CN110571321A - 电子装置 - Google Patents

电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110571321A
CN110571321A CN201910104660.7A CN201910104660A CN110571321A CN 110571321 A CN110571321 A CN 110571321A CN 201910104660 A CN201910104660 A CN 201910104660A CN 110571321 A CN110571321 A CN 110571321A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electronic device
signal
conductive
disposed
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910104660.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110571321B (zh
Inventor
蔡文樟
毛立维
曾名骏
张启良
徐怡华
郑盟杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Innolux Corp
Original Assignee
Innolux Display Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Innolux Display Corp filed Critical Innolux Display Corp
Priority to US16/402,289 priority Critical patent/US11013111B2/en
Priority to KR1020190059614A priority patent/KR20190138578A/ko
Priority to EP19176094.1A priority patent/EP3579272A1/en
Publication of CN110571321A publication Critical patent/CN110571321A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110571321B publication Critical patent/CN110571321B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

电子装置包含第一基板、第一导电层、多个第一电极垫、多个第一电极垫、多个第一发光单元、多个第一信号垫以及导电结构。第一导电层设置于第一基板上，第一电极垫设置于第一导电层上，第一发光单元重叠设置于第一电极垫上，且分别与第一电极垫电性连接。第一信号垫设置于第一导电层上且电性连接于第一导电层。导电结构设置于第一信号垫上，且第一信号垫的至少两者透过导电结构电性连接。

Description

电子装置
技术领域
本申请是关于电子装置，特别是关于具有导电结构的电子装置。
背景技术
随着科技进步，部分的电子装置有大尺寸、高解析度、轻薄化或窄边框等 需求，甚至需应用于拼接电子装置上，而目前的电子装置仍有很多部分需要持 续改善，故如何提升上述需求已成为现今探讨的项目。
发明内容
一般设置于阵列(array)基板的导电层的厚度较薄，故阻抗较高，可能会 有信号传递不均匀的问题。一般会透过增加电路板的数量来解决上述问题，因 而提高成本费用，而由于阵列基板上须预留空间设置电路板，故难以达到窄边 框的需求，因此本申请提出一些实施例可以降低上述问题。
根据一些实施例，提供一种电子装置。电子装置包含第一基板、第一导电 层、多个第一电极垫、多个第一电极垫、多个第一发光单元、多个第一信号垫 以及一导电结构。第一导电层设置于第一基板上。第一电极垫设置于第一导电 层上。第一发光单元重叠设置于第一电极垫上，且分别与第一电极垫电性连接。 第一信号垫设置于第一导电层上且电性连接于第一导电层。导电结构设置于第 一信号垫上，第一信号垫的至少两者透过导电结构电性连接。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发 明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1显示一实施例的电子装置的俯视图。
图2显示一实施例的拼接电子装置的俯视图。
图3显示实施例的拼接电子装置沿着图2的A-A’与B-B’剖面线剖面示意 图。
图4显示又一实施例的电子装置的俯视图。
图5显示电子装置沿着图4的C-C’剖面线的剖面示意图。
图6显示又一实施例的电子装置的俯视图。
图7显示电子装置沿着图6的C1-C1’剖面线的剖面示意图。
图8显示一实施例的电子装置的俯视图。
图9显示本发明一实施例的电子装置的俯视图。
图10显示一实施例的拼接式电子装置的俯视图。
图中元件标号说明：
1、101～拼接电子装置
100、100’、102、102’、103、104～电子装置
11～第一基板
11-1、12-1～第一区
11-2、12-2～第二区
12～第二基板
21～第一导电层
22～第二导电层
31～第一电极垫
32～第二电极垫
41～第一发光单元
42～第二发光单元
51～第一信号垫
52～第二信号垫
60、60’～导电结构
61、61’～第一部分
62、62’～第二部分
61-1、61-2～区块
70、71、72、73～电路板
80～导电垫
A-A’、B-B’、C-C’、C1-C1’～剖面线
CL～保护层
DL～介电层
IL～绝缘层
LL～线路层
LS～线路结构
O～开口
S～间隙
SL～信号线
SL1～第一信号线
SL2～第二信号线
T、T1、T2、T3、T4～厚度
TG～拼接缝
W～宽度
X、Y、Z～方向
具体实施方式
以下提供不同实施例，各元件和其配置的具体范例描述如下，但这些仅是 范例，并非用以限定本发明。举例而言，叙述中若提及第一元件设置于(或形 成于)第二元件上，可能包含第一元件和第二元件直接接触的实施例，也可能 包含额外的部件设置于(或形成于)第一元件和第二元件之间，即第一元件和 第二元件不直接接触的实施例。叙述中若提及第一元件电性连接第二元件，可 包含第一元件和第二元件直接电性连接，也可包含额外的部件电性连接在第一 元件和第二元件之间，即第一元件和第二元件可透过额外的部件电性连接。
此外，本发明实施例可能在不同的范例中重复参考数字及/或字母，如此重 复是为了简明和清楚，而非用以表示所讨论的不同实施例及/或形态之间的关系。
再者，空间上相关的用语，例如“在…之下”、“在…之上”和其他类 似用语可用于此，使描述附图中所示的一元件与其他元件之间的关系更容易。 此空间上相关的用语意欲包含除附图中描绘的定位外，使用或操作中的装置的 不同定位。设备可以其他方式定位(旋转90度或其他定位)，且在此使用的 空间相关描述可同样依此解读。
此外，本发明附图中的元件比例仅为示意，举例来说，元件的尺寸(包含 长、宽、或高)不应以附图中所绘示的比例为限。再者，本申请中所述的电子 装置可包括显示装置、发光装置、检测装置、触控装置或其它合适装置，但本 申请实施例并非以此为限。
图1显示一实施例的电子装置100的俯视图。图2显示一实施例的拼接电 子装置101的俯视图。图3显示实施例的拼接电子装置101沿着图2的A-A’ 与B-B’剖面线的剖面示意图。图1所示的实施例中，电子装置100例如包含一 基板，而图2所示的实施例中，拼接电子装置101例如包含多个基板。须注意 的是，除了导电结构之外，电子装置100的基板与拼接电子装置101的多个基 板上所设置的各种元件(或层别)彼此的对应关系或材料相同或相似，上述提 及的元件(或层别)包括导电层、电极垫、发光单元、信号垫或其他合适的元件(或层别)，详细参考后续(图1至图3)的实施例说明，故图1所示的电 子装置100的剖面示意图也可参照图3所示的剖面示意图。
参照图1、图3，电子装置100包含第一基板11、第一导电层21、多个第 一电极垫31、多个第一发光单元41、多个第一信号垫51以及导电结构60。第 一导电层21可分别与多个第一电极垫31及多个第一信号垫51电性连接。第 一基板11例如为阵列基板，第一导电层21例如设置于(或形成于)第一基板 11上。在一些实施例中，第一导电层21例如作为传递电压(或电位)信号的 导电线。第一导电层21的材料可包括金属(例如，铜、钼、铝、钨、金、铬、镍、铂、钛)、合金(例如，上述金属的合金)、透明导电材料、其他合适导 电材料或其组合，但不限于此。透明导电材料例如包括铟锡氧化物(ITO)、 氧化锡(TO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、 氧化锑锡(ATO)、氧化锑锌(AZO)，但不限于此。第一导电层21可例如 为单层材料、多层材料或复合材料。在一些实施例中，第一电极垫31设置于 第一导电层21上，第一发光单元41重叠设置于第一电极垫31上，且分别与 第一电极垫31电性连接。详细来说，第一发光单元41的阴极(及/或阳极)可 例如透过第一电极垫31与第一导电层21电性连接，第一电极垫31例如作为 发光单元的焊垫(pad)。在一些实施例中，第一发光单元41可包括发光二极 管(light-emitting diode,LED)、微型发光二极管(包括microLED、mini-LED)、 量子点发光二极管(quantum dot light-emitting diode,QLED/QDLED)、量子点 或其它合适的部件，但不限于此。在一些实施例，第一发光单元41可包括有 机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)，但不限于此。
如图3所示，在一些实施例中，多个第一信号垫51设置于第一导电层21 上且电性连接于第一导电层21，导电结构60设置于多个第一信号垫51上，多 个第一信号垫51的至少两者透过导电结构60电性连接。举例来说，如图1和 图3所示，于Z方向(即第一基板11的法线方向)上，多个第一信号垫51例 如设置于导电结构60与第一导电层21之间，导电结构60透过多个第一信号 垫51与第一导电层21电性连接。在一些实施例中，于Z方向上，导电结构60 例如重叠于至少部分第一信号垫51。
如图1所示，在一些实施例中，导电结构60例如电性连接于电路板70或 电压信号供应线路(图未示)。电路板70例如包括柔性印刷电路板(flexible printed circuit,FPC)、薄膜覆晶封装基板(chip on film,COF)或硬性电路板 (Printed Circuit Board,PCB)，但不限于此。在一些实施例中，电路板70例 如透过导电垫80(见图3)与第一导电层21电性连接。详细来说，电路板70 例如设置于第一基板11上，经由电路板70所传递(或提供)的至少一电压信 号例如透过导电结构60传递至第一导电层21，而此至少一电压信号例如经由 第一导电层21传递至第一发光单元41。第一发光单元41例如根据所接收到的 电压信号来调制是否发光或是发光的亮度，但不限于此。上述的电位电压信号 例如包括工作电压(VDD)、源极电源电压(VSS)、偏置电压(bias voltage)、 重置电压(reset voltage)、接地电压(GND)、其他合适的电压信号，但不限 于此。
在一些实施例中，第一信号垫51作为电源焊垫(power pad)，但不限于 此。在一些实施例中，第一电极垫31的材料与第一信号垫51的材料相同或不 同。在一些实施例中，第一电极垫31的材料(或第一信号垫51的材料)例如 包括镍、铜、金、锡、银、其他合适导电材料、上述合金或其组合，但不限于 此。需注意的是，第一信号垫51与第一导电层21的连接关系并不仅限于图3 所绘示，第一信号垫51与第一导电层21之间可能设有其它合适的导电元件。
在一些实施例中，透过设置阻抗小导电结构60电路板70所传递(或提供) 的至少一电压信号传递至发光单元(例如第一发光单元41)，可提升电压信号 的传递效率，或可减少电路板70所须设置的数量。举例来说，如图3所示， 可透过提高导电结构60的厚度T，或者选用具有低阻抗的导电结构60材料(例 如，金、银、铜)来降低导电结构60的阻抗，但不限于此。此外，如图3所 示，在一些实施例中，导电结构60的厚度T可大于或等于第一导电层21的厚 度T2，但不限于此。导电结构60的厚度T定义为于Z方向上，导电结构60 的最大厚度，而第一导电层21的厚度T2定义为于Z方向上，第一导电层21 的最小厚度。上述厚度的详细测量方式会于后续进行说明。
如图1所示，在一些实施例中，第一基板11可区分为第一区11-1及第二 区11-2，第一区11-1例如邻近于(或环绕于)第二区11-2。第一区11-1可为 非操作区(或非显示区)，而第二区11-2可为操作区(或显示区)。如图1所 示，在一些实施例中，最外侧的多个第一发光单元41可例如分别具有与第一 基板11的边缘最邻近的侧边，此些侧边(或侧边的延伸线)相连接可框出一 区域(如图1中所示的虚线框)，在此区域内(即图1中所示的虚线框以内)的区域定义为第一基板11的第二区11-2，而其余区域(即图1中所示的虚线 框以外)定义为第一基板11的第一区11-1。举例来说，当第一发光单元41为 发光二极管、微型发光二极管及量子点发光二极管的至少其中一者时，第一发 光单元41的轮廓例如定义为整个第一发光单元41于Z方向上投影至第一基板 11的表面边界(但不限于此)，以此轮廓来获得第一发光单元41最邻近第一 基板11边缘的侧边。或者，第一发光单元41的轮廓例如定义为第一发光单元 41所包含的层别(或元件)中，最上层元件投影至第一基板11的表面边界(但 不限于此)，以此轮廓来获得第一发光单元41最邻近第一基板11边缘的侧边， 其中第一发光单元41可包含阴极电极、阳极电极或发光层，但不限于此。
在一些实施例中(图未示)，当第一发光单元41为有机发光二极管时， 第一发光单元41的边界例如以像素定义层(pixel defining layer,PDL)来定义， 但不限于此。举例来说，像素定义层(图未示)例如设置于第一基板11上， 且像素定义层可有多个开口，而第一发光单元41例如分别对应或重叠于像素 定义层的开口中。像素定义层的开口可具有邻近于第一基板11的开口表面(例 如下表面)，此表面投影至第一基板11的表面边界定义为第一发光单元41的 轮廓(但不限于此)，以此轮廓来获得第一发光单元41最邻近第一基板11边 缘的侧边。
如图1所示，多个第一发光单元41例如对应(或重叠于)第一基板11的 第二区11-2设置，即多个第一发光单元41设置于第二区11-2中，而导电结构 60例如对应(或重叠于)第一基板11的第一区11-1设置，即导电结构60设 置于第一区11-1中。在一些实施例中，第一信号垫51例如对应(或重叠于) 第一区11-1设置，即第一信号垫51设置于第一区11-1中，但不限于此。
如图1所示，在一些实施例中，导电结构60具有至少一开口O，且于Z 方向上，开口O可对应(或重叠于)第二区11-2；或者，开口O可重叠于至 少一第一发光单元41。在一些实施例中，导电结构60可至少部分重叠于至少 一第一发光单元41。
参照图2、图3，电子装置101例如为拼接的电子装置。电子装置101包 含第一基板11、第一导电层21、多个第一电极垫31、多个第一发光单元41、 多个第一信号垫51以及导电结构60。此外，电子装置101更包含第二基板12、 第二导电层22、多个第二电极垫32、多个第二发光单元42以及多个第二信号 垫52。第二基板12例如为阵列基板。第二导电层22设置于(或形成于)第二 基板12上，第二导电层22例如与多个第二电极垫32及多个第二信号垫52电 性连接。第二导电层22、第二电极垫32及第二信号垫52的材料可分别与第一 导电层21、第一电极垫31及第一信号垫51的材料相同或不同。
如图3所示，在一些实施例中，第二电极垫32设置于第二导电层22上， 第二发光单元42重叠设置于第二电极垫32上，且分别与第二电极垫32电性 连接。第二电极垫32例如可作为第二发光单元42的焊垫，第二发光单元42 透过第二电极垫32与第二导电层22电性连接。
如图3所示，在一些实施例中，多个第二信号垫52设置于第二导电层22 上且电性连接于第二导电层22。导电结构60设置于多个第二信号垫52上，多 个第二信号垫52的至少两者透过导电结构60电性连接。举例来说，如图2和 图3所示，于Z方向(即第二基板12的法线方向)上，多个第二信号垫52例 如设置于导电结构60与第二导电层22之间，导电结构60透过第二信号垫52 与第二导电层22电性连接。在一些实施例中，于Z方向上，导电结构60例如 重叠于至少部分第二信号垫52。
另外，类似于第一基板11，第二基板12可区分为第一区12-1及第二区12-2， 第一区12-1例如邻近(或环绕于)于第二区12-2。第二基板12的第一区12-1 可为非操作区(或非显示区)，第二基板12的第二区12-2可为操作区(或显 示区)。第二基板12的第一区12-1及第二区12-2的定义方式与第一基板11 的第一区11-1及第二区11-2相同，在此不再重复叙述。如图2所示，多个第 二发光单元42例如对应(或重叠于)第二基板12的第二区12-2设置，即多个 第二发光单元42设置于第二区12-2中，而导电结构60例如对应(或重叠于) 第二基板12的第一区12-1，即导电结构60设置于第一区12-1中，但不限于此。 在一些实施例中，第二信号垫52例如对应(或重叠于)第一区12-1设置，即 第二信号垫52设置于第一区12-1中，但不限于此。
如图2所示，在一些实施例中，于Z方向上，导电结构60的开口O例如 对应(或重叠于)第二区11-2及/或第二区12-2；或者，开口O可重叠于至少 一第一发光单元41及/或至少一第二发光单元42。在一些实施例中，导电结构 60可至少部分重叠于至少一第二发光单元42。
在一些实施例中，电路板70例如透过导电结构60与多个第二信号垫52 的至少一者及多个第一信号垫51的至少一者电性连接。详细来说，经由电路 板70所传递(或提供)的至少一电压信号例如透过导电结构60传递至第二导 电层22及/或第一导电层21，而此至少一电压信号例如经由第二导电层22传 递至第二发光单元42，且此至少一电压信号例如经由第一导电层21传递至第 一发光单元41，但不限于此。第二信号垫52例如作为连接于导电结构60与第 二导电层22之间的焊垫。在一些实施例，第二信号垫52作为电源焊垫(powerpad)，但不限于此。
如图2及图3所示，在一些实施例中，除了导电结构之外，第二基板12 上所设置的各种元件(或层别)彼此的对应关系或材料相同或相似于第一基板 11，上述提及的元件(或层别)包括导电层、电极垫、发光单元、信号垫或其 他合适的元件(或层别)。
须注意的是，电子装置101虽仅举例为四个基板，但不限于此，本申请的 电子装置可例如具有更多或更少的基板数量的拼接的电子装置。此外，本申请 的附图中所绘示的基板(包括第一基板11或第二基板12)、发光单元(包括 第一发光单元41或第二发光单元42)、信号垫(包括第一信号垫51或第二信 号垫52)或其他元件的数量与排列方式仅为举例，本申请并未以此为限。另外， 本申请的附图中所绘示的基板(包括第一基板11或第二基板12)虽然绘制为 矩形，但仅为举例，在一些实施例中，基板(包括第一基板11或第二基板12) 的外型可以具有弧边形、多边形、钝角形、锐角形或不规则外型等。再者，电 路板70的数量、设置位置以及电路板70与导电结构60电性连接的方式也未 限定于图1、图2所示的实施例。在一些实施例中，电路板70可与导电结构 60直接接触而电性连接；或者，电路板70与导电结构60可透过其它导电元件 (例如线路结构LS)而电性连接，将于后续图6至图7所示的实施例中说明。
在一些实施例中，导电结构60可例如透过喷印、张网技术制作，并以压 合、焊接、激光加热固定等方式设置于第一信号垫51与第二信号垫52上，但 不限于此。
如图3所示，在一些实施例中，电子装置101(或电子装置100)可包含 保护层CL，保护层CL例如设置于导电结构60上。在一些实施例中，保护层 CL可覆盖于导电结构60上，且未与发光单元(包括第一发光单元41与第二 发光单元42)重叠，但不限于此。在一些实施例中，保护层CL例如覆盖于部 分绝缘层IL上，其中绝缘层IL可设置于第一导电层21及第一发光单元41之 间，或者绝缘层IL可设置于第二导电层22及第二发光单元42之间，但不限于此。在一些实施例中，保护层CL的材料可包括吸收材料、遮蔽光材料、具缓 冲特性的材料、具保护特性的材料或上述的组合，但不限于此。在一些实施例 中，保护层CL的材料例如可具有防水、防静电、或防污的功效。在一些实施 例中，保护层CL可为单层材料、复合材料或多层材料。在一些实施例中，保 护层CL的厚度T4可小于或等于导电结构60的厚度T。在其他实施例中，保 护层CL的厚度T4可大于或等于导电结构60的厚度T。保护层CL的厚度T4 定义为于Z方向上，保护层CL的最小厚度。在一些实施例中，若保护层CL 的材料为透明材料，保护层CL可例如部分重叠或不重叠于发光单元。
图4显示又一实施例的电子装置102的俯视图。图5显示电子装置102沿 着图4的C-C’剖面线的剖面示意图。图4类似于图1的实施例，第一基板11 可区分为第一区11-1及第二区11-2，多个第一发光单元41对应第二区11-2设 置。不同的是，电子装置102的导电结构60对应(重叠于)第一区11-1与第 二区11-2设置，即导电结构60可设置于第一区11-1与第二区11-2中。
如图4、图5所示，在一些实施例中，导电结构60可区分为第一部分61 与第二部分62，第一部分61例如对应(或重叠于)第一区11-1设置，即第一 部分61设置于第一区11-1中，而第二部分62例如对应(或重叠于)第二区 11-2设置，即第二部分62设置于第二区11-2中。
在一些实施例中，导电结构60的第二部分62具有至少一信号线SL。在 图4中，第二部分62的信号线SL例如沿X方向延伸，但不限于此。在其他实 施例(如后续图9)中，第二部分62的信号线SL例如沿Y方向或其它方向延 伸。在一些实施例中，信号线SL的材料包括低阻抗导电材料，但不限于此。 在一些实施例中，信号线SL的材料可包括金属(包括金、银、铜等)、合金 或其他合适的材料，但不限于此。在一些实施例中，信号线SL可包括单层材 料、多层材料或复合层材料。
如图5所示，在一些实施例中，信号线SL的厚度T1可大于或等于第一导 电层21的厚度T2。在一些实施例中，导电结构60的第一部分61的厚度T可 与信号线SL的厚度T1相同或不同。在一些实施例中，导电结构60的第一部 分61的材料可与第二部分62(例如，信号线SL)的材料相同或不同。举例来 说，如图5所示，在一些实施例中，导电结构60的第一部分61的材料与信号 线SL相同，此时导电结构60的第一部分61的厚度T可与信号线SL的厚度 T1大致相同，但不限于此。在一些实施例中，导电结构60的第一部分61与信 号线SL可于相同制程下制作。在一些实施例中，导电结构60的第一部分61 可与第二部分62连接或接触。
如图5所示，在一些实施例中，导电结构60的第二部分62的信号线SL 的宽度W例如小于或等于第一发光单元41中的相邻两者的间隙S。宽度W定 义为于垂直于信号线SL延伸方向上，信号线SL的最大宽度。举例来说，如图4及图5所示，信号线SL沿X方向延伸，故宽度W定义为于Y方向上，信号 线SL的最大宽度，其中Y方向垂直于X方向及Z方向。间隙S定义为于垂直 于信号线SL延伸方向上，第一发光单元41中的相邻两者的最小间隙。举例来 说，如图4及图5所示，信号线SL例如沿X方向延伸，故间隙S定义为于Y 方向上，第一发光单元41中的相邻两者的最小间隙。
在一些实施例中，导电结构60的第二部分62的信号线SL的宽度W与第 一发光单元41中的相邻两者的间隙S的比值(W/S)介于0.05至0.95之间(0.05 ≦W/S≦0.95)。在一些实施例中，W/S可介于0.05至0.4之间(0.05≦W/S≦ 0.4)，或者可介于0.4至0.7之间(0.4≦W/S≦0.7)，或者可介于0.7至0.95 之间(0.7≦W/S≦0.95)。
须注意的是，若导电结构60的第二部分62的信号线SL的宽度W太窄， 可能导致阻抗过大，使电压信号无法均匀传递至各发光单元。而若第二部分62 的信号线SL的宽度W大于间隙S，可能会遮蔽到部分的第一发光单元41(及 /或第二发光单元42)所发出的光，进而影响发光的亮度，因此，将W/S设计 介于上述范围，可使电压信号较均匀的传递至发光单元，或较不会影响发光亮 度。
须注意的是，宽度W及间隙S可例如以光学显微镜(optical microscopy,OM) 拍摄或观察局部区域，将画面调控到至少需包含两个第一发光单元41与一条 信号线SL，并测量画面中的信号线SL的最大宽度来获得宽度W，而第一发光 单元41中的相邻两者的最小间隙来获得间隙S，但不限于此。宽度W或间隙 S亦可例如以扫描式电子显微镜(scanningelectron microscope,SEM)观察局部 剖视切面(例如图5显示的沿着图4的C-C’剖面线的剖视切面，但不限于此)， 并测量于此局部剖视切面中，信号线SL的最大宽度来获得宽度W，或第一发 光单元41中的相邻两者的最小间隙来获得间隙S，但不限于此。
如图5所示，导电结构60的第二部分62的信号线SL具有厚度T1，而第 一导电层21具有厚度T2。在一些实施例中，厚度T1与厚度T2的比值介于10 至300之间(10≦T1/T2≦300)，但不限于此。在一些实施例中，厚度T1与 厚度T2的比值介于10至200之间(10≦T1/T2≦200)。在一些实施例中，厚 度T1与厚度T2的比值介于10至100之间(10≦T1/T2≦100)。在一些实施 例中，厚度T1大于或等于厚度T2。信号线SL的厚度T1定义为于Z方向上， 信号线SL的最大厚度，而第一导电层21的厚度T2定义为于Z方向上，第一 导电层21的最小厚度。
在一些实施例中，第一导电层21的厚度T2可介于1μm至10μm之间(1 μm≦T2≦10μm)。在一些实施例中，厚度T2可介于1μm至2μm之间(1μm ≦T2≦2μm)，又或者介于5μm至10μm之间(5μm≦T2≦10μm)。信号 线SL的厚度T1可介于100μm至300μm之间(100μm≦T1≦300μm)。在 一些实施例中，厚度T1可介于100μm至200μm之间(100μm≦T2≦200μm)， 又或者介于200μm至300μm之间(200μm≦T2≦300μm)。如图5所示， 在一些实施例中，第一信号垫51具有厚度T3，信号线SL的厚度T1与第一信 号垫51的厚度T3的比值介于0.05至100之间(0.05≦T1/T3≦100)，但不限 于此。在一些实施例中，厚度T1与厚度T3的比值介于0.5至50之间(0.5≦ T1/T3≦50)。须注意的是，上述元件的厚度可例如以扫描式电子显微镜观察 局部剖视切面(例如图5显示的沿着图4的C-C’剖面线的剖视切面，但不限 于此)，并测量于此局部剖视切面中相对应的元件(或层叠)如上所定义的厚 度(但不限于此)，或者可透过其他合适的测量方法来测量。
图6显示又一实施例的电子装置102’的俯视图。图7显示电子装置102’ 沿着图6的C1-C1’剖面线的剖面示意图。图6类似于图4的实施例，不同的是， 图6所示的电子装置102’更包括线路结构LS，线路结构LS可对应(重叠于) 第一基板11的第一区11-1设置。如图7所示，在一些实施例中，线路结构LS 例如设置于导电结构60的第一部分61下，且第一部分61透过线路结构LS与 电路板70的导电垫80电性连接，但不限于此。在一些实施例中，线路结构LS 例如设置于导电结构60的第一部分61下，且导电结构60透过线路结构LS与 电压信号供应线路(图未示)电性连接，但不限于此。如图7所示，在一些实 施例中，线路结构LS例如为复合层结构，其可包括至少一介电层DL和至少 一线路层LL，线路层LL与电路板70的导电垫80(电性)连接，但不限于此。
图8显示一实施例的电子装置103的俯视图。为了便于说明，图8中可能 省略部分元件。图8所示的电子装置103相似于图4所示的电子装置102，其 中之一的差异为，电子装置103的导电结构60可为叉指形(interdigitated)， 举例来说，导电结构60包括第一部分61与第二部分62，第一部分61可分为 区块61-1及区块61-2，而第二部分62的信号线可包括至少一第一信号线SL1 与至少一第二信号线SL2，但不限于此。
如图8所示，在一些实施例中，第一信号线SL1及第二信号线SL2例如沿 X方向上延伸，但不限于此。在一些实施例中，第一信号线SL1及第二信号线 SL2例如彼此交错设置，即第一信号线SL1与第二信号SL2于Z方向上不重叠， 但不限于此。在一些实施例中，第一信号线SL1的材料可与第二信号线SL2的 材料相同或不同。在一些实施例中，第一信号线SL1例如连接于第一部分61 的区块61-1，且透过区块61-1电性连接至电路板71(或电压信号供应线路)， 但不限于此。在一些实施例中，第二信号线SL2例如连接于与第一部分61的 区块61-2，且透过区块61-2电性连接至电路板72(或电压信号供应线路)， 但不限于此。
在一些实施例中，电路板71与电路板72例如用以提供或传递相同或不同 的电压信号(或电位信号)。举例来说，电路板71可例如用于提供或传递工 作电压(VDD)，而电路板72可用于提供或传递源极电源电压(VSS)或接地 电压，但不限于此。在本实施例中，区块61-1及区块61-2彼此电性绝缘。
在一些实施例中，电子装置103可进一步包括至少一电路板73，电路板 73例如设置于第一基板11上。详细来说，如图8所示，电路板73的导电垫(图 未示)可与第一基板11上的导电垫(图未示，不同于第一信号垫51及第一电 极垫31的导电垫)电性连接，而电路板73的导电垫可直接电性连接或透过异 方性导电膜(anisotropic conductive film,ACF)与第一基板11上的导电垫电性 连接。在一些实施例中，电路板73例如用于传递扫描电压或数据电压，但不 限于此。
图9显示一实施例的电子装置104的俯视图。为了便于说明，图9中可能 省略部分元件。图9所示的电子装置104相似于图4所示的电子装置102，其 中之一的差异为，电子装置104的导电结构60的第二部分62可包括沿X方向 延伸的信号线SL及沿Y方向延伸的信号线SL，即第二部分62的信号线SL 可例如具有网格结构，但不限于此。透过此种导电结构60设计可提高电子装 置的发光(或显示)均匀性。在一些实施例中，导电结构60的第二部分62可 包括沿其他方向延伸的信号线SL。在一些实施例中，导电结构60的第二部分 62可例如具有其他合适的不规则的外形结构。如图9所示，在一些实施例中， 第一发光单元41中的其中一者可例如对应连接至少一第一信号垫51。在一些 实施例中，不同的第一发光单元41所对应连接的第一信号垫51的数量或设置 位置可以相同或不同。
图10显示一实施例的拼接电子装置1的俯视图。如图10所示，拼接电子 装置1可例如由多个电子装置100’所组成。举例来说，电子装置100’例如具有 与图1所示的电子装置100、图4所示的电子装置102、图6所示的电子装置 102’、图8所示的电子装置103或图9所示的电子装置104类似的结构，但排 除导电结构60。
如图10所示，在一些实施例中，拼接电子装置1的导电装置60’可区分为 第一部分61’与第二部分62’，第一部分61’例如对应(或重叠于)非操作区(或 非显示区)设置，第二部分62’例如对应(或重叠于)操作区(或显示区)设 置。在一些实施例中，导电装置60’的第二部分62’及第一部分61’的材料相同 或相似于导电结构60的第二部分62及第一部分61的材料，在此不再重复叙 述。导电装置60’的第一部分61’的材料可例如与第二部分62’的材料相同或不 同。
如图10所示，在一些实施例中，导电装置60’的第一部分61’可对应(或 重叠于)两基板的拼接缝TG之间，且第一部分61’例如电性连接于第二部分 62’中的至少一信号线SL及电路板70之间。详细来说，第一部分61’例如与电 路板70(例如电路板70的导电垫80)电性连接，且传递电压信号至第二部分 62’的信号线SL(或电压信号供应线路)，且由于信号线SL对应(或重叠于) 且电性连接不同基板上的信号垫(例如，前述的第一信号垫51或第二信号垫 52)，故电压信号例如透过第二部分62’的信号线SL传递至不同基板上的发光 单元(例如，前述的第一发光单元41或第二发光单元42)，但不限于此。透 过此种电路结构60’设计，可提高信号的传输效率，或可减少电路板70(或电 压信号供应线路)的设置。
由于在一般的拼接电子装置中，不同基板之间可能需要分别设置及电性连 接个别的电路板，且因电路板须占用基板的部分空间，故可能导致拼接缝过大 的问题。但本实施例的电子装置(或拼接电子装置)可以减少上述问题。
在一些实施例中，导电结构60’(或导电结构60)上可例如设置(或涂布) 保护材料(可参考图3的保护材料CL)、遮蔽材料、其他合适材料或上述的 组合。遮蔽材料可例如用以遮蔽基板之间的拼接缝，而保护材料可例如用以减 少遮蔽材料之间彼此碰撞、提高电子装置的良率。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本 领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善， 因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims (10)

1.一种电子装置，包括：
一第一基板；
一第一导电层，设置于该第一基板上；
多个第一电极垫，设置于该第一导电层上；
多个第一发光单元，重叠设置于该多个第一电极垫上，且分别与该多个第一电极垫电性连接；
多个第一信号垫，设置于该第一导电层上且电性连接于该第一导电层；以及
一导电结构，设置于该多个第一信号垫上，该多个第一信号垫的至少两者透过该导电结构电性连接。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一基板具有一第一区及一第二区，该第一区邻近于该第二区，该多个第一发光单元对应该第二区设置，且该导电结构包括一第一部分，该第一部分对应该第一区设置。
3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该导电结构更包括一第二部分，该第二部分对应该第二区设置，至少部分该多个第一信号垫对应该第二区设置。
4.如权利要求3所述的电子装置，其特征在于，该第二部分具有至少一信号线，且该至少一信号线中的一者的宽度小于或等于该多个第一发光单元中的相邻两者的间隙。
5.如权利要求4所述的电子装置，其特征在于，该至少一信号线中的一者的宽度与该多个第一发光单元中的相邻两者的间隙的比值介于0.05至0.95之间。
6.如权利要求4所述的电子装置，其特征在于，该至少一信号线中的一者具有一第一厚度，该多个第一导电层具有一第二厚度，且该第一厚度与该第二厚度的比值介于10至300之间。
7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该导电结构用以传递一电压信号。
8.如权利要求1所述的电子装置，更包括：
一第二基板；
一第二导电层，设置于该第二基板上；
多个第二电极垫，设置于该第二导电层上；
多个第二发光单元，重叠设置于该多个第二电极垫上，且分别与该多个第二电极垫电性连接；以及
多个第二信号垫，设置于该第二导电层上且电性连接于该第二导电层；
其中该多个第二信号垫的至少一者与该多个第一信号垫的至少一者透过该导电结构电性连接。
9.如权利要求8所述的电子装置，更包括：
至少一电路板，该至少一电路板透过该导电结构与该多个第二信号垫的至少一者及该多个第一信号垫的至少一者电性连接。
10.如权利要求1所述的电子装置，更包括：
一保护层，设置于该导电结构上。
CN201910104660.7A 2018-06-05 2019-02-01 电子装置 Active CN110571321B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/402,289 US11013111B2 (en) 2018-06-05 2019-05-03 Electronic device
KR1020190059614A KR20190138578A (ko) 2018-06-05 2019-05-21 전자 디바이스
EP19176094.1A EP3579272A1 (en) 2018-06-05 2019-05-23 Electronic device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862680665P 2018-06-05 2018-06-05
US62/680,665 2018-06-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110571321A true CN110571321A (zh) 2019-12-13
CN110571321B CN110571321B (zh) 2021-10-08

Family

ID=68772819

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910104660.7A Active CN110571321B (zh) 2018-06-05 2019-02-01 电子装置

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20190138578A (zh)
CN (1) CN110571321B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023050267A1 (zh) * 2021-09-30 2023-04-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及相关显示母板和显示面板

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210157794A (ko) * 2020-06-22 2021-12-29 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈 및 발광 다이오드 모듈 제조 방법

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010032985A1 (en) * 1999-12-22 2001-10-25 Bhat Jerome C. Multi-chip semiconductor LED assembly
US20040223328A1 (en) * 2003-05-09 2004-11-11 Lee Kian Shin Illumination unit with a solid-state light generating source, a flexible substrate, and a flexible and optically transparent encapsulant
TW201044053A (en) * 2009-06-06 2010-12-16 Au Optronics Corp Display panel and repairing method thereof
TW201137813A (en) * 2010-04-29 2011-11-01 Wintek Corp Display panel
TW201227680A (en) * 2010-12-17 2012-07-01 Samsung Mobile Display Co Ltd Display device and organic light emitting diode display
CN102854692A (zh) * 2012-07-06 2013-01-02 友达光电股份有限公司 电泳式显示面板
EP2830090A1 (en) * 2013-07-23 2015-01-28 Grote Industries, LLC Flexible lighting device having unobtrusive conductive layers
CN104871231A (zh) * 2012-12-10 2015-08-26 勒克斯维科技公司 具有接地联结线的有源矩阵显示面板
CN205069639U (zh) * 2015-11-03 2016-03-02 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板及包括该阵列基板的tft显示装置
CN105607363A (zh) * 2016-03-25 2016-05-25 友达光电(厦门)有限公司 一种液晶显示面板
CN106249977A (zh) * 2016-08-23 2016-12-21 厦门天马微电子有限公司 一种触控显示面板及电子设备
CN106293209A (zh) * 2016-07-29 2017-01-04 厦门天马微电子有限公司 一种集成触控显示面板及其触控显示设备
CN106371669A (zh) * 2016-09-28 2017-02-01 厦门天马微电子有限公司 触控显示面板和触控显示装置
CN107154218A (zh) * 2017-06-29 2017-09-12 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN107331294A (zh) * 2017-06-30 2017-11-07 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN107562284A (zh) * 2017-10-24 2018-01-09 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN107689208A (zh) * 2016-08-04 2018-02-13 上海和辉光电有限公司 一种改善oled驱动线信号延迟的结构及其制备方法
US20180108677A1 (en) * 2016-10-14 2018-04-19 Hannstar Display Corporation Display panel and manufacturing method thereof

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010032985A1 (en) * 1999-12-22 2001-10-25 Bhat Jerome C. Multi-chip semiconductor LED assembly
US20040223328A1 (en) * 2003-05-09 2004-11-11 Lee Kian Shin Illumination unit with a solid-state light generating source, a flexible substrate, and a flexible and optically transparent encapsulant
TW201044053A (en) * 2009-06-06 2010-12-16 Au Optronics Corp Display panel and repairing method thereof
TW201137813A (en) * 2010-04-29 2011-11-01 Wintek Corp Display panel
TW201227680A (en) * 2010-12-17 2012-07-01 Samsung Mobile Display Co Ltd Display device and organic light emitting diode display
CN102854692A (zh) * 2012-07-06 2013-01-02 友达光电股份有限公司 电泳式显示面板
CN104871231A (zh) * 2012-12-10 2015-08-26 勒克斯维科技公司 具有接地联结线的有源矩阵显示面板
EP2830090A1 (en) * 2013-07-23 2015-01-28 Grote Industries, LLC Flexible lighting device having unobtrusive conductive layers
CN205069639U (zh) * 2015-11-03 2016-03-02 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板及包括该阵列基板的tft显示装置
CN105607363A (zh) * 2016-03-25 2016-05-25 友达光电(厦门)有限公司 一种液晶显示面板
CN106293209A (zh) * 2016-07-29 2017-01-04 厦门天马微电子有限公司 一种集成触控显示面板及其触控显示设备
CN107689208A (zh) * 2016-08-04 2018-02-13 上海和辉光电有限公司 一种改善oled驱动线信号延迟的结构及其制备方法
CN106249977A (zh) * 2016-08-23 2016-12-21 厦门天马微电子有限公司 一种触控显示面板及电子设备
CN106371669A (zh) * 2016-09-28 2017-02-01 厦门天马微电子有限公司 触控显示面板和触控显示装置
US20180108677A1 (en) * 2016-10-14 2018-04-19 Hannstar Display Corporation Display panel and manufacturing method thereof
CN107957645A (zh) * 2016-10-14 2018-04-24 瀚宇彩晶股份有限公司 显示面板与其制作方法
CN107154218A (zh) * 2017-06-29 2017-09-12 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN107331294A (zh) * 2017-06-30 2017-11-07 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN107562284A (zh) * 2017-10-24 2018-01-09 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023050267A1 (zh) * 2021-09-30 2023-04-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及相关显示母板和显示面板
CN116458280A (zh) * 2021-09-30 2023-07-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及相关显示母板和显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190138578A (ko) 2019-12-13
CN110571321B (zh) 2021-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10535681B2 (en) Touch display device with mesh units and anti-static electricity connecting parts
CN108258016B (zh) 柔性显示装置
US10424749B2 (en) Foldable display device
US10534399B2 (en) Flexible display device
US11329068B2 (en) Display device
US9814132B2 (en) Display device
US11013111B2 (en) Electronic device
US9552090B2 (en) Touch panel and display with the same
US10013127B2 (en) Touch panel and image display device including the same
KR20220025221A (ko) 보강된 부분을 갖는 배선을 포함하는 플렉서블 디스플레이 디바이스 및 이의 제조 방법
KR102664769B1 (ko) 표시장치
KR102598734B1 (ko) 전자파 차단 필름 및 이를 포함하는 표시장치
CN110571321B (zh) 电子装置
US20220171497A1 (en) Touch substrate and touch display device
CN111007917A (zh) 电子装置
CN111354768A (zh) 显示装置和制造该显示装置的设备
KR102569727B1 (ko) 표시장치
US20240105649A1 (en) Electronic device
KR102354030B1 (ko) 전극 접속 패드 및 이를 포함하는 전자 소자
KR20210080945A (ko) 표시장치
KR102561547B1 (ko) 전계발광 표시장치
KR102262549B1 (ko) 터치 패널
KR102650513B1 (ko) 유기발광 표시장치
CN116486690A (zh) 显示模组及显示装置
KR20210074061A (ko) 플렉서블 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant