CN110575826A - 一种磺酸基环糊精衍生物及其修饰的纳米二氧化钛的制备方法 - Google Patents
一种磺酸基环糊精衍生物及其修饰的纳米二氧化钛的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110575826A CN110575826A CN201910870236.3A CN201910870236A CN110575826A CN 110575826 A CN110575826 A CN 110575826A CN 201910870236 A CN201910870236 A CN 201910870236A CN 110575826 A CN110575826 A CN 110575826A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crude product
- titanium dioxide
- cyclodextrin
- washing
- drying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 91
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 158
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 134
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims abstract description 102
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 78
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000012043 crude product Substances 0.000 claims description 456
- 229920000858 Cyclodextrin Polymers 0.000 claims description 165
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 158
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 158
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 156
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 156
- 229960004853 betadex Drugs 0.000 claims description 154
- -1 cyclodextrin derivative modified nano titanium dioxide Chemical class 0.000 claims description 94
- HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N schardinger α-dextrin Chemical class O1C(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(O)C2O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC2C(O)C(O)C1OC2CO HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 84
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 77
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 77
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 claims description 77
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 74
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 74
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 27
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 229920001450 Alpha-Cyclodextrin Polymers 0.000 claims description 2
- HFHDHCJBZVLPGP-RWMJIURBSA-N alpha-cyclodextrin Chemical compound OC[C@H]([C@H]([C@@H]([C@H]1O)O)O[C@H]2O[C@@H]([C@@H](O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O3)[C@H](O)[C@H]2O)CO)O[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]3O[C@@H]1CO HFHDHCJBZVLPGP-RWMJIURBSA-N 0.000 claims description 2
- 229940043377 alpha-cyclodextrin Drugs 0.000 claims description 2
- WHGYBXFWUBPSRW-FOUAGVGXSA-N beta-cyclodextrin Chemical compound OC[C@H]([C@H]([C@@H]([C@H]1O)O)O[C@H]2O[C@@H]([C@@H](O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O3)[C@H](O)[C@H]2O)CO)O[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]3O[C@@H]1CO WHGYBXFWUBPSRW-FOUAGVGXSA-N 0.000 claims description 2
- GDSRMADSINPKSL-HSEONFRVSA-N gamma-cyclodextrin Chemical compound OC[C@H]([C@H]([C@@H]([C@H]1O)O)O[C@H]2O[C@@H]([C@@H](O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O3)[C@H](O)[C@H]2O)CO)O[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]3O[C@@H]1CO GDSRMADSINPKSL-HSEONFRVSA-N 0.000 claims description 2
- 229940080345 gamma-cyclodextrin Drugs 0.000 claims description 2
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 claims description 2
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 claims description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000047 product Substances 0.000 claims 1
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 abstract description 10
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 7
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 abstract description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 abstract description 3
- 231100000956 nontoxicity Toxicity 0.000 abstract description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 abstract 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 abstract 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract 1
- 238000001782 photodegradation Methods 0.000 abstract 1
- 239000001116 FEMA 4028 Substances 0.000 description 152
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 75
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 75
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 125000003535 D-glucopyranosyl group Chemical group [H]OC([H])([H])[C@@]1([H])OC([H])(*)[C@]([H])(O[H])[C@@]([H])(O[H])[C@]1([H])O[H] 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000002791 glucosyl group Chemical group C1([C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O1)CO)* 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 231100001240 inorganic pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 230000004298 light response Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229920001542 oligosaccharide Polymers 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
- B01J20/22—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising organic material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J21/00—Catalysts comprising the elements, oxides, or hydroxides of magnesium, boron, aluminium, carbon, silicon, titanium, zirconium, or hafnium
- B01J21/06—Silicon, titanium, zirconium or hafnium; Oxides or hydroxides thereof
- B01J21/063—Titanium; Oxides or hydroxides thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J31/00—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds
- B01J31/02—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides
- B01J31/06—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides containing polymers
- B01J31/063—Polymers comprising a characteristic microstructure
- B01J31/065—Cyclodextrins
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/30—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their physical properties
- B01J35/39—Photocatalytic properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/60—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their surface properties or porosity
- B01J35/61—Surface area
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
一种磺酸基环糊精衍生物及其修饰的纳米二氧化钛的制备方法。制备方法采用高温高压水热法，将磺酸基环糊精与二氧化钛前驱体(钛酸四丁酯)混合，加入溶剂后，反应生成具有吸附和光催化性质的光催化剂(磺酸基环糊精修饰二氧化钛)，可用于降解不同染料。本发明操作简单，制备过程简便，节约成本，无毒无污染并且光降解染料效率高，因此具有广阔的应用前景。此外，二氧化钛作为最常用的光催化剂，常用于降解染料、析氢反应等，并且制备及其改性技术发展成熟。本发明是基于磺酸基环糊精具有较强亲水性和吸附性能的基础上，通过与TiO2复合达到吸附和降解有机物及染料的目的。
Description
技术领域
发明属于光催化剂及其制备技术领域，涉及一种磺酸基环糊精衍生物修饰纳米二氧化钛光催化剂的制备方法。
背景技术
环糊精是由D-吡喃葡萄糖单元通过α-1,4糖苷键首尾连接而成的一种环状低聚糖，其拥有疏水空腔和亲水外表面，具有吸附性能以及包合作用。利用其吸附性能可以处理无机污染物、有机化合物等对大气、土壤、水质产生危害的化学品。或利用空腔的包合作用用于包载运输药物。由于环糊精的吸附和包合能力有限，所以常见的是对环糊精羟基进行取代改性，进而提高性能。
二氧化钛是一种常见的光催化剂，氧化能力强、化学稳定性好、成本低并且无毒。TiO2作为光催化剂能够将有机污染物通常完全矿化为CO2、HCl、水等无毒物质，因此在中间体的生产上不存在光解反应其他不足。由于二氧化钛粒子内光电产生的电子和空穴对符合速度快，且紫外光响应受限，仅占总太阳光的4％左右，因此二氧化钛的光催化性能必须进一步提高。二氧化钛常见用水热法制备，因为水热法提供高压高温的反应环境，改变其晶体结构可以得到不同尺寸和形状的高结晶度锐钛颗粒。
发明内容
本发明的目的是解决现有光催化剂二氧化钛紫外光响应受限进而影响光催化性能的问题，提供一种磺酸基环糊精衍生物及其修饰的纳米二氧化钛的制备。使本发明提供的环糊精衍生物对染料吸附的同时又能通过二氧化钛的降解能力将染料矿化成对环境无污染的小分子化合物。
本发明的技术方案
一种磺酸基环糊精衍生物，其化学结构如下：
其中，R＝OH or O(CH2)xSO3Na，x＝1-5；n＝6、7、8。
一种磺酸基环糊精衍生物修饰纳米二氧化钛的制备方法，该方法是磺酸基环糊精衍生物与二氧化钛前驱体反应，生成目标产物，所述方法步骤如下：
(1)磺酸基环糊精修饰二氧化钛的制备：
将二氧化钛前驱体加入到磺酸基环糊精中，再加入溶剂，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜，反应结束后即得粗产品；
(2)磺酸基环糊精修饰二氧化钛粗产品的提纯：
将得出的粗产品抽滤，用水洗涤，再用乙醇洗涤，干燥即得磺酸基环糊精修饰二氧化钛。
其中，步骤(1)所述磺酸基环糊精的质量为5mg～100mg，溶剂与二氧化钛前驱体的体积比为10～60:1，反应温度80～150℃(优选80～130℃)，反应时间为4～6h。所述磺酸基环糊精中的环糊精为α、β或γ-环糊精；磺酸基是磺基、磺乙基、磺丙基、磺丁基或磺戊基等。所述二氧化钛前驱体为钛酸四丁酯、钛酸四异丙酯或四氯化钛；溶剂是H2O或醇氧化合物。
步骤(2)中蒸馏水和乙醇各洗涤的次数为二次以上(优选三次)，干燥温度40～80℃(优选45℃)，干燥时间至少5h(优选20h)。
本发明基于磺酸基环糊精修饰的二氧化钛是一种具有典型的识别能力的主修饰纳米材料，改性后的环糊精衍生物具有亲水性和吸附能力，将二氧化钛负载在多孔材料表面，利用多孔材料的吸附性，将被降解物吸附在材料的表面，进而被二氧化钛分解。由于磺酸基环糊精可以增强二氧化钛在水中的分散性，可以促进光激发二氧化钛向电子受体客体分子的电荷转移速率。另外由于磺酸基环糊精分子是由葡萄糖单元构成的，它可以降低电子空穴复合速率，从而提高光催化剂的催化活性。附着在二氧化钛表面的磺酸基环糊精可以捕获光致孔，从而提高二氧化钛的光导电率。
本发明的优点和有益效果为：
1.发明过程简单易于实行，实验重复性好，原料实现商品化易于制备，实验过程中无毒无污染、无副产物的生成，而且易于分离提纯，符合绿色化学的要求。
2.磺丁基-β-环糊精磺酸基强以及强力的吸附能力，应用广泛。且已经商品化，原料来源充足。
3.磺丁基-β-环糊精与二氧化钛结合，增加二氧化钛的比表面积，增大降解染料的效率，实用性强。
附图说明
图1是全-6-磺丁基-β-环糊精-TiO2的X射线衍射图谱。
具体实施方式
以下所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制；凡本行业的普通技术人员均可按以上所述而顺畅地实施本发明；但是，凡熟悉本专业的技术人员在不脱离本发明技术方案范围内，可利用以上所揭示的技术内容而作出的些许更动、修饰与演变的等同变化，均为本发明的等效实施例；同时，凡依据本发明的实质技术对以上实施例所作的任何等同变化的更动、修饰与演变等，均仍属于本发明的技术方案的保护范围之内。
下面结合附图对本发明作进一步详细描述。
实施例1
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量10mg的磺丁基-β-环糊精，再加入20mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为4h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间5h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。如图1所示全-6-磺丁基-β-环糊精-TiO2的X射线衍射图谱所示，衍射峰分别为25.4°、37.9°、48°、54.1°和63°，具有较高的锐钛矿二氧化钛结晶性，对应[101]、[004]、[200]、[105]和[211]晶型，这说明在制备过程中没有发生相变或者结构破坏。因为在光催化过程中主要起催化作用的是锐钛矿，因此通过水热法制备的光催化剂具有高效的降解效率。
实施例2
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量10mg的磺丁基-β-环糊精，再加入40mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间20h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例3
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量20mg的磺丁基-β-环糊精，再加入60mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为150℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度100℃，干燥时间30h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例4
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量10mg的磺丁基-β-环糊精，再加入80mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间5h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例5
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量10mg的磺丁基-β-环糊精，再加入100mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间20h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例6
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量20mg的磺丁基-β-环糊精，再加入20mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为4h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间5h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例7
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量20mg的磺基-β-环糊精，再加入40mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间20h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例8
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量20mg的磺丁基-β-环糊精，再加入60mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为150℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度100℃，干燥时间30h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例9
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量20mg的磺丁基-β-环糊精，再加入80mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间5h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例10
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量20mg的磺丁基-β-环糊精，再加入100mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间20h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例11
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量30mg的磺丁基-β-环糊精，再加入20mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为150℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间30h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例12
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量30mg的磺丁基-β-环糊精，再加入40mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度100℃，干燥时间5h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例13
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量30mg的磺丁基-β-环糊精，再加入60mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间20h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例14
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量30mg的磺丁基-β-环糊精，再加入80mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为150℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间30h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例15
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量30mg的磺丁基-β-环糊精，再加入100mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间5h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例16
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量50mg的磺丁基-β-环糊精，再加入20mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间5h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例17
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量50mg的磺丁基-β-环糊精，再加入40mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间20h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例18
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量50mg的磺丁基-β-环糊精，再加入60mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为150℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间30h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例19
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量50mg的磺丁基-β-环糊精，再加入80mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间5h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例20
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量50mg的磺丁基-β-环糊精，再加入100mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间20h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例21
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量100mg的磺丁基-β-环糊精，再加入20mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间5h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例22
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量100mg的磺丁基-β-环糊精，再加入40mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间20h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例23
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量100mg的磺丁基-β-环糊精，再加入60mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为150℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间30h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例24
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量100mg的磺丁基-β-环糊精，再加入80mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间5h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例25
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量100mg的磺丁基-β-环糊精，再加入100mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间20h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例26
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量10mg的磺基-β-环糊精，再加入20mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为4h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间5h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例27
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量10mg的磺基-β-环糊精，再加入40mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间20h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例28
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量20mg的磺基-β-环糊精，再加入60mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为150℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度100℃，干燥时间30h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例29
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量10mg的磺基-β-环糊精，再加入80mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间5h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例30
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量10mg的磺基-β-环糊精，再加入100mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间20h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例31
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量20mg的磺基-β-环糊精，再加入20mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为4h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间5h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例32
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量20mg的磺基-β-环糊精，再加入40mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间20h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例33
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量20mg的磺基-β-环糊精，再加入60mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为150℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度100℃，干燥时间30h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例34
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量20mg的磺基-β-环糊精，再加入80mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间5h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例35
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量20mg的磺基-β-环糊精，再加入100mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间20h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例36
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量30mg的磺基-β-环糊精，再加入20mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为150℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间30h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例37
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量30mg的磺基-β-环糊精，再加入40mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度100℃，干燥时间5h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例38
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量30mg的磺基-β-环糊精，再加入60mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间20h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例39
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量30mg的磺基-β-环糊精，再加入80mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为150℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间30h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例40
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量30mg的磺基-β-环糊精，再加入100mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间5h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例41
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量50mg的磺基-β-环糊精，再加入20mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间5h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例42
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量50mg的磺基-β-环糊精，再加入40mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间20h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例43
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量50mg的磺基-β-环糊精，再加入60mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为150℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间30h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例44
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量50mg的磺基-β-环糊精，再加入80mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间5h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例45
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量50mg的磺基-β-环糊精，再加入100mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间20h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例46
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量100mg的磺基-β-环糊精，再加入20mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间5h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例47
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量100mg的磺基-β-环糊精，再加入40mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间20h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例48
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量100mg的磺基-β-环糊精，再加入60mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为150℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间30h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例49
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量100mg的磺基-β-环糊精，再加入80mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间5h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例50
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将钛酸四丁酯2mL加入质量100mg的磺基-β-环糊精，再加入100mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间20h，干燥即得磺基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例51
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量10mg的磺丁基-β-环糊精，再加入20mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为4h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间5h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例52
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量10mg的磺基-β-环糊精，再加入40mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间20h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例53
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量20mg的磺丁基-β-环糊精，再加入60mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为150℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度100℃，干燥时间30h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例54
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量10mg的磺丁基-β-环糊精，再加入80mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间5h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例55
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量10mg的磺丁基-β-环糊精，再加入100mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间20h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例56
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量20mg的磺丁基-β-环糊精，再加入20mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为4h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间5h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例57
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量20mg的磺基-β-环糊精，再加入40mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间20h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例58
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量20mg的磺丁基-β-环糊精，再加入60mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为150℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度100℃，干燥时间30h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例59
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量20mg的磺丁基-β-环糊精，再加入80mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间5h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例60
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量20mg的磺丁基-β-环糊精，再加入100mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间20h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例61
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量30mg的磺丁基-β-环糊精，再加入20mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为150℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间30h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例62
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量30mg的磺丁基-β-环糊精，再加入40mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度100℃，干燥时间5h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例63
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量30mg的磺丁基-β-环糊精，再加入60mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间20h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例64
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量30mg的磺丁基-β-环糊精，再加入80mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为150℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间30h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例65
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量30mg的磺丁基-β-环糊精，再加入100mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间5h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例66
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量50mg的磺丁基-β-环糊精，再加入20mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间5h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例67
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量50mg的磺丁基-β-环糊精，再加入40mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间20h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例68
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量50mg的磺丁基-β-环糊精，再加入60mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为150℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间30h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例69
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量50mg的磺丁基-β-环糊精，再加入80mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间5h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例70
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量50mg的磺丁基-β-环糊精，再加入100mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间20h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例71
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量100mg的磺丁基-β-环糊精，再加入20mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间5h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例72
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量100mg的磺丁基-β-环糊精，再加入40mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间20h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例73
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量100mg的磺丁基-β-环糊精，再加入60mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为150℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间30h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例74
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量100mg的磺丁基-β-环糊精，再加入80mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为100℃，反应时间为6h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度80℃，干燥时间5h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
实施例75
一种磺酸基环糊精衍生物修饰无机纳米半导体材料——二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：
将四氯化钛2mL加入质量100mg的磺丁基-β-环糊精，再加入100mL的蒸馏水，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜设置加热温度为120℃，反应时间为5h，反应结束后即得粗产品；将得出粗产品抽滤，用水洗涤3次，再用乙醇洗涤3次，干燥温度45℃，干燥时间20h，干燥即得磺丁基-β-环糊精修饰二氧化钛。
Claims (6)
1.一种磺酸基环糊精衍生物，其化学结构如下：
其中，R＝OH or O(CH2)xSO3Na，x＝1-5；n＝6、7、8。
2.一种磺酸基环糊精衍生物修饰纳米二氧化钛的制备方法，其特征在于，该方法是权利要求1所述磺酸基环糊精衍生物与二氧化钛前驱体反应，生成目标产物，所述方法步骤如下：
(1)磺酸基环糊精修饰二氧化钛的制备：
将二氧化钛前驱体加入到磺酸基环糊精中，再加入溶剂，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜，反应结束后即得粗产品；
(2)磺酸基环糊精修饰二氧化钛粗产品的提纯：
将得出的粗产品抽滤，用水洗涤，再用乙醇洗涤，干燥即得磺酸基环糊精修饰二氧化钛。
3.根据权利要求2所述的一种磺酸基环糊精衍生物修饰纳米二氧化钛的制备方法，其特征在于：步骤(1)中磺酸基环糊精的质量为5mg～100mg，溶剂与二氧化钛前驱体的体积比为10～60:1，反应温度80～150℃，反应时间为4～6h。
4.根据权利要求2所述的一种磺酸基环糊精衍生物修饰纳米二氧化钛的制备方法，其特征在于：步骤(2)中蒸馏水和乙醇各洗涤的次数为二次以上，干燥温度40～80℃，干燥时间至少5h。
5.根据权利要求2-4任一项所述的一种磺酸基环糊精衍生物修饰纳米二氧化钛的制备方法，其特征在于：步骤(1)所述磺酸基环糊精中的环糊精为α、β或γ-环糊精；磺酸基是磺基、磺乙基、磺丙基、磺丁基或磺戊基等。
6.根据权利要求2-4任一项所述的一种磺酸基环糊精衍生物修饰纳米二氧化钛的制备方法，其特征在于：步骤(1)所述二氧化钛前驱体为钛酸四丁酯、钛酸四异丙酯或四氯化钛；溶剂是H2O或醇氧化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910870236.3A CN110575826A (zh) | 2019-09-16 | 2019-09-16 | 一种磺酸基环糊精衍生物及其修饰的纳米二氧化钛的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910870236.3A CN110575826A (zh) | 2019-09-16 | 2019-09-16 | 一种磺酸基环糊精衍生物及其修饰的纳米二氧化钛的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110575826A true CN110575826A (zh) | 2019-12-17 |
Family
ID=68811332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910870236.3A Pending CN110575826A (zh) | 2019-09-16 | 2019-09-16 | 一种磺酸基环糊精衍生物及其修饰的纳米二氧化钛的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110575826A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113649070A (zh) * | 2021-09-27 | 2021-11-16 | 长春工业大学 | 一种β-CD-AuNS@TiO2复合光催化剂的制备及其应用 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1698961A (zh) * | 2005-04-05 | 2005-11-23 | 陕西师范大学 | 键合有羧甲基－β－环糊精的二氧化钛光催化剂 |
| CN101081307A (zh) * | 2007-06-20 | 2007-12-05 | 大连理工大学 | 一种提高光催化空气净化效果的方法 |
| US20090270348A1 (en) * | 2008-04-28 | 2009-10-29 | Antle Vincent | Sulfoalkyl Ether Cyclodextrin Compositions |
| CN103752348A (zh) * | 2014-02-20 | 2014-04-30 | 华东理工大学 | 一种磁性复合光催化剂 |
| US20160326270A1 (en) * | 2014-01-10 | 2016-11-10 | Asymchem Laboratories (Tianjin) Co., Ltd | METHOD FOR PREPARING SULFOBUTYL ETHER-ß-CYCLODEXTRIN |
-
2019
- 2019-09-16 CN CN201910870236.3A patent/CN110575826A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1698961A (zh) * | 2005-04-05 | 2005-11-23 | 陕西师范大学 | 键合有羧甲基－β－环糊精的二氧化钛光催化剂 |
| CN101081307A (zh) * | 2007-06-20 | 2007-12-05 | 大连理工大学 | 一种提高光催化空气净化效果的方法 |
| US20090270348A1 (en) * | 2008-04-28 | 2009-10-29 | Antle Vincent | Sulfoalkyl Ether Cyclodextrin Compositions |
| US20160326270A1 (en) * | 2014-01-10 | 2016-11-10 | Asymchem Laboratories (Tianjin) Co., Ltd | METHOD FOR PREPARING SULFOBUTYL ETHER-ß-CYCLODEXTRIN |
| CN103752348A (zh) * | 2014-02-20 | 2014-04-30 | 华东理工大学 | 一种磁性复合光催化剂 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 宋爱晶等: "一步法合成药用生物材料磺烷基醚-β-环糊精衍生物", 《科学通报》 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113649070A (zh) * | 2021-09-27 | 2021-11-16 | 长春工业大学 | 一种β-CD-AuNS@TiO2复合光催化剂的制备及其应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105170097B (zh) | 一种TiO2/ZIF‑8核壳结构纳米复合材料及其制备方法 | |
| CN107159295B (zh) | 一种可见光催化降解有机污染物的反蛋白石材料及其制备方法 | |
| CN105170173B (zh) | 一种钙钛矿材料/有机聚合物复合光催化剂、制备及应用 | |
| KR20200032537A (ko) | 광촉매용 구형 이산화 티타늄/카본 나이트라이드 복합체의 제조방법 | |
| CN111185210B (zh) | 二碳化三钛/二氧化钛/黑磷纳米片复合光催化剂及其制备方法和应用 | |
| CN112958061B (zh) | 一种氧空位促进直接Z机制介孔Cu2O/TiO2光催化剂及其制备方法 | |
| CN108940281B (zh) | 一种新型纳米光催化材料Ag2MoO4-WO3异质结的制备方法 | |
| CN110586183A (zh) | 一种利用超临界二氧化碳制备TiO2/COF催化材料的方法 | |
| KR20210135455A (ko) | 중공사형 광촉매 및 이의 제조방법 | |
| CN112619671A (zh) | 一种二元复合纳米催化剂及其制备方法和应用 | |
| CN112844384A (zh) | 一种基于二氧化钛/铜复合薄膜的光催化器件及其制备方法和应用 | |
| CN110575826A (zh) | 一种磺酸基环糊精衍生物及其修饰的纳米二氧化钛的制备方法 | |
| CN113751036B (zh) | 一种m型异质结半导体及其制备方法和应用 | |
| CN108772077B (zh) | 一种AgIO3/Ag2O异质结光催化材料及其制备方法和应用 | |
| CN112354559B (zh) | 一种二维受体分子/多级孔TiO2复合光催化剂及其制备方法和光催化应用 | |
| CN113694946A (zh) | 一种核壳结构的Bi2O2CO3@rGO光催化剂及其制备方法及应用 | |
| CN111821967B (zh) | 一种异质结二氧化钛复合光催化剂及其制备方法 | |
| KR101811017B1 (ko) | 광촉매용 중형기공 구형 이산화 티타늄/다중벽 탄소나노튜브 복합체의 제조방법 | |
| KR101943921B1 (ko) | 질소도핑된 TiO2/그래핀 복합체의 제조 방법 | |
| CN107469817A (zh) | 银纳米棒‑二氧化钛复合材料及其制备方法与用途 | |
| CN109078644B (zh) | 石墨烯负载Bi-BiOCl-TiO2光催化剂及制法 | |
| CN115025766B (zh) | 一种共掺杂介孔二氧化钛/碳纳米管催化剂及其制备方法 | |
| CN108404948B (zh) | 一种(BiO)2CO3-BiO2-x复合光催化剂及其制备方法和应用 | |
| CN113559856B (zh) | 一种钛酸钡/碘酸银异质结光催化剂的制备方法 | |
| CN111604090B (zh) | 一种pi修饰钨酸铋混晶复合材料及其制备方法和应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20191217 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |