CN110476201A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

显示装置包括：多个源极线；多个栅极线；源极驱动器；栅极驱动器；多个像素晶体管，所述多个像素晶体管与各所述源极线及各所述栅极线电连接；监视晶体管，所述监视晶体管的漏电极与第一外部端子电连接，栅电极与第二外部端子电连接，源电极与第三外部端子电连接；基准晶体管，所述基准晶体管的漏电极与第四外部端子电连接，栅电极与第五外部端子电连接，源电极与第六外部端子电连接；以及检测部，其与所述第三外部端子及所述第六外部端子电连接，用于检测所述监视晶体管的阈值电压的偏移量。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
在液晶显示装置等显示装置中，使用薄膜晶体管(TFT；Thin Film Transistor)来作为开关元件。以往以来，已知薄膜晶体管的阈值电压(Vth)根据温度环境、使用时间、施加电压等的变化而发生偏移。当薄膜晶体管的阈值电压发生偏移时，开关动作变得不稳定，从而招致显示质量降低。因此，提出了对薄膜晶体管的阈值电压进行检测并校正阈值电压的技术(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利第6229506号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，在上述现有技术中，为了检测阈值电压，需要在玻璃基板上形成由多个薄膜晶体管构成的检测电路，因此产生电路结构复杂化的问题。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够通过简单的结构来检测薄膜晶体管的阈值电压的偏移量的显示装置。
用于解决问题的方案
为了解决上述问题，本发明所涉及的显示装置的特征在于，包括：多个源极线；多个栅极线；源极驱动器，其向所述多个源极线中的各个源极线提供数据信号；栅极驱动器，其向所述多个栅极线中的各个栅极线提供栅极信号；多个像素晶体管，所述多个像素晶体管与各所述源极线及各所述栅极线电连接；监视晶体管，所述监视晶体管的漏电极的引出布线与第一外部端子电连接，栅电极的引出布线与第二外部端子电连接，源电极的引出布线与第三外部端子电连接；基准晶体管，所述基准晶体管的漏电极的引出布线与第四外部端子电连接，栅电极的引出布线与第五外部端子电连接，源电极的引出布线与第六外部端子电连接；以及检测部，其与所述第三外部端子及所述第六外部端子电连接，用于检测所述监视晶体管的阈值电压的偏移量。
在本发明所涉及的显示装置中，也可以是，包括显示图像的第一模式和检测所述监视晶体管的阈值电压的偏移量的第二模式，在所述第一模式中，对所述监视晶体管的所述漏电极施加所述数据信号，对所述监视晶体管的所述栅电极施加所述栅极信号，将所述基准晶体管的所述漏电极及所述栅电极的引出布线与恒压源连接，在所述第二模式中，对所述监视晶体管和所述基准晶体管各自的所述漏电极施加规定的电压，将所述监视晶体管和所述基准晶体管各自的所述栅电极的引出布线与恒压源连接，所述检测部基于所述监视晶体管和所述基准晶体管各自的漏极电流来检测所述偏移量。
在本发明所涉及的显示装置中，也可以是，还包括控制部，所述控制部基于所述偏移量来对所述多个像素晶体管施加校正电压，在所述偏移量大于第一基准电压的情况下，所述控制部对所述多个像素晶体管各自的栅电极施加所述校正电压。
在本发明所涉及的显示装置中，也可以是，所述偏移量越大，则所述控制部将所述校正电压的施加期间设定得越长。
在本发明所涉及的显示装置中，也可以是，所述校正电压的信号波形是在上升期间和下降期间是倾斜的波形。
在本发明所涉及的显示装置中，也可以是，在所述偏移量大于第一基准电压的情况下，所述控制部向所述源极驱动器和所述栅极驱动器输出控制信号，所述源极驱动器当接收到所述控制信号时，在规定期间向各所述源极线输出共用电压，所述栅极驱动器当接收到所述控制信号时，在所述规定期间向各所述栅极线输出所述校正电压。
在本发明所涉及的显示装置中，也可以是，在接受切断所述显示装置的电源的操作之后，执行所述控制部对所述多个像素晶体管各自的栅电极施加所述校正电压的处理。
在本发明所涉及的显示装置中，也可以是，在所述控制部对所述多个像素晶体管各自的栅电极施加所述校正电压的处理中，所述控制部对所述多个栅极线依次提供所述校正电压。
在本发明所涉及的显示装置中，也可以是，所述多个源极线、所述多个栅极线、所述源极驱动器、所述栅极驱动器、所述多个像素晶体管、所述监视晶体管以及所述基准晶体管设置于显示面板，所述检测部设置于所述显示面板的外部。
在本发明所涉及的显示装置中，也可以是，所述监视晶体管和所述基准晶体管以彼此接近的方式配置于所述显示面板的非显示区域。
在本发明所涉及的显示装置中，也可以是，包括显示图像的第一模式和检测所述监视晶体管的阈值电压的偏移量的第二模式，在所述第一模式中，对所述监视晶体管的所述漏电极施加所述数据信号，对所述监视晶体管的所述栅电极施加所述栅极信号，将所述基准晶体管的所述漏电极及所述栅电极的引出布线与恒压源连接，在所述第二模式中，将所述监视晶体管的所述漏电极与所述栅电极彼此电连接并且将所述监视晶体管的所述漏电极及所述栅电极与恒压源电连接，将所述基准晶体管的所述漏电极与所述栅电极彼此电连接并且将所述基准晶体管的所述漏电极及所述栅电极与所述恒压源电连接，所述检测部基于所述监视晶体管和所述基准晶体管各自的漏极电压来检测所述偏移量。
为了解决上述问题，本发明所涉及的显示装置的特征在于，包括：多个源极线；多个栅极线；源极驱动器，其向所述多个源极线中的各个源极线提供数据信号；栅极驱动器，其向所述多个栅极线中的各个栅极线提供栅极信号；多个像素晶体管，所述多个像素晶体管与各所述源极线及各所述栅极线电连接；监视晶体管，所述监视晶体管的漏电极的引出布线与第一外部端子电连接，栅电极的引出布线与第二外部端子电连接，源电极的引出布线与第三外部端子电连接；以及检测部，其与所述第三外部端子电连接，用于检测所述监视晶体管的阈值电压的偏移量。
为了解决上述问题，本发明所涉及的显示装置的特征在于，包括：多个源极线；多个栅极线；源极驱动器，其向所述多个源极线中的各个源极线提供数据信号；栅极驱动器，其向所述多个栅极线中的各个栅极线提供栅极信号；多个像素晶体管，所述多个像素晶体管与各所述源极线及各所述栅极线电连接多个像素电极，所述多个像素电极与所述多个像素晶体管中的各个像素晶体管电连接；以及多个监视晶体管，其中，所述多个像素晶体管和所述多个监视晶体管各自在同一层具有由相同材料形成的栅电极、半导体层、源电极以及漏电极，所述多个监视晶体管不与所述多个像素电极电连接。
在本发明所涉及的显示装置中，也可以是，所述多个像素晶体管形成于显示区域，所述监视晶体管形成于非显示区域。
在本发明所涉及的显示装置中，也可以是，所述监视晶体管不与所述源极驱动器及所述栅极驱动器电连接。
发明的效果
根据本发明所涉及的显示装置，能够通过简单的结构来检测薄膜晶体管的阈值电压的偏移量。
附图说明
图1是表示本实施方式所涉及的液晶显示装置的概要结构的俯视图。
图2是表示本实施方式所涉及的显示面板的像素的结构的俯视图。
图3是图2的A-A′截面图。
图4是图2的B-B′截面图。
图5是表示监视晶体管的结构的俯视图。
图6是表示基准晶体管的结构的俯视图。
图7是图5的C-C′截面图。
图8是示出本实施方式所涉及的校正电路的结构的图。
图9是示出本实施方式所涉及的校正电路的结构的图。
图10是示出校正模式的动作例的流程图。
图11是示出监视晶体管的阈值电压的偏移量的随时间的变化的曲线图。
图12是示出在通常模式和校正模式中施加到像素晶体管的电压的信号波形的图。
图13是表示阈值电压的偏移量与校正期间的关系的曲线图。
图14是表示显示期间和校正期间的情形的时序图。
图15是表示动作时间与阈值电压的关系的曲线图。
图16是示出本实施方式所涉及的液晶显示装置的其它结构的图。
图17是示出本实施方式所涉及的液晶显示装置的其它结构的图。
具体实施方式
下面，使用附图对本发明的实施方式进行说明。在下面的实施方式中，列举液晶显示装置为例，但是本发明所涉及的显示装置不限定于液晶显示装置，例如也可以是有机EL显示装置等。
图1是表示本实施方式所涉及的液晶显示装置的概要结构的俯视图。液晶显示装置1构成为包括显示面板10、源极驱动器SD(IC)、栅极驱动器GD(IC)以及背光源(未图示)。显示面板10包括用于显示图像的显示区域10a和位于显示区域10a的周围的非显示区域10b。不限定源极驱动器SD和栅极驱动器GD的数量。
在显示面板10的显示区域10a设置有沿第一方向(例如列方向)延伸的多个源极线11以及沿第二方向延伸(例如行方向)延伸的多个栅极线12。在各源极线11与各栅极线12的各交叉部设置有薄膜晶体管13(下面称为像素晶体管)。各源极线11与源极驱动器SD电连接，各栅极线12与栅极驱动器GD电连接。与各源极线11同各栅极线12的各交叉部相对应地呈矩阵状(在行方向和列方向上)地配置有多个像素14。像素晶体管13与像素电极15电连接，以与像素电极15相向的方式配置有共用电极16。从源极驱动器SD向各源极线11提供数据信号(数据电压)，从栅极驱动器GD向各栅极线12提供栅极信号(栅极导通电压、栅极截止电压)。从通用驱动器(common driver)(未图示)向共用电极16提供共用电压Vcom。当栅极信号的导通电压(栅极导通电压)被提供到栅极线12时，与栅极线12连接的像素晶体管13导通，经由与像素晶体管13连接的源极线11向像素电极15提供数据电压。通过被提供到像素电极15的数据电压与被提供到共用电极16的共用电压Vcom之差产生电场。通过该电场来驱动液晶并控制背光源的光的透过率，由此进行图像显示。此外，在进行彩色显示的情况下，对与利用条状的滤色器形成的红色、绿色、蓝色对应的各个像素14的像素电极15所连接的各个源极线11提供期望的数据电压，由此实现彩色显示。
图2是表示像素14的结构的俯视图。图3是图2的A-A′截面图，图4是图2的B-B′截面图。参照图2～图4来说明显示面板10的具体结构。
在图2中，由相邻的两条源极线11与相邻的两条栅极线12划出的区域相当于一个像素14。在各像素14设置有像素晶体管13。像素晶体管13构成为包括在绝缘膜121(参照图3)上形成的半导体层SI1以及在半导体层SI1上形成的漏电极DE1和源电极SE1(参照图2)。漏电极DE1与源极线11电连接，源电极SE1经由通孔17而与像素电极15电连接。在各像素14形成有由ITO等透明导电膜形成的像素电极15。像素电极15具有多个开口部(狭缝)，形成为条纹状。针对各像素14在显示区域整体形成有一个共用电极16，该电极16由ITO等透明导电膜形成，供各像素14共用。
如图3和图4所示，显示面板10包括在背面侧配置的薄膜晶体管基板100、在显示面侧配置的滤色器基板200以及夹在薄膜晶体管基板100与滤色器基板200之间的液晶层300。
在薄膜晶体管基板100中，在玻璃基板110的显示面侧形成有栅极线12(图4)，并以覆盖栅极线12的方式形成有绝缘膜121。在绝缘膜121上形成有源极线11(图3)，并以覆盖源极线11的方式形成有绝缘膜122。在绝缘膜122上形成有共用电极16，以覆盖共用电极16的方式形成有绝缘膜123。在绝缘膜123上形成有像素电极15，并以覆盖像素电极15的方式形成有取向膜124。在玻璃基板110的背面侧形成有偏振板130。
在滤色器基板200中，在玻璃基板210的背面侧形成有黑矩阵222和滤色器221(例如，红色滤色器221r、绿色滤色器221g、蓝色滤色器221b)，以覆盖黑矩阵222和滤色器221的方式形成有外涂层223。在外涂层223上形成有取向膜224。在玻璃基板210的显示面侧形成有偏振板230。
在液晶层300中封入有液晶301。液晶301可以是介电各向异性为负的负型液晶，也可以是介电各向异性为正的正型液晶。
取向膜124、224可以是被实施了摩擦取向处理的取向膜，也可以是被实施了光取向处理的光取向膜。
构成像素14的各部分的层叠构造不限定于图3和图4的结构，能够应用公知的结构。另外，如上所述，液晶显示装置1具有IPS(In Plane Switching：板内切换)方式的结构。液晶显示装置1的结构不限定于上述结构。
返回到图1，在显示面板10的非显示区域10b设置有用于检测像素晶体管13的阈值电压(Vth)的检测用晶体管。检测用晶体管包括监视晶体管21和基准晶体管31。与监视晶体管21电连接的引出布线22电连接于外部端子23，与基准晶体管31电连接的引出布线32电连接于外部端子33。监视晶体管21及基准晶体管31不与源极线11及栅极线12电连接。另外，监视晶体管21及基准晶体管31的尺寸(沟道长度L和沟道宽度W)与像素晶体管13的尺寸(沟道长度L和沟道宽度W)相同。另外，监视晶体管21和基准晶体管31以彼此接近的方式配置。
图5是表示监视晶体管21的结构的俯视图。监视晶体管21包括多个(此处为六个)薄膜晶体管。关于监视晶体管21的各薄膜晶体管，漏电极DE2与引出布线22d电连接，源电极SE2与引出布线22s电连接，栅电极GE2与引出布线22g电连接。俯视观察时，半导体层SI2与栅电极GE2重叠，漏电极DE2的一部分及源电极SE2的一部分与半导体层SI2重叠。引出布线22d与外部端子23d电连接，引出布线22s与外部端子23s电连接，引出布线22g与外部端子23g电连接。
图6是表示基准晶体管31的结构的俯视图。基准晶体管31包括多个(此处为六个)薄膜晶体管。关于基准晶体管31的各薄膜晶体管，漏电极DE3与引出布线32d电连接，源电极SE3与引出布线32s电连接，栅电极GE3与引出布线32g电连接。俯视观察时，半导体层SI3与栅电极GE3重叠，漏电极DE3的一部分及源电极SE3的一部分与半导体层SI3重叠。引出布线32d与外部端子33d电连接，引出布线32s与外部端子33s电连接，引出布线32g与外部端子33g电连接。
图7是图5的C-C'截面图，示出监视晶体管21和基准晶体管31的截面结构的一部分。在玻璃基板110的显示面侧形成有栅电极GE2，并以覆盖栅电极GE2的方式形成有绝缘膜121。在绝缘膜121上形成有半导体层SI2、漏电极DE2以及源电极SE2，漏电极DE2的一部分与半导体层SI2重叠，源电极SE2的一部分与半导体层SI2重叠，并以覆盖半导体层SI2、漏电极DE2以及源电极SE2的方式形成有绝缘膜122。监视晶体管21和基准晶体管31是通过与像素晶体管13相同的工序来形成的。此外，也可以与显示区域10a的像素结构(参照图3和图4)同样地在绝缘膜122上形成共用电极16、绝缘膜123、像素电极15等。另外，监视晶体管21和基准晶体管31可以是所谓的虚拟像素中包括的薄膜晶体管。另外，对监视晶体管21和像素晶体管13以相同的条件下照射光并施加电压。监视晶体管21和基准晶体管31的个数不限定于六个，只要根据后述的校正电路500的检测灵敏度、电流上限值来选择适当的个数即可。像素晶体管13、监视晶体管21以及基准晶体管31各自在同一层具有由相同材料形成的栅电极、半导体层、源电极以及漏电极。另外，监视晶体管21和基准晶体管31不与像素电极15电连接，并且不与源极驱动器SD及栅极驱动器GD电连接。
接着，说明对像素晶体管13的阈值电压的偏移进行校正的校正电路500的具体结构。校正电路500使用监视晶体管21和基准晶体管31来检测像素晶体管13的阈值电压的偏移量，并且对阈值电压的偏移进行校正。图8是示出校正电路500的结构的图。校正电路500包括对数转换电路510、520、差分电路530、A/D转换电路ADC、控制部550以及开关部SW1、SW2、SW3。由对数转换电路510、520及差分电路530构成用于检测监视晶体管21的阈值电压Vth的偏移量ΔVth的检测部540。开关部SW1的输出端子与外部端子23g连接，开关部SW2的输出端子与外部端子23d连接，开关部SW3的输出端子与外部端子33d连接。外部端子33g与地连接(0V)(恒压源)。对数转换电路510的输入端子与外部端子23s连接，对数转换电路520的输入端子与外部端子33s连接。对数转换电路510的输出端子与差分电路530的第一输入端子(反相输入端子)连接，对数转换电路520的输出端子与差分电路530的第二输入端子(非反相输入端子)连接。差分电路530的输出端子与A/D转换电路ADC的输入端子连接，A/D转换电路ADC的输出端子与控制部550的输入端子连接。控制部550的输出端子与开关部SW1、SW2、SW3各自的输入端子以及源极驱动器SD和栅极驱动器GD的输入端子连接。此外，控制部550也可以设置于定时控制器(未图示)。
图8示出进行通常的显示动作时的状态(通常模式)。例如，控制部550当接受开启(ON)液晶显示装置1的电源的操作时，向源极驱动器SD和栅极驱动器GD输出控制信号CS1，并向各个开关部SW1、SW2、SW3输出切换信号Vsw1。源极驱动器SD当从控制部550接收到控制信号CS1并从定时控制器接收到图像数据和定时信号(启动脉冲、时钟等)时，执行公知的处理后将数据信号Vs(灰度级电压)输出到源极线11。另外，栅极驱动器GD当从控制部550接收到控制信号CS1并从定时控制器接收到定时信号(启动脉冲、时钟等)时，执行公知的处理后将栅极信号Vg(栅极导通电压Vgh、栅极截止电压Vgl)依次输出到栅极线12。由此，在通常模式中进行通常的显示动作。
开关部SW1当从控制部550接收到切换信号Vsw1时，将栅极信号Vg的输入端子与显示面板10的外部端子23g电连接。开关部SW2当从控制部550接收到切换信号Vsw1时，将数据信号Vs的输入端子与显示面板10的外部端子23d电连接。输入到开关部SW1的栅极信号Vg是与从栅极驱动器GD输出到栅极线12的栅极信号Vg(栅极导通电压Vgh、栅极截止电压Vgl)相同的信号，输入到开关部SW2的数据信号Vs是与从源极驱动器SD输出到源极线11的数据信号Vs(灰度电压(日语：階調電圧))相同的信号。由此，例如以一帧一次的方式，对监视晶体管21的栅电极GE2施加栅极信号(栅极导通电压Vgh)来使监视晶体管21成为导通状态，并且对监视晶体管21的漏电极DE2施加数据信号Vs。即，在通常模式中，监视晶体管21进行与像素晶体管13的动作同样的动作。此外，关于对监视晶体管21施加的数据信号Vs，既可以施加与显示区域中的任意的像素晶体管13的电压相同的电压，也可以与输入信号无关地施加特定的电压(例如中间灰度电压(日语：中間調電圧))。另外，监视晶体管21配置于温度环境、电压施加环境等与像素晶体管13的环境相同的环境。因此，在像素晶体管13的阈值电压发生偏移(变动)的情况下，监视晶体管21的阈值电压也发生偏移，且彼此的偏移量ΔVth也大致相等。因此，通过检测监视晶体管21的阈值电压Vth的偏移量ΔVth，实质上能够检测像素晶体管13的阈值电压的偏移量。
开关部SW3当从控制部550接收到切换信号Vsw1时，将地(0V)与显示面板10的外部端子33d电连接。由此，由于不对基准晶体管31施加电压，因此基准晶体管31的阈值电压Vth不发生偏移。
图9示出对像素晶体管13的阈值电压的偏移进行校正时的状态(校正模式)。例如，当接受切断(OFF)液晶显示装置1的电源的操作时，控制部550向各个开关部SW1、SW2、SW3输出切换信号Vsw2。
开关部SW1当从控制部550接收到切换信号Vsw2时，将地(0V)与显示面板10的外部端子23g电连接。开关部SW2当从控制部550接收到切换信号Vsw2时，将电源(电源电压Vd)与显示面板10的外部端子23d电连接。向开关部SW2输入的电源电压Vd被设定为规定的电压(例如10V)。开关部SW3当从控制部550接收到切换信号Vsw2时，将电源(电源电压Vd)与显示面板10的外部端子33d电连接。向开关部SW3输入的电源电压Vd被设定为与向开关部SW2输入的电源电压Vd相同的规定的电压(例如10V)。
像这样，在校正模式中，监视晶体管21和基准晶体管31各自的漏极-源极间电压Vds被设定为10V，栅极-源极间电压Vgs被设定为0V。由此，监视晶体管21的基于亚阈值特性的漏极电流Im被输入到对数转换电路510，基准晶体管31的基于亚阈值特性的漏极电流Iref被输入到对数转换电路520。当电流Im、Iref被输入到由对数转换电路510、520及差分电路530构成的检测部540时，检测部540基于下面所示的公知的式(1)来计算输出电压Vout。输出电压Vout表示监视晶体管21的阈值电压Vth的偏移量ΔVth。
Vout＝(kT/q)ln(10)log10(Im/Iref)…(1)
k＝1.381×10-23J/K
T＝绝对温度(K)
q＝1.6θ2×1θ-19℃
由检测部540检测出的偏移量ΔVth在通过A/D转换电路ADC被进行模拟-数字转换之后输入到控制部550。控制部550判定偏移量ΔVth是否大于预先设定的基准电压，在偏移量ΔVth大于该基准电压的情况下，向源极驱动器SD和栅极驱动器GD输出用于校正像素晶体管13的阈值电压的偏移的控制信号CS2。源极驱动器SD当从控制部550接收到控制信号CS2时，在规定期间Tp(例如10秒～60秒)向各源极线11输出规定的电压(例如Vcom)。另外，栅极驱动器GD当从控制部550接收到控制信号CS2时，在规定期间Tp(例如10秒～60秒)向各栅极线12输出校正电压(例如栅极导通电压Vgh)。由此，在规定期间Tp(例如10秒～60秒)对像素晶体管13(参照图2)的栅电极GE1施加校正电压(栅极导通电压Vgh)，对漏电极DE1施加Vcom。因此，例如在像素晶体管13的阈值电压向负方向偏移的情况下，通过施加校正电压使其向正方向偏移，由此能够校正该阈值电压。另外，在偏移量ΔVth大于该基准电压的情况下，控制部550还向各个开关部SW1、SW2、SW3输出切换信号Vsw1(参照图8)。由此，与像素晶体管13同样地，在规定期间Tp(例如10秒～60秒)对监视晶体管21的栅电极GE2施加栅极信号Vg(校正电压；栅极导通电压Vgh)，对漏电极DE2施加数据信号Vs(Vcom)。
接着，对校正模式中的具体的动作例进行说明。图10是表示校正模式的动作例的流程图。图11是表示监视晶体管21的阈值电压Vth的偏移量ΔVth的随时间的变化的曲线图。此外，在图11中示出重复进行了液晶显示装置的电源的开启/切断的情形。
液晶显示装置1在通常模式下进行显示动作(S101)，之后，当接受切断液晶显示装置1的电源的操作时(S102)，关闭(OFF)背光源(S103)。接着，校正电路500的检测部540(对数转换电路510、520及差分电路530)检测监视晶体管21的阈值电压Vth的偏移量ΔVth(S104)。接着，校正电路500的控制部550判定偏移量ΔVth是否大于第一基准电压Vc(参照图11)(S105)。在偏移量ΔVth大于第一基准电压Vc的情况下(S105：“是”)，控制器550向源极驱动器SD和栅极驱动器GD输出控制信号CS2，来对像素晶体管13施加校正电压(栅极导通电压Vgh)，并且控制部550向开关部SW1、SW2、SW3输出切换信号Vsw1(参照图8)，从而也对监视晶体管21施加校正电压(栅极导通电压Vgh)(S106)。接着，控制部550再次向开关部SW1、SW2、SW3输出切换信号Vsw2(参照图9)来检测偏移量ΔVth(S107)。控制器550判定偏移量ΔVth是否小于第二基准电压Va(参照图11)(S108)。在偏移量ΔVth小于第二基准电压Va的情况下(S108：“是”)，切断显示面板10的电源(S109)，从而液晶显示装置1停止(S110)。在偏移量ΔVth为第二基准电压Va以上的情况下(S108：“否”)，返回到S106，再次执行施加上述校正电压的处理。此外，在偏移量ΔVth为第一基准电压Vc以下的情况下(S105：“否”)，转到S109，切断显示面板10的电源(S109)，从而液晶显示装置1停止(S110)。
此外，栅极驱动器GD可以向各栅极线12依次提供校正电压，也可以向各栅极线12同时提供校正电压。
接着，关于对像素晶体管13的栅电极GE1施加的校正电压进行说明。图12是示出在通常模式和校正模式中施加到像素晶体管13的电压的信号波形的图。在校正模式中，对像素晶体管13的栅电极GE1施加的校正电压的信号波形为以下波形：在最初的期间Ta(上升)随着从电位Vg1去向电位Vgh而倾斜，在之后的期间Tp维持电位Vgh，在最后的期间Tb(下降)随着从电位Vgh去向电位Vg1而倾斜。通过设置倾斜期间，能够防止电路端子烧损。
另外，如图13所示，可以根据阈值电压Vth的偏移量ΔVth来设定期间Tp(校正期间)的长度。例如，以偏移量ΔVth越大则周期Tp越长的方式设定期间Tp。由此，能够可靠地校正阈值电压Vth的偏移。
在上述结构中，在接受切断液晶显示装置1的电源的操作时进行了像素晶体管13的阈值电压的偏移量的检测处理和校正处理(校正模式)，但是本发明不限定于此。例如，也可以在接受开启液晶显示装置1的电源的操作时进行校正模式的处理。另外，如图14所示，也可以在显示动作之间的期间进行校正模式的处理。例如，也可以在规定帧的消隐期间进行校正模式的处理。图15示出在显示动作之间重复进行校正模式的处理的情形。如图15所示，可知通过进行校正处理能够抑制阈值电压Vth的偏移。
本发明的液晶显示装置1不限定于上述结构。例如，也可以如图16所示那样在显示面板10中省略基准晶体管31，校正电路500的检测部540由对数转换电路510和差分电路530构成。差分电路530的第一输入端子与对数转换电路510的输出端子连接，第二输入端子经由电阻R4而与地连接。检测部540基于漏极电流Im来检测监视晶体管21的阈值电压Vth的偏移量ΔVth。
图17示出校正电路500的其它结构。在图17所示的校正电路500中，省略了对数转换电路510、520，检测部540由运算放大器OPA3构成。在校正模式中，当切换信号Vsw2被输入到开关部SW1、SW2时，监视晶体管21的栅电极GE2与漏电极DE2彼此连接(二极管连接)，并且监视晶体管21的栅电极GE2及漏电极DE2与恒流源连接且与运算放大器OPA3的反相输入端子连接。另外，当切换信号Vsw2被输入到开关部SW3时，基准晶体管31的栅电极GE3与漏电极DE3彼此连接(二极管连接)，并且基准晶体管31的栅电极GE3及漏电极DE3与恒流源连接且与运算放大器OPA3的非反相输入端子连接。检测部540(运算放大器OPA3)基于从监视晶体管21输入的漏极电压和从基准晶体管31输入的漏极电压，来检测监视晶体管21的阈值电压Vth的偏移量ΔVth(Vout)。此外，在上述结构中，在监视晶体管21的阈值电压Vth为正值的情况下，能够检测偏移量ΔVth，因此优选以阈值电压Vth不为负值的方式设定对像素晶体管13和监视晶体管13施加的校正电压的条件。
上述液晶显示装置1也可以是在显示动作(通常模式)期间监视晶体管21的阈值电压Vth的偏移量ΔVth变得大于基准电压(例如图11的Vc)的情况下，在显示面板10中显示用于促使切断液晶显示装置1的电源的消息等警告显示图像。
另外，上述液晶显示装置1也可以设为以下结构：在显示面板10的温度变高的情况下，检测监视晶体管21的阈值电压Vth的偏移量ΔVth。
以上对本发明的实施方式进行了说明，但是本发明不限定于上述各实施方式，本领域技术人员在不脱离本发明的宗旨的范围内根据上述各实施方式适当进行变更所得到的方式也包含在本发明的技术范围内，这是不言而喻的。

Claims (15)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
多个源极线；
多个栅极线；
源极驱动器，其向所述多个源极线中的各个源极线提供数据信号；
栅极驱动器，其向所述多个栅极线中的各个栅极线提供栅极信号；
多个像素晶体管，所述多个像素晶体管与各所述源极线及各所述栅极线电连接；
监视晶体管，所述监视晶体管的漏电极的引出布线与第一外部端子电连接，栅电极的引出布线与第二外部端子电连接，源电极的引出布线与第三外部端子电连接；
基准晶体管，所述基准晶体管的漏电极的引出布线与第四外部端子电连接，栅电极的引出布线与第五外部端子电连接，源电极的引出布线与第六外部端子电连接；以及
检测部，其与所述第三外部端子及所述第六外部端子电连接，用于检测所述监视晶体管的阈值电压的偏移量。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
包括显示图像的第一模式和检测所述监视晶体管的阈值电压的偏移量的第二模式，
在所述第一模式中，对所述监视晶体管的所述漏电极施加所述数据信号，对所述监视晶体管的所述栅电极施加所述栅极信号，将所述基准晶体管的所述漏电极及所述栅电极的引出布线与恒压源连接，
在所述第二模式中，对所述监视晶体管和所述基准晶体管各自的所述漏电极施加规定的电压，将所述监视晶体管和所述基准晶体管各自的所述栅电极的引出布线与恒压源连接，所述检测部基于所述监视晶体管和所述基准晶体管各自的漏极电流来检测所述偏移量。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
还包括控制部，所述控制部基于所述偏移量来对所述多个像素晶体管施加校正电压，
在所述偏移量大于第一基准电压的情况下，所述控制部对所述多个像素晶体管各自的栅电极施加所述校正电压。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述偏移量越大，则所述控制部将所述校正电压的施加期间设定得越长。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述校正电压的信号波形是在上升期间和下降期间倾斜的波形。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
在所述偏移量大于第一基准电压的情况下，所述控制部向所述源极驱动器和所述栅极驱动器输出控制信号，
所述源极驱动器当接收到所述控制信号时，在规定期间向各所述源极线输出共用电压，
所述栅极驱动器当接收到所述控制信号时，在所述规定期间向各所述栅极线输出所述校正电压。
7.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
在接受切断所述显示装置的电源的操作之后，执行所述控制部对所述多个像素晶体管各自的栅电极施加所述校正电压的处理。
8.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
在所述控制部对所述多个像素晶体管各自的栅电极施加所述校正电压的处理中，所述控制部对所述多个栅极线依次提供所述校正电压。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述多个源极线、所述多个栅极线、所述源极驱动器、所述栅极驱动器、所述多个像素晶体管、所述监视晶体管以及所述基准晶体管设置于显示面板，
所述检测部设置于所述显示面板的外部。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述监视晶体管和所述基准晶体管以彼此接近的方式配置于所述显示面板的非显示区域。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
包括显示图像的第一模式和检测所述监视晶体管的阈值电压的偏移量的第二模式，
在所述第一模式中，对所述监视晶体管的所述漏电极施加所述数据信号，对所述监视晶体管的所述栅电极施加所述栅极信号，将所述基准晶体管的所述漏电极及所述栅电极的引出布线与恒压源连接，
在所述第二模式中，将所述监视晶体管的所述漏电极与所述栅电极彼此电连接并且将所述监视晶体管的所述漏电极及所述栅电极与恒压源电连接，将所述基准晶体管的所述漏电极与所述栅电极彼此电连接并且将所述基准晶体管的所述漏电极及所述栅电极与所述恒压源电连接，所述检测部基于所述监视晶体管和所述基准晶体管各自的漏极电压来检测所述偏移量。
12.一种显示装置，其特征在于，包括：
多个源极线；
多个栅极线；
源极驱动器，其向所述多个源极线中的各个源极线提供数据信号；
栅极驱动器，其向所述多个栅极线中的各个栅极线提供栅极信号；
多个像素晶体管，所述多个像素晶体管与各所述源极线及各所述栅极线电连接；
监视晶体管，所述监视晶体管的漏电极的引出布线与第一外部端子电连接，栅电极的引出布线与第二外部端子电连接，源电极的引出布线与第三外部端子电连接；以及
检测部，其与所述第三外部端子电连接，用于检测所述监视晶体管的阈值电压的偏移量。
13.一种显示装置，其特征在于，包括：
多个源极线；
多个栅极线；
源极驱动器，其向所述多个源极线中的各个源极线提供数据信号；
栅极驱动器，其向所述多个栅极线中的各个栅极线提供栅极信号；
多个像素晶体管，所述多个像素晶体管与各所述源极线及各所述栅极线电连接；
多个像素电极，所述多个像素电极与所述多个像素晶体管中的各个像素晶体管电连接；以及
多个监视晶体管，
其中，所述多个像素晶体管和所述多个监视晶体管各自在同一层具有由相同材料形成的栅电极、半导体层、源电极以及漏电极，
所述多个监视晶体管不与所述多个像素电极电连接。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，
所述多个像素晶体管形成于显示区域，所述监视晶体管形成于非显示区域。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，
所述监视晶体管不与所述源极驱动器及所述栅极驱动器电连接。
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