示基板，所述亮度补偿方法包括：通过光感单元接收与所述光感单元对应的发光单元发出的光信号，并将所述光信号转换为电信号；根据转换得到的电信号，确定所述发光单元的亮度补偿信号；根据所述亮度补偿信号，调整所述发光单元的亮度。
在本申请中，显示基板包括规则排布的多个发光单元以及与发光单元一一对应的光感单元，发光单元与对应的光感单元之间设置有光传输结构，光感单元通过光传输结构接收发光单元发出的光信号，并将光信号转换为电信号，对发光单元进行亮度补偿。本申请通过给发光单元设置对应的光感单元，可以实现对单个发光单元(子像素)的发光亮度进行有效地实时监测和补偿，以保证子像素的亮度均一性，从而提高显示基板的显示效果和寿命。
本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本申请内容。
图1为本申请第一实施例提供的显示基板的结构示意图；
图2为本申请第一实施例形成有源层图案后的示意图；
图3为本申请第一实施例形成栅电极图案后的示意图；
图4为本申请第一实施例形成第二绝缘层图案后的示意图；
图5为本申请第一实施例形成源电极和漏电极图案后的示意图；
图6为本申请第一实施例形成阳极层图案后的示意图；
图7为本申请第一实施例形成第一像素界定层、第一阻挡层以及第二像素界定层图案后的示意图；
图8为本申请第一实施例形成光传输通道层图案后的示意图；
图9为本申请第一实施例形成第二阻挡层图案后的示意图；
图10为本申请第一实施例形成空穴传输层图案后的示意图；
图11为本申请第一实施例形成发光层和光吸收层图案后的示意图；
图12为本申请第一实施例形成电子传输层图案后的示意图；
图13为本申请第一实施例形成阴极层图案后的示意图；
图14为本申请第二实施例提供的显示基板的亮度补偿的原理示意图。
附图标记说明：
10-基板；11-缓冲层；12-第一绝缘层；13-第二绝缘层；14-第三绝缘层；15-封装层；21-像素驱动电路；22-反馈补偿电路；221-电压采集电路；222-补偿电路；223-缓存电路；224-补偿开关电路；225-电压复位电路；102-第一有源层；103-第一栅电极；105-第一源电极；106-第一漏电极；202-第二有源层；203-第二栅电极；205-第二源电极；206-第二漏电极；301-第一阳极；302-第一像素界定层；304-第一空穴传输层；305-发光层；306-第一电子传输层；307-第一阴极；401-第二阳极；402-第二像素界定层；404-第二空穴传输层；405-光吸收层；406-第二电子传输层；407-第二阴极；501-第一阻挡层；502-光传输通道层；503-第二阻挡层。
具体实施方式
本申请描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本申请所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。
本申请包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本申请已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的发明方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它发明方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的发明方案。因此，应当理解，在本申请中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。
此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法和/或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法和/或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本申请实施例的精神和范围内。
为了简单、实时有效地监控发光单元(子像素)的亮度情况，本申请实施例提供一种显示基板及其制备方法、亮度补偿方法、显示装置。本申请实施例提供的显示基板包括：规则排布的多个发光单元以及与发光单元一一对应的光感单元，任一发光单元与对应的光感单元之间设置有光传输结构，光感单元通过光传输结构接收发光单元发出的光信号，并将光信号转换为电信号，对发光单元进行亮度补偿。
其中，所述显示基板还包括多条栅线和多条数据线，多条栅线和多条数据线垂直交叉限定出矩阵排布的多个发光单元，在每个发光单元的旁边集成一个光感单元，发光单元与对应的光感单元之间设置有光传输结构，以便发光单元发出的光信号可以通过光传输结构传输给光感单元。换言之，一个发光单元对应设置有一个光传输结构和一个光感单元。
其中，发光单元包括在基底上叠设的像素驱动结构和发光结构，光感单元包括在基底上叠设的反馈补偿结构和光感结构。发光结构可以为OLED显示器件，光感结构可以为钙钛矿太阳能电池。然而，本申请对此并不限定。
其中，发光结构可以包括第一阳极、第一空穴传输层、发光层、第一电子传输层以及第一阴极；光感结构可以包括：第二阳极、第二空穴传输层、光吸收层、第二电子传输层以及第二阴极；第一阳极与第二阳极同层设置；第一空穴传输层与第二空穴传输层同层设置；第一电子传输层与第二电子传输层同层设置；第一阴极与第二阴极同层设置。光传输结构包括：光传输通道层，光传输通道层与发光层和光吸收层同层设置，且位于发光层和光吸收层之间。
本申请实施例通过给单个发光单元设置对应的光感单元，来实时监控单个发光单元的发光亮度，并进行亮度补偿，从而保证显示基板的亮度均一性，以提高显示基板的显示效果和寿命。而且，在本实施例中，发光结构和光感结构的电子传输层可以采用相同的材料同步形成，发光结构和光感结构的空穴传输层也可以采用相同的材料同步形成，从而可以极大地简化器件制备的工艺流程，降低制备难度。
下面通过具体实施例对本申请实施例的方案进行详细说明。
第一实施例
图1为本申请第一实施例提供的显示基板的结构示意图。本实施例示意了一种顶发射结构的显示基板。其中，显示区域可以对应发光单元的位置，采集区域可以对应光感单元的位置。如图1所示，在垂直于显示基板的平面上，每个发光单元包括设置在基底10上的像素驱动结构和发光结构，像素驱动结构包括多个第一薄膜晶体管T1，图1中仅以一个发光单元和一个第一薄膜晶体管为例进行示意。每个光感单元包括设置在基底10上的反馈补偿结构和光感结构，反馈补偿结构包括多个第二薄膜晶体管T2，图1中仅以一个光感单元和一个第二薄膜晶体管为例进行示意。像素驱动结构和反馈补偿结构同步制备形成。
如图1所示，在显示区域中，像素驱动结构主要包括设置在基底10上的第一薄膜晶体管T1，发光结构主要包括与第一薄膜晶体管T1的漏电极连接的第一阳极301、第一像素界定层302、第一空穴传输层304、发光层305、第一电子传输层306以及第一阴极307。本实施例中，显示区域的像素驱动结构和发光结构可以与现有OLED结构基本相同。
如图1所示，在采集区域中，第二薄膜晶体管T2的结构与第一薄膜晶体管T1的结构相同，且可以通过相同的工艺同步制备。光感结构包括：第二阳极401、第二像素界定层402、第二空穴传输层404、光吸收层405、第二电子传输层406以及第二阴极407。
其中，第二阳极401与第一阳极301同层设置，且通过同一次构图工艺形成。第二像素界定层402与第一像素界定层302同层设置，且通过相同的工艺同步制备。第二空穴传输层404与第一空穴传输层403同层设置，且采用相同的材料同步制备得到。光吸收层405与发光层305同层设置。第二电子传输层406与第一电子传输层306同层设置，且采用相同的材料同步制备得到。第二阴极407与第一阴极307同层设置，且第二阴极407与第一阴极307为分体结构。需要说明的是，在底发射结构的显示基板中，第一阴极307与第二阴极407可以通过相同的工艺同步制备，且第一阴极307与第二阴极407可以为一体结构。
如图1所示，光传输结构位于发光单元和光感单元之间。光传输结构包括：第一阻挡层501、光传输通道层502以及第二阻挡层503。其中，第一阻挡层501与第一像素界定层302和第二像素界定层402同层设置，且通过相同的工艺同步制备；第一阻挡层501的高度低于第一像素界定层302和第二像素界定层402的高度。光传输通道层502位于第一阻挡层501上，光传输通道层502与发光层305和光吸收层405同层设置，且位于发光层305和光吸收层405之间。第二阻挡层503位于光传输通道层502上，且可以与第一电子传输层306和第二电子传输层406同层设置。
下面通过本实施例显示基板的制备过程进一步说明本实施例的技术方案。本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。在本实施例的描述中，需要理解的是，“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。
(1)在基底上形成有源层图案。在基底上形成有源层图案包括：先在基底10上沉积一层缓冲薄膜，形成覆盖整个基底10的缓冲层11图案。随后沉积一层有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成设置在缓冲层11上的第一有源层102和第二有源层202图案，第一有源层102形成在发光单元对应的显示区域，第二有源层202形成在光感单元对应的采集区域，如图2所示。
其中，基底10可以为硅基底，采用硅基材料，或者，可以为柔性基底，采用聚酰亚胺PI、聚对苯二甲酸乙二酯PET或经表面处理的聚合物软膜等材料。缓冲(Buffer)薄膜可以采用氮化硅SiNx、氧化硅SiOx、氮氧化硅SiON等，可以是单层、多层或复合层。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料a-IGZO、氮氧化锌ZnON、氧化铟锌锡IZTO、非晶硅a-Si、多晶硅p-Si、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本实施例同时适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的基于顶栅(Top Gate)TFT的显示基板。
(2)形成栅电极图案。形成栅电极图案包括：在形成上述结构的基底10上，依次沉积第一绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖缓冲层11、第一有源层102和第二有源层202的第一绝缘层12，以及设置在第一绝缘层12上的第一栅电极103、第二栅电极203和栅线(未示出)图案，第一栅电极103形成在显示区域，与栅线连接，第二栅电极203形成在采集区域，如图3所示。
其中，第一绝缘薄膜可以采用氮化硅SiNx、氧化硅SiOx、氮氧化硅SiON等，可以是单层、多层或复合层。通常，第一绝缘层12称之为栅绝缘(GI)层。第一金属薄膜可以采用金属材料，如银Ag、铜Cu、铝Al、钼Mo等，或上述金属的合金材料，如铝铌合金AlNd、钼铌合金MoNb等，可以是多层金属，如Mo/Cu/Mo等，也可以是金属和透明导电材料形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO等。
(3)形成第二绝缘层图案。形成第二绝缘层图案包括：在形成上述结构的基底10上，沉积第二绝缘薄膜，通过构图工艺对第二绝缘薄膜进行构图，形成在显示区域开设有两个第一过孔K1、在采集区域开设有两个第二过孔K2的第二绝缘层13图案。其中，两个第一过孔K1位于显示区域的第一有源层102的两端，两个第二过孔K2位于采集区域的第二有源层202的两端；第一绝缘层12和第二绝缘层13被刻蚀掉，暴露出第一有源层102和第二有源层202的表面，如图4所示。
其中，第二绝缘薄膜可以采用氮化硅SiNx、氧化硅SiOx、氮氧化硅SiON等，可以是单层、多层或复合层。
(4)形成源电极和漏电极图案。形成源电极和漏电极图案包括：在形成上述结构的基底10上，沉积第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，在显示区域形成第一源电极105和第一漏电极106，在采集区域形成第二源电极205和第二漏电极206，以及在整个显示区域形成数据线(未示出)图案，如图5所示。其中，第一源电极105和第一漏电极106分别通过第一过孔K1与第一有源层102的两端连接，第一源电极105还与数据线连接；第二源电极205与第二漏电极206分别通过第二过孔K2与第二有源层202的两端连接。
其中，第二金属薄膜可以采用金属材料，如银Ag、铜Cu、铝Al、钼Mo等，或上述金属的合金材料，如铝铌合金AlNd、钼铌合金MoNb等，可以是多层金属，如Mo/Cu/Mo等，也可以是金属和透明导电材料形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO等。
(5)形成第三绝缘层图案。形成第三绝缘层图案包括：在形成前述图案的基底10上涂覆第三绝缘薄膜，通过掩模曝光显影的光刻工艺在显示区域和采集区域形成覆盖前述结构的第三绝缘层14图案，第三绝缘层14在显示区域开设有第三过孔K3，在采集区域开设有第四过孔K4，第三过孔K3暴露出第一漏电极106，第四过孔K4暴露出第二漏电极206，如图5所示。
其中，第三绝缘薄膜的材料包含但不限于聚硅氧烷系材料、亚克力系材料或聚酰亚胺系材料等。通常，第三绝缘层14称之为平坦化层(PNL)。
通过流程(1)至(5)的制备过程，即在基底10上完成了位于显示区域的像素驱动结构和位于采集区域的反馈补偿结构的同步制备。
其中，位于显示区域的像素驱动结构的第一薄膜晶体管T1包括：第一有源层102、第一栅电极103、第一源电极105和第一漏电极106。位于采集区域的反馈补偿结构的第二薄膜晶体管T2包括第二有源层202、第二栅电极203、第二源电极205和第二漏电极206。第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2结构相同，且通过制备工艺同步形成，即第一有源层102与第二有源层202同层设置，通过同一次构图工艺同时形成，第一栅电极103与第二栅电极203同层设置，通过同一次构图工艺同时形成，第一源电极105、第一漏电极106、第二源电极205及第二漏电极206同层设置，通过同一次构图工艺同时形成。
(6)形成阳极图案。形成阳极图案包括：在形成前述图案的基底10上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成第一阳极301和第二阳极401图案，第一阳极301位于显示区域，通过显示区域的第三过孔K3与第一漏电极106连接，第二阳极401位于采集区域，通过采集区域的第四过孔K4与第二漏电极206连接，如图6所示。其中，透明导电薄膜可以采用氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO。
(7)形成第一像素界定层(Pixel Define Layer，PDL)、第一阻挡层及第二像素界定层图案。形成第一像素界定层、第一阻挡层及第二像素界定层图案包括：在形成前述图案的基底10上涂覆像素界定薄膜，通过掩模曝光和显影形成第一像素界定层302、第一阻挡层501、第二像素界定层402图案，如图7所示。其中，第一像素界定层302和第一阻挡层501可以限定出暴露第一阳极301的第一开口区域KA1，第二像素界定层402和第一阻挡层501可以限定出暴露第二阳极401的第二开口区域KA2。第一阻挡层501的高度低于第一像素界定层302和第二像素界定层402的高度。第一开口区域KA1的截面形状可以呈倒置梯形，且邻近第一阳极301一端的宽度小于远离第一阳极301一端的宽度；第二开口区域KA2的截面形状可以呈倒置梯形，且邻近第二阳极401一端的宽度小于远离第二阳极401一端的宽度。
其中，第一像素界定层302、第二像素界定层402以及第一阻挡层501同时形成，可以采用现有OLED常用的材料。比如，可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等材料。
(8)形成光传输通道层图案。形成光传输通道层图案包括：在形成前述图案的基底10上涂覆透光绝缘薄膜，通过掩模曝光和显影形成光传输通道层502图案，如图8所示。其中，透光绝缘薄膜可以采用透明PET、EVA等透光绝缘材料。
(9)形成第二阻挡层图案。形成第二阻挡层图案包括：在形成前述图案的基底10上涂覆像素界定薄膜，通过掩模曝光和显影形成第二阻挡层503图案，如图9所示。其中，第二阻挡层503可以采用现有OLED常用的材料。比如，可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等材料。
(10)形成空穴传输层图案。形成空穴传输层图案包括：在形成前述图案的基底10上，采用蒸镀或喷墨打印方式，在显示区域的第一开口区域KA1内形成第一空穴传输层304图案，在采集区域的第二开口区域KA2内形成第二空穴传输层404图案，如图10所示。其中，第一空穴传输层304和第二空穴传输层404同层设置。第一空穴传输层304和第二空穴传输层404采用相同的材料，并同时制备。比如，空穴传输层可以采用氧化钼等材料。
需要说明的是，在一些示例中，在形成第一空穴传输层和第二空穴传输层之前，可以先通过蒸镀工艺或喷墨打印方法，形成覆盖第一阳极301的空穴注入层。
(11)形成发光层和光吸收层图案。形成发光层和光吸收层图案包括：在形成前述图案的基底10上，采用蒸镀或喷墨打印方式，依次在显示区域的第一开口区域KA1内形成覆盖第一空穴传输层304的发光层305图案，在采集区域的第二开口区域KA2内形成覆盖第二空穴传输层404的光吸收层405图案，如图11所示。其中，发光层305与光吸收层405同层设置。发光层305和光吸收层405的厚度可以小于或等于光传输通道层502的厚度。发光层305发出的光信号可以通过光传输通道层502传输给光吸收层405。
其中，发光层305可以采用现有OLED常用的材料。光吸收层405可以采用钙钛矿光吸收材料。
(12)形成电子传输层图案。形成电子传输层图案包括：在形成前述图案的基底10上，采用蒸镀或喷墨打印方式，在显示区域形成覆盖发光层305的第一电子传输层306图案，在采集区域形成覆盖光吸收层405的第二电子传输层406图案，如图12所示。其中，第一电子传输层306形成在第一像素界定层302、第二阻挡层503以及发光层305构成的凹槽内，第二电子传输层406形成在第二像素界定层402、第二阻挡层503以及光吸收层405构成的凹槽内。其中，第一电子传输层306和第二电子传输层406与第二阻挡层503同层设置。第一电子传输层306和第二电子传输层406采用相同的材料，并同时制备。比如，电子传输层可以采用PCBM([6,6]-phenyl-C61-butyric acid methylester)等材料。
需要说明的是，在一些示例中，在形成第一电子传输层和第二电子传输层之后，可以通过蒸镀工艺或喷墨打印方法，形成覆盖第一电子传输层306的电子注入层。
(13)形成阴极层图案。形成阴极层图案包括：在形成前述图案的基底10上，采用蒸镀方式依次形成第一阴极307和第二阴极407图案，如图13所示。其中，第一阴极307位于显示区域，覆盖第一电子传输层306；第二阴极407位于采集区域，覆盖第二电子传输层406。第一阴极307和第二阴极407采用分体结构，第一阴极307可以采用透光导电材料，第二阴极407可以采用不透光导电材料，比如金属。第二阴极407可以遮挡外界光，避免光吸收层405接收到环境光信号，影响对发光层305发出的光信号的采集。
需要说明的是，在底发射结构的显示基板中，第一阴极和第二阴极可以采用一体结构，且可以采用不透光导电材料。
(14)形成封装层图案。其中，封装层15可以为无机/有机/无机的三层结构。
通过流程(6)至(14)的制备过程，即完成了发光结构、感光结构以及光传输结构的制备。其中，发光结构包括第一阳极301、第一像素界定层302、第一空穴传输层304、发光层305、第一电子传输层306以及第一阴极307；第一阳极301与第一薄膜晶体管T1的漏电极连接。光感结构包括：第二阳极401、第二像素界定层402、第二空穴传输层404、光吸收层405、第二电子传输层406以及第二阴极407；第二阳极401与第二薄膜晶体管T2的漏电极连接。光传输结构包括：第一阻挡层501、光传输通道层502以及第二阻挡层503。第一像素界定层302、第二像素界定层402以及第一阻挡层501同层设置，可通过相同的工艺同步制备。第一阳极301与第二阳极302同层设置，可通过同一次构图工艺形成。第一空穴传输层304与第二空穴传输层404同层设置，可通过相同的工艺同步制备。发光层305与光吸收层405同层设置。第一电子传输层306与第二电子传输层406同层设置，可通过相同的工艺同步制备。第一阴极307与第二阴极407同层设置。发光结构、光感结构及光传输结构通过制备工艺同步形成。
通过上述制备过程可以看出，本实施例提供的显示基板中每个发光单元(子像素)对应设置有一个光感单元，用于实时监控发光单元的亮度。其中，发光单元的像素驱动结构和光感单元的反馈补偿结构可以通过制备工艺同步形成，发光结构、光感结构以及光传输结构可以通过制备工艺同步形成，可以极大地简化器件制备的工艺流程，降低制备难度。
进一步地，本实施例在基底上可以同步制备像素驱动结构和反馈补偿结构，同步制备发光结构、光传输结构以及光感结构，集成度高，简化了显示基板结构，利于轻薄化，不需要改变现有工艺流程，不需要改变现有工艺设备，对现有工艺改进较小，可以很好地与现有制备工艺兼容，工艺可实现性高，实用性强，具有良好的应用前景。
需要说明的是，本实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。实际实施时，可以根据需要变更相应结构。例如，光传输结构可以包括：光传输通道层和阻挡层；其中，第一空穴传输层和第二空穴传输层可以为一体结构，且光传输通道层可以形成在第一空穴传输层和第二空穴传输层上并位于发光层和光吸收层之间，第一电子传输层和第二电子传输层可以为一体结构，阻挡层可以形成在第一电子传输层和第二电子传输层上并位于第一阴极和第二阴极之间。
第二实施例
本实施例提供基于第一实施例所述的显示基板的亮度补偿方法，包括：通过光感单元接收与该光感单元对应的发光单元发出的光信号，并将光信号转换为电信号；根据转换得到的电信号，确定发光单元的亮度补偿信号；根据亮度补偿信号，调整发光单元的亮度。
图14为本申请第二实施例的显示基板的亮度补偿原理示意图。如图14所示，发光单元包括像素驱动结构(包括像素驱动电路21)和发光结构；光感单元包括反馈补偿结构(包括反馈补偿电路22)和光感结构。其中，反馈补偿电路22可以包括：电压采集电路221、补偿电路222、缓存电路223、补偿开关电路224以及电压复位电路225；电压复位电路225连接电压采集电路221，补偿电路222分别连接电压采集电路221和缓存电路223，缓存电路223连接补偿开关电路224；补偿开关电路224连接像素驱动电路21。
其中，电压采集电路221用于处理光感结构输出的电信号，比如，对光感结构输出的电信号进行放大处理，或者进行模数转换处理等。补偿电路222用于根据电压采集电路221处理后的电信号，得到亮度补偿信号。缓存电路223用于进行稳压处理，以维持亮度补偿信号的稳定。补偿开关电路224，用于在补偿控制信号的控制下，向像素驱动电路21提供亮度补偿信号。电压复位电路225用于在复位信号的控制下，对电压采集电路221进行复位。
本实施例中，像素驱动电路21的结构可以与现有像素驱动电路的结构相同。需要说明的是，本申请对于反馈补偿电路22的具体电路实现并不限定，可以采用任何实现上述功能的电路结构。
在本实施例中，光感单元可以接收对应的发光单元发出的光信号，并将光信号转换为电信号，输出给反馈补偿电路22的电压采集电路221，由电压采集电路221对接收到的电信号进行处理，并由补偿电路222根据电压采集电路221处理后的电信号，确定发光单元的亮度补偿信号，比如，以电流补偿方式提升发光单元的亮度为例，亮度补偿信号可以为驱动电流的控制信号。在补偿开关电路224导通时，反馈补偿电路22可以向像素驱动电路21提供亮度补偿信号，以使像素驱动电路21根据亮度补偿信号控制发光结构的发光亮度。其中，在电压复位电路225内的开关导通时，可以对电压采集电路221进行复位处理。
本实施例中，通过与发光单元集成设置的光感单元，可以直接实时采集单个发光单元的亮度，从而实现对单个发光单元(子像素)的发光情况进行实时监测；而且，通过光感单元可以将采集的光信号转换为电信号，用于对发光单元进行亮度补偿，从而保证显示基板的亮度均一性，提高显示基板的显示效果和寿命。
第三实施例
基于前述实施例的技术构思，本申请实施例还提供了一种显示基板的制备方法，以制备出前述实施例的显示基板。
本实施例提供的显示基板的制备方法包括：形成规则排布的多个发光单元、与发光单元一一对应的光感单元以及设置在发光单元与其对应的光感单元之间的光传输结构，其中，光感单元通过光传输结构接收发光单元发出的光信号，并将光信号转换为电信号，对发光单元进行亮度补偿。
在一示例性实施方式中，形成规则排布的多个发光单元、与发光单元一一对应的光感单元以及设置在发光单元和光感单元之间的光传输结构，包括：
在基底上同步形成像素驱动结构和反馈补偿结构；
同步形成发光结构、光感结构及光传输结构；其中，发光结构形成在像素驱动结构上，像素驱动结构和发光结构构成实现显示的发光单元；光感结构形成在反馈补偿结构上，反馈补偿结构和光感结构构成光感单元，光传输结构位于发光结构与光感结构之间。
在一示例性实施方式中，在基底上同步形成像素驱动结构和反馈补偿结构，包括：
在基底上形成第一有源层和第二有源层，所述第一有源层位于所述发光单元对应的显示区域，所述第二有源层位于所述光感单元对应的采集区域；
形成第一绝缘层，以及形成位于所述第一绝缘层上的第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极位于所述显示区域，所述第二栅电极位于所述采集区域；
形成第二绝缘层，所述第二绝缘层上形成有分别暴露出所述第一有源层的第一过孔和暴露出第二有源层的第二过孔；
形成位于所述第二绝缘层上的第一源电极、第一漏电极、第二源电极以及第二漏电极，第一源电极与第一漏电极分别通过第一过孔与第一有源层连接，第二源电极与第二漏电极分别通过第二过孔与第二有源层连接；
形成第三绝缘层，所述第三绝缘层上形成有分别暴露出所述第一漏电极的第三过孔和暴露出所述第二漏电极的第四过孔。
在一示例性实施方式中，同步形成发光结构、光感结构及光传输结构，包括：
在所述第三绝缘层上形成第一阳极和第二阳极，所述第一阳极通过第三过孔与第一漏电极连接，所述第二阳极通过第四过孔与第二漏电极连接；
形成第一像素界定层、光传输结构以及第二像素界定层，所述第一像素界定层与所述光传输结构形成暴露出所述第一阳极的第一开口区域，所述第二像素界定层与所述光传输结构形成暴露出所述第二阳极的第二开口区域；
在第一开口区域和第二开口区域内同步形成第一空穴传输层和第二空穴传输层；
分别形成覆盖第一空穴传输层的发光层和覆盖第二空穴传输层的光吸收层；
同步形成覆盖发光层的第一电子传输层和覆盖光吸收层的第二电子传输层；
形成第一阴极和第二阴极，所述第一阴极位于所述显示区域，所述第二阴极位于所述采集区域。
有关显示基板的制备过程，已在之前的实施例中详细说明，这里不再赘述。
本实施例的显示基板的制备方法同样极大地简化了器件制备的工艺流程，降低了制备难度，而且，制备得到的显示基板可以保证发光单元的亮度均一性，提高显示基板的显示效果。
第四实施例
本申请实施例还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。显示装置可以是手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本申请中的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“一侧”、“另一侧”、“一端”、“另一端”、“边”、“相对”、“四角”、“周边”、““口”字结构”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的结构具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“直接连接”、“间接连接”、“固定连接”、“安装”、“装配”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；术语“安装”、“连接”、“固定连接”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
虽然本申请所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本申请而采用的实施方式，并非用以限定本申请。任何本申请所属领域内的技术人员，在不脱离本申请所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本申请的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定为准。

Claims (13)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：
规则排布的多个发光单元以及与所述发光单元一一对应的光感单元，所述发光单元与所述光感单元之间设置有光传输结构，所述光感单元通过所述光传输结构接收所述发光单元发出的光信号，并将所述光信号转换为电信号，对所述发光单元进行亮度补偿。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光单元包括在基底上叠设的像素驱动结构和发光结构，所述光感单元包括在所述基底上叠设的反馈补偿结构和光感结构。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构包括：第一阳极、第一空穴传输层、发光层、第一电子传输层以及第一阴极；
所述光感结构包括：第二阳极、第二空穴传输层、光吸收层、第二电子传输层以及第二阴极；
其中，所述第一阳极与第二阳极同层设置；所述第一空穴传输层与所述第二空穴传输层同层设置；所述第一电子传输层与所述第二电子传输层同层设置；所述第一阴极与第二阴极同层设置；
所述光传输结构包括：光传输通道层，所述光传输通道层与所述发光层和所述光吸收层同层设置，且位于所述发光层和所述光吸收层之间。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构还包括：第一像素界定层，所述光感结构还包括：第二像素界定层；
所述光传输结构还包括：第一阻挡层和第二阻挡层；所述光传输通道层位于所述第一阻挡层上，所述第二阻挡层位于所述光传输通道层上；
所述第一阻挡层与所述第一像素界定层和所述第二像素界定层同层设置，所述第一空穴传输层设置在所述第一像素界定层与所述第一阻挡层形成的第一开口区域内，所述第二空穴传输层设置在所述第二像素界定层与所述第二阻挡层形成的第二开口区域内。
5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一阴极和第二阴极为一体结构，或者，所述第一阴极和所述第二阴极为分体结构。
6.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述像素驱动结构包括多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；
所述反馈补偿结构包括多个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；
其中，所述第一有源层与第二有源层同层设置；所述第一栅电极与第二栅电极同层设置；所述第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极同层设置。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述光感结构为钙钛矿太阳能电池。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至7中任一项所述的显示基板。
9.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
形成规则排布的多个发光单元、与所述发光单元一一对应的光感单元以及设置在所述发光单元与所述光感单元之间的光传输结构，其中，所述光感单元通过所述光传输结构接收所述发光单元发出的光信号，并将所述光信号转换为电信号，对所述发光单元进行亮度补偿。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述形成规则排布的多个发光单元、与所述发光单元一一对应的光感单元以及设置在所述发光单元与所述光感单元之间的光传输结构，包括：
在基底上同步形成像素驱动结构和反馈补偿结构；
同步形成发光结构、光感结构及光传输结构；其中，所述发光结构形成在所述像素驱动结构上，所述像素驱动结构和所述发光结构构成实现显示的发光单元；所述光感结构形成在所述反馈补偿结构上，所述反馈补偿结构和光感结构构成光感单元；所述光传输结构位于发光结构与光感结构之间。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，在基底上同步形成像素驱动结构和反馈补偿结构，包括：
在基底上形成第一有源层和第二有源层，所述第一有源层位于所述发光单元对应的显示区域，所述第二有源层位于所述光感单元对应的采集区域；
形成第一绝缘层，以及形成位于所述第一绝缘层上的第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极位于所述显示区域，所述第二栅电极位于所述采集区域；
形成第二绝缘层，所述第二绝缘层上形成有分别暴露出所述第一有源层的第一过孔和暴露出第二有源层的第二过孔；
形成位于所述第二绝缘层上的第一源电极、第一漏电极、第二源电极以及第二漏电极，第一源电极与第一漏电极分别通过第一过孔与第一有源层连接，第二源电极与第二漏电极分别通过第二过孔与第二有源层连接；
形成第三绝缘层，所述第三绝缘层上形成有分别暴露出所述第一漏电极的第三过孔和暴露出所述第二漏电极的第四过孔。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，同步形成发光结构、光感结构及光传输结构，包括：
在所述第三绝缘层上形成第一阳极和第二阳极，所述第一阳极通过第三过孔与第一漏电极连接，所述第二阳极通过第四过孔与第二漏电极连接；
形成第一像素界定层、光传输结构以及第二像素界定层，所述第一像素界定层与所述光传输结构形成暴露出所述第一阳极的第一开口区域，所述第二像素界定层与所述光传输结构形成暴露出所述第二阳极的第二开口区域；
在第一开口区域和第二开口区域内同步形成第一空穴传输层和第二空穴传输层；
分别形成覆盖第一空穴传输层的发光层和覆盖第二空穴传输层的光吸收层；
同步形成覆盖发光层的第一电子传输层和覆盖光吸收层的第二电子传输层；
形成第一阴极和第二阴极，所述第一阴极位于所述显示区域，所述第二阴极位于所述采集区域。
13.一种亮度补偿方法，其特征在于，应用于如权利要求1至7中任一项所述的显示基板，所述亮度补偿方法包括：
通过光感单元接收与所述光感单元对应的发光单元发出的光信号，并将所述光信号转换为电信号；
根据转换得到的电信号，确定所述发光单元的亮度补偿信号；
根据所述亮度补偿信号，调整所述发光单元的亮度。
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