CN110391294B - 柔性阵列基板及柔性显示面板 - Google Patents
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Abstract
一种柔性阵列基板，包括显示区域以及位于所述显示区域一侧的弯折区域，还包括第一柔性衬底、水氧阻隔层、第二柔性衬底、缓冲层以及阵列结构层；其中，所述阵列结构层位于所述显示区域的部分具有第一源漏极走线，所述阵列结构层位于所述弯折区域的部分具有第二源漏极走线，所述第二源漏极走线与所述缓冲层之间的相对距离小于所述第一源漏极走线与所述缓冲层之间的相对距离。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性阵列基板及柔性显示面板。
背景技术
随着手机显示技术的发展，对手机面板的要求越来越高。窄边框、高平占比、“无下巴”的手机面板已经成为绝大多是手机面板供应商与手机厂商追求的目标。而要实现手机的上述要求，离不开手机面板制造技术的提高。现有技术中，主要在柔性阵列基板中位于显示区的一侧设置有弯折区，并对柔性阵列基板进行弯折，以将其弯折至柔性阵列基板背后，以减小弯曲半径。但是目前在对柔性阵列基板进行弯折后，柔性阵列基板上的金属走线会产生较大应力，导致金属走线出现断裂的现象。
综上所述，现有的柔性阵列基板及柔性显示面板，为了实现高屏占比对柔性阵列基板进行弯折时，会使柔性阵列基板上的金属走线产生较大应力，进一步导致金属走线出现断裂的现象。
发明内容
本发明提供一种柔性阵列基板及柔性显示面板，能够提高其位于弯折区域的可靠性，以解决现有的柔性阵列基板，为了实现高屏占比对柔性阵列基板进行弯折时，会使柔性阵列基板上的金属走线产生较大应力，进一步导致金属走线出现断裂的现象的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种柔性阵列基板，包括显示区域以及位于所述显示区域一侧的弯折区域，还包括第一柔性衬底、水氧阻隔层、第二柔性衬底、缓冲层以及阵列结构层；
其中，所述阵列结构层位于所述显示区域的部分具有第一源漏极走线，所述阵列结构层位于所述弯折区域的部分具有第二源漏极走线，所述第二源漏极走线与所述缓冲层之间的相对距离小于所述第一源漏极走线与所述缓冲层之间的相对距离。
根据本发明一优选实施例，所述第一源漏极走线及所述第二源漏极走线的材料为铜、铝、银以及钛中的一种或一种以上的组合。
根据本发明一优选实施例，所述阵列结构层包括由下至上设置的有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极绝缘层、第二栅极、层间绝缘层、平坦化层以及阳极。
根据本发明一优选实施例，所述第二源漏极走线位于所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层以及所述第二栅极绝缘层中的任意一层上。
根据本发明一优选实施例，所述第二源漏极走线位于所述层间绝缘层上。
根据本发明一优选实施例，所述第二源漏极走线还包括第三源漏极子走线以及第四源漏极子走线，所述第三源漏极子走线位于所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层以及所述第二栅极绝缘层中的任意一层上，所述第四源漏极子走线位于所述层间绝缘层上。
根据本发明一优选实施例，所述第三源漏极子走线通过第一过孔与所述第四源漏极子走线电性连接。
根据本发明一优选实施例，所述第三源漏极子走线的材料为铝，所述第四源漏极子走线为下层钛膜、中层铝膜及上层钛膜构成的层叠膜。
根据本发明一优选实施例，所述缓冲层由下层二氧化硅、中层硅氮化物及上层二氧化硅构成的层叠膜。
本发明还提供一种柔性显示面板，包括如上述任意一项所述的柔性阵列基板。
本发明的有益效果为：本发明所提供的柔性阵列基板及柔性显示面板，在弯折区域内设置源漏极走线且位于显示区域内的源漏极走线的下方，提高了柔性阵列基板位于弯折区域的可靠性，进一步避免了柔性阵列基板因为弯折造成金属走线断裂的风险。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明柔性阵列基板实施例一结构示意图。
图2为本发明柔性阵列基板实施例一中源漏极走线的结构示意图。
图3为本发明柔性阵列基板实施例二中源漏极走线的结构示意图。
图4为本发明柔性阵列基板实施例三中源漏极走线的结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
柔性阵列基板以其厚度薄、可弯折性能而闻名，然而在将柔性阵列基板弯折的过程中，往往因为弯折区域所受的应力过大而导致弯折区域以及弯折区域中的信号走线断裂，导致柔性阵列基板发生不良；此外，随着产品的更新，柔性阵列基板的弯折半径不断减小，使得弯折区域所受应力越来越大，急切需要设计一种结构能够控制、缓解弯折区域的应力，提高柔性阵列基板的弯折性能。
本发明针对现有的柔性阵列基板及柔性显示面板，为了实现高屏占比对柔性阵列基板进行弯折时，会使柔性阵列基板上的金属走线产生较大应力，进一步导致金属走线出现断裂的现象的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
实施例一：
如图1所示，为本发明柔性阵列基板实施例一的结构示意图。其中，所述柔性阵列基板包括显示区域10以及位于所述显示区域10一侧的弯折区域20，所述柔性阵列基板还包括第一柔性衬底11、水氧阻隔层12、第二柔性衬底13、缓冲层14以及阵列结构层；
所述阵列结构层位于所述显示区域10的部分具有第一源漏极走线111，所述阵列结构层位于所述弯折区域20的部分具有第二源漏极走线，所述第二源漏极走线与所述缓冲层14之间的相对距离小于所述第一源漏极走线111与所述缓冲层14之间的相对距离。
具体地，所述阵列结构层还包括由下至上设置的有源层15、第一栅极绝缘层16、第一栅极17、第二栅极绝缘层18、第二栅极19、层间绝缘层110、平坦化层112以及阳极113。
所述柔性阵列基板的具体制备方法如下：
首先提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上沉积第一柔性衬底11，所述第一柔性衬底11的材料优选为聚酰亚胺薄膜，所述第一柔性衬底11的厚度优选为10微米。之后，在所述柔性衬底11上沉积水氧阻隔层12，所述水氧阻隔层12的材料为二氧化硅，其厚度优选为500纳米。接着，在所述水氧阻隔层12上沉积第二柔性衬底13，所述第二柔性衬底13的材料优选为聚酰亚胺薄膜，所述第二柔性衬底13的厚度优选为10微米。
之后在所述第二柔性衬底13上制备缓冲层14，所述缓冲层14由下层二氧化硅、中层硅氮化物及上层二氧化硅构成的层叠膜。所述下层二氧化硅的厚度优选为500纳米，所述中层硅氮化物的厚度优选为40纳米，所述上层二氧化硅的厚度优选为200纳米。
接着在所述缓冲层14上制备有源层15，所述有源层15的材料为多晶硅(Poly-Si)，对所述有源层15的边缘两端采用P+离子掺杂，形成离子掺杂层151，所述有源层15的厚度优选为50纳米
之后在所述缓冲层14上制备第一栅极绝缘层16，所述第一栅极绝缘层16完全覆盖所述有源层15，所述第一栅极绝缘层16的材料为二氧化硅，所述第一栅极绝缘层16的厚度优选为140纳米。
再之后在所述第一栅极绝缘层16上沉积第一栅极17，所述第一栅极17的材料为钼，所述第一栅极17的厚度优选为250纳米。
接着在所述第一栅极绝缘层16上沉积第二栅极绝缘层18，所述第二栅极绝缘层18完全覆盖所述第一栅极17，所述第二栅极绝缘层18的材料为硅氮化物，所述第二栅极绝缘层18的厚度优选为140纳米。
再之后在所述第二栅极绝缘层18上沉积第二栅极19，所述第二栅极19的材料为钼，所述第二栅极19的厚度优选为250纳米。
接着在所述第二栅极绝缘层18上沉积层间绝缘层110，所述层间绝缘层110完全覆盖所述第二栅极19，所述层间绝缘层110的材料为二氧化硅，所述层间绝缘层110的厚度优选为500纳米。
之后，在所述层间绝缘层110上制备第一源漏极走线111，所述第一源漏极走线111经由过孔与所述离子掺杂层151电性连接，所述第一源漏极走线111的材料为铜、铝、银以及钛中的一种或一种以上的组合，优选为下层钛膜、中层铝膜及上层钛膜构成的层叠膜。其中，下层钛膜的厚度优选为80纳米，中层铝膜的厚度优选为600纳米，上层钛膜的厚度优选为50纳米。
接着，在所述层间绝缘层110上制备平坦化层112，所述平坦化层112的材料为聚酰亚胺薄膜，所述平坦化层112的厚度优选为200纳米。
之后，在所述平坦化层112上制备阳极113，所述阳极113经由另一过孔与所述第一源漏极走线111电性连接，所述阳极113由下层ITO(氧化铟锡)膜、中层银膜及上层ITO膜构成的层叠膜，所述下层ITO膜的厚度优选为15纳米，所述中层银膜的厚度优选为100纳米，所述上层ITO膜的厚度优选为15纳米，最后形成所述阵列结构层。
具体的，所述阵列结构层位于所述弯折区域20的部分还包括第二源漏极走线，所述第二源漏极走线与所述缓冲层14之间的相对距离D2小于所述第一源漏极走线111与所述缓冲层14之间的相对距离D1。其中，所述第二源漏极走线还包括第三源漏极子走线21以及第四源漏极子走线22，所述第三源漏极子走线21位于所述缓冲层14、所述第一栅极绝缘层16以及所述第二栅极绝缘层18中的任意一层上，所述第四源漏极子走线22位于所述层间绝缘层110上；所述第三源漏极子走线21通过第一过孔23与所述第四源漏极子走线22电性连接。
由于所述第二源漏极走线与所述缓冲层14之间的相对距离D2小于所述第一源漏极走线111与所述缓冲层14之间的相对距离D1。因此，所述柔性衬底基板位于所述弯折区域20的源漏极走线与所述柔性衬底基板位于所述显示区域10的源漏极走线存在着一定的高度差h1，此高度差h1可以耦合所述柔性阵列基板与源漏极走线之间的应力，使得在对所述柔性阵列基板进行弯折的过程中，位于柔性阵列基板的弯折区域中的源漏极走线受到的应力较小，避免弯折过程中源漏极走线发生断裂，提高了所述柔性阵列基板的弯折性能。
具体的，所述第三源漏极子走线21的材料为铝，所述第三源漏极子走线21的厚度优选为50纳米；所述第四源漏极子走线22为下层钛膜、中层铝膜及上层钛膜构成的层叠膜，所述下层钛膜的厚度优选为80纳米，所述中层铝膜的厚度优选为600纳米，所述上层钛膜的厚度优选为50纳米。
如图2所示，为本发明柔性阵列基板实施例一中源漏极走线的结构示意图。其中，所述第一源漏极走线111与所述第四源漏极子走线22电性连接。
实施例二：
一种柔性阵列基板，如图3所示，其与实施例一的不同之处仅在于所述第二源漏极走线31位于所述缓冲层14、所述第一栅极绝缘层16以及所述第二栅极绝缘层18中的任意一层上。所述第二源漏极走线31与所述缓冲层14之间的相对距离D3小于所述第一源漏极走线111与所述缓冲层14之间的相对距离D1。因此，所述柔性衬底基板位于所述弯折区域20的源漏极走线与所述柔性衬底基板位于所述显示区域10的源漏极走线存在着一定的高度差h2，此高度差h2可以耦合所述柔性阵列基板与源漏极走线之间的应力，使得在对所述柔性阵列基板进行弯折的过程中，位于柔性阵列基板的弯折区域中的源漏极走线受到的应力较小，避免弯折过程中源漏极走线发生断裂，提高了所述柔性阵列基板的弯折性能。
实施例三：
一种柔性阵列基板，如图4所示，其与实施例一的不同之处仅在于所述第二源漏极走线41位于所述层间绝缘层110上。所述第二源漏极走线41与所述缓冲层14之间的相对距离D4小于所述第一源漏极走线111与所述缓冲层14之间的相对距离D1。因此，所述柔性衬底基板位于所述弯折区域20的源漏极走线与所述柔性衬底基板位于所述显示区域10的源漏极走线存在着一定的高度差h3，此高度差h3可以耦合所述柔性阵列基板与源漏极走线之间的应力，使得在对所述柔性阵列基板进行弯折的过程中，位于柔性阵列基板的弯折区域中的源漏极走线受到的应力较小，避免弯折过程中源漏极走线发生断裂，提高了所述柔性阵列基板的弯折性能。
进一步地，本发明还提供一种柔性显示面板，所述柔性显示面板包括具有上述实施例描述的任一特征的柔性阵列基板。其中，所述柔性显示面板的类型可以为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)面板、平面转换(In-Plane Switching，IPS)面板、扭曲向列型(Twisted Nematic，TN)面板、垂直配向技术(Vertical Alignment，VA)面板、QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光)显示面板或者micro LED(微发光二极管，μLED)面板等显示面板中的任意一种，本发明对此并不具体限制。
本发明所提供的柔性阵列基板及柔性显示面板，在弯折区域内设置源漏极走线且位于显示区域内的源漏极走线的下方，提高了柔性阵列基板位于弯折区域的可靠性，进一步避免了柔性阵列基板因为弯折造成金属走线断裂的风险。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (6)
1.一种柔性阵列基板，包括显示区域以及位于所述显示区域一侧的弯折区域，其特征在于，还包括第一柔性衬底、水氧阻隔层、第二柔性衬底、缓冲层以及阵列结构层，所述阵列结构层包括由下而上的第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和层间绝缘层；
其中，所述阵列结构层位于所述显示区域的部分具有第一源漏极走线，所述阵列结构层位于所述弯折区域的部分具有第二源漏极走线，所述第二源漏极走线与所述缓冲层之间的相对距离小于所述第一源漏极走线与所述缓冲层之间的相对距离，所述第二源漏极走线还包括第三源漏极子走线以及第四源漏极子走线，所述第三源漏极子走线位于所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层以及所述第二栅极绝缘层中的任意一层上，所述第四源漏极子走线位于所述层间绝缘层上，所述第三源漏极子走线通过第一过孔与所述第四源漏极子走线电性连接，其中，所述第一源漏极走线与所述第四源漏极子走线电性连接。
2.根据权利要求1所述的柔性阵列基板，其特征在于，所述第一源漏极走线及所述第二源漏极走线的材料为铜、铝、银以及钛中的一种或一种以上的组合。
3.根据权利要求1所述的柔性阵列基板，其特征在于，所述阵列结构层还包括由下至上设置的有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极绝缘层、第二栅极、层间绝缘层、平坦化层以及阳极。
4.根据权利要求1所述的柔性阵列基板，其特征在于，所述第三源漏极子走线的材料为铝，所述第四源漏极子走线为下层钛膜、中层铝膜及上层钛膜构成的层叠膜。
5.根据权利要求1所述的柔性阵列基板，其特征在于，所述缓冲层由下层二氧化硅、中层硅氮化物及上层二氧化硅构成的层叠膜。
6.一种柔性显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-5任意一项所述的柔性阵列基板。
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