CN110412438A - 生成包括晶体振荡器的测试产品的晶体模型的方法和系统 - Google Patents
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Abstract
在此公开一种生成包括晶体振荡器的测试产品的晶体模型的方法和系统。所述方法包括:在产品测试过程期间,在第一校准点测量测试产品的第一温度并测量晶体振荡器的第一频率误差;在产品测试过程期间,在第二校准点测量测试产品的第二温度并测量晶体振荡器的第二频率误差;从第一温度、第一频率误差、第二温度和第二频率误差估计两个参数;基于所述两个参数确定晶体模型的三阶多项式。
Description
本申请要求于2018年4月26日提交到美国专利商标局的分配的序列号为62/663,110的美国临时专利申请和于2018年10月16日提交到美国专利商标局的分配的序列号为16/161,985的美国专利申请的优先权,所述专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开总体涉及一种用于石英晶体振荡器的校准的方法和系统。
背景技术
通信系统通常需要比未校正的石英晶体更好的具有精确稳定的频率的晶体振荡器。晶体振荡器是使用压电材料的振动晶体的机械共振来创建具有特定频率的电信号的电子振荡器电路。使用的压电谐振器的最常见类型是石英晶体,所以包含石英晶体的振荡器电路可被称为晶体振荡器。
温度、湿度、压力和振动的环境改变可改变石英晶体的谐振频率。为了克服这种环境改变以减少/改善晶体振荡器的频率变化,诸如温度补偿晶体振荡器(TCXO)和数字补偿晶体振荡器(DCXO)的典型解决方案被利用。TCXO使用通过由温度传感器生成的模拟电压指示的模拟频率校正来调节电压可变电容器。DCXO使用数字控制的电容器组来指示频率校正。
由于石英晶体制造公差的限制,针对每个单独的晶体所需的补偿不同。通常,通过在晶体振荡器生产工厂中的温度下运行装置来调节每个TCXO。这样的过程相对缓慢且昂贵,TCXO的成本大约是未经补偿的晶体振荡器的两倍。TCXO还会使用相对更多的物理区域。
发明内容
根据一个实施例,提供一种生成包括晶体振荡器的测试产品的晶体模型的方法。所述方法包括:在产品测试过程期间,在第一校准点测量测试产品的第一温度并测量晶体振荡器的第一频率误差;在产品测试过程期间,在第二校准点测量测试产品的第二温度并测量晶体振荡器的第二频率误差;从第一温度、第一频率误差、第二温度和第二频率误差估计两个参数;基于所述两个参数确定晶体模型的三阶多项式。
第一频率误差和第二频率误差由测试产品的全球导航卫星系统(GNSS)测量。
当GNSS在产品测试过程期间正在被测试时,由GNSS测量第一频率误差。
第二温度大于在产品测试过程期间产生的由测试产品的自发热引起的第一温度。
第一温度和第二温度使用与晶体振荡器位于相同位置的温度传感器来测量。
晶体振荡器是数字补偿晶体振荡器(DCXO)。
使用固定矩阵估计所述两个参数。
所述三阶多项式是以下形式:f=C0+∑m(b1m+b2m×θ)×(T-T0)m,其中,C0和θ是估计的两个参数,b是固定矩阵。
根据一个实施例,提供一种用于生成包括晶体振荡器的测试产品的晶体模型的系统。所述系统包括:温度传感器,被配置为:在产品测试过程期间,在第一校准点测量测试产品的第一温度,并在产品测试过程期间,在第二校准点测量测试产品的第二温度;频率误差测量器,被配置为:在产品测试过程期间,在第一校准点测量晶体振荡器的第一频率误差,并在产品测试过程期间,在第二校准点测量晶体振荡器的第二频率误差;以及处理器,配置为:从第一温度、第一频率误差、第二温度和第二频率误差估计两个参数,基于所述两个参数确定晶体模型的三阶多项式。
频率误差测量器包括测试产品的全球导航卫星系统(GNSS)。
当GNSS在产品测试过程期间正在被测试时,由GNSS测量第一频率误差。
第二温度大于在产品测试过程期间产生的由测试产品的自发热引起的第一温度。
温度传感器与晶体振荡器位于相同的位置。
晶体振荡器是数字补偿晶体振荡器(DCXO)。
使用固定矩阵估计所述两个参数。
所述三阶多项式是以下形式:f=C0+∑m(b1m+b2m×θ)×(T-T0)m,其中,C0和θ是估计的两个参数,b是固定矩阵。
根据一个实施例,提供一种用于测试包括晶体振荡器的电子产品的方法。所述方法包括:在第一校准点,测量电子产品的第一温度并测量晶体振荡器的第一频率误差;在第二校准点,测量电子产品的第二温度并测量晶体振荡器的第二频率误差;通过以下方式生成晶体振荡器的晶体模型:从第一温度、第一频率误差、第二温度和第二频率误差估计两个参数,并基于所述两个参数确定晶体模型的三阶多项式。
当电子产品的全球导航卫星系统(GNSS)在电子产品测试期间正在被测试时,由GNSS测量第一频率误差。
第二温度大于在电子产品测试期间产生的由电子产品的自发热引起的第一温度。
所述三阶多项式是以下形式:f=C0+∑m(b1m+b2m×θ)×(T-T0)m,其中,C0和θ是估计的两个参数,b是固定矩阵。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述,本公开的特定实施例的以上和其他方面、特征和优点将更清楚,其中:
图1是根据实施例的工厂校准系统的示图;
图2是根据实施例的工厂初始校准的流程图;
图3是示出根据实施例的初始构建精度的曲线图;
图4是根据实施例的产品测试过程的示图;
图5是示出根据实施例的测试产品的性能的曲线图;
图6是示出根据实施例的测试产品的性能的曲线图;
图7是根据实施例的用于生成晶体模型的流程图;
图8是根据一个实施例的网络环境中的电子装置的框图。
具体实施方式
在下文中,参考附图详细描述本公开的实施例。应注意,尽管相同的元件在不同的附图中示出,但是它们将由相同的参考标号指定。在下面的描述中,仅提供诸如详细的配置和组件的具体细节来帮助全面理解本公开的实施例。因此,对于本领域技术人员来说应清楚的是,在不脱离本公开的范围的情况下,可对在此描述的实施例进行各种改变和修改。此外,为了清楚和简明,公知的功能和结构的描述被省略。下面描述的术语是考虑到本公开中的功能而定义的术语,并且可根据用户、用户的意图或习惯而不同。因此,应基于贯穿本说明书的内容来确定术语的定义。
本公开可具有各种修改和各种实施例,其中,以下参照附图详细描述实施例。然而,应理解,本公开不限于所述实施例,而是包括本公开的范围内的所有修改、等同物和替代物。
虽然包括诸如第一、第二等的序数的术语可用于描述各种元件,但结构元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开来。例如,在不脱离本公开的范围的情况下,第一结构元件可被称为第二结构元件。类似地,第二结构元件也可被称为第一结构元件。如在此使用的,术语“和/或”包括一个或多个关联项的任意组合和所有组合。
在此使用的术语仅用于描述本公开的各种实施例,但并不意图限制本公开。除非上下文明确另有指示,否则单数形式也意在包括复数形式。在本公开中,应理解,术语“包括”或“具有”指示存在特征、数量、步骤、操作、结构元件、部件或它们的组合,并不排除一个或多个其他特征、数量、步骤、操作、结构元件、部件或它们的组合的存在或添加的可能性。
除非不同地定义,否则在此使用的所有术语具有与本公开所属领域的技术人员所理解的含义相同的含义。除非在本公开中明确定义,否则诸如在通用词典中定义的术语将被解释为具有与相关领域中的上下文含义相同的含义,并不被解释为具有理想或过于正式的含义。
根据一个实施例的电子装置可以是各种类型的电子装置之一。例如,电子装置可包括便携式通信装置(例如,智能电话)、计算机、便携式多媒体装置、便携式医疗装置、相机、可穿戴装置或家用电器。根据本公开的一个实施例,电子装置不限于上述装置。
本公开中使用的术语不意在限制本公开,而是意在包括对应的实施例的各种改变、等同物或替换物。关于附图的描述,类似的参考标号可用于表示类似或相关的元件。除非相关上下文另有明确指示,否则与一项对应的单数形式的名词可包括一个或多个事物。如在此所使用,诸如“A或B”、“A和B中的至少一个”、“A或B中的至少一个”、“A、B或C”、“A、B和C中的至少一个”、“A、B或C中的至少一个”的短语中的每个短语可包括在相应的一个短语中一起列举的项的所有可能组合。如在此所使用的,诸如“第一”和“第二”的术语可用于将对应的组件与另一组件区分开来,但不意在在其他方面(例如,重要性或顺序)限制组件。在具有术语“可操作地”或“通信地”或者不具有术语“可操作地”或“通信地”的情况下,如果元件(例如,第一元件)被称为“与”另一元件(例如,第二元件)“结合”、“结合到”另一元件(例如,第二元件)、“与”另一元件(例如,第二元件)“连接”或“连接到”另一元件(例如,第二元件),则意图指示该元件可与另一元件直接地(例如,有线地)、无线地或经由第三元件与所述另一元件结合。
如在此所使用的,术语“模块”可包括以硬件、软件或固件实现的单元,并且可与其他术语(例如,“逻辑”、“逻辑块”、“部件”和“电路”)互换使用。模块可以是适于执行一个或多个功能的单个集成组件或者它的最小单元或部件。例如,根据一个实施例,模块可以以专用集成电路(ASIC)的形式来实现。
为了克服环境改变以减少/改善晶体振荡器的频率变化,温度补偿晶体振荡器(TCXO)和数字补偿晶体振荡器(DCXO)可被利用。
本系统和方法提供具有降低的成本和改善的性能的晶体振荡器。本系统和方法使用用于降低成本的最小工厂校准以及使得工厂校准之后的误差显著小于典型模型的新的晶体模型。
本系统和方法提供用于使用未经温度测试的晶体的改进技术。晶体的特性在晶体装置被组装成产品的工厂中得知。产品可包含计算能力,并且在售出后,晶体的自校正(学习)在用户的现场应用中是可行的。本系统和方法在工厂还提供与工厂校准后的其他典型方法相比好数倍地改善温度变化的建模。应理解,在不偏离本公开的范围的情况下,本系统和方法可应用于任何类型的温度相关的振荡器或谐振器。
本系统和方法还可应用于制造TCXO。建模可通过减小需要的测试温度范围来降低典型的模拟TCXO制造的成本。这减少了TCXO的制造时间并因此降低了成本。
图1是根据实施例的工厂校准系统100的示图。系统100可利用硬件102和软件104来实现,其中,系统100的操作可由处理器106控制。系统100包括晶体振荡器108(例如,TCXO、DCXO等)以及可与晶体振荡器108位于相同位置的温度传感器110。系统100包括可用于对测量的温度执行模数转换的模数转换器(ADC)112和频率误差测量器114(例如,全球导航卫星系统(GNSS))。
当系统100运行时,晶体振荡器108输出发送到频率误差测量器114的参考输出频率。频率误差测量器114还接收工厂参考频率并测量来自晶体振荡器108的参考输出频率与工厂参考频率之间的误差。温度传感器110(例如,热敏电阻器、硅二极管等)在晶体振荡器108生成参考输出频率时,感测晶体振荡器108的温度,并且感测的温度被输出到对感测的温度进行数字化的ADC 112。来自频率误差测量器114的测量的频率误差和来自ADC 112的数字化温度被输出到系统100的软件104。
软件104接收频率误差测量以及温度测量,并且固定矩阵计算116被执行。固定矩阵计算116确定用于构建频率与温度多项式模型118的多项式系数。
图2是根据实施例的用于工厂初始校准的流程图200。在202,开始工厂测试。在204,对DCXO执行工厂调谐(tuning)校准。调谐校准用于确定T0附近的C0和标称频率偏移。然后,如果使用DCXO,则可通过设置调谐值以给出零偏移,来从温度曲线公式去除C0。校准204可通过重复测量标称频率206并确定调谐曲线多项式208直到必要数量或期望数量的多项式被确定为止来执行。在204、206和208,通过将调谐值步进到调谐范围内的若干点并测量每个步进的频率来确定DCXO调谐曲线。在210,建立调谐模型。如果DCXO用于校正频率,则调谐模型210被测量。然后,从在208的几组调谐值和频率来确定多项式调谐模型210。在212,执行工厂温度校准,这在图4被更详细地描述。在214,对在212由校准得到的温度模型进行初始化。温度模型可用于预测频率误差,并且如果DCXO被使用,则调谐模型用于计算正确的调谐值以校正频率误差。
然而,如果工厂校准消耗大量时间,则工厂校准可能是昂贵的。例如,典型的晶体模型可以是具有五个变量(其中,四个自变量)的三阶多项式,如等式(1)中所示:
f=C0+C1×(T-T0)+C2×(T-T0)2+C3×(T-T0)3 (1)
f表示晶体频率,其中,C0、C1、C2和C3是自变量,T0是初始温度变化(也称为参考温度)或拐点温度/拐点,因为在一些情况下,T0具有变化并且可能不是零温度或者校准过程的初始温度)。由于制造工艺,T0会具有一些变化。当T0被严格指定时,等式(1)中的变量的数量减少到4个。
在温度的工厂校准时,期望限制进行的测量次数。通常利用两次测量。此外,测量的温度应该仅是在正常产品测试周期期间产品自发热产生的温度(它可能仅自发热小于几摄氏度(℃))。然而,在仅两次频率测量的情况下,四个变量(例如,C0、C1、C2和C3)不能被限定。这导致在产品的远离测试温度的极端温度下发生大的误差。
图3是示出参考温度T0的典型变化的曲线图300。在图3中,多项式中的C0项(通常称为标称偏移或初始构建误差)不包括在曲线图300中。在这种情况下,参考温度T0可被视为多项式曲线304的零x轴交叉。可观察到,尽管不同晶体的晶体频率曲线存在变化,但是存在最小T0变化302。这个最小T0变化302指示严格限定T0是可行的并且可直接用于晶体模型中来代替模型中的变量。
图4是根据实施例的产品测试过程的示图400。在402,如上面参照图2所述初始化该过程。随着初始化开始,包括晶体振荡器的产品的温度可由于自发热(例如,由于产品测试过程导致的产品本身的发热)而增加。在404,GNSS可在工厂测试模式下被激活,404可以是作为产品功能的GNSS正在被测试的时间点。产品的温度(T1)可被采样,并且GNSS可测量振荡器的频率误差(f1)。可选地,GNSS可被激活以用于测量工厂测试模式之外的频率误差。然后,温度和测量的频率误差被用作用于生成晶体模型的第一校准点(T1,f1)。在406,其他产品功能被测试,由于产品/振荡器的自发热而导致温度升高。
在408,GNSS被激活(或者从404开始已经保持激活)并用于测量振荡器的频率误差(f2),并且在408,晶体的温度(T2)也被测量。然后,在408测量的温度和频率误差用作用于生成晶体模型的第二校准点(T2,f2)。在410,产品测试周期结束。
如图4中所示,随着测试过程的进行,作为产品功能被测试的结果,产品和振荡器的温度由于自发热而增加。温度变化可相对小(例如,约1℃至约3℃)。测试产品中的温度改变通常不受控制,这提供了非常经济的解决方案,因为当晶体各自不同时每个晶体必须单独校准。
当T0被严格指定时,等式(1)可被写为等式(2)。
f=C0+∑mCm×(T-T0)m (2)
m定义多项式的阶数(例如,m=1、2或3),并且Cm是m阶时的变量。
等式(2)是具有4个参数(C0、C1、C2和C3)的三阶多项式。4个参数将通过仅使用两次测量的校准来估计。两个校准点导致在整个温度范围内的大的频率误差。
本系统和方法生成作为三阶多项式的晶体模型,而仅使用两个参数。晶体模型被写为等式(3)。
f=C0+∑m(b1m+b2m×θ)×(T-T0)m (3)
等式(3)是三阶多项式,其中,m=1、2或3,并且两个参数C0和θ通过校准来估计。b(包括b1m和b2m)是针对C1、C2和C3具有3列2行(例如,2×3矩阵)的固定矩阵。b矩阵的大小取决于多项式的阶数和测量的次数。矩阵b(例如,固定矩阵)可通过针对多个样本在整个温度范围内测量多对频率和温度来预先确定。这个过程必须在工厂校准过程之前完成。然后,b矩阵可通过使这些出厂前测量的来自等式(3)的偏差最小化来确定。
为了确定C0和θ,等式(3)可被重写为等式(4):
f-∑mb1m(T-T0)m=C0+(∑mb2m(T-T0)m)θ (4)
具有如上针对图4所述的两个测量点(T1,f1)和(T2,f2),矩阵J和矩阵z可被定义为等式(5)和(6):
因此,C0和θ可如等式(7)计算:
图5是示出根据实施例的具有使用等式(2)生成的晶体模型的测试产品的性能的曲线图500。图6是示出根据实施例的具有使用等式(3)生成的晶体模型的测试产品的性能的曲线图600。曲线图500和曲线图600示出在温度25℃和温度29℃下的两点工厂校准。曲线图600中所示的测试产品表现出改善的性能,特别是在极端温度水平下。
本系统和方法包括提供频率/温度模型的初始确定的工厂两点温度校准块,并且如果DCXO被使用,则为了将期望的频率校正转换为调谐值的调谐曲线模型将被应用于DCXO。本系统和方法测量第一温度点。
本系统和方法还在产品测试过程中的较晚时间(例如,30秒后)测量第二温度点和对应的频率误差。在生产期间,本系统和方法在其他产品测试完成时测量第二温度点和对应的频率误差。这通常会花费15秒到45秒。本系统和方法如上所述对当前的晶体模型进行初始化,其中,通过将隐藏变量θ与多项式系数相关联的b矩阵来从两次测量计算四个温度多项式系数。
图7是根据实施例的用于生成晶体模型的流程图700。在702,在第一校准点测量第一温度和第一频率误差。在704,在第二校准点测量第二温度和第二频率误差。在706,基于第一温度、第一频率误差、第二温度和第二频率误差估计两个参数。在708,基于所述两个参数确定晶体模型的三阶多项式。
本晶体模型提供了“开箱即用(out-of-the-box)”(即,在离开工厂后首次使用晶体产品时)的改进的频率精度。因为参考频率已被校正,所以晶体振荡器的硬件补偿允许无线电独立设计而不考虑中心频率校正命令。这减少了复杂芯片组中各种无线电块的相互依赖性,简化了程序管理,并潜在地减少创建新集成电路设计所需的自旋数量。
图8是根据一个实施例的网络环境800中的电子装置801的框图。参照图8,网络环境800中的电子装置801可经由第一网络898(例如,短距离无线通信网络)与电子装置802通信,或者经由第二网络899(例如,远距离无线通信网络)与电子装置804或服务器808通信。电子装置801可经由服务器808与电子装置804通信。电子装置801可包括处理器820、存储器830、输入装置850、声音输出装置855、显示装置860、音频模块870、传感器模块876、接口877、连接端子878、触觉模块879、相机模块880、电源管理模块888、电池889、通信模块890、用户识别模块(SIM)896或天线模块897。在一个实施例中,可从电子装置801省略多个组件中的至少一个组件(例如,显示装置860或相机模块880),或者可将一个或多个其他组件添加到电子装置801。在一个实施例中,所述多个组件中的一些组件可被实现为单个集成电路(IC)。例如,传感器模块876(例如,指纹传感器、虹膜传感器或照度传感器)可嵌入在显示装置860(例如,显示器)中。
处理器820可执行例如软件(例如,程序840)以控制与处理器820连接的电子装置801的至少一个其他组件(例如,硬件或软件组件),并且可执行各种数据处理或计算。作为数据处理或计算的至少一部分,处理器820可将从另一组件(例如,传感器模块876或通信模块890)接收的命令或数据加载到易失性存储器832中,对存储在易失性存储器832中的命令或数据进行处理,并将得到的数据存储在非易失性存储器834中。处理器820可包括主处理器821(例如,中央处理器(CPU)或应用处理器(AP))和可独立于主处理器821操作或与主处理器821结合操作的辅助处理器823(例如,图形处理器(GPU)、图像信号处理器(ISP)、传感器集线器处理器或通信处理器(CP))。另外地或可选地,辅助处理器823可适于消耗比主处理器821更少的电力,或者执行特定功能。辅助处理器823可被实现为与主处理器821分离或者作为主处理器821的一部分。
辅助处理器823可在主处理器821处于不活跃(例如,睡眠)状态时代替主处理器821,或者在主处理器821处于活跃状态(例如,执行应用)时与主处理器821一起,控制与电子装置801的组件中的至少一个组件(例如,显示装置860、传感器模块876或通信模块890)相关的功能或状态中的至少一些。根据一个实施例,辅助处理器823(例如,图像信号处理器(ISP)或通信处理器(CP))可被实现为与辅助处理器823在功能上相关的另一组件(例如,相机模块880或通信模块890)的一部分。
存储器830可存储由电子装置801的至少一个组件(例如,处理器820或传感器模块876)使用的各种数据。例如,各种数据可包括软件(例如,程序840)以及与其相关的命令的输入数据或输出数据。存储器830可包括易失性存储器832或非易失性存储器834。
程序840可作为软件存储在存储器830中,并且可包括例如操作系统(OS)842、中间件844或应用846。
输入装置850可从电子装置801的外部(例如,用户)接收将由电子装置801的其他组件(例如,处理器820)使用的命令或数据。例如,输入装置850可包括麦克风、鼠标或键盘。
声音输出装置855可将声音信号输出到电子装置801的外部。例如,声音输出装置855可包括扬声器或接收器。扬声器可用于通用目的(诸如,播放多媒体或录音),接收器可用于接收来电。根据一个实施例,接收器可被实现为与扬声器分离或者扬声器的一部分。
显示装置860可在视觉上向电子装置801的外部(例如,用户)提供信息。例如,显示装置860可包括显示器、全息装置或投影仪和用于控制显示器、全息装置和投影仪中的对应的一个的控制电路。根据一个实施例,显示装置860可包括适于检测触摸的触摸电路,或者适于测量由触摸引起的力的强度的传感器电路(例如,压力传感器)。
音频模块870可将声音转换为电信号,反之亦然。根据一个实施例,音频模块870可经由输入装置850获得声音,或者经由声音输出装置855或与电子装置801直接(例如,有线地)或无线地连接的外部电子装置802的耳机输出声音。
传感器模块876可检测电子装置801的操作状态(例如,功率或温度)或电子装置801外部的环境状态(例如,用户的状态),然后生成与检测的状态对应的电信号或者数据值。例如,传感器模块876可包括手势传感器、陀螺仪传感器、大气压力传感器、磁传感器、加速度传感器、握持传感器、接近传感器、颜色传感器、红外(IR)传感器、生物特征传感器、温度传感器、湿度传感器或照度传感器。
接口877可支持将用于电子装置801与外部电子装置802直接地(例如,有线地)或无线地连接的一个或多个指定协议。根据一个实施例,接口877可包括例如高清多媒体接口(HDMI)、通用串行总线(USB)接口、安全数字(SD)卡接口或音频接口。
连接端子878可包括连接器,其中,经由该连接器,电子装置801可与外部电子装置802物理连接。根据一个实施例,连接端子878可包括例如HDMI连接器、USB连接器、SD卡连接器或音频连接器(例如,耳机连接器)。
触觉模块879可将电信号转换为可由用户经由触觉或动觉识别的机械刺激(例如,振动或运动)或电刺激。根据一个实施例,触觉模块879可包括例如电机、压电元件或电刺激器。
相机模块880可捕捉静止图像或运动图像。根据一个实施例,相机模块880可包括一个或多个透镜、图像传感器、图像信号处理器或闪光灯。
电源管理模块888可管理供应给电子装置801的电力。例如,电源管理模块888可被实现为电源管理集成电路(PMIC)的至少一部分。
电池889可向电子装置801的至少一个组件供电。根据一个实施例,电池889可包括例如不可再充电的一次电池、可再充电的二次电池或者燃料电池。
通信模块890可支持在电子装置801与外部电子装置(例如,电子装置802、电子装置804或服务器808)之间建立直接(例如,有线)通信通道或无线通信通道,并经由建立的通信通道执行通信。通信模块890可包括可独立于处理器820(例如,AP)操作的一个或多个通信处理器,并支持直接(例如,有线)通信或无线通信。根据一个实施例,通信模块890可包括无线通信模块892(例如,蜂窝通信模块、短距离无线通信模块或全球导航卫星系统(GNSS)通信模块)或有线通信模块894(例如,局域网(LAN)通信模块或电力线通信(PLC)模块)。这些通信模块中的相应的一个可经由第一网络898(例如,短距离通信网络,诸如,BluetoothTM、无线保真(Wi-Fi)直连或红外线数据标准协会(IrDA)的标准)或第二网络899(例如,远距离通信网络,诸如,蜂窝网络、因特网或计算机网络(例如,LAN或广域网(WAN))与外部电子装置通信。这些各种类型的通信模块可被实现为单个组件(例如,单个IC),或者可被实现为彼此分离的多个组件(例如,多个IC)。无线通信模块892可使用存储在用户识别模块896中的用户信息(例如,国际移动用户标识(IMSI))来识别并认证在通信网络(诸如,第一网络898或第二网络899)中的电子装置801。
天线模块897可向电子装置801的外部(例如,外部电子装置)发送信号或电力或者从电子装置801的外部接收信号或电力。根据一个实施例,天线模块897可包括一个或多个天线,并且可例如通过通信模块890(例如,无线通信模块892)从所述一个或多个天线选择适合于在通信网络(诸如,第一网络898或第二网络899)中使用的通信方案的至少一个天线。然后,可经由选择的至少一个天线在通信模块890与外部电子装置之间发送或接收信号或电力。
上述组件中的至少一些可相互连接并且经由外设之间的通信方案(例如,总线、通用输入和输出(GPIO)、串行外设接口(SPI)或移动工业处理器接口(MIPI))在其间传送信号(例如,命令或数据)。
根据一个实施例,可经由与第二网络899连接的服务器808在电子装置801与外部电子装置804之间发送或接收命令或数据。电子装置802和804中的每个可以是与电子装置801相同类型或不同类型的装置。将在电子装置801执行的操作中的所有或一些可在外部电子装置802、804或808中的一个或多个执行。例如,如果电子装置801应自动或者响应于来自用户或另一装置的请求而执行功能或服务,则代替执行所述功能或服务,或者除了执行所述功能或服务之外,电子装置801可请求一个或多个外部电子装置执行所述功能或服务的至少一部分。接收请求的一个或多个外部电子装置可执行请求的功能或服务的至少一部分,或者与请求相关的附加功能或附加服务,并且将执行的结果传送到电子装置801。电子装置801可在进一步处理结果的情况下或不进一步处理结果的情况下,提供结果作为对请求的回复的至少一部分。为此,例如,可使用云计算、分布式计算或客户端-服务器计算技术。
一个实施例可被实现为软件(例如,程序840),其中,软件包括存储在可由机器(例如,电子装置801)读取的存储介质(例如,内部存储器836或外部存储器838)中的一个或多个指令。例如,电子装置801的处理器可调用存储在存储介质中的一个或多个指令中的至少一个,并在处理器的控制下在使用一个或多个其他组件的情况下或不使用一个或多个其他组件的情况下执行所述一个或多个指令中的至少一个。因此,机器可被操作以根据所调用的至少一个指令执行至少一个功能。一个或多个指令可包括由编译器生成的代码或由解释器可执行的代码。可以以非暂时性存储介质的形式提供机器可读存储介质。术语“非暂时性”指示存储介质是有形装置,并且不包括信号(例如,电磁波),但是该术语不对数据被半永久地存储在存储介质中的位置与数据被临时存储在存储介质中的位置进行区分。
根据一个实施例,本公开的方法可被包括并设置在计算机程序产品中。计算机程序产品可作为卖方与买方之间的产品进行交易。计算机程序产品可以以机器可读存储介质(例如,光盘只读存储器(CD-ROM))的形式分发,或者经由应用商店(例如,Play StoreTM)或直接在两个用户装置(例如,智能电话)之间在线分发(例如,下载或上传)。如果在线分发,则计算机程序产品的至少部分可临时生成或至少临时存储在机器可读存储介质中,诸如,制造商的服务器的存储器、应用商店的服务器或中继服务器。
根据一个实施例,上述组件中的每个组件(例如,模块或程序)可包括单个实体或多个实体。上述组件中的一个或多个可被省略,或者一个或多个其他组件可被添加。可选地或另外地,可将多个组件(例如,模块或程序)集成到单个组件中。在这种情况下,集成组件仍然可以以与在集成之前由多个组件中的对应的一个组件执行的方式相同或相似的方式执行多个组件中的每个组件的一个或多个功能。由模块、程序或另一组件执行的操作可被顺序地、并行地、重复地或启发式地执行,或者操作中的一个或多个可以以不同的顺序执行或被省略,或者一个或多个其他操作可被添加。
尽管已经在本公开的具体实施方式中描述本公开的特定实施例,但是在不脱离本公开的范围的情况下,可以以各种形式对本公开进行修改。因此,本公开的范围不是仅基于所描述的实施例来确定,而是基于所附权利要求及其等同物来确定。
Claims (20)
1.一种生成包括晶体振荡器的测试产品的晶体模型的方法,包括:
在产品测试过程期间,在第一校准点测量测试产品的第一温度并测量晶体振荡器的第一频率误差;
在产品测试过程期间,在第二校准点测量测试产品的第二温度并测量晶体振荡器的第二频率误差;
从第一温度、第一频率误差、第二温度和第二频率误差估计两个参数;
基于所述两个参数确定晶体模型的三阶多项式。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,第一频率误差和第二频率误差由测试产品的全球导航卫星系统测量。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,当全球导航卫星系统在产品测试过程期间正在被测试时,由全球导航卫星系统测量第一频率误差。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,第二温度大于第一温度,其中,在产品测试过程期间由测试产品的自发热产生第一温度和第二温度。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,第一温度和第二温度使用与晶体振荡器位于相同位置的温度传感器来测量。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,晶体振荡器是数字补偿晶体振荡器。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,使用固定矩阵估计所述两个参数。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述三阶多项式是以下形式:
f=C0+∑m(b1m+b2m×θ)×(T-T0)m,其中,C0和θ是估计的两个参数,b1m和b2m是固定矩阵,m是多项式的阶数,T0是参考温度,f是晶体频率,T是测试产品的温度。
9.一种用于生成包括晶体振荡器的测试产品的晶体模型的系统,包括:
温度传感器,被配置为:在产品测试过程期间,在第一校准点测量测试产品的第一温度,并在产品测试过程期间,在第二校准点测量测试产品的第二温度;
频率误差测量器,被配置为:在产品测试过程期间,在第一校准点测量晶体振荡器的第一频率误差,并在产品测试过程期间,在第二校准点测量晶体振荡器的第二频率误差;以及
处理器,配置为:
从第一温度、第一频率误差、第二温度和第二频率误差估计两个参数,
基于所述两个参数确定晶体模型的三阶多项式。
10.根据权利要求9所述的系统,其中,频率误差测量器包括测试产品的全球导航卫星系统。
11.根据权利要求10所述的系统,其中,当全球导航卫星系统在产品测试过程期间正在被测试时,由全球导航卫星系统测量第一频率误差。
12.根据权利要求9所述的系统,其中,第二温度大于第一温度,其中,在产品测试过程期间由测试产品的自发热产生第一温度和第二温度。
13.根据权利要求9所述的系统,其中,温度传感器与晶体振荡器位于相同的位置。
14.根据权利要求9所述的系统,其中,晶体振荡器是数字补偿晶体振荡器。
15.根据权利要求9所述的系统,其中,使用固定矩阵估计所述两个参数。
16.根据权利要求9所述的系统,其中,所述三阶多项式是以下形式:
f=C0+∑m(b1m+b2m×θ)×(T-T0)m,其中,C0和θ是估计的两个参数,b1m和b2m是固定矩阵,m是多项式的阶数,T0是参考温度,f是晶体频率,T是测试产品的温度。
17.一种用于测试包括晶体振荡器的电子产品的方法,包括:
在第一校准点,测量电子产品的第一温度并测量晶体振荡器的第一频率误差;
在第二校准点,测量电子产品的第二温度并测量晶体振荡器的第二频率误差;
通过以下方式生成晶体振荡器的晶体模型:
从第一温度、第一频率误差、第二温度和第二频率误差估计两个参数;
基于所述两个参数确定晶体模型的三阶多项式。
18.根据权利要求17所述的方法,其中,当电子产品的全球导航卫星系统在电子产品测试期间正在被测试时,由全球导航卫星系统测量第一频率误差。
19.根据权利要求17所述的方法,其中,第二温度大于第一温度,其中,在电子产品测试期间由电子产品的自发热产生第一温度和第二温度。
20.根据权利要求17所述的方法,其中,所述三阶多项式是以下形式:
f=C0+∑m(b1m+b2m×θ)×(T-T0)m,其中,C0和θ是估计的两个参数,b1m和b2m是固定矩阵,m是多项式的阶数,T0是参考温度,f是晶体频率,T是测试产品的温度。
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Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113358908A (zh) * | 2021-06-04 | 2021-09-07 | 陕西朗诚众科科技开发有限公司 | 一种航空总线差分晶振测试系统 |
TW202318790A (zh) * | 2021-10-20 | 2023-05-01 | 韓商Lx半導體科技有限公司 | 振盪器電路及其頻率校正方法和半導體積體電路裝置 |
US20240030946A1 (en) * | 2022-07-20 | 2024-01-25 | Qualcomm Incorporated | Expediting field convergence of frequency-temperature model of resonator oscillators used in transceivers |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020180535A1 (en) * | 2001-05-31 | 2002-12-05 | Ilan Barak | Method for estimating crystal coefficient values for a signal generator |
CN1439897A (zh) * | 2002-02-19 | 2003-09-03 | 伊莱德公司 | 软件补偿的晶体振荡器 |
US20080164952A1 (en) * | 2007-01-05 | 2008-07-10 | Daniel Babitch | System and Method for Providing Temperature Correction in a Crystal Oscillator |
CN101842974A (zh) * | 2007-10-30 | 2010-09-22 | 高通股份有限公司 | 晶体振荡器的温度补偿 |
DE102011009799A1 (de) * | 2010-01-31 | 2011-08-04 | Infineon Technologies AG, 85579 | Temperaturkompensation für einen Oszillatorkristall |
CN202649402U (zh) * | 2012-04-18 | 2013-01-02 | 广州市三才通讯科技有限公司 | 自动测量批量晶体振荡器温度特性的测试系统 |
CN103001583A (zh) * | 2012-12-17 | 2013-03-27 | 华为技术有限公司 | 温度补偿方法及晶体振荡器 |
US20130099869A1 (en) * | 2011-10-19 | 2013-04-25 | Cornell Univerrsity | System and methods for correcting clock synchronization errors |
US20130321048A1 (en) * | 2012-06-04 | 2013-12-05 | Broadcom Corporation | Common reference crystal systems |
US20140004800A1 (en) * | 2012-06-29 | 2014-01-02 | Qualcomm Incorporated | Background crystal oscillator calibration |
CN103684255A (zh) * | 2012-09-12 | 2014-03-26 | 无锡华润矽科微电子有限公司 | 内置晶体的温度补偿晶体振荡器的补偿校准判断控制方法 |
US20160109496A1 (en) * | 2014-10-20 | 2016-04-21 | Fujitsu Limited | Measurement method and measurement system |
CN106026919A (zh) * | 2016-05-16 | 2016-10-12 | 南京理工大学 | 高精度晶体振荡器的守时补偿方法 |
CN107465393A (zh) * | 2017-07-05 | 2017-12-12 | 广州昂宝电子有限公司 | 用于实时时钟系统的频率补偿的系统和方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08116214A (ja) | 1994-10-17 | 1996-05-07 | Fujitsu Ltd | 関数発生装置及び温度補償付き発振回路 |
US5986515A (en) | 1997-01-14 | 1999-11-16 | Citizen Watch Co., Ltd. | Temperature compensation crystal oscillator |
JP3233946B2 (ja) | 1997-06-02 | 2001-12-04 | 旭化成マイクロシステム株式会社 | 近似3次関数発生装置及びこれを使用した温度補償水晶発振回路並びに温度補償方法 |
JP2003234618A (ja) | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | 周波数調整方法 |
WO2004084403A1 (ja) | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Seiko Epson Corporation | 発振器の特性自動補償装置、特性自動補償方法、特性自動補償プログラム、及び測位信号受信機 |
US20090195322A1 (en) | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Qualcomm Incorporated | Crystal oscillator frequency calibration |
US8031024B1 (en) | 2008-02-28 | 2011-10-04 | Marvell International Ltd. | Temperature-corrected frequency control with crystal oscillators |
US10566928B2 (en) * | 2016-05-06 | 2020-02-18 | Esterline Research And Design Llc | System and method for multifunction segmented array compensation for oscillators |
-
2018
- 2018-10-16 US US16/161,985 patent/US10823623B2/en active Active
- 2018-11-22 KR KR1020180145162A patent/KR102629170B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-02-22 CN CN201910132074.3A patent/CN110412438A/zh active Pending
-
2020
- 2020-05-27 US US16/884,620 patent/US10914643B2/en active Active
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020180535A1 (en) * | 2001-05-31 | 2002-12-05 | Ilan Barak | Method for estimating crystal coefficient values for a signal generator |
CN1439897A (zh) * | 2002-02-19 | 2003-09-03 | 伊莱德公司 | 软件补偿的晶体振荡器 |
US20080164952A1 (en) * | 2007-01-05 | 2008-07-10 | Daniel Babitch | System and Method for Providing Temperature Correction in a Crystal Oscillator |
CN101842974A (zh) * | 2007-10-30 | 2010-09-22 | 高通股份有限公司 | 晶体振荡器的温度补偿 |
DE102011009799A1 (de) * | 2010-01-31 | 2011-08-04 | Infineon Technologies AG, 85579 | Temperaturkompensation für einen Oszillatorkristall |
US20130099869A1 (en) * | 2011-10-19 | 2013-04-25 | Cornell Univerrsity | System and methods for correcting clock synchronization errors |
CN202649402U (zh) * | 2012-04-18 | 2013-01-02 | 广州市三才通讯科技有限公司 | 自动测量批量晶体振荡器温度特性的测试系统 |
CN103457601A (zh) * | 2012-06-04 | 2013-12-18 | 美国博通公司 | 共用参考晶体系统 |
US20130321048A1 (en) * | 2012-06-04 | 2013-12-05 | Broadcom Corporation | Common reference crystal systems |
US20140004800A1 (en) * | 2012-06-29 | 2014-01-02 | Qualcomm Incorporated | Background crystal oscillator calibration |
CN103684255A (zh) * | 2012-09-12 | 2014-03-26 | 无锡华润矽科微电子有限公司 | 内置晶体的温度补偿晶体振荡器的补偿校准判断控制方法 |
CN103001583A (zh) * | 2012-12-17 | 2013-03-27 | 华为技术有限公司 | 温度补偿方法及晶体振荡器 |
US20160109496A1 (en) * | 2014-10-20 | 2016-04-21 | Fujitsu Limited | Measurement method and measurement system |
CN106026919A (zh) * | 2016-05-16 | 2016-10-12 | 南京理工大学 | 高精度晶体振荡器的守时补偿方法 |
CN107465393A (zh) * | 2017-07-05 | 2017-12-12 | 广州昂宝电子有限公司 | 用于实时时钟系统的频率补偿的系统和方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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