CN110431659B - 静电的基层保持部 - Google Patents

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Abstract

用于容纳和保持基层（4）的静电的基层保持部（2），所述基层保持部具有：转子（6、6'、6''、6'''），所述转子具有保持件（7、7'、7''）用于在保持面（7h、7h'、7h''）上固定所述基层（4），定子（5、5'、5''、5iii、5iv），所述定子用于容纳和支承所述转子（6、6'、6''、6'''），电极（11、11'、11''），所述电极用于产生静电的保持力以固定所述基层（4）。其中，所述定子（5、5'、5''、5iii、5iv）具有所述电极（11、11'、11''）。

Description

静电的基层保持部
技术领域
对于更有效率的电子的仪器的市场要求需要用于相应的功能上的单元的新式的制造以及加工方法。这种效率能够在提高了的计算容量、在较灵敏的传感机构如图片收集、在IGBT元件的情况下的较快的和较大的存储模块而还有较大的接通电流或较高的频率、较亮的、有色的或多色的LED中界定。
背景技术
在大多数情况下提高的效率伴随着增加的能量转换而实现，由此，同样较高地呈现热损失。为了避免过热，一方面冷却，另一方面体积的减少和表面积的提高是针对性的。沿侧面的方向减少芯片体积工艺上被限制，因为微型化不能够被任意地推进。物理的框架参数越来越多地作为各个工艺的硬性的边界出现。为了减少芯片体积，有意义的步骤是，使芯片和/或载体(还称为基层)减薄。
基层越薄，其越易碎。易碎性对于基层的操纵提出了特别的要求。为了预防基层碎片并且实现大量生产，特别的措施是必要的，所述特别的措施包含保持基层固定以及处理基层。
背减薄的基层必须被置入到最初的、优选地平面的模具上并且保持在其中，因为在没有支持的情况下，背减薄的基层能够接收单独的模具，甚至能够卷起。对此的原因是，局部的原子的关系不能够被控制并且这通过机械的应力状态还影响造型。
平面的定义能够在数学的意义上进行或在半导体技术中根据半标准(Semi-Standards)进行，所述半标准在公差的范围内规定允许的偏差。这些定义对于所属领域的技术人员已知。
为了固定和弄直变形的基层，工业还发展了以基层操作或保持装置为名称的多个方式和解决办法。参看载体基层的应用、参看US8449716B2以及属于其的结构和连接工艺。
下面探讨现有技术的几个缺点。在现有技术中的大部分保持装置不适用于真空或只有条件地适用于真空。
保持装置的一个可行方案应用化学的粘结用于在载体上固定基层。对于在提高了的温度(高于200℃，较优选地高于300℃，特别优选地高于350℃，十分特别优选地高于400℃)的情况下的和/或在真空中实施的工艺步骤，应用尤其释放气体(ausgasenden)的聚合体化合物和/或粘接材料和/或焊料是不利的。
保持装置的另一个可行方案在于，多个基层或一个基层、尤其背减薄的基层借助于微弱的原子的力和/或表面粘结保持固定。尤其在提高了的温度和/或真空情况下的应用中，薄的基层在载体上的附着以及脱开提出挑战。
另一个可行方案在于，机械地固定尤其背减薄的基层。保持力能够借助于夹具产生。然而，这通常由于所制造的结构的清洁标准和敏感性而不被期望。
保持装置的另一个实施方式在很多情况下应用流体的力产生，其中，要么流动关系以压力差产生，从而外部的压力将基层压紧在保持装置上。能够应用具有气垫或起抽吸作用的保持面的伯努利执行器。这种系统的实施方式以及设计方案对于所述领域的技术人员已知。
已知的是，在真空中应用时每个提及的保持装置具有至少一个缺点。
静电学的效应很长时间以来就被应用在尤其用于固定相对小和轻的工件的技术中。在此，应用库伦相互作用或约翰森拉比克效应(参看US1,533,757)。如已知的那样，绝缘体、导体和半导体的材料性质以及电载荷应用于产生力、尤其保持力，而在此电载荷不“流动”。
为了固定工件，静电的保持力例如在印刷技术或在较小的纸张的绘图中使用；同样具有静电的媒介固定(纸)的鼓式记录器能够被视为已知的现有技术。
在半导体工业、尤其在真空中的基层加工，优选地高或超高真空设备中，通常是借助于简单的静电的基层保持部固定基层。这种基层保持部例如应用于离子注入设备中。这样的设备能够在确定的角度内旋转基层或多个基层，参看US2014/0290862AI。此外，平移自由度能够同样被视为基层保持部的扩展，参看US2015/0170952A1。基层从保持部的脱开已经被有关地研究，参看DOI：10.1585/pfr.3.051以及基层材料与静电的保持力的相互关系，参看DOI：10.1063/1.2778633。
也就是说，现有技术公开基层保持部，所述基层保持部借助于静电的保持力固定基层并且实现直到三个自由度(两个轴倾斜以及一个平移)。
为了产生在现有技术中的静电的保持力使用电极，所述电极被安置在基层保持件的表面上或在基层保持件的体积中并且相应地一起执行基层在加工时经受的所有运动。对于那个电极的接触使用滑动接触。
然而，能够实施的运动过程由于现有技术的设备被限制。被保持的基层静电地保持在已知的基层保持部中。然而，其不实现完全的能够重复的旋转，所述旋转在没有颗粒的送出(Abgabe)的情况下能够停止，因为静电的保持面的接触借助于滑动接触来实施。这总是产生颗粒磨损，所述颗粒磨损尤其对于高真空设备或等离子设备不利地起作用。
发明内容
因此本发明的任务是，提供改善的静电的基层保持部。尤其在旋转期间不期望的颗粒磨损应该最小化或甚至被防止。除此之外，应该改善保持件的可运动性。
这个任务以如下特征来解决：用于容纳和保持基层的静电的基层保持部，具有：
-转子，所述转子具有保持件用于在保持面上固定所述基层，
-定子，所述定子用于容纳和支承所述转子，
-电极，所述电极用于产生静电的保持力以固定所述基层，
其中，所述定子具有所述电极，其中，所述电极与所述保持面间隔，
所述转子通过电可传导的支承元件支承，
其中，所述电可传导的支承元件接触所述定子的电极。在所说明的值域中，处于提及的边界之内的值应该还作为边界值公开并且能够在任意的组合中被要求。
用于容纳和保持基层的根据本发明的静电的基层保持部(随后还称为试样保持件或保持装置)具有：
-转子，所述转子具有带有用于在保持面(随后还称为固定面或固定表面)上固定基层的保持面的保持件，
-用于容纳和支承转子的定子，
-用于产生静电的保持力以固定基层的电极，
其中，所述定子具有电极。
所述保持装置的根据本发明的实施方式能够独立于每个基层的直径地操纵每个基层。
此外，本发明涉及用于加工基层的方法，其中，所述基层通过根据本发明的静电的基层保持部保持和旋转。也就是说，所述基层保持部的所有根据本发明的方面还适用所述方法。
此外，本发明涉及加工设备，所述加工设备具有用于加工基层的加工机构和用于保持基层的根据本发明的静电的基层保持部。也就是说，所述基层保持部的所有根据本发明的方面还适用于所述加工设备。
本发明尤其在于，电极不是处于保持面处，而是处于定子处和/或定子中。
本发明的优点尤其在于，根据本发明的静电的基层保持部能够在没有滑动接触的情况下实施。由此，在旋转期间不期望的颗粒磨损被最小化或甚至被防止，这尤其对于高真空设备或等离子设备是有利的。
在处理腔室中的颗粒数量(试样保持件处于处理腔室中)被显著地减少；这使固定的基层的或根据本发明的试样保持件的表面保持清洁。
根据本发明的静电的基层保持部使静电的保持性质从机械的运动器械脱耦，从而通过放弃基层保持部的静电学的滑动接触来生成减少的、优选地最小的颗粒排出。
此外，试样保持件的另外的和附加的污染通过或多或少用囊衣包封的结构方式避免或至少大大地减少。
本发明的优点是通过避免滑动的部件并且扩展能够实施的、能够再生的运动过程而实现的减少的排出的颗粒量。
定子还包含被称为静电的或电组合件的部件。转子还包含被称为机械的组合件的部件。基层的保持固定和运动的根据本发明的任务通过定子和转子的协同效应和合作，也就是说，通过机械的组合件和静电的组合件的共同作用来解决。
本发明涉及具有能够旋转的保持件和静止的、不一同旋转的电极的静电的基层保持部。
根据本发明的静电的基层保持部主要用于对清洁度以及颗粒自由度具有高要求的真空、高真空和/或超高真空设备中。
应该满足下面的规定：Z方向或Z轴线垂直于保持面或作为对于保持面的面法线伸延。X、Y方向或轴线垂直于彼此并且平行于保持件的保持面或在保持件的保持面中伸延。
围绕x轴线的旋转以p标记，围绕y轴线的旋转以θ标记并且围绕z轴线的旋转以φ标记。
在优选的实施方式中，转子通过电可传导的支承元件，尤其球支承件和/或深沟球支承件和/或角接触球支承件和/或球面支承件和/或轴向支承件和/或径向支承件支承。尤其有利地，通过电可传导性能够特别有效地将静电的力施加到基层上。
在另一个优选的实施方式中设置成，电可传导的支承元件接触定子的电极。由此，尤其有利地，能够特别有效地将静电的力施加到基层上。
在另一个优选的实施方式中设置成，保持件沿Z方向的厚度为少于100mm，优选地少于50mm，特别优选地少于10mm，十分特别优选地少于5mm。由此，电极和保持面之间的间距能够被减小，从而保持力得到优化。
在另一个优选的实施方式中设置成，电极和保持面之间的间距为少于100mm，优选地少于50mm，特别优选地少于10mm，十分特别优选地少于5mm。在另一个实施方式中，电极和保持面之间的间距为少于3mm，优选地少于1mm，特别优选地少于100微米。以这种小的间距，保持力能够继续得到改善。
在另一个优选的实施方式中设置成，在保持件的背离基层的侧上布置加深部，在所述加深部中布置电极，其中，加深部尤其同心地和/或作为通道构造。由此，电极和保持面之间的间距能够被减小。除此之外，电极能够最优地分配，以便产生期望的并且尤其均匀地分配的保持力。
在另一个优选的实施方式中设置成，电极构造为环，所述环尤其等距地和/或同心地布置。由此，电极能够有利地最优地分配，以便产生期望的并且尤其均匀地分配的保持力。
在另一个优选的实施方式中设置成，电极构造为圆部段和/或圆环部段。由此，电极能够有利地最优地分配，以便产生期望的并且尤其均匀地分配的保持力。
在另一个优选的实施方式中设置成，保持件构造为蜂巢结构。由此，保持力的产生能够还继续得到改善。
在另一个优选的实施方式中，基层保持部具有定位、保持和运动系统以使基层和/或保持件运动。这有利地使基层和/或保持件的运动的执行变得简单。
在另一个优选的实施方式中设置成，基层和/或保持件能够在至少三个自由度中运动，优选地在至少四个自由度中运动，更优选地在至少五个自由度中运动，最优选地在全部六个自由度中运动。这实现基层和/或保持件的改善的可运动性。
在另一个优选的实施方式中设置成，所述定位、保持和运动系统对于至少一个自由度构造有粗略驱动器和精细驱动器。这有利地实现运动的精确的调整。
在另一个优选的实施方式中设置成，所述定位、保持和运动系统的驱动器如下地设计，使得其在没有运行电压和/或电流和/或其它的能量供应的不运动的状态中能够保持和/或锁定相应的位置。这有利地实现基层和/或保持件在界定的位置中的保持固定。
在另一个优选的实施方式中设置成，基层保持部具有中央的控制单元和/或调节单元用于控制和/或调节运动和/或过程，尤其控制和/或调节基层的固定、保持件的位置、保持件的速度和/或加速度。这有利地实现期望的参数的改善的调整。
在另一个优选的实施方式中设置成，基层保持部具有至少一个用于测量影响因素的传感器、尤其间距和/或位置传感器，以及具有至少一个用于取决于所测量的影响因素进行控制和/或调节的致动器、尤其位置编码器和/或角度编码器。这有利地实现，在调节滑动中能够进行影响因素的检查和运动的最优的调整。
根据本发明的基层保持部具有至少三个，最优选地至少四个，十分最优选地至少五个运动自由度。
根据本发明的基层保持部允许围绕三个旋转轴线的360°旋转。根据本发明地，电极不旋转。也就是说，围绕三个旋转轴线的运动相应地与电的和/或电子的功能脱耦。
通过没有线缆来实现到保持件中的电流供给，保持件能够沿所有方向运动和/或围绕所有轴线旋转。
通过静电的和机械的功能之间的根据本发明的分离，少的至完全没有静电的和机械的性质的双重功能存在：静电的结构部件承担静电的功能如电荷迁移或绝缘以及静电的力产生，其中，仅仅基层保持部的保持面经由电荷分离来静电地充电。机械地加载的部件如驱动器或引导部或支承件能够很大程度上没有接通的电势。保持面的支持功能形成混合形式，因为功能性通过静电的力产生。
通过功能分离实现设计的简化以及结构部件以及组合件制造消耗，这积极地作用到基层保持部和/或整个设备的成本结构上。
基层有利地涉及晶片、尤其半导体晶片。晶片是带有良好界定的、标准化的直径的标准化的基层。然而，其一般情况下能够具有每种任意的形式。所述直径一般情况下能够采用每个任意的大小，而大多数情况下具有1英寸、2英寸、3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸和18英寸或25.4mm、50.8mm、76.2mm、100mm、125mm、150mm、200mm、300mm、450mm或更大的标准化的直径中的一个。
在接下来的描述中一般地述及基层。然而，根据本发明的实施方式尤其主要涉及晶片、尤其半导体晶片。
根据本发明的基层保持部
本发明涉及静电的基层保持部，所述静电的基层保持部具有能够旋转的保持件和静止的、也就是说不一同旋转的电极。
所述电极能够普遍化为静电的组合件并且所述保持件能够理解为机械的组合件。
根据本发明地，静电的组合件最大程度地、尤其完全地从机械的组合件脱耦。
根据本发明的静电的基层保持部使静电的保持性质从机械的运动器械脱耦。换言之：静电的组合件的功能从机械的组合件很大程度上、尤其完全地彼此分开。
对于根据本发明的基层保持部应用静电学的效应以产生保持力，所述基层保持部尤其应用在加工设备中、尤其高和/或超高真空设备。
静电学的两个效应有特别的意义：约翰森拉比克效应和库伦效应。
借助于提及的静电学效应中的一个，基层被固定在根据本发明的基层保持部的界定的位置(即所谓的保持面)上。保持面是保持件的为了固定基层而构造的、优选地平整地(平面地)实施的面，所述保持件作为结构部件装入在基层保持部中。
接下来，平面性应用为对于平整的面、尤其表面的完美度的标准。与平整的表面的偏差由从数学上理想的平面通过显微镜可见的和/或宏观可见的误差得出。
这种误差还能够界定为波纹度和粗糙度。表面的波纹度突出之处在于表面的一定周期的尤其在毫米区域、少见地在微米区域内的升高和降低。与之相反，粗糙度更确切地说是在微米或纳米区域内的周期不定的现象。
这种表面性质的精确的定义对于表面物理学、摩擦学、机械工程或材料科学的每个技术人员已知。
为了处理与理想的表面的不同的偏差，在接下来的描述中对于所有这种的效应的重叠能够同义地应用粗糙度概念。粗糙度要么作为平均的粗糙度、二次幂的粗糙度要么作为平均的粗糙深度说明。
一般情况下对于相同的测量线段或测量平面的用于平均的粗糙度、二次幂的粗糙度和平均的粗糙深度的测定的值互相区别，但处于相同的数量级区域中。因此，用于粗糙度的下面的数值区域要么作为用于平均的粗糙度、二次幂的粗糙度的值理解要么作为用于平均的粗糙深度的值理解。
在此，粗糙度小于100μm，优选地小于10μm，还更优选地小于1μm，最优选地小于100nm，十分最优选地小于10nm。
类似于DIN ISO 2768-2、公差等级H以及更好的公差等级，对于粗糙度所举出的值和参数适用于作为宏观可见的大小的平面性。在下面，更详细地探讨静电学的两个物理的效应，所述静电学的两个物理的效应对于理解根据本发明的实施方式是重要的。
借助于库伦效应/约翰森拉比克效应的力产生
通过在两个电极之间施加电势差在其表面处产生对极的充电荷。在充电的表面之间构建电场。
在静电的基层保持部中，电极尤其平行地并排放置，从而电场在从一个电极到另一个电极的弧线中构建。如果基层与这种电场进入接触，那么在基层表面处电荷被影响和/或通过定向极化定向。
在任何情况下，面向电极的基层表面对极地充电。通过在基层表面处和电极处的对极的充电两者互相吸引。
如果电极处于保持件中或保持件之下，那么由电极产生的电场还穿流保持件。如果保持件作为电介质实施，那么能够达到在保持件中没有电荷流动。
因此，保持件能够取决于其相对的介电常数地在保持面处引起相应的表面极化，所述相应的表面极化此时能够视为对于基层表面的极化的真正的来源。
能够有利地应用电绝缘体如SiO2和/或不导电的陶瓷作为保持件的原料。另外的、尤其高或超高真空适宜的原料如玻璃、玻璃陶瓷、碳化物、氮化物和/或其它的电介质是可行的。
本发明的特点在于具有不一同旋转的电极的静电的基层保持部的装备和电绝缘的机械的结构，所述不一同旋转的电极与保持面间隔开并且不与其电接触地实施。由此，运动的机械的部件完全地与静电的组合件电地并且空间地脱耦，所述静电的组合件对于保持力产生是相关的。
另一个效应是约翰森拉比克效应。所述效应充分使用微弱地可传导的保持件，所述微弱地可传导的保持件同样由电极的电场穿流。然而，由于保持件的微弱的传导性通过电场不产生定向极化，而是产生到表面处的电荷流动。
然后，这种电荷能够视为对于基层表面的极化的真正的来源。在与另一个电介质接触时，由于两个接触的物体的表面的不平面性产生小的空隙，在所述空隙之间能够产生很大的场强。
由此产生的、大的力被称为约翰森拉比克力并且同样导致在基层和保持件之间的吸引。如果保持力以约翰森拉比克效应产生，那么保持件作为微弱的电导体能够尤其传导基层的感应的电荷。
在此，电微弱地引导的保持面(换言之保持件)与静电的组合件电引导地接触。保持件的这种静电的接触能够在背离待保持的基层的一侧处进行。具有作为保持力的约翰森拉比克力的基层保持部的不同的实施方式在后面的位置处详细地论述。
机械的组合件，独立的自由度
在另一个优选的实施方式中，静电的基层保持部具有定位、保持和运动系统用于使基层和/或保持件运动。
在另一个优选的实施方式中，基层和/或保持件能够在至少三个自由度中运动，优选地在至少四个自由度中，更优选地在至少五个自由度中，最优选地在所有六个自由度中。
尤其独立于基层保持部的静电的保持力产生的根据本发明的实施方式地，为了执行基层的加工所要求的运动过程能够应用用于基层的全部六个独立的自由度的机械的定位、保持和运动系统，对于此使用所述基层保持部。可行的细分如下：
根据本发明，能够应用直至五个运动自由度，所述自由度在加工基层时执行根据本发明的运动。第六个自由度借助于基层保持部尤其静电地被阻止，从而基层不独立于基层保持部运动。这个第六个自由度能够尤其在基层充电和/或放电时实施。
在另一个优选的实施方式中，定位、保持和运动系统对于至少一个自由度构造有粗略驱动器和精细驱动器。
对于一个自由度(平移或旋转)能够尤其应用组合的运动系统。组合的运动系统作为多个单元实施自由度的运动。例如沿平移方向的粗略驱动器和引导部以及沿该方向的精细驱动器和引导部能够理解为对于一个自由度的组合的驱动器。
在另一个优选的实施方式中，定位、保持和运动系统的驱动器(粗略和/或精细驱动器)如此设计，使得其在没有运行电压和/或电流和/或其它的能量供应的不运动的状态中能够保持和/或锁定相应的位置。换言之优选地应用连同引导部和/或支承件的自保持的驱动器。
特别的优点在于没有运动的情况下少的热产生并且由此避免寄生的热源，所述热源使尤其在真空或高真空或超高真空中的热管理变得困难。
根据本发明尤其可行的是，基层保持部实施基层的四个或更少的自由度；此时设备应该根据目的地实施缺少的自由度。
对于自由度以及空间方向的定义优选地引入笛卡尔的坐标系统。坐标系统的原点优选地置于基层保持部的保持件的保持面的中点，并且界定为固定并且不能够运动的。
也就是说，在保持件以及整个的基层保持部运动时，坐标系统不一同运动和/或一同旋转。所述中点在高度对称的保持面中理解为几何的中点，在不高度对称的保持面中理解为重心。
如上面已经规定的那样，x方向或x轴线和y方向或y轴线在保持面上伸延，z方向或z轴线界定为对于保持面的面法线。尤其可行的是，变换坐标系统的原点到设备的每个任意的点中或界定另外的坐标系统。
围绕x轴线的旋转以p标记，围绕y轴线的旋转以θ标记并且围绕z轴线的旋转以φ标记。
在本公开中运动方向一般地理解，从而旋转和/或平移方向以及运动的原点不必落到坐标轴上，而是能够通过数学的变形在坐标系统中描述；详细的描述被放弃，因为这对于本领域技术人员已知。
除了基层保持部的保持固定基层的主要功能之外，实现运动过程的辅助功能同样作为结构上的特征集成到基层保持部中。
为了实现围绕至少三个、优选地四个、特别优选地五个自由度的要求的运动过程，对机械的、能够运动的结构部件的精确性提出高要求。对于这个目的，应用精确的、尤其没有间隙的和/或没有逆转间隙的、预紧的支承件和引导部以及驱动器。
所举出的自由度尤其从基层观察。
第一自由度：
对于独立的自由度的观察适宜的是，运动方向、也就是说自由度从基层直至不运动的支架理解为运动链。
从基层观察的运动链能够在根据本发明的第一实施方式中产生平移、也就是说线性运动。此第一平移的方向能够沿z方向执行。这对于装备以及基层更换在工艺上能够被合理地执行。
如果基层保持部不应该提升基层，而是尤其通过边缘夹具将基层从基层保持部移去，那么设备的基层保持部的这种自由度能够被转移并且针对基层保持部被取消。
第二自由度：
作为基层的下个运动能够进行围绕z轴线的旋转。对此必要的支承件、驱动器以及其实施方式随后举出。
第一和第二自由度：
如果用于基层加工必要的运动覆盖多个独立的自由度，那么实施运动的驱动器、支承件和/或引导部能够以模块结构方式构建并且理解为机械的组合件的子组合件。模块实施具有多于一个独立的自由度的运动。也就是说，能够在一个模块中聚集平移，如尤其在十字工作台(Kreuztischen)中或至少一个平移和一个旋转或两个旋转。由此，在另一个根据本发明的实施方式中作为升降转动模块或转动升降模块的组合是可行的。
在另一个优选的实施方式中，转动升降模块的组合由基层保持部的机械的组合件的保持件的能够旋转的、设有开口和/或孔和/或长孔的基层保持部保持面和用于提升和/或下降基层的能够线性地移动的面、垫和/或销钉构造。
在示例性的实施方式中，能够移动的销钉和/或面的数量为至少2个，优选地至少3个，特别优选地至少4个，十分特别优选地至少4个。
第三自由度和/或第四自由度
作为第三和/或第四自由度能够执行围绕x轴线和/或y轴线的旋转。在此，相应的运动的旋转轴线能够以原点的任意的坐标变形来理解。
当x和/或y轴线落到基层的背离保持面的待加工的表面上时，第三和/或第四独立的自由度的旋转的容许误差能够通过应用单纯性和不变性设计原理来实现。这两种设计原理产生至少误差少的(单纯性)(当本身不可能无误差(不变性)时)功能的组合件。
通过旋转轴的单纯的、误差少的布置，尤其通过万向的悬挂和/或球面截形设计(所述万向的悬挂和/或球面截形设计对于本领域技术人员已知)，定位的第一次序的误差能够结构上地被克服。换言之，这引起倾斜误差的减少。
倾斜误差尤其在气相喷镀、溅镀时和/或在离子处理(表面的蚀刻和/或非晶化和/或离子注入)和/或以等离子体的自由基处理(Radikalenbehandlung)时导致不规则性和/或误差产生，伴随着基层的最后的检查和清除这经常导致从生产链中分拣出。
第五自由度和/或第六自由度
在基层保持部的另一个优选的根据本发明的实施方式中,基层保持部的沿着坐标轴方向x和/或y的精确的可定位性和可运动性得到保证。
如果由加工机构和基层保持部组成的系统的相对运动没有进行分开，那么在保持面上固定的基层尤其方案控制地和/或方案调节地运动。
机械的组合件
根据本发明的加工设备具有至少一个加工机构用于加工基层，所述基层通过基层保持部保持固定。
如果用于加工和/或用于操作的运动是必要的，那么加工机构和/或基层保持部的必要的独立的自由度能够执行。由此，在加工机构和基层保持部之间的独立的自由度的划分是有利地可行的。
在示例性的优选的根据本发明的实施方式中，加工机构能够通过倾斜和/或偏转、也就是说角度位置的调节来调整，由此，作为平移的运动尤其造成在基层上的加工辐射(Bearbeitungsstrahlung)。
在另一个特别优选的根据本发明的实施方式中，基层的六个自由度关于加工机构如此划分，使得基层保持部能够实施平移(尤其沿x方向)以及围绕y轴线的旋转和围绕z轴线的旋转。另外的自由度通过集成到设备中的操作机器人和/或夹具和/或操作装置和/或加工来源的运动承担。
在另一个优选的实施方式中，基层的六个自由度关于加工机构如此划分，使得基层保持部能够实施平移(尤其沿x方向)、一个另外的平移(尤其沿z方向用于在保持面上的基层的高度调整)以及围绕y轴线的旋转和围绕z轴线的旋转。
在另一个优选的实施方式中，连接到加工机构的基层的六个自由度关于加工机构如此划分，使得基层保持部能够实施两个平移(尤其沿x方向和沿y方向)和一个另外的平移(尤其沿z方向用于在保持面上的基层的高度调整)以及围绕y轴线的旋转和围绕z轴线的旋转。
根据本发明，沿x方向和/或沿y方向的平移运动应该覆盖大于100mm，优选地大于150mm，特别优选地大于300mm，十分特别优选地大于450mm的移动路程。
路程数据能够还包括+/-一半的路段、例如+/-50mm。
对于沿z方向的平移，大于5mm，优选地大于10mm，特别优选地大于30mm的移动路程应该是可行的。
平移的定位精确度应该达到小于5mm，优选地小于1mm，特别优选地小于0.1mm，十分特别优选地小于0.01mm，在最优的情况下小于50微米，在理想情况下小于50nm。
对于旋转θ和/或p，倾斜角应该小于181度，优选地小于91度，特别优选地小于61度，在最优的情况下小于31度，在理想情况下小于21度地能够自由地调整。
角度数据能够还包括+/-半角度数据，例如+/-90.5度。
对于旋转θ和/或p和/或φ的倾斜误差应该(当在保持面的相应的边或直径处的间距表述为倾斜高度)为少于5mm，优选地少于2mm，特别优选地少于1mm，十分特别优选地少于0.1mm，在最优的情况下少于0.01mm，在理想情况下少于0.001mm。换言之，说明的间距是到名义上地或理想地待达到的位置的间距。
对于旋转φ，大于360度的同一方向的或变换方向的旋转应该是可行的。
控制/调节
根据另一个优选的实施方式，布置中央的控制单元和/或调节单元用于控制和/或调节运动和/或过程，尤其控制和/或调节基层的固定、保持件的位置、保持件的速度和/或加速度。
运动和/或过程的、尤其基层的固定的、具有在设备中的基层的基层保持部的位置的、速度和/或加速度的控制和/或调节有利地经由中央的控制单元和/或调节单元来进行，尤其经由具有控制软件和/或调节软件的计算机来进行。
(反复的)控制和/或调节过程能够联合为方案地、尤其作为机器可读的代码存在。方案是参数的优化的值集合，其处于功能的和/或方法技术的相互关系中。方案的使用允许保证生产过程的可再生性。
根据另一个优选的实施方式，布置至少一个用于测量影响因素的传感器和至少一个用于取决于所测量的影响因素进行控制和/或调节的致动器。
对于调节和/或控制，除了应用有效元件(致动器)之外能够设置相应的传感器的应用。尤其应用这些传感器以负责待测量的影响因素的接收和/或加工和/或转发。尤其间距和/或位置传感器(位置编码器和/或角度编码器)和/或电流和/或电压能够应用为调节大小。
为了确定在设备中的基层保持部的位置能够应用光学的器件和/或感应的和/或电容的和/或纤维光学的和/或机械的和/或磁的和/或磁致伸缩的传感器如行程编码器、运行时间测量仪器(激光三角测量)和/或干涉仪。
应用于长度测量的、对于旋转改变的方法如增量式编码器和/或绝对值编码器能够应用于旋转的确定。
为了经由基层的静电的固定来进行反馈，用于反射测量的光学的器件和/或用于边缘探测和/或图片加工和/或压力传感器的镜头系统能够得到使用。
在另一个实施方式中，静电的大小的改变能够被观察并且相应地调节，以维持保持力。
优选地，待测量的大小应该引起测量大小的尤其电的性质的改变，从而电子的探测、和测量结果和/或信号的传递和机械的、尤其计算机支持的加工能够进行。
转子的支承
在基层保持部的另一个优选的实施方式中,转子通过电可传导的支承元件、尤其球支承件和/或深沟球支承件和/或角接触球支承件和/或球面支承件和/或轴向支承件支承。
能够应用相应的直径的市场常见的支承件。
支承件和/或引导部能够有利地尤其真空、优选地高真空、特别优选地超高真空适宜地构造。
在优选的实施方式中,电可传导的支承元件接触定子的电极。由此，支承元件有利地扩展电极直到使其尽可能近地到保持件的与保持面对置的侧处。
构造为球支承件的部件的可传导的球尤其能够接触安置在定子处的电极。尤其能够应用深沟球支承件和/或角接触球支承件和/或球面支承件和/或轴向支承件是。在特别的情况下，简单的柱状的支承件的使用是能够考虑的，如果磨损特性和滚动特性允许的话。
根据本发明，产生尤其恒定的或耦联在调节器或控制器处的、可变的旋转速度，所述旋转速度大于0.1转/分(rpm)，优选地大于1rpm，特别优选地10rpm，十分特别优选地大于50rpm，在最优的情况下大于65rpm，在理想情况下大于100rpm。然而，小于0.1rpm的旋转速度和/或静止状态也是可行的。
为了使基层保持部装入在其中的设备能够实现相应的处理结果，不仅旋转φ的转速而且角加速度有重要的意义。角加速度尤其对于均匀性是核心参数，因为能够较快地达到均匀的状态。尤其角加速度为大于1rad/s2，优选地大于10rad/s2，进一步优选地大于100rad/s2，还进一步优选地大于1000rad/s2，特别优选地大于10000rad/s2。
根据本发明，用于在加工设备中的基层地区和/或区域的定位的尤其多轴线的旋转能够借助于基层保持部执行。为了定位精确度布置经控制的和/或经调节的运动，从而能够驶向任意的角度位置。
由此，尤其对于围绕z轴线的控制的旋转，完全的360°旋转应该细分为2^n个部分。n尤其应该是大于1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、或12。由此，相应地定位决定的角度误差能够达到小于10度、5度、1度、0.1度、0.01度。
在基层保持部的另一个优选的实施方式中，能够使用径向支承件，所述径向支承件还作为径向轴向支承件已知。由于旋转特性的多重的超定性和/或流入能力/>和/或支承元件的可调整的预紧和/或磨损用于克服空隙的(磨损优化的)线材笼的应用和/或旋转的摆动自由以及由于支承件的直径的自由的可设计性，这个实施方式是特别有利的。
由此，静电的组合件能够性质优化地、尤其保持力优化地和/或间距优化地尤其被安置在基层和保持件之下。
保持件的设计以及静电的和机械的组合件的布置
对于基层保持部的功能，保持件不仅静电地而且机械地具有关键角色。
保持件是机械的组合件的部件，因为所述保持件在保持面上借助于静电的保持力卡住地保持基层。保持件还是静电的组合件的部件，因为静电的保持力通过保持件固定基层。
保持件的根据本发明地相关的性质包含固有稳定性、介质的特性、清洁性、热膨胀、热容量、导热能力以及耐腐蚀性。
此外，保持件关于静电的组合件的其它的部件以及关于机械的组合件的布置(位置、间距、定向)是有意义的。
根据本发明，对基层保持部有利的是，将基层到固定静止的、不一同旋转的电极的间距最小化；由此，静电的场强相应地成比例地减少。为了将基层从基层保持部容易地脱开，经最小化的静电的场强是有利的，由此，加工设备的生产率得到提高。
只要保持面的固有稳定性允许，保持件沿z方向或垂直于保持面的厚度为少于100mm，优选地少于50mm，特别优选地少于10mm，在理想情况下少于5mm。
在保持面的另一个实施方式中，保持件沿z方向或垂直于保持面的厚度为少于保持件的直径的30％，优选地少于保持件的直径的10％，特别优选地少于保持件的直径的5％，十分特别优选地少于保持件的直径的1％，在理想情况下少于保持件的直径的0.5％。
保持件H的厚度与在电极处的测量点有关。出于工艺的原因保持件本身能够具有不同的厚度。保持件能够还作为具有不均匀的厚度的平板实施，从而加固优化的设计形式、尤其作为耦联的场的FEM分析的结果能够应用于造型。尤其为了固有稳定性和/或功能集成，保持件沿z方向能够工艺决定地尤其具有边强化。边强化能够为多于1mm，优选地多于4mm，特别优选地多于9mm。在优选的实施方式中，在电极和保持件的不是基层侧的表面之间能够存在自由的缝隙高度。
在特别的实施方式中，在处于固定的、不一同旋转的电极和保持件的不是基层侧的表面之间的间距小于1mm，优选地小于500微米，特别优选地小于200微米，在最优的情况下小于100微米，在理想情况下小于10微米。
在另一个优选的实施方式中，在保持件的背离基层的侧上能够构造同心的加深部、尤其是通道，在所述通道中布置尤其具有到保持件的最小的自由的间距的电极，从而静电的电极到基层的间距能够最小化。由此，在通道中在保持件的不是基层侧的表面和电极之间能够存在小于1mm，优选地小于500微米，特别优选地小于200微米，在最优的情况下小于100微米，在理想情况下小于10微米的间距。
在另一个优选的实施方式中设置成，这个保持件不实施为整体的块，而是尤其实施为刚性优化的蜂巢结构。保持面平整地(平面地)并且完全平整地实施。保持件在背离保持面的侧上具有尤其在厚度上强化了的材料，所述材料柱状或肋状地如此实施，使得其尤其得出六角的蜂巢结构。由此，保持件的高度能够在等同的机械的刚性的情况下被减少。这对于介质的性质以及对于所应用的静电的场强是有意义的。
在另一个优选的实施方式中，保持件刚性优化，尤其以蜂巢结构实施，其中，与基层背离的侧能够尤其以不同的经平整的平面实施并且其中，保持件具有用于容纳电极的同心的加深部。对此必要的计算能够借助于“有限元”方法(FEM)实施为近似值。
电极结构形式
在优选的实施方式中，电极构造为环，所述环尤其等距地和/或同心地布置。
在另一个优选的实施方式中，电极构造为圆部段和/或圆环部段。
优选地，电极彼此电绝缘。
在基层保持部的另一个优选的实施方式中，电极能够彼此电绝缘并且从旋转θ的旋转轴线尤其相应地等距地作为同心的环实施。
圆部段、圆环部段和/或环的数量能够取决于电极的数量确定。电极划分为用于静电的力产生的源以及流出口。由此，应该至少有一个源和至少一个流出口。电极的数量的设计对于电工学和电子学的技术人员已知。尤其有至少两个电极，优选地多于5个电极，还优选地多于10个电极，最优选地多于20个电极。
为了在保持面上固定基层优选地在至少一个电极对处施加直流电压。所述电压处于0.1kV至10kV之间，优选地0.4kV至5kV，特别优选地在0.5kV至4kV之间，十分特别优选地在0.6kV至3kV之间。
在优选的实施方式中，尤其调节地提供用于保持力产生的经调整的电压，从而保持力的温度关系能够被调整。由此，应用保持力的最优值，所述最优值由参数温度变化过程、保持力以及电压得出。
在恒定的电压的情况下，保持力在提高的温度的情况下被强化，从而基层从基层保持部无破坏的脱开不再可行。
推测的是，用于保持力产生的电压在温度提高的过程中相反地成比例地伸延。对于所述现象的精确的、封闭的数学的描述，另外的实验是必要的。
静电的组合件能够由单个的电极组成。对于单个的电极的接触能够尤其对于约翰森拉比克效应应用至少一个滚动元件，其中，每个电极应用刚好一个滚动元件，优选地多于1个，优选的多于2个，特别优选地多于3个，十分特别优选地多于4个滚动元件。
此外能够应用要么单极的电极要么双极的电极。
优选地，应用带有双极地接通的电极的静电的组合件，其中，电极的数量多于1个，优选地多于3个，特别优选地多于7个，十分特别优选地多于14个。
电极能够优选地单个地，和/或特别优选地成对地，和/或十分特别优选地联合成组地调节和/或控制。
基层保持部的静电的和机械的组合件的耦联。尤其借助于约翰森拉比克效应对于尤其借助于约翰森拉比克效应的静电的保持力的产生，电极与弱地引导地实施的介质的保持件的电接触是必要的。
为了修复现有技术的缺点，放弃滑动接触。
使用电可传导的并且滚动的耦联元件，还称为滚动元件。滚动元件的不同的实施方式能够包含球、桶、滚子和/或针。
通过滚动运动产生少于使用滚动钻孔或纯滑动时的磨损。如果滚动元件作为刚性的固体具有不同的角速度(切线速度)，仅仅一个位置能够施加纯滚动运动。刚性的固体的其它的部分以在滚动和滑动之间的混合形式旋转，所述混合形式运动也能够被解释为滑动。滚动产生最少的磨损，滑动产生最多的磨损。
然而，在桶或滚子或针滚动时，由于不同的径向速度得不到纯滚动，这通过摩擦发出颗粒，这是不利的。
为了保证在静电的组合件的不旋转的电极与能够旋转的保持件之间的耐久的电接触，尤其静电的组合件能够弹簧预紧地支持滚动元件和保持件，然而，不使得保持件显著地(也就是说，尤其显微镜可见地或宏观可见地)变形。
也就是说，设计地设置成，在机械的作用链中保持件、滚动元件、电极、(未详细地说明的)底座容纳至少一个作为弹性的和电可传导的元件的弹簧。所述底座能够呈现具有用于其它的自由度的运动机构的机械的组合件的支架以及另外的部件。
如果在保持件和滚动元件之间使用弹簧，则这产生不期望的磨损。
在另一个实施方式中，滚动元件能够具有弹簧性质，尤其能够功能集成为类似于球状体的可传导的弹性体块。可行的是，滚动元件设计为弹性的、起弹簧作用的、球状的笼。
在另一个实施方式中，电极能够被引导并且弹簧能够在电极和支架之间施加预紧力。
在另一个优选的实施方式中，能够静止的、不能够旋转的静电的组合件为了预紧所述滚动元件尤其位置调节地(以路程编码器，执行器，评估单元)制造接触。
对于没有滚动元件的实施方式，静电的组合件关于保持件的位置调节对于优化间距和由此优化保持力是有利的。
另外的性质
在设计中能够考虑保持件的热性质。热的热容量、热的热膨胀和温度稳定性落在其中。
根据本发明的基层保持部的、尤其保持件的热容量尽可能地小，以便防止热的存储。
在大多数的固体的情况下，在适度的温度和压力下，在恒定的体积下的热容量只边缘地与在恒定压力下的热容量相区别。因此，在本文之后的过程中在这两个热容量之间不进行区别。
此外，说明比热容。所述比热容小于20kJ/(kg*K)，优选地小于10kJ/(kg*K)，还优选地小于1kJ/(kg*K)，最优选地小于0.5kJ/(kg*K)，十分最优选地小于0.1kJ/(kg*K)。
基层保持部的和尤其保持件的热膨胀系数应该尽可能地小，以便防止保持件由于温度差而扭曲。线性的热膨胀系数小于10-4K-1，优选地小于5*10-5K-1还优选地小于10-5K-1，最优选地小于5*10-6K-1，最优选地小于10-6K-1，十分最优选地小于10-7K-1。
保持件的介质的性质能够以相对的介电常数(在0Hz和100Hz之间测量地说明)足够精确地描述。由此，对于保持件的材料，介电常数设置成大于1，优选地大于1.5，特别优选地大于2。
保持件的、至少保持面的比电阻应该优选地处于5x10^9Ωcm和8x10^10Ωcm之间。
在优选的实施方式中，保持件的电阻应该如此低，使得在等离子工艺中撞上的电的和/或静电的电荷在少于5秒，优选地少于2秒，特别优选地少于1秒，在最优的情况下少于0.5秒内被传导。
在保持件的优选的实施方式中，通过埋藏的电的导体和/或导体轨实现有针对性的电传导性。
在另一个优选的实施方式中，借助于掺杂实现确定的电传导性。尤其为了制造导体轨能够产生高度掺杂的地区和路径。
电介质和/或涂层的材料能够尤其包含下面的原料：
-铝以及其氧化物和/或氮化物和/或碳化物，
-硅以及其氧化物和/或氮化物和/或碳化物和晶化形式如alpha-Si，
-钛以及其氧化物和/或氮化物和/或碳化物，
-锆以及其氧化物和/或氮化物和/或碳化物，
-钇以及其氧化物和/或氮化物和/或碳化物，
-碳，还尤其热解沉积为石墨的碳或以类似钻石的形式的碳(类似钻石的碳，DLC)。
附图说明
本发明的另外的优点、特征和细节从对优选的实施例的随后的描述中以及根据附图得出。其中：
图1示出具有根据本发明的基层保持部的加工设备的示意性的功能和结构平面图，图2a示出示例性的实施方式的示意性的功能平面图，
图2b示出另一个示例性的实施方式的示意性的功能平面图，
图2c示出另一个示例性的实施方式的示意性的功能平面图，
图3a示出另一个实施方式的部分的示意性的剖切图示，
图3b示出另一个实施方式的部分的示意性的剖切图示，
图4a示出另一个实施方式的示意性的原理简图，
图4b示出另一个实施方式的示意性的原理简图，
图5示出另一个实施方式的保持件的示意性的原理图示。
具体实施方式
在附图中，相同的结构部件或具有相同功能的结构部件以相同的附图标记来标记。
图1示出具有根据本发明的基层保持部2以及示例性的子功能的加工设备1的示意性的功能和结构平面图。Z方向或Z轴线垂直于保持面或作为对于保持面的面法线伸延。X、Y方向或轴线垂直于彼此并且平行于保持件的保持面或在保持件的保持面中伸延。
围绕x轴线的旋转以p标记，围绕y轴线的旋转以θ标记并且围绕z轴线的旋转以φ标记。
尤其实施为用于表面变化如氧化物去除、表面的功能化如非晶化的涂层和/或接合(结合)和/或气相喷镀和/或等离子设备的加工设备1、尤其真空和/或高真空和/或超高真空设备连同主要功能在结构平面图中示出。
加工设备1借助于加工机构3实现主要功能。加工设备1包含根据本发明的基层保持部2，所述基层保持部与基层4处于连接中，也就是说，固定基层4和/或使基层4运动。
基层保持部2的功能性细分为静电的组合件5(定子5)和机械的组合件6(转子6)，所述静电的组合件和机械的组合件共同作用于基层4。由此，基层保持部2在加工基层4期间能够执行根据本发明的运动过程。
连接线指明单个的举出的部件的逻辑的和/或材料的耦联，然而，测量和/或调节和/或供给系统或基层4的加工没有图示地举出。尤其未示出测量接收器、数据存储器、逻辑线路、能量流、气压流、液压流、以及材料流和相互关系。
图2a示出根据本发明的基层保持部2的机械的组合件6*的第一示例性的实施方式的示意性的功能平面图。
对于所述机械的组合件6'的六个运动自由度的划分的逻辑的顺序在实施方式中串联地构建。由此，从基层4看，实施沿z方向的平移6a，尤其用于调整在加工机构3和基层4之间的间距，所述平移实施基层4的提升以及下降。
关于下一个自由度，基层4以相应的装置6b围绕轴线z在φ中旋转。应用相应的装置于围绕y轴线的旋转6c以及围绕x轴线的旋转6d的运动。
在备选的实施方式中，6c和6d是能够彼此交换的，从而尤其未示出的用于所述旋转的万向的布置和/或球面截形设计能够被视为彼此等价的。由此，能够实现基层保持部的单纯的、误差少的外形。
适用于剩余的平移的命名惯例的是，所述剩余的平移能够同样是能够彼此交换的，其中，在此由基层4关于第五个自由度实施沿y方向的平移6e并且关于最后一个或第六个自由度进行沿x方向的平移6f。
由此，根据本发明的基层保持部的所有运动自由度被覆盖，然而能够进行加工设备1的冗余和/或组合的驱动器如尤其将运动拆开为粗略定位和精细定位那样。
图2b是根据本发明的基层保持部2的机械的组合件6”的第二示例性的实施方式的示意性的功能平面图。
在此，机械的组合件6”从基层4看能够实施围绕z轴的旋转6b的、围绕y轴的旋转6c的自由度以及沿x方向的平移6f。在进一步的、未示出的实施方式中，坐标轴和相应的驱动器的另一个顺序是可行的，从而代替沿x方向的平移6f进行沿y方向的平移6e。此后执行围绕x轴线的旋转6d。围绕x轴线的旋转6b被保持为根据本发明的功能。
图2c是根据本发明的基层保持部2的机械的组合件6”'的第三示例性的实施方式的示意性的功能平面图。其示出运动自由度的可行的组合，其中，通过对比，尤其应用直接驱动器和集成的功能性、尤其用于位置探测以及稳定和/或主动的振动阻尼和/或主动的冷却，和/或主动的温度稳定和/或自保持能力的测量和调节系统是根据本发明地优选的。
由此，从基层4观察，实现围绕y轴线6c和围绕x轴线(6d)的这两个旋转还连同串联的围绕z轴线的旋转6b的单纯的、误差少的布置。这对于减少、在特别的实施方式中对于消除基层保持部的第一次序的倾斜误差是有利的。
在旋转自由度6c、6d、6b之后，实施沿x方向的平移6a以及在并联布置中实施沿y方向的平移6e和沿x方向的平移6f。此外，如果应用组合的驱动器、尤其直接驱动器，那么对于这种特别优选的实施方式的优点在于单个运动构件的减少的数量。
图3a是在根据本发明的静电的基层保持部2的第一实施方式的部分的侧视图中的示意性的、未按照比例的剖切图示。
基层4以基层外部面4a放下在保持件7的保持面7h上并且根据本发明借助于静电的器件固定，所述静电的器件通过静电的组合件5'示出。
保持件7借助于滚动元件8耦联到另一个运动机构9。这种根据本发明的实施方式示出基层保持部2，所述基层保持部借助于库伦效应产生静电的力。
滚动元件8能够设计为支承件、尤其轴向支承件和/或轴向径向支承件。由此，能够有利地在结构上远离基层地设计最大的摩擦的以及颗粒生成的位置。
通过间距或空区象征着纯机械的部件7、8和9从静电的组合件5'的脱耦。
示意性地画入笛卡尔坐标系统的坐标方向x、y、z。因为在此涉及抽象的功能的简图，所以驱动器和/或供给单元和/或测量装置和/或调节装置未图示地示出。能量流以及材料流和运动过程未示出。
图3b是在根据本发明的静电的基层保持部2的第二实施方式的部分的侧视图中的示意性的、未按照比例的剖切图示。
基层4以基层外部面4a放下在保持件V的保持面7h'上并且根据本发明借助于静电的器件固定，所述静电的器件通过静电的组合件5”示出。保持件7'借助于滚动元件8耦联到另外的运动机构9。
这个根据本发明的实施方式示出基层保持部2，所述基层保持部借助于约翰森拉比克效应产生静电的力。
滚动元件8能够设计为支承件、尤其轴向支承件和/或轴向径向支承件。由此能够有利地在结构上远离基层4地设计最大的摩擦的以及颗粒生成的位置。
静电的滚动元件10使保持件7*与静电的组合件5”连接。使用静电的组合件5”进行基层4与保持件7'以及与静电的滚动元件10的静电的耦联。
部件7、8与9机械的耦联与静电的耦联分离地进行。
因为在此涉及抽象的功能的简图，驱动器和/或供给单元和/或测量装置和调节装置未图示地示出。能量流以及材料流和运动过程未示出。
图4a示出根据本发明的静电的组合件5”'的第三实施方式的作为俯视图的示意性的原理简图。在此，电极11伸延为同心的环。
电极11能够尤其以至少一个源和至少一个流出口(Senke)的接通产生静电的保持力。如果使用多于一对电极11，基层4能够以在适宜的顺序中的接通的电极11拉平并且然后保持固定。根据本发明重要的是，基层尽可能伴随小的变形保持固定。为了拉平，电极对在小的直径的情况下能够尤其首先固定基层的中部并且渐渐地在较大的直径的情况下接通电极。这引起连续的拉平，从而背减薄的基层不经受附加的波纹度或强制。
图4b示出根据本发明的静电的组合件5lv的第四实施方式的俯视图的示意性的原理简图。在此，电极11'伸延为圆部段。
电极11'能够以至少一个源和至少一个流出口的接通产生静电的保持力。如果使用多于一对电极11'，基层4能够以在适宜的顺序中接通的电极11'拉平并且然后保持固定。尤其互相对置的电极能够接通，从而能够达到逐渐的展平和保持固定。
电极11、11'以及电极对的另外的形式未示出；然而，根据本发明可行的是，应用面优化地尤其圆形的或六角形的或四角形的电极。
图5示出在根据本发明的静电的基层保持部2的另一个实施方式的保持件7”的侧视图中的示意性的原理图示。
保持面7h”尤其平整地(平面地)实施。间距T示出保持面7h”与电极11”的间距。
对于静电的力的设计，间距T能够应用于模拟目的并且是优选地最小的。
在这个根据本发明的实施方式中，电极11”安置在保持件7”的径向的加深部中。
保持件7”是能够旋转的并且电极11”处于固定地(关于保持件7”)实施。
间距H示出尤其优化的功能上的高度、尤其保持件7”的厚度。
附图标记列表
1 加工设备
2 基层保持部
3 加工机构
4 基层
4a 基层外侧
5、5'、5”、5iii、5iV 定子/静电的组合件
6、6'、6”、6”' 转子/机械的组合件
6a 沿z方向的平移
6b 围绕z轴线的旋转，以φ
6c 围绕y轴线的旋转，以θ
6d 围绕x轴线的旋转，以p
6e 沿y方向的平移
6f 沿x方向的平移
7、7'、7” 保持件
7h、7h'、7h” 保持面
8 滚动元件
9 运动机构
10 静电的滚动元件
11、11'、11” 电极
x、y、z 笛卡尔坐标系统的轴线。

Claims (20)

1.用于容纳和保持基层(4)的静电的基层保持部(2)，具有：
-转子(6、6'、6”、6”')，所述转子具有保持件(7、7'、7”)用于在保持面(7h、7h'、7h”)上固定所述基层(4)，
-定子(5、5'、5”、5iii、5iV)，所述定子用于容纳和支承所述转子(6、6'、6”、6”')，
-电极(11、11'、11”)，所述电极用于产生静电的保持力以固定所述基层(4)，
其中，所述定子(5、5'、5”、5iii、5iV)具有所述电极(11、11'、11”)，其中，所述电极(11、11'、11”)与所述保持面(7h、7h'、7h”)间隔，
其特征在于，所述转子(6、6'、6”、6”')通过电可传导的支承元件(10)支承，
其中，所述电可传导的支承元件(10)接触所述定子(5、5'、5”、5iii、5iV)的电极(11、11'、11”)，所述支承元件(10)是滚动元件。
2.根据权利要求1所述的静电的基层保持部(2)，其中，所述转子(6、6'、6”、6”')通过球支承件和/或深沟球支承件和/或角接触球支承件和/或球面支承件和/或轴向支承件和/或径向支承件支承。
3.根据权利要求1或2所述的静电的基层保持部(2)，其中，所述保持件(7、7'、7”)沿Z方向的厚度为少于100mm。
4.根据权利要求1或2所述的静电的基层保持部(2)，其中，在所述电极(11、11'、11”)与所述保持面(7h、7h'、7h”)之间的间距为少于100毫米。
5.根据权利要求1或2所述的静电的基层保持部(2)，其中，在所述保持件(7、7'、7”)的背离所述基层(4)的侧上布置加深部，在所述加深部中布置所述电极(11、11'、11”)。
6.根据权利要求1或2所述的静电的基层保持部(2)，其中，所述电极(11、11'、11”)构造为环(11)。
7.根据权利要求1或2所述的静电的基层保持部(2)，其中，所述电极(11、11'、11”)构造为圆部段(11')和/或圆环部段。
8.根据权利要求1或2所述的静电的基层保持部(2)，其中，所述保持件(7、7'、7”)构造为蜂巢结构。
9.根据权利要求1或2所述的静电的基层保持部(2)，所述静电的基层保持部具有定位、保持和运动系统用于使所述基层(4)和/或所述保持件(7、7'、7”)运动。
10.根据权利要求1或2所述的静电的基层保持部(2)，其中，所述基层(4)和/或所述保持件(7、7'、7”)能够在至少三个自由度中运动。
11.根据权利要求9所述的静电的基层保持部(2)，其中，所述定位、保持和运动系统对于至少一个自由度构造有粗略驱动器和精细驱动器。
12.根据权利要求9所述的静电的基层保持部(2)，其中，所述定位、保持和运动系统的驱动器如下地设计，使得其在没有运行电压和/或电流和/或其它的能量供应的不运动的状态中能够保持和/或锁定相应的位置。
13.根据权利要求1或2所述的静电的基层保持部(2)，所述基层保持部具有中央的控制单元和/或调节单元用于控制和/或调节运动和/或过程。
14.根据权利要求1或2所述的静电的基层保持部(2)，所述基层保持部具有至少一个用于测量影响因素的传感器，以及具有至少一个用于取决于所测量的影响因素进行控制和/或调节的致动器。
15.根据权利要求5所述的静电的基层保持部(2)，其中，所述加深部同心地和/或作为通道构造。
16.根据权利要求6所述的静电的基层保持部(2)，其中，所述环(11)等距地和/或同心地布置。
17.根据权利要求13所述的静电的基层保持部(2)，所述基层保持部具有中央的控制单元和/或调节单元用于控制和/或调节所述基层(4)的固定、所述保持件(7、7'、7”)的位置、所述保持件(7、7'、7”)的速度和/或加速度。
18.根据权利要求14所述的静电的基层保持部(2)，所述传感器是间距和/或位置传感器，以及所述致动器是位置编码器和/或角度编码器。
19.加工设备(1)，具有用于加工基层(4)的加工机构(3)和根据前述权利要求中任一项所述的用于容纳和保持基层(4)的静电的基层保持部(2)。
20.用于加工基层(4)的方法，其中，所述基层(4)通过根据权利要求1-18中任一项所述的用于容纳和保持基层(4)的静电的基层保持部(2)保持和旋转。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11240411B2 (en) 2019-06-26 2022-02-01 Magna Electronics Inc. Vehicular camera with controlled camera focus
US11579400B2 (en) 2019-10-08 2023-02-14 Magna Electronics Inc. Vehicular camera with adhesive disposed between non-axially opposed surfaces of the lens barrel and PCB structure
US11635672B2 (en) 2020-06-08 2023-04-25 Magna Electronics Inc. Vehicular camera assembly process using welding to secure lens relative to camera image plane

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4943750A (en) * 1987-05-20 1990-07-24 Massachusetts Institute Of Technology Electrostatic micromotor
US5827080A (en) * 1995-06-13 1998-10-27 Nissin Electric Co., Ltd. Rotary section current transmitting mechanism
CN1700580A (zh) * 2004-05-21 2005-11-23 阿尔卑斯电气株式会社 静电吸引驱动装置
TW201124802A (en) * 2009-09-28 2011-07-16 Nikon Corp Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
WO2016137964A1 (en) * 2015-02-25 2016-09-01 Corning Incorporated Apparatus and method to electrostatically chuck substrates to a moving carrier

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1533757A (en) 1919-03-10 1925-04-14 Rahbek Knud Apparatus for changing electrical variations to mechanical
JPH06232047A (ja) 1993-01-29 1994-08-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ウェハ回転装置
US5982986A (en) * 1995-02-03 1999-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for rotationally aligning and degassing semiconductor substrate within single vacuum chamber
JP3419204B2 (ja) 1995-06-13 2003-06-23 日新電機株式会社 回転部電流伝達機構
US5790365A (en) * 1996-07-31 1998-08-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for releasing a workpiece from and electrostatic chuck
JP4386983B2 (ja) * 1998-02-25 2009-12-16 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置、マルチチャンバー基板処理装置及び電子デバイス製作方法
JP3437520B2 (ja) * 2000-03-01 2003-08-18 キヤノン株式会社 静電アクチュエータ駆動機構、静電アクチュエータ駆動方法、及びこれらによる静電アクチュエータ、回転ステージ、ポリゴンミラー
JP4745556B2 (ja) 2001-08-20 2011-08-10 キヤノン株式会社 位置決め装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP3688243B2 (ja) * 2002-02-18 2005-08-24 株式会社日立国際電気 半導体製造装置
JP3748559B2 (ja) * 2003-06-30 2006-02-22 キヤノン株式会社 ステージ装置、露光装置、荷電ビーム描画装置、デバイス製造方法、基板電位測定方法及び静電チャック
JP4395752B2 (ja) 2004-12-22 2010-01-13 日本精工株式会社 回転保持装置
US7736528B2 (en) 2005-10-12 2010-06-15 Panasonic Corporation Plasma processing apparatus and plasma processing method
US7511935B2 (en) * 2006-02-27 2009-03-31 Applied Materials, Israel, Ltd. Electrostatic chuck and method of its manufacture
JP4768699B2 (ja) * 2006-11-30 2011-09-07 キヤノンアネルバ株式会社 電力導入装置及び成膜方法
US7898204B2 (en) * 2007-01-05 2011-03-01 Active Precision, Inc. High-speed substrate manipulator
WO2010016588A1 (ja) 2008-08-08 2010-02-11 旭硝子株式会社 基板の保持装置、基板の保持方法および合わせガラスの製造方法
DE102009018156A1 (de) 2009-04-21 2010-11-18 Ev Group Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Trennen eines Substrats von einem Trägersubstrat
JP5396353B2 (ja) * 2009-09-17 2014-01-22 日本碍子株式会社 静電チャック及びその製法
JP5504980B2 (ja) 2010-03-04 2014-05-28 日新イオン機器株式会社 ウエハリフト回転機構、ステージ装置及びイオン注入装置
WO2012011149A1 (ja) 2010-07-21 2012-01-26 キヤノンアネルバ株式会社 電力導入装置及び電力導入装置を用いた真空処理装置
WO2013088603A1 (ja) 2011-12-13 2013-06-20 キヤノンアネルバ株式会社 電力導入装置及び電力導入装置を用いた真空処理装置
JP5994306B2 (ja) 2012-03-15 2016-09-21 ソニー株式会社 情報処理装置、情報処理システムおよびプログラム
JP6207880B2 (ja) 2012-09-26 2017-10-04 東芝メモリ株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
EP2752870A1 (en) * 2013-01-04 2014-07-09 Süss Microtec Lithography GmbH Chuck, in particular for use in a mask aligner
KR101489074B1 (ko) 2013-07-01 2015-02-04 주식회사 야스 클러스터 장비에 적용되는 정전기부상 기판 이송 시스템
US9853579B2 (en) 2013-12-18 2017-12-26 Applied Materials, Inc. Rotatable heated electrostatic chuck
KR20160015510A (ko) * 2014-07-30 2016-02-15 삼성전자주식회사 정전척 어셈블리, 이를 구비하는 반도체 제조장치, 및 이를 이용한 플라즈마 처리방법
JP6462620B2 (ja) * 2016-03-29 2019-01-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4943750A (en) * 1987-05-20 1990-07-24 Massachusetts Institute Of Technology Electrostatic micromotor
US5827080A (en) * 1995-06-13 1998-10-27 Nissin Electric Co., Ltd. Rotary section current transmitting mechanism
CN1700580A (zh) * 2004-05-21 2005-11-23 阿尔卑斯电气株式会社 静电吸引驱动装置
TW201124802A (en) * 2009-09-28 2011-07-16 Nikon Corp Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
WO2016137964A1 (en) * 2015-02-25 2016-09-01 Corning Incorporated Apparatus and method to electrostatically chuck substrates to a moving carrier

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