CN109285870A - 显示基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents

Abstract

一种显示基板及其制备方法、显示面板。该显示基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的像素单元和感光单元，其中，所述像素单元包括发光器件，所述感光单元包括感光元件，所述感光元件包括光敏层和陷光结构层，所述陷光结构层位于所述光敏层和所述衬底基板之间。陷光结构层可以增加发光器件发射的光在光敏层中的光程，从而提高感光元件的检测精度。

Description

显示基板及其制备方法、显示面板

技术领域

本公开至少一个实施例涉及显示基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

有机发光二极管(OLED，Organic Light-Emitting Diode)是一种有机薄膜电致发光器件，其因具有制备工艺简单、成本低、功耗小、亮度高、视角宽、对比度高及可实现柔性显示等优点，而受到人们极大的关注。

发明内容

本公开至少一个实施例提供一种显示基板，该显示基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的像素单元和感光单元，其中，所述像素单元包括发光器件，所述感光单元包括感光元件，所述感光元件包括光敏层和陷光结构层，所述陷光结构层位于所述光敏层和所述衬底基板之间。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述陷光结构层的面向所述光敏层的表面包括多个凹部和/或多个凸部。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述多个凹部和/或多个凸部的尺寸为2-10纳米。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述陷光结构层为结晶化的多晶硅层。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述感光元件还包括第一电极和第二电极，所述第一电极、所述光敏层和所述第二电极依次叠置在所述衬底基板上，以及所述第一电极与所述陷光结构层层叠。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述第一电极位于所述陷光结构层和所述衬底基板之间，所述陷光结构层导电。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述陷光结构层位于所述第一电极和所述衬底基板之间，所述第一电极的表面具有对应于所述陷光结构层的不平坦表面。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述感光元件包括光电二极管。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述光敏层包括由在垂直于所述衬底基板的方向上层叠的P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层，或者层叠的P型半导体层和N型半导体层。

例如，本公开至少一个实施例提供的显示基板还包括第一阻挡层，其中，所述光敏层包括在与所述衬底基板交叉方向上的侧表面，所述第一阻挡层覆盖至少部分所述侧表面。

例如，本公开至少一个实施例提供的显示基板还包括位于所述衬底基板上的开关元件和第二阻挡层，所述开关元件位于所述第二阻挡层和所述衬底基板之间并且与所述第二阻挡层至少部分重叠，所述第二阻挡层和所述第一电极同层且同材料。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述感光元件位于所述发光器件和所述衬底基板之间，以使得所述发光器件出射且透过所述光敏层的光线照射到所述陷光结构层。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述发光器件包括依次叠置在所述衬底基板上的第三电极、发光层和第四电极，以及所述第三电极为反射电极，所述第四电极为透明电极，并且所述光敏层在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述第三电极在所述衬底基板上的正投影之外；或者，所述第三电极为透明电极，所述第四电极为反射电极，并且所述光敏层在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述第三电极在所述衬底基板上的正投影之内。

本公开至少一个实施例提供一种显示面板，该显示面板包括上述任一实施例中的显示基板。

本公开至少一个实施例提供一种显示基板的制备方法，该方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成像素单元，所述像素单元中形成有发光器件；以及在所述衬底基板上形成感光单元，所述感光单元包括依次形成在所述衬底基板上的陷光结构层和光敏层。

例如，在本公开至少一个实施例提供的制备方法中，形成所述陷光结构层包括：在所述衬底基板上形成非晶硅层，利用微透镜阵列对所述非晶硅层进行激光退火，以得到具有不平坦表面的多晶硅层，其中，所述多晶硅层为所述陷光结构层。

例如，在本公开至少一个实施例提供的制备方法中，所述感光元件还包括第一电极和第二电极，形成所述感光元件包括：在所述衬底基板上形成第一电极，然后所述第一电极上形成所述陷光结构层，或者在所述衬底基板上形成所述陷光结构层之后，在所述陷光结构层上形成所述第一电极，且使得所述第一电极的表面具有对应于所述陷光结构层的不平坦表面；在所述第一电极和所述陷光结构层的叠层之上形成光敏层；以及在所述光敏层上形成所述第二电极。

在本公开至少一个实施例提供的显示基板及其制备方法、显示面板中，陷光结构层可以增加发光器件发射的光在光敏层中的光程，提高光敏层对光的吸收量，从而提高感光元件的灵敏度和检测精度，进而提高显示基板的显示功能。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1为本公开一实施例提供的一种显示基板的局部截面图；

图2为图1所示显示基板的内部补偿原理的示意图；

图3A为图2所示显示基板中的一种像素单元的电路图；

图3B为图2所示显示基板中的另一种像素单元的电路图；

图4A为图2所示显示基板中的一种感光单元的电路图；

图4B为图2所示显示基板中的另一种感光单元的电路图；

图5为图1所示的部分陷光结构层的平面图；

图6为本公开一实施例提供的另一种显示基板的局部截面图；

图7为本公开一实施例提供的另一种显示基板的局部截面图；

图8A～图8L为本公开一实施例提供的一种显示基板的制备方法的过程图；以及

图9A和图9B为本公开一实施例提供的另一种显示基板的制备方法的部分过程图。

附图标记：

10-显示基板；20-控制器；100-衬底基板；200-像素单元；210-发光器件；211-第三电极；212-发光层；213-第四电极；220-第一开关元件；300-感光单元；310-感光元件；311-光敏层；3111-侧表面；312-陷光结构层；312a-凸部；312b-凹部；313-第一电极；314-第二电极；320-第一存储电容；321-第五电极；322-第六电极；330-第四开关元件；350-检测信号线；410-第一阻挡层；420-第二阻挡层；500-平坦层；600-像素界定层。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

受限于当前的制造工艺，对于显示应用，OLED在发光的过程中，驱动电压可能与期望的电压值之间存在误差，使得OLED的发光亮度(显示灰阶)达不到预期的要求，影响OLED显示产品的显示效果。

例如，显示基板包括多个像素单元，每个像素单元中可以设置有发光器件和用于驱动该发光器件发光的驱动电路。驱动电路中包括驱动晶体管(例如下述实施例中的薄膜晶体管)，由于制备工艺的差异，各个驱动电路中的驱动晶体管的阈值电压可能存在差异，而且由于例如温度变化的影响，驱动晶体管的阈值电压可能会漂移。因此，各个驱动晶体管的阈值电压的不同可能会导致像素单元的显示灰阶不能达到预期数值，导致显示不良(例如显示不均匀)。

可以在驱动电路中设置补偿电路，对阈值电压进行补偿，以期望解决上述不良问题。但是，由于制备工艺的差异，不同像素单元的发光器件的光学性能仍然可能存在差异，而且随着发光器件的长期使用，发光器件的发光强度可能会逐渐降低，该差异可能加大，这仍会导致显示不良问题。在驱动电路中设置补偿电路的方式并不能对光器件的光学性能进行实时检测，从而也不能利用驱动电路的对发光器件的驱动电压进行调控，显示基板仍然会存在显示不良。

本公开至少一个实施例提供一种显示基板，该显示基板包括衬底基板以及位于衬底基板上的像素单元和感光单元，其中，像素单元包括发光器件，感光单元包括感光元件，感光元件包括光敏层和陷光结构层，陷光结构层位于光敏层和衬底基板之间。这样，感光元件可以接收发光器件发射的光，从而对像素单元的发光强度(或亮度、灰阶)进行检测，并将对应该发光强度的光信号转换为电信号，感光单元将该电信号发送至外部的控制电路(例如下述实施中的控制器)。控制电路根据该电信号对用于驱动发光器件发光的发光驱动电路发出指令，从而对发光器件的驱动电压进行补偿，使得发光器件发出的光线的强度满足期望值，即，像素单元的实际显示灰阶与期望的显示灰阶相同。如此，感光单元可以对像素单元的发光强度实时监测，并使得像素单元的发光强度可以调整至期望值，从而提升显示基板的显示功能，例如显示基板的发光均匀度和显示灰阶的准确性提高。

在本公开的至少一个实施例中，感光单元中设置有陷光结构层。陷光结构层可以对发光器件发射的光进行散射、折射、反射等，从而可以增加发光器件发射的光在光敏层中的光程，提高光敏层对光的吸收量，从而提高感光元件的灵敏度和检测精度，进一步提高显示基板的显示功能。

下面，结合附图对根据本公开至少一个实施例中的显示基板及其制备方法。

图1为本公开一实施例提供的一种显示基板的局部截面图。例如，显示基板可以包括阵列排布的多个子像素区域，每个子像素区域都包括一个像素单元和一个感光单元，图1所示出的为显示基板的一个子像素区域的截面图。

在本公开至少一个实施例中，如图1所示，显示基板10包括衬底基板100以及位于衬底基板100上的像素单元200和感光单元300，二者在衬底基板100的表面上相邻设置。像素单元200包括发光器件210，感光单元300包括感光元件310，感光元件310包括光敏层311和陷光结构层312，陷光结构层312位于光敏层311和衬底基板100之间。发光器件210发射的光线的一部分会射入光敏层311，该部分光线在透过光敏层311后会被陷光结构层312散射、反射、折射等，因此与未设置该陷光结构层312的情形相比，陷光结构层312使得发光器件发射的光在光敏层311中的光程增加，相应地提高光敏层311对光的吸收量。如此，感光元件的灵敏度和检测精度更少受到发光器件210的发光强度(例如发光强度低)以及光敏层311的材料(例如该材料对光的吸收效率低)的限制，可以对像素单元的实际显示灰阶进行精确检测，从而提高显示基板10的显示功能。

下面，以衬底基板100所在面为基准建立空间直角坐标系，以对显示基板中的各个结构的位置进行说明。示例性的，如图1所示，在该空间直角坐标系中，X轴和Y轴的方向平行于衬底基板100所在面，Z轴的方向垂直于衬底基板100所在面。此外，“上”和“下”由至衬底基板100的距离决定。示例性的，光敏层311位于陷光结构层312的上方。陷光结构层312位于光敏层311的下方；光敏层311的背离衬底基板100的表面为光敏层311的上表面，光敏层311的面向衬底基板100的表面为光敏层311的下表面；并且光敏层311的位于上表面和下表面之间的表面为侧表面。

图2为图1所示显示基板的补偿原理的示意图。

例如，在本公开至少一个实施例中，如图2所示，显示基板(或者包括该显示基板的显示面板)还可以包括控制器20。例如，控制器20可以通过绑定(Bonding)工艺安装在显示基板上。示例性的，显示基板包括显示区和非显示区，显示区包括子像素区域，非显示区包括绑定区，在绑定工艺中，提供安装有控制器20的柔性电路板，柔性电路板的一端安装有控制器20，柔性电路板的另一端可以绑定安装在绑定区的显示基板上，使得控制器20对显示基板(其中的像素单元、感光单元等)的电路进行控制。

在本公开至少一个实施例中，对控制器的类型不做限制，例如可以为中央处理器、数字信号处理器、单片机、可编程逻辑控制器等。例如，在一个示例中，控制器可以包括CPU、存储器，还可以包括电源模块等，且通过另外设置的导线、信号线等实现供电以及信号输入输出功能。示例性地，控制器可以包括硬件电路以及可编程硬件设备等。硬件电路可以包括常规的超大规模集成(VLSI)电路或者门阵列以及诸如逻辑芯片、晶体管之类的现有半导体或者其它分立的元件；可编程硬件设备可以包括现场可编程门阵列、可编程阵列逻辑、可编程逻辑设备等。

在本公开至少一个实施例中，对像素单元200和感光单元300的电路结构不做限制，可以根据需要进行设计。下面，在几个示例中，分别对像素单元200和感光单元300的几种电路结构进行说明。

图3A为图2所示显示基板中的一种像素单元的电路图。示例性的，如图3A所示，像素单元200的电路为2T1C像素电路，该2T1C像素电路包括开关元件T1、存储电容Cst和开关元件T2。例如，开关元件T1和开关元件T2可以为薄膜晶体管。例如，开关元件T2的栅极连接扫描线以接收扫描信号G1，开关元件T2的源极连接到数据线以接收数据信号D1，开关元件T2的漏极连接到开关元件T1的栅极。开关元件T1的源极连接到第一电压端以接收用于驱动的电压VDD(高电压)，开关元件T1的漏极连接到发光器件210的一个电极(例如阳极)，开关元件T1作为驱动晶体管使用。存储电容Cst的一端连接到开关元件T2的漏极以及开关元件T1的栅极，另一端连接到开关元件T1的漏极；发光器件210的另一个电极(例如阴极)连接到具有低电压Vss的信号线(例如接地)。当通过扫描线施加扫描信号G1以开启开关元件T2时，数据驱动电路通过数据线送入的数据信号D1将经由开关元件T2对存储电容Cst充电，由此将数据信号D1存储在存储电容Cst中，且此存储的数据信号D1控制开关元件T1的导通程度，由此控制流过开关元件T1以驱动发光器件210发光的电流大小。

图3B为图2所示显示基板中的另一种像素单元的电路图。示例性的，如图3B所示，像素单元200的电路包括图3A所示的2T1C像素电路和开关元件T3。开关元件T3的源极可以与开关元件T1的漏极和发光器件210的阳极连接。例如，开关元件T3和开关元件T2的开关状态同步(即同时导通或者截止)，例如，开关元件T3的栅极连接扫描线以接收扫描信号G1，开关元件T3的漏极连接至控制器20。在开关元件T3导通的情况下，控制器20可以通过开关元件T3对发光器件210的驱动电压(或者电流)进行检测获得第一检测信号S1，根据该第一检测信号S1，控制器20可以对发光器件210的驱动电压进行判断，如驱动电压不能达到预期数值，控制器20会对2T1C像素电路的数据信号D1进行调节以对发光器件210的驱动电压进行补偿。

需要说明的是，在本公开至少一个实施例中，像素单元的像素电路不限于为图3A或图3B所示的2T1C结构，也可以为4T1C、4T2C或者其它结构的电路结构。此外，在图1所示的显示基板中，仅示出了像素电路的部分结构，例如，图1中的第一开关元件220可以为图3A和图3B所示的开关元件T1。

图4A为图2所示显示基板中的一种感光单元的电路图。如图4A所示，感光单元300的电路结构包括开关元件T4和存储电容C0，开关元件T4的源极连接至感光元件310的一端，开关元件T4的漏极连接至控制器20，感光元件310的另一端连接至具有恒定电压V0的信号线(例如接地)。存储电容C0的一端连接至开关元件T4的源极，并且存储电容C0的另一端连接至具有恒定电压V1的信号线(例如接地)。向开关元件T4的栅极输入扫描信号G2以控制开关元件T4处于导通或者截止。在像素单元200中的发光器件210发光的情况下，感光元件310接收发光器件210发出的光线并产生相应数量的载流子，如此，感光元件310可以将对应光线强度的光信号转换为电信号并储存在存储电容C0中，在开关元件T4处于导通的情况下，该电信号可以可以被控制器20读取，即，控制器20可以接收对应发光器件210的发光强度的第二检测信号S2。根据该第二检测信号S2，控制器20可以对发光器件210的发光状态进行检测，如发光器件发出的光的强度(对应子像素区域的灰阶)不能达到预期数值，控制器20会对2T1C像素电路的数据信号D1进行调节以对发光器件210的驱动电压进行补偿。

图4B为图2所示显示基板中的另一种感光单元的电路图。示例性的，如图4B所示，感光单元300的电路结构包括开关元件T4和存储电容C0，开关元件T4的源极连接至感光元件310的一端，开关元件T4的漏极连接至控制器20，存储电容C0的一端连接至开关元件T4的源极，感光元件310的另一端与存储电容C0的另一端连接并且连接至具有恒定电压V0的信号线(例如接地)。向开关元件T4的栅极输入扫描信号G2以控制开关元件T4处于导通或者截止。感光单元300的电路结构用于检测和补偿发光器件的发光的原理可以参考图3A所示的实施例中的相关说明，在此不作赘述。

需要说明的是，在本公开至少一个实施例中，感光单元的电路结构不限于为图4A或图4B所示的结构，可以根据需要进行设计/变更。此外，在图1所示的显示基板中，仅示出了感光单元的部分电路结构，例如，图1中的第四开关元件330可以为图4A和图4B所示的开关元件T4。

根据上述描述，感光单元可以检测像素单元中的发光器件的发光强度，据此可以通过例如控制器可以对像素单元中的发光器件的驱动电压进行补偿。该补偿方式不会受到开关元件的阈值电压差异、发光器件长久使用造成的老化等因素的限制，检测精度高，补偿效果好；此外，像素单元的像素电路可以不需要设置内置补偿电路或者可以仅设置简化的内置补偿电路，可以简化像素单元的结构，降低显示基板的制造工艺难度，降低成本。

在本公开至少一个实施例中，对感光单元中的陷光结构层的形状不做限制，只要陷光结构层可以起到陷光作用，从而增加光在光敏层中的光程即可。

图5为图1所示的部分陷光结构层的平面图。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，陷光结构层的面向光敏层的表面包括多个凹部和/或多个凸部。凸部可以包括上述的凸起，凹部可以包括凹陷、凹槽等。

在本公开至少一个实施例中，对陷光结构层的材料以及形成方式不做限制。下面，对陷光结构层的几种构成材料以及形成方式分别进行示例性说明。

例如，在本公开一些实施例中，陷光结构层可以利用多晶硅形成。示例性的，在衬底基板上形成非晶硅的材料层后，对该材料层进行激光退火(结晶化)，以使得非晶硅形成多晶硅。在非晶硅形成多晶硅的晶化过程中，材料层的表面会生长出多个凸起(图5中的凸部312b)。例如，多个凸起的间隔部分相对于凸起可以为凹陷(图5中的凹部312a)。如图5所示，凸部312b位于相邻的凹部312a的交界处。如此，在陷光结构层利用多晶硅形成的情况下，凸部和凹部在多晶硅激光退火中形成，制造工艺简单，成本低。利用上述方法获得陷光结构层的具体过程可以参考下述关于显示基板的制备方法的实施例中的相关说明，在此不作赘述。

需要说明的是，非晶硅形成多晶硅的工艺条件不同，多晶硅的表面形成的凸起和凹陷的形状以及排布也是不同的。在非晶硅形成多晶硅的过程中，如果晶化效果较好，图5所示的凹部312a的平面形状为近似为四边形(例如正方形)，而且凹部312a和凸部312b呈现有序的周期性排布。在该情况下，非晶硅的凹部312a和凸部312b会等效于一种光子晶体，该光子晶体可以对光产生表面等离激元效应，提高光敏层对光的吸收效率。

在本公开至少一个实施例中，对陷光结构层的凹部和/或凸部的尺寸不做限制。例如，对于上述多晶硅中形成的凸部和凹部，在垂直于衬底基板所在面的方向上，凸部的平均尺寸(凸部与凹部的高度差)为2-10纳米，例如进一步为3～5纳米，例如3.5纳米、4纳米、4.5纳米等；在平行于衬底基板所在面的方向上，凹部的平均尺寸(宽度)大致在100纳米以下，例如，凹部的平均尺寸为20～60纳米，例如进一步为30纳米、40纳米、47纳米、50纳米、55纳米等。图5所示的凹部的平均尺寸为47纳米。

例如，在本公开另一些实施例中，陷光结构层可以为包括树脂等的有机膜层。示例性的，在衬底基板上形成由有机材料构成的有机膜层之后，可以利用纳米压印在该有机膜层中形成多个凸起或者凹陷，或者可以利用构图工艺在该有机膜层中形成多个凸起、凹陷，从而获得包括多个凹部和/或凸部的陷光结构层。利用上述方法获得陷光结构层的凸部和凹部的尺寸可以为上述实施例中多晶硅的凸部和凹部的尺寸范围，也可以为其它的数值。

例如，在本公开另一些实施例中，陷光结构层可以为无机膜层，例如金属或者金属氧化物。示例性的，在衬底基板上形成由金属材料构成的无机膜层之后，利用构图工艺在该无机膜层中形成多个凹陷，从而获得包括多个凹部的陷光结构层。利用上述方法获得陷光结构层的凸部和凹部的尺寸可以为上述实施例中多晶硅的凸部和凹部的尺寸范围，也可以为其它的数值。

在本公开至少一个实施例中，对显示基板中的感光元件的结构不做限制。例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，感光元件还包括第一电极和第二电极，第一电极、光敏层和第二电极依次叠置在衬底基板上，以及第一电极与陷光结构层层叠。示例性的，如图1所示，感光元件310还包括第一电极313和第二电极314，第一电极313、光敏层311和第二电极314依次叠置在衬底基板100上，以及第一电极313与陷光结构层312层叠。例如，第一电极313与图4A和图4B所示的开关元件T4(图1中的第四开关元件330)中的源极连接，第二电极314与具有恒定电压V0(如图4A和图4B所示)的信号线(如图1中的检测信号线350)连接。

需要说明的是，在本公开至少一个实施例中，第一电极和陷光结构层不限于为上述实施例中的两个独立的结构层，在陷光结构层的材料可以导电的情况下，例如进一步陷光结构层的材料为多晶硅的情况下，第一电极和陷光结构层也可以为一体化结构。如此，可以简化显示基板的制造工艺，降低成本。

下面，以感光元件中的第一电极和陷光结构层为图1所示的两个独立的结构层为例，对本公开下述至少一个实施例中的技术方案进行说明。

需要说明的是，在本公开至少一个实施例中，在感光元件中的第一电极和陷光结构层为两个独立的结构层的情况下，对第一电极和陷光结构层在衬底基板上的排布顺序不做限制。下面，在本公开至少一个实施例中，根据第一电极和陷光结构层之间的排布顺序，对显示基板的结构进行说明。

例如，在本公开一些实施例提供的显示基板中，第一电极位于陷光结构层和衬底基板之间，陷光结构层导电。示例性的，如图1所示，第一电极313位于陷光结构层312和衬底基板100之间。陷光结构层312配置为导电以保证感光单元200具有正常的电学功能。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，在第一电极位于陷光结构层和衬底基板之间的情况下，陷光结构层可以为结晶化的多晶硅层。该陷光结构层的形成方式可以参考前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。多晶硅具有一定的导电能力，例如，形成由多晶硅构成的陷光结构层后，可以对陷光结构层进行离子掺杂，即，导体化处理陷光结构层以提高陷光结构层的导电能力，降低感光单元的驱动电压。

图6为本公开一实施例提供的另一种显示基板的局部截面图，图6为显示基板的一个子像素区域的截面图。

例如，在本公开另一些实施例提供的显示基板中，陷光结构层位于第一电极和衬底基板之间，第一电极的表面具有对应于陷光结构层的不平坦表面。示例性的，如图6所示，陷光结构层312位于第一电极313和衬底基板100之间。陷光结构层312具有因凸部和/或凹部造成的不平坦表面，导致形成在陷光结构层312上的第一电极313的表面也会不平坦。例如，通过保形的薄膜形成方法，第一电极313的与陷光结构层312的凸部重合的部分也会形成凸起，第一电极313的与陷光结构层312的凹部重合的部分也会形成凹陷，即，第一电极313的表面不平坦，也具有陷光作用。如此，在陷光结构层312的作用下，第一电极313可以增加光在光敏层311中的光程，提高光敏层对光的吸收量，从而提高感光元件的灵敏度和检测精度，进而提高显示基板的功能。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，在陷光结构层位于第一电极和衬底基板之间的情况下，陷光结构层为结晶化的多晶硅层。例如，形成由多晶硅构成的陷光结构层后，可以对陷光结构层进行离子掺杂，即，导体化处理陷光结构层以提高陷光结构层的导电能力。与未导体化处理陷光结构层的情况相比，第一电极和导体化处理后的陷光结构层构成的叠层的方块电阻降低，感光元件的驱动电压降低，功耗降低。

在本公开至少一个实施例中，对感光元件的类型不做限制，只要感光元件可以根据发光器件的发光强度而输出对应的电流或电压信号即可。例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，感光元件可以包括光电二极管。

例如，在本公开一些实施例提供的显示基板中，光电二极管为PN型光电二极管。光敏层包括由在垂直于衬底基板的方向上层叠的P型半导体层和N型半导体层。示例性的，对于图1所示的显示基板，光敏层311中的P型半导体层和N型半导体层依次叠置在衬底基板100上。

例如，在本公开一些实施例提供的显示基板中，光电二极管为PIN型光电二极管。光敏层包括由在垂直于衬底基板的方向上层叠的P型半导体层、I型半导体层(本征层)和N型半导体层。示例性的，如图7所示的显示基板，光敏层311中的P型半导体层311a、I型半导体层311b和N型半导体层311c依次叠置在衬底基板100上。

在本公开至少一个实施例中，对感光单元中的第一电极和第二电极的材料不做限制，第二电极设置为允许光透过，以使得发光器件发出的光可以透过第二电极射入光敏层中。

例如，第一电极的材料可以为金属材料，可以形成单层或多层结构，例如，形成为单层铝结构、单层钼结构、或者由两层钼夹设一层铝的三层结构。如此，第一电极可以反射光线，使得透过光敏层的光线反射回光敏层，提高光敏层对光的吸收量，提高感光元件的精度。

例如，如图1、图6和图7所示，第一电极313可以和开关元件(第四开关元件330)的源漏电极层(源极、漏极)同层且同材料形成。如此，可以简化显示基板的制造工艺流程，降低成本。

例如，第二电极的材料具有较好的导电性能、可见光透明性。例如，第二电极的材料可以采用导电的无机金属氧化物(比如，氧化铟锡ITO等)或有机导电聚合物(如PEDOT：PSS，PANI等)或金属材料(比如，金、铜、银、铂等)制成。在第二电极为金属电极的情况下，第二电极的厚度需要设计为允许可见光透过。

例如，本公开至少一个实施例提供的显示基板还可以包括第一阻挡层，其中，光敏层包括在与衬底基板交叉方向上的侧表面，第一阻挡层覆盖至少部分侧表面。示例性的，如图6所示，显示基板10中设置有第一阻挡层410，光敏层311包括侧表面3111，第一阻挡层410覆盖光敏层311的侧表面3111。如图6所示，在制造显示基板的过程中，在衬底基板100上形成感光元件310之后，可以在显示基板上形成覆盖感光元件310(或者覆盖整个显示基板)的第一阻挡层410，即，第一阻挡层410覆盖光敏层311的侧表面3111和上表面，并且覆盖第二电极314。在显示基板的完成第一阻挡层410的后续工艺中，第一阻挡层410可以防止其它膜层中的离子(例如在形成下述实施例中的平坦层500的过程中产生的氢离子)侵入光敏层311中，从而保护光敏层311的性能。

在本公开至少一个实施例中，对第一阻挡层的材料不做限制。例如，第一阻挡层为无机材料层，该无机材料可以为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。上述无机材料构成的膜层的致密性高，可以有效防止离子侵入光敏层中。

例如，在本公开至少一个实施例中，显示基板每个子像素区域中设置有多个开关元件。例如，该开关元件所在的层位于感光元件和发光器件之下，即，在显示基板的制造工艺中，先在衬底基板上制造开关元件，再形成感光元件和发光器件。开关元件在像素单元以及感光单元中的设置可以参考图3A、图3B、图4A和图4B所示的开关元件T1、T2、T3和T4。例如，开关元件可以为薄膜晶体管，该薄膜晶体管可以为顶栅型、底栅型、双栅型或者其它类型的薄膜晶体管。

示例性的，图1和图6示出了显示基板中的位于像素单元210中的第一开关元件220以及位于感光单元310中的第四开关元件330。第一开关元件220和第四开关元件330都为顶栅型薄膜晶体管。第一开关元件220对应于图3A和图3B中的开关元件T1，第四开关元件330对应于图4A和图4B中的开关元件T4。

在本公开至少一个实施例中，在开关元件为薄膜晶体管的情况下，对开关元件的具体结构不做限制，可以根据薄膜晶体管的类型以及实际需要进行设置。示例性的，开关元件为顶栅型薄膜晶体管的情况下，开关元件包括依次位于衬底基板上的遮光层、缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极、层间介质层、源漏电极层(包括源极和漏极)。

下面，以显示基板中的开关元件为顶栅型薄膜晶体管为例，对本公开下述至少一个实施例中的显示基板及其制备方法、显示面板进行说明。此外，顶栅型薄膜晶体管的制造工艺可以参考下述图8A～图8D所示实施例中的相关说明，在此不作赘述。

例如，在本公开至少一个实施例中，显示基板还包括位于开关元件上的第二阻挡层，开关元件位于第二阻挡层和衬底基板之间并且与第二阻挡层至少部分重叠。例如，开关元件(或者开关元件中的有源层)在衬底基板上的正投影位于第二阻挡层在衬底基板上的正投影之内。示例性的，如图1和图6所示，像素单元210的第一开关元件220和感光单元310的第四开关元件330上分别设置有第二阻挡层420。如此，在制造光敏层或者其它膜层的过程中，第二阻挡层可以防止离子(例如氢离子)侵入开关元件的有源层中，从而保护开关元件的电学功能。例如，第二阻挡层和第一电极同层且同材料。如此，第二阻挡层和第一电极可以在同一工艺(例如蒸镀等方式沉积或对同一材料层进行构图)中形成，制备工艺简化，成本降低。

例如，在本公开至少一个实施例中，在第二阻挡层和第一电极同层且同材料或者第二阻挡层的材料具有导电性的情况下，第二阻挡层可以与开关元件的栅极连接。如此，可以防止第二阻挡层和开关元件的电极(例如栅极)之间产生寄生电容，降低或消除第二阻挡层对开关元件的电学性能的不良影响。例如，在上述情况下，第二阻挡层可以设置为与开关元件一一对应，且各个第二阻挡层之间彼此间隔，以防止开关元件之间短路。

示例性的，如图6所示，开关元件包括位于像素单元200中的第一开关元件220和位于感光单元300中的第四开关元件330，两个彼此间隔的第二阻挡层420分别位于第一开关元件220和第四开关元件330上。对于彼此对应的开关元件和第二阻挡层420，开关元件的栅极与第二阻挡层420连接，即，第一开关元件220的栅极与第二阻挡层420连接，第四开关元件330的栅极与第二阻挡层420连接。

需要说明的是，在本公开至少一个实施例中，在显示基板中设置有第二阻挡层的情况下，每个开关元件上都设置有第二阻挡层，或者部分开关元件上设置有第二阻挡层；并且，对于上方设置有第二阻挡层的开关元件，全部开关元件的栅极配置为与第二阻挡层连接，或者部分开关元件的栅极配置为与第二阻挡层连接。

例如，在本公开至少一个实施例中，感光单元还可以包括第一存储电容。该第一存储电容包括第五电极和第六电极，第六电极位于第五电极和衬底基板之间。第一存储电容在感光单元的电路中的设置位置、与其它元件的连接关系等可以参考图4A和图4B中的存储电容C0。示例性的，如图1和图6所示，感光单元300包括第一存储电容320，第一存储电容320包括依次叠置在衬底基板100上的第五电极321和第六电极322。

例如，在本公开一些实施例中，第五电极与开关元件(例如第四开关元件)中的源极和漏极同层且同材料形成。示例性的，如图1和图6所示，第四开关元件330的源极和漏极中的一个延伸以与第六电极322重叠，源极或漏极中与第六电极322重合的部分作为第一存储电容320的第五电极321。如此，可以简化显示基板的制造工艺，降低成本。

例如，第六电极322与开关元件(例如第四开关元件330)的栅极同层且同材料形成。如此，可以简化显示基板的制造工艺，降低成本。

例如，在本公开另一些实施例中，第一存储电容的第五电极与陷光结构层或者第一电极可以为一体化结构。如此，第四开关元件的源极和漏极不需要延伸至与第六电极重叠，使得感光元件所在区域的厚度降低，从而降低了显示基板的制造工艺难度，简化显示基板的制备工艺，降低成本。

例如，在本公开至少一个实施例中，感光元件的光敏层在衬底基板上的正投影位于第一存储电容在衬底基板上的正投影之内。示例性的，如图1和图6所示，光敏层311在衬底基板100上的正投影位于第一存储电容320在衬底基板100上的正投影之内。如此，感光元件310中的光敏层311等元件在制造过程中，不会受到开关元件以及第一存储电容320造成的段差的不良影响，提高感光元件310的性能。

在本公开至少一个实施例中，在垂直于衬底基板所在面的方向(纵向)上，对感光元件和发光器件在衬底基板上的相对位置不做限制，只要发光器件发出的光线可以射入感光元件的光敏层即可。例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，感光元件位于发光器件和衬底基板之间，以使得发光器件出射且透过光敏层的光线照射到陷光结构层。如此，光敏层位于陷光结构层和发光器件之间，发光器件发出的光线透过光敏层后会容易射至陷光结构层上，有利于陷光结构层将透过光敏层的光直接导回(利用反射、折射、散射等)光敏层中，增加了光敏层对光的吸收量。

在本公开至少一个实施例中，在平行于衬底基板所在面的方向(横向)上，对感光元件和发光器件在衬底基板上的相对位置不做限制，只要发光器件发出的光线可以射入感光元件的光敏层即可。根据发射光的方向，发光器件可以分为顶发射、底发射等类型，感光元件和发光器件在横向上的相对位置关系可以根据发光器件的类型进行设计。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，发光器件包括依次叠置在衬底基板上的第三电极、发光层和第四电极。示例性的，如图6所示，发光器件210包括第三电极211、发光层212和第四电极213，第三电极211、发光层212和第四电极213依次叠置在衬底基板100上。第三电极211与第一开关元件220的漏极连接。例如，多个发光器件213中的第四电极213为一体化结构，即，第四电极213作为多个发光器件213的公共电极。

在本公开至少一个实施例中，第三电极和第四电极之一为阳极，第三电极和第四电极之另一为阴极。下面，如图6所示，以第三电极211为发光器件的阳极，第四电极213为发光器件的阴极为例，对显示基板的结构进行说明。

例如，在本公开一些实施例中，发光器件的发光方式为顶发射，即，第三电极为反射电极，第四电极为透明电极。例如，光敏层在衬底基板上的正投影至少部分位于第三电极在衬底基板上的正投影之外，例如进一步地，光敏层在衬底基板上的正投影位于第三电极在衬底基板上的正投影之外。示例性的，如图6所示，第三电极211为反射电极，第四电极213为透明电极，发光层212发出的光线从第四电极213出射。在横向上，光敏层311和发光器件210(或第三电极211)不存在交叠，如此，从发光器件210的侧面出射的光线可以进入光敏层311中。

例如，在第三电极为阳极且为反射电极的情况下。第三电极可以包括高功函数的第一子电极层。在该第一子电极层的材料为透明材料的情况下，第三电极还可以包括反射层，即，第三电极包括由反射层和第一子电极层构成的叠层。例如，第一子电极层的材料具有较好的导电性能、可见光透明性以及较高的功函数值。例如，第一子电极层的材料可以采用无机金属氧化物(比如，氧化铟锡ITO等)或有机导电聚合物(如PEDOT：PSS，PANI等)或高功函数值的金属材料(比如，金、铜、银、铂等)制成。反射层可以为金属材料，例如银、铝、铜或者它们的合金等。示例性的，第一子电极层的材料为ITO，反射层的材料为银。第三电极可以为由一层ITO薄膜和一层银膜构成的叠层，或者可以为两层ITO薄膜夹置一层银膜构成的叠层。

例如，在第四电极为阴极且为透明电极的情况下。第四电极可以包括第四电极的材料可以具有较好的导电性能和较低的功函数值。例如，第四电极的材料可以采用低功函数值的金属材料，比如锂、镁、钙、锶、铝、铟等，或上述低功函数值的金属材料与铜、金、银的合金制成。此外，对于上述金属材料形成的第四电极，需要第四电极的厚度达到使得第四电极能够透光。

图7为本公开一实施例提供的另一种显示基板的局部截面图。

例如，在本公开一些实施例中，发光器件的发光方式为底发射，即，第三电极为透明电极，第四电极为反射电极。例如，光敏层在衬底基板上的正投影至少部分位于第三电极在衬底基板上的正投影之内。示例性的，如图7所示，在横向上，第三电极211为透明电极，第四电极213为反射电极，发光层212发出的光线从第三电极211出射。在横向上，光敏层311和发光器件210(或第三电极211)存在交叠，如此，从发光器件210出射的光线会更多地射入光敏层311，使得感光元件310的检测精度高。

例如，在第三电极为阳极且为透明电极的情况下，第三电极的材料具有较好的导电性能、可见光透明性以及较高的功函数值。例如，第三电极的材料可以采用无机金属氧化物(比如，氧化铟锡ITO等)或有机导电聚合物(如PEDOT：PSS，PANI等)或高功函数值的金属材料(比如，金、铜、银、铂等)制成。

例如，在第四电极为阴极且为反射电极的情况下，第四电极的材料可以具有较好的导电性能和较低的功函数值。例如，第四电极的材料可以采用低功函数值的金属材料，比如锂、镁、钙、锶、铝、铟等，或上述低功函数值的金属材料与铜、金、银的合金制成。

例如，在本公开至少一个实施例中，发光器件为有机发光器件(OLED)。发光层可以包括有机发光层，进一步还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等。例如还可以包括空穴阻挡层和电子阻挡层，空穴阻挡层可设置在电子传输层和有机发光层之间，电子阻挡层可设置在空穴传输层和有机发光层之间。示例性的，在有机发光器件的第三电极为阳极、第四电极为阴极的情况下，空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层由第三电极至第四电极依次排布。

例如，在本公开至少一个实施例中，对有机发光层的发光颜色不做限制，有机发光的材料可以根据需求的发光颜色进行选择。例如，有机发光层根据所使用的有机发光材料的不同，可以发射红光、绿光、蓝光、黄光、白光或者其它颜色的光。

例如，在本公开至少一个实施例中，感光单元包括与感光元件的第二电极连接的检测信号线。示例性的，如图6所示，检测信号线350与感光元件310的第二电极314连接。检测信号线350可以向第二电极314提供恒定的电压。例如，该检测信号线350提供的恒定电压可以参考图4A和图4B所示的V0。

例如，在本公开至少一个实施例中，如图6所示，检测信号线350可以与发光器件210的第三电极211同层且同材料形成。如此，可以简化显示基板的制造工艺流程，降低成本。

例如，在本公开至少一个实施例中，显示基板还可以包括平坦层。例如，在感光元件位于发光器件和衬底基板之间的情况下，平坦层可以位于感光元件和发光器件之间。示例性的，如图6所示，显示基板包括平坦层500。在显示基板上形成感光元件310之后，利用平坦层可以提高显示基板的表面的平坦度，有利于提高后续工艺中形成的发光器件210的性能。

例如，平坦层的材料可以包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、环氧树脂、聚酰胺、丙烯酸等树脂或者其它类型的材料。

例如，在本公开至少一个实施例中，显示基板还可以包括像素界定层，像素界定层中设置有多个开口，发光器件的发光层形成在该开口中。示例性的，如图1和图6所示，像素界定层600为单层结构，像素界定层600位于第一封装层310和衬底基板100之间，发光器件210的发光层212可以形成在像素界定层600的开口中，这些开口将相邻的像素单元彼此间隔开以防止彼此干扰。例如，可以利用喷墨打印在像素界定层600的开口中制造发光层212的至少部分结构例如空穴注入层、空穴传输层、有机发光层等。

在本公开至少一个实施例中，对衬底基板的材料不做限制。例如，在发光器件的发光方向为底发射的情况下，衬底基板的材料为透明材料。例如，衬底基板可以为刚性基板；或者衬底基板可以为柔性基板从而使得显示基板可以应用于柔性显示领域。例如，衬底基板的材料可以是玻璃、石英或树脂类材料，例如，树脂类材料包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等中的一种或多种。

本公开至少一个实施例提供一种显示面板，该显示面板包括上述任一实施例中的显示基板。例如，显示面板可以包括与显示基板对置的封装盖板，该封装盖板可以位于第一封装层(或者第三封装层)之上，封装盖板可以对显示基板中的部件进行进一步的保护。例如，该显示面板可以为电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。

需要说明的是，为表示清楚，本公开并没有叙述至少一个实施例中的显示面板的全部结构。为实现显示面板的必要功能，本领域技术人员可以根据具体应用场景设置其他结构(例如具有触控功能的结构等)，本公开的实施例对此不作限制。

本公开至少一个实施例提供一种显示基板的制备方法，该方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成像素单元，像素单元中形成有发光器件；以及在衬底基板上形成感光单元，感光单元包括依次形成在衬底基板上的陷光结构层和光敏层。在利用上述方法获得的显示基板中，感光元件可以接收发光器件发射的光，从而对像素单元的发光强度(或亮度)进行检测，并将对应该发光强度的光信号转换为电信号，感光单元将该电信号发送至外部的控制电路(例如下述实施中的控制器)。控制电路根据该电信号对用于驱动发光器件发光的发光驱动电路发出指令，从而对发光器件的驱动电压进行补偿，使得发光器件发出的光线的强度满足期望值，即，像素单元的实际显示灰阶与期望的显示灰阶相同。如此，感光单元可以对像素单元的发光强度实时监测，并使得像素单元的发光强度可以调整至期望值，从而提升显示基板的显示功能，例如发光均匀度和显示灰阶的准确性提高。利用上述方法获得的显示基板的结构可以参考前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

例如，在本公开至少一个实施例提供的制备方法中，形成陷光结构层包括：在衬底基板上形成非晶硅层，对非晶硅层进行激光退火，以得到具有不平坦表面的多晶硅层，其中，多晶硅层为陷光结构层。例如，利用微透镜阵列对非晶硅层进行激光退火。在该方法中，多晶硅层在激光退火中形成凸部和凹部，从而得到具有陷光作用的陷光结构层，制造工艺简单，成本低。

例如，在本公开至少一个实施例提供的制备方法中，感光元件还包括第一电极和第二电极，形成感光元件包括：在衬底基板上形成第一电极，然后第一电极上形成陷光结构层，或者在衬底基板上形成陷光结构层之后，在陷光结构层上形成第一电极，且使得第一电极的表面具有对应于陷光结构层的不平坦表面；在第一电极和陷光结构层的叠层之上形成光敏层；以及在光敏层上形成第二电极。在利用上述方法获得的显示基板中，无论陷光结构层形成在第一电极之下还是形成在第一电极之上，陷光结构层都可以增加发光器件的出射光在光敏层中的光程，从而增加光敏层对光的吸收量，提高感光元件的精度。利用上述方法获得的显示基板的结构可以参考前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

图8A～图8L为本公开一实施例提供的一种显示基板的制备方法的过程图。

下面，以制造如图1所示的显示基板为例，对本公开至少一个实施例中的显示基板的制备方法进行说明，其中，该显示基板中的开关元件为顶栅型薄膜晶体管，发光器件的发光方式为顶发射。示例性的，如图8A～图8L和图1所示，显示基板的制备方法的过程如下。

如图8A所示，提供衬底基板100，并且在衬底基板100上沉积遮光材料薄膜，对该遮光材料薄膜进行构图工艺以形成遮光层110。

例如，遮光层可以遮挡透过衬底基板的光线，防止光线照射后续制造工艺中获得的开关元件的有源层，薄膜开关元件的电学性能。遮光层的材料可以为金属材料例如钼、铜、铝等，或者也可以为非晶硅等非金属材料。

例如，在本公开至少一个实施例中，构图工艺可以为光刻构图工艺，例如可以包括：在需要被构图的结构层上涂覆光刻胶，使用掩模板对光刻胶进行曝光，对曝光的光刻胶进行显影以得到光刻胶图案，使用光刻胶图案对结构层进行蚀刻，然后可选地去除光刻胶图案。需要说明的是，如果被构图的结构层包括光刻胶，则可以不需要再进行涂覆光刻胶的工艺。

如图8B所示，在遮光层110上沉积绝缘材料薄膜以形成缓冲层120，在缓冲层120上沉积半导体材料薄膜，对该半导体材料薄膜进行构图工艺以形成有源层130。

缓冲层120在衬底基板100(或者遮光层110)和有源层130之间充当一个过渡膜层，可以使有源层130和衬底基板100之间结合得更稳固，且可以防止衬底基板100以及遮光层110中的有害杂质、离子等扩散到有源层130之中。缓冲层120的材料可以包括硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)等。例如，缓冲层120还可以为由氮化硅或者氧化硅构成的单层结构，或者由氮化硅和氧化硅构成的双层或多层结构。

有源层130的材料可以根据需要进行选择，在此不受限制。例如，有源层130的材料可以包括非晶硅、多晶硅、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化镓锌(GZO)等金属氧化物等。

如图8C所示，在形成有有源层500的衬底基板100上依次沉积绝缘材料薄膜和导电材料薄膜并对两者进行构图工艺以分别形成栅绝缘层140和栅极150。例如，对导电材料薄膜进行构图工艺以获得栅极150后，以栅极150为掩模板对绝缘材料薄膜进行构图工艺，从而获得栅绝缘层140。例如，在对该导电材料薄膜构图以获得栅极150的同时，还可以获得第六电极322。

例如，该栅绝缘层140的材料可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铝(Al₂O₃)、氮化铝(AlN)或其他适合的材料等。

例如，该栅极150的材料可以为铜基金属，例如，铜(Cu)、铜钼合金(Cu/Mo)、铜钛合金(Cu/Ti)、铜钼钛合金(Cu/Mo/Ti)、铜钼钨合金(Cu/Mo/W)、铜钼铌合金(Cu/Mo/Nb)等；该栅极150的材料也可以为铬基金属，例如，铬钼合金(Cr/Mo)、铬钛合金(Cr/Ti)、铬钼钛合金(Cr/Mo/Ti)等；该栅极150的材料还可以包括铝或铝合金等。

如图8D所示，在衬底基板100上沉积一层绝缘层薄膜以形成层间介质层160，在该层间介质层160中形成暴露有源层130的过孔，然后在层间介质层上沉积导电材料薄膜，对该导电材料薄膜进行构图工艺后获得源极和漏极。源极和漏极通过形成在层间介质层160的过孔与有源层130电连接。例如，源极和漏极中的一个延伸以与第六电极322重合，源极或漏极中的与第六电极322重合的部分作为第五电极321。第五电极321和第六电极322由层间介质层160间隔，从而第五电极321、第六电极322以及中间的层间介质层160构成第一存储电容320。

例如，层间介质层160的材料可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。

例如，源极和漏极可以为金属材料，可以形成单层或多层结构，例如，形成为单层铝结构、单层钼结构、或者由两层钼夹设一层铝的三层结构。

如图8E所示，在衬底基板100上沉积绝缘材料以形成钝化层170。例如，钝化层170的材料可以为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)以及丙烯酸类树脂等。

如图8F所示，利用构图工艺在钝化层170和层间介质层160中形成过孔，然后在衬底基板100上沉积导电材料薄膜，对该导电材料薄膜进行构图工艺以获得第一电极313和第二阻挡层420。第一电极313通过钝化层170中的过孔与第五电极321(或者开关元件的漏极或漏极)连接，第二阻挡层420通过钝化层170和层间介质层160中的过孔与栅极150连接。形成第一电极313和第二阻挡层420的材料可以参考前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

如图8G所示，在衬底基板100上沉积非晶硅薄膜，对该非晶硅薄膜进行构图工艺以形成非晶硅层312a。非晶硅层312a形成在第一电极313上。

如图8H所示，利用微透镜阵列对图8G中的非晶硅层312a进行激光退火处理，图8G中的非晶硅层312a形成多晶硅层，并且多晶硅层的表面上形成多个凸起(凸部)从而具有陷光作用。多晶硅层即为陷光结构层312。

在激光退火过程中，利用微透镜阵列(MLA，Micro Lens Array)引导来自激光源的激光，只对每个子像素区域中的非晶硅层312a所在的区域进行高位置精度激光退火。如此，激光不会照射子像素区域中的其它区域，也不会照射开关元件中的有源层，从而保护开关元件的电学性能，而且更有利于形成凹凸结构以具有多个凹部和/或多个凸部，从而得到陷光结构层。

此外，在激光退火过程中还可以在采用MLA的同时，采用例如金属诱导方法以促进多晶硅结晶。

需要说明的是，在衬底基板上沉积非晶硅薄膜后，可以先利用微透镜阵列对非晶硅薄膜进行高位置精度激光退火处理(只对欲形成的陷光结构层的部分进行激光退火处理)。然后，根据需要，可以再进行构图工艺以除去未晶化的非晶硅。由此所得到的多晶硅层为陷光结构层。

如图8I所示，在衬底基板100上依次沉积半导体材料薄膜和导电材料薄膜，对该导电材料薄膜进行构图工艺以形成第二电极314，以该第二电极314为掩模板对半导体材料薄膜进行构图工艺以形成光敏层311。光敏层311和第二电极314的结构、材料可以参考前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

如图8J所示，在衬底基板100上沉积绝缘材料薄膜已形成第一阻挡层410。第一阻挡层410的材料以及覆盖区域可以参考前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

如图8K所示，在衬底基板100上沉积绝缘材料薄膜以形成平坦层500，从而平坦化该工艺过程中的显示基板的表面。平坦层500结构、材料可以参考前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

如图8L所示，在平坦层500、第一阻挡层410和钝化层170中形成过孔，然后在衬底基板100上沉积导电材料薄膜，对该导电材料薄膜进行构图工艺以获得彼此间隔的第三电极211和检测信号线350。第三电极211通过平坦层500、第一阻挡层410和钝化层170中的过孔与开关元件(第一开关元件220)的漏极连接，检测信号线350通过平坦层500和第一阻挡层410中的过孔与第二电极314连接。第三电极211和检测信号线350的材料和结构可以参考前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

如图8L至图1所示，在衬底基板100上形成像素界定层600，并且在像素界定层600中形成与第三电极211对应的开口，在该开口中形成发光层212，然后在衬底基板100上沉积导电材料以形成第四电极213。第三电极211、发光层212和第四电极213形成发光器件210。发光器件210的具体结构、材料可以参考前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

图9A和图9B为本公开一实施例提供的另一种显示基板的制备方法的部分过程图。

下面，以制造如图6所示的显示基板为例，对本公开至少一个实施例中的显示基板的制备方法进行说明，其中，该显示基板中的开关元件为顶栅型薄膜晶体管，发光器件的发光方式为顶发射。示例性的，如图9A、图9B和图6所示，显示基板的制备方法的过程如下。

提供衬底基板并在衬底基板上制造顶栅型薄膜晶体管。该过程可以参考图8A～图8E所示实施例中的相关说明，并得到图8E所示的显示基板。

如图9A所示，在提供图8E所示的显示基板的情况下，在衬底基板100上沉积非晶硅薄膜，对该非晶硅薄膜进行构图工艺以形成非晶硅层，对该非晶硅层进行激光退火处理以得到多晶硅层。该多晶硅层即为陷光结构层312。陷光结构层312的形成方法可以参考图8G～图8H所示实施例中的相关说明，在此不作赘述。

如图9B所示，利用构图工艺在钝化层170和层间介质层160中形成过孔，然后在陷光结构层312上沉积导电材料薄膜，对该导电材料薄膜进行构图工艺以获得第一电极313和第二阻挡层420。第一电极313通过钝化层170中的过孔与第五电极321(或者开关元件的漏极或漏极)连接，第二阻挡层420通过钝化层170和层间介质层160中的过孔与栅极150连接。形成第一电极313和第二阻挡层420的材料可以参考前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

如图9B～图6所示，形成第一电极313后，在衬底基板100上依次形成光敏层311、第二电极314、第一阻挡层410、平坦层500、第三电极211和检测信号线350、像素界定层600、发光层212、第四电极213。上述结构的形成方法可以参考图8I～图8L以及图8L～图1所示的显示基板的制备方法的实施例中的相关说明，在此不作赘述。

对于本公开，还有以下几点需要说明：

(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。

(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种显示基板，包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的像素单元和感光单元，其中，

所述像素单元包括发光器件；以及

所述感光单元包括感光元件，所述感光元件包括光敏层和陷光结构层，所述陷光结构层位于所述光敏层和所述衬底基板之间。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，

所述陷光结构层的面向所述光敏层的表面包括多个凹部和/或多个凸部。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，

所述多个凹部和/或多个凸部的尺寸为2-10纳米。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其中，

所述陷光结构层为结晶化的多晶硅层。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的显示基板，其中，

所述感光元件还包括第一电极和第二电极，所述第一电极、所述光敏层和所述第二电极依次叠置在所述衬底基板上，以及

所述第一电极与所述陷光结构层层叠。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其中，

所述第一电极位于所述陷光结构层和所述衬底基板之间，所述陷光结构层导电。

7.根据权利要求5所述的显示基板，其中，

所述陷光结构层位于所述第一电极和所述衬底基板之间，所述第一电极的表面具有对应于所述陷光结构层的不平坦表面。

8.根据权利要求5所述的显示基板，还包括第一阻挡层，其中，

所述光敏层包括在与所述衬底基板交叉方向上的侧表面，所述第一阻挡层覆盖至少部分所述侧表面。

9.根据权利要求8所述的显示基板，还包括位于所述衬底基板上的开关元件和第二阻挡层，

所述开关元件位于所述第二阻挡层和所述衬底基板之间并且与所述第二阻挡层至少部分重叠，所述第二阻挡层和所述第一电极同层且同材料。

10.根据权利要求1-4中任一项所述的显示基板，其中，

在垂直与所述衬底基板的方向上，所述感光元件位于所述发光器件和所述衬底基板之间，以使得所述发光器件出射且透过所述光敏层的光线照射到所述陷光结构层。

11.根据权利要求1-4中任一项所述的显示基板，其中，所述发光器件包括依次叠置在所述衬底基板上的第三电极、发光层和第四电极，以及

所述第三电极为反射电极，所述第四电极为透明电极，并且所述光敏层在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述第三电极在所述衬底基板上的正投影之外；或者，

所述第三电极为透明电极，所述第四电极为反射电极，并且所述光敏层在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述第三电极在所述衬底基板上的正投影之内。

12.一种显示面板，包括权利要求1-11中任一项所述的显示基板。

13.一种显示基板的制备方法，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成像素单元，所述像素单元中形成有发光器件；以及

在所述衬底基板上形成感光单元，所述感光单元包括依次形成在所述衬底基板上的陷光结构层和光敏层。

14.根据权利要求13所述的制备方法，其中，形成所述陷光结构层包括：

在所述衬底基板上形成非晶硅层，

利用微透镜阵列对所述非晶硅层进行激光退火，以得到具有不平坦表面的多晶硅层，其中，所述多晶硅层为所述陷光结构层。