CN110379900A - 发光二极管及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括：包括第一导电型半导体层和第二导电型半导体层以及有源层的发光结构，发光结构具有穿过有源层和第二导电型半导体层形成以暴露第一导电型半导体层的第二孔；反射金属层；覆盖金属层；第一绝缘层；设置在第一绝缘层上的电极层，该电极层覆盖第一绝缘层并填充第二孔；设置在发光结构上的电极焊盘，其中，发光结构具有形成在覆盖金属层上方的第一孔，电极焊盘在覆盖金属层上方形成在发光结构上。
Description
本申请是向中国国家知识产权局提交的申请日为2015年9月24日的标题为“发光二极管及其制造方法”的第201580044488.0号申请的分案申请。
技术领域
示例性实施例涉及一种发光二极管及其制造方法，并且更具体地，涉及一种包括嵌入电极层的发光二极管及其制造方法。
背景技术
发光二极管是通过电子和空穴的复合产生光的无机半导体装置。这种发光二极管可以用于包括显示器、车辆灯、普通照明等的各种领域中，并且发光二极管的应用范围已经扩大。
对于发光二极管，广泛使用其中横向设置有n型电极和p型电极的横向型发光二极管。尽管横向型发光二极管可以相对容易地制造，但是由于有源层被部分去除用以在下半导体层上形成电极，而导致其发光面积可能减小。进一步地，电极的横向布置可导致电流拥挤，从而降低发光二极管的发光效率。
此外，蓝宝石衬底通常可以用作横向型发光二极管的生长衬底，由于其低导热性，可导致低效率的放热。因此，横向型发光二极管可增加发光二极管的结温并且降低其内部量子效率。
已经开发出垂直型发光二极管和倒装芯片型发光二极管，以改善横向型发光二极管的问题。
典型的发光二极管可以包括顺序堆叠的导电衬底、第一电极层、绝缘层、第二电极层、第二半导体层、有源层和第一半导体层。在该结构中，为了电连接第二半导体层，在从第二电极层横向延伸的暴露区域上形成电极焊盘。
然而，在具有这种结构的发光二极管的制造期间，电极焊盘可能被氧化等损坏，这可能增加接触电阻和正向电压。因此，发光二极管输出可能减小，这可能降低发光二极管的可靠性和寿命。
发明内容
技术问题
示例性实施例提供了一种可以防止输出的减小和提高产率的发光二极管及其制造方法。
技术方案
根据本发明的示例性实施例，一种发光二极管包括：发光结构，该发光结构包括第二导电型半导体层、设置在第二导电型半导体层上的第一导电型半导体层以及设置在第一和第二导电型半导体层之间的有源层，发光结构具有穿过有源层和第二导电型半导体层形成以暴露第一导电型半导体层的第二孔；设置在发光结构下面并且接触发光结构的一部分的反射金属层；设置在反射金属层下面并且接触反射金属层的至少一部分的覆盖金属层；设置在覆盖金属层下面并且覆盖反射金属层和覆盖金属层的第一绝缘层；设置在第一绝缘层下面的电极层，该电极层覆盖第一绝缘层并且填充第二孔；设置在发光结构上的电极焊盘，其中，发光结构具有形成在覆盖金属层上方的第一孔，电极焊盘可以在覆盖金属层上方形成在发光结构上。
发光结构可以通过第一孔与焊盘安装部分分隔开，覆盖金属层可以设置在发光结构的一部分和焊盘安装部分的一部分区域下面。此外，覆盖金属层可以沿发光结构和焊盘安装部分的外围形成，并且可以形成为覆盖反射金属层的外围。
电极层可以填充第二孔以与第一导电型半导体层形成欧姆接触，反射金属层可以设置在其中不形成有第二孔的第一绝缘层的区域上。
根据本发明的示例性实施例，一种用于制造发光二极管的方法包括：在发光结构上形成台面结构，该发光结构包括第二导电型半导体层、设置在第二导电型半导体层上的第一导电型半导体层、以及设置在第一和第二导电型半导体层之间的有源层；在包括台面结构的发光结构的一部分中形成反射金属层；形成覆盖金属层以覆盖反射金属层的一部分；形成第一绝缘层以覆盖反射金属层和覆盖金属层；形成电极层以覆盖第一绝缘层并填充形成在第一绝缘层和发光结构中的第二孔，第二孔暴露发光结构的第一导电型半导体层；去除发光结构的一部分以在其上未形成台面结构的发光结构的表面上形成第一孔；以及在通过第一孔与发光结构隔开的焊盘安装部分的上表面上形成电极焊盘。
电极焊盘可以形成在覆盖金属层上方，覆盖金属层可以沿发光结构的外围形成。另外，覆盖金属层可以形成为覆盖反射金属层的外围。
此外，电极层可以填充第二孔以与第一导电型半导体层形成欧姆接触，反射金属层可以形成在第一绝缘层的其中不形成有第二孔的区域上。
根据本发明的示例性实施例，一种发光二极管包括：发光结构，该发光结构包括第二导电型半导体层、设置在第二导电型半导体层上的第一导电型半导体层以及设置在第一和第二导电型半导体层之间的有源层，发光结构具有穿过有源层和第二导电型半导体层形成以暴露第一导电型半导体层的第一孔和第二孔；设置在发光结构下面并且覆盖发光结构的一部分的金属层；设置在金属层下面并且覆盖金属层的第一绝缘层；设置在第一绝缘层下面的电极层，该电极层覆盖第一绝缘层并且填充第一和第二孔；以及电连接到金属层的电极焊盘；其中填充第二孔的电极层是线电极，该线电极沿着发光结构的外围沿一个方向设置。
填充第一孔的电极层可以是第一电极，线电极可以具有比第一电极小的宽度。此外，在发光结构的平面图中，金属层可以设置在线电极内部。
线电极可以在不形成电极焊盘的区域中形成在发光结构下方。
发明的有益效果
根据示例性实施例，发光二极管的发光结构通过去除覆盖金属层而具有扩大的发光面积，从而提高发光二极管的发光效率。进一步地，随着反射金属层与覆盖金属层之间的接触面积减小，由接触引起的金属应力减小，从而提高发光二极管的产率。
另外，发光二极管具有沿着其外围形成的线电极，并因此防止了由于其中心区域处的电流拥挤而导致的发光二极管的外围处的发光效率降低，从而能够在整个发光二极管中实现均匀的光发射。
附图说明
图1是根据本发明的示例性实施例的发光二极管的平面图。
图2是沿图1的线A-A'截取的截面图。
图3a、图3b、图3c、图3d、图3e、图3f、图3g、图3h、图3i和图3j是示出了根据本发明的示例性实施例的用于制造发光二极管的方法的截面图。
图4是根据本发明的示例性实施例的发光二极管的平面图。
图5a是根据本发明的示例性实施例的发光二极管的平面图。
图5b是根据本发明的示例性实施例的包括线电极的发光二极管的平面图。
图6是沿图5a的线B-B'截取的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细地描述公开的技术的示例性实施例。
图1是根据本发明的示例性实施例的发光二极管的平面图。图2是沿图1的线A-A'截取的截面图。
参照图1和图2，根据本示例性实施例的发光二极管100包括发光结构110、金属层120和130、第一绝缘层140、电极层150、结合层160、衬底170、电极焊盘180和保护层190。
发光结构110包括第一导电型半导体层111、有源层113和第二导电型半导体层115。第一导电型半导体层111可以设置在第二导电型半导体层115上，并且有源层113可以插在第一导电型半导体层111和第二导电型半导体层115之间。在本示例性实施例中，第一导电型半导体层111可进一步包括形成在其上表面上的粗糙部“R”和形成在该粗糙部“R”下方的下台面。
第一导电型半导体层111和第二导电型半导体层115中的每一者可以包括基于III-V族的化合物半导体，例如基于氮化物的半导体，诸如(Al,Ga,In)N。第一导电型半导体层111可以包括掺杂有n型掺杂剂(诸如Si)的n型半导体层，且第二导电型半导体层115可以包括掺杂有p型掺杂剂(诸如Mg)的p型半导体层。用于第一导电型半导体层111和第二导电型半导体层115中的掺杂剂可以互换。
另外，第一导电型半导体层111和第二导电型半导体层115中的每一个可以具有单层或多层结构。例如，第一导电型半导体层111和/或第二导电型半导体层115可以包括包覆层和接触层，并且还可以包括超晶格层。
有源层113可以包括多量子阱(MQW)结构，并且可以调节构成多量子阱结构及其组成的元件，使得多量子阱结构可以发射具有期望峰值波长的光。例如，有源层113的阱层(未示出)可以是三元半导体层(诸如氮化铟镓(InGaN))，或四元半导体层(诸如氮化铝铟镓(AlInGaN))，其中各组分的组成比可以根据期望峰值波长来调节。
如图1和图2所示，可以通过部分地去除发光结构110来穿过发光结构110形成第一孔H1。在本示例性实施例中，形成两个第一孔H1，使得通过两个孔H1将设置在发光二极管100的角部处的两个焊盘安装部分111a与发光结构110分开。
参照图1中，尽管在本示例性实施例中每个焊盘安装部分111a具有通过第一孔H1形成的矩形形状，但是焊盘安装部分111a的形状可以改变。
焊盘安装部分111a分别设置在发光二极管100的角部处，并且可以与发光结构110齐平，如图1所示。焊盘安装部分111a在形成发光结构110的过程中形成，因此可以包括具有与发光结构110的第一导电型半导体层111相同的组成的半导体层。由于焊盘安装部分111a可以与发光结构110齐平，所以设置在焊盘安装部分111a上的电极焊盘180可以在发光结构110上方突出，这可以降低引线接合时的缺陷率。
粗糙部“R”可以形成在第一导电型半导体层111的上表面上，并且可以包括不规则的凸起和凹陷。包括其上表面上的粗糙部“R”的发光结构110可以在光发射穿过发光结构110的上表面时提高光提取效率。
粗糙部“R”可以通过利用包括氢氧化钾(KOH)和氢氧化钠(NaOH)中的至少一种的溶液的湿式蚀刻或通过光电化学(PEC)蚀刻形成。可选地，粗糙部“R”可以在将生长衬底与第一导电型半导体层111分离的过程中自然形成。例如，当生长衬底通过化学剥离或应力剥离与第一导电型半导体层111分离时，粗糙部“R”可以形成在第一导电型半导体层111的分离表面上，并且可以源自由牺牲层形成的空腔，该牺牲层另外形成用于生长衬底的分离。因此，粗糙部“R”可以通过各种方法形成。
台面可以形成在发光结构110的下侧上。台面可以包括第二导电型半导体层115和有源层113，并且可进一步包括第一导电型半导体层111的一部分。在本示例性实施例中，台面可以具有部分突出的形状，如图1和图2所示。台面可以可选地具有各种形状和尺寸。
此外，在台面中可以形成一个或多个第二孔H2。电极层150填充第二孔H2，使得电极层150可以电连接到第一导电型半导体层111。尽管在图1中多个第二孔H2被图示为以特定间隔规则地布置，但是第二孔H2的位置和布置可以可选地改变。
金属层120和130形成在发光结构110下方，并且包括反射金属层120和覆盖金属层130。金属层120和130可以电连接到第二导电型半导体层115。在本示例性实施例中，金属层120和130直接接触第二导电型半导体层115，如图2所示。
根据本示例性实施例，反射金属层120可以反射从发光结构110发出的光，并且可以用作电连接到第二导电型半导体层115的电极。因此，反射金属层120可以包括具有高反射率的金属，该金属可以与第二导电型半导体层115形成欧姆接触。因此，反射金属层120可以包括Ni、Pt、Pd、Rh、W、Ti、Al、Ag和Au中的至少一种，并且可以具有单层或多层结构。
当反射金属层120具有单层时，反射金属层120可以仅在发光二极管100的一些区域中形成，而不是在整个区域上形成，如图2所示。更具体地，在包括倾斜表面的台面区域中，形成第二绝缘层140a(例如，SiO2)，而不形成反射金属层120，使得反射金属层120可以仅形成在平坦区域中。以这种方式，反射金属层120形成为具有比第二导电型半导体层115小的面积，并且填充第二孔H2的电极层150可以不直接接触反射金属层120。第二绝缘层140a可以包括例如SiO2或SiN。
这里，反射金属层120设置在第二导电型半导体层115的除了形成第二孔H2的区域之外的基本区域上，使得从有源层113发出并且向下方向定向的大部分光可以到达反射金属层120，并通过反射金属层120沿向上方向反射。因此，可以提高发光二极管100的光提取效率。
覆盖金属层130形成为覆盖反射金属层120的一些区域。如图2所示，覆盖金属层130覆盖反射金属层120的包括形成电极焊盘180的区域的一些区域。通常，因为覆盖金属层130可以形成为覆盖整个反射金属层120，所以反射金属层120和覆盖金属层130之间的金属应力发生在反射金属层120上。另一方面，根据本示例性实施例，覆盖金属层130形成为覆盖反射金属层120的一些区域，以减小覆盖金属层130和反射金属层120之间的金属应力，这可以减少由此引起的剥离并提高其反射效率。
覆盖金属层130可以电连接到反射金属层120以电连接到第二导电型半导体层115。以这种方式，覆盖金属层130可以与反射金属层120一起用作电极。覆盖金属层130可以包含Au、Ni、Ti、Cr、Pt、W和TiW中的至少一种，并且可以具有单层或多层结构。
第一绝缘层140设置在发光结构110下方。具体地，第一绝缘层140形成为环绕形成在下台面中的第二孔H2。第一绝缘层140可包含绝缘材料。此外，第一绝缘层140可以包括多个层和分布式布拉格反射器，其中具有不同折射率的材料彼此堆叠。
如此，第一绝缘层140包括分布式布拉格反射器并且因此具有厚的厚度，从而使其形成的阶梯部最小化。
电极层150设置在第一绝缘层140下方。第一电极150a可以从电极层150的一部分延伸，并且通过第二孔H2与第一导电型半导体层111形成欧姆接触。因此，通过电极层150供应的电流可以通过第一电极150a供应到第一导电型半导体层111。
多个第一电极150a可以从电极层150延伸。第一电极150a可以以图案布置在电极层150上方，如图1所示。然而，第一电极150a的布置可以可选地改变。当第一电极150a布置在整个发光二极管100中时，可以提高发光二极管100的电流扩散效率。
结合层160设置在电极层150下方，并将衬底170粘合到电极层150。具体地，衬底170通过结合层160粘合到发光结构110。结合层160可以电连接到电极层150上的第一电极150a，并且可以将衬底170电连接到电极层150。为此，结合层160可以包含Au和Sn，并且还可以包含NiSn或AuIn。
衬底170设置在结合层160下方，并且当向衬底170供应电流时，可以允许通过其将电流供应到电极层150和第一导电型半导体层111。
衬底170还可以用作支撑衬底，并且可以是导电衬底、电路板或图案化绝缘衬底。根据本发明的示例性实施例，衬底170可以包含金属，并且可以具有包括钼(Mo)层和铜(Cu)层的堆叠结构。衬底170可以包含Ti、Cr、Ni、Al、Cu、Ag、Au、Pt等。
根据本示例性实施例的发光二极管100包括电极焊盘180，每个电极焊盘均设置在焊盘安装部分111a上。电极焊盘180中的每一个可以设置在其上形成有粗糙部“R”的焊盘安装部分111a上，并且电连接到第一导电型半导体层111。
此外，电极焊盘180可以包括多个电极焊盘层，多个电极焊盘层包括上电极焊盘层(未示出)和下电极焊盘层(未示出)。下电极焊盘层形成在其上形成有粗糙部“R”的第一导电型半导体层111上，并且上电极焊盘层可以形成在下电极焊盘层上。
在这样的竖直型结构的情况下，根据本示例性实施例的发光二极管100可进一步包括保护层190，如图2所示。保护层190可以覆盖第一导电型半导体层111的上表面和第一导电型半导体层111的侧表面，以保护发光结构110免受外部环境的影响。保护层190可进一步覆盖第一导电型半导体层111的上表面上的粗糙部“R”，以形成与粗糙部“R”中的倾斜相比平滑的倾斜，这可以提高光提取效率。保护层190可以包含绝缘材料，例如SiO2。
图3a、图3b、图3c、图3d、图3e、图3f、图3g、图3h、图3i和图3j示出了根据本发明的示例性实施例的用于制造发光二极管的方法的截面图。
参照图3a，形成包括第一导电型半导体层111、有源层113和第二导电型半导体层115的发光结构110。
在生长衬底10上生长发光结构110。对于生长衬底10，可以使用可允许在其上生长发光结构110的任何衬底。例如，生长衬底10可以是蓝宝石衬底、碳化硅衬底、硅衬底、氮化镓衬底、氮化铝衬底等。
可以通过例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)或氢化物气相外延(HVPE)在生长衬底10上生长第一导电型半导体层111、有源层113和第二导电型半导体层115。
参照图3b，利用形成在生长衬底10上的发光结构110，通过部分地蚀刻发光结构110的上表面来形成下台面结构。在该工艺中，可以通过蚀刻部分地暴露第一导电型半导体层111。
参照图3c，其上形成有下台面结构的在发光结构110的上表面上沉积反射金属层120。反射金属层120形成在发光结构110的平坦区域上，而不是形成在发光结构110的整个上表面上方。由于反射金属层120通过沉积等形成在第二导电型半导体层115上，以便通过剥离工艺仅设置在预定部分上，所以反射金属层120形成在整个平坦区域上，除了倾斜表面之外。以这种方式，尽管反射金属层120可以以比第二导电型半导体层115的暴露区域更小的尺寸形成，但是反射金属层120可以覆盖大部分第二导电型半导体层115。在其上没有形成反射金属层120的第二导电型半导体层115的区域上进一步沉积第二绝缘层140a。
参照图3d，在其上形成有反射金属层120的发光结构110的的上表面上沉积覆盖金属层130。覆盖金属层130形成为覆盖反射金属层120的一部分。
参照图3e，第一绝缘层140形成为覆盖覆盖金属层130的上表面和反射金属层120的除了反射金属层120的其上形成覆盖金属层130的区域之外的全部。此外，在通过蚀刻去除发光结构110的位置处形成第二孔H2。以这种方式，第一导电型半导体层111的部分可以通过第二孔H2暴露。
参照图3f，在第一绝缘层140上形成电极层150。电极层150填充形成在第一绝缘层140中的第二孔H2，以通过第二孔H2的底部接触第一导电型半导体层111的暴露区域。
参照图3g，可以在电极层150上形成结合层160，并且可以在结合层160上形成衬底170。可以在形成衬底170时去除生长衬底10。结合层160可以形成为与电极层150具有欧姆接触。结合层160通过调节压力和温度将电极层150粘合到衬底170，其中结合层160插在电极层150和衬底170之间。
参照图3h至图3j，与图3a至图3g中所示的配置相比，发光二极管100被倒置。因此，为了便于描述，将参照图3h至图3j中所示的结构来描述发光二极管100的上侧和下侧。
参照图3h，在去除生长衬底10的过程中，可以在第一导电型半导体层111的表面上形成粗糙部“R”。在去除生长衬底10时，还可以部分地去除发光结构110的侧表面。
参照图3i，在从发光结构110去除生长衬底10的情况下，通过穿透发光结构110在粘合有衬底170的发光结构110的后侧上形成第一孔H1。第一孔H1被设置为将发光结构110与焊盘安装部分111a分开。可以通过干法蚀刻等去除第一导电型半导体层111、有源层113和第二导电型半导体层115来形成第一孔H1。在焊盘安装部分111a(其为与发光结构110的分开部分)中，其中可以仅包括第一导电型半导体层111，如图3i所示。
在形成第一孔H1之后，可以在第一导电型半导体层111上另外形成保护层190。保护层190可以形成在包括第一导电型半导体层111的上表面和侧表面以及第一孔H1的整个区域上。以这种方式，保护层190可以保护发光结构110免受外部环境的影响，并且形成在第一导电型半导体层111的上表面上的粗糙部“R”可以具有平缓的斜度，这可以提高光提取效率。
参照图3j，在发光结构110通过第一孔H1与焊盘安装部分111a分开的情况下，在焊盘安装部分111a的上表面上形成电极焊盘180。电极焊盘180可以通过沉积或任何剥离技术形成。电极焊盘180可以接触焊盘安装部分111a，在焊盘安装部分111a上保护层190的一部分被去除。
图4是根据本发明的示例性实施例的发光二极管的平面图。
根据本发明的示例性实施例的发光二极管100包括发光结构110、金属层120和130、第一绝缘层140、电极层150、结合层160、衬底170和电极焊盘180，并且可进一步包括保护层190。根据本示例性实施例的发光二极管100的构成元件和配置可以基本上类似于参照图1至图3所示的发光二极管的构成元件和配置，因此将省去基本上相似元件的重复描述。
参照图4，在本示例性实施例中，覆盖金属层130沿着发光结构110的外围形成并环绕电极焊盘180。由于覆盖金属层130覆盖反射金属层(未示出)的外围，所以反射金属层未暴露。因此，可以防止异物侵入反射金属层而造成对反射金属层(未示出)的损坏，这种侵入可能在暴露反射金属层时发生。
图5a是根据本发明的示例性实施例的发光二极管的平面图，并且图5b是根据本发明的示例性实施例的包括线电极的发光二极管的平面图。图6是沿图5a的线B-B'截取的截面图。
根据本示例性实施例的发光二极管100包括发光结构110、金属层120和130、第一绝缘层140、第二绝缘层140a、电极层150、结合层160、衬底170、电极焊盘180和保护层190。发光二极管100的构成元件和配置可以基本上类似于参照图1至图3所示的发光二极管的构成元件和配置，因此将省去基本上相似元件的重复描述。
参照图5a和图5b，根据本示例性实施例的发光二极管100包括可以规则地或不规则地布置多个孔H2。发光二极管100包括分别设置在其角部处的两个电极焊盘180。反射金属层120和覆盖金属层130形成为覆盖发光二极管100的除了一些区域之外的基本区域。
在本示例性实施例中，线电极150b可以沿着发光二极管100的外围形成。线电极150b形成为环绕发光二极管100的整个外围，除了形成有电极焊盘180的一些区域之外。更具体地，在图5B的平面图中，在两个电极焊盘180设置在发光二极管100的上角部的情况下，线电极150b可以沿着发光二极管100的外围部分形成在两个电极焊盘180之间，并且沿着发光二极管100的其它外围部分形成。
此外，如图5a所示，覆盖金属层130可以形成在发光二极管100的基本区域上，除了形成有电极焊盘180的一些区域之外。在未形成电极焊盘180的区域中，覆盖金属层130可以设置在反射金属层120内侧。具体地，由于反射金属层120形成为在发光二极管100的整个区域上具有比覆盖金属层130更大的面积，所以反射金属层120可以提高发光二极管100的反射效率，由此提高发光二极管100的发光效率。在本示例性实施例中，覆盖金属层130可以延伸到电极焊盘180的下侧，以便在电极焊盘180和第二导电型半导体层115之间提供电连接。
此外，线电极150b可以形成在比反射金属层120和覆盖金属层130更靠外的发光二极管100的区域上。以这种方式，可以保护发光二极管100的侧表面，因为第一绝缘层140形成在线电极150b的外侧。
将参照图6更详细地描述根据本示例性实施例的发光二极管100。参照图6，结合层160形成在衬底170上，并且电极层150经由结合层160粘合至衬底170。第一绝缘层140形成在电极层150上。包括覆盖金属层130和反射金属层120的金属层120和130顺序地堆叠在第一绝缘层140上。第二绝缘层140a形成在反射金属层120的侧表面上。第二绝缘层140a可以形成为具有比反射金属层120和覆盖金属层130的总厚度更大的厚度，如将在下面更详细地描述。
发光结构110设置在第二绝缘层140a和反射金属层120上。发光结构110包括台面，并且第二孔H2和第三孔H3形成在多个台面之间。第二孔H2和第三孔H3穿过第一绝缘层140形成，以暴露穿过其的第一导电型半导体层111。进一步地，电极层150填充第二孔H2和第三孔H3，用于电极层150和第一导电型半导体层111之间的电连接。第二孔H2和第三孔H3的侧表面被第一绝缘层140覆盖，使得填充第二孔H2和第三孔H3的电极层150与其他层电绝缘。
如图1所示，第二孔H2具有圆形形状，并且第三孔H3具有在平面图中沿一个方向延伸的线形状。因此，填充第二孔H2的电极层150具有与填充第三孔H3的电极层150不同的结构。如本文所使用的，填充第二孔H2的电极层150被称为第一电极150a，并且填充第三孔H的电极层150被称为线电极150b。
如图1所示，多个第一电极150a可以分布在发光二极管100的整个表面上并且具有规则或不规则的布置。
在本示例性实施例中，线电极150b可以具有沿着发光二极管100的外围具有方向性的线形状，除了其上设置有电极焊盘180的发光二极管100的角部之外。线电极150b可以可选地具有弯曲形状，而不是沿着一个方向延伸的线形状，并且可以形成在设置有电极焊盘180的区域中。
如上所述，当线电极150b沿着发光二极管100的外围形成时，可以防止由于在平面图中的发光二极管100的中心处的电流拥挤而导致的发光二极管100的外围处的发光效率的降低。具体地，沿着发光二极管100的外围形成的线电极150b可以提高发光二极管100的外围处的发光效率。因此，发光二极管100可以具有均匀的发光，从而提高发光效率。
此外，在本发明的示例性实施例中，线电极150b可以以对应于发光二极管100的角部的形状连续地形成在未形成电极焊盘180的发光二极管100的角部处，从而提高发光二极管100的远端处的发光效率。
另外，金属层120和130可以不形成在线电极150b外侧。在图6中，线电极150b的外侧是线电极150b的左侧，并且仅第一绝缘层140形成在线电极150b外侧。
参照图6，填充第二孔H2的第一电极150a的宽度d1不同于填充第三孔H3的线电极150b的宽度d2。更具体地，线电极150b的宽度d2小于第一电极150a的宽度d1。线电极150b沿着发光二极管100的外围形成，并且布置为与第一电极150a的布置隔开。因此，当线电极150b的宽度d2小于第一电极150a的宽度d1时，线电极150b中的电流扩散可以比第一电极150a中的电流扩散更平缓地进行。
此外，第一电极150a和第一导电型半导体层111之间的接触宽度d3不同于线电极150b和第一导电型半导体层111之间的接触宽度d4。更具体地，线电极150b和第一导电型半导体层111之间的接触宽度d4小于第一电极150a和第一导电型半导体层111之间的接触宽度d3。
如示例性实施例中，第一绝缘层140形成在电极层150的除了形成有第二孔H2和第三孔H3的一些区域之外的整个区域上。第二绝缘层140a形成在反射金属层120的相对侧处。在本示例性实施例中，第二绝缘层140a的厚度d6大于反射金属层120的厚度d5，且大于厚度d5和d8的总和，其中d5是反射金属层120的厚度，d8是覆盖反射金属层120的覆盖金属层130的厚度d8。例如，反射金属层120具有约的厚度d5，覆盖金属层130具有约的厚度d8。形成在反射金属层120的相对侧处的第二绝缘层140a具有约的厚度d6。
根据本示例性实施例，电极焊盘180设置在发光二极管100的角部处。进一步地，电极焊盘180在通过蚀刻发光结构110的部分去除发光结构110之后形成，在蚀刻发光结构110的部分上将设置电极焊盘180。在设置有电极焊盘180的发光结构的垂直结构中，第一绝缘层140形成在电极层150上，覆盖金属层130形成在第一绝缘层140上。进一步地，第二绝缘层140a形成在覆盖金属层130上。
覆盖金属层130从发光结构110的下侧延伸且具有均匀的厚度d8。此外，形成在覆盖金属层130上的第二绝缘层140a从形成在发光结构110下方的第二绝缘层140a延伸，且在发光结构110下方具有比其厚度d6小的厚度d7。以这种方式，形成在发光结构110下方的第二绝缘层140a具有约的厚度d6，而形成在电极焊盘180下方的第二绝缘层140a具有约的厚度d7。
当设置在发光结构110下方的第二绝缘层140a的厚度d6大于设置在电极焊盘180下方的第二绝缘层的厚度d7时，可以保证第二导电型半导体层和电极层150之间的充分的电绝缘。由于高电流和高电压可以应用到发光二极管100，故发光结构110和电极层150之间的电绝缘可能是重要因素。
此外，由于发光结构110未形成在形成有电极焊盘180的一些区域中，故不利用大厚度的第二绝缘层140a，不像发光结构110下方的第二绝缘层。尽管第二绝缘层140a的厚度的增加可以改善绝缘功能，但由于发光结构110在发光区域中的厚度相对减小，发光二极管100的发光效率可能降低。
此外，反射区域通过从发光结构110的下侧延伸到形成有电极焊盘180的位置的覆盖金属层130而扩大，从而提高发光二极管100的发光效率。
此外，由于电极焊盘180形成在从其去除发光结构110的区域中，故第二绝缘层140a部分地去除以允许电极焊盘180形成，同时接触覆盖金属层130，如图2所示。
此外，保护层190形成为覆盖发光结构110，且可以形成在发光二极管100的除了电极焊盘180之外的整个区域上。
尽管结合附图公开了一些示例性实施例，应该理解的是，提供这些实施例和附图仅用于描述并且不将被解释为限制公开的技术。公开的技术的范围应该根据权利要求书来理解，权利要求书覆盖来源于权利要求书的所有修改和变化及其等同布置。
附图标记列表
100：发光二极管
110：发光结构
111：第一导电型半导体层
111a：焊盘安装部分
113：有源层
115：第二导电型半导体层
120：反射金属层
130：覆盖金属层 140：第一绝缘层
140a：第二绝缘层 150：电极层
150a：第一电极 150b：线电极
160：结合层 170：衬底
180：电极焊盘 190：保护层
H1：第一孔 H2：第二孔
H3：第三孔 R：粗糙部
Claims (4)
1.一种发光二极管，其包括：
发光结构，其包括：第二导电型半导体层；第一导电型半导体层，其设置在所述第二导电型半导体层上；和有源层，其设置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间，所述发光结构具有穿过所述有源层和所述第二导电型半导体层形成以暴露所述第一导电型半导体层的第一孔和第二孔；
反射金属层，其设置在所述发光结构下面并且覆盖所述发光结构的一部分；
覆盖金属层，其设置在所述反射金属层下面并且接触所述反射金属层的至少一部分；
第一绝缘层，其设置在所述覆盖金属层下面并覆盖所述反射金属层和所述覆盖金属层；
电极层，其设置在所述第一绝缘层下面，所述电极层覆盖所述第一绝缘层同时填充所述第一孔和所述第二孔；以及
电极焊盘，其电连接到所述覆盖金属层，
其中，填充所述第二孔的所述电极层是线电极，所述线电极沿着所述发光结构的外围形成以在所述发光结构的平面图中具有沿一个方向设置的方向性，所述平面图所示出的平面与第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层堆叠所沿的方向垂直。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中：
填充所述第一孔的所述电极层是第一电极；且
所述线电极具有比所述第一电极小的宽度。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，在所述发光结构的平面图中所述反射金属层和所述覆盖金属层设置在所述线电极内侧。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述线电极在未形成有所述电极焊盘的区域中形成在所述发光结构下面。
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| US20210375980A1 (en) * | 2020-05-28 | 2021-12-02 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device and display apparatus having the same |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101595570A (zh) * | 2006-10-18 | 2009-12-02 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于半导体发光装置的电接触件 |
| CN102217102A (zh) * | 2008-11-14 | 2011-10-12 | 三星Led株式会社 | 半导体发光器件 |
| CN102217105A (zh) * | 2008-10-22 | 2011-10-12 | 三星Led株式会社 | 半导体发光器件 |
| US20120032139A1 (en) * | 2010-08-04 | 2012-02-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
| CN102447031A (zh) * | 2010-10-12 | 2012-05-09 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件及其发光器件封装 |
| CN103094274A (zh) * | 2011-11-01 | 2013-05-08 | 三星电子株式会社 | 半导体发光装置 |
| CN103346218A (zh) * | 2013-07-09 | 2013-10-09 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种led芯片及其制作方法 |
| CN103765616A (zh) * | 2011-08-31 | 2014-04-30 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发光二极管芯片 |
Family Cites Families (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4223336A (en) * | 1978-03-14 | 1980-09-16 | Microwave Semiconductor Corp. | Low resistivity ohmic contacts for compound semiconductor devices |
| US8212276B2 (en) * | 2005-09-15 | 2012-07-03 | Epiplus Co., Ltd. | Arrangement of electrodes for light emitting device |
| EP1843194A1 (en) * | 2006-04-06 | 2007-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance |
| TWI514347B (zh) * | 2006-09-29 | 2015-12-21 | Semiconductor Energy Lab | 顯示裝置和電子裝置 |
| KR100936810B1 (ko) * | 2007-05-23 | 2010-01-14 | 삼성전자주식회사 | 멀티 비트 전기 기계적 메모리 소자 및 그의 제조방법 |
| JP5123573B2 (ja) * | 2007-06-13 | 2013-01-23 | ローム株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| KR100882978B1 (ko) * | 2007-08-30 | 2009-02-12 | 주식회사 동부하이텍 | 엘씨디 구동 칩 및 그 제조방법 |
| KR100932333B1 (ko) * | 2007-11-29 | 2009-12-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 하드 마스크 패턴 및 그 형성 방법 |
| JP5123269B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-01-23 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | 発光素子及びその製造方法 |
| KR101106151B1 (ko) * | 2009-12-31 | 2012-01-20 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 |
| WO2011083923A2 (en) * | 2010-01-07 | 2011-07-14 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode having electrode pads |
| JP5725927B2 (ja) * | 2010-05-18 | 2015-05-27 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 高効率発光ダイオード及びその製造方法 |
| JP5633477B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2014-12-03 | 豊田合成株式会社 | 発光素子 |
| KR20120026879A (ko) * | 2010-09-10 | 2012-03-20 | 콘티넨탈 오토모티브 시스템 주식회사 | 차량의 긴급 제동 경보 장치 및 방법 |
| US8558960B2 (en) * | 2010-09-13 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| KR101769048B1 (ko) | 2010-12-22 | 2017-08-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 이를 포함하는 발광소자 패키지 및 조명 장치 |
| DE102011011140A1 (de) * | 2011-02-14 | 2012-08-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips |
| TWI488331B (zh) * | 2011-03-23 | 2015-06-11 | Epistar Corp | 發光二極體陣列 |
| JP5830166B2 (ja) * | 2011-05-25 | 2015-12-09 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス半導体チップ |
| JP5956604B2 (ja) * | 2011-12-14 | 2016-07-27 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 発光ダイオード |
| DE102011056888A1 (de) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung |
| JP5953155B2 (ja) | 2012-02-24 | 2016-07-20 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
| KR20130104612A (ko) * | 2012-03-14 | 2013-09-25 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
| WO2013187723A1 (ko) * | 2012-06-14 | 2013-12-19 | An Sang Jeong | 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법 |
| KR101956084B1 (ko) * | 2012-08-07 | 2019-03-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| KR101978968B1 (ko) * | 2012-08-14 | 2019-05-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 발광장치 |
| US8946762B2 (en) * | 2012-08-20 | 2015-02-03 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Light emitting diode and light emitting diode package |
| KR101565122B1 (ko) | 2012-11-05 | 2015-11-02 | 일진엘이디(주) | 열전도성 기판을 갖는 단일칩 반도체 발광소자 |
| KR101769072B1 (ko) | 2012-12-11 | 2017-08-18 | 서울바이오시스 주식회사 | 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
| KR20140078977A (ko) * | 2012-12-18 | 2014-06-26 | 서울바이오시스 주식회사 | 고효율 발광 다이오드 |
| JP6024506B2 (ja) * | 2013-02-18 | 2016-11-16 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ 族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| KR101504331B1 (ko) * | 2013-03-04 | 2015-03-19 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 |
| JP2015173177A (ja) * | 2014-03-11 | 2015-10-01 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
| JP6299336B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2018-03-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及びそれを用いた発光装置 |
| KR102187487B1 (ko) * | 2014-04-03 | 2020-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 구비한 조명 장치 |
| TWI625868B (zh) * | 2014-07-03 | 2018-06-01 | 晶元光電股份有限公司 | 光電元件及其製造方法 |
| DE102014112562A1 (de) * | 2014-09-01 | 2016-03-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
| DE102014116512A1 (de) * | 2014-11-12 | 2016-05-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Vorrichtung mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement |
| US9412907B1 (en) * | 2015-04-17 | 2016-08-09 | Cree, Inc. | Graded vias for LED chip P- and N- contacts |
-
2015
- 2015-04-17 KR KR1020150054554A patent/KR20160037060A/ko unknown
- 2015-09-24 CN CN201910695443.XA patent/CN110379900B/zh active Active
- 2015-09-24 CN CN201580044488.0A patent/CN106575687B/zh active Active
- 2015-09-24 DE DE112015004410.8T patent/DE112015004410T5/de active Pending
-
2016
- 2016-05-03 US US15/145,528 patent/US11264540B2/en active Active
-
2022
- 2022-02-28 US US17/682,611 patent/US20220181520A1/en active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101595570A (zh) * | 2006-10-18 | 2009-12-02 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于半导体发光装置的电接触件 |
| CN102217105A (zh) * | 2008-10-22 | 2011-10-12 | 三星Led株式会社 | 半导体发光器件 |
| CN102217102A (zh) * | 2008-11-14 | 2011-10-12 | 三星Led株式会社 | 半导体发光器件 |
| US20120032139A1 (en) * | 2010-08-04 | 2012-02-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
| CN102447031A (zh) * | 2010-10-12 | 2012-05-09 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件及其发光器件封装 |
| CN103765616A (zh) * | 2011-08-31 | 2014-04-30 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发光二极管芯片 |
| CN103094274A (zh) * | 2011-11-01 | 2013-05-08 | 三星电子株式会社 | 半导体发光装置 |
| CN103346218A (zh) * | 2013-07-09 | 2013-10-09 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种led芯片及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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