CN110600264A - 电容薄膜及其双面金属堆栈工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了电容薄膜及其双面金属堆栈工艺，电容薄膜双面金属堆栈工艺包括步骤S1：放卷辊将卷起的薄膜进行放卷，步骤S2：放卷后的薄膜通过辊筒传输到第一冷却辊进行附着铝层，步骤S3：第一冷却辊通过辊筒将薄膜传输到第二冷却辊进行附着铝层，步骤S4：第二冷却辊通过若干辊筒将薄膜传输到第三冷却辊进行附着铝层，步骤S5：第三冷却辊通过辊筒将薄膜传输到第四冷却辊进行附着铝层，步骤S6：第四冷却辊通过辊筒将薄膜传输到收卷辊进行收卷。本发明公开的电容薄膜及其双面金属堆栈工艺，其在真空状态下通过一面双排的方式加大铝层附着厚度。
Description
技术领域
本发明属于电容堆栈工艺，具体涉及一种电容薄膜双面金属堆栈工艺和一种电容薄膜。
背景技术
电子元件是信息产业的基础，而电容器是多种电子元件中使用面最广、产量占电子元件总产量50％以上的电子元件。作为三大主要产品的陶瓷电容器、电解电容器和有机薄膜电容器的产量又占到电容器总产量的90％以上。包含有引线微型电容器、无引线片式电容器、集成电容器、纳米电容器等的有机薄膜电容器中微型薄膜电容器又占了半壁江山。薄膜电容器按结构可分为卷绕式、叠片式和内串式，按电极可分为金属膜(铝膜、铝锌膜)、金属箔和膜箔复合结构。
目前，市场上现有的电容薄膜制作材料有ITO(氧化铟锡)、银浆，但是却存在以下问题：
1.双面金属堆栈厚度不均匀，合格率低；
2.工艺复杂，效率低；
3.金属厚度不达标；
4.手工丝印或蚀刻成本高。
发明内容
本发明的主要目的在于提供电容薄膜及其双面金属堆栈工艺，其在真空状态下通过一面双排的方式加大铝层附着厚度。
本发明的主要目的在于提供电容薄膜及其双面金属堆栈工艺，其使用卷对卷连续机械化金属堆栈。
本发明的主要目的在于提供电容薄膜及其双面金属堆栈工艺，其膜材在不出真空舱体的状态下来回正面一次性附着。
为达到以上目的，本发明提供一种电容薄膜双面金属堆栈工艺，包括以下步骤：
步骤S1：放卷辊将卷起的薄膜进行放卷；
步骤S2：放卷后的薄膜通过辊筒传输到第一冷却辊进行附着铝层；
步骤S3：第一冷却辊通过辊筒将薄膜传输到第二冷却辊进行附着铝层；
步骤S4：第二冷却辊通过若干辊筒将薄膜传输到第三冷却辊进行反面附着铝层；
步骤S5：第三冷却辊通过辊筒将薄膜传输到第四冷却辊进行附着铝层；
步骤S6：第四冷却辊通过辊筒将薄膜传输到收卷辊进行收卷。
作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，第一冷却辊和第二冷却辊的下方分别设有铝丝蒸发装置，铝丝蒸发装置用于蒸发铝丝，薄膜传输到第一冷却辊和第二冷却辊时蒸发的铝丝冷却后附着在薄膜膜面。
作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，第三冷却辊和第四冷却辊的下方分别设有铝丝蒸发装置，铝丝蒸发装置用于蒸发铝丝，薄膜传输到第三冷却辊和第四冷却辊时蒸发的铝丝冷却后附着在薄膜的另一膜面。
作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，步骤S4具体实施为以下步骤：
步骤S4.1：薄膜的膜面紧贴第二冷却辊使薄膜远离第二冷却辊的膜面进行附着铝层；
步骤S4.2：第二冷却辊根据若干辊筒的位置分布将薄膜反面传输到第三冷却辊，薄膜附着铝层后的膜面紧贴第三冷却辊；
步骤S4.3：薄膜远离第三冷却辊的未附着铝层的膜面进行附着铝层。
作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，所述电容薄膜双面金属堆栈工艺在真空舱体的状态下进行附着铝层。
作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，薄膜在冷却辊上传输的顺序依次为第一冷却辊、第二冷却辊、第三冷却辊、第四冷却辊，第一冷却辊和第二冷却辊对薄膜的同一膜面进行附着铝层，第三冷却辊和第四冷却辊对薄膜的另一同一膜面进行附着铝层。
本发明还提供一种电容薄膜，通过电容薄膜双面金属堆栈工艺制作而成。
附图说明
图1是本发明的电容薄膜及其双面金属堆栈工艺的结构示意图。
附图标记包括：100、薄膜；101、放卷辊；102、收卷辊；103、第一冷却辊；104、第二冷却辊；105、第三冷却辊；106、第四冷却辊；107、铝丝蒸发装置。
具体实施方式
以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本发明的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本发明的精神和范围的其他技术方案。
参见附图的图1，图1是本发明的电容薄膜及其双面金属堆栈工艺的结构示意图。
在本发明的优选实施例中，本领域技术人员应注意，本发明所涉及的冷却辊、铝丝蒸发装置等可被视为现有技术。
优选实施例。
本发明公开了一种电容薄膜双面金属堆栈工艺，包括以下步骤：
步骤S1：放卷辊101将卷起的薄膜100进行放卷；
步骤S2：放卷后的薄膜100通过辊筒传输到第一冷却辊103进行附着铝层；
步骤S3：第一冷却辊103通过辊筒将薄膜100传输到第二冷却辊104进行附着铝层；
步骤S4：第二冷却辊104通过若干辊筒将薄膜100传输到第三冷却辊105进行反面附着铝层；
步骤S5：第三冷却辊105通过辊筒将薄膜100传输到第四冷却辊106进行附着铝层；
步骤S6：第四冷却辊106通过辊筒将薄膜100传输到收卷辊102进行收卷。
值得一提的是，第一冷却辊103和第二冷却辊104的下方分别设有铝丝蒸发装置107，铝丝蒸发装置107用于蒸发铝丝，薄膜100传输到第一冷却辊103和第二冷却辊104时蒸发的铝丝冷却后附着在薄膜100膜面。
具体的是，第三冷却辊105和第四冷却辊106的下方分别设有铝丝蒸发装置107，铝丝蒸发装置107用于蒸发铝丝，薄膜100传输到第三冷却辊105和第四冷却辊106时蒸发的铝丝冷却后附着在薄膜100的另一膜面。
更具体的是，步骤S4具体实施为以下步骤：
步骤S4.1：薄膜100的膜面紧贴第二冷却辊104使薄膜100远离第二冷却辊104的膜面进行附着铝层；
步骤S4.2：第二冷却辊104根据若干辊筒的位置分布将薄膜100反面传输到第三冷却辊105，薄膜100附着铝层后的膜面紧贴第三冷却辊105；
步骤S4.3：薄膜100远离第三冷却辊105的未附着铝层的膜面进行附着铝层。
进一步的是，所述电容薄膜双面金属堆栈工艺在真空舱体的状态下进行附着铝层。
更进一步的是，薄膜100在冷却辊上传输的顺序依次为第一冷却辊103、第二冷却辊104、第三冷却辊105、第四冷却辊106，第一冷却辊103和第二冷却辊104对薄膜100的同一膜面进行附着铝层，第三冷却辊105和第四冷却辊106对薄膜100的另一同一膜面进行附着铝层。
优选地，使用收卷辊102和放卷辊101通过卷对卷连续机械化技术堆栈工艺，极大提高生产效率。
值得一提的是，本发明所述的电容薄膜双面金属堆栈工艺中所涉及的金属包括铝、铜等金属中的一种或多种，不仅仅为铝金属。
本发明还公开了一种电容薄膜，通过电容薄膜双面金属堆栈工艺制作而成。
值得一提的是，本发明专利申请涉及的冷却辊、铝丝蒸发装置等技术特征应被视为现有技术，这些技术特征的具体结构、工作原理以及可能涉及到的控制方式、空间布置方式采用本领域的常规选择即可，不应被视为本发明专利的发明点所在，本发明专利不做进一步具体展开详述。
对于本领域的技术人员而言，依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种电容薄膜双面金属堆栈工艺，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：放卷辊将卷起的薄膜进行放卷；
步骤S2：放卷后的薄膜通过辊筒传输到第一冷却辊进行附着铝层；
步骤S3：第一冷却辊通过辊筒将薄膜传输到第二冷却辊进行附着铝层；
步骤S4：第二冷却辊通过若干辊筒将薄膜传输到第三冷却辊进行反面附着铝层；
步骤S5：第三冷却辊通过辊筒将薄膜传输到第四冷却辊进行附着铝层；
步骤S6：第四冷却辊通过辊筒将薄膜传输到收卷辊进行收卷。
2.根据权利要求1所述的一种电容薄膜双面金属堆栈工艺，其特征在于，第一冷却辊和第二冷却辊的下方分别设有铝丝蒸发装置，铝丝蒸发装置用于蒸发铝丝，薄膜传输到第一冷却辊和第二冷却辊时蒸发的铝丝冷却后附着在薄膜膜面。
3.根据权利要求1所述的一种电容薄膜双面金属堆栈工艺，其特征在于，第三冷却辊和第四冷却辊的下方分别设有铝丝蒸发装置，铝丝蒸发装置用于蒸发铝丝，薄膜传输到第三冷却辊和第四冷却辊时蒸发的铝丝冷却后附着在薄膜的另一膜面。
4.根据权利要求1所述的一种电容薄膜双面金属堆栈工艺，其特征在于，步骤S4具体实施为以下步骤：
步骤S4.1：薄膜的膜面紧贴第二冷却辊使薄膜远离第二冷却辊的膜面进行附着铝层；
步骤S4.2：第二冷却辊根据若干辊筒的位置分布将薄膜反面传输到第三冷却辊，薄膜附着铝层后的膜面紧贴第三冷却辊；
步骤S4.3：薄膜远离第三冷却辊的未附着铝层的膜面进行附着铝层。
5.根据权利要求1所述的一种电容薄膜双面金属堆栈工艺，其特征在于，所述电容薄膜双面金属堆栈工艺在真空舱体的状态下进行附着铝层。
6.根据权利要求1所述的一种电容薄膜双面金属堆栈工艺，其特征在于，薄膜在冷却辊上传输的顺序依次为第一冷却辊、第二冷却辊、第三冷却辊、第四冷却辊，第一冷却辊和第二冷却辊对薄膜的同一膜面进行附着铝层，第三冷却辊和第四冷却辊对薄膜的另一同一膜面进行附着铝层。
7.一种电容薄膜，其特征在于，通过如权利要求1所述的电容薄膜双面金属堆栈工艺制作而成。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114086147A (zh) * | 2021-11-19 | 2022-02-25 | 合肥中隐新材料有限公司 | 一种制备光子晶体薄膜卷绕式真空镀膜设备 |
| WO2022047947A1 (zh) * | 2020-09-05 | 2022-03-10 | 昆山鑫美源电子科技有限公司 | 一种多辊式真空镀膜装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100247975A1 (en) * | 2009-03-31 | 2010-09-30 | Fujifilm Corporation | Method for producing double-sided evaporation film, double-sided evaporation film intermediate, double-sided evaporation film and magnetic recording medium support |
| CN106244996A (zh) * | 2016-09-22 | 2016-12-21 | 铜陵市铜创电子科技有限公司 | 一种金属化薄膜加工用加厚镀膜装置 |
| CN206635397U (zh) * | 2017-04-10 | 2017-11-14 | 天津市大阳光大新材料股份有限公司 | 一种双面真空薄膜镀铝装置 |
| CN108624861A (zh) * | 2018-08-07 | 2018-10-09 | 安徽金美新材料科技有限公司 | 双面连续镀膜的真空蒸镀装置 |
| CN109536915A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-03-29 | 四川海格锐特科技有限公司 | 一次性往返双面蒸镀镀膜设备卷绕系统结构 |
-
2019
- 2019-09-02 CN CN201910824423.8A patent/CN110600264A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100247975A1 (en) * | 2009-03-31 | 2010-09-30 | Fujifilm Corporation | Method for producing double-sided evaporation film, double-sided evaporation film intermediate, double-sided evaporation film and magnetic recording medium support |
| CN106244996A (zh) * | 2016-09-22 | 2016-12-21 | 铜陵市铜创电子科技有限公司 | 一种金属化薄膜加工用加厚镀膜装置 |
| CN206635397U (zh) * | 2017-04-10 | 2017-11-14 | 天津市大阳光大新材料股份有限公司 | 一种双面真空薄膜镀铝装置 |
| CN108624861A (zh) * | 2018-08-07 | 2018-10-09 | 安徽金美新材料科技有限公司 | 双面连续镀膜的真空蒸镀装置 |
| CN109536915A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-03-29 | 四川海格锐特科技有限公司 | 一次性往返双面蒸镀镀膜设备卷绕系统结构 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022047947A1 (zh) * | 2020-09-05 | 2022-03-10 | 昆山鑫美源电子科技有限公司 | 一种多辊式真空镀膜装置 |
| CN114086147A (zh) * | 2021-11-19 | 2022-02-25 | 合肥中隐新材料有限公司 | 一种制备光子晶体薄膜卷绕式真空镀膜设备 |
| CN114086147B (zh) * | 2021-11-19 | 2024-01-26 | 合肥中隐新材料有限公司 | 一种制备光子晶体薄膜卷绕式真空镀膜设备 |
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