CN110400766A - 工件矫正方法和工件矫正装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种不会对以晶圆、基板为例的薄型的工件带来变形、损伤就能够将该工件平坦地矫正的工件矫正方法和工件矫正装置。经由设于保持台(9)的吸附孔(17)对载置于保持台(9)的晶圆(W)进行吸附,并且借助设于晶圆(W)的上方的气体喷射喷嘴(27)向晶圆(W)吹送气体(N)。在吹送的气体(N)的压力的作用下,晶圆(W)被向保持台(9)的载置面按压,因此,能够将晶圆(W)的翘曲可靠地矫正来使该晶圆(W)平坦化。在矫正晶圆(W)时,按压板等构件不必与晶圆(W)的朝上暴露的电路面物理接触。因而,能够可靠地避免因物理接触导致使晶圆(W)的电路发生损伤等不良的情况。
Description
技术领域
本发明涉及在对以半导体晶圆(以下适当地称作“晶圆”)、基板为例的薄板状的工件进行粘合带的粘贴操作等各种操作时,用于矫正工件的翘曲使工件平坦化的工件矫正方法和工件矫正装置。
背景技术
在晶圆的表面进行电路图案形成处理之后,实施均匀地磨削晶圆的整个背面而使晶圆更加薄型化的背面磨削处理。在进行该背面磨削处理之前,为了保护电路,在晶圆的整个表面粘贴保护用的粘合带(保护带)。此外,在进行背面磨削处理之后,跨薄型化后的晶圆的整个背面和包围该晶圆的周围的形状的环框地粘贴有支承用的粘合带(切割带)。
在将粘合带粘贴于晶圆的情况下,作为稳定地保持晶圆的方法,通常使用将晶圆载置于平坦的保持台之后利用保持台来吸附晶圆的整个下表面的方法。但是,在相对于晶圆粘贴粘合带的工序中,有时晶圆发生翘曲等应变。
在该情况下,保持台能够吸附的对象限于晶圆的一部分,因此,难以稳定地吸附保持晶圆。并且,难以对发生应变的晶圆的整个面均匀且高精度地粘贴粘合带。
因此,作为进行向晶圆粘贴粘合带的操作之前的阶段,在平坦的保持台载置晶圆,利用按压板按压晶圆的整个面,从而矫正晶圆的翘曲使晶圆平坦化(例如参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2012-114465号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是,在上述现有装置中,存在如下的问题。
即,在现有的矫正方法中,为了矫正晶圆,需要使按压板接触晶圆。因此,作为一例,在将电路面暴露的晶圆作为矫正对象时,若利用按压板接触、按压,则担忧晶圆的电路发生变形、损伤等问题。
因而,针对不适合进行使按压板这样的构件机械地接触并按压的操作的对象,无法使用按压板,因此,难以高精度地矫正而使之平坦化。
本发明是鉴于这样的情况而完成的,其主要目的在于提供一种工件矫正方法和工件矫正装置,其不会对以晶圆、基板为例的薄型的工件带来变形、损伤就能够将该工件平坦地矫正。
用于解决问题的方案
本发明为了达成这样的目的,采取如下的结构。
即,本发明是一种工件矫正方法,其特征在于,具有:
保持过程,在该过程中,在平坦的保持台上保持工件;
气体供给过程,在该过程中,利用从设于所述保持台的上方的气体供给机构向所述工件的上表面供给的气体的压力来按压所述工件;以及
吸附过程,在该过程中,经由设于所述保持台的吸附孔将所述工件的下表面吸附于所述保持台。
(作用·效果)根据该结构,在平坦的保持台上保持工件,利用从设于保持台的上方的气体供给机构供给的气体的压力来按压工件。并且,经由设于保持台的吸附孔将工件的下表面吸附于保持台。工件被向上表面供给的气体的压力按压,从而翘曲被矫正。
这时,仅气体向工件的上表面供给,板等构件不与工件接触。因而,针对电路面在上表面暴露这样的工件,也能够对工件进行矫正使之平坦化,而不会使该电路发生不良。
此外,在上述发明中,优选的是,在所述气体供给过程中,将设有的多个所述气体供给机构分割为多个组,针对每个所述组独立控制从所述气体供给机构供给的气体的压力。
(作用·效果)根据该结构,将设有的多个气体供给机构分割为多个组,针对每个组独立控制从气体供给机构供给的气体的压力。在该情况下,将与工件中的翘曲较大的部分相对应的气体供给机构和与翘曲较小的部分相对应的气体供给机构分割为分别不同的组,能够针对每个组独立控制按压工件的气体的压力。
因此,对工件中的翘曲较大的部分供给压力较高的气体,因此,能够可靠且迅速地矫正翘曲。另一方面,对工件中的翘曲较小的部分供给压力较低的气体,因此,能够避免该翘曲较小的部分被压力过剩的气体按压而发生新的应变这样的情况。因此,能够迅速地矫正翘曲使之平坦化,而不会在工件中发生新的应变。
此外,在上述的发明中,优选的是,在所述气体供给过程中,与距所述工件的中心的距离相应地,将设有的多个所述气体供给机构分割为多个组,针对每个所述组独立控制,以使得从所述气体供给机构供给的气体的压力随着从所述工件的中心向外缘部去而阶段性地变化。
(作用·效果)根据该结构,与距工件的中心的距离相应地将气体供给机构分割为多个组,针对每个组进行独立控制,以使得从气体供给机构供给的气体的压力随着从工件的中心向外缘部去而阶段性地变化。
工件的翘曲通常成为随着从中心向外缘部去而翘曲量阶段性地变化的形状。因此,通过控制为使从气体供给机构供给的气体的压力随着从工件的中心向外缘部去而阶段性地变化,从而对工件中的翘曲较大的部分供给高压的气体,能够可靠且迅速地矫正翘曲。另一方面,针对工件中的翘曲较小的部分供给压力较低的气体,能够避免因过剩的压力发生新的应变。因而,能够迅速地矫正翘曲使之平坦化,而不会在工件中发生新的应变。
此外,在上述发明中,优选的是,在所述吸附过程中,将设有的多个所述吸附孔分割为多个组,针对每个所述组独立控制经由所述吸附孔吸附所述工件的力。
(作用·效果)根据该结构,将所设有的多个吸附孔分割为多个组,针对每个组独立控制经由吸附孔吸附工件的力。在该情况下,能够将与工件中的翘曲较大的部分相对应的吸附孔和与翘曲较小的部分相对应的吸附孔分割为分别不同的组,针对每个组独立控制吸附工件的力。
因此,工件中的翘曲较大的部分被较强的力吸附,因此,能够可靠且迅速地矫正翘曲并吸附。另一方面,工件中的翘曲较小的部分被较弱的力吸附,因此,能够避免因该翘曲较小的部分被过剩的力吸附而发生新的应变这样的情况。因而,能够迅速地矫正翘曲使之平坦化,而工件不会发生新的应变。
此外,在上述发明中,优选的是,在所述吸附过程中,与距所述工件的中心的距离相应地,将设有的多个所述吸附孔分割为多个组,针对每个所述组独立控制,以使得经由所述吸附孔吸附所述工件的力随着从所述工件的中心向外缘部去而阶段性地变化。
(作用·效果)根据该结构,与距工件的中心的距离相应地将多个吸附孔分割为多个组,针对每个组进行独立控制,以使得经由吸附孔吸附工件的力随着从工件的中心向外缘部去而阶段性地变化。
工件的翘曲通常成为随着从中心向外缘部去而翘曲量阶段性地变化的形状。因此,通过控制为随着从工件的中心向外缘部去而吸附力阶段性地变化,从而工件中的翘曲较大的部分被较强的力吸附,因此,能够可靠且迅速地矫正翘曲。另一方面,工件中的翘曲较小的部分被较弱的力吸附,因此,能够避免因过剩的力吸附而发生新的应变的情况。因而,能够迅速地矫正翘曲使之平坦化,而工件不会发生新的应变。
本发明为了达成这样的目的,也可以采取如下的结构。
即,本发明是一种工件矫正装置,其特征在于,具有:
平坦的保持台,其保持工件;
气体供给机构,其设于所述保持台的上方,向所述工件的上表面供给气体,并利用所述气体的压力按压所述工件;以及
吸附机构,其经由设于所述保持台的吸附孔,将所述工件的下表面吸附于所述保持台。
(作用·效果)根据该结构,在平坦的保持台上保持工件,在从设于保持台的上方的气体供给机构供给的气体的压力的作用下按压工件。并且,经由设于保持台的吸附孔使工件的下表面吸附于保持台。
这时,利用向工件的上表面供给的气体按压工件来矫正翘曲,因此,不必使板等构件与工件的上表面相接触,就能够矫正工件的翘曲。因而,针对电路面在上表面暴露这样的工件,也能够进行工件矫正使之平坦化,而不会在该电路发生不良。
此外,在上述发明中,优选的是,将所设有的多个所述气体供给机构分割为多个组。所述工件矫正装置具有供给控制机构,该供给控制机构针对每个所述组独立控制从所述气体供给机构供给的气体的压力。
(作用·效果)根据该结构,将所设有的多个气体供给机构分割为多个组,并利用供给控制机构,针对每个组独立控制从气体供给机构供给的气体的压力。在该情况下,将与工件中的翘曲较大的部分相对应的气体供给机构和与翘曲较小的部分相对应的气体供给机构分割为分别不同的组,能够针对每个组独立控制按压工件的气体的压力。因而,能够合适地实行上述方法。
此外,在上述发明中,优选的是,与距所述工件的中心的距离相应地,将所设有的多个所述气体供给机构分割为多个组,所述供给控制机构针对每个所述组独立控制,以使得从所述气体供给机构供给的气体的压力随着从所述工件的中心向外缘部去而阶段性地变化。
(作用·效果)根据该结构,与距工件的中心的距离相应地将气体供给机构分割为多个组。并且,针对每个组独立控制,以使得从气体供给机构供给的气体的压力随着从工件的中心向外缘部去而阶段性地变化。
工件的翘曲通常成为随着从中心向外缘部去而翘曲量阶段性地变化的形状。因此,通过控制为使从气体供给机构供给的气体的压力随着从工件的中心向外缘部去而阶段性地变化,从而对工件中的翘曲较大的部分供给高压的气体,另一方面,能够对工件中的翘曲较小的部分供给压力较低的气体。因而,能够迅速地矫正翘曲使之平坦化,而工件不会发生新的应变。
此外,在上述发明中,优选的是,将所设有的多个所述吸附孔分割为多个组,并且,具有吸附控制机构,该吸附控制机构针对每个所述组,独立控制经由所述吸附孔吸附所述工件的力。
(作用·效果)根据该结构,将所设有的多个吸附孔分割为多个组,并利用吸附控制机构针对每个组独立控制经由吸附孔吸附工件的力。在该情况下,将与工件中的翘曲较大的部分相对应的吸附孔和与翘曲较小的部分相对应的吸附孔分割为分别不同的组,能够针对每个组独立控制吸附工件的力。因而,能够合适地实行上述方法。
此外,在上述发明中,优选的是,与距所述工件的中心的距离相应地,将所设有的多个所述吸附孔分割为多个组,所述吸附控制机构针对每个所述组独立控制,以使得经由所述吸附孔吸附所述工件的力随着从所述工件的中心向外缘部去而阶段性地变化。
(作用·效果)根据该结构,与距工件的中心的距离相应地将多个吸附孔分割为多个组,利用吸附控制机构针对每个组独立控制,以使得经由吸附孔吸附工件的力随着从工件的中心向外缘部去而阶段性地变化。
工件的翘曲通常成为随着从中心向外缘部去而翘曲量阶段性地变化的形状。因此,通过控制为随着从工件的中心向外缘部去而吸附力阶段性地变化,从而工件中的翘曲较大的部分被较强的力吸附,另一方面,工件中的翘曲较小的部分被较弱的力吸附。因而,能够迅速地矫正翘曲使工件平坦化,而不会在工件中发生新的应变。
发明的效果
根据本发明的工件矫正方法和工件矫正装置,利用从设于保持台的上方的气体供给机构供给的气体的压力,将工件按压于平坦的保持台,并且经由设于保持台的吸附孔使工件的下表面吸附于保持台。在该情况下,不必使板等构件与工件的上表面相接触,而是利用向工件的上表面供给的气体来按压工件。因而,不会对工件施加变形、损伤,就能够将该工件平坦地矫正。
附图说明
图1是表示实施例1的工件矫正装置的基本结构的立体图。
图2是表示实施例1的工件矫正装置的主要部分的图,
图2的(a)是保持台的俯视图,图2的(b)是保持台的纵剖视图。
图3是表示实施例1的工件矫正装置的主要部分的图,
图3的(a)是加压机构的俯视图,图3的(b)是加压机构的纵剖视图。
图4是表示在晶圆中发生的一般的翘曲的形状的图,
图4的(a)是表示第1形态的纵剖视图,图4的(b)是表示第2形态的纵剖视图。
图5是表示实施例1的工件矫正装置的动作的图,
图5的(a)是表示利用保持台的支承销承接晶圆的状态的纵剖视图,图5的(b)是表示将晶圆载置于保持台的载置面的状态的纵剖视图。
图6是表示实施例1的工件矫正装置的动作的主视图,
图6的(a)是表示利用保持台实行晶圆的吸引的状态的纵剖视图,图6的(b)是表示利用气体喷射喷嘴实行气体的喷射的状态的纵剖视图。
图7是表示实施例1的工件矫正装置的动作的主视图,
图7的(a)是表示对晶圆的翘曲进行矫正的状态的纵剖视图,图7的(b)是表示晶圆变平坦并吸附于保持台的状态的纵剖视图。
图8是表示实施例2的工件矫正装置的主要部分的图,
图8的(a)是保持台的俯视图,图8的(b)是保持台的纵剖视图。
图9是表示实施例2的工件矫正装置的主要部分的图,
图9的(a)是加压机构的俯视图,图9的(b)是加压机构的纵剖视图。
图10是表示实施例2的工件矫正装置的动作的图。
图11是表示实施例2的工件矫正装置的动作的图。
图12是表示变形例的工件矫正装置的结构的图,
图12的(a)是具有环状的支承部的变形例的保持台的俯视图,图12的(b)是矫正装置的纵剖视图,图12的(c)是具有销状的支承部的变形例的保持台的俯视图。
图13是表示变形例的工件矫正装置的结构的图,
图13的(a)是表示矫正装置的结构的纵剖视图,图13的(b)是表示矫正装置使气体喷射的动作的纵剖视图,图13的(c)是表示矫正装置喷射的气体向外缘部扩散并在从晶圆的中央部到外缘部的整个范围内平坦地进行矫正的状态的纵剖视图。
图14是表示变形例的工件矫正装置的结构的图,
图14的(a)是表示在变形例中将气体喷射喷嘴分割为多个组的结构的图,图14的(b)是表示形成于晶圆的翘曲的形状的一例的图。
附图标记说明
1、晶圆处理装置;3、晶圆收纳部;5、晶圆输送机构;6、输送臂;6a、晶圆保持部;7、矫正装置;9、保持台;11、加压机构;13、晶圆载置部;15、支承销;17、吸附孔;20、真空装置;21、控制部;27、气体喷射喷嘴;31、泵;W、半导体晶圆;C、盒。
具体实施方式
【实施例1】
以下参照附图说明本发明的实施例1。另外,在本实施例中,作为进行矫正而使之平坦化的对象即工件,例示了使用在表面形成有电路图案的半导体晶圆W(以下简称作“晶圆W”)的结构来进行说明。
<整体结构的说明>
如图1所示,实施例1的晶圆处理装置1具有晶圆收纳部3、晶圆输送机构5以及矫正装置7等。
关于晶圆收纳部3,作为一例,具有用于收纳晶圆W的盒C。在盒C中,以电路形成面(表面)朝上的水平姿态多层地插入收纳有多张晶圆W。
晶圆输送机构5构成为,具有输送臂6,并能够利用未图示的驱动机构水平进退、旋转以及升降。在输送臂6的顶端设有马蹄型的晶圆保持部6a。输送臂6构成为,晶圆保持部6a能够在多层地收纳于盒C中的晶圆W彼此的间隙中进退。
在晶圆保持部6a设有吸附孔,构成为从晶圆W的背面进行真空吸附来保持晶圆W。晶圆输送机构5利用驱动机构来调整输送臂6的晶圆保持部6a的位置。并且,晶圆保持部6a将晶圆W从晶圆收纳部3的盒C向保持台7输送。所输送的晶圆W经过的路径在图1中以箭头K示出。
矫正装置7具有保持台9和加压机构11。作为一例,保持台9是金属制或者陶瓷制的卡盘台,如图2的(a)和图2的(b)所示,保持台9具有用于载置晶圆W的平坦的晶圆载置部13。在晶圆载置部13具有多个支承销15和吸附孔17。矫正装置7相当于本发明的工件矫正装置。
另外,在图2的(a)中,以标注有附图标记R的虚线示出载置晶圆W的位置。在本实施例中以晶圆W的中心和晶圆载置部13的中心一致的方式载置晶圆W。
如图5的(a)所示,支承销15构成为能够利用缸体16出退升降。即,利用缸体16进行上升,从而各个支承销15的顶端如图5的(a)所示从晶圆载置部13突出。此外,利用缸体16进行下降,从而各个支承销15的顶端如图5的(b)所示内置于晶圆载置部13。
如图2的(a)所示,在晶圆载置部13的表面设有多个吸附孔17。在实施例1中,如图2的(b)所示,各个吸附孔17在晶圆载置部13的下部汇合,经由具有电磁阀18的流路19与真空装置20连通连接。
电磁阀18的开闭和真空装置20的动作被控制部21分别控制。通过使用真空装置20进行真空吸引,从而晶圆载置部13吸附保持所载置的晶圆W。另外,为了方便说明,在图2的(b)中,省略了支承销15和缸体16。
如图1等所示,加压机构11设于保持台9的上方。如图3的(a)所示,加压机构11具有可动台23和气体供给单元25。可动台23构成为能够沿未图示的支柱进行升降。
气体供给单元25配置在可动台23的下部,通过可动台23的升降移动,气体供给单元25也进行升降移动。气体供给单元25具有对载置于保持台9的晶圆W吹送气体的结构。
气体供给单元25的形状和大小能够根据工件(在本实施例中为晶圆W)的形状和大小适当调整。在本实施例中,如图3的(b)所示,气体供给单元25成为直径比晶圆W稍大的圆形。在气体供给单元25的下表面配置有气体喷射喷嘴27。
在实施例1中,设有多个气体喷射喷嘴27。各个气体喷射喷嘴27在气体供给单元25的上部汇合,经由具有电磁阀29的流路30与泵31连通连接。
即,泵31经由流路30向气体喷射喷嘴27供给气体。并且构成为,从位于上方的气体喷射喷嘴27对保持台9上的晶圆W吹送气体。气体喷射喷嘴27相当于本发明的气体供给机构。
电磁阀29的开闭和泵31的动作被控制部21统一控制。另外,控制部21除了控制矫正装置7的各种动作之外,也对支承销15的升降移动、输送臂6的各种动作等的晶圆处理装置1的各种动作进行统一控制。控制部21相当于本发明的供给控制机构和吸附控制机构。
在此,说明晶圆W的翘曲形状。在晶圆W发生翘曲的情况下,晶圆W通常为呈弓状弯曲的形状,即,随着从中央部向外缘部去而翘曲变大的形状。即,在将发生翘曲的晶圆W以电路形成面朝上的方式载置于平坦的晶圆载置部13的情况下,晶圆W和晶圆载置部13的主视时的位置关系成为图4的(a)所示的形态或者图4的(b)所示的形态。
在图4的(a)所示的第1形态中,晶圆载置部13和晶圆W在晶圆W的中央部处相接触。并且,随着朝向晶圆W的外缘部去,晶圆W从晶圆载置部13浮起得越大。即,晶圆W和晶圆载置部13的表面之间的距离T随着从晶圆W的中央部向外缘部靠近而变大,在晶圆W的外缘部成为最大。
另一方面,在图4的(b)所示的第2形态中,晶圆载置部13和晶圆W在晶圆W的外缘部处相接触。并且,晶圆W和晶圆载置部13的表面之间的距离T随着从晶圆的外缘部向晶圆W的中央部靠近而变大,在晶圆W的中央部成为最大。另外,在实施例1中设为,在晶圆W中发生图4的(a)所示的第1形态的翘曲。
<动作的说明>
接着,说明使用具有实施例1的矫正装置7的晶圆处理装置1来矫正晶圆W使之平坦化的一系列动作。
当晶圆处理装置1开始动作时,支承销15的顶端从晶圆载置部13的载置面突出,并且晶圆输送机构5的输送臂6插入晶圆收纳部3的盒C。输送臂6的晶圆保持部6a从晶圆W的背面侧吸附保持预定的晶圆W并将其取出,向矫正装置7的保持台9上输送。
如图5的(a)所示,背面被晶圆保持部6a吸附的晶圆W载置于从保持台9突出的多根支承销15。然后,如图5的(b)所示,支承销15下降,晶圆W载置于晶圆载置部13的上表面。
当将晶圆W载置于保持台9时,控制部21使真空装置20进行工作,并且将电磁阀18开放。通过该控制,载置于晶圆载置部13的晶圆W的背面经由吸附孔17被吸引。
这时,晶圆W的中央部与晶圆载置部13相接触,因此,晶圆W的中心部的背面被晶圆载置部13稳定地吸附保持。通过晶圆W的至少一部分被吸附保持,能够固定向晶圆载置部13载置的晶圆W的位置。另一方面,由于晶圆W的外缘部从晶圆载置部13浮起,因此,晶圆W的外缘部处的背面未吸附于晶圆载置部13的载置面。即,在该时刻未达到吸附保持晶圆W的整个背面的状态。
因此,控制部21使保持台9继续对晶圆W进行吸附,并且进行通过控制加压机构11而以非接触的方式从上方对晶圆W加压的操作。即,控制部21使可动部23下降,如图6的(a)所示,使气体喷射喷嘴27的喷射口向晶圆W的表面靠近。并且,控制部21使电磁阀29开放,并且使泵31工作,向气体喷射喷嘴27供给气体。
各个气体喷射喷嘴27如图6的(b)所示,使供给的气体向晶圆W的表面喷射。在喷射的气体N的压力的作用下,晶圆W被向晶圆载置部13的载置面即下方按压。
其结果是,从晶圆载置部13浮起的晶圆W的外缘部逐渐地向晶圆载置部13的载置面靠近(图7的(a))。即,晶圆W的翘曲被逐渐矫正而使晶圆W变得平坦。另外,这时,由于晶圆W的中央部被吸附于晶圆载置部13,因此,能够可靠地防止由于吹送气体N而导致晶圆W的位置偏离这样的情形。
并且,通过晶圆W的外缘部向晶圆载置部13的载置面靠近,不仅晶圆W的中央部吸附于保持台9,晶圆W的外缘部也经由吸附孔17吸附于保持台9,从而使晶圆W平坦化(图7的(b))。通过使晶圆W平坦化,晶圆W的整个背面吸附于晶圆载置部13。因而,晶圆W能够被保持台9稳定地吸附保持。
这样,通过从气体喷射喷嘴27向晶圆W吹送气体N,即使在非接触的状态即未利用按压板等构件进行机械接触的状态下,也能够利用气体N的压力高精度地矫正晶圆的翘曲。
在使晶圆W平坦化并使晶圆W的整个背面吸附于保持台9之后,进一步以预定时间继续进行由气体喷射喷嘴27进行的气体N的喷射和经由吸附孔17进行的吸引。在充分进行了晶圆W的矫正之后,控制部21关闭电磁阀18、29,并且停止真空装置20和泵31的工作。通过以上工序,使用具有实施例1的矫正装置7的晶圆处理装置1,完成用于矫正晶圆W而使之平坦化的一系列动作。
矫正过程完成而平坦化后的晶圆W利用输送臂6等输送部件从矫正装置7送出,进行以向晶圆W粘贴粘合带的工序为例的之后的工序。以上结束循环一次的动作,之后重复同样的动作。
<由实施例1的结构带来的效果>
在实施例1的结构中,经由设于保持台9的吸附孔对载置于保持台9的晶圆W进行吸附,并且经由设于晶圆W的上方的气体喷射喷嘴27向晶圆W吹送气体N。
即,在吹送的气体N的压力的作用下,晶圆W被向保持台9的载置面按压。因而,能够对晶圆W施加充分的压力,因此,能够可靠地矫正晶圆W的翘曲而使晶圆W平坦化。
此外,在矫正晶圆W时,对于晶圆W的朝上暴露的电路面,不是进行基于按压板等构件的物理接触,而是吹送气体N。因而,能够可靠地避免因物理接触而对晶圆W的电路造成损伤等不良的情况发生。因而,即使是电路面暴露的晶圆W等的难以利用现有的矫正装置应对的工件,实施例1的矫正装置7也能够可靠且高精度地矫正该工件。
另外,在实施例1中,对发生图4的(b)所示的第2形态的翘曲的晶圆W进行矫正的工序也与矫正上述第1形态的翘曲的工序相同。
即,利用输送臂6吸附保持晶圆W,并将晶圆W从晶圆收纳部3向输送装置7输送。并且,借助处于已上升的状态的支承销15承接晶圆W,使支承销15下降而将晶圆W载置于保持台9。然后,通过使真空装置20工作并进行经由吸附孔17的吸引,晶圆W的外缘部吸附于保持台9的晶圆载置部13。
在通过吸附晶圆W的外缘部而晶圆W的位置被固定时,控制部21使泵31工作,从气体喷射喷嘴27将气体N向晶圆W的表面吹送。从晶圆载置部13浮起的晶圆W的中央部被喷射出的气体N的压力按压,并向晶圆载置部13靠近。
并且,在吸附孔17的作用下,晶圆W的中央部也吸附于晶圆载置部13,晶圆W的整个背面被吸附保持。通过以预定时间进行由保持台9进行的吸附和由气体喷射喷嘴27进行的气体N的喷射,针对发生第2形态的翘曲的晶圆W,也能够恰当地矫正并使之平坦化。
【实施例2】
接着,说明本发明的实施例2。对在实施例1和实施例2中共通的结构,标注同一附图标记,以下使用附图来说明实施例2中特征性的结构。
在实施例1的矫正装置7中,各个吸附孔17汇合为一体,各个气体喷射喷嘴27汇合为一体,并且受到单一的控制。另一方面,在实施例2的矫正装置7中,将吸附孔17和气体喷射喷嘴27中的至少一者分割为多个组。并且,针对每个组进行汇合并且针对每个组来独立控制,这一点与实施例1的结构不同。
在实施例2中,说明将各个吸附孔17分割为多个组的结构的一例。如图8的(a)所示,关于多个吸附孔17,与距晶圆载置部13的中心的距离即距载置的晶圆W的中心的距离相应地,将吸附孔17分割为多个组。
具体而言,以形成有共用晶圆载置部13的中心的多个同心圆的方式进行分割。在图8的(a)所示的实施例2的结构中,各个吸附孔17被分割为从距中心部最近的组B1到距外缘部最近的组B4的这4个组。
并且,各个吸附孔17按照每个组汇合为分别独立的线。即,如图8的(b)所示,吸附孔17中的属于组B1的各个吸附孔17a汇合为线L1,经由具有电磁阀18a的流路19a与真空装置20a连通连接。
吸附孔17中的属于组B2的各个吸附孔17b汇合为线L2,经由具有电磁阀18b的流路19b与真空装置20b连通连接。属于组B3的各个吸附孔17c汇合为线L3,经由具有电磁阀18c的流路19c与真空装置20c连通连接。属于组B4的各个吸附孔17d汇合为线L4,经由具有电磁阀18d的流路19d与真空装置20d连通连接。
线L1~L4和流路19a~19d分别独立。此外,控制部21独立控制电磁阀18a~18d,并且独立控制真空装置20a~20d。这样,通过将各个吸附孔17分割为每个组,并对每个组进行控制,能够独立调整经由晶圆载置部13的中央部的吸附孔17的吸引力和经由外缘部的吸附孔17的吸引力。
接着,在实施例2中,说明将各个气体喷射喷嘴27分割为多个组的结构的一例。如图9的(a)所示,关于多个气体喷射喷嘴27,与距气体供给单元25的中心的距离即距与载置的晶圆W的中心相对的位置的距离相应地,将多个气体喷射喷嘴27分割为多个组。在图9的(a)中,各个气体喷射喷嘴27被分割为从距中心部最近的组C1到距外缘部最近的组C5的这5个组。
并且,各个气体喷射喷嘴27按照每个组汇合为分别独立的线。即,如图9的(b)所示,气体喷射喷嘴27中的属于组C1的各个气体喷射喷嘴27a汇合为同样的线L1,经由具有电磁阀29a的流路30a与泵31a连通连接。
同样地,属于组C2的各个气体喷射喷嘴27b汇合为线L2,经由具有电磁阀29b的流路30b与泵31b连通连接。属于组C3的各个气体喷射喷嘴27c汇合为线L3,经由具有电磁阀29c的流路30c与泵31c连通连接。
属于组C4的各个气体喷射喷嘴27d汇合为线L4,经由具有电磁阀29d的流路30d与泵31d连通连接。属于组C5的各个气体喷射喷嘴27e汇合为线L5,经由具有电磁阀29e的流路30e与泵31e连通连接。
控制部21独立控制电磁阀29a~29e,并且独立控制泵31a~31e。这样,通过将各个气体喷射喷嘴27分割为每个组,并对每个组进行控制,能够独立地调整通过气体N的喷射而对晶圆W的中央部作用的压力和对晶圆W的外缘部作用的压力。
此外,实施例2的矫正装置7具有传感器。传感器用于检测载置于晶圆载置部13的晶圆W的翘曲的形状。此外,作为传感器的例子,能够列举配置于晶圆载置部13的周围的光学传感器、超声波传感器或者配置于晶圆载置部13的接触传感器等。作为一例,在传感器为接触传感器的情况下,在晶圆W中的中央部与晶圆载置部13相接触时,能够检测到晶圆W的翘曲的形状为图4的(a)所示的第1形态。
传感器检测到的与晶圆W的翘曲的形状相关的信息向控制部21发送。控制部21能够基于与翘曲的形状相关的信息,独立地控制各个组B1~B4中的吸附孔17的吸引力和各个组C1~C5中的气体喷射喷嘴27的喷射力。
接着,说明使用具有实施例2的矫正装置7的晶圆处理装置1来矫正晶圆W使之平坦化的一系列动作。另外,在实施例2中也与实施例1同样地,设为在晶圆W中发生图4的(a)所示的第1形态的翘曲。
在实施例1和实施例2中直到将晶圆W载置于保持台9为止的工序是共通的。即,当晶圆处理装置1开始动作时,使支承销15的顶端从晶圆载置部13的载置面突出,并且将收纳于晶圆收纳部3的晶圆W向保持台9输送。然后,向从保持台9突出的支承销15载置晶圆W。然后,支承销15下降,晶圆W被载置于晶圆载置部13的上表面。
当晶圆W载置于保持台9时,传感器进行工作,检测晶圆W的翘曲的形状。在该情况下,将晶圆W的翘曲的形状为第1形态的内容的信息向控制部21发送。即,载置于保持台9的晶圆W在中央部与晶圆载置部13的载置面相接触。
控制部21使各个真空装置20a~20d进行工作,并且使电磁阀18a~18d开放。通过该控制,晶圆W中的至少中央部经由吸附孔17吸附于晶圆载置部13。
然后,控制部21进一步使各个泵31a~31e工作,并且使电磁阀29a~29e开放,向各个气体喷射喷嘴27a~27e供给气体。这时,控制部21与晶圆W的翘曲的形状相应地,独立地控制各个泵31a~31e和各个电磁阀29a~29e。
在晶圆W的翘曲为第1形态的情况下,与晶圆W的中央部相比,外缘部从晶圆载置部13浮起。即,与晶圆W的中央部相比,需要更强力地按压外缘部。因此,控制部21以随着向晶圆W的外缘部靠近而阶段性地地加强气体喷射喷嘴27的喷射力的方式进行控制。
即,如图10所示,将从各个气体喷射喷嘴27a~27e吹送的气体N1~N5中的从气体喷射喷嘴27a喷射的气体N1的压力设为最低。并且,按照从气体喷射喷嘴27b喷射的气体N2、从气体喷射喷嘴27c喷射的气体N3、从气体喷射喷嘴27d喷射的气体N4、从气体喷射喷嘴27e喷射的气体N5的顺序,使喷射的气体N的压力阶段性地变化。即,以从气体喷射喷嘴27e喷射的气体N5的压力成为最高的方式进行控制。
从气体喷射喷嘴27a喷射的气体N1向晶圆W的中央部吹送。从气体喷射喷嘴27e喷射的气体N5向晶圆W的外缘部吹送。因此,通过将气体N5的压力设为最高,由此从晶圆载置部13较大地浮起的晶圆W的外缘部被气体N5强力地按压,并迅速地向晶圆载置部13靠近。
此外,控制部21针对各个吸附孔17也进行同样的控制。即,独立地控制各个真空装置20a~20d和各个电磁阀18a~18d,使吸附孔17a~17e中的吸附孔17a的吸引力最弱。并且,按照吸附孔17b、吸附孔17c、吸附孔17d的顺序依次使吸引力阶段性地变化,使吸附孔17d的吸引力最强。
通过将吸附孔17d的吸引力控制为最强,被气体N5更强力地按压而向晶圆载置部13靠近的晶圆W的外缘部更可靠且迅速地被吸附孔17d吸附。因而,通过与距晶圆W的中心的距离相应地,独立控制吸附孔17的吸引力和气体喷射喷嘴27的喷射力,能够更可靠且迅速地矫正翘曲最大的晶圆W的外缘部,使晶圆W的整体平坦化。
与实施例1同样地,利用保持台9吸附平坦化后的晶圆W的整个背面,并且以预定时间进行基于气体喷射喷嘴27的气体N的喷射,从而完成矫正晶圆W的一系列过程。
另外,在利用传感器检测到的晶圆W的翘曲的形状符合图4的(b)所示那样的第2形态时,控制部21对各结构的控制如图11所示。
在晶圆W的翘曲为第2形态时,与晶圆W的外缘部相比,中央部从晶圆载置部13浮起。即,与晶圆W的外缘部相比,需要更强力地按压中央部。
因此,控制部21以随着向晶圆W的中央部靠近而气体喷射喷嘴27的喷射力阶段性地加强的方式进行控制。即,将从各个气体喷射喷嘴27a~27e吹送的气体N1~N5中的从气体喷射喷嘴27a喷射的气体N1的压力设为最高。
并且,以如下的方式进行控制,即,按照气体N2、气体N3、气体N4、气体N5的顺序,使喷射的气体N的压力阶段性地变化,从气体喷射喷嘴27e喷射的气体N5的压力成为最低。通过将气体N1的压力设为最高,从晶圆载置部13较大地浮起的晶圆W的中央部被气体N1更强力地按压,从而迅速地向晶圆载置部13靠近。
另一方面,已经与晶圆载置部13靠近的晶圆W的外缘部被低压的气体N5按压,因此能够避免如下的情况,即,过高的压力作用于晶圆W的外缘部,导致该外缘部抵接于晶圆载置部13而变形。
此外,控制部21针对各个吸附孔17也进行同样的控制。即,独立控制各个真空装置20a~20d和各个电磁阀18a~18d,将吸附孔17a~17d中的吸附孔17d的吸引力设为最弱。
并且,按照吸附孔17c、吸附孔17b、吸附孔17a的顺序使吸引力阶段性地变化,使吸附孔17a的吸引力最强。通过将吸附孔17a的吸引力控制为最强,能够更可靠且迅速地吸附被气体N1更强力地按压而向晶圆载置部13靠近的晶圆W的中央部。因而,对于按照第2形态发生的翘曲,也能够高精度地矫正。
<由实施例2的结构带来的效果>
实施例2的矫正装置7将各个气体喷射喷嘴27分割为多个组,针对每个组独立控制喷射的气体的压力。通过独立控制,能够对晶圆W中的翘曲较小的部分吹送低压的气体N来进行按压,另一方面,能够对翘曲较大的部分吹送高压的气体N来进行按压。
这样,通过与翘曲的大小相应地调节从气体喷射喷嘴27吹送的气体的压力,针对晶圆W中的翘曲较大的部分吹送高压的气体,从而即使翘曲较大,也能够可靠且迅速地矫正该翘曲。另一方面,通过针对翘曲较小的部分吹送低压的气体,能够避免由于对翘曲较小的部分作用过大的压力而导致在晶圆W的该部分产生新的应变的情况。因而,能够更高精度地矫正晶圆W的翘曲使晶圆W平坦化。
此外,将一端侧的外缘部和另一端侧的外缘部等的翘曲量大致相同的部位处的各个气体喷射喷嘴27汇合为相同的组,受到共通的控制。因而,通过设为按照每个组独立控制的结构,与针对每个气体喷射喷嘴27独立控制的结构相比,能够简化控制机构。
并且,在实施例2中,也将各个吸附孔17分割为多个组,针对每个组独立控制吸引力。因此,利用更强的力吸引晶圆W整体中的翘曲较大的部分,因此,能够利用该吸引力将翘曲较大的部分可靠且迅速地矫正,使之变平坦,之后被吸附孔17吸附。
另一方面,利用较弱的力来吸引晶圆W整体中的翘曲较小的部分,因此,能够避免因利用过强的力进行吸引而导致翘曲较小的部分在过剩的力的作用下吸附于保持台9而产生新的应变的情况。因而,能够提高矫正晶圆W的翘曲的精度。
在实施例2中,作为优选的结构,使用传感器预先检测晶圆W的翘曲的形状,与该翘曲的形状相应地,独立控制从气体喷射喷嘴27喷射的气体的压力。通过预先检测晶圆W的翘曲的形状,针对晶圆W的翘曲的形状,能够利用气体喷射喷嘴27对各个部分作用恰当大小的压力。因而,能够进一步高精度地矫正晶圆W的翘曲使晶圆W平坦化。
本发明并不限于上述实施方式,能够像下述这样实施变形。
(1)在上述各实施例的结构中,优选在保持台9或者加压机构11设有对位用的支承部。
在图12的(a)中例示了在保持台9竖立设置有支承部45的结构。作为一例,支承部45为环状,并构成为其内径比晶圆W的直径稍大。此外,支承部45与晶圆载置部13共有中心。因此,载置于晶圆载置部13的晶圆W利用支承部45对位。
此外,通过竖立设置具有预定的高度D的支承部45,在使气体供给单元25下降而使气体喷射喷嘴27靠近保持台9上的晶圆W时,由于支承部45的顶端抵接于气体供给单元25,因此,能够防止气体喷射喷嘴27和晶圆W的距离过度靠近。即,支承部45不仅防止保持台9上的晶圆W的位置偏离,也进行上下方向(z方向)上的气体喷射喷嘴27和晶圆W之间的对位。
如图12的(a)和图12的(b)所示,在支承部45设有气体排出孔47。因此,即使在以利用环状的支承部45包围晶圆W的状态从气体喷射喷嘴27吹送出气体N的情况下,也能够将气体N从气体排出孔47排出。另外,只要能够进行晶圆W的对位,则支承部45的形状并不限于环状,作为一例,也可以是图12的(c)所示的销状。
(2)在上述各实施例的结构中,例示了设有多个气体喷射喷嘴27的结构,但气体喷射喷嘴27也可以是1个。在该情况下,如图13的(a)所示,优选的是,气体喷射喷嘴27设于与晶圆W的中央部相对的位置。
在该变形例的结构中,通过从气体喷射喷嘴27向晶圆W喷射气体N,像图13的(b)那样,气体N向晶圆W的中央部吹送,晶圆W的中央部首先被气体N向晶圆载置部13按压。
然后,如图13的(c)所示,气体N以沿晶圆W的上表面扩展的方式流动,将晶圆W的中间部和外缘部向晶圆载置部13按压。其结果是,晶圆W的整个面被吸附保持于晶圆载置部13而被平坦化。在矫正装置7设有支承部45的情况下,气体N从气体排出孔47向矫正装置7的外部排出。这样,不论气体喷射喷嘴27的数量是多少,都能够将晶圆W以非接触的状态高精度地矫正。
(3)在上述实施例2和以实施例2为基础的各变形例中,例示了与距中心的距离相应地将吸附孔17或者气体喷射喷嘴27分割为多个组的结构。但是,将吸附孔17或者气体喷射喷嘴27分割为多个组的结构并不限于此。
作为分割为多个组的结构的另外一例,如图14的(a)所示,能够列举如下的结构,即,将在x方向或者y方向上排列的1列或者多列的气体喷射喷嘴27设为1个组,将各个气体喷射喷嘴27分割为多个组E1~E5。
进行这样的变形例的组分割并按照该每个组进行独立控制,即使是在晶圆W发生与图4的(a)和图4的(b)所示的一般形状不同的形状的翘曲的情况下,也能够高精度地矫正该翘曲。
作为一例,如图14的(b)所示,能够针对在x方向上产生像波浪这样的形状的翘曲的晶圆W,与在晶圆W的各部分产生的翘曲的大小相应地适当调整从气体喷射喷嘴27吹送的气体N的压力。因而,能够矫正该波浪形状的翘曲,使晶圆W平坦化。
(4)在上述各实施例和各变形例的结构中,作为矫正翘曲等应变而使之平坦化的对象即工件,例示了使用形成于表面的电路图案暴露的状态下的晶圆W的情况,但并不限于此。
作为成为矫正的对象的工件而使用的结构,除了晶圆W之外,能够列举由玻璃、陶瓷、有机材料等构成的基板等。此外,工件的形状也不限于圆形,也能够针对沿具有缺口、定向平面的晶圆的形状的包括凹部、直线部的大致圆形形状、与基板等形状相对应的矩形形状、大致矩形形状、多边形形状等多种形状的工件,来应用本发明的结构。
在该情况下,晶圆载置部13、气体供给单元25的形状以及吸附孔17的配置、气体喷射喷嘴27的配置能够与工件的形状相应地适当变更。
Claims (10)
1.一种工件矫正方法,其特征在于,具有:
保持过程,在该过程中,在平坦的保持台上保持工件;
气体供给过程,在该过程中,利用从设于所述保持台的上方的气体供给机构向所述工件的上表面供给的气体的压力按压所述工件;以及
吸附过程,在该过程中,经由设于所述保持台的吸附孔将所述工件的下表面吸附于所述保持台。
2.根据权利要求1所述的工件矫正方法,其特征在于,
在所述气体供给过程中,
将设有的多个所述气体供给机构分割为多个组,针对每个所述组独立控制从所述气体供给机构供给的气体的压力。
3.根据权利要求2所述的工件矫正方法,其特征在于,
在所述气体供给过程中,
与距所述工件的中心的距离相应地,将设有的多个所述气体供给机构分割为多个组,
针对每个所述组独立控制,以使得从所述气体供给机构供给的气体的压力随着从所述工件的中心向外缘部去而阶段性地变化。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的工件矫正方法,其特征在于,
在所述吸附过程中,
将设有的多个所述吸附孔分割为多个组,针对每个所述组独立控制经由所述吸附孔吸附所述工件的力。
5.根据权利要求4所述的工件矫正方法,其特征在于,
在所述吸附过程中,
与距所述工件的中心的距离相应地,将设有的多个所述吸附孔分割为多个组,
针对每个所述组独立控制,以使得经由所述吸附孔吸附所述工件的力随着从所述工件的中心向外缘部去而阶段性地变化。
6.一种工件矫正装置,其特征在于,具有:
平坦的保持台,其保持工件;
气体供给机构,其设于所述保持台的上方,向所述工件的上表面供给气体,并利用所述气体的压力按压所述工件;以及
吸附机构,其经由设于所述保持台的吸附孔,将所述工件的下表面吸附于所述保持台。
7.根据权利要求6所述的工件矫正装置,其特征在于,
将所设有的多个所述气体供给机构分割为多个组,
所述工件矫正装置具有供给控制机构,该供给控制机构针对每个所述组独立控制从所述气体供给机构供给的气体的压力。
8.根据权利要求7所述的工件矫正装置,其特征在于,
与距所述工件的中心的距离相应地,将所设有的多个所述气体供给机构分割为多个组,
所述供给控制机构针对每个所述组独立控制,以使得从所述气体供给机构供给的气体的压力随着从所述工件的中心向外缘部去而阶段性地变化。
9.根据权利要求6~8中任一项所述的工件矫正装置,其特征在于,
所设有的多个所述吸附孔被分割为多个组,
具有吸附控制机构,该吸附控制机构针对每个所述组,独立控制经由所述吸附孔吸附所述工件的力。
10.根据权利要求9所述的工件矫正装置,其特征在于,
与距所述工件的中心的距离相应地,将所设有的多个所述吸附孔分割为多个组,
所述吸附控制机构针对每个所述组独立控制,以使得经由所述吸附孔吸附所述工件的力随着从所述工件的中心向外缘部去而阶段性地变化。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018083886A JP2019192775A (ja) | 2018-04-25 | 2018-04-25 | ワーク矯正方法およびワーク矯正装置 |
JP2018-083886 | 2018-04-25 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110400766A true CN110400766A (zh) | 2019-11-01 |
Family
ID=68322944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910341006.8A Pending CN110400766A (zh) | 2018-04-25 | 2019-04-25 | 工件矫正方法和工件矫正装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2019192775A (zh) |
KR (1) | KR20190124148A (zh) |
CN (1) | CN110400766A (zh) |
TW (1) | TW202002151A (zh) |
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US11302557B2 (en) * | 2020-05-01 | 2022-04-12 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic clamping system and method |
TWI775099B (zh) * | 2020-06-19 | 2022-08-21 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 晶圓處理方法及晶圓固持裝置 |
TW202213614A (zh) * | 2020-09-16 | 2022-04-01 | 力成科技股份有限公司 | 晶圓運送裝置 |
KR102450558B1 (ko) * | 2021-07-30 | 2022-10-06 | 이메이더 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 유연성 제품에 사용되는 레벨링 방법 및 장치 |
WO2023181367A1 (ja) * | 2022-03-25 | 2023-09-28 | 株式会社ニコン | 矯正装置、露光装置、コータ・デベロッパ装置、露光システム、露光方法、及びデバイス製造方法 |
CN116487314B (zh) * | 2023-06-21 | 2023-09-01 | 上海新创达半导体设备技术有限公司 | 一种带翘曲校正功能的晶圆承载器 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5591267B2 (ja) | 2012-03-09 | 2014-09-17 | 日東電工株式会社 | 粘着テープ切断方法およびこれを用いた粘着テープ貼付け装置 |
-
2018
- 2018-04-25 JP JP2018083886A patent/JP2019192775A/ja active Pending
-
2019
- 2019-03-08 TW TW108107749A patent/TW202002151A/zh unknown
- 2019-04-22 KR KR1020190046603A patent/KR20190124148A/ko unknown
- 2019-04-25 CN CN201910341006.8A patent/CN110400766A/zh active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114121486A (zh) * | 2020-08-25 | 2022-03-01 | 日机装株式会社 | 层叠装置 |
CN113816144A (zh) * | 2021-08-23 | 2021-12-21 | 甘肃旭盛显示科技有限公司 | 玻璃基板取板装置及玻璃基板生产线 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190124148A (ko) | 2019-11-04 |
TW202002151A (zh) | 2020-01-01 |
JP2019192775A (ja) | 2019-10-31 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |