CN104065341B - 晶振时钟补偿方法和装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种晶振时钟补偿方法和装置,属于计算机技术领域,为解决现有技术中温度的变化导致包含晶振的电子设备的计时时钟所出现的偏差,避免了不根据实际的温度情况进行补偿,降低了电子设备计时时钟的计时的准确性的问题而设计。一种晶振时钟补偿方法,包括:分别测量辅晶振的第一振动信号的振动次数和主晶振的第二振动信号的振动次数,所述第一振动信号的振动频率小于所述第二振动信号的振动频率;当所述第一振动信号的振动次数达到第一预设振动次数时,计算所述第二振动信号的振动次数和第二预设振动次数之间的差值;当所述差值达到预设误差时,对所述辅晶振进行时钟补偿。
Description
技术领域
本发明涉及计算机技术领域,尤其涉及一种晶振时钟补偿方法和装置。
背景技术
在现有的大部分电子设备中,通过对晶振施加一定电压从而其进行振动,并通过记录晶振的振动次数从而实现时钟计时。
但是电子设备的环境温度或者电子设备自身所产生的热量会使晶振的温度出现变化,当温度出现变化时,晶振的振动频率会出现变化,这样一来,通过记录晶振的振动次数的时钟计时便会出现偏差,从而导致电子设备中整体的计时时钟出现偏差,降低了电子设备计时时钟计时的准确性,并且该偏差一般都通过同一误差值进行补偿,也降低了补偿的准备性。
发明内容
本发明的实施例提供一种晶振时钟补偿方法和装置,能够降低电子设备中所存在的时钟偏差,提高电子设备时钟计时以及时钟计时补偿的准确性。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,本发明提供了一种晶振时钟补偿方法,包括:
分别测量辅晶振的第一振动信号的振动次数和主晶振的第二振动信号的振动次数,所述第一振动信号的振动频率小于所述第二振动信号的振动频率;
当所述第一振动信号的振动次数达到第一预设振动次数时,计算所述第二振动信号的振动次数和第二预设振动次数之间的差值;
当所述差值达到预设误差时,对所述辅晶振进行时钟补偿。
结合本发明的第一方面,在本发明第一方面的第一种可能的实现方式中,所述对所述辅晶振进行时钟补偿包括:
基于所述差值计算出时钟补偿时间;
基于计算出的时钟补偿时间,对所述辅晶振进行时钟补偿。
结合本发明的第一方面,在本发明第一方面的第二种可能的实现方式中,所述方法还包括:
检测测量第一振动信号和第二振动信号的振动次数时的测量温度;
所述对所述辅晶振进行时钟补偿包括:
基于所述检测到的测量温度,查询存储有时钟补偿时间和测量温度的对应关系的表格;
当所述表格中记载有所述检测到的测量温度与时钟补偿时间的对应关系时,根据所述表格记载的所述检测到的测量温度与时钟补偿时间的对应关系,获取辅晶振的时钟补偿时间,以根据所述获取的辅晶振的时钟补偿时间,对所述辅晶振进行时钟补偿;
当所述表格中未记载所述检测到的测量温度与时钟补偿时间的对应关系时,基于所述差值计算出时钟补偿时间,基于计算出的时钟补偿时间,对所述辅晶振进行时钟补偿。
结合本发明第一方面的第二种可能的实现方式,在本发明第一方面的第三种可能的实现方式中,在所述当所述表格中未记载所述检测到的测量温度与时钟补偿时间的对应关系时,基于所述差值计算出时钟补偿时间后,所述方法还包括:
在所述表格中记载所述计算出的时钟补偿时间和所述检测到的测量温度的对应关系。
第二方面,本发明提供了一种晶振时钟补偿装置,包括:
主晶振、辅晶振和控制所述主晶振和所述辅晶振的控制部;
所述控制部向所述主晶振和所述辅晶振施加电压,使所述主晶振和所述辅晶振分别振动,所述辅晶振的振动产生第一振动信号,所述主晶振的振动产生第二振动信号,所述第一振动信号的振动频率小于所述第二振动信号的振动频率;
所述控制部分别测量辅晶振的第一振动信号的振动次数和主晶振的第二振动信号的振动次数,当所述第一振动信号的振动次数达到第一预设振动次数时,计算所述第二振动信号的振动次数和第二预设振动次数之间的差值,当所述差值达到预设误差时,对所述辅晶振进行时钟补偿。
结合本发明的第二方面,在本发明第二方面的第一种可能的实现方式中,所述控制部具体用于基于所述差值计算出时钟补偿时间,基于计算出的时钟补偿时间,对所述辅晶振进行时钟补偿。
结合本发明的第二方面,在本发明第二方面的第二种可能的实现方式中,所述装置还包括:
温度传感器,用于对测量第一振动信号和第二振动信号的振动次数时的测量温度进行检测;
存储部,用于存储时钟补偿时间和测量温度的对应关系的表格;
所述温度传感器将检测到的测量温度发送给所述控制部,
所述控制部基于所述温度传感器检测到的测量温度,查询所述存储部存储的表格,当所述表格中记载有所述检测到的测量温度与时钟补偿时间的对应关系时,根据所述表格记载的所述检测到的测量温度与时钟补偿时间的对应关系,获取辅晶振的时钟补偿时间,并根据所述获取的辅晶振的时钟补偿时间,对所述辅晶振进行时钟补偿;当所述表格中未记载所述检测到的测量温度与时钟补偿时间的对应关系时,基于所述差值计算出时钟补偿时间,基于计算出的时钟补偿时间,对所述辅晶振进行时钟补偿。
结合本发明第二方面的第二种可能的实现方式,在本发明第二方面的第三种可能的实现方式中,所述控制部在基于所述差值计算出时钟补偿时间后,在所述表格中记载所述计算出的时钟补偿时间和所述检测到的测量温度的对应关系。
本发明实施例提供的晶振时钟补偿方法和装置,在电子设备中分别设置振动频率较大、受温度影响较小的主晶振和振动频率较小的温度影响较大且适用于时钟计时的辅晶振,分别对主晶振和辅晶振的振动次数进行记录,当辅晶振到达其对应预设振动次数时,比对主晶振的振动次数和其对应的预设振动次数的差值,当该差值到达预设差值时,则对辅晶振进行时钟补偿,从而实现根据主晶振对辅晶振的时钟补偿,降低了电子设备中整体时钟计时的偏差,提高了电子设备时钟计时以及时钟补偿的准确性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所述的电子设备的结构示意图;
图2为本发明实施例所述的晶振时钟补偿方法的流程图;
图3为本发明另一实施例所述的晶振时钟补偿方法的流程图;
图4为本发明另一实施例所述的电子设备中所存储的记录有测量温度和时钟补偿时间之间的对应关系的一种表格形式;
图5为本发明另一实施例所述的电子设备中所存储的记录有测量温度和时钟补偿时间之间的对应关系的另一种表格形式;
图6为本发明实施例所述的晶振时钟补偿装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明实施例晶振时钟补偿方法和装置进行详细描述。
应当明确,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
为了本领域技术人员更好的理解本发明的技术方案,首先对本发明实施例提供的晶振时钟补偿方法中,所应用的晶振电路结构进行简要描述。图1为一种适用于本发明实施例提供的晶振时钟补偿方法的电子设备中的晶振电路的示例性电路结构示意图,可以理解的是,图1所示的示意图仅为说明本发明,对本发明不做任何限制。
如图1所示,在电子设备1的电路中,包括两个晶振电路2a、2b和晶振时钟补偿装置100,该晶振时钟补偿装置100包括接收供电电源Vcc所提供的供电电压并对接收到信号进行接收和处理的控制部110以及用于存储过程中数据的存储部120,并可选包括温度传感器130。晶振电路2a包括第一电容C1、第二电容C2和辅晶振C5;该辅晶振C5的一端分别连接第一电容C1一端和控制部110,辅晶振C5的另一端连接分别连接第二电容C2的一端和控制部110;第一电容C1的另一端和第二电容C2的另一端分别连接到接地端GND。晶振电路2b包括第三电容C3、第四电容C4和主晶振C6;该主晶振C6一端分别连接第三电容C3的一端和控制部110,主晶振C6的另一端分别连接第四电容C4的一端和控制部110;第三电容C3的另一端和第四电容C4的另一端分别连接到接地端GND。
需要说明的是,所述电子设备1可以为音响、计算机、手机、平板电脑或车载导航装置等设备;所述控制部110可以为单片机、CPU或控制芯片等,该控制部110包括多个输入输出接口,从而可以分别向晶振电路2a、2b加载起振电压,并可以实现分别记录主晶振C6和辅晶振C5的振动次数即可;并且,该控制部110也可以实现其他功能,例如记录温度、对振动信号进行分频等等,在此不对控制部110的其他功能进行过多限制。
对于晶振电路2a、2b不仅为图1中所示出的形式,对于本领域的技术人员来说,可以通过其他现有技术的形式设置晶振电路,只需要使晶振电路中的晶振可以通过现有的方式进行往复地振动即可。
当包含上述电路结构的电子设备1开始工作时,供电电源Vcc加载到控制部110上,使控制部110开始工作,此时控制部110会向用于时钟计时的辅晶振C5施加电压以使辅晶振C5起振;起振后,辅晶振C5产生第一振动信号,通过第一电容C1和第二电容C2的反馈,使辅晶振C5保持持续振动状态,控制部110根据所接收到的振动信号记录振动次数,当振动次数到达一定的数值时,则控制部110记录一次,机完成1秒的时钟计时。
在控制部110工作时,因为电子设备1的环境温度的改变或者电子设备100内部的电子器件所产生的热量,从而会导致控制部110和设置在该控制部110周围的晶振电路2的温度变化;所出现的温度变化会使辅晶振C5的振动频率出现变化,从而在时钟计时的过程中,影响时钟计时的准确性。
基于图1所示的电路结构,下面对本发明所述的晶振时钟补偿方法进行详细说明,结合图1和图2所示,本发明所述的晶振时钟补偿方法由设置在电子设备1中的时钟补偿装置执行,包括以下步骤:
S100、分别测量辅晶振的第一振动信号的振动次数和主晶振的第二振动信号的振动次数,第一振动信号的振动频率小于第二振动信号的振动频率。
具体的,根据图1所示的电子设备1,控制部110向晶振电路2a加载电压以起振进行时钟计时的同时,也向晶振电路2b施加相同的电压以进行起振,辅晶振C5产生第一振动信号,主晶振C6产生第二振动信号,其中第一振动信号的振动频率低于第二振动信号的振动频率;控制部110分别对辅晶振C5和主晶振C6的振动次数进行测量。
需要说明的是,对于晶振而言,振动频率较高的晶振的受到温度的影响较小,而相对应的振动频率较低的晶振的受到温度的影响较大;因为主晶振C6的振动频率大于辅晶振C5的振动频率,可以理解的是,振动频率较高的主晶振C6所进行的时钟计时比振动频率较低的辅晶振C5的时钟计时更加准确,所以,可以通过振动频率较高的主晶振C6对振动频率较低的辅晶振C5进行时钟补偿。
对于主晶振C6和辅晶振C5而言,振动频率可以根据选用不同的晶振来实现,例如可以选用该主晶振C6的振动频率为10MHz(即振动10M次为1秒),辅晶振C5的振动频率为32.768KHz(即振动32768次为1秒),对于振动频率的选择,只需要满足主晶振C6的振动频率大于辅晶振C5的振动频率即可,当然,振动频率之间的差别越大,校准的精度则更加准确。
S101、当第一振动信号的振动次数达到第一预设振动次数时,计算第二振动信号的振动次数和第二预设振动次数之间的差值。
为了对根据辅晶振C5所进行的时钟计时进行补偿,则在控制部110中存储有一个与第一振动信号的振动次数相对应的第一预设振动次数,该第一预设振动次数可以根据实际的需要进行任意的设置,一般的设置一定时间内该第一振动信号的振动次数,例如可以设置与辅晶振C5的1秒钟的振动次数作为第一预设振动次数,即可以设置为32768次;相对应的,因为主晶振C6的振动频率是已知的,所以控制部110可以计算出主晶振C6所产生的第二振动信号在所述一定时间内的振动次数,将通过计算得出的一定时间内的振动次数作为第二预设振动次数;控制部110在记录第一振动信号的振动次数的过程中,同样地,记录第二振动信号的振动次数;当获知辅晶振C5产生的第一振动信号振动了32768次时,控制部110便可以确定第一振动信号已经振动到了第一预设振动次数,相对应的,第二振动信号的振动信号也被记录了下来;但是,根据环境温度的变化,可以知道第一振动信号的振动频率已经发生了变化,所以虽然第一振动信号振动了32768次,但是对应的时间已经并不是1秒的时间,这样一来,控制部110实际记录下来的振动次数将会出现偏差;一般来说,如果温度变高时,晶振的振动频率会变大,而温度变低时晶振的振动频率会变小;以温度变高为例,第一振动信号振动了32768次的时间中,实际上第二振动信号的实际振动次数为9.5M次,则控制部110可以确定的,实际的振动次数与第二预设振动次数相差了0.5M次,该0.5M次变为差值。
当然,本领域技术人员可以理解的是,该第一预设振动次数和第二预设振动次数的设置可以不限于上述的32768次和10M次,可以根据实际的需要进行调整。
S102、当差值达到预设误差时,对辅晶振进行时钟补偿。
在控制部110内,还存储有预设误差,该预设误差根据主晶振C6的振动频率进行设置,如果需要每次对辅晶振C5的计时时钟进行1秒的时钟补偿,则可以设置该预设误差为10M,当差值达到预设误差时,则根据确定一时钟补偿时间,并根据该时钟补偿时间对辅晶振C5的计时时钟进行时钟补偿。
该时钟补偿时间的计算,可以通过差值确定,对于主晶振C6而言,振动10M次则相当于1秒的时间;在上述主晶振C6和辅晶振C5进行振动的过程中,控制部110获取上述的差值时,对该差值进行存储,并且持续的对该差值进行累加,当该所累加的差值达到预设误差时,则可以确定此时根据辅晶振C5所进行的时钟计时已经偏差了1秒;一般来说,控制部110以秒来进行时钟的计时,所以时钟补偿也可以以秒来进行。故,当控制部110所记录的差值达到预设差值时,则按照差值所对应的补偿时间对辅晶振C5进行时钟补偿。当然在控制部110对差值进行累加的过程中,该差值也可能不是正好达到预设差值,这样的话,该差值超出预设差值的部分可以在进行了本次的时钟补偿之后继续保留,以作为下次的时钟补偿累加的基础。
需要说明的是,预设差值可以根据实际的实施场景进行设置,例如当控制部110以秒进行时钟补偿时,则预设差值的便可以设置为1秒所对应的主晶振C6的振动次数,当然也不仅限于1秒的振动次数,也可以为两秒、三秒或更多所对应的振动次数。
本发明实施例提供的晶振时钟补偿方法,在电子设备中分别设置振动频率较大、受温度影响较小的主晶振和振动频率较小的温度影响较大且适用于时钟计时的辅晶振,分别对主晶振和辅晶振的振动次数进行记录,当辅晶振到达其对应预设振动次数时,比对主晶振的振动次数和其对应的预设振动次数的差值,当该差值到达预设差值时,则对辅晶振进行时钟补偿,从而实现根据主晶振对辅晶振的时钟补偿,降低了电子设备中整体时钟计时的偏差,提高了电子设备时钟计时以及时钟补偿的准确性。
在通过主晶振C6对辅晶振C5进行时钟补偿的过程中,每次进行时钟补偿的时候,都需要通过分别像晶振电路2a、2b施加电压使其分别振动,这样一来便会出现电子设备1功耗过大的问题。
为了降低电子设备1的功耗,在电子设备1中,如图3所示,设置有一个温度传感器130。
相对应的,所述晶振时钟补偿方法,如图4所示,还包括:
S103、检测测量第一振动信号和第二振动信号的振动次数时的测量温度。
在控制部110控制主晶振C6和辅晶振C5起振后,温度传感器130同样的启动,控制部110对辅晶振C5所产生的第一振动信号和对主晶振C6所产生的第二振动信号的振动次数进行检测,此时,温度传感器130对电子设备1中的温度进行检测,该温度即为测量温度,例如该测量温度为23度。
当然步骤S103执行的时序不仅限于图4中所示的步骤S100之后,只要是在步骤S100-S102之间进行即可。
在步骤S102中、控制部110对辅晶振进行时钟补偿包括:
S1020、基于检测到的测量温度,查询存储有时钟补偿时间和测量温度的对应关系的表格。
S1021、当表格中记载有检测到的测量温度与时钟补偿时间的对应关系时,根据表格记载的检测到的测量温度与时钟补偿时间的对应关系,获取辅晶振的时钟补偿时间,以根据获取的辅晶振的时钟补偿时间,对辅晶振进行时钟补偿。
在控制部110通过温度传感器130获取了测量温度后,根据控制部110所获取的测量温度,对表格进行查询,当表格中存储有已获取的测量温度和时钟补偿时间,从而便可以根据下述的方式确定时钟补偿时间,以对辅晶振C5的计时时钟进行补偿。
在控制部110执行步骤S1020之前,控制部110可以存储有一个表格,如图5所示,在该表格中设置有温度传感器130所检测到的测量温度和时钟补偿时间之间的对应关系,其中在表格中包含时钟补偿时间和测量温度,例如,该时钟补偿时间可以为基于一个时间段而计算得出的,当测量温度为23度时,在4小时的时间段里时钟补偿时间为1秒。例如,当控制部110获取了测量温度为21度时,则可以确定在控制部110记录了时间段6小时的时候,需要对辅晶振C5的计时时钟补偿1秒。
需要说明的是,该表格的形式和表格中的内容不仅为图5所示出的形式,该表格也可以为一个空的表格,或者该表格中也可以存储一对或多对辅晶振C5的测量温度和补偿时间之间的对应关系,在此,不对表格中所存储的对应关系的个数以及表格的形式进行限制。
另外,如图6所示,在表格中的时钟补偿时间也可以为一单位时间内的时钟补偿时间,即单位时钟补偿时间,该单位时钟补偿时间可以通过以往的记录进行设置,也可以通过主晶振C6对辅晶振C5进行时钟补偿后记录,例如,在一次时钟补偿的过程中,记录了进行1秒的时钟补偿所经过的时间段,这样一来便可以计算出在单位时间1秒内时钟所偏差出的单位时钟补偿时间;在进行时钟补偿的过程中,获取在对应的测量温度下的单位时钟补偿时间,即辅晶振C5记录1秒钟时,辅晶振C5所偏差的时间,例如0.001微秒;在开始记录振动次数时记录振动时间,例如一共振动了十万秒;当根据该振动时间和单位时钟补偿时间进行计算以使该单位时钟补偿时间达到一预设的时钟补偿时间时,例如当辅晶振C5一共振动了十万秒时,则可以确定偏差了1秒,便根据该时钟补偿时间对辅晶振C5所对应的计时时钟进行时钟补偿。
可以理解的是,在表格中的测量温度也可以为一个温度范围,例如20-25度时,在时间段5小时内对应的时钟补偿时间为1秒。
S1022、当表格中未记载检测到的测量温度与时钟补偿时间的对应关系时,基于差值计算出时钟补偿时间,基于计算出的时钟补偿时间,对辅晶振进行时钟补偿。
在控制部110通过温度传感器130获取了测量温度后,在步骤S1020中,根据控制部110所获取的测量温度,对表格进行查询,当所获取的测量温度未记载于表格中时,控制部110则需要根据步骤S100-S102的过程,计算出时钟补偿时间,并基于该时钟补偿时间,对辅晶振C5进行时钟补偿。
在步骤S1022、当表格中未记载检测到的测量温度与时钟补偿时间的对应关系时,基于差值计算出时钟补偿时间后,所述方法还包括:
S1023、在表格中记载计算出的时钟补偿时间和检测到的测量温度的对应关系。
控制部110根据测量温度,以及时钟补偿时间和时间段,或者单位时钟补偿时间,在表格中建立之间的对应关系,例如,如图5-6所示的表格中,标记出了21-24度所对应的时钟补偿时间等数据,当检测到的测量温度为30度时,该数据并未记录于表格之中,所以便可以在如图5-6所示的表格中插入测量温度为30度时所对应的时钟补偿时间,从而便于在电子设备以后的使用中,针对已经检测过的测量温度、时钟补偿时间等不需要进行重复的计算,而只需要控制部110获取测量温度后,直接从表格中获取对应的时钟补偿时间的数据,以直接根据该数据对辅晶振C5进行时钟补偿,从而节省了通过主晶振C6对辅晶振C5进行补偿的过程中使主晶振C6振动所带来的功耗。
与上述一种晶振时钟补偿方法相对应,本发明还提供了一种晶振时钟补偿装置100,如图7所示,包括:
主晶振、辅晶振和控制主晶振和辅晶振的控制部110;
控制部110向主晶振和辅晶振施加电压,使主晶振和辅晶振分别振动,辅晶振的振动产生第一振动信号,主晶振的振动产生第二振动信号,第一振动信号的振动频率小于所述第二振动信号的振动频率;
控制部110分别测量辅晶振的第一振动信号的振动次数和主晶振的第二振动信号的振动次数,当第一振动信号的振动次数达到第一预设振动次数时,计算第二振动信号的振动次数和第二预设振动次数之间的差值,当差值达到预设误差时,对辅晶振进行时钟补偿。
所述的装置100,控制部110具体用于基于差值计算出时钟补偿时间,基于计算出的时钟补偿时间,对辅晶振进行时钟补偿。
所述的装置100,还包括:
温度传感器130,用于对测量第一振动信号和第二振动信号的振动次数时的测量温度进行检测;
存储部120,用于存储时钟补偿时间和测量温度的对应关系的表格;
温度传感器130将检测到的测量温度发送给控制部110,
所述控制部基于温度传感器130检测到的测量温度,查询存储部120存储的表格,当表格中记载有检测到的测量温度与时钟补偿时间的对应关系时,根据表格记载的检测到的测量温度与时钟补偿时间的对应关系,获取辅晶振的时钟补偿时间,并根据获取的辅晶振的时钟补偿时间,对辅晶振进行时钟补偿;当表格中未记载检测到的测量温度与时钟补偿时间的对应关系时,基于差值计算出时钟补偿时间,基于计算出的时钟补偿时间,对辅晶振进行时钟补偿。
控制部110在基于差值计算出时钟补偿时间后,在表格中记载计算出的时钟补偿时间和检测到的测量温度的对应关系。
除了上述晶振时钟补偿装置100中各结构所描述的功能外,该晶振时钟补偿装置100还用于执行上述晶振时钟补偿方法所执行的步骤,在此不对该执行的步骤进行重复的描述。
本发明实施例提供的晶振时钟补偿装置,在电子设备中分别设置振动频率较大、受温度影响较小的主晶振和振动频率较小的温度影响较大且适用于时钟计时的辅晶振,分别对主晶振和辅晶振的振动次数进行记录,当辅晶振到达其对应预设振动次数时,比对主晶振的振动次数和其对应的预设振动次数的差值,当该差值到达预设差值时,则对辅晶振进行时钟补偿,从而实现根据主晶振对辅晶振的时钟补偿,降低了电子设备中整体时钟计时的偏差,提高了电子设备时钟计时以及时钟补偿的准确性。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
Claims (8)
1.一种晶振时钟补偿方法,其特征在于,包括:
分别测量辅晶振的第一振动信号的振动次数和主晶振的第二振动信号的振动次数,所述第一振动信号的振动频率小于所述第二振动信号的振动频率;
当所述第一振动信号的振动次数达到第一预设振动次数时,计算所述第二振动信号的振动次数和第二预设振动次数之间的差值;
当所述差值达到预设误差时,对所述辅晶振进行时钟补偿。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对所述辅晶振进行时钟补偿包括:
基于所述差值计算出的时钟补偿时间;
基于计算出的时钟补偿时间,对所述辅晶振进行时钟补偿。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述方法还包括:
检测测量第一振动信号和第二振动信号的振动次数时的测量温度;
所述对所述辅晶振进行时钟补偿包括:
基于检测到的测量温度,查询存储有时钟补偿时间和测量温度的对应关系的表格;
当所述表格中记载有所述检测到的测量温度与时钟补偿时间的对应关系时,根据所述表格记载的所述检测到的测量温度与时钟补偿时间的对应关系,获取辅晶振的时钟补偿时间,以根据所述获取的辅晶振的时钟补偿时间,对所述辅晶振进行时钟补偿;
当所述表格中未记载所述检测到的测量温度与时钟补偿时间的对应关系时,基于所述差值计算出时钟补偿时间,基于计算出的时钟补偿时间,对所述辅晶振进行时钟补偿。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在所述当所述表格中未记载所述检测到的测量温度与时钟补偿时间的对应关系时,基于所述差值计算出时钟补偿时间后,所述方法还包括:
在所述表格中记载所述计算出的时钟补偿时间和所述检测到的测量温度的对应关系。
5.一种晶振时钟补偿装置,其特征在于,包括:
主晶振、辅晶振和控制所述主晶振和所述辅晶振的控制部;
所述控制部向所述主晶振和所述辅晶振施加电压,使所述主晶振和所述辅晶振分别振动,所述辅晶振的振动产生第一振动信号,所述主晶振的振动产生第二振动信号,所述第一振动信号的振动频率小于所述第二振动信号的振动频率;
所述控制部分别测量辅晶振的第一振动信号的振动次数和主晶振的第二振动信号的振动次数,当所述第一振动信号的振动次数达到第一预设振动次数时,计算所述第二振动信号的振动次数和第二预设振动次数之间的差值,当所述差值达到预设误差时,对所述辅晶振进行时钟补偿。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述控制部具体用于基于所述差值计算出时钟补偿时间,基于计算出的时钟补偿时间,对所述辅晶振进行时钟补偿。
7.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,
所述装置还包括:
温度传感器,用于对测量第一振动信号和第二振动信号的振动次数时的测量温度进行检测;
存储部,用于存储时钟补偿时间和测量温度的对应关系的表格;
所述温度传感器将检测到的测量温度发送给所述控制部,
所述控制部基于所述温度传感器检测到的测量温度,查询所述存储部存储的表格,当所述表格中记载有所述检测到的测量温度与时钟补偿时间的对应关系时,根据所述表格记载的所述检测到的测量温度与时钟补偿时间的对应关系,获取辅晶振的时钟补偿时间,并根据所述获取的辅晶振的时钟补偿时间,对所述辅晶振进行时钟补偿;当所述表格中未记载所述检测到的测量温度与时钟补偿时间的对应关系时,基于所述差值计算出时钟补偿时间,基于计算出的时钟补偿时间,对所述辅晶振进行时钟补偿。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述控制部在基于所述差值计算出时钟补偿时间后,在所述表格中记载所述计算出的时钟补偿时间和所述检测到的测量温度的对应关系。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5214668A (en) * | 1990-09-28 | 1993-05-25 | Nec Corporation | Temperature detector and a temperature compensated oscillator using the temperature detector |
JP2001292030A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 水晶発振回路及び水晶共振子 |
CN202059371U (zh) * | 2011-05-13 | 2011-11-30 | 苏州银河龙芯科技有限公司 | 一种实现时钟晶体振荡器闭环温度补偿的装置 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5214668A (en) * | 1990-09-28 | 1993-05-25 | Nec Corporation | Temperature detector and a temperature compensated oscillator using the temperature detector |
JP2001292030A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 水晶発振回路及び水晶共振子 |
CN102545778A (zh) * | 2010-12-30 | 2012-07-04 | 苏州银河龙芯科技有限公司 | 一种时钟晶体振荡器闭环温度补偿方法和装置 |
CN102624381A (zh) * | 2011-01-28 | 2012-08-01 | 日本电波工业株式会社 | 振荡装置 |
CN202059371U (zh) * | 2011-05-13 | 2011-11-30 | 苏州银河龙芯科技有限公司 | 一种实现时钟晶体振荡器闭环温度补偿的装置 |
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