CN110178307A - 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置 - Google Patents

弹性波装置、高频前端电路以及通信装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种弹性波装置，通过使第一边缘区域以及第二边缘区域中的占空比大于中央区域中的占空比而形成低声速区域，并使用了活塞模式，其中，能够有效地抑制由高阶的横模造成的杂散。弹性波装置(1)具备压电基板(2)(压电体)和设置在压电基板(2)上的IDT电极(3)。在IDT电极(3)中依次配置有中央区域(A1)、第一低声速区域、第二低声速区域以及第一高声速区域、第二高声速区域。多个第一电极指(3a2)、第二电极指(3b2)的第一低声速区域、第二低声速区域中的占空比大于中央区域(A1)中的占空比。在将在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速设为v(m/s)时，v≤3299m/s，在将由IDT电极(3)的电极指间距规定的波长设为λ，并将通过波长λ进行了归一化的主电极层的膜厚设为T时，满足T≥0.00018e0.002V+0.014。

Description

弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
技术领域
本发明涉及利用了活塞模式的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。
背景技术
以往，为了抑制无用波，提出了利用了活塞模式的弹性波装置。
例如，在下述的专利文献1示出了利用了活塞模式的弹性波装置的一个例子。在弹性波装置中，IDT电极的多个第一电极指和多个第二电极指在弹性波传播方向上观察时重叠的区域为交叉区域。在专利文献1记载的弹性波装置中，交叉区域具有：在第一电极指、第二电极指延伸的方向上位于中央的中央区域；以及设置在中央区域的第一电极指、第二电极指延伸的方向两侧的第一边缘区域、第二边缘区域。
而且，在下述的专利文献1中，公开了如下的方法，即，在第一边缘区域、第二边缘区域中通过在第一电极指、第二电极指上层叠由电介质或金属构成的质量附加膜而形成低声速区域的方法、通过使第一边缘区域、第二边缘区域中的占空比大于中央区域中的占空比而形成低声速区域的方法。低声速区域的外侧的区域是声速比中央区域中的声速高的高声速区域。通过依次配置中央区域、低声速区域以及高声速区域，从而封闭弹性波的能量，且抑制了由高阶的横模造成的杂散。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2013-518455号公报
发明内容
发明要解决的课题
在此，在通过在第一电极指、第二电极指上层叠由电介质或金属构成的质量附加膜而形成低声速区域的方法的情况下，需要曝光以及成膜的工序，因此存在生产成本变高这样的问题。
因此，从生产成本的观点出发，通过使第一边缘区域、第二边缘区域中的占空比大于中央区域中的占空比而形成低声速区域的方法更优选。然而，在该方法的情况下，存在如下的问题，即，根据IDT电极中的主电极层的材料、膜厚，难以将低声速区域与中央区域的声速差增大某种程度以上，因此存在不能抑制杂散的情况。
本发明的目的在于，提供一种能够在通过使第一边缘区域以及第二边缘区域中的占空比大于中央区域中的占空比而形成低声速区域的、使用了活塞模式的弹性波装置中有效地抑制由高阶的横模造成的杂散的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。
用于解决课题的技术方案
在本发明涉及的弹性波装置的某个宽的方面中，具备：压电体；以及IDT电极，设置在所述压电体上，具有主电极层，所述IDT电极具有：第一汇流条以及第二汇流条，相互对置；多个第一电极指，一端与所述第一汇流条连接；以及多个第二电极指，一端与所述第二汇流条连接，且与所述多个第一电极指相互交替插入，具有：交叉区域，是所述多个第一电极指和所述多个第二电极指在弹性波传播方向上相互重叠的部分，在将所述多个第一电极指延伸的方向或所述多个第二电极指延伸的方向设为长度方向的情况下，所述交叉区域具有：中央区域，位于所述长度方向上的所述第一电极指以及所述第二电极指的中央；第一低声速区域，在所述长度方向上，配置在所述中央区域的所述第一汇流条侧的外侧，且声速与所述中央区域相比为低速；以及第二低声速区域，在所述长度方向上，配置在所述中央区域的所述第二汇流条侧的外侧，且声速与所述中央区域相比为低速，设置有：第一高声速区域，在所述长度方向上，配置在所述第一低声速区域的所述第一汇流条侧的外侧，且声速与所述中央区域相比为高速；以及第二高声速区域，在所述长度方向上，配置在所述第二低声速区域的所述第二汇流条侧的外侧，且声速与所述中央区域相比为高速，所述第一低声速区域以及所述第二低声速区域中的占空比大于所述中央区域中的占空比，在将在作为所述主电极层的主成分的金属中传播的横波体波(bulk wave)的声速设为v(m/s)时，v≤3299m/s，在将由所述IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ，并将通过所述波长λ进行了归一化的所述主电极层的膜厚设为T时，满足下述的式1，
T≥0.00018e0.002v+0.014…式1。
在本发明涉及的弹性波装置的某个特定的方面中，所述IDT电极由包含所述主电极层的多个层构成。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述主电极层将Au、Pt、Ta、Cu、Ni以及Mo中的一种作为主成分。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，在所述IDT电极中，v≤2895m/s，且满足下述的式2，
T≥0.000029e0.0032v+0.02…式2。
在该情况下，能够在能够有效地抑制由高阶的横模造成的杂散的条件下进一步增大IDT电极的中央区域的占空比。因而，能够降低IDT电极的电阻，能够减小插入损耗。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，在所述IDT电极中，v≤2491m/s，且满足下述的式3，
T≥0.000038e0.0035v+0.025…式3。
在该情况下，能够在能够有效地抑制由高阶的横模造成的杂散的条件下更进一步增大IDT电极的中央区域的占空比。因而，能够降低IDT电极的电阻，能够减小插入损耗。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，在所述IDT电极中，v≤2289m/s，且满足下述的式4，
T≥0.000020e0.0042v+0.03…式4。
在该情况下，能够在能够有效地抑制由高阶的横模造成的杂散的条件下进一步增大IDT电极的中央区域的占空比。因而，能够降低IDT电极的电阻，能够减小插入损耗。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，在所述IDT电极中，v≤2087m/s，且满足下述的式5，
T≥0.000017e0.0048v+0.033…式5。
在该情况下，能够在能够有效地抑制由高阶的横模造成的杂散的条件下进一步增大IDT电极的中央区域的占空比。因而，能够降低IDT电极的电阻，能够减小插入损耗。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，所述压电体由LiNbO3构成，所述压电体的欧拉角为欧拉角(0°±5°，θ，0°±10°)，所述压电体的所述欧拉角中的θ为θ≥27°，在将所述主电极层的材料的密度ρ相对于Pt的密度ρPt之比设为r＝ρ/ρPt时，所述欧拉角为(0°±5°，{-0.054/(T×r-0.044)+31.33}°±1.5°，0°±10°)，且T×r≤0.10λ。在该情况下，能够更进一步抑制由SH波造成的杂散。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，在所述IDT电极的所述第一汇流条以及所述第二汇流条设置有开口部，在所述第一汇流条、第二汇流条中，将位于比所述开口部在所述长度方向上靠所述中央区域侧的部分设为内侧汇流条部，将隔着所述开口部与所述内侧汇流条部对置的部分设为外侧汇流条部，在所述第一汇流条中，所述内侧汇流条部为低声速区域，设置有所述开口部的区域为所述第一高声速区域，在所述第二汇流条中，所述内侧汇流条部为低声速区域，设置有所述开口部的区域为所述第二高声速区域。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个宽的方面中，具备：压电体；以及IDT电极，设置在所述压电体上，具有主电极层，所述IDT电极具有：第一汇流条以及第二汇流条，相互对置；多个第一电极指，一端与所述第一汇流条连接；以及多个第二电极指，一端与所述第二汇流条连接，且与所述多个第一电极指相互交替插入，具有：交叉区域，是所述多个第一电极指和所述多个第二电极指在弹性波传播方向上相互重叠的部分，在将所述多个第一电极指延伸的方向或所述多个第二电极指延伸的方向设为长度方向的情况下，所述交叉区域具有：中央区域，位于所述长度方向上的所述第一电极指以及所述第二电极指的中央；第一低声速区域，配置在所述长度方向上且配置在所述中央区域的所述第一汇流条侧的外侧，且声速与所述中央区域相比为低速；以及第二低声速区域，配置在所述长度方向上且配置在所述中央区域的所述第二汇流条侧的外侧，且声速与所述中央区域相比为低速，设置有：第一高声速区域，在所述长度方向上，配置在所述第一低声速区域的所述第一汇流条侧的外侧，且声速与所述中央区域相比为高速；以及第二高声速区域，在所述长度方向上，配置在所述第二低声速区域的所述第二汇流条侧的外侧，且声速与所述中央区域相比为高速，在将所述中央区域中的声速设为V1，并将所述第一低声速区域以及所述第二低声速区域中的声速设为V2时，V2/V1≤0.98。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，还具备：电介质膜，设置在所述压电体上，使得覆盖所述IDT电极。在该情况下，能够保护IDT电极的表面，IDT电极不易破损。
本发明涉及的高频前端电路具备：按照本发明构成的弹性波装置；以及功率放大器。
本发明涉及的通信装置具备：按照本发明构成的高频前端电路；以及RF信号处理电路。
发明效果
根据本发明，能够提供一种能够在通过使第一边缘区域以及第二边缘区域中的占空比大于中央区域中的占空比而形成低声速区域的、使用了活塞模式的弹性波装置中有效地抑制由高阶的横模造成的杂散的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。
图2是本发明的第一实施方式中的IDT电极的放大主视剖视图。
图3是示出被归一化的基模的重叠积分值与声速比V2/V1的关系的图。
图4是示出将由Pt构成的主电极层的厚度设为0.02λ的情况下的、占空比与归一化声速的关系的图。
图5是示出将由Pt构成的主电极层的厚度设为0.04λ的情况下的、占空比与归一化声速的关系的图。
图6是示出将由Pt构成的主电极层的厚度设为0.06λ的情况下的、占空比与归一化声速的关系的图。
图7是示出在第一低声速区域以及第二低声速区域中的声速V2变得最低的情况下声速比V2/V1成为0.98的中央区域的占空比与由Pt构成的主电极层的膜厚的关系的图。
图8是示出声速比V2/V1成为0.98的中央区域的占空比的最大值与在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速v的关系的图。
图9是示出在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速v与中央区域中的占空比为0.40且声速比V2/V1成为0.98的主电极层的膜厚T的关系的图。
图10是示出在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速v与中央区域中的占空比为0.45且声速比V2/V1成为0.98的主电极层的膜厚T的关系的图。
图11是示出在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速v与中央区域中的占空比为0.50且声速比V2/V1成为0.98的主电极层的膜厚T的关系的图。
图12是示出在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速v与中央区域中的占空比为0.525且声速比V2/V1成为0.98的主电极层的膜厚T的关系的图。
图13是示出在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速v与中央区域中的占空比为0.55且声速比V2/V1成为0.98的主电极层的膜厚T的关系的图。
图14是本发明的第一实施方式的第一变形例中的IDT电极的第一电极指的放大主视剖视图。
图15是本发明的第一实施方式的第二变形例中的IDT电极的第一电极指的放大主视剖视图。
图16是本发明的第一实施方式的第三变形例中的IDT电极的第一电极指的放大主视剖视图。
图17是示出第一实施方式的第四变形例中的第一汇流条附近的放大俯视图。
图18是本发明的第一实施方式的第五变形例涉及的弹性波装置的主视剖视图。
图19是示出第二实施方式涉及的弹性波装置的阻抗频率特性的图。
图20是示出第二实施方式涉及的弹性波装置的反射损耗的图。
图21是示出比较例的弹性波装置的阻抗频率特性的图。
图22是示出比较例的弹性波装置的反射损耗的图。
图23是示出本发明的第二实施方式中的压电基板的欧拉角 中的θ的范围的图。
图24是具有高频前端电路的通信装置的结构图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的具体的实施方式进行说明，由此明确本发明。
另外，需要指出，在本说明书记载的各实施方式是例示性的，能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。
图1是本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。另外，在图1中，省略了后述的第一电介质膜、第二电介质膜。
弹性波装置1是单端口型的弹性波谐振器。弹性波装置1具有作为压电体的压电基板2。压电基板2由LiNbO3构成。
在压电基板2上设置有IDT电极3。通过对IDT电极3施加交流电压，从而激励弹性波。在IDT电极3的弹性波传播方向两侧配置有反射器4以及反射器5。
IDT电极3具有相互对置的第一汇流条3a1以及第二汇流条3b1。IDT电极3具有一端与第一汇流条3a1连接的多个第一电极指3a2。进而，IDT电极3具有一端与第二汇流条3b1连接的多个第二电极指3b2。
多个第一电极指3a2和多个第二电极指3b2彼此相互交替插入。IDT电极3具有交叉区域A，该交叉区域A是第一电极指3a2和第二电极指3b2在弹性波传播方向上相互重叠的部分。在此，将第一电极指3a2以及第二电极指3b2延伸的方向设为第一电极指3a2以及第二电极指3b2的长度方向。此时，交叉区域A具有：位于长度方向中央侧的中央区域A1；以及在长度方向上配置在中央区域A1的两侧的第一边缘区域A2a、第二边缘区域A2b。第一边缘区域A2a位于第一汇流条3a1侧，第二边缘区域A2b位于第二汇流条3b1侧。
IDT电极3具有作为第一边缘区域A2a、第二边缘区域A2b的与中央区域A1侧相反侧的区域的第一外侧区域Ba、第二外侧区域Bb。第一外侧区域Ba位于第一边缘区域A2a与第一汇流条3a1之间。第二外侧区域Bb位于第二边缘区域A2b与第二汇流条3b1之间。
图2是第一实施方式中的IDT电极的放大主视剖视图。在此，将第一电极指以及第二电极指中的沿着弹性波传播方向的尺寸设为宽度。图2中的尺寸a示出第一电极指或第二电极指的宽度。尺寸b示出第一电极指的沿着弹性波传播方向的一端和与该第一电极指相邻的第二电极指的上述一端之间的距离。
IDT电极3由层叠了多个金属层的层叠金属膜构成。IDT电极3具有主电极层6b。主电极层6b是构成IDT电极3的多个金属层中的占有最大的质量的电极层。在本实施方式中，主电极层由密度比灿高的金属构成。作为这样的金属，优选使用将Au、Pt、Ta、Cu、Ni以及Mo中的一种作为主成分的金属。另外，主电极层6b的材料并不限定于上述材料，只要是密度比Al高的金属即可。由此，即使在IDT电极3上形成了电介质膜的情况下，也能够提高弹性波的反射系数。
在本实施方式中，IDT电极3在设置在压电基板2上的主电极层6b上设置有导电辅助电极层6d。导电辅助电极层6d由电阻比主电极层6b低的金属构成。更具体地，导电辅助电极层6d例如由A1构成。通过具有导电辅助电极层6d，从而能够降低IDT电极3的电阻。另外，IDT电极3的层叠构造并不限定于上述的层叠构造。此外，IDT电极3也可以由仅具有主电极层6b的单层的金属膜构成。
在压电基板2上设置有作为本发明的电介质膜的第一电介质膜7，使得覆盖IDT电极3。在本实施方式中，第一电介质膜7由SiO2等氧化硅构成。由此，能够改善频率温度特性。除此以外，能够保护IDT电极3的表面，IDT电极3不易破损。另外，第一电介质膜7的材料并不限定于上述的材料。也可以不设置第一电介质膜7。
在第一电介质膜7上设置有第二电介质膜8。在本实施方式中，第二电介质膜8由SiN等氮化硅构成。通过调整第二电介质膜8的膜厚，从而能够容易地进行频率调整。另外，第二电介质膜8的材料并不限定于上述的材料。也可以不设置第二电介质膜8。
返回到图1，多个第一电极指3a2在第一边缘区域A2a以及第二边缘区域A2b中分别具有宽度比其它部分宽的宽宽度部3a3。同样地，多个第二电极指3b2也分别具有宽宽度部3b3。
通过多个第一电极指3a2、第二电极指3b2具有宽宽度部3a3、3b3，从而与中央区域A1中的弹性波的传播方向上的传播速度(以下，称为声速)相比，第一边缘区域A2a以及第二边缘区域A2b中的弹性波的声速成为低速。在此，将中央区域A1中的弹性波的声速设为V1，将第一边缘区域A2a、第二边缘区域A2b中的弹性波的声速设为V2。此时，V1＞V2。像这样，将第一边缘区域A2a设为第一低声速区域，将第二边缘区域A2b设为第二低声速区域。
位于第一外侧区域Ba的部分仅为第一电极指3a2。位于第二外侧区域Bb的部分仅为第二电极指3b2。由此，与中央区域A1中的弹性波的声速相比，第一外侧区域Ba以及第二外侧区域Bb中的弹性波的声速变高。在此，将第一外侧区域Ba、第二外侧区域Bb中的弹性波的声速设为V3。此时，V3＞V1。像这样，第一外侧区域Ba以及第二外侧区域Bb是声速与中央区域A1相比为高速的第一高声速区域以及第二高声速区域。
在中央区域A1的外侧配置有第一低声速区域、第二低声速区域，在第一低声速区域、第二低声速区域的外侧配置有第一高声速区域、第二高声速区域。在此，将第一低声速区域、第二低声速区域的沿着与弹性波传播方向正交的方向的尺寸设为第一低声速区域、第二低声速区域的宽度。此时，通过调整中央区域A1的声速V1、第一低声速区域、第二低声速区域的声速V2、第一高声速区域、第二高声速区域的声速V3、第一低声速区域、第二低声速区域的宽度，从而能够使中央区域A1中的第一电极指延伸的方向以及第二电极指延伸的方向上的弹性波的位移分布大致恒定。由此，活塞模式成立，从而能够抑制由高阶的横模造成的杂散。像这样，弹性波装置1利用了活塞模式。
将像上述的那样的各声速V1、V2、V3的关系示于图1。另外，越朝向图1中的外侧，表示声速越是高速。
在此，本申请的发明人们明确了：在利用了活塞模式的弹性波装置1中，在声速比V2/V1成为0.98以下的情况下，能够有效地抑制杂散。
而且，本申请的发明人们还明确了：在通过使第一边缘区域A2a中的占空比以及第二边缘区域A2b中的占空比大于中央区域A1中的占空比而形成第一低声速区域以及第二低声速区域的、利用了活塞模式(以下，称为“平面活塞模式”。)的弹性波装置1中，声速比V2/V1成为0.98以下的条件为下述1)和2)。
另外，所谓占空比，是弹性波传播方向上的形成有电极的部分的比例，使用图2中的尺寸a以及尺寸b用a/b来表示。此外，在本领域技术人员之间已知：若占空比过小，则不能形成IDT电极，若占空比过大，则不能形成IDT电极的电极指间的间隙，会短路，因此如果占空比不在0.30以上且0.80以下的范围内，则难以形成IDT电极。
1)在将在作为主电极层6b的主成分的金属中传播的横波体波的声速设为v(m/s)时，v≤3299m/s。
2)在将由IDT电极3的电极指间距规定的波长设为λ，并将通过波长λ进行了归一化的主电极层6b的膜厚设为T时，满足下述的式1。
T≥0.00018e0.002v+0.014…式1
也就是说，本申请的发明人们发现了：在利用平面活塞模式的弹性波装置1中，通过选择满足上述1)和2)的条件的、IDT电极3中的主电极层6b的材料以及膜厚，从而能够使第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速差增大某种程度以上，能够抑制杂散。
如上所述，在利用了活塞模式的弹性波装置1中，在声速比V2/V1成为0.98以下的情况下，能够有效地抑制杂散。将其示于下述的图3。
图3是示出被归一化的基模的重叠积分值与声速比V2/V1的关系的图。图3的纵轴是在专利文献1中记载的被归一化的基模的重叠积分值。该积分值被用作表示能够抑制由高阶的横模造成的杂散的程度的指标，被归一化的基模的重叠积分值的值越接近1，表示越可抑制由高阶的横模造成的杂散。横轴是第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比V2/V1。
在求出图3所示的关系时，使用了以下的条件。另外，将交叉区域的沿着与弹性波传播方向正交的方向的尺寸设为交叉宽度。将与弹性波传播方向正交的方向设为交叉宽度方向。
交叉宽度：10λ
第一高声速区域以及第二高声速区域与中央区域的声速比V3/V1：1.08
各向异性系数(下述的式子的1+Γ)：0.7485
第一低声速区域以及第二低声速区域的宽度：按照下述的式6设定
另外，下述的式(6)是日本特表2013-518455号公报(对应的国际公开号为WO2011/088904)中的用式子[数学式5]示出的式子。
[数学式1]
另外，在专利文献1中记载了：若按照上述的式6设定第一低声速区域以及第二低声速区域的宽度，则能够使中央区域中的弹性波的位移分布大致恒定，活塞模式成立。
在该条件下，求出了使第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比V2/V1变化的情况下的、基模的交叉宽度方向上的位移分布的变化。用此求出被归一化的重叠积分值的结果即为图3所示的关系。
如图3所示，在声速比V2/V1为0.98以下的条件下，重叠积分值为大约0.992，是接近于1的值，且大致恒定。然而，若声速比V2/V1变得大于0.98，则重叠积分值急剧变小。因此，在声速比V2/V1为0.98以下的条件下，能够有效地抑制由高阶的横模造成的杂散。
另外，并不限于平面活塞模式，即使在利用了其它的一般的活塞模式的弹性波装置中，在声速比V2/V1成为0.98以下的情况下，也能够有效地抑制杂散。
接着，以下示出在能够制造利用了平面活塞模式的弹性波装置的范围内声速比V2/V1成为0.98以下的条件之一为下述1)。
1)在将在作为主电极层6b的主成分的金属中传播的横波体波的声速设为v(m/s)时，v≤3299m/s。
在此，为了在上述能够制造的范围内使声速比V2/V1最小，需要使上述能够制造的范围内的声速的最小值为V2，使上述能够制造的范围内的声速的最大值为V1。
求出了对主电极层使用Pt并将主电极层的膜厚设为0.02λ、0.04λ、0.06λ的情况下的、相对于占空比的变化的弹性波的声速的变化。条件如下。
压电基板：材料为LiNbO3，欧拉角为(0°，30°，0°)
主电极层：材料为Pt，膜厚为0.02λ、0.04λ、0.06λ
导电辅助电极层：材料为Al，膜厚为0.08λ
第一电介质膜：材料为SiO2，膜厚为0.30λ
第二电介质膜：材料为SiN，膜厚为0.01λ
使用的弹性波：瑞利波
图4是示出将由Pt构成的主电极层的厚度设为0.02λ的情况下的、占空比与归一化声速的关系的图。图5是示出将由Pt构成的主电极层的厚度设为0.04λ的情况下的、占空比与归一化声速的关系的图。图6是示出将由Pt构成的主电极层的厚度设为0.06λ的情况下的、占空比与归一化声速的关系的图。另外，图4～图6中的纵轴是将占空比为0.5的弹性波的声速作为1而进行了归一化的归一化声速。
如图4～图6所示，在对主电极层使用了Pt的情况下，占空比越小，弹性波的声速变得越高，占空比越大，弹性波的声速变得越低。因此，通过使第一边缘区域中的宽度比第一电极指以及第二电极指的中央区域中的宽度宽，从而能够构成第一低声速区域。同样地，通过使第二边缘区域中的宽度比第一电极指以及第二电极指的中央区域中的宽度宽，从而能够构成第二低声速区域。
此外，越减小占空比，声速越上升，因此越减小中央区域的占空比，越能够增大中央区域的声速V1，越能够减小声速比V2/V1。由此，能够有效地抑制由高阶的横模造成的杂散。
另外，由于使占空比过小，从而第一电极指以及第二电极指的宽度变得过窄，变得难以稳定地形成IDT电极，还产生变得难以制造这样的问题。因此，作为占空比的最小值，最好设为0.30以上。
如图4～图6所示，相对于占空比的变化的归一化声速的变化成为所谓的向下凸的状态。即，占空比越大，示出归一化声速的变化的曲线的斜率变得越平缓。归一化声速在占空比为0.80附近成为极小。因此，第一低声速区域以及第二低声速区域的占空比优选设定为声速成为极小的值。不过，若使占空比过大，则彼此相邻的第一电极指与第二电极指之间的绝缘耐压劣化，变得难以制造，因此最好设为0.80以下。在对主电极层使用Pt的情况下，第一低声速区域以及第二低声速区域的占空比优选为0.80。
在由Pt构成的主电极层的膜厚为0.02λ的情况下，在占空比为0.80的情况下，归一化声速成为0.989，成为极小。也就是说，在将该条件选为第一低声速区域以及第二低声速区域的占空比的情况下，第一低声速区域以及第二低声速区域的归一化声速V2成为0.989。另外，第一低声速区域以及第二低声速区域的归一化声速与声速同样地用V2表示。中央区域的归一化声速也与声速同样地用V1表示。
另一方面，若使中央区域的占空比为0.41，则中央区域的归一化声速V1成为1.009。此时，第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比成为V2/V1＝0.989/1.009＝0.98。因此，在由Pt构成的主电极层的膜厚为0.02λ的情况下，通过将中央区域的占空比设为0.41以下，从而能够将第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比V2/V1设为0.98以下。
同样地，在主电极层的膜厚为0.04λ的情况下，在占空比为0.80的情况下，归一化声速为0.980，成为极小。也就是说，在将该条件选为第一低声速区域以及第二低声速区域的占空比的情况下，第一低声速区域以及第二低声速区域的归一化声速V2成为0.980。另一方面，若使中央区域的占空比为0.50，则中央区域的归一化声速V1成为1.000。此时，第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比成为V2/V1＝0.980/1.000＝0.98。因此，在由Pt构成的主电极层的膜厚为0.04λ的情况下，通过将中央区域的占空比设为0.50以下，从而能够将第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比V2/V1设为0.98以下。
同样地，在主电极层的膜厚为0.06λ的情况下，在占空比为0.80的情况下，归一化声速为0.974，成为极小。也就是说，在将该条件选为第一低声速区域以及第二低声速区域的占空比的情况下，第一低声速区域以及第二低声速区域的归一化声速V2成为0.974。另一方面，若使中央区域的占空比为0.53，则中央区域的归一化声速V1成为0.994。此时，第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比成为V2/V1＝0.974/0.994＝0.98。因此，在由Pt构成的主电极层的膜厚为0.06λ的情况下，通过将中央区域的占空比设为0.53以下，从而能够将第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比V2/V1设为0.98以下。
在由Pt构成的主电极层的膜厚为上述以外的情况下，也求出了在将第一低声速区域以及第二低声速区域的占空比设为在上述能够制造的范围内声速V2变得最低的占空比的情况下声速比V2/V1成为0.98的中央区域的占空比。将其示于下述的图7。
图7是示出在第一低声速区域以及第二低声速区域中的声速V2变得最低的情况下声速比V2/V1成为0.98的中央区域的占空比与由Pt构成的主电极层的膜厚的关系的图。
如图7所示，为了在将声速比V2/V1设为0.98的状态下增大中央区域的占空比，需要将主电极层的膜厚增厚。然而，即使使主电极层的膜厚为0.12λ以上的厚度，能够将声速比V2/V1设为0.98的占空比也不会变得大于0.557。也就是说，为了将Pt用于主电极层并实现平面活塞模式，需要将中央区域的占空比设为0.557以下，进而设为与该占空比相应的主电极层的膜厚。更具体地，需要使主电极层的膜厚为中央区域的占空比的值成为由图7中的曲线示出的值以上的膜厚。
根据以往的见解，认为通过将主电极层的膜厚增厚，从而声速对占空比的依赖性变高，能够容易地增大声速差。但是，令人惊讶的是，本申请的发明人们根据该结果发现，即使将主电极层的膜厚增厚某种程度以上，声速对占空比的依赖性也不会变高。也就是说，本申请的发明人们发现，能够通过平面活塞模式来抑制杂散的中央区域的占空比有上限。
对于将Pt以外的金属用于主电极层的情况也进行了同样的操作，并求出了能够将声速比V2/V1设为0.98的中央区域的最大的占空比。对多个种类的金属进行了该操作。
而且，求出了在上述中求出的能够将声速比V2/V1设为0.98的中央区域的最大的占空比与在主电极层传播的横波体波的声速v的关系。
将其结果示于图8。另外，图8是示出声速比V2/V1成为0.98的中央区域的占空比的最大值与在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速v的关系的图。
可是，在金属中传播的横波体波的声速在各种金属中是固有的值。在此，将在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速设为v(m/s)。在金属中传播的横波体波的声速v用v＝(c44/ρ)0.5表示。另外，ρ(kg/m3)为金属的密度，c44(Pa)是金属的弹性刚度常数的元素之一。在此处理的金属视为各向同性体，因此弹性刚度常数cij用以下的行列式表示。
[数学式2]
在此，将作为在本发明中适合用于主电极层的金属的Au、Pt、Ta、Cu、Ni以及Mo的密度ρ(kg/m3)、弹性常数c44、以及在金属中传播的横波体波的声速v示于表1。
[表1]
密度ρ[kg/m<sup>3</sup>] c<sub>44</sub>[GPa] 横波体波声速v[m/s]
Au 19300 29.9 1244.7
Pt 21370 61 1689.5
Ta 16600 81.82 2220.1
Cu 8930 51.4 2399.1
Ni 8850 92.9 3239.9
Mo 10280 109 3256.2
如图8所示，可知在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速v变得越低，能够使声速比V2/V1为0.98以下的中央区域的占空比的最大值变得越大。即，在不使用横波体波的声速为某个恒定值以下的金属作为主电极层的情况下，无论如何设定第一低声速区域以及第二低声速区域的占空比，如果不将中央区域的占空比设定为上述最大值以下的小的值，则不能使声速比V2/V1的值为0.98以下。
中央区域的占空比的上限根据主电极层的材料而取不同的值。而且，本申请的发明人们根据该结果发现，在主电极层的材料的物性值之中，该中央区域的占空比的上限值与在金属中传播的横波体波的声速v的关联尤其高。因此，为了达到作为本发明的目的的杂散的抑制，用于主电极层的金属的种类有限。即，需要将横波声速小的金属用作主电极层。
在此，根据图8，在将声速比V2/V1成为0.98的中央区域的占空比的最大值设为DM时，DM与在作为IDT电极的主电极层6b的主成分的金属中传播的横波体波的声速v(m/s)的关系式能够用下述的式子表示。
DM＝-0.0001238v+0.8085
例如，为了在使IDT电极的中央区域的占空比为0.40的同时将声速比V2/V1设为0.98以下，根据上述的式子，需要将满足v≤3299m/s的金属用于IDT电极的主电极层。另外，在中央区域的占空比小于0.40的情况下，与占空比为0.40的情况相比，中央区域的声速V1变高，因此通过将满足上述的条件的金属用于主电极层，从而同样能够使声速比V2/V1为0.98以下。
接着，以下示出声速比V2/V1成为0.98以下的条件之一为下述2)。
2)在将由IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ，并将通过波长λ进行了归一化的主电极层的膜厚设为T时，满足下述的式1。
T≥0.00018e0.002v+0.014…式1
在此，因为将中央区域的占空比设为0.40，所以为了使声速比V2/V1为最小值，需要使V1为占空比为0.40时的值，并使V2为占空比为上述能够制造的范围内的最小值。因为需要设为V2＜V1，所以需要使第一低声速区域以及第二低声速区域的占空比大于中央区域的占空比，需要使V2为占空比为0.40以上且0.80以下的范围内的最小值。
另外，根据由满足上述1)的条件的金属构成的主电极层的膜厚的值，占空比为0.40时的值以及占空比为0.4以上且0.80以下的范围内的最小值不同。因此，在下述中，关于用于主电极层的材料和主电极层的膜厚，对声速比V2/V1成为0.98以下的条件进行详细研究。
将中央区域的占空比设为0.40，将第一低声速区域以及第二低声速区域的占空比设为在0.40以上且0.80以下的范围内声速变得最低的占空比。在该情况下，在主电极层由Pt构成时，如图7所示，第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比成为0.98的主电极层的膜厚为0.019λ。
同样地，关于将Au、Cu、Mo、Ta、Ni等满足上述1)的金属用于主电极层的情况，也求出了与图7所示的关系同样的关系。将中央区域的占空比设为0.40，将第一低声速区域以及第二低声速区域的占空比设为在0.40以上且0.80以下的范围内声速变得最低的占空比，在该情况下，求出了第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比V2/V1成为0.98的主电极层的膜厚T。求出了该膜厚T与在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速v的关系。
图9是示出在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速v与中央区域中的占空比为0.40且声速比V2/V1成为0.98的主电极层的膜厚T的关系的图。
图9所示的绘制点大致位于由下述的式子表示的曲线上。
T＝0.00018e0.002v+0.014
通过使主电极层的膜厚比由该式子表示的膜厚T厚，从而能够将第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比V2/V1设为0.98以下。另外，在中央区域的占空比小于0.40的情况下，与占空比为0.40的情况相比，中央区域的声速V1变高，因此通过使主电极层的膜厚比由上述的式子表示的膜厚T厚，从而同样能够使声速比V2/V1为0.98以下。因此，通过将满足上述1)的金属用于主电极层，并满足下述的式1的条件，从而能够使声速比V2/V1为0.98以下。
T≥0.00018e0.002v+0.014…式1
条件1)以及2)是能够在中央区域的占空比为0.4的情况下有效地抑制杂散的条件。在中央区域的占空比小于0.4的情况下，与占空比为0.4的情况相比，中央区域的声速V1变高，因此通过将满足上述的条件1)以及2)的金属用于主电极层，从而能够使声速比V2/V1为0.98以下，能够有效地抑制杂散。即，通过将满足条件1)以及2)的金属用于主电极层，从而中央区域的占空比能够选择0.3以上且0.4以下的范围。
此外，在主电极层的膜厚过厚的情况下，变得难以形成IDT电极，在IDT电极上形成电介质膜时，存在在电介质膜中容易产生裂纹这样的问题。因此，主电极层的膜厚T最好设为T≤0.20λ。
如前所述，越减小中央区域的占空比，越能够增大中央区域的声速V1，越能够减小声速比V2/V1。由此，能够有效地抑制由高阶的横模造成的杂散。但是，若使占空比过小，则第一电极指以及第二电极指的电阻变得过大，产生弹性波装置的插入损耗变大这样的问题。因此，最好尽量增大中央区域的占空比。由此，能够减小弹性波装置的插入损耗。根据以上的情况，杂散的抑制与减小插入损耗成为此消彼长的关系。在本实施方式中，能够改善该此消彼长而使它们两全。
例如，在将IDT电极的中央区域的占空比增大至0.45且声速比V2/V1成为0.98以下的情况下，能够有效地抑制杂散，且能够减小IDT电极的电阻。本申请的发明人们发现，使IDT电极的中央区域的占空比为0.45且声速比V2/V1成为0.98以下的条件为下述3)以及4)。
3)在将在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速设为v(m/s)时，v≤2895m/s。
4)在将由IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ，并将通过波长λ进行了归一化的主电极层的膜厚设为T时，满足下述的式2。
T≥0.000029e0.0032v+0.02…式2
以下示出使IDT电极的中央区域的占空比为0.45且声速比V2/V1成为0.98以下的条件为上述3)以及4)。
首先，如图8所示，在将中央区域的占空比设为0.45的情况下，对能够使声速比为0.98以下的金属材料的横波体波声速v的条件为v≤2895m/s。另外，在中央区域的占空比小于0.45的情况下，与占空比为0.45的情况相比，中央区域的声速V1变高，因此通过将满足上述的条件的金属用于主电极层，从而同样能够使声速比V2/V1为0.98以下。
而且，在满足上述3)的条件的金属中，在占空比为0.45时声速成为最大值，因此为了使声速比V2/V1为最小值，将V1设为占空比为0.45时的值，将V2设为占空比为0.45以上且0.8以下的范围内的最小值。
另外，根据由满足上述3)的条件的金属构成的主电极层的膜厚的值，占空比为0.45时的值以及占空比为0.45以上且0.8以下的范围内的最小值不同。因此，在下述中，关于用于主电极层的材料和主电极层的膜厚，对声速比V2/V1成为0.98以下的条件进行详细研究。
将中央区域的占空比设为0.45，将低声速区域的占空比设为在0.45以上且0.80以下的范围内声速变得最低的占空比。在该情况下，在主电极层由Pt构成时，如图7所示，第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比V2/V1成为0.98的主电极层的膜厚为0.027λ。
同样地，关于将Au、Cu、Ta等满足上述3)的金属用于主电极层的情况，也求出了与图7所示的关系同样的关系。将中央区域的占空比设为占空比0.45，将第一低声速区域以及第二低声速区域的占空比设为在0.45以上且0.80以下的范围内声速变得最低的占空比，在该情况下，求出了第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比V2/V1成为0.98的主电极层的膜厚T。求出了该膜厚T与在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速v的关系。
图10是示出在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速v与中央区域中的占空比为0.45且声速比V2/V1成为0.98的主电极层的膜厚T的关系的图。
图10所示的绘制点大致位于由下述的式子表示的曲线上。
T＝0.000029e0.0032v+0.02
通过使主电极层的膜厚比由该式子表示的膜厚T厚，从而能够将第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比V2/V1设为0.98以下。另外，在中央区域的占空比小于0.45的情况下，与占空比为0.45的情况相比，中央区域的声速V1变高，因此通过使主电极层的膜厚比由上述的式子表示的膜厚T厚，从而同样能够使声速比V2/V1为0.98以下。
因此，通过将满足上述3)的金属用作主电极层，并满足下述式2的条件，从而能够使声速比V2/V1为0.98以下。
T≥0.000029e0.0032v+0.02…式2
条件3)以及4)是能够在中央区域的占空比为0.45时有效地抑制杂散的条件。在中央区域的占空比小于0.45的情况下，与占空比为0.45的情况相比，中央区域的声速V1变高，因此通过将满足上述的条件3)以及4)的金属用于主电极层，从而能够使声速比V2/V1为0.98以下，能够有效地抑制杂散。即，通过将满足条件3)以及4)的金属用于主电极层，从而中央区域的占空比能够选择0.3以上且0.45以下的范围。即，变得能够选择大的占空比，因此能够降低电极指的电阻，能够减小弹性波装置的插入损耗。
在将IDT电极的中央区域的占空比增大至0.50的情况下，能够进一步降低IDT电极的电阻，能够使插入损耗更小。本申请的发明人们发现，使IDT电极的中央区域的占空比为0.50且声速比V2/V1成为0.98以下的条件为下述5)和6)。
5)在将在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速设为v(m/s)时，v≤2491m/s。
6)在将由IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ，并将通过波长λ进行了归一化的主电极层的膜厚设为T时，满足下述的式3。
T≥0.000038e0.0035v+0.025…式3
首先，如图8所示，在将中央区域的占空比设为0.50的情况下，对能够使声速比为0.98以下的金属材料的横波体波声速v的条件为v≤2491m/s。另外，在中央区域的占空比小于0.50的情况下，与占空比为0.50的情况相比，中央区域的声速V1变高，因此通过将满足上述的条件的金属用于主电极层，从而同样能够使声速比V2/V1为0.98以下。
而且，在满足上述5)的条件的金属中，在占空比为0.50时声速成为最大值，因此为了使声速比V2/V1为最小值，将V1设为占空比为0.50时的值，将V2设为占空比为0.5以上且0.8以下的范围内的最小值。
另外，根据由满足上述5)的条件的金属构成的主电极层的膜厚的值，占空比为0.50时的值以及占空比为0.50以上且0.80以下的范围内的最小值不同。因此，在下述中，关于用于主电极层的材料和主电极层的膜厚，对声速比V2/V1成为0.98以下的条件进行详细研究。
将中央区域的占空比设为0.50，将低声速区域的占空比设为在占空比为0.50以上且0.80以下的范围内声速变得最低的占空比。在该情况下，在主电极层由Pt构成时，如图7所示，第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比V2/V1成为0.98的主电极层的膜厚为0.04λ。
同样地，关于将Au、Ta等满足上述5)的金属用于主电极层的情况，也求出了与图7所示的关系同样的关系。将中央区域的占空比设为0.50，将第一低声速区域以及第二低声速区域的占空比设为在0.50以上且0.80以下的范围内声速变得最低的占空比，在该情况下，求出了第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比V2/V1成为0.98的主电极层的膜厚T。求出了该膜厚T与在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速v的关系。
图11是示出在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速v与中央区域中的占空比为0.50且声速比V2/V1成为0.98的主电极层的膜厚T的关系的图。
图11所示的绘制点大致位于由下述的式子表示的曲线上。
T＝0.000038e0.0035v+0.025
通过使主电极层的膜厚比由该式子表示的膜厚T厚，从而能够将第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比V2/V1设为0.98以下。另外，在中央区域的占空比小于0.50的情况下，与占空比为0.50的情况相比，中央区域的声速V1变高，因此通过使主电极层的膜厚比由上述的式子表示的膜厚T厚，从而同样能够使声速比V2/V1为0.98以下。
因此，通过将满足上述5)的金属用作主电极层，并满足下述式3的条件，从而能够使声速比V2/V1为0.98以下。
T≥0.000038e0.0035v+0.025…式3
条件5)以及6)是能够在中央区域的占空比为0.5时有效地抑制杂散的条件。在中央区域的占空比小于0.5的情况下，与占空比为0.5的情况相比，中央区域的声速V1变高，因此通过将满足上述的条件5)以及6)的金属用于主电极层，从而能够使声速比V2/V1为0.98以下，能够有效地抑制杂散。即，通过将满足条件5)以及6)的金属用于主电极层，从而中央区域的占空比能够选择0.3以上且0.5以下的范围。即，变得能够选择更加大的占空比，因此能够更进一步降低电极指的电阻，能够进一步减小弹性波装置的插入损耗。
在此，越增大IDT电极的中央区域的占空比，越能够降低IDT电极的电阻，越能够减小插入损耗。例如，在将IDT电极的中央区域的占空比增大至0.525且声速比V2/V1成为0.98以下的情况下，能够有效地抑制杂散，且能够更进一步降低IDT电极的电阻。本申请的发明人们发现，使IDT电极的中央区域的占空比为0.525且声速比V2/V1成为0.98以下的条件为下述7)以及8)。
7)在将在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速设为v(m/s)时，v≤2289m/s。
8)在将由IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ，并将通过波长λ进行了归一化的主电极层的膜厚设为T时，满足下述的式4。
T≥0.000020e0.0042v+0.030…式4
以下示出使IDT电极的中央区域的占空比为0.525且声速比V2/V1成为0.98以下的条件为上述7)以及8)。
首先，如图8所示，在将中央区域的占空比设为0.525的情况下，对能够使声速比为0.98以下的金属材料的横波体波声速v的条件为v≤2289m/s。另外，在中央区域的占空比小于0.525的情况下，与占空比为0.525的情况相比，中央区域的声速V1变高，因此通过将满足上述的条件的金属用于主电极层，从而同样能够使声速比V2/V1为0.98以下。
而且，在满足上述7)的条件的金属中，在占空比为0.525时声速成为最大值，因此为了使声速比V2/V1为最小值，将V1设为占空比为0.525时的值，将V2设为占空比为0.525以上且0.8以下的范围内的最小值。
另外，根据由满足上述7)的条件的金属构成的主电极层的膜厚的值，占空比为0.525时的值以及占空比为0.525以上且0.8以下的范围内的最小值不同。因此，在下述中，关于用于主电极层的材料和主电极层的膜厚，对声速比V2/V1成为0.98以下的条件进行详细研究。
将中央区域的占空比设为0.525，将低声速区域的占空比设为在0.525以上且0.80以下的范围内声速变得最低的占空比。在该情况下，在主电极层由Pt构成时，如图7所示，第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比V2/V1成为0.98的主电极层的膜厚为0.053λ。
同样地，关于将Au、Ta等满足上述7)的金属用于主电极层的情况，也求出了与图7所示的关系同样的关系。将中央区域的占空比设为占空比0.525，将第一低声速区域以及第二低声速区域的占空比设为在0.525以上且0.80以下的范围内声速变得最低的占空比，在该情况下，求出了第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比V2/V1成为0.98的主电极层的膜厚T。求出了该膜厚T与在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速v的关系。
图12是示出在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速v与中央区域中的占空比为0.525且声速比V2/V1成为0.98的主电极层的膜厚T的关系的图。
图12所示的绘制点大致位于由下述的式子表示的曲线上。
T＝0.000020e0.0042v+0.030
通过使主电极层的膜厚比由该式子表示的膜厚T厚，从而能够将第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比V2/V1设为0.98以下。另外，在中央区域的占空比小于0.525的情况下，与占空比为0.525的情况相比，中央区域的声速V1变高，因此通过使主电极层的膜厚比由上述的式子表示的膜厚T厚，从而同样能够使声速比V2/V1为0.98以下。
因此，通过将满足上述7)的金属用作主电极层，并满足下述式4的条件，从而能够使声速比V2/V1为0.98以下。
T≥0.000020e0.0042v+0.030…式4
条件7)以及8)是能够在中央区域的占空比为0.525时有效地抑制杂散的条件。在中央区域的占空比小于0.525的情况下，与占空比为0.525的情况相比，中央区域的声速V1变高，因此通过将满足上述的条件7)以及8)的金属用于主电极层，从而能够使声速比V2/V1为0.98以下，能够有效地抑制杂散。即，通过将满足条件7)以及8)的金属用于主电极层，从而中央区域的占空比能够选择0.3以上且0.525以下的范围。即，变得能够选择更加大的占空比，因此能够更进一步降低电极指的电阻，能够进一步减小弹性波装置的插入损耗。
在此，越增大IDT电极的中央区域的占空比，越能够降低IDT电极的电阻，越能够减小插入损耗。例如，在将IDT电极的中央区域的占空比增大至0.55且声速比V2/V1成为0.98以下的情况下，能够有效地抑制杂散，且能够更进一步降低IDT电极的电阻。本申请的发明人们发现，使IDT电极的中央区域的占空比为0.55且声速比V2/V1成为0.98以下的条件为下述9)以及10)。
9)在将在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速设为v(m/s)时，v≤2087m/s。
10)在将由IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ，并将通过波长λ进行了归一化的主电极层的膜厚设为T时，满足下述的式5。
T≥0.000017e0.0048v+0.033…式5
以下示出使IDT电极的中央区域的占空比为0.55且声速比V2/V1成为0.98以下的条件为上述9)以及10)。
首先，如图8所示，在将中央区域的占空比设为0.55的情况下，对能够使声速比为0.98以下的金属材料的横波体波声速v的条件为v≤2087m/s。另外，在中央区域的占空比小于0.55的情况下，与占空比为0.55的情况相比，中央区域的声速V1变高，因此通过将满足上述的条件的金属用于主电极层，从而同样能够使声速比V2/V1为0.98以下。
而且，在满足上述9)的条件的金属中，在占空比为0.55时声速成为最大值，因此为了使声速比V2/V1为最小值，将V1设为占空比为0.55时的值，将V2设为占空比为0.55以上且0.8以下的范围内的最小值。
另外，根据由满足上述9)的条件的金属构成的主电极层的膜厚的值，占空比为0.55时的值以及占空比为0.55以上且0.8以下的范围内的最小值不同。因此，在下述中，关于用于主电极层的材料和主电极层的膜厚，对声速比V2/V1成为0.98以下的条件进行详细研究。
将中央区域的占空比设为0.55，将低声速区域的占空比设为在0.55以上且0.80以下的范围内声速变得最低的占空比。在该情况下，在主电极层由Pt构成时，如图7所示，第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比V2/V1成为0.98的主电极层的膜厚为0.090λ。
同样地，关于将Au等满足上述9)的金属用于主电极层的情况，也求出了与图7所示的关系同样的关系。将中央区域的占空比设为占空比0.55，将第一低声速区域以及第二低声速区域的占空比设为在0.55以上且0.80以下的范围内声速变得最低的占空比，在该情况下，求出了第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比V2/V1成为0.98的主电极层的膜厚T。求出了该膜厚T与在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速v的关系。
图13是示出在作为主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速v与中央区域中的占空比为0.55且声速比V2/V1成为0.98的主电极层的膜厚T的关系的图。
图13所示的绘制点大致位于由下述的式子表示的曲线上。
T＝0.000017e0.0048v+0.033
通过使主电极层的膜厚比由该式子表示的膜厚T厚，从而能够将第一低声速区域以及第二低声速区域与中央区域的声速比V2/V1设为0.98以下。另外，在中央区域的占空比小于0.55的情况下，与占空比为0.55的情况相比，中央区域的声速V1变高，因此通过使主电极层的膜厚比由上述的式子表示的膜厚T厚，从而同样能够使声速比V2/V1为0.98以下。
因此，通过将满足上述9)的金属用作主电极层，并满足下述式5的条件，从而能够使声速比V2/V1为0.98以下。
T≥0.000017e0.0048v+0.033…式5
条件9)以及10)是能够在中央区域的占空比为0.55时有效地抑制杂散的条件。在中央区域的占空比小于0.55的情况下，与占空比为0.55的情况相比，中央区域的声速V1变高，因此通过将满足上述的条件9)以及10)的金属用于主电极层，从而能够使声速比V2/V1为0.98以下，能够有效地抑制杂散。即，通过将满足条件9)以及10)的金属用于主电极层，从而中央区域的占空比能够选择0.3以上且0.55以下的范围。即，变得能够选择更加大的占空比，因此能够更进一步降低电极指的电阻，能够进一步减小弹性波装置的插入损耗。
如上所述，在第一实施方式中，IDT电极是主电极层以及导电辅助电极层的层叠体。另外，IDT电极只要具有主电极层即可，层叠构造并不限定于上述的层叠构造。以下，通过第一实施方式的第一变形例～第三变形例示出IDT电极的层叠构造的例子。
在图14所示的第一实施方式的第一变形例中，在压电基板2上设置有密接层6a。在密接层6a上层叠有主电极层6b。密接层6a例如由Ti或NiCr构成。因为设置有密接层6a，所以能够提高IDT电极13对压电基板2的密接性。
在图15所示的第一实施方式的第二变形例中的IDT电极23中，从压电基板2侧起依次层叠有密接层6a、主电极层6b以及密接层6e。
在图16所示的第一实施方式的第三变形例中的IDT电极33中，从压电基板2侧起依次层叠有密接层6a、主电极层6b、扩散防止层6c、导电辅助电极层6d以及密接层6e。扩散防止层6c例如由Ti构成。通过具有扩散防止层6c，从而不易产生主电极层6b与导电辅助电极层6d之间的相互扩散。因而，不易产生IDT电极33的劣化。
在此，在图1所示的第一实施方式中，第一高声速区域以及第二高声速区域设置在第一汇流条3a1与第一边缘区域A2a之间以及第二汇流条3b1与第二边缘区域A2b之间。另外，第一高声速区域以及第二高声速区域也可以设置在第一汇流条3a1内以及第二汇流条3b1内。将其示于下述的第一实施方式的第四变形例。
图17是示出第一实施方式的第四变形例中的第一汇流条附近的放大俯视图。
在本变形例中，在第一汇流条53a1内设置有多个开口部55，第一汇流条53a1被划分为内侧汇流条部53A、中央汇流条部53B以及外侧汇流条部53C。内侧汇流条部53A与第一边缘区域一起作为第一低声速区域发挥功能，中央汇流条部53B作为第一高声速区域发挥功能。在此，将内侧汇流条部53A中的声速设为V4，将中央汇流条部53B中的声速设为V5，将外侧汇流条部53C中的声速设为V6，此时，V5在全部区域之中成为最高声速。声速成为V2～V4的区域作为低声速区域发挥功能，声速成为V5的区域作为高声速区域发挥功能，因此各区域的声速关系成为V5＞V1＞(V2～V4的平均)，活塞模式成立。
将像上述的那样的各声速V1～V6的关系示于图17。越朝向图17中的外侧，表示声速越是高速。另外，第二汇流条侧也与第一汇流条53a1侧同样地构成。
可是，虽然在第一实施方式中，压电体为压电基板2，但是也可以像图18所示的第一实施方式的第五变形例那样，压电体为压电薄膜42。例如，也可以在压电薄膜42的与设置有IDT电极3的面相反侧的面设置有低声速膜43。也可以在低声速膜43的与压电薄膜42侧相反侧的面设置有高声速构件44。
在此，所谓低声速膜43，是传播的体波的声速与在压电薄膜42传播的弹性波的声速相比为低速的膜。低声速膜43例如由将玻璃、氧化硅、氮氧化硅、氧化钽或氧化硅中添加了氟、碳、硼的化合物作为主成分的材料等构成。另外，低声速膜43的材料只要是相对低声速的材料即可。
所谓高声速构件44，是传播的体波的声速与在压电薄膜42传播的弹性波的声速相比为高速的构件。高声速构件44例如由将氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮氧化硅、硅、DLC膜或金刚石作为主成分的材料等构成。另外，高声速构件44的材料只要是相对高声速的材料即可。
高声速构件44可以是高声速膜，或者也可以是高声速基板。在像这样具有低声速膜43以及高声速构件44的情况下，能够有效地封闭弹性波的能量。
以往，有时在通带附近产生通过活塞模式抑制的由高阶的横模造成的杂散以外的杂散。例如，对于使用瑞利波的弹性波装置，SH波成为杂散，对于使用洛夫波(Love wave)等SH波的弹性波装置，瑞利波成为杂散。
在以下所示的第二实施方式的弹性波装置中，除了由高阶的横模造成的杂散以外，在使用瑞利波的情况下，还能够抑制由SH波造成的杂散。
在第二实施方式的弹性波装置中，压电基板由LiNbO3构成，压电基板的欧拉角规定为如下所示。此外，形成有由氧化硅构成的第一电介质膜。除了上述的方面以外，第二实施方式的弹性波装置具有与图1所示的第一实施方式的弹性波装置1同样的结构。另外，在第二实施方式中，使用瑞利波。
更具体地，在第二实施方式中，压电基板的欧拉角为欧拉角(0°±5°，θ，0°±10°)。欧拉角中的θ为θ≥27°。
在此，将主电极层的材料的密度相对于Pt的密度ρPt之比设为r＝ρ/ρPt。此时，压电基板2的欧拉角为(0°±5°，{-0.054/(T×r-0.044)+31.33}°±1.5°，0°±10°)。由此，能够更进一步抑制在使用瑞利波的情况下成为问题的由SH波造成的杂散。除此以外，与第一实施方式同样地，能够抑制由高阶的横模造成的杂散。另外，欧拉角 中的θ与主电极层的膜厚T的上述关系式的细节将后述。
以下，更详细地说明第二实施方式中的效果。
在第二实施方式中，对主电极层使用Pt，测定了阻抗频率特性以及反射损耗。在此，将频率设为将谐振频率作为1的归一化频率。另外，条件如下。
压电基板：材料为LiNbO3，欧拉角为(0°，30°，0°)
主电极层：材料为Pt，膜厚为0.085λ
导电辅助电极层：材料为Al，膜厚为0.08λ
第一电介质膜：材料为SiO2，膜厚为0.30λ
第二电介质膜：材料为SiN，膜厚为0.01λ
中央区域的占空比：0.50
使用的弹性波：瑞利波
进而，测定了压电基板的欧拉角中的θ为第二实施方式的范围外的、比较例中的阻抗频率特性以及反射损耗。另外，条件如下。在比较例中，IDT电极的膜结构与第二实施方式相同，但是将压电基板的欧拉角设为了以往使用瑞利波的弹性波装置中的条件。
压电基板：材料为LiNbO3，欧拉角为(0°，38°，0°)
主电极层：材料为Pt，膜厚为0.085λ
导电辅助电极层：材料为Al，膜厚为0.08λ
第一电介质膜：材料为SiO2，膜厚为0.30λ
第二电介质膜：材料为SiN，膜厚为0.01λ
中央区域的占空比：0.50
使用的弹性波：瑞利波
图19是示出第二实施方式涉及的弹性波装置的阻抗频率特性的图。图20是示出第二实施方式涉及的弹性波装置的反射损耗的图。图21是示出比较例的弹性波装置的阻抗频率特性的图。图22是示出比较例的弹性波装置的反射损耗的图。
如图21以及图22所示，可知在比较例中，在比谐振频率靠低频侧产生了大的杂散。该杂散是由SH波造成的杂散。
相对于此，如图19以及图20所示，可知在第二实施方式中，抑制了由SH波造成的杂散。SH波的机电耦合系数根据压电基板的欧拉角 中的θ的值、IDT电极的主电极层的厚度等而不同。在第二实施方式中，通过将欧拉角设为上述范围内，从而能够使SH波的机电耦合系数大致为0。因此，能够有效地抑制由SH波造成的杂散。另外，如图19以及图20所示，还可知，几乎未产生由高阶的横模造成的杂散。
像以下那样求出了欧拉角中的θ与主电极层的膜厚T的上述关系式。在使压电基板的欧拉角中的θ的值变化的情况下，求出了SH波的机电耦合系数成为0的主电极层的膜厚。将该θ的值以及主电极层的膜厚示于下述的表2。另外，对主电极层使用了Pt。
[表2]
主电极层(Pt)的膜厚(λ) θ(°)
0.045 23
0.0475 25
0.05 26.5
0.055 28
0.06 29
0.065 29.25
0.07 29.75
0.0775 30
0.0875 30.25
0.0975 30.5
0.1 30.5
上述表2所示的压电基板的欧拉角中的θ与主电极层的膜厚的关系可通过下述的式子表示。另外，将对主电极层使用了Pt的情况下的主电极层的膜厚设为TPt。
θ＝-0.054/(TPt-0.044)+31.33
另外，在表2中，在由Pt构成的主电极层的膜厚比较薄、欧拉角中的θ比较小的条件下，相对于主电极层的膜厚的变化，SH波的机电耦合系数成为0的θ的值大幅变化。相对于此，在主电极层的膜厚比较厚、上述θ比较大的条件下，相对于主电极层的膜厚的变化，SH波的机电耦合系数成为0的θ的值的变化极小。也就是说，在上述θ的值比较小的条件下，相对于由制造时的偏差等造成的主电极层的厚度的变动，SH波的机电耦合系数的大小的变动大，由SH波造成的杂散的大小的变动也变大。因此，欧拉角中的θ最好设为θ≥27°的范围。
可知，在对主电极层使用Pt以外的金属的情况下，只要将主电极层的膜厚T设为使用主电极层的材料的密度p相对于Pt的密度ρPt之比r＝ρ/ρPt进行了换算的膜厚即可。即，即使对主电极层使用了Pt以外的金属，也能够通过下述的式子表示SH波的机电耦合系数成为0时的、欧拉角中的θ与主电极层的膜厚T的关系。
θ＝-0.054/(T×r-0.044)+31.33
另外，即使欧拉角中的θ在{-0.054/(T×r-0.044)+31.33}°±1.5°的范围内，也能够将SH波的机电耦合系数设为接近于0的值。因而，能够有效地抑制由SH波造成的杂散。
图23是示出第二实施方式中的压电基板的欧拉角中的θ的范围的图。在图23中，实线示出θ＝-0.054/(T×r-0.044)+31.33的关系。各虚线分别示出θ＝{-0.054/(T×r-0.044)+31.33}+1.5以及θ＝{-0.054/(T×r-0.044)+31.33}-1.5的关系。各单点划线分别示出T×r＝0.10λ以及θ＝27°。
在第二实施方式中，欧拉角中的θ是图23中的被虚线以及单点划线包围的范围内的值。如上所述，θ为{-0.054/(T×r-0.044)+31.33}°±1.5°的范围内，因此能够有效地抑制由SH波造成的杂散。在第二实施方式中，θ≥27°，因此能够稳定地抑制由SH波造成的杂散。除此以外，因为T×r≤0.10λ，所以能够在制造时适当地形成IDT电极，且在电介质膜中不易产生裂纹。
如上所述，本发明还是如下的发明，即，明确了在将声速比V2/V1设为0.98以下的情况下能够有效地抑制杂散。
在专利文献1中，没有关于声速比V2/V1的记载。而且，在专利文献1的结构中，根据声速比V2/V1，存在会出现杂散的情况，但是本发明通过将声速比V2/V1设为0.98以下，从而能够有效地抑制杂散。
而且，无论是图1的结构还是图17的结构，上述条件均成立。
此外，上述条件不仅在通过使第一边缘区域、第二边缘区域中的占空比大于中央区域中的占空比而形成第一低声速区域、第二低声速区域的方法中成立，而且在通过在第一电极指、第二电极指上层叠由电介质或金属构成的质量附加膜而形成低声速区域的方法中也成立。
在第一实施方式、第二实施方式以及第一实施方式的第一变形例～第四变形例中，示出了弹性波装置为单端口型的弹性波谐振器的例子。另外，本发明也能够适当地应用于上述以外的弹性波装置。
上述弹性波装置能够用作高频前端电路的双工器等。以下对该例子进行说明。
图24是具有高频前端电路的通信装置的结构图。另外，在同图中，还一并图示了与高频前端电路230连接的各构成要素，例如，天线元件202、RF信号处理电路(RFIC)203。高频前端电路230以及RF信号处理电路203构成通信装置240。另外，通信装置240也可以包含电源、CPU、显示器。
高频前端电路230具备开关225、双工器201A、201B、滤波器231、232、低噪声放大器电路214、224、以及功率放大器电路234a、234b、244a、244b。另外，图24的高频前端电路230以及通信装置240是高频前端电路以及通信装置的一个例子，并不限定于该结构。
双工器201A具有滤波器211、212。双工器201B具有滤波器221、222。双工器201A、201B经由开关225与天线元件202连接。另外，上述弹性波装置可以是双工器201A、201B，也可以是滤波器211、212、221、222。上述弹性波装置还可以是构成双工器201A、201B、滤波器211、212、221、222的弹性波谐振器。
进而，上述弹性波装置例如也能够对将三个滤波器的天线端子公共化的三工器、将六个滤波器的天线端子公共化的六工器等具备三个以上的滤波器的多工器进行应用。
即，上述弹性波装置包含弹性波谐振器、滤波器、双工器、具备三个以上的滤波器的多工器。而且，该多工器并不限于具备发送滤波器以及接收滤波器的双方的结构，也可以是仅具备发送滤波器或仅具备接收滤波器的结构。
开关225按照来自控制部(未图示)的控制信号将天线元件202和对应于给定的频段的信号路径连接，例如由SPDT(Single Pole Double Throw，单刀双掷)型的开关构成。另外，与天线元件202连接的信号路径并不限于一个，也可以是多个。也就是说，高频前端电路230也可以应对载波聚合。
低噪声放大器电路214是将经由了天线元件202、开关225以及双工器201A的高频信号(在此为高频接收信号)放大并向RF信号处理电路203输出的接收放大电路。低噪声放大器电路224是将经由了天线元件202、开关225以及双工器201B的高频信号(在此为高频接收信号)放大并向RF信号处理电路203输出的接收放大电路。
功率放大器电路234a、234b是将从RF信号处理电路203输出的高频信号(在此为高频发送信号)放大并经由双工器201A以及开关225输出到天线元件202的发送放大电路。功率放大器电路244a、244b是将从RF信号处理电路203输出的高频信号(在此为高频发送信号)放大并经由双工器201B以及开关225输出到天线元件202的发送放大电路。
RF信号处理电路203通过下变频等对从天线元件202经由接收信号路径输入的高频接收信号进行信号处理，并输出进行该信号处理而生成的接收信号。此外，RF信号处理电路203通过上变频等对输入的发送信号进行信号处理，并向低噪声放大器电路224输出进行该信号处理而生成的高频发送信号。RF信号处理电路203例如是RFIC。另外，通信装置也可以包含BB(基带)IC。在该情况下，BBIC对由RFIC进行了处理的接收信号进行信号处理。此外，BBIC对发送信号进行信号处理并输出到RFIC。由BBIC进行了处理的接收信号、BBIC进行信号处理之前的发送信号例如为图像信号、声音信号等。另外，高频前端电路230也可以在上述的各构成要素之间具备其它电路元件。
另外，高频前端电路230也可以代替上述双工器201A、201B而具备双工器201A、201B的变形例涉及的双工器。
另一方面，通信装置240中的滤波器231、232不经由低噪声放大器电路214、224以及功率放大器电路234a、234b、244a、244b而连接在RF信号处理电路203与开关225之间。滤波器231、232也与双工器201A、201B同样地经由开关225与天线元件202连接。
根据像以上那样构成的高频前端电路230以及通信装置240，通过具备作为本发明的弹性波装置的弹性波谐振器、滤波器、双工器、具备三个以上的滤波器的多工器等，从而能够有效地抑制由高阶的横模造成的杂散。
以上，列举实施方式及其变形例对本发明的实施方式涉及的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置进行了说明，但是将上述实施方式以及变形例中的任意的构成要素进行组合而实现的其它实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置有本发明涉及的高频前端电路以及通信装置的各种设备也包含于本发明。
本发明能够作为弹性波谐振器、滤波器、双工器、能够应用于多频段系统的多工器、前端电路以及通信装置而广泛利用于便携式电话机等通信设备。
附图标记说明
1：弹性波装置；
2：压电基板；
3：IDT电极；
3a1、3b1：第一汇流条、第二汇流条；
3a2、3b2：第一电极指、第二电极指；
3a3、3b3：宽宽度部；
4、5：反射器；
6a：密接层；
6b：主电极层；
6c：扩散防止层；
6d：导电辅助电极层；
6e：密接层；
7、8：第一电介质膜、第二电介质膜；
13、23、33：IDT电极；
42：压电薄膜；
43：低声速膜；
44：高声速构件；
53a1：第一汇流条；
53A：内侧汇流条部；
53B：中央汇流条部；
53C：外侧汇流条部；
55：开口部；
201A、201B：双工器；
202：天线元件；
203：RF信号处理电路；
211、212：滤波器；
214：低噪声放大器电路；
221、222：滤波器；
224：低噪声放大器电路；
225：开关；
230：高频前端电路；
231、232：滤波器；
234a、234b：功率放大器电路；
240：通信装置；
244a、244b：功率放大器电路。

Claims (13)

1.一种弹性波装置，具备：
压电体；以及
IDT电极，设置在所述压电体上，具有主电极层，
所述IDT电极具有：第一汇流条以及第二汇流条，相互对置；多个第一电极指，一端与所述第一汇流条连接；以及多个第二电极指，一端与所述第二汇流条连接，且与所述多个第一电极指相互交替插入，
具有：交叉区域，是所述多个第一电极指和所述多个第二电极指在弹性波传播方向上相互重叠的部分，
在将所述多个第一电极指延伸的方向或所述多个第二电极指延伸的方向设为长度方向的情况下，所述交叉区域具有：中央区域，位于所述长度方向上的所述第一电极指以及所述第二电极指的中央；第一低声速区域，在所述长度方向上，配置在所述中央区域的所述第一汇流条侧的外侧，且声速与所述中央区域相比为低速；以及第二低声速区域，在所述长度方向上，配置在所述中央区域的所述第二汇流条侧的外侧，且声速与所述中央区域相比为低速，
设置有：第一高声速区域，在所述长度方向上，配置在所述第一低声速区域的所述第一汇流条侧的外侧，且声速与所述中央区域相比为高速；以及第二高声速区域，在所述长度方向上，配置在所述第二低声速区域的所述第二汇流条侧的外侧，且声速与所述中央区域相比为高速，
所述第一低声速区域以及所述第二低声速区域中的占空比大于所述中央区域中的占空比，
在将在作为所述主电极层的主成分的金属中传播的横波体波的声速设为v时，v≤3299m/s，其中，v的单位为m/s，
在将由所述IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ，并将通过所述波长λ进行了归一化的所述主电极层的膜厚设为T时，满足下述的式1，
T≥0.00018e0.002v+0.014…式1。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述IDT电极由包含所述主电极层的多个层构成。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
所述主电极层将Au、Pt、Ta、Cu、Ni以及Mo中的一种作为主成分。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波装置，其中，
在所述IDT电极中，v≤2895m/s，且满足下述的式2，
T≥0.000029e0.0032v+0.02…式2。
5.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波装置，其中，
在所述IDT电极中，v≤2491m/s，且满足下述的式3，
T≥0.000038e0.0035v+0.025…式3。
6.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波装置，其中，
在所述IDT电极中，v≤2289m/s，且满足下述的式4，
T≥0.000020e0.0042v+0.03…式4。
7.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波装置，其中，
在所述IDT电极中，v≤2087m/s，且满足下述的式5，
T≥0.000017e0.0048v+0.033…式5。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述压电体由LiNbO3构成，所述压电体的欧拉角为欧拉角(0°±5°，θ，0°±10°)，
所述压电体的所述欧拉角中的θ为θ≥27°，
在将所述主电极层的材料的密度ρ相对于Pt的密度ρPt之比设为r＝ρ/ρPt时，所述欧拉角为(0°±5°，{-0.054/(T×r-0.044)+31.33}°±1.5°，0°±10°)，且T×r≤0.10λ。
9.根据权利要求1～8中的任一项所述的弹性波装置，其中，
在所述IDT电极的所述第一汇流条以及所述第二汇流条设置有开口部，在所述第一汇流条、第二汇流条中，将位于比所述开口部在所述长度方向上靠所述中央区域侧的部分设为内侧汇流条部，将隔着所述开口部与所述内侧汇流条部对置的部分设为外侧汇流条部，在所述第一汇流条中，所述内侧汇流条部为低声速区域，设置有所述开口部的区域为所述第一高声速区域，在所述第二汇流条中，所述内侧汇流条部为低声速区域，设置有所述开口部的区域为所述第二高声速区域。
10.一种弹性波装置，具备：
压电体；以及
IDT电极，设置在所述压电体上，具有主电极层，
所述IDT电极具有：第一汇流条以及第二汇流条，相互对置；多个第一电极指，一端与所述第一汇流条连接；以及多个第二电极指，一端与所述第二汇流条连接，且与所述多个第一电极指相互交替插入，
具有：交叉区域，是所述多个第一电极指和所述多个第二电极指在弹性波传播方向上相互重叠的部分，
在将所述多个第一电极指延伸的方向或所述多个第二电极指延伸的方向设为长度方向的情况下，所述交叉区域具有：中央区域，位于所述长度方向上的所述第一电极指以及所述第二电极指的中央；第一低声速区域，配置在所述长度方向上且配置在所述中央区域的所述第一汇流条侧的外侧，且声速与所述中央区域相比为低速；以及第二低声速区域，配置在所述长度方向上且配置在所述中央区域的所述第二汇流条侧的外侧，且声速与所述中央区域相比为低速，
设置有：第一高声速区域，在所述长度方向上，配置在所述第一低声速区域的所述第一汇流条侧的外侧，且声速与所述中央区域相比为高速；以及第二高声速区域，在所述长度方向上，配置在所述第二低声速区域的所述第二汇流条侧的外侧，且声速与所述中央区域相比为高速，
在将所述中央区域中的声速设为V1，并将所述第一低声速区域以及所述第二低声速区域中的声速设为V2时，V2/V1≤0.98。
11.根据权利要求1～10中的任一项所述的弹性波装置，其中，
还具备：电介质膜，设置在所述压电体上，使得覆盖所述IDT电极。
12.一种高频前端电路，具备：
权利要求1～11中的任一项所述的弹性波装置；以及
功率放大器。
13.一种通信装置，具备：
权利要求12所述的高频前端电路；以及
RF信号处理电路。
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