CN110295350A - 真空处理装置及托盘 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种可抑制反应气体的泄漏的真空处理装置及托盘。本发明的真空处理装置包括：腔室(20)，可将内部设为真空；旋转平台(31)，设置于腔室(20)内，以将旋转平台(31)的旋转轴心设为中心的圆周的轨迹而循环搬送工件(W)；多个托盘(1)，搭载于旋转平台(31)，并载置工件(W)；以及处理部，将反应气体(G)导入至通过旋转平台(31)而搬送的工件(W)的周围，并利用等离子体进行规定处理；并且处理部具有:在和托盘(1)的与处理部相向的面之间，空开能够供载置于托盘(1)的工件(W)经过的间隔，并沿着旋转平台(31)的径方向配置的屏蔽构件(8)、屏蔽构件(58)，多个托盘(1)的相向于处理部的面具有沿圆周的轨迹连续且成为同一平面的部分。

Description

真空处理装置及托盘

技术领域

本发明涉及一种真空处理装置及托盘。

背景技术

在半导体装置或液晶显示器(display)或者光盘(disk)等各种制品的制造步骤中，有在例如晶片(wafer)或玻璃基板等工件(work)上制作光学膜等薄膜的情况。薄膜可通过对工件形成金属等的膜的成膜、或对所形成的膜而进行蚀刻(etching)、氧化或氮化等膜处理等而制作。

成膜或膜处理可利用各种方法来进行，作为其一，有使用等离子体(plasma)的方法。在成膜中，将作为反应气体的惰性气体导入至配置有靶材(target)的腔室(chamber)内，并对靶材施加直流电压。使经等离子体化的惰性气体的离子(ion)碰撞靶材，使自靶材撞出的材料堆积于工件而进行成膜。在膜处理中，将作为反应气体的处理气体(processgas)导入至配置有电极的腔室内，并对电极施加高频电压。使经等离子体化的处理气体的离子、自由基等活性种碰撞工件上的膜，由此进行膜处理。

存在一种真空处理装置，其在一个腔室的内部设置旋转平台(table)，在旋转平台上方的圆周方向上配置有多个处理部，以便可连续地进行此种成膜与膜处理(例如，参照专利文献1)。所述处理部是配置有多个成膜用的单元(unit)与膜处理用的单元者。如上所述般将工件保持于旋转平台上并加以搬送，使其在成膜单元与膜处理单元的正下方经过，由此形成光学膜等。

在如上所述般的真空处理装置中，在腔室内的与成膜单元相对应的位置，通过屏蔽(shield)构件而形成成膜室。另外，在膜处理单元中，设置筒状的构成构件即筒部，自筒部的内部至下方形成导入处理气体的气体空间。而且，将介电体(dielectric)的窗构件介隔O型环(O ring)等密封构件，而搭载于形成于筒部的开口的凸缘，由此将气体空间密封。窗构件中所使用的介电体可使用石英等相对较硬且脆的材质。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利第4428873号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

在如上所述般的真空处理装置中，为了容许工件的经过，成膜单元的屏蔽构件的缘部空开间隙且接近于工件。但是，在成膜单元中，为了极力减少来自屏蔽构件的成膜材料或惰性气体的泄漏，优选为尽可能减小屏蔽构件与工件的间隔。另外，在膜处理单元的筒部的缘部，为了容许工件的经过，也在与工件之间空开间隙。在膜处理单元中，为了极力减少来自筒部的处理气体的泄漏，也优选为尽可能减小筒部与工件的间隔。因此，设定为在屏蔽构件的缘部与工件之间、筒部与工件之间分别形成例如几毫米的间隙。

然而，在旋转平台的表面与工件中的要成膜的面之间产生高低差。如此，即便减少工件与屏蔽构件或筒部的间隙，不存在工件的部位中的旋转平台的表面与屏蔽构件或筒部的间隙也扩大。因此，在不存在工件的部位，产生反应气体的泄漏或迂回。例如，当在成膜单元中使用氩气作为反应气体、在膜处理单元中使用氧气作为反应气体时，产生一者混入另一者的污染(contamination)会阻碍两者的反应而欠佳。

本发明的目的在于提供一种可抑制来自处理部的反应气体的泄漏的真空处理装置及托盘。

[解决问题的技术手段]

为了达成所述目的，本发明的真空处理装置包括：腔室，能够将内部设为真空；旋转平台，设置于所述腔室内，以将所述旋转平台的旋转轴心设为中心的圆周的轨迹而循环搬送工件；多个托盘，搭载于所述旋转平台，并载置所述工件；以及处理部，将所导入的反应气体等离子体化而对通过所述旋转平台而搬送的所述工件进行规定处理；所述处理部具有屏蔽构件，所述屏蔽构件在和所述托盘的与所述处理部相向的面之间，空开能够供载置于所述托盘的所述工件经过的间隔，所述屏蔽构件沿着所述旋转平台的径方向配置，多个所述托盘的相向于所述处理部的面具有沿所述圆周的所述轨迹连续且成为同一平面的部分。

所述工件可在相向于所述处理部的面具有凸部，所述屏蔽构件可具有沿所述工件的所述凸部的凹部。所述托盘可在相向于所述处理部的面具有沿所述屏蔽构件的所述凹部的凸部。可在所述屏蔽构件上设置对要成膜的膜的膜厚分布进行调整的调整部。所述旋转平台可具有对所述托盘的位置进行限制的限制部。所述托盘可具有供所述工件嵌入的嵌入部。

所述处理部可包括通过溅射来使成膜材料堆积于所述工件而形成膜的成膜部。所述处理部可包括膜处理部，所述膜处理部进行使形成于所述工件的膜与反应气体反应的膜处理。

另一实施方式的真空处理装置包括：腔室，能够将内部设为真空；旋转平台，设置于所述腔室内，以圆周的轨迹而循环搬送工件；以及处理部，将所导入的反应气体等离子体化而对通过所述旋转平台而搬送的所述工件进行规定处理；并且所述工件在相向于所述处理部的面具有凸部，所述处理部具有屏蔽构件，所述屏蔽构件与通过所述旋转平台而搬送的所述工件空开间隔且相向，并具有沿所述工件的所述凸部的凹部，在所述旋转平台的表面设置有沿所述屏蔽构件的凹部的凸部，所述旋转平台的所述凸部的表面具有沿所述圆周的所述轨迹连续且成为同一平面的部分。

所述旋转平台可具有搭载部，所述搭载部通过搭载供所述工件载置的托盘，而所述旋转平台的表面与所述托盘的表面产生沿所述圆周的所述轨迹连续且成为同一平面的部分。

又一实施方式的托盘，用于真空处理装置，并供工件载置，所述真空处理装置包括腔室，可将内部设为真空；旋转平台，设置于所述腔室内，以将所述旋转平台的旋转轴心设为中心的圆周的轨迹而循环搬送所述工件；以及处理部，将所导入的反应气体等离子体化而对通过所述旋转平台而搬送的所述工件进行规定处理；所述处理部具有屏蔽构件，所述屏蔽构件在和所述托盘的与所述处理部相向的面之间，空开能够供载置于所述托盘的所述工件经过的间隔，所述屏蔽构件沿着所述旋转平台的径方向配置，并且通过在所述旋转平台上搭载多个所述托盘，多个所述托盘的相向于所述处理部的面具有沿所述圆周的所述轨迹连续且成为同一平面的部分。

[发明的效果]

根据本发明，可抑制来自处理部的反应气体的泄漏。

附图说明

图1是实施方式的真空处理装置的透视立体图。

图2是实施方式的真空处理装置的透视平面图。

图3是图2的A-A线剖面图。

图4(A)是工件的侧面图、图4(B)是工件的平面图、图4(C)是工件的立体图。

图5(A)是托盘的侧面图、图5(B)是托盘的平面图、图5(C)是托盘的立体图。

图6是表示未载置托盘的旋转平台的平面图。

图7是表示载置有托盘的旋转平台的平面图。

图8是表示成膜部的屏蔽构件的立体图。

图9是表示屏蔽构件与工件的间隔的部分放大剖面图。

图10是图2的B-B线剖面图。

图11是处理单元的分解立体图。

图12是表示屏蔽构件与工件的间隔的部分放大剖面图。

图13是表示托盘的搬入/搬出的实施方式的说明图。

图14(A)是表示托盘的另一实施方式的剖面图、图14(B)是表示托盘的另一实施方式的剖面图。

图15是表示调整部的立体图。

图16是表示拆装构件的立体图。

图17是表示具有嵌入部的托盘的立体图。

图18是表示嵌入部的一实施方式的立体图。

图19是表示嵌入部及间隔件的一实施方式的立体图。

图20是表示托盘及载置有托盘的旋转平台的变形例的平面图。

图21(A)是表示工件的变形例的侧面图、图21(B)是表示工件的变形例平面图的、图21(C)是表示工件的变形例的立体图。

图22(A)是表示旋转平台的变形例的部分立体图、图22(B)是表示旋转平台的变形例的部分立体图。

图23是表示旋转平台的变形例的底视图。

图24是真空处理装置的变形例且为与图23的C-C线相对应的剖面图。

图25是表示变形例的托盘的立体图。

图26(A)是表示变形例的工件相对于托盘的装配过程的部分剖面的说明图、图26(B)是表示变形例的托盘相对于旋转平台的装配过程的部分剖面的说明图、图26(C)是表示变形例的托盘相对于旋转平台的装配后的部分剖面的说明图。

图27是表示变形例的托盘的分解立体图。

图28是表示变形例的托盘的分解立体图。

图29(A)是表示变形例的托盘的立体图(A)、图29(B)是表示与图29(A)的D-D线相对应的剖面图(B)。

符号说明

100：真空处理装置

1：托盘

11：相向面

11a：凸部

11b：嵌入部

11c：间隔件

11d：滑动底座

11e：槽

11f：凸部

11g：粘着材

11h：固定块

12：斜面

13：内周面

14：外周面

14a：限制面

15：突出部

16：开口

16a：插入部

16b：保持部

17：螺杆

18：安装孔

19a：螺孔

20：腔室

20a：顶板

20b：内底面

20c：内周面

21：真空室

21a：开口

21b：密封构件

22：排气口

23：排气部

24：导入口

25：气体供给部

30：搬送部

31：旋转平台

31a：开口

31b：凸轮孔

31c：凸部

31d：嵌入部

31e：载置面

32：马达

33：搭载部

33a：垫板

33b：限制部

35：升降器

36：定位销

40、40A、40B、40C：成膜部

4：溅射源

41、41A、41B、41C：靶材

42：背板

43：电极

5：处理单元

50、50A、50B：膜处理部

51：筒状体

51a：开口

51b：外凸缘

510：支撑部

512：供给口

52：窗构件

53：供给部

53b、53c：配管

55：天线

55a：射频(RF)电源

55b：匹配器

56：冷却部

561、562：片材

57：分散部

57a：分散板

58：屏蔽构件

58a：调节孔

58b：支撑构件

58c：凹部

581：基体

582：遮蔽板

583：冷却部

6：电源部

60：负载锁部

70：控制装置

8：屏蔽构件

80、80a：凹部

81：开口

82：顶板部

82a：靶材孔

83：侧面部

83a：外周壁

83b：内周壁

83c、83d：分隔壁

85：调整部

86：拆装构件

AM：机械壁

D1、D2、d：间隔

E：排气

T：搬送路径

L：定位部

M1、M3：膜处理部位

M2、M4、M5：成膜部位

Na：减轻孔

Nb：卡止部

G：反应气体

G1：溅射气体

G2：处理气体

F：成膜区域

H：筒部

Ho：开口

h：相向部

R：气体空间

S：成膜室

W：工件

X1：相向部

X2：支撑部

Sp：处理对象面

Cp：凸部

Rp：凹部

具体实施方式

参照附图对本发明的实施方式(以下，称为本实施方式)进行具体说明。

[概要]

图1所示的真空处理装置100是使用等离子体并利用处理部对工件W进行规定处理的装置。在本实施方式中，利用处理部的规定处理是在各个工件W的表面形成化合物膜的处理。如图1～图3所示，真空处理装置100在腔室20内具有旋转平台31、作为处理部的成膜部40A、成膜部40B及成膜部40C、膜处理部50A、膜处理部50B。此外，图1是真空处理装置100的透视立体图，图2是透视平面图，图3是图2的A-A线剖面图。

若旋转平台31旋转，则载置于旋转平台31的托盘1(参照图5(A)、图5(B)、图5(C))上的工件W以将旋转平台31的旋转轴心(旋转中心)设为中心的圆周的轨迹移动。通过所述移动，工件W反复经过与成膜部40A、成膜部40B或成膜部40C相向的位置。成膜部40A、成膜部40B及成膜部40C在每次所述经过时，通过溅射而使靶材41A、靶材41B、靶材41C的粒子附着于工件W的表面。另外，工件W反复经过与膜处理部50A或膜处理部50B相向的位置。每次所述经过时，通过成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C而附着于工件W的表面的粒子与所导入的处理气体G2中的物质进行化合而成为化合物膜。

[工件]

如图4(A)的侧面图、图4(B)的平面图、图4(C)的立体图所示，工件W是在相向于处理部的面即成为处理对象的面(以下，设为处理对象面Sp)具有凸部Cp，且在与凸部Cp相反的一侧的面具有凹部Rp的板状的构件。所谓凸部Cp，是指在处理对象面Sp上，曲率中心位于与处理对象面Sp相反的一侧的弯曲部分，或在处理对象面Sp包含多个角度不同的平面时，将不同的平面彼此连结的部分(参照图21(A)、图21(B)、图21(C))。所谓凹部Rp，是指凸部Cp的相反侧的部分。在本实施方式中，工件W是长方形状的基板，且通过形成于一短边侧的弯曲部分而在处理对象面Sp形成有凸部Cp。即，通过弯曲而伸长的侧是凸部Cp，通过弯曲而伸缩的侧是凹部Rp。另外，工件W的自凸部Cp至另一短边为止的处理对象面Sp为平坦面。

[托盘]

如图5(A)的侧面图、图5(B)的平面图、图5(C)的立体图所示，托盘1是载置工件W的构件。在托盘1中，将相向于处理部的面称为相向面11。在本实施方式中，托盘1是大致扇形形状的板状体，且具有沿V字的一对侧面即斜面12。一对斜面12所接近的侧的端部被沿直线的内周面13连结。在托盘1的一对斜面12相远离的侧的端部连续有沿将正交的边组合而成的凸形状的外周面14。将所述外周面14中的相互相向且平行的面称为限制面14a。

各托盘1在相向面11具有沿后述的屏蔽构件8的凹部80、屏蔽构件58的凹部58c的凸部11a(参照图9、图12)。所谓沿凹部80、凹部58c，是指仿照凹部80、凹部58c的形状。托盘1的凸部11a以非接触的方式与凹部80、凹部58c相向。在本实施方式中，凸部11a也为仿照工件W的凹部Rp的曲面。如图5(B)所示，凸部11a是俯视时沿将一对斜面12的中央连结的圆弧状而形成。托盘1的相向面11夹持凸部11a，内周面13侧为靠近于旋转平台31的低位的平坦面，外周面14侧为远离旋转平台31的高位的平坦面。

作为托盘1的材质，优选为热传导性高的材质、例如设为金属。在本实施方式中，将托盘1的材质设为不锈钢(Stainless Steel，SUS)。此外，托盘1的材质例如也可设为热传导性佳的陶瓷或树脂、或者这些的复合材。

[真空处理装置]

如图1～图3所示，真空处理装置100包括：腔室20、搬送部30、成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C、膜处理部50A、膜处理部50B、负载锁(load lock)部60、控制装置70。

[腔室]

腔室20是可将内部设为真空的容器。即，在腔室20的内部形成真空室21。真空室21是由腔室20的内部的顶板20a、内底面20b及内周面20c包围而形成的圆柱形状的密闭空间。真空室21具有气密性，且可通过减压而设为真空。此外，腔室20的顶板20a以可开闭的方式构成。即，腔室20为分离结构。

向真空室21的内部的规定区域导入反应气体G。反应气体G包含成膜用的溅射气体G1、膜处理用的处理气体G2(参照图3)。在以下的说明中，在不对溅射气体G1、处理气体G2加以区别的情况下，有时称为反应气体G。溅射气体G1是用来利用通过施加电力而产生的等离子体，使产生的离子碰撞靶材41A、靶材41B、靶材41C，从而使靶材41A、靶材41B、靶材41C的材料堆积于工件W的表面的反应气体。例如，可将氩气等惰性气体用作溅射气体G1。

处理气体G2是用来使利用通过电感耦合而产生的等离子体，使产生的活性种浸透至堆积于工件W的表面的膜，从而形成化合物膜的反应气体G。以下，有时将此种利用等离子体的表面处理即不使用靶材41A、靶材41B、靶材41C的处理称为逆溅射。处理气体G2可根据处理的目的而适当变更。例如，在进行膜的氮氧化的情况下，使用氧气O2与氮气N2的混合气体。

如图3所示，腔室20具有排气口22、导入口24。排气口22是用来确保真空室21与外部之间的气体流通而进行排气E的开口。所述排气口22例如形成于腔室20的底部。在排气口22连接有排气部23。排气部23具有配管及未图示的泵、阀等。通过利用所述排气部23的排气处理，而将真空室21内减压。

导入口24是用来将溅射气体G1导入至各成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C的开口。所述导入口24例如设置于腔室20的上部。在所述导入口24连接有气体供给部25。除了配管以外，气体供给部25还具有未图示的反应气体G的气体供给源、泵、阀等。通过所述气体供给部25而将溅射气体G1自导入口24导入至真空室21内。此外，如后述，在腔室20的上部设置有供膜处理部50A、膜处理部50B插入的开口21a。

[搬送部]

搬送部30是以将旋转平台31的旋转轴心设为中心的圆周的搬送路径T而循环搬送工件W的装置。循环搬送是指使工件W以所述圆周的轨迹反复环绕移动。搬送路径T是通过搬送部30而使工件W或后述的托盘1移动的轨迹，且为环形形状的具有宽度的圆环。以下，对搬送部30的详细情况进行说明。

搬送部30具有旋转平台31、马达32。旋转平台31设置于腔室20内，循环搬送工件W。旋转平台31例如可采用在不锈钢的板状构件的表面喷镀氧化铝而成者。以下，在简称为“圆周方向”的情况下，是指“旋转平台31的圆周方向”，在简称为“半径方向”的情况下，是指“旋转平台31的半径方向”。另外，“高度”、“厚度”是与旋转平台31的旋转轴平行的方向上的长度。马达32是对旋转平台31提供驱动力并使所述旋转平台31在水平面内旋转的驱动源。

如图6的平面图所示，旋转平台31具有搭载部33。搭载部33是供通过搬送部30而搬送的托盘1搭载的区域。搭载部33设置于旋转平台31的表面。旋转平台31的表面在旋转平台31为水平方向时是朝向上方的面即顶面。搭载部33是通过将后述的垫板33a铺垫于旋转平台31上而形成，且为呈与旋转平台31的旋转中心同心的大致圆环状凹陷的区域。如图7的平面图所示，各托盘1通过以各自的斜面12相互相接的方式排列于搭载部33而俯视时呈环状铺垫。由此，多个托盘1搭载于圆周等距位置。托盘1的斜面12沿旋转平台31的半径。由此，在本实施方式中，可以60°间隔将六个托盘1载置于搭载部33上。

通过将多个托盘1搭载于旋转平台31的搭载部33，而形成为多个托盘1的相向面11具有沿圆周的轨迹连续且成为同一平面的部分。此处，所谓多个托盘1的相向面11成为同一平面，是指各托盘1的相向面11中的相对应的部位彼此实质上成为相同高度的情况。而且，在本实施方式中，六个托盘1的凸部11a形成在圆周上连续而构成的凸状部分。即，如上所述，凸部11a沿圆弧状形成(参照图5(B))，因此通过多个所述凸部11a连续而形成将多个圆弧组合而成的圆周状的凸状部分。此外，作为托盘1，如后述，也可应用不具有凸部11a的托盘(参照图20)，但所述情况下，由各托盘1的相向面形成一平面。但是，在各托盘1的边界也可产生稍许槽。此外，搭载部33的内周侧的缘部为与多个托盘1的内周面13相接的六边形状。搭载部33的外周侧的缘部为与多个托盘1的外周面14相接的多边形状。

更具体而言，搭载部33包含旋转平台31的表面与安装于所述表面的多个垫板33a的缘部。垫板33a是多边形状的板，通过呈环状铺垫于旋转平台31的表面而与旋转平台31的表面产生高低差，从而形成供托盘1嵌入的凹陷部。垫板33a的表面的高度设定为与所嵌入的托盘1成为同一平面。

所谓此处所述的与托盘1成为同一平面，是指各垫板33a的高度与托盘1中的与所述垫板相接的部分的高度实质上成为相同高度的情况。因此，在托盘1的缘部存在高低差的情况下，与托盘1的缘部相接的垫板33a与所述缘部的高度相等。但是，在各托盘1与各垫板33a的边界也可产生稍许槽。在本实施方式中，如上所述，托盘1具有凸部11a，且外周面14侧厚于内周面13侧。因此，在将托盘1搭载于搭载部33的情况下，外周面14侧高于内周面13侧。与其相对应地，将外周面14侧的垫板33a形成得厚于内周面13侧的垫板33a，从而与托盘1成为同一平面。此外，在使用如利用图20进行说明般的不具有凸部11a的托盘1的情况下，由各托盘1的相向面11与各垫板33a的上表面形成一平面。

进而，搭载部33具有限制部33b。限制部33b对托盘1的位置进行限制。本实施方式的限制部33b对托盘1朝沿搬送路径T的方向的移动进行限制。更具体而言，限制部33b与托盘1的限制面14a相接，且为与搬送路径T交叉的方向上的缘部。所述限制部33b通过与限制面14a相接来进行限制，以不使托盘1的位置在圆周方向上偏移。

在本实施方式中，如图5(C)、图7所示，在各托盘1上载置三个工件W。因此，可合计处理18个工件W。旋转平台31循环搬送搭载有工件W的托盘1并反复经过与成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C、膜处理部50A、膜处理部50B相向的位置。

此外，相对于托盘1的相向面11，工件W可直接载置，也可介隔粘着片等而间接载置。载置于各托盘1的工件W的数量并不限定于此，相对于每个托盘1，可载置单个工件W，也可载置多个工件W。

进而，如图6所示，在旋转平台31形成有开口31a、凸轮孔31b。开口31a是设置于旋转平台31的载置各托盘1的圆周等距位置的贯穿孔。凸轮孔31b是设置于旋转平台31的底面的圆周等距位置的大致圆锥形状的凹陷部(参照图13)。

[成膜部]

成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C是设置于与在搬送路径T所循环搬送的工件W相向的位置，且通过溅射而使成膜材料堆集于工件W来形成膜的处理部。以下，在不对多个成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C加以区别的情况下，以成膜部40的形式进行说明。如图3所示，成膜部40具有溅射源4、电源部6、屏蔽构件8。

(溅射源)

溅射源4是通过溅射而使成膜材料堆积于工件W来进行成膜的成膜材料的供给源。如图2及图3所示，溅射源4具有靶材41A、靶材41B、靶材41C、背板(backing plate)42、电极43。靶材41A、靶材41B、靶材41C是由堆积于工件W来成为膜的成膜材料形成，配置于与搬送路径T隔开且相向的位置。

在本实施方式中，三个靶材41A、靶材41B、靶材41C设置于俯视时在三角形的顶点上排列的位置。自靠近旋转平台31的旋转中心处朝向外周，而以靶材41A、靶材41B、靶材41C的顺序配置。以下，在不对靶材41A、靶材41B、靶材41C加以区别的情况下，以靶材41的形式进行说明。靶材41的表面与通过搬送部30而移动的工件W隔开且相向。

此外，可通过三个靶材41A、靶材41B、靶材41C而附着成膜材料的区域大于半径方向上的托盘1的大小。如上所述，与利用成膜部40而成膜的区域相对应，将沿搬送路径T的圆环状的区域设为成膜区域F(以图2的点线表示)。成膜区域F的半径方向上的宽度长于半径方向上的托盘1的宽度。另外，在本实施方式中，三个靶材41A、靶材41B、靶材41C配置为可在成膜区域F的半径方向上的整个宽度区域无间隙地附着成膜材料。

作为成膜材料，例如使用硅、铌等。但是，若为通过溅射而进行成膜的材料，则可应用各种材料。另外，靶材41例如为圆柱形状。但是，也可为长圆柱形状、角柱形状等其他形状。

背板42是对各靶材41A、靶材41B、靶材41C个别地保持的构件。电极43是用来自腔室20的外部对各靶材41A、靶材41B、靶材41C个别地施加电力的导电性构件。对各靶材41A、靶材41B、靶材41C施加的电力可个别地变更。此外，在溅射源4中视需要而适当具备磁铁、冷却机构等。

(电源部)

电源部6是对靶材41施加电力的构成部。通过利用所述电源部6对靶材41施加电力，从而产生经等离子体化的溅射气体G1。而且，通过等离子体而产生的离子碰撞靶材41，由此可使自靶材41撞出的成膜材料堆积于工件W。对各靶材41A、靶材41B、靶材41C施加的电力可个别地变更。在本实施方式中，电源部6例如是施加高电压的直流(Direct Current，DC)电源。此外，在为进行高频溅射的装置的情况下，也可设为射频(Radio Frequency，RF)电源。旋转平台31与接地的腔室20为相同电位，通过对靶材41侧施加高电压而产生电位差。

(屏蔽构件)

如图3及图8所示，屏蔽构件8是与载置于托盘1的工件W空开间隔且相向的构件。本实施方式的屏蔽构件8在供工件W经过的一侧具有开口81，且形成供利用成膜部40进行成膜的成膜室S。即，屏蔽构件8导入溅射气体G1，并形成产生等离子体的空间，从而抑制溅射气体G1及成膜材料泄漏至腔室20内。

屏蔽构件8具有顶板部82、侧面部83。顶板部82是形成成膜室S的顶板的构件。如图8所示，顶板部82是与旋转平台31的平面平行地配置的大致扇形的板状体。在顶板部82，在与各靶材41A、靶材41B、靶材41C相对应的位置形成有与靶材41A、靶材41B、靶材41C的大小及形状相同的靶材孔82a，以使各靶材41A、靶材41B、靶材41C在成膜室S内露出。顶板部82安装于腔室20的顶板20a，以使靶材41A、靶材41B、靶材41C自靶材孔82a露出。

侧面部83是形成成膜室S的周缘的侧面的构件。侧面部83具有外周壁83a、内周壁83b、分隔壁83c、分隔壁83d。外周壁83a及内周壁83b是呈圆弧状弯曲的长方体形状，且为沿与旋转平台31的平面正交的方向下垂的板状体。外周壁83a的上缘安装于顶板部82的外缘。内周壁83b的上缘安装于顶板部82的内缘。另外，在屏蔽构件8的内部，气体供给部25的前端延伸至靶材41A、靶材41B、靶材41C的附近。

分隔壁83c、分隔壁83d是平坦的长方体形状，且为沿与旋转平台31的平面正交的方向下垂的板状体。分隔壁83c、分隔壁83d的上缘分别安装于顶板部82的一对半径方向上的缘部。顶板部82与侧面部83的接合部被气密密封。此外，也可将顶板部82与侧面部83一体地形成，即利用共通的材料连续形成。通过此种屏蔽构件8而形成上部及周缘的侧面被顶板部82及侧面部83覆盖且朝向工件W的下部进行了开口的成膜室S。

屏蔽构件8俯视时为自旋转平台31的半径方向上的中心侧朝向外侧扩径的大致扇形。所谓此处所述的大致扇形，是指扇子扇面的部分的形状。屏蔽构件8的开口81也同样地为大致扇形。被保持于旋转平台31上的工件W经过开口81的下方的速度在旋转平台31的半径方向上越朝向中心侧越慢，越朝向外侧越快。因此，若开口81为简单的长方形或正方形，则在半径方向上的中心侧与外侧，工件W经过开口81正下方的时间会产生差异。通过使开口81自半径方向上的中心侧朝向外侧扩径，从而可将工件W经过开口81的时间设为一定，可使后述的等离子体处理变得均等。但是，若经过的时间差为不会造成产品方面的问题的程度，则也可为长方形或正方形。作为屏蔽构件8的材质，例如可使用铝或不锈钢(SUS)。

如图3及图9所示，在分隔壁83c、分隔壁83d的下端与旋转平台31之间形成有可供旋转的旋转平台31上的工件W经过的间隔D1。即，以在屏蔽构件8的下缘与工件W之间产生稍许间隙的方式设定分隔壁83c、分隔壁83d的高度。由此，屏蔽构件8和托盘1的沿着旋转平台31的半径方向的面空开间隔且相向，屏蔽构件8和工件W的沿着旋转平台31的半径方向的面空开间隔且相向。

更具体而言，屏蔽构件8具有沿载置于托盘1的工件W的凸部Cp的凹部80。所谓沿凸部Cp，是指仿照凸部Cp的形状。在本实施方式中，凹部80是沿凸部Cp的弯曲的曲面。但是，凹部80与凸部Cp之间如上所述般空开有间隔D1。即，包含凹部80的分隔壁83c、分隔壁83d的下缘形成为以非接触的方式沿工件W的处理对象面Sp的形状。工件W的处理对象面Sp与屏蔽构件8的间隔D1优选为也包含凸部Cp与凹部80的间隔在内而设为1mm～15mm。其原因在于：容许工件W的经过，并且维持内部的成膜室S的压力。

如图2所示，通过此种屏蔽构件8而将通过溅射源4而使工件W成膜的成膜部位M2、成膜部位M4、成膜部位M5、进行膜处理的膜处理部位M1、膜处理部位M3加以划分。通过屏蔽构件8而可抑制成膜部位M2、成膜部位M4、成膜部位M5的反应气体G及成膜材料扩散至真空室21。

成膜部位M2、成膜部位M4、成膜部位M5的水平方向上的范围成为由各屏蔽构件8划分的区域。此外，通过旋转平台31而循环搬送的工件W反复经过成膜部位M2、成膜部位M4、成膜部位M5的与靶材41相向的位置，由此成膜材料以膜的形式堆积于工件W的表面。

成膜部位M2、成膜部位M4、成膜部位M5的由各屏蔽构件8划出的成膜室S是进行大部分成膜的区域，但即便是超出成膜室S的区域，也有来自成膜室S的成膜材料的泄漏，因此并非完全没有膜的堆积。即，在成膜部40中，进行成膜的成膜区域F成为稍微广于由各屏蔽构件8划出的成膜室S的区域。

关于此种成膜部40，通过在多个成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C中使用相同的成膜材料来同时成膜，可提高一定时间内的成膜量即成膜速率。另外，通过在多个成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C中使用彼此不同种类的成膜材料来同时或依序成膜，也可形成包含多种成膜材料的层的膜。

[膜处理部]

膜处理部50A、膜处理部50B是对堆积于通过搬送部30而搬送的工件W上的材料进行膜处理的处理部。所述膜处理是不使用靶材41的逆溅射。以下，在不对膜处理部50A、膜处理部50B加以区别的情况下，以膜处理部50的形式进行说明。膜处理部50具有处理单元5。参照图10的剖面图、图11的分解立体图、图13的部分放大图对所述处理单元5的构成例进行说明。

如图10及图11所示，处理单元5具有筒部H、窗构件52、供给部53、天线55、屏蔽构件58。筒部H是在一端的开口Ho朝向腔室20的内部的搬送路径T的方向上延伸存在的构成部。筒部H具有筒状体51与相向部h。相向部h是具有开口ho且朝向旋转平台31的构成部。构成这些筒部H的构件中，首先对筒状体51进行说明，关于相向部h，将于后叙述。

筒状体51是水平剖面为圆角长方形状的筒。此处所述的圆角长方形状是田径运动的跑道形状。跑道形状是如下形状：将一对部分圆以使凸侧相反的方向分隔且相向，并利用彼此平行的直线将各自的两端连结的形状。筒状体51设为与旋转平台31相同的材质。筒状体51是以使开口Ho与旋转平台31侧隔开且相向的方式插入至设置于腔室20的顶板20a的开口21a。由此，筒状体51的大部分侧壁收容于真空室21内。筒状体51以其长径方向与旋转平台31的半径方向成为平行的方式配置。此外，无需严格地平行，也可稍微倾斜。

窗构件52是设置于筒部H且将腔室20内的导入有处理气体G2的气体空间R与外部之间加以划分的构件。在本实施方式中，窗构件52设置于构成筒部H的筒状体51。气体空间R是在膜处理部50中形成于旋转平台31与筒部H的内部之间的空间，通过旋转平台31而循环搬送的工件W反复经过。窗构件52是收纳于筒状体51的内部且与筒状体51的水平剖面为大致相似形状的石英等介电体的平板。窗构件52是与如上所述般配设的筒状体51的水平剖面为大致相似形状的圆角长方形状的板。即，窗构件52的与搬送路径T交差的方向上的长度长于沿搬送路径T的方向上的长度。此外，窗构件52可为氧化铝等介电体，也可为硅等半导体。

在筒部H设置有支撑窗构件52的支撑部510。在本实施方式中，支撑部510设置于构成筒部H的筒状体51。在支撑部510与窗构件52之间设置有将气体空间R与外部之间加以密封的密封构件21b。

在支撑部510形成有供给口512。供给口512是将处理气体G2供给至筒状体51内的孔。供给口512以剖面成为L字形的方式贯穿至筒状体51的下端的开口51a。供给口512设置于支撑部510的搬送路径T的下游侧与上游侧。各个供给口512设置于相向的位置。

进而，在筒状体51的与开口51a相反的一侧的端部形成有外凸缘51b。在外凸缘51b的下表面与腔室20的顶面之间配设有跨及整个周的密封构件21b，从而气密地密封开口21a。

供给部53是将处理气体G2供给至气体空间R的装置。供给部53具有未图示的储气瓶等处理气体G2的供给源及与其连接的配管53b、配管53c。另外，虽未图示，但供给部53具有对自供给口512导入的处理气体G2的供给量进行调整的调节部。调节部是对供给部53的每单位时间的处理气体G2的供给量个别地调节的质流控制器(Mass Flow Controller，MFC)。MFC是具有测量流体的流量的质量流量计与控制流量的电磁阀的构件。

天线55是产生用来对经过搬送路径T的工件W进行处理的电感耦合等离子体的构件。天线55配置于气体空间R的外部且为窗构件52的附近。通过对天线55施加电力，从而产生由天线电流形成的磁场所诱导的电场，并将气体空间R的处理气体G2等离子体化。可根据天线55的形状来变更所产生的电感耦合等离子体的分布形状。在本实施方式中，天线55通过导体而形成自平面方向观察时为圆角长方形的电路。由此，可产生与筒状体51内的气体空间R的水平剖面为大致相似的形状的电感耦合等离子体。

在天线55连接有用来施加高频电力的RF电源55a。在RF电源55a的输出侧串联连接有作为匹配电路的匹配器(matching box)55b。在RF电源55a与天线55之间连接有匹配器55b。匹配器55b通过使输入侧及输出侧的阻抗匹配，从而使等离子体的放电稳定化。

相向部h具有冷却部56、分散部57。如图11所示，冷却部56是外形的大小与筒状体51大致相同的圆角长方形状的筒形构件，且设置于其上表面与筒状体51的底面相接且相吻合的位置。虽未进行图示，但在冷却部56的内部设置有供冷却水流通的腔(cavity)。在腔处连通有连接于冷却器的供给口与排水口，所述冷却器是循环供给冷却水的冷却水循环装置。通过利用所述冷却器反复进行如下操作，从而将冷却部56冷却并抑制筒状体51及分散部57的加热，所述操作为自供给口供给经冷却的冷却水，在腔内流通并自排水口排出。

分散部57是外形的大小与筒状体51、冷却部56大致相同的圆角长方形状的筒形构件，且设置于其上表面与冷却部56的底面相接且相吻合的位置。在分散部57设置有分散板57a。分散板57a配置于与供给口512空开间隔且与供给口512相向的位置，使自供给口512导入的处理气体G2分散并使其流入至气体空间R。分散部57的环状部分的水平方向上的宽度较筒状体51大在内侧设置有所述分散板57a的部分。

自供给部53经由供给口512而将处理气体G2导入至气体空间R，并自RF电源55a对天线55施加高频电压。如此，介隔窗构件52而在气体空间R产生电场并将处理气体G2等离子体化。由此，产生电子、离子及自由基等活性种。

此外，在冷却部56与筒状体51之间、冷却部56与分散部57之间配设有片材561、片材562。片材561、片材562是提高冷却部56与筒状体51、分散部57的密合性且提高热传导性的薄板状的构件。例如使用碳片。

如图3、图10～图12所示，屏蔽构件58是与载置于托盘1的工件W空开间隔且相向的构件。本实施方式的屏蔽构件58在相向部h与旋转平台31之间，以相对于相向部h及旋转平台31而非接触且相对于腔室20而固定不动的方式介隔存在。屏蔽构件58具有封闭等离子体而抑制处理气体G2扩散至成膜部40的功能。在屏蔽构件58形成有调节孔58a，所述调节孔58a设置于与开口Ho相向的位置且调节等离子体处理的范围。

另外，如图12所示，屏蔽构件58具有沿载置于托盘1的工件W的凸部Cp的凹部58c。所谓沿凸部Cp，是指仿照凸部Cp的形状。在本实施方式中，凹部58c是沿凸部Cp的弯曲的曲面。但是，凹部58c与凸部Cp之间空开有间隔。即，包含凹部58c的屏蔽构件58的下端形成为以非接触的方式沿工件W的处理对象面Sp的形状。由此，屏蔽构件58和工件W的沿着旋转平台31的半径方向的面空开间隔且相向。工件W的处理对象面Sp与屏蔽构件58的间隔D2优选为也包含凸部Cp与凹部58c的间隔在内而设为1mm～15mm。其原因在于：容许工件W的经过，并且维持内部的成膜室S的压力。此外，在本实施方式中，如后述，由于在分散部57与屏蔽构件58之间产生间隔d，因此优选为即便将间隔D2与间隔d合计，也不超过15mm。

更具体而言，如图11所示，屏蔽构件58是外形与筒状体51大致相同的圆角长方形状的环状的板，且具有基体581、遮蔽板582。基体581是形成屏蔽构件58的外形的厚壁的平板部分。在基体581上设置有所述凹部58c。遮蔽板582是形成于基体581的内缘且与基体581相比壁更薄的平板部分，在其内侧形成有调节孔58a。调节孔58a在旋转平台31的外周侧与较外周更靠旋转平台31的中心的一侧(以下，称为内周侧)的大小不同。对工件W进行等离子体处理即膜处理的处理区域的框由调节孔58a划出。

此处，若将旋转平台31的外周侧与内周侧加以比较，在经过一定距离的速度中产生差。即，在如本实施方式的筒状体51般以长径方向与旋转平台31的半径方向成为平行的方式配置的情况下，关于旋转平台31在筒状体51的下部经过的时间，外周侧短于内周侧。

因此，在本实施方式中，在内周侧与外周侧，工件W暴露于等离子体中的时间相同，为了结合处理速率，如上所述，通过遮蔽板582来决定遮蔽等离子体的范围。即，根据调节孔58a的形状，决定暴露于等离子体中的范围。意指所述情况与如下情况为相同含义：在屏蔽构件58具有设置于与开口Ho相向的位置且调节等离子体处理的范围的遮蔽板582及具有调节等离子体处理的范围的调节孔58a。作为调节孔58a的形状例，可列举扇形或三角形。另外，可通过在不会大于开口Ho的范围内更换扇形或三角形的中心角不同的遮蔽板582来变更遮蔽的范围。

屏蔽构件58优选为包含导电性材料。另外，也可采用电阻低的材料。作为此种材料，可列举铝、不锈钢或铜。也可包含与旋转平台31相同的材料，还可包含不同的材料。屏蔽构件58例如可采用在不锈钢的板状构件的表面喷镀氧化铝而成者。屏蔽构件58与工件W同样地进行等离子体处理并因热而劣化，因此需要进行更换。因此，可根据等离子体处理的内容，利用抗蚀刻剂、抗氧化剂或抗氮化剂进行涂布，由此可减少更换频率。另外，由于与筒部H分离而构成，因此容易进行更换作业。

如图3及图10所示，屏蔽构件58通过支撑构件58b而以非接触地位于相向部h的分散部57与旋转平台31之间的方式固定。支撑构件58b是自旋转平台31的外侧对屏蔽构件58的半径方向外侧进行支撑固定的构件。支撑构件58b是柱状的构件，且自内底面20b竖立设置并延伸至高于旋转平台31的表面的位置，而对延伸至旋转平台31的外缘的外侧的基体581进行支撑。即，筒部H设置于分离结构的腔室20的一侧即可开闭的顶板20a，相对于此，旋转平台31及屏蔽构件58设置于另一侧即内底面20b。

对屏蔽构件58与工件W之间的间隔D2和分散部57与屏蔽构件58之间的间隔d的关系进行叙述。在本实施方式中，由于在分散部57与屏蔽构件58之间产生间隔d，因此为了维持气体空间R的压力，尽可能缩短间隔D2，并且优选为即便将间隔D2与间隔d合计，也为5mm以上、不超过15mm。即，优选为设为5mm≦D2+d≦15mm。例如考虑设为间隔D2＝间隔d＝5mm左右。

进而，如图10所示，屏蔽构件58具有冷却部583。冷却部583是设置于屏蔽构件58的内部且供冷却水流通的水路。在水路连通有连接于冷却器的供给口与排水口，所述冷却器是循环供给冷却水的冷却水循环装置。通过利用所述冷却器反复进行如下操作，从而将屏蔽构件58冷却，所述操作为自供给口供给经冷却的冷却水，在水路内流通并自排水口排出。水路包含配管，例如沿支撑构件58b而在内底面20b气密地经过并延伸至腔室20之外。

[负载锁部]

负载锁部60是在维持真空室21的真空的状态下，通过未图示的搬送设备，自外部将搭载有未处理的工件W的托盘1搬入至真空室21，并将搭载有处理完的工件W的托盘1搬出至真空室21的外部的装置。所述负载锁部60可应用周知的结构，因此省略说明。

此外，如图13所示，在腔室20内设置有升降器35，所述升降器35经由负载锁部60而在外部与旋转平台31之间搬送托盘1。升降器35通过未图示的驱动机构而在进行与机械臂AM之间的托盘1的传送的位置和进行相对于旋转平台31的托盘1的上升下降的位置之间升降。因此，升降器35设置为可插通于旋转平台31的开口31a内。

另外，在腔室20内设置有决定旋转平台31的停止位置的定位销36。定位销36的前端为圆锥形状，通过未图示的驱动机构而在前端插卸于凸轮孔31b的方向上移动。通过马达32的控制而进行旋转平台31的粗略定位后，若定位销36的前端插入于凸轮孔31b，则旋转平台31的搭载部33的各托盘1的位置与和负载锁部60相对应的位置对准。

[控制装置]

控制装置70是对真空处理装置100的各部进行控制的装置。所述控制装置70例如可由专用的电子电路或者以规定的程序进行动作的计算机等来构成。即，关于与溅射气体G1及处理气体G2对于真空室21的导入及排气相关的控制、电源部6、RF电源55a的控制、旋转平台31的旋转的控制等，其控制内容已程序化。控制装置70通过可编程逻辑控制器(Programmable Logic Controller，PLC)或中央处理器(Central Processing Unit，CPU)等处理装置来执行所述程序，可对应于多种多样的等离子体处理样式。

若列举具体经控制的对象，则为如下所述。即，马达32的旋转速度、真空处理装置100的初始排气压力、溅射源4的选择、对于靶材41及天线55的施加电力、溅射气体G1及处理气体G2的流量、种类、导入时间及排气时间、成膜及膜处理的时间等。

尤其，在本实施方式中，控制装置70通过控制对于成膜部40的靶材41的电力的施加、来自气体供给部25的溅射气体G1的供给量来控制成膜速率。另外，控制装置70通过控制对于天线55的电力的施加、来自供给部53的处理气体G2的供给量来控制膜处理速率。

[动作]

对如上所述的本实施方式的动作进行说明。此外，虽未进行图示，但真空处理装置100是通过机械臂AM来进行搭载有工件W的托盘1的搬入、搬送、搬出。

如图13所示，多个托盘1通过机械臂AM而经由负载锁部60来依次搬入至腔室20内。即，旋转平台31使搭载部33的托盘1的搭载位置移动至自负载锁部60搬入的搬入部位。通过定位销36上升而前端插入至凸轮孔31b，从而将各托盘1的搭载位置定位于负载锁部60的下部。

若升降器35上升，则对被机械臂AM保持的托盘1进行支撑而机械臂AM退避。通过升降器35下降，从而将托盘1搭载于旋转平台31的搭载部33上。依次反复进行所述操作，由此如图2及图3所示，搭载有工件W的托盘1呈环状搭载于旋转平台31上。

若如上所述般搭载托盘1，则托盘1的相向面11包含凸部11a在内而在圆周上连续且均成为同一平面。进而，垫板33a的表面与托盘1的表面也均成为同一平面。因此，托盘1与屏蔽构件8及屏蔽构件58的间隔也包含凸部Cp在内而跨及整个周而成为一定(参照图9、图12)。另外，载置于托盘1的工件W的处理对象面Sp相对于屏蔽构件8、屏蔽构件58而维持一定的间隔且较托盘1的相向面11更接近。

相对于如上所述般导入至真空处理装置100的工件W的形成膜的处理以如下方式进行。此外，以下动作是如仅成膜部40A及仅膜处理部50A等般，自成膜部40与膜处理部50中，使各自一个运行来进行成膜及膜处理的一例。但是，也可使多组成膜部40、膜处理部50运行来提高处理速率。另外，利用成膜部40及膜处理部50的成膜及膜处理的一例是形成氮氧化硅的膜的处理。形成氮氧化硅的膜是通过如下方式来进行：每次使硅以原子水平附着于工件W时，一边循环搬送工件W一边反复进行使氧离子及氮离子浸透的处理。

首先，真空室21通过排气部23而始终进行排气减压。而且，真空室21达到规定的压力后，如图2及图3所示，旋转平台31旋转。由此，被搭载部33保持的工件W沿搬送路径T移动并在成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C及膜处理部50A、膜处理部50B之下经过。旋转平台31达到规定的旋转速度后，继而，成膜部40的气体供给部25将溅射气体G1供给至靶材41的周围。此时，膜处理部50的供给部53也将处理气体G2供给至气体空间R。

在成膜部40中，电源部6对各靶材41A、靶材41B、靶材41C施加电力。由此，溅射气体G1等离子体化。在溅射源4中，通过等离子体而产生的离子、自由基等活性种碰撞靶材41来射出成膜材料的粒子。因此，在经过成膜部40的工件W的表面，在每次所述经过时，成膜材料的粒子堆积而生成膜。在所述例中，形成硅层。

电源部6以随着自旋转平台31的内周侧向外周侧靠近而电力依次变大的方式对各靶材41A、靶材41B、靶材41C施加电力。因此，利用溅射的每单位时间的成膜量自内周侧向外周侧越靠近越多，但自内周侧向外周侧越靠近，旋转平台31的经过速度越快。结果工件W的整体膜厚变得均匀。

此外，工件W即便经过未运行的成膜部40或膜处理部50，也不进行成膜或膜处理，因此未被加热。在所述未被加热的区域中，工件W放出热。此外，未运行的成膜部40例如为成膜部位M4、成膜部位M5。另外，未运行的膜处理部50例如为膜处理部M3。

另一方面，经成膜的工件W经过处理单元5中的与筒状体51相向的位置。如图3及图10所示，在处理单元5中，自供给部53经由供给口512而将作为处理气体G2的氧气及氮气供给至筒状体51，并自RF电源55a对天线55施加高频电压。通过施加高频电压，介隔窗构件52而对气体空间R施加电场，从而生成等离子体。通过所生成的等离子体而产生的氧离子及氮离子碰撞经成膜的工件W的表面，由此浸透至膜材料。遮蔽板582通过大致覆盖开口Ho的外缘部分而在所覆盖的部分遮蔽等离子体。因此，在由调节孔58a所规定的范围内进行等离子体处理。

即便使对天线55施加的施加电力上升，支撑部510也通过冷却部56而冷却，因此温度上升得到抑制。另外，分散部57也通过冷却部56而冷却，因此温度上升得到抑制。而且，热传导性高的片材561接触地介隔存在于支撑部510与冷却部56之间，热传导性高的片材562接触地介隔存在于分散部57与冷却部56之间。由此，支撑部510、分散部57的热效率良好地传递至冷却部56。

进而，通过由等离子体所产生的氧离子及氮离子发生碰撞，屏蔽构件58也被加热，但由于与分散部57空开间隔d(参照图12)而分离，因此所述热未传递至分散部57。即便假设屏蔽构件58发生热变形，也可防止由其所引起的应变传递至分散部57。另外，屏蔽构件58自身也通过冷却部583而冷却。由此，可抑制由屏蔽构件58、分散部57、支撑部510的加热所引起的热变形，因此可防止窗构件52的变形或损伤。

在如上所述般的形成膜的处理的期间，旋转平台31继续旋转并持续循环搬送搭载有工件W的托盘1。如上所述，使工件W循环而反复进行成膜与膜处理，由此在工件W的表面形成氮氧化硅的膜作为化合物膜。

即便旋转平台31旋转，托盘1的相向面11也包含凸部11a在内地在圆周上连续且全部成为同一平面。因此，在未载置工件W的部位，托盘1与屏蔽构件8及屏蔽构件58的间隔也维持为一定，且不存在大的空间。

经过氮氧化硅的膜成为所期望的膜厚的规定的处理时间后，停止成膜部40及膜处理部50。即，停止利用电源部6的对于靶材41的电力的施加、来自供给口512的处理气体G2的供给、利用RF电源55a的电力的施加等。

如上所述，形成膜的处理完成后，搭载有工件W的托盘1通过旋转平台31的旋转与定位销36而依次定位于负载锁部60，并通过升降器35及机械臂AM而搬出至外部。

[作用效果]

在如上所述般的本实施方式中，包括：腔室20，可将内部设为真空；旋转平台31，设置于腔室20内，以将所述旋转平台31的旋转轴心设为中心的圆周的轨迹而循环搬送工件W；多个托盘1，搭载于旋转平台31，并载置工件W；以及处理部，将所导入的反应气体G等离子体化而对通过旋转平台31而搬送的工件W进行规定处理。处理部具有屏蔽构件8、屏蔽构件58，所述屏蔽构件8、屏蔽构件58在旋转平台31的径方向上，所述屏蔽构件8、屏蔽构件58和托盘1的相向于处理部的面及载置于托盘1的工件W的相向于处理部的面之间空开可供工件W经过的间隔，且所述屏蔽构件8、屏蔽构件58和托盘1的相向于处理部的面及载置于托盘1的工件W的相向于处理部的面相向。也就是说，屏蔽构件8、屏蔽构件58在和托盘1的与处理部相向的面之间，空开能够供载置于托盘1的工件W经过的间隔，并沿着旋转平台31的径方向配置。还有，多个托盘1的相向于处理部的面具有沿圆周的轨迹连续且成为同一平面的部分。

因此，和工件W与屏蔽构件8、屏蔽构件58的间隔相比，可防止托盘1与屏蔽构件8、屏蔽构件58的间隔极端扩大，从而可抑制来自处理部的反应气体G的泄漏。另外，在包含使用不同的反应气体G的处理部的情况下，可防止由反应气体的泄漏所引起的相互污染。进而，通过预先准备与各种形状的工件W相对应的形状的托盘1，可仅更换托盘1来应对工件W的形状的变更。

另外，通过调整屏蔽构件8、屏蔽构件58与工件W的间隔，可抑制反应气体G的泄漏。由于屏蔽构件58自筒部H分离，因此可容易且准确地进行与工件W的间隔的调整。

工件W在相向于处理部的面具有凸部Cp，屏蔽构件8、屏蔽构件58具有沿工件W的凸部Cp的凹部80、凹部58c。因此，即便工件W具有凸部Cp，也可防止工件W与屏蔽构件8、屏蔽构件58的间隔扩大，从而可抑制反应气体G的泄漏。

托盘1在相向于处理部的面具有沿屏蔽构件8、屏蔽构件58的凹部80、凹部58c的凸部11a。因此，在托盘1的未载置工件W的部分，也可防止托盘1与屏蔽构件8、屏蔽构件58的间隔极端扩大，从而可更进一步抑制反应气体G的泄漏。

旋转平台31具有对托盘1的位置进行限制的限制部33b。因此，可防止由旋转平台31的旋转所引起的托盘1的偏移，从而使工件W的位置稳定。

[变形例]

(1)工件W的形状、种类及材料并不限定于特定者。例如，可为如下工件W：如图21(A)、图21(B)、图21(C)所示，处理对象面Sp包含多个角度不同的平面，由此由将不同的平面彼此连结的部分形成凸部Cp。另外，因工件W的厚度而存在工件W的处理对象面Sp向较托盘1的相向面11更靠上方突出的情况。所述情况下，在屏蔽构件8、屏蔽构件58设置避开工件W的突出部分的凹部80、凹部58c。但是，在工件W的处理对象面Sp也可不存在凸部Cp。作为工件W的材料，可使用：包含金属、碳(carbon)等导电性材料者；包含玻璃或橡胶等绝缘物者；包含硅等半导体者。屏蔽构件8、屏蔽构件58的凹部80、凹部58c只要为沿工件W的凸部Cp的形状即可，因此可根据工件W的形状而设为各种形状。另外，托盘1的凸部11a只要为沿屏蔽构件8、屏蔽构件58的凹部80、凹部58c的形状即可，因此可根据凹部80、凹部58c的形状而设为各种形状。

进而，关于工件W的要成膜的面，在所述实施方式中，成膜于具有凸部Cp的面，但也可成膜于相反侧的面。例如，可成膜于具有凹部Rp的面。所述情况下，屏蔽构件8、屏蔽构件58只要具有沿凹部Rp的凸部即可。另外，托盘1只要具有沿凹部Rp且沿屏蔽构件8、屏蔽构件58的凸部的凹部即可。

例如，如图14(A)所示，如剖面成为圆弧状的工件W般，工件W的处理对象面Sp的整体可为凸部Cp。所述情况下，屏蔽构件8、屏蔽构件58的凹部80、凹部58c也设为圆弧状，托盘1的凸部11a也形成为剖面为圆弧状。另外，如图14(B)所示，因在两边缘具有凸部Cp，故可为处理对象面Sp的整体向处理部侧隆起且接近的形状。所述情况下，屏蔽构件8、屏蔽构件58的凹部80、凹部58c、托盘1的凸部11a也形成为沿处理对象面Sp的形状。

(2)如图15所示，可在屏蔽构件8上设置调整部85。调整部85是对要成膜的膜的膜厚分布进行调整的构件。调整部85通过在成膜区域F的一部分形成遮蔽成膜材料的溅射粒子的区域来修正膜厚分布。即为以不使过量的溅射粒子附着于容易附着大量的溅射粒子而膜变厚的部位的方式进行遮蔽的部分。即，调整部85是遮蔽成膜材料的遮蔽部。

例如，在图15中，在屏蔽构件8的分隔壁83d的下端由向成膜室S的内部的方向突出的面构成调整部85。因工件W的凸部Cp而导致处理对象面Sp靠近于靶材41，由此在膜厚分布变厚的部位形成向成膜室S侧突出的山。由此，利用山的部分来遮蔽溅射粒子，从而防止过量地附着于工件W，因此可使膜厚分布均匀。

(3)可设为如下构成：并非将屏蔽构件8安装于腔室20的顶板20a，而是通过支柱等来被腔室20的内底面或内周面支撑。由此，可将屏蔽构件8自可开闭的顶板20a分离，且可容易且准确地进行屏蔽构件8与工件W的间隔的调整。

(4)如图16所示，可将凹部80设置于可拆装于屏蔽构件8的拆装构件86。例如，将拆装构件86拆装自如地设置于屏蔽构件8的分隔壁83c、分隔壁83d。拆装构件86是与分隔壁83d相同的形状，在其下缘形成有凹部80a。在拆装构件86形成有定位用的定位部L。本实施方式的定位部L为使爪弯折而成的钩状。在分隔壁83c、分隔壁83d形成有多个大致方形的减轻孔Na，从而实现轻量化。在减轻孔Na的下缘形成有供定位部L卡止的卡止部Nb。本实施方式的卡止部Nb为供钩状的定位部L嵌入的切口。

另外，由于成膜室S中进行溅射时的成膜材料附着于拆装构件86，因此拆装构件86也作为防止膜形成于屏蔽构件8的防附着板而发挥功能。可通过拆下拆装构件86来进行清扫或更换而去除膜。因此，可节省对作为重量物的屏蔽构件8进行清扫或更换的工夫。

此外，在所述实施方式中，屏蔽构件8为具备整周包围处理部的壁的构成。但是，屏蔽构件8只要在旋转平台31的径方向上，屏蔽构件8和托盘1的相向于处理部的面及载置于托盘1的工件W的相向于处理部的面之间空开可供工件W经过的间隔，且屏蔽构件8和托盘1的相向于处理部的面及载置于托盘1的工件W的相向于处理部的面相向即可。即，屏蔽构件8只要具有防止反应气体G的泄漏的功能即可。因此，例如，屏蔽构件8只要至少具有分隔壁83c、分隔壁83d即可。

(5)如图17所示，可在托盘1设置供工件W嵌入的嵌入部11b。嵌入部11b是供工件W的厚度方向上的一部分或全部埋入的凹陷部。由此，可减少工件W的处理对象面Sp与托盘1的表面的高低差来防止工件W以外的托盘1的表面与屏蔽构件8、屏蔽构件58的间隙扩大，从而可更进一步抑制反应气体的泄漏。

所述情况下，优选为以托盘1的表面与工件W的处理对象面Sp成为同一平面的方式设定嵌入部11b的深度。作为用于此的构成，例如，如图18所示，也可使嵌入部11b的深度与工件W的厚度大致一致。另外，如图19所示，也可使用间隔件11c来使托盘1的表面与工件W的处理对象面Sp成为同一平面。例如，也可通过使嵌入部11b的底面与靠近于旋转平台31的低位的平坦面结合并介隔间隔件11c来载置工件W，从而使托盘1的表面与工件W的处理对象面Sp成为同一平面。所述情况下，工件W的厚度均等，与其结合，间隔件11c的厚度可局部不同(图中α)。工件W的厚度局部不同，为了弥补所述情况，可使均等厚度的间隔件11c介隔存在而使托盘1的表面与工件W的处理对象面Sp成为同一平面(图中β)。

(6)通过旋转平台31而同时搬送的托盘1、工件W的数量至少为一个即可，并不限定于所述实施方式中所例示的数量。即，可为循环搬送一个托盘1、一个工件W的实施方式，也可为循环搬送两个以上的托盘1、两个以上的工件W的实施方式。即便将托盘1仅搭载于搭载部33的一部分，也可通过限制部33b来防止托盘1的偏移。

(7)如图20所示，多个托盘1的相向面11只要形成为沿圆周的轨迹连续且成为同一平面即可，可未必具有凸部11a。例如，托盘1的相向面11可为平坦面。另外，屏蔽构件8、屏蔽构件58也可不具有凹部80、凹部58c。即，若多个托盘1的相向面11形成为沿圆周的轨迹连续且成为同一平面，则在不存在工件W的部位，可防止托盘1与屏蔽构件8、屏蔽构件58的间隔极端扩大，从而可抑制反应气体G的泄漏。

(8)搭载部33也可由直接形成于旋转平台31的凹陷部构成。另外，托盘1只要可铺垫于旋转平台31上即可，因此搭载部33未必需要设为凹陷的区域。例如，当托盘1在半径方向上长于屏蔽构件8、屏蔽构件58时，旋转平台31的表面可为平坦。此外，作为用来保持托盘1的构成，可具有槽、孔、凸起、夹具、固定器、机械吸盘(mechanical chuck)、粘着吸盘等。

(9)如图22(A)、图22(B)所示，在旋转平台31的表面，可形成为沿屏蔽构件8、屏蔽构件58的凹部80、凹部58c的凸部31c具有沿圆周的轨迹连续且成为同一平面的部分。所述情况下，如图22(A)所示，也优选为以旋转平台31的表面与托盘1的相向面11成为同一平面的方式设定。即，可设为将如下搭载部33设置于旋转平台31的构成，所示搭载部33在搭载在相向面11具有凸部11a的托盘1时，旋转平台31的表面与托盘1具有沿圆周的轨迹连续且成为同一平面的部分。所述情况下，在不存在工件W的部位，可防止托盘1与屏蔽构件8、屏蔽构件58的间隔极端扩大，并且在不存在托盘1的部位，也可防止旋转平台31的表面与屏蔽构件8、屏蔽构件58的间隔极端扩大，从而可抑制反应气体G的泄漏。

另外，如上所述，在将凸部31c设置于旋转平台31的表面的情况下，如图22(B)所示，可通过直接形成于旋转平台31的凹陷部来设置供工件W嵌入的嵌入部31d。所述情况下，若将具有凸部Cp的工件W嵌入于嵌入部31d，则旋转平台31的表面与工件W的表面沿圆周的轨迹成为同一平面。即便以所述方式构成，在不存在工件W的部位，也可防止旋转平台31与屏蔽构件8、屏蔽构件58的间隔极端扩大，从而可抑制反应气体G的泄漏。

(10)关于成膜材料，可应用可通过溅射来成膜的各种材料。例如，可应用钽、钛、铝等。关于用来形成化合物的材料，也可用各种材料。

(11)成膜部中的靶材的数量并不限定于三个。可将靶材设为一个，也可设为两个，还可设为四个以上。通过增多靶材的数量并调节施加电力，可进行更细微的膜厚的控制。另外，可将成膜部设为一个，也可设为两个，还可设为四个以上。可增多成膜部的数量来提高成膜速率。据此，也可增多膜处理部的数量来提高膜处理速率。

(12)也可以仅使成膜部40及膜处理部50的任一者动作的方式运作。另外，作为处理部，只要具有成膜部40及膜处理部50的至少一者即可。进而，处理部并不限定于成膜及相对于成膜的膜处理。可应用于利用通过等离子体而产生的活性种来对处理对象进行处理的真空处理装置。例如，也可构成为如下真空处理装置：在处理单元中，在气体空间内产生等离子体来进行蚀刻、灰化等表面改质、清洗等。所述情况下，例如考虑将氩气等惰性气体设为处理气体。

(13)筒状体、窗构件、天线的形状也并不限定于所述实施方式中所例示的形状。水平剖面可为方形、圆形、椭圆形。在所述实施方式中，筒部H与屏蔽构件58是分离的结构，但筒部H与屏蔽构件58成为一体的结构也包含于本发明中。进而，成膜部40、膜处理部50并不限定于所述实施方式中。例如，在膜处理部50中产生的等离子体并不限定于电感耦合等离子体。

(14)在旋转平台31具有搭载托盘1的搭载部33的真空处理装置、如上所述般的托盘1也是本发明的一实施方式。

(15)在所述实施方式中，以如下者的形式进行了说明，但并不限定于此，所述者是在水平配置的旋转平台31的上表面设置搭载部33，使所述旋转平台31在水平面内旋转并在所述旋转平台31的上方配置成膜部40及膜处理部50。例如，旋转平台31的配置并不限于水平，可为垂直配置，也可为倾斜配置。另外，搭载部33也只要设置于旋转平台31的至少一面即可，也可设置于水平配置的旋转平台31的下表面。进而，也可设置于旋转平台31的两面。另外，成膜部40与膜处理部50只要与旋转平台31的设置有搭载部33的面相向地配置即可。因此，例如，在将搭载部33设置于水平配置的旋转平台31的下表面的情况下，只要将成膜部40与膜处理部50配置于自旋转平台31的下侧与旋转平台31相向的位置即可。此外，在垂直或倾斜地配置旋转平台31、或者将搭载部33设置于旋转平台31的下侧的情况下，优选为设置用来将托盘1拆卸自如地保持于搭载部33的保持机构、例如吸盘机构等。另外，可一并在托盘1上也设置用来拆卸自如地保持工件的吸盘结构等保持机构、或利用可通过嵌入而加以保持的爪构件等来夹持工件的保持机构。

参照图23～图29(A)、图29(B)来对如下变形例进行说明，所述变形例是将成膜部40与膜处理部50配置于自旋转平台31的下侧与旋转平台31相向的位置。图23是变形例的旋转平台31的底视图，图24是组装变形例的旋转平台31且将成膜部40及膜处理部50配置于旋转平台31的下侧的真空处理装置的C-C线剖面图。图25是表示变形例的托盘1的立体图。图26(A)、图26(B)、图26(C)是表示工件W相对于托盘1的装配、托盘1相对于旋转平台31的装配的说明图。图27是表示另一变形例的托盘1的分解立体图。图28是表示又一变形例的托盘1的分解立体图，图29(A)是立体图，图29(B)是剖面图。

(成膜部及膜处理部)

如图24所示，成膜部40及膜处理部50配置于旋转平台31的下侧。成膜部40及膜处理部50是与所述实施方式相同的构成，但是上下翻转而设置。因此，屏蔽构件8的开口81、屏蔽构件58的调节孔58a(参照图10、图11)朝向上方，与旋转平台31的下侧相向。

屏蔽构件8是以顶板部82与腔室20的内底面20b相接的方式安装。此处所述的顶板部82在所述变形例中成为下侧。屏蔽构件58与所述实施方式同样地，通过支撑构件58b而以非接触地位于相向部h的分散部57与旋转平台31之间的方式被固定。

(托盘)

如图25的立体图所示，托盘1是大致扇形形状的板状体。此外，图25中，将与成膜部40、膜处理部50相向的相向面11侧设为上而示出。在将托盘1搭载于旋转平台31时，如图23、图24、图26(B)、图26(C)所示，相向面11朝向下侧。此处，将托盘1的具有相向面11的一侧设为相向部X1，将其相反面的一侧设为支撑部X2。

托盘1的支撑部X2的外形形状与相向部X1的外形形状大致相同，但其尺寸较相向部X1大一圈。因此，托盘1具有突出部15，所述突出部15是支撑部X2的外周跨及整个周较相向部X1的外周更靠外侧突出而成。另外，相向部X1具有沿屏蔽构件8的凹部80、屏蔽构件58的凹部58c的凸部11a。

托盘1具有在上下方向上贯穿的多个开口16。此处，如图26(A)所示，开口16的支撑部X2侧较相向部X1侧大一圈。更具体而言，开口16的支撑部X2侧成为可将工件W放入至托盘1的内部的大小的插入部16a。另外，开口16的相向部X1侧向内侧隆起而成为可保持托盘1的保持部16b。保持部16b的内周是与工件W的外形大致相同的形状，但较工件W小一圈，因此如图23、图24、图26(B)所示，对自插入部16b插入的工件W的处理对象面Sp的外周进行保持。

(旋转平台)

如图24及图26(B)、图26(C)所示，在旋转平台31设置有开口31a。开口31a是设置于旋转平台31的载置各托盘1的圆周等距位置的贯穿孔。开口31a是与托盘1的相向部X1的外形大致相同的形状，且较相向部X1的外形稍大，因此以相向部X1嵌合的方式形成。

在旋转平台31的上表面，在开口31a的周围设置有载置托盘1的突出部15的载置面31e，并且与所述实施方式同样地，在垫板33a设置有限制部33b。

而且，旋转平台31的下表面形成为沿屏蔽构件8、屏蔽构件58的凹部80、凹部58c的凸部31c具有沿圆周的轨迹连续且成为同一平面的部分。如上所述，具有成为同一平面的部分的形状除上下翻转以外，与所述实施方式相同。

此外，在将工件W载置于托盘1的状态下，开口16的下端具有几mm以下的开口深度。即便如上所述般存在具有几mm以下的阶差的部分，也可实现作为本发明的目的的抑制来自处理部的反应气体的泄漏。因此，在本发明中，此程度的稍许阶差是包含在“成为同一平面”中。即，“多个托盘的相向于处理部的面具有沿圆周的轨迹连续且成为同一平面的部分”的“同一平面”无需为准确地连续的面，也可包含稍许阶差。另外，即便为如所述变形例般的构成，也可使托盘1的相向面11与旋转平台31的下表面在旋转中心侧沿圆周的轨迹连续且成为同一平面。

(托盘的装配)

在此种变形例中，如图26(A)所示，工件W自开口16的插入部16a插入至托盘1的内部，如图26(B)所示，工件W的处理对象面Sp的外周被开口16的保持部16b保持。因此，无需在托盘1设置用来保持工件W的复杂的机构。

而且，如图23、图26(B)、图26(C)所示，若将载置有工件W的托盘1的相向部X1嵌合于旋转平台31的开口31a，则支撑部X2的突出部15被开口31a的周围的载置面31e支撑。另外，突出部15的外周的位置被垫板33a的限制部33b限制。如上所述，若将托盘1搭载于旋转平台31，则相向面11贯穿旋转平台31的开口31a并露出至旋转平台31的下表面侧。因此，无需在旋转平台31设置用来拆卸自如地保持托盘1的复杂的保持机构。进而，若工件W的处理对象面朝向下方，则可防止废物、尘埃、附着于装置内的成膜材料等因重力而落下来附着于工件W。

另外，作为以即便工件W的处理对象面Sp朝向下方，也不会自托盘1落下的方式加以保持的例子，如图27所示，对使用滑动底座11d及间隔件11c的例子进行说明。即，在形成于托盘1的相向面11的嵌入部11b的内壁形成与托盘1的平面平行的槽11e。滑动底座11d是长方体形状，在其相反的侧面形成有插入至槽11e的凸部11f。在滑动底座11d中的相向面11侧的面介隔双面粘着胶带等粘着材11g而贴附间隔件c。在间隔件11c的相向面11侧的面介隔粘着材11g而贴附工件W。如上所述般将搭载有工件W的滑动底座11d的凸部11f插入至槽11e，由此将工件W与滑动底座11d及间隔件11c一起装配于嵌入部11b。此时，工件W的处理对象面Sp优选为与托盘1的相向面11成为同一平面。

在所述例中，可获得如下所述般的作用效果。

(1)由于利用粘着材11g来支撑工件W的背面，因此可在工件W的处理对象面Sp的整个面上成膜。

(2)通过使间隔件11c的形状变化，可应对形状不同的工件W。

(3)与在托盘1的相向面11的整个面上设置粘着材11g的情况相比，可将粘着材11g的面积设为所需最小限，因此可减少来自粘着材11g的逸出气体的量，从而可缩短成膜前的排气时间。

(4)由于在真空中将工件W贴合于间隔件11c，因此可在小于托盘1的腔室进行贴合，从而可缩短排气时间。

此外，也可省略滑动底座11d而设为托盘1与间隔件11c成为一体的构成。所述情况下，也可获得所述(1)、(3)的作用效果。另外，关于将工件W保持于间隔件11c的保持手段，也可使用静电吸盘来代替粘着材11g。

另外，如图28、图29(A)、图29(B)所示，也可将托盘1构成为可分解为相向部X1与支撑部X2。所述情况下，例如，在相向部X1与支撑部X2之间，介隔间隔件11c而夹持固定工件W。即，如图28所示，在相向部X1形成有多个供螺杆17的胴体部插入的安装孔18，在支撑部X2形成有多个供螺杆17的胴体部螺入的螺孔19a。间隔件11c在与工件W的载置面相反的一侧的面具有长方体的固定块11h。在支撑部X2，在与相向部X1的开口16相对应的位置设置有供固定块11h插入的多个孔即嵌入部11b。通过将固定块11h插入至各嵌入部11b，可将间隔件11c固定于支撑部X2。此外，如上所述，也包含仅将间隔件11c嵌入至嵌入部11b的实施方式。

如图29(A)所示，将工件W载置于间隔件11c，覆盖相向部X1，并将螺杆17插入于各安装孔18中而利用螺杆17进行紧固，由此将相向部X1与支撑部X2固定。如图29(B)所示，工件W被间隔件11c与保持部16b夹持，并且可使处理对象面Sp自开口16露出。难以进行预先一体地形成托盘1的加工，但只要设为将由不同个体构成的相向部X1与支撑部X2组合，则容易制作托盘1。

[其他实施方式]

以上，对本发明的实施方式及各部的变形例进行了说明，但所述实施方式或各部的变形例作为一例而提出，并不意图限定发明的范围。所述的这些新颖的实施方式可以其他各种形态实施，在不脱离发明的主旨的范围内可进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围或主旨内，并且包含于权利要求所记载的发明内。

Claims (11)

1.一种真空处理装置，其特征在于，包括：

腔室，能够将内部设为真空；

旋转平台，设置于所述腔室内，以将所述旋转平台的旋转轴心设为中心的圆周的轨迹而循环搬送工件；

多个托盘，搭载于所述旋转平台，并载置所述工件；以及

处理部，将所导入的反应气体等离子体化而对通过所述旋转平台而搬送的所述工件进行规定处理；并且

所述处理部具有屏蔽构件，所述屏蔽构件在和所述托盘的与所述处理部相向的面之间，空开能够供载置于所述托盘的所述工件经过的间隔，所述屏蔽构件沿着所述旋转平台的径方向配置，

多个所述托盘的相向于所述处理部的面具有沿所述圆周的所述轨迹连续且成为同一平面的部分。

2.根据权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于：所述工件在相向于所述处理部的面具有凸部，

所述屏蔽构件具有沿所述工件的所述凸部的凹部。

3.根据权利要求2所述的真空处理装置，其特征在于：所述托盘在相向于所述处理部的面具有沿所述屏蔽构件的所述凹部的凸部。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的真空处理装置，其特征在于：在所述屏蔽构件上设置有对要成膜的膜的膜厚分布进行调整的调整部。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的真空处理装置，其特征在于：所述旋转平台具有对所述托盘的位置进行限制的限制部。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的真空处理装置，其特征在于：所述托盘具有供所述工件嵌入的嵌入部。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的真空处理装置，其特征在于：所述处理部包括通过溅射来使成膜材料堆积于所述工件而形成膜的成膜部。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的真空处理装置，其特征在于：所述处理部包括膜处理部，所述膜处理部进行使形成于所述工件的膜与反应气体反应的膜处理。

9.一种真空处理装置，其特征在于，包括：

腔室，能够将内部设为真空；

旋转平台，设置于所述腔室内，以圆周的轨迹而循环搬送工件；以及

处理部，将所导入的反应气体等离子体化而对通过所述旋转平台而搬送的所述工件进行规定处理；并且

所述工件在相向于所述处理部的面具有凸部，

所述处理部具有屏蔽构件，所述屏蔽构件与通过所述旋转平台而搬送的所述工件空开间隔且相向，并具有沿所述工件的所述凸部的凹部，

在所述旋转平台的表面设置有沿所述屏蔽构件的所述凹部的凸部，

所述旋转平台的所述凸部的表面具有沿所述圆周的所述轨迹连续且成为同一平面的部分。

10.根据权利要求9所述的真空处理装置，其特征在于：所述旋转平台具有搭载部，所述搭载部通过搭载供所述工件载置的托盘，而在所述旋转平台的表面与所述托盘的表面产生沿所述圆周的所述轨迹连续且成为同一平面的部分。

11.一种托盘，其用于真空处理装置，并供工件载置，所述真空处理装置包括

腔室，能够将内部设为真空；

旋转平台，设置于所述腔室内，以将所述旋转平台的旋转轴心设为中心的圆周的轨迹而循环搬送所述工件；以及

处理部，将所导入的反应气体等离子体化而对通过所述旋转平台而搬送的所述工件进行规定处理；

所述托盘的特征在于：

所述处理部具有屏蔽构件，所述屏蔽构件在和所述托盘的与所述处理部相向的面之间，空开能够供载置于所述托盘的所述工件经过的间隔，所述屏蔽构件沿着所述旋转平台的径方向配置，

通过在所述旋转平台上搭载多个所述托盘，多个所述托盘的相向于所述处理部的面具有沿所述圆周的所述轨迹连续且成为同一平面的部分。