CN110421246B - 一种背板与高纯金属靶材的扩散焊接方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种背板与高纯金属靶材的扩散焊接方法，所述扩散焊接方法包括如下步骤：准备高纯金属靶材与背板，并在背板的焊接面上加工螺纹；组合高纯金属靶材与背板，并将组合材料放置于金属包套中；对装入组合材料的金属包套进行脱气处理，然后将金属包套进行密封；冷等静压密封后的金属包套；对冷等静压处理后的金属包套进行热等静压处理，然后冷却至室温；去除金属包套，完成背板与高纯金属靶材的扩散焊接。本发明通过对组合材料先进行冷等静压处理，再进行热等静压处理，克服了热等静压在低温下达不到工艺压力的缺点，从而保证了螺纹的嵌入效果。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，涉及一种背板与靶材的焊接方法，尤其涉及一种背板与高纯金属靶材的扩散焊接方法。
背景技术
靶材组件使磁控溅射过程中的常用物料，其中靶材组件由靶材和背板焊接而成，焊接所用方法通常为扩散焊接的方法。
扩散焊接为现有技术常用的一种焊接靶材的方法，扩散焊接的原理为在一定温度和压力下保持一段时间使接触面之间的原子相互扩散，形成联结的焊接方法。
CN 102430865A公开了一种靶材与背板的焊接方法，包括：在靶材的背面形成多个燕尾槽，在背板的正面形成与燕尾槽匹配的多个燕尾状凸起；将靶材与背板叠合防止，并使燕尾状凸起与燕尾槽咬合在一起；采用静压方式处理靶材与背板中心区域，利用电子束焊接靶材与背板的边缘结合区域，该方法避免了采用钎焊的方式，降低了采用焊料所需的成本，但需要同时对靶材与背板进行加工，加工成本较高，难度较大。
根据扩散焊接的性质，扩散焊接需要一定的温度与压力，温度越高、压力越大则焊接效果越好，从而使靶材的使用性能达到最佳。同时，为了增加焊接面的接触面积，提高焊接强度，还会在靶材和背板中选择硬度较高的一方，并在其焊接面上加工螺纹，在扩散焊接的压力下，使螺纹嵌入到硬度较低的材料中，从而增加焊接面积。
CN 101648316A公开了一种靶材与背板的焊接结构及方法，所述方法包括：提供钛靶材和铝背板；对钛靶材和铝背板进行加工，在钛靶材焊接面加工成螺纹状；采用热压方法将钛靶材和铝背板进行焊接形成靶材组件，对靶材组件进行热扩散处理然后空冷冷却。所述方法使用螺纹撕裂背板上的氧化层，提高了靶材与背板之间的结合强度。
但是，部分靶材由高纯金属构成，高纯金属的再结晶温度低，为了防止扩散焊接过程中的高温使靶材的晶粒异常长大，影响溅射性能，扩散焊接的温度在高纯金属的再结晶温度以下，而扩散焊接常用的方法为热等静压法，热等静压法为一种利用气体体积随温度升高而膨胀，从而提供压力的方法，当扩散焊接的温度在高纯金属的再结晶温度以下时，扩散焊接的压力很难满足工艺需求。
而当压力不能达到扩散焊接所需压力时，螺纹很难嵌入硬度交底材料的焊接面，最终造成焊接面出现孔洞，孔洞的出现减少了焊接面的接触面积，降低了焊接强度和焊接结合率，同时对靶材的导电、导热性能产生了不良影响。
发明内容
本发明的目的在于提供一种背板与高纯金属靶材的扩散焊接方法，所述扩散焊接方法在常规的热等静压处理前，对高纯金属靶材与背板组合而成的组合材料进行冷等静压处理，使背板与高纯金属靶材得以进行初步焊接，然后在对初步焊接后的靶材组件进行热等静压出理，使背板上的螺纹更好地嵌入到高纯金属靶材中，从而提高了背板与高纯金属靶材的焊接面的接触面积，从而提高了焊接强度，进而保证高纯金属靶材的导电性能与导热性能满足磁控溅射的需要。
为达到此发明目的，本发明采用以下技术方案：
本发明提供了一种背板与高纯金属靶材的扩散焊接方法，所述扩散焊接方法包括如下步骤：
(1)准备高纯金属靶材与背板，并在背板的焊接面上加工螺纹；
(2)组合高纯金属靶材与背板，并将组合材料放置于金属包套中；
(3)对装入组合材料的金属包套进行脱气处理，然后将金属包套进行密封；
(4)冷等静压密封后的金属包套；
(5)对冷等静压处理后的金属包套进行热等静压处理，然后冷却至室温；
(6)去除金属包套，完成背板与高纯金属靶材的扩散焊接。
本发明所述高纯金属靶材为由高纯金属组成的靶材，高纯金属为杂质含量以百万分之几计算的金属，其中的“几”为个位数。
高纯金属的硬度较背板的硬度低，本发明通过在背板的焊接面上加工螺纹，使螺纹嵌入到背板的焊接面，从而提高焊接面的接触面积，提高焊接效果。而且，本发明通过对高纯金属靶材与背板组成的组合材料先进行冷等静压处理，再进行热等静压处理，克服了热等静压在低温下达不到工艺压力的缺点，从而保证了螺纹的嵌入效果。使高纯金属靶材与背板的扩散焊接效果，高纯金属靶材的导电效果、导热效果均能满足磁控溅射的需要。
本发明所述金属包套为本领域等静压处理常用的金属包套，本领域技术人员可根据热等降压处理的温度进行合理选择，具体的，当热等静压处理的温度不超过500℃时，可选择铝包套，当热等静压的温度在500℃以上时，可选择铝合金包套。
优选地，所述高纯金属靶材包括镍靶材、钛靶材、锌靶材、铬靶材、镁靶材、铌靶材、锡靶材、铝靶材、铟靶材、铁靶材、锆靶材、铜靶材、钽靶材、锗靶材、铟靶材、钴靶材、金靶材、轧靶材、镧靶材、钇靶材、铈靶材、钼靶材或钨靶材中的任意一种或至少两种的组合。
优选地，所述背板包括CuZn合金背板、CuCr合金背板、铝合金背板或无氧铜背板中的任意一种。
本发明步骤(2)所述组合为将靶材与背板按照焊接需要放置在一起。
优选地，步骤(3)所述脱气处理的真空度为1×10-4-1×10-1Pa，例如可以是1×10- 4Pa、5×10-4Pa、1×10-3Pa、5×10-3Pa、1×10-2Pa、5×10-2Pa或1×10-1Pa；温度为100-500℃，例如可以是100℃、150℃、200℃、250℃、300℃、350℃、400℃、450℃或500℃；时间为1-5h，例如可以是1h、1.5h、2h、2.5h、3h、3.5h、4h、4.5h或5h。
优选地，步骤(4)所述冷等静压处理的具体操作为：将密封后的金属包套放置于冷等静压机中，升压至200-300MPa，保压，泄压后完成冷等静压处理。
本发明通过先对高纯金属靶材与背板组成的组合材料记性冷等静压出理，背板的螺纹在压力下嵌入高纯金属靶材的焊接面，冷等静压的压力为200-300MPa，例如可以是200MPa、210MPa、220MPa、230MPa、240MPa、250MPa、260MPa、270MPa、280MPa、290MPa或300MPa。
优选地，所述保压的时间为10-30min，例如可以是10min、15min、20min、25min或30min。
优选地，步骤(5)所述热等静压处理的温度为200-600℃，例如可以是200℃、250℃、300℃、350℃、400℃、450℃、500℃、550℃或600℃；压力为100-200MPa，例如可以是100MPa、110MPa、120MPa、130MPa、140MPa、150MPa、160MPa、170MPa、180MPa、190MPa或200MPa；保温保压时间为2-5h，例如可以是2h、2.5h、3h、3.5h、4h、4.5h或5h。
本发明所述热等静压处理的操作为：通过升温使气体膨胀来达到升高压力的目的，本发明所述热等静压处理的温度为200-600℃、压力为100-200MPa是指，通过将温度升高至200-600℃使压力达到100-200MPa。
热等静压时所用气体包括氩气、氢气、氧气、氮气或甲烷气中的任意一种或至少两种的组合，本领域技术人员可以根据工艺需要进行合理地选择。
优选地，步骤(5)所述冷却为空冷冷却。
优选地，所述方法还包括步骤(1)与步骤(2)之间对高纯金属靶材与背板的焊接面分别独立地进行清洗与干燥的步骤。
所述清洗的方法包括但不限于水洗，所述干燥的方法包括但不限于烘干和/或真空干燥，本发明通过清洗与干燥的操作使高纯金属靶材与背板的焊接面保持洁净，从而提高靶材与背板的焊接效果。
作为本发明所述扩散焊接方法的优选技术方案，所述扩散焊接方法包括如下步骤：
(1)准备高纯金属靶材与合金背板，并在合金背板的焊接面上加工螺纹；
(2)组合高纯金属靶材与合金背板，并将组合材料放置于金属包套中；
(3)对装入组合材料的金属包套进行脱气处理，然后将金属包套进行密封，所述脱气处理的真空度为1×10-4-1×10-1Pa，温度为100-500℃，时间为1-5h；
(4)将密封后的金属包套放置于冷等静压机中，升压至200-300MPa，保压10-30min，泄压后完成冷等静压处理；
(5)对冷等静压处理后的金属包套进行热等静压处理，所述热等静压处理的温度为200-600℃，压力为100-200MPa，保温保压时间为2-5h，然后空冷冷却至室温；
(6)去除金属包套，完成背板与高纯金属靶材的扩散焊接。
相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
(1)本发明通过对高纯金属靶材与背板组成的组合材料先进行冷等静压出理，再进行热等静压处理，使背板上的螺纹更好的嵌入到高纯金属靶材的焊接面，无需提高热等静压处理时的温度，从而同时达到控制靶材粒径且使螺纹更好的嵌入高纯金属靶材焊接面的目的；
(2)本发明所述方法操作简单，便于工业化推广。
附图说明
图1是实施例1提供的扩散焊接方法处理后的靶材组件的断面图；
图2是实施例2提供的扩散焊接方法处理后的靶材组件的断面图；
图3是实施例3提供的扩散焊接方法处理后的靶材组件的断面图；
图4是实施例4提供的扩散焊接方法处理后的靶材组件的断面图；
图5是实施例5提供的扩散焊接方法处理后的靶材组件的断面图；
图6是实施例8提供的扩散焊接方法处理后的靶材组件的断面图；
图7是实施例9提供的扩散焊接方法处理后的靶材组件的断面图；
图8是对比例1提供的扩散焊接方法处理后的靶材组件的断面图。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
实施例1
本实施例提供了一种背板与高纯金属靶材的扩散焊接方法，所述背板为CuCr合金背板，所述高纯金属靶材为铜靶材，所述方法包括如下步骤：
(1)准备铜靶材与CuCr合金背板，并在CuCr合金背板的焊接面上加工螺纹；
(2)组合铜靶材与CuCr合金背板，并将组合材料放置于金属包套中；
(3)对装入组合材料的金属包套进行脱气处理，然后将金属包套进行密封，所述脱气处理的真空度为1×10-2Pa，温度为150℃，时间为3h；
(4)将密封后的金属包套放置于冷等静压机中，升压至250MPa，保压20min，泄压后完成冷等静压处理；
(5)对冷等静压处理后的金属包套进行热等静压处理，所述热等静压处理的温度为270℃，压力为150MPa，保温保压时间为3.5h，然后空冷冷却至室温；
(6)去除金属包套，完成CuCr合金背板与铜靶材的扩散焊接。
对完成扩散焊接后的靶材组件进行破坏分析，切开靶材组件后在显微镜下观察断面螺纹的嵌合情况，嵌合情况如图1所示，由图1可知，由实施例1提供的方法处理后，CuCr合金背板上的螺纹能够完好嵌入铜靶材的焊接面，无空洞产生。
实施例2
本实施例提供了一种背板与高纯金属靶材的扩散焊接方法，所述背板为CuCr合金背板，所述高纯金属靶材为铜靶材，所述方法包括如下步骤：
(1)准备铜靶材与CuCr合金背板，并在CuCr合金背板的焊接面上加工螺纹；
(2)组合铜靶材与CuCr合金背板，并将组合材料放置于金属包套中；
(3)对装入组合材料的金属包套进行脱气处理，然后将金属包套进行密封，所述脱气处理的真空度为1×10-3Pa，温度为180℃，时间为2h；
(4)将密封后的金属包套放置于冷等静压机中，升压至240MPa，保压25min，泄压后完成冷等静压处理；
(5)对冷等静压处理后的金属包套进行热等静压处理，所述热等静压处理的温度为240℃，压力为120MPa，保温保压时间为4h，然后空冷冷却至室温；
(6)去除金属包套，完成CuCr合金背板与铜靶材的扩散焊接。
对完成扩散焊接后的靶材组件进行破坏分析，切开靶材组件后在显微镜下观察断面螺纹的嵌合情况，嵌合情况如图2所示，由图2可知，由实施例2提供的方法处理后，CuCr合金背板上的螺纹能够完好嵌入铜靶材的焊接面，无空洞产生。
实施例3
本实施例提供了一种背板与高纯金属靶材的扩散焊接方法，所述背板为CuCr合金背板，所述高纯金属靶材为铜靶材，所述方法包括如下步骤：
(1)准备铜靶材与CuCr合金背板，并在CuCr合金背板的焊接面上加工螺纹；
(2)组合铜靶材与CuCr合金背板，并将组合材料放置于金属包套中；
(3)对装入组合材料的金属包套进行脱气处理，然后将金属包套进行密封，所述脱气处理的真空度为5×10-2Pa，温度为120℃，时间为4h；
(4)将密封后的金属包套放置于冷等静压机中，升压至270MPa，保压15min，泄压后完成冷等静压处理；
(5)对冷等静压处理后的金属包套进行热等静压处理，所述热等静压处理的温度为300℃，压力为180MPa，保温保压时间为3h，然后空冷冷却至室温；
(6)去除金属包套，完成CuCr合金背板与铜靶材的扩散焊接。
对完成扩散焊接后的靶材组件进行破坏分析，切开靶材组件后在显微镜下观察断面螺纹的嵌合情况，嵌合情况如图3所示，由图3可知，由实施例3提供的方法处理后，CuCr合金背板上的螺纹能够完好嵌入铜靶材的焊接面，无空洞产生。
实施例4
本实施例提供了一种背板与高纯金属靶材的扩散焊接方法，所述背板为CuCr合金背板，所述高纯金属靶材为铜靶材，所述方法包括如下步骤：
(1)准备铜靶材与CuCr合金背板，并在CuCr合金背板的焊接面上加工螺纹；
(2)组合铜靶材与CuCr合金背板，并将组合材料放置于金属包套中；
(3)对装入组合材料的金属包套进行脱气处理，然后将金属包套进行密封，所述脱气处理的真空度为1×10-4Pa，温度为200℃，时间为1h；
(4)将密封后的金属包套放置于冷等静压机中，升压至200MPa，保压30min，泄压后完成冷等静压处理；
(5)对冷等静压处理后的金属包套进行热等静压处理，所述热等静压处理的温度为200℃，压力为100MPa，保温保压时间为5h，然后空冷冷却至室温；
(6)去除金属包套，完成CuCr合金背板与铜靶材的扩散焊接。
对完成扩散焊接后的靶材组件进行破坏分析，切开靶材组件后在显微镜下观察断面螺纹的嵌合情况，嵌合情况如图4所示，由图4可知，由实施例4提供的方法处理后，CuCr合金背板上的螺纹能够完好嵌入铜靶材的焊接面，无空洞产生。
实施例5
本实施例提供了一种背板与高纯金属靶材的扩散焊接方法，所述背板为CuCr合金背板，所述高纯金属靶材为铜靶材，所述方法包括如下步骤：
(1)准备铜靶材与CuCr合金背板，并在CuCr合金背板的焊接面上加工螺纹；
(2)组合铜靶材与CuCr合金背板，并将组合材料放置于金属包套中；
(3)对装入组合材料的金属包套进行脱气处理，然后将金属包套进行密封，所述脱气处理的真空度为1×10-1Pa，温度为100℃，时间为5h；
(4)将密封后的金属包套放置于冷等静压机中，升压至300MPa，保压10min，泄压后完成冷等静压处理；
(5)对冷等静压处理后的金属包套进行热等静压处理，所述热等静压处理的温度为350℃，压力为200MPa，保温保压时间为2h，然后空冷冷却至室温；
(6)去除金属包套，完成CuCr合金背板与铜靶材的扩散焊接。
对完成扩散焊接后的靶材组件进行破坏分析，切开靶材组件后在显微镜下观察断面螺纹的嵌合情况，嵌合情况如图5所示，由图5可知，由实施例5提供的方法处理后，CuCr合金背板上的螺纹能够完好嵌入铜靶材的焊接面，无空洞产生。
实施例6
本实施例提供了一种背板与高纯金属靶材的扩散焊接方法，所述背板为CuCr合金背板，所述高纯金属靶材为钛靶材，所述方法包括如下步骤：
(1)准备钛靶材与CuCr合金背板，并在CuCr合金背板的焊接面上加工螺纹；
(2)组合钛靶材与CuCr合金背板，并将组合材料放置于金属包套中；
(3)对装入组合材料的金属包套进行脱气处理，然后将金属包套进行密封，所述脱气处理的真空度为1×10-2Pa，温度为300℃，时间为3h；
(4)将密封后的金属包套放置于冷等静压机中，升压至250MPa，保压20min，泄压后完成冷等静压处理；
(5)对冷等静压处理后的金属包套进行热等静压处理，所述热等静压处理的温度为500℃，压力为150MPa，保温保压时间为3.5h，然后空冷冷却至室温；
(6)去除金属包套，完成CuCr合金背板与钛靶材的扩散焊接。
对完成扩散焊接后的靶材组件进行破坏分析，切开靶材组件后在显微镜下观察断面螺纹的嵌合情况，通过观察嵌合情况可知，由实施例6提供的方法处理后，CuCr合金背板上的螺纹能够完好嵌入钛靶材的焊接面，无空洞产生。
实施例7
本实施例提供了一种背板与高纯金属靶材的扩散焊接方法，所述背板为CuCr合金背板，所述高纯金属靶材为钽靶材，所述方法包括如下步骤：
(1)准备钽靶材与CuCr合金背板，并在CuCr合金背板的焊接面上加工螺纹；
(2)组合钽靶材与CuCr合金背板，并将组合材料放置于金属包套中；
(3)对装入组合材料的金属包套进行脱气处理，然后将金属包套进行密封，所述脱气处理的真空度为1×10-2Pa，温度为500℃，时间为3h；
(4)将密封后的金属包套放置于冷等静压机中，升压至250MPa，保压20min，泄压后完成冷等静压处理；
(5)对冷等静压处理后的金属包套进行热等静压处理，所述热等静压处理的温度为600℃，压力为150MPa，保温保压时间为3.5h，然后空冷冷却至室温；
(6)去除金属包套，完成CuCr合金背板与钽靶材的扩散焊接。
对完成扩散焊接后的靶材组件进行破坏分析，切开靶材组件后在显微镜下观察断面螺纹的嵌合情况，通过观察嵌合情况可知，由实施例7提供的方法处理后，CuCr合金背板上的螺纹能够完好嵌入钽靶材的焊接面，无空洞产生。
实施例8
本实施例提供了一种背板与高纯金属靶材的扩散焊接方法，所述背板为CuCr合金背板，所述高纯金属靶材为铜靶材，除步骤(4)所述冷等静压的压力为180MPa外，其余均与实施例1相同。
对完成扩散焊接后的靶材组件进行破坏分析，切开靶材组件后在显微镜下观察断面螺纹的嵌合情况，嵌合情况如图6所示，由实施例8提供的方法处理后，CuCr合金背板上的螺纹无法完好嵌入铜靶材的焊接面，有空洞产生，但空洞较小。
实施例9
本实施例提供了一种背板与高纯金属靶材的扩散焊接方法，所述背板为CuCr合金背板，所述高纯金属靶材为铜靶材，除步骤(4)所述冷等静压的保压时间为8min外，其余均与实施例1相同。
对完成扩散焊接后的靶材组件进行破坏分析，切开靶材组件后在显微镜下观察断面螺纹的嵌合情况，嵌合情况如图7所示，由实施例9提供的方法处理后，CuCr合金背板上的螺纹无法完好嵌入铜靶材的焊接面，有空洞产生，但空洞较小。
对比例1
本对比例提供了一种背板与高纯金属靶材的扩散焊接方法，所述背板为CuCr合金背板，所述高纯金属靶材为铜靶材，所述方法包括如下步骤：
(1)准备铜靶材与CuCr合金背板，并在CuCr合金背板的焊接面上加工螺纹；
(2)组合铜靶材与CuCr合金背板，并将组合材料放置于金属包套中；
(3)对装入组合材料的金属包套进行脱气处理，然后将金属包套进行密封，所述脱气处理的真空度为1×10-2Pa，温度为300℃，时间为3h；
(4)对密封后的金属包套进行热等静压处理，所述热等静压处理的温度为400℃，压力为150MPa，保温保压时间为3.5h，然后空冷冷却至室温；
(5)去除金属包套，完成CuCr合金背板与铜靶材的扩散焊接。
对完成扩散焊接后的靶材组件进行破坏分析，切开靶材组件后在显微镜下观察断面螺纹的嵌合情况，嵌合情况如图8所示，由对比例1提供的方法处理后，CuCr合金背板上的螺纹无法完好嵌入铜靶材的焊接面，存在空洞。
综上所述，本发明通过对高纯金属靶材与背板组成的组合材料先进行冷等静压出理，再进行热等静压处理，使背板上的螺纹更好的嵌入到高纯金属靶材的焊接面，无需提高热等静压处理时的温度，从而同时达到控制靶材粒径且使螺纹更好的嵌入高纯金属靶材焊接面的目的，焊接完成后高纯金属靶材的导电效果、导热效果均能满足磁控溅射的需要。
申请人声明，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (8)
1.一种背板与高纯金属靶材的扩散焊接方法，其特征在于，所述扩散焊接方法包括如下步骤：
(1)准备高纯金属靶材与背板，并在背板的焊接面上加工螺纹；
(2)组合高纯金属靶材与背板，并将组合材料放置于金属包套中；
(3)对装入组合材料的金属包套进行脱气处理，然后将金属包套进行密封；
(4)冷等静压密封后的金属包套；
(5)对冷等静压处理后的金属包套进行热等静压处理，然后冷却至室温；
(6)去除金属包套，完成背板与高纯金属靶材的扩散焊接；
步骤(4)所述冷等静压处理的具体操作为：将密封后的金属包套放置于冷等静压机中，升压至200-300MPa，保压，泄压后完成冷等静压处理。
2.根据权利要求1所述的扩散焊接方法，其特征在于，所述高纯金属靶材包括镍靶材、钛靶材、锌靶材、铬靶材、镁靶材、铌靶材、锡靶材、铝靶材、铟靶材、铁靶材、锆靶材、铜靶材、钽靶材、锗靶材、钴靶材、金靶材、镧靶材、钇靶材、铈靶材、钼靶材或钨靶材中的任意一种或至少两种的组合。
3.根据权利要求1所述的扩散焊接方法，其特征在于，所述背板包括CuZn合金背板、CuCr合金背板、铝合金背板或无氧铜背板中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的扩散焊接方法，其特征在于，步骤(3)所述脱气处理的真空度为1×10-4-1×10-1Pa，温度为100-500℃，时间为1-5h。
5.根据权利要求1所述的扩散焊接方法，其特征在于，所述保压的时间为10-30min。
6.根据权利要求1所述的扩散焊接方法，其特征在于，步骤(5)所述热等静压处理的温度为200-600℃，压力为100-200MPa，保温保压时间为2-5h。
7.根据权利要求1所述的扩散焊接方法，其特征在于，步骤(5)所述冷却为空冷冷却。
8.根据权利要求1所述的扩散焊接方法，其特征在于，所述扩散焊接方法包括如下步骤：
(1)准备高纯金属靶材与合金背板，并在合金背板的焊接面上加工螺纹；
(2)组合高纯金属靶材与合金背板，并将组合材料放置于金属包套中；
(3)对装入组合材料的金属包套进行脱气处理，然后将金属包套进行密封，所述脱气处理的真空度为1×10-4-1×10-1Pa，温度为100-500℃，时间为1-5h；
(4)将密封后的金属包套放置于冷等静压机中，升压至200-300MPa，保压10-30min，泄压后完成冷等静压处理；
(5)对冷等静压处理后的金属包套进行热等静压处理，所述热等静压处理的温度为200-600℃，压力为100-200MPa，保温保压时间为2-5h，然后空冷冷却至室温；
(6)去除金属包套，完成背板与高纯金属靶材的扩散焊接。
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