CN110114977A - 多工器、高频前端电路以及通信装置 - Google Patents
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Abstract
提供一种频带高的带通型滤波器的滤波器特性不易由于频带低的带通型滤波器的影响而劣化的多工器。多工器具备：公共端子；第1带通型滤波器，与公共端子连接，具有第1通带；和第2带通型滤波器，与公共端子连接，具有频率比第1通带高的第2通带，第1带通型滤波器具有弹性波装置(11)，弹性波装置(11)具备：支承基板(12)；压电体(13)，层叠在支承基板(12)上；和IDT电极(14)，设置在压电体(13)上，压电体(13)为铌酸锂，弹性波装置(11)利用了瑞利波。
Description
技术领域
本发明涉及在天线端子连接有多个带通型滤波器的多工器以及具备该多工器的高频前端电路以及通信装置。
背景技术
在下述的专利文献1、2中，公开了作为谐振器、带通型滤波器而使用的弹性波装置。
在下述的专利文献1、2的弹性波装置中，在高声速支承基板上依次层叠有低声速膜、压电膜以及IDT电极。上述高声速支承基板由所传播的体波(Bulk wave)的声速比在压电膜传播的弹性波的声速高的高声速材料构成。上述低声速膜由所传播的体波的声速比在压电膜传播的弹性波的声速低的低声速材料构成。另外，在专利文献2的弹性波装置中，压电膜是铌酸锂膜(LiNbO3膜)，将SH波作为主模式来利用。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2012/086639号
专利文献2：国际公开第2013/141168号
发明内容
发明要解决的课题
但是，在专利文献1、2那样的弹性波装置中，有时在比主模式的频率更靠高频侧产生高阶模式、体辐射(bulk radiation)所引起的大的杂散。因此，在将专利文献1、2的弹性波装置用于载波聚合等使用多个频带的通信系统用的多工器的情况下，有时对滤波器特性造成不良影响。例如，在用于两个带通型滤波器被公共连接的多工器的情况下，有时频带低的一方的带通型滤波器所引起的杂散位于频带高的另一方的带通型滤波器的通带内。在该情况下，另一方的带通型滤波器的滤波器特性劣化。
本发明的目的在于，提供一种频带高的带通型滤波器的滤波器特性不易由于频带低的带通型滤波器的影响而劣化的多工器、使用了该多工器的高频前端电路以及通信装置。
用于解决课题的手段
本发明涉及的多工器具备：公共端子；第1带通型滤波器，与所述公共端子连接，具有第1通带；和第2带通型滤波器，与所述公共端子连接，具有频率比所述第1通带高的第2通带，所述第1带通型滤波器具有弹性波装置，所述弹性波装置具备：支承基板；压电体，层叠在所述支承基板上；和IDT电极，设置在所述压电体上，所述压电体为铌酸锂，所述弹性波装置利用了瑞利波。
在本发明涉及的多工器的某特定的方式中，所述压电体的欧拉角 在(0°±5°，θ，0°±10°)的范围内，所述欧拉角中的θ为30°以上且38°以下。在此情况下，能够更进一步抑制比主模式的谐振频率更靠低频侧的杂散。
在本发明涉及的多工器的其他特定的方式中，在将由所述IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ时，所述压电体的膜厚为0.1λ以上且1.0λ以下。
在本发明涉及的多工器的又一其他特定的方式中，还具备：低声速材料层，设置在所述支承基板与所述压电体之间，由所传播的体波的声速比在所述压电体传播的弹性波的声速低的低声速材料构成。在此情况下，能够抑制能量向支承基板的渗出，因此能够将弹性波有效地限制在压电体内。
在本发明涉及的多工器的又一其他特定的方式中，在所述支承基板传播的体波的声速比在所述压电体传播的弹性波的声速高。在此情况下，能够抑制能量向支承基板的渗出，因此能够将弹性波有效地限制在压电体内。
在本发明涉及的多工器的又一其他特定的方式中，还具备：高声速材料层，设置在所述支承基板与所述低声速材料层之间，由所传播的体波的声速比在所述压电体传播的弹性波的声速高的高声速材料构成。在此情况下，能够抑制能量向支承基板的渗出，因此能够将弹性波有效地限制在压电体内。
在本发明涉及的多工器的又一其他特定的方式中，所述IDT电极是从由Pt、Al、Cu、Mo、Au以及包含这些金属的合金构成的组中选择出的至少一种。在此情况下，能够尽量抑制IDT电极的电阻上升，因此频带高的带通型滤波器的滤波器特性更加不易劣化。
在本发明涉及的多工器的又一其他特定的方式中，所述支承基板由氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、金刚石、或以这些材料为主要成分的材料构成。
在本发明涉及的多工器的又一其他特定的方式中，在将由所述IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ时，所述IDT电极的厚度为0.02λ以上。在此情况下，能够减轻IDT电极的电阻所引起的损耗的影响，因此频带高的带通型滤波器的滤波器特性更加不易劣化。
在本发明涉及的多工器的又一其他特定的方式中，在将由所述IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ时，所述IDT电极的厚度为0.1λ以下。
本发明涉及的多工器也可以用于载波聚合。
本发明涉及的高频前端电路具备按照本发明而构成的多工器和功率放大器。
本发明涉及的通信装置具备按照本发明而构成的高频前端电路和RF信号处理电路。
发明效果
根据本发明，能够提供频带高的带通型滤波器的滤波器特性不易由于频带低的带通型滤波器的影响而劣化的多工器。
附图说明
图1是用于说明本发明的第1实施方式涉及的多工器的电路图。
图2的(a)是构成本发明的第1实施方式涉及的多工器中的第1带通型滤波器的弹性波装置的示意性剖视图，图2的(b)是示出其电极构造的示意性俯视图。
图3是示出第1带通型滤波器的通过特性和第2带通型滤波器的通过特性的图。
图4是示出比较例中的第1带通型滤波器的通过特性和第2带通型滤波器的通过特性的图。
图5的(a)是示出IDT电极由Pt膜构成时的相位特性的图，图5的(b)是示出其阻抗特性的图。
图6的(a)是示出IDT电极由Al膜构成时的相位特性的图，图6的(b)是示出其阻抗特性的图。
图7的(a)是示出IDT电极由Cu膜构成时的相位特性的图，图7的(b)是示出其阻抗特性的图。
图8的(a)是示出IDT电极由Mo膜构成时的相位特性的图，图8的(b)是示出其阻抗特性的图。
图9的(a)是示出IDT电极由Au膜构成时的相位特性的图，图9的(b)是示出其阻抗特性的图。
图10的(a)是示出比较例中的相位特性的图，图10的(b)是示出其阻抗特性的图。
图11的(a)是示出IDT电极由Pt膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图11的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图12的(a)是示出IDT电极由Al膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图12的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图13的(a)是示出IDT电极由Cu膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图13的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图14的(a)是示出IDT电极由Mo膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图14的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图15的(a)是示出IDT电极由Au膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图15的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图16是构成本发明的第2实施方式涉及的多工器中的第1带通型滤波器的弹性波装置的示意性剖视图。
图17的(a)是示出IDT电极由Pt膜构成时的相位特性的图，图17的(b)是示出其阻抗特性的图。
图18的(a)是示出IDT电极由Al膜构成时的相位特性的图，图18的(b)是示出其阻抗特性的图。
图19的(a)是示出IDT电极由Cu膜构成时的相位特性的图，图19的(b)是示出其阻抗特性的图。
图20的(a)是示出IDT电极由Mo膜构成时的相位特性的图，图20的(b)是示出其阻抗特性的图。
图21的(a)是示出IDT电极由Au膜构成时的相位特性的图，图21的(b)是示出其阻抗特性的图。
图22的(a)是示出IDT电极由0.02λ的厚度的Pt膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图22的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图23的(a)是示出IDT电极由0.06λ的厚度的Pt膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图23的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图24的(a)是示出IDT电极由0.08λ的厚度的Pt膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图24的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图25的(a)是示出IDT电极由0.10λ的厚度的Pt膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图25的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图26的(a)是示出IDT电极由0.02λ的厚度的Al膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图26的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图27的(a)是示出IDT电极由0.06λ的厚度的Al膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图27的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图28的(a)是示出IDT电极由0.08λ的厚度的Al膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图28的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图29的(a)是示出IDT电极由0.10λ的厚度的Al膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图29的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图30的(a)是示出IDT电极由0.02λ的厚度的Cu膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图30的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图31的(a)是示出IDT电极由0.06λ的厚度的Cu膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图31的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图32的(a)是示出IDT电极由0.08λ的厚度的Cu膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图32的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图33的(a)是示出IDT电极由0.10λ的厚度的Cu膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图33的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图34的(a)是示出IDT电极由0.02λ的厚度的Mo膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图34的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图35的(a)是示出IDT电极由0.06λ的厚度的Mo膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图35的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图36的(a)是示出IDT电极由0.08λ的厚度的Mo膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图36的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图37的(a)是示出IDT电极由0.10λ的厚度的Mo膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图37的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图38的(a)是示出IDT电极由0.02λ的厚度的Au膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图38的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图39的(a)是示出IDT电极由0.06λ的厚度的Au膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图39的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图40的(a)是示出IDT电极由0.08λ的厚度的Au膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图40的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图41的(a)是示出IDT电极由0.10λ的厚度的Au膜构成时的第1频率范围中的相位特性的图，图41的(b)是示出其第2频率范围中的相位特性的图。
图42是示出对IDT电极使用了层叠金属膜的情况下的相位特性的图。
图43是示出在IDT电极的厚度为0.09λ～0.11λ的情况下使欧拉角的θ变化时的起因于SH波的杂散的最大相位角的图。
图44是示出欧拉角的θ为28°时的相位特性的图。
图45是示出欧拉角的θ为30°时的相位特性的图。
图46是示出欧拉角的θ为34°时的相位特性的图。
图47是示出欧拉角的θ为38°时的相位特性的图。
图48是示出欧拉角的θ为40°时的相位特性的图。
图49是构成本发明的第3实施方式涉及的多工器中的第1带通型滤波器的弹性波装置的示意性剖视图。
图50是示出欧拉角的θ为30°且LiNbO3膜的厚度为0.1λ时的相位特性的图。
图51是示出欧拉角的θ为30°且LiNbO3膜的厚度为0.2λ时的相位特性的图。
图52是示出欧拉角的θ为30°且LiNbO3膜的厚度为0.4λ时的相位特性的图。
图53是示出欧拉角的θ为30°且LiNbO3膜的厚度为0.6λ时的相位特性的图。
图54是示出欧拉角的θ为30°且LiNbO3膜的厚度为0.8λ时的相位特性的图。
图55是示出欧拉角的θ为30°且LiNbO3膜的厚度为1.0λ时的相位特性的图。
图56是示出欧拉角的θ为34°且LiNbO3膜的厚度为0.1λ时的相位特性的图。
图57是示出欧拉角的θ为34°且LiNbO3膜的厚度为0.2λ时的相位特性的图。
图58是示出欧拉角的θ为34°且LiNbO3膜的厚度为0.4λ时的相位特性的图。
图59是示出欧拉角的θ为34°且LiNbO3膜的厚度为0.6λ时的相位特性的图。
图60是示出欧拉角的θ为34°且LiNbO3膜的厚度为0.8λ时的相位特性的图。
图61是示出欧拉角的θ为34°且LiNbO3膜的厚度为1.0λ时的相位特性的图。
图62是示出欧拉角的θ为38°且LiNbO3膜的厚度为0.1λ时的相位特性的图。
图63是示出欧拉角的θ为38°且LiNbO3膜的厚度为0.2λ时的相位特性的图。
图64是示出欧拉角的θ为38°且LiNbO3膜的厚度为0.4λ时的相位特性的图。
图65是示出欧拉角的θ为38°且LiNbO3膜的厚度为0.6λ时的相位特性的图。
图66是示出欧拉角的θ为38°且LiNbO3膜的厚度为0.8λ时的相位特性的图。
图67是示出欧拉角的θ为38°且LiNbO3膜的厚度为1.0λ时的相位特性的图。
图68是示出欧拉角的θ为30°且LiNbO3膜的厚度为0.1λ时的相位特性的图。
图69是示出欧拉角的θ为30°且LiNbO3膜的厚度为0.2λ时的相位特性的图。
图70是示出欧拉角的θ为30°且LiNbO3膜的厚度为0.4λ时的相位特性的图。
图71是示出欧拉角的θ为30°且LiNbO3膜的厚度为0.6λ时的相位特性的图。
图72是示出欧拉角的θ为30°且LiNbO3膜的厚度为0.8λ时的相位特性的图。
图73是示出欧拉角的θ为30°且LiNbO3膜的厚度为1.0λ时的相位特性的图。
图74是示出欧拉角的θ为34°且LiNbO3膜的厚度为0.1λ时的相位特性的图。
图75是示出欧拉角的θ为34°且LiNbO3膜的厚度为0.2λ时的相位特性的图。
图76是示出欧拉角的θ为34°且LiNbI3膜的厚度为0.4λ时的相位特性的图。
图77是示出欧拉角的θ为34°且LiNbO3膜的厚度为0.6λ时的相位特性的图。
图78是示出欧拉角的θ为34°且LiNbO3膜的厚度为0.8λ时的相位特性的图。
图79是示出欧拉角的θ为34°且LiNbO3膜的厚度为1.0λ时的相位特性的图。
图80是示出欧拉角的θ为38°且LiNbO3膜的厚度为0.1λ时的相位特性的图。
图81是示出欧拉角的θ为38°且LiNbO3膜的厚度为0.2λ时的相位特性的图。
图82是示出欧拉角的θ为38°且LiNbO3膜的厚度为0.4λ时的相位特性的图。
图83是示出欧拉角的θ为38°且LiNbO3膜的厚度为0.6λ时的相位特性的图。
图84是示出欧拉角的θ为38°且LiNbO3膜的厚度为0.8λ时的相位特性的图。
图85是示出欧拉角的θ为38°且LiNbO3膜的厚度为1.0λ时的相位特性的图。
图86是本发明涉及的通信装置以及高频前端电路的结构图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的具体的实施方式进行说明，由此明确本发明。
另外，预先指出的是，在本说明书记载的各实施方式是例示性的，在不同的实施方式间，能够进行结构的部分置换或组合。
[多工器]
(第1实施方式)
图1是用于说明本发明的第1实施方式涉及的多工器的电路图。图2的(a)是构成本发明的第1实施方式涉及的多工器中的第1带通型滤波器的弹性波装置的示意性剖视图。此外，图2的(b)是示出图2的(a)的弹性波装置的电极构造的示意性俯视图。
多工器1具有公共端子2。第1～第3带通型滤波器3～5的一端公共连接于公共端子2。在便携式电话机的RF频段等中，该多工器1公共连接于天线端子。
第1带通型滤波器3、第2带通型滤波器4以及第3带通型滤波器5的作为通带的频带不同。将第1带通型滤波器3的通带设为通带A。将第2带通型滤波器4的通带设为通带B。而且，设通带B处于比通带A高的频带。
在多工器1中，第1带通型滤波器3利用图2的(a)所示的弹性波装置11而构成。该第1带通型滤波器3的电路结构没有特别限定。例如，可列举具有多个弹性波装置11的梯型滤波器、纵耦合谐振器型弹性波滤波器、格型滤波器或横向型滤波器等。具体地，作为梯型滤波器的串联臂谐振器以及并联臂谐振器，可以使用具有弹性波装置11的构造的谐振器。
如图2的(a)所示，弹性波装置11具备支承基板12、压电体13以及IDT电极14。在支承基板12上层叠有压电体13。在压电体13上层叠有IDT电极14。另外，压电体13是铌酸锂。特别是，在本实施方式中，压电体13是LiNbO3膜。压电体13的厚度没有特别限定，优选为0.1λ以上且1.0λ以下。λ是由IDT电极14的电极指间距规定的波长。
支承基板12只要能够对具有压电体13以及IDT电极14的层叠构造进行支承，就能够由适当的材料构成。作为支承基板12的材料，能够使用氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、氧化镁、金刚石或以上述各材料为主要成分的材料等。在本实施方式中，支承基板12由硅构成。
在弹性波装置11中，作为在压电体13传播的弹性波而利用了瑞利波作为主模式。另外，在支承基板12与压电体13之间也可以设置缓冲层。作为缓冲层，能够使用氮化铝、氮化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝等。
压电体13的欧拉角没有特别限定，但处于(0°±5°，θ，0°±10°)的范围内为宜。此外，欧拉角中的θ优选为30°以上且38°以下。在此情况下，在弹性波装置11中，能够更进一步抑制比主模式的谐振频率更靠低频侧的杂散。
IDT电极14的材料没有特别限定，例如，可列举Pt、Al、Cu、Mo、Au、Ag、Ta、W、Ni、Ru、Pd、Cr、Zn、Ti、或这些金属的合金等。其中，IDT电极14的材料优选为从由Pt、Al、Cu、Mo、Au以及包含这些金属的合金构成的组中选择出的至少一种。在此情况下，能够尽量抑制IDT电极14的电阻上升，因此后述的频带高的带通型滤波器的滤波器特性更加不易劣化。
IDT电极14可以是单层的金属膜，也可以是层叠了两种以上的金属膜的层叠金属膜。作为层叠金属膜，例如，可列举在Al膜上层叠了Pt膜的层叠金属膜、在Pt膜上层叠了Al膜的层叠金属膜等。此外，作为各电极材料间的缓冲层、各电极材料和压电体13的缓冲层，可以使用Ti、NiCr、Ag或Cr等。
IDT电极14的厚度没有特别限定，但优选为0.02λ以上。在IDT电极14的厚度处于上述范围内的情况下，能够减轻IDT电极14的电阻所引起的损耗的影响，因此后述的频带高的带通型滤波器的滤波器特性更加不易劣化。IDT电极14的厚度的上限没有特别限定，例如能够设为0.1λ。另外，λ是由IDT电极14的电极指间距规定的波长。
虽然在图2的(a)中以简图的方式示出，但更具体来说，在压电体13上形成有图2的(b)所示的电极构造。即，形成有IDT电极14、和IDT电极14的弹性波的传播方向上的配置在IDT电极14的两侧的反射器15、16。由此，构成了单端口型声表面波谐振器。另外，也可以不使用反射器15、16。
如图2的(b)所示，IDT电极14具有第1、第2汇流条和多根第1、第2电极指。多根第1电极指和多根第2电极指相互交替插入。此外，多根第1电极指与第1汇流条连接，多根第2电极指与第2汇流条连接。
另外，虽然在图2的(a)中未示出，但也可以设置有氧化膜、氮化膜等电介质膜，以使得覆盖IDT电极14的一部分或整体。通过设置电介质膜，从而能够改善频率温度特性、耐湿性，或者保护IDT电极14。例如，作为电介质膜，通过使用SiO2膜，从而能够改善频率温度特性。
弹性波装置11由于具备上述那样的结构，因此如后述那样能够抑制在比主模式的频率更靠高频侧产生的杂散。
在多工器1中，第1带通型滤波器3使用该弹性波装置11而构成。因此，具有处于比第1带通型滤波器3的通带A高的频带的通带B的第2带通型滤波器4的特性不易劣化。以下，参照图3以及图4对此更详细地进行说明。
图3是示出第1带通型滤波器的通过特性和第2带通型滤波器的通过特性的图。此外，图4是示出比较例中的第1带通型滤波器的通过特性和第2带通型滤波器的通过特性的图。在图3以及图4中，实线示出第1带通型滤波器的通过特性，虚线示出第2带通型滤波器的通过特性。另外，在图3中，第1带通型滤波器3使用弹性波装置11而构成。在此，第1带通型滤波器3为梯型滤波器，作为梯型滤波器的串联臂谐振器以及并联臂谐振器，使用具有与弹性波装置11同样的构造的谐振器。另外，在图4的比较例中，除了利用SH波而非瑞利波作为主模式以外，使用了与弹性波装置11同样的弹性波装置。
从图4明确，在比较例中，在第2带通型滤波器的通过特性中，在通带B内显现出箭头C所示的大的杂散。即，通带B内的插入损耗大幅恶化。这是用于第1带通型滤波器的弹性波装置的高频侧的杂散所造成的劣化。
相对于此，在图3中，在第2带通型滤波器4的通过特性中，在通带B内抑制了上述那样的杂散。这是由于用于第1带通型滤波器3的弹性波装置11的高频侧的杂散得到了抑制。
像这样，在多工器1中，具有处于比第1带通型滤波器3高的频带的通带B的第2带通型滤波器4的特性不易劣化。因此，多工器1能够适当地用于载波聚合等用途。
接着，参照图5～图9以及图11～图15，对在弹性波装置11中抑制了比主模式的谐振频率更靠高频侧的杂散的情况进行说明。
首先，在图2的(a)所示的构造中，设计了以下的弹性波谐振器。
支承基板12...Si基板
压电体13...LiNbO3膜，欧拉角(0°，34°，0°)
IDT电极14...占空比：0.50，IDT电极14的电极指的根数：201根(100对)，其电极指交又宽度：15λ，反射器15、16的电极指的根数：21根(10对)
IDT电极14的材料...Pt膜(厚度：0.1λ)，Al膜(厚度：0.04λ)，Cu膜(厚度：0.06λ)，Mo膜(厚度：0.1λ)，Au膜(厚度：0.1λ)
所利用的弹性波...瑞利波
另外，λ是由IDT电极14的电极指间距规定的波长，λ＝1.0μm。
在图5～图9示出像这样设计的弹性波谐振器的相位特性以及阻抗特性。
在图5～图9中，(a)是示出相位特性的图，(b)是示出阻抗特性的图。另外，在图5～图9中，IDT电极14分别依次为Pt膜(Pt膜的厚度：0.1λ，LiNbO3膜的厚度：1.0λ，主模式的谐振频率(Fr)：2.56GHz，相对带宽：5.7％)、Al膜(Al膜的厚度：0.04λ，LiNbO3膜的厚度：0.6λ，主模式的谐振频率(Fr)：3.855GHz，相对带宽：3.2％)、Cu膜(Cu膜的厚度：0.06λ，LiNbO3膜的厚度：0.2λ，主模式的谐振频率(Fr)：3.5GHz，相对带宽：3.6％)、Mo膜(Mo膜的厚度：0.1λ，LiNbO3膜的厚度：0.2λ，主模式的谐振频率(Fr)：3.13GHz，相对带宽：4.8％)、Au膜(Au膜的厚度：0.1λ，LiNbO3膜的厚度：0.2λ，主模式的谐振频率(Fr)：2.48GHz，相对带宽：4.2％)。在图5～图9中，在图的右上记载了所使用的IDT电极14的种类。此外，在图5～图9中，虚线是Fr的1.5倍的频率(1.5Fr)，单点划线是Fr的2.0倍的频率(2.0Fr)，双点划线是Fr的2.5倍的频率(2.5Fr)。
如图5所示，在IDT电极14由Pt膜构成的情况下，在Fr以上且1.5Fr以下的范围内，未产生显著的杂散。另一方面，在Fr以上且2.0Fr以下的范围内，在4.78GHz(1.8Fr)附近产生了最大相位角为-70°的杂散，但由于该杂散非常小，因此能够忽略影响。此外，在7.03GHz(2.75Fr)附近，产生了最大相位角为9°的杂散，但这处于充分远离主模式的响应的位置，因此不会对其他带通型滤波器造成影响。
此外，如图6～图9所示，在IDT电极14由其他金属膜构成的情况下也同样地充分抑制了杂散、或者充分远离了主模式的响应。
从图5～图9的结果明确可知，在所设计的弹性波谐振器中，无论IDT电极14的材料如何，都抑制了在比主模式的频率更靠高频侧产生的杂散，或者充分远离。
图10的(a)是示出比较例中的相位特性的图，图10的(b)是示出其阻抗特性的图。
另外，在比较例中，设计了以下的弹性波谐振器。
支承基板12...Si基板
压电体13......LiNbO3膜，欧拉角(0°，120°，0°)
IDT电极14...占空比：0.50，IDT电极14的电极指的根数：201根(100对)，其电极指交叉宽度：15λ，反射器15、16的电极指的根数：21根(10对)
IDT电极14的材料...Al膜(200nm)/Ti膜(10nm)
所利用的弹性波...SH波
另外，主模式的谐振频率为1.8GHz。
如图10所示可知，在比较例中，虽然在Fr以上且1.5Fr以下的范围内，未产生显著的杂散，但是在Fr以上且2.0Fr以下的范围内，在3.36GHz(1.84Fr)附近，产生了最大相位角为82°的杂散。
接着，在所设计的弹性波谐振器中，求出了使IDT电极14以及LiNbO3膜的厚度变化时的相位特性。
在图11～图15中，(a)是示出第1频率范围中的相位特性的图，(b)是示出第2频率范围中的相位特性的图。
另外，在图11～图15中，IDT电极14分别依次为Pt膜、Al膜、Cu膜、Mo膜、Au膜。在图11～图15中，在图的右上记载了所使用的IDT电极14的种类。在图11～图15中，在IDT电极14的厚度为0.02λ、0.04λ、0.06λ、0.08λ以及0.10λ(在图中将0.10记载为0.1)的情况下，使LiNbO3膜的厚度在0.1λ以上且1.0λ(在图中将1.0记载为1)以下的范围内变化。此外，第1频率范围是指，Fr以上且1.5Fr以下的范围。第2频率范围是指，Fr以上且2.0Fr以下的范围。
如图11～图15所示可知，在IDT电极14的厚度为0.02λ以上且0.1λ以下的范围内，LiNbO3膜的厚度为0.1λ以上且1.0λ以下的范围时，最大相位角为0°以下。另外，从图11～图15明确，该结果未依赖于IDT电极14的材料。
接着，求出了使欧拉角(0°，θ，0°)中的欧拉角的θ变化时的相位特性。具体地，在图2的(a)所示的构造中，设计以下的弹性波谐振器，求出了相位特性。
支承基板12...Si基板
压电体13...LiNbO3膜，欧拉角(0°，θ，0°)，厚度：0.1λ～1.0λ
IDT电极14...占空比：0.50，IDT电极14的电极指的根数：201根(100对)，其电极指交叉宽度：15λ，反射器15、16的电极指的根数：21根(10对)
IDT电极14的材料...Pt膜(厚度：0.1λ)
所利用的弹性波...瑞利波
另外，λ是由IDT电极14的电极指间距规定的波长，λ＝1.0μm。
在像这样设计的弹性波谐振器中，使欧拉角的θ变化，求出了相位特性。
图50～图67是示出使欧拉角的θ以及LiNbO3膜的厚度按照每个图变化时的相位特性的图。另外，在图50～图55中，欧拉角的θ为30°，LiNbO3膜的厚度分别依次为0.1λ、0.2λ、0.4λ、0.6λ、0.8λ以及1.0λ。在图56～图61中，欧拉角的θ为34°，LiNbO3膜的厚度分别依次为0.1λ、0.2λ、0.4λ、0.6λ、0.8λ以及1.0λ。在图62～图67中，欧拉角的θ为38°，LiNbO3膜的厚度分别依次为0.1λ、0.2λ、0.4λ、0.6λ、0.8λ以及1.0λ。在图50～图67中，在图的右上记载了LiNbO3膜(LN)的厚度。
如图50～图67所示可知，在欧拉角中的θ为30°以上且38°以下并且LiNbO3膜的厚度为0.1λ以上且1.0λ以下时，能够使起因于SH波的杂散(比主模式的谐振频率更靠低频侧的杂散)的最大相位角减小至0°以下。
另外，在图50～图67中，示出了欧拉角(0°，θ，0°)的结果，但已确认了即使在欧拉角(0°±5°，θ，0°±10°)的范围内也可得到同样的结果。
(第2实施方式)
图16是构成本发明的第2实施方式涉及的多工器中的第1带通型滤波器的弹性波装置的示意性剖视图。在第2实施方式涉及的多工器中，作为构成第1带通型滤波器的弹性波装置，使用了图16所示的弹性波装置21。
如图16所示，在弹性波装置21中，在支承基板12与压电体13之间设置有低声速材料层22。
低声速材料层22由所传播的体波的声速比在压电体13传播的弹性波的声速低的低声速材料构成。
作为低声速材料，能够使用具有比在压电体13传播的弹性波更低声速的体波声速的适当的材料。作为这样的材料，例如，能够使用氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、在氧化硅中添加了氟、碳、或者硼的化合物、或以上述各材料为主要成分的材料。在本实施方式中，为氧化硅。另外，在支承基板12与低声速材料层22之间也可以设置缓冲层。作为缓冲层，能够使用氮化铝、氮化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝等。关于其他方面，与第1实施方式同样。
即使在第2实施方式中，构成第1带通型滤波器的弹性波装置21也具备上述那样的结构，因此能够抑制在比主模式的频率更靠高频侧产生的杂散。因此，具有处于比第1带通型滤波器高的频带的通带的第2带通型滤波器的特性不易劣化。
此外，在第2实施方式中，弹性波装置21具备低声速材料层22，能够抑制能量向支承基板12的渗出，因此能够将弹性波有效地限制在压电体13内。
接着，参照图17～图41，对在弹性波装置21中抑制了比主模式的频率更靠高频侧的杂散的情况进行说明。
首先，在图16所示的构造中，设计了以下的弹性波谐振器。
支承基板12...Si基板
低声速材料层22：SiO2膜
压电体13...LiNbO3膜，欧拉角(0°，34°，0°)
IDT电极14...占空比：0.50，IDT电极14的电极指的根数：201根(100对)，其电极指交叉宽度：15λ，反射器15、16的电极指的根数：21根(10对)
IDT电极14的材料...Pt膜(厚度：0.1λ)，Al膜(厚度：0.1λ)，Cu膜(厚度：0.1λ)，Mo膜(厚度：0.08λ)，Au膜(厚度：0.1λ)
所利用的弹性波...瑞利波
另外，λ是由IDT电极14的电极指间距规定的波长，λ＝1.0μm。
在图17～图21示出像这样设计的弹性波谐振器的相位特性以及阻抗特性。
在图17～图21中，(a)是示出相位特性的图，(b)是示出阻抗特性的图。另外，在图17～图21中，IDT电极14分别依次为Pt膜(Pt膜的厚度：0.1λ，LiNbO3膜的厚度：0.8λ，SiO2膜的厚度：0.4λ，主模式的谐振频率(Fr)：2.55GHz，相对带宽：5.7％)、Al膜(Al膜的厚度：0.1λ，LiNbO3膜的厚度：0.4λ，SiO2膜的厚度：0.2λ，主模式的谐振频率(Fr)：3.53GHz，相对带宽：3.8％)、Cu膜(Cu膜的厚度：0.1λ，LiNbO3膜的厚度：0.2λ，SiO2膜的厚度：0.4λ，主模式的谐振频率(Fr)：2.95GHz，相对带宽：5.1％)、Mo膜(Mo膜的厚度：0.08λ，LiNbO3膜的厚度：0.4λ，SiO2膜的厚度：0.2λ，主模式的谐振频率(Fr)：3.1GHz，相对带宽：5.6％)、Au膜(Au膜的厚度：0.1λ，LiNbO3膜的厚度：0.8λ，SiO2膜的厚度：0.4λ，主模式的谐振频率(Fr)：2.57GHz，相对带宽：5.2％)。在图17～图21中，在图的右上记载了所使用的IDT电极14的种类。此外，在图17～图21中，虚线是Fr的1.5倍的频率(1.5Fr)，单点划线是Fr的2.0倍的频率(2.0Fr)，双点划线是Fr的2.5倍的频率(2.5Fr)。
如图17所示，在IDT电极14由Pt膜构成的情况下，在Fr以上且2.0Fr以下的范围内，未产生显著的杂散。另一方面，在5.5GHz附近，产生了最大相位角为-85°的杂散，但该杂散非常小，因此能够忽略影响。此外，在6.8GHz(2.7Fr)附近和7.7GHz(3Fr)附近，产生了最大相位角为-5°和-25°的杂散，但这处于充分远离主模式的响应的位置，并且小，因此不会对其他带通型滤波器造成影响。
此外，如图18～图21所示，即使在IDT电极14由其他金属膜构成的情况下也同样地充分抑制了杂散、或者充分远离了主模式的响应。
从图17～图21的结果明确可知，在所设计的弹性波谐振器中，无论IDT电极14的材料如何，都抑制了在比主模式的频率更靠高频侧产生的杂散，或者充分远离。
接着，在所设计的弹性波谐振器中，求出了使IDT电极14、LiNbO3膜以及SiO2膜的厚度变化时的相位特性。
在图22～图41中，(a)是示出第1频率范围中的相位特性的图，(b)是示出第2频率范围中的相位特性的图。
另外，图22～图25是IDT电极14为Pt膜且Pt膜的厚度依次为0.02λ、0.06λ、0.08λ以及0.10λ时的结果。另外，图26～图29是IDT电极14为Al膜且Al膜的厚度依次为0.02λ、0.06λ、0.08λ以及0.10λ时的结果。图30～图33是IDT电极14为Cu膜且Cu膜的厚度依次为0.02λ、0.06λ、0.08λ以及0.10λ时的结果。图34～图37是IDT电极14为Mo膜且Mo膜的厚度依次为0.02λ、0.06λ、0.08λ以及0.10λ时的结果。图38～图41是IDT电极14为Au膜且Au膜的厚度依次为0.02λ、0.06λ、0.08λ以及0.10λ时的结果。在图22～图41中，在LiNbO3膜的厚度为0.1λ、0.2λ、0.4λ、0.6λ、0.8λ以及1λ的情况下，使SiO2膜的厚度在0.05λ以上且1.0λ(在图中将1.0记载为1)以下的范围内变化。在图22～图41中，在图的右上记载了所使用的IDT电极14的种类以及厚度。
此外，第1频率范围是指，Fr以上且1.5Fr以下的范围。第2频率范围是指，Fr以上且2.0Fr以下的范围。
如图22～图41所示可知，在IDT电极14的厚度为0.02λ以上且0.10λ以下并且LiNbO3膜的厚度为0.1λ以上且1.0λ以下的范围内，在SiO2膜的厚度为0.05λ以上且1.0λ以下的范围时，最大相位角为0°以下。另外，如图22～图41所示，该结果未依赖于IDT电极14的材料。
接着，在图16所示的构造中，设计使用了层叠电极的以下的弹性波谐振器，并求出了相位特性。
支承基板12...Si基板
低声速材料层22：SiO2膜，厚度：0.2λ
压电体13...LiNbO3膜，欧拉角(0°，34°，0°)，厚度：0.2λ
IDT电极14...占空比：0.50，IDT电极14的电极指的根数：201根(100对)，其电极指交叉宽度：15λ，反射器15、16的电极指的根数：21根(10对)
IDT电极14的材料...在Pt膜(厚度：0.1λ)上层叠了Al膜(厚度：0.1λ)的层叠金属膜
所利用的弹性波...瑞利波
另外，λ是由IDT电极14的电极指间距规定的波长，λ＝1.7μm。
图42是示出对IDT电极使用了层叠金属膜的情况下的相位特性的图。在图42中，用虚线示出使用了层叠金属膜的情况下的结果，用实线示出使用了单层的Pt膜而非层叠金属膜时的结果。此外，在图42中，单点划线是Fr的1.5倍的频率(1.5Fr)，双点划线是Fr的2.0倍的频率(2.0Fr)。另外，Fr是使用了单层的Pt膜时的主模式的谐振频率。
如图42所示，在使用了层叠金属膜的情况下，由于质量负荷效应，主模式的谐振频率稍微向频率低的一侧移动。但是，关于杂散的产生方式没有变化。由此可知，通过在Pt膜上层叠Al等电阻低的材料，从而能够不产生大的杂散地改善电极指的电阻所引起的损耗。
接着，求出了使欧拉角(0°，θ，0°)中的欧拉角的θ变化时的相位特性。具体地，在图16所示的构造中，设计以下的弹性波谐振器，求出了相位特性。
支承基板12...Si基板
低声速材料层22：SiO2膜，厚度：0.2λ
压电体13...LiNbO3膜，欧拉角(0°，θ，0°)，厚度：0.2λ
IDT电极14...占空比：0.50，IDT电极14的电极指的根数：201根(100对)，其电极指交叉宽度：15λ，反射器15、16的电极指的根数：21根(10对)
IDT电极14的材料...Pt膜(厚度：0.09λ)
所利用的弹性波...瑞利波
另外，λ是由IDT电极14的电极指间距规定的波长，λ＝1.0μm。
在像这样设计的弹性波谐振器中，使欧拉角的θ变化，求出了相位特性。
图44～图48是示出使欧拉角按照每个图变化时的相位特性的图。另外，在图44～图48中，欧拉角的θ依次为θ＝28°、θ＝30°、θ＝34°、θ＝38°、θ＝40°。在图44～图48中，在图的右上记载了欧拉角的θ。
如图44～图48所示可知，在欧拉角中的θ为30°以上且38°以下时能够使起因于SH波的杂散(比主模式的谐振频率更靠低频侧的杂散)的最大相位角减小至0°以下。
此外，图43是示出在IDT电极14的厚度为0.09λ～0.11λ(Pt9％，Pt10％，Ptl1％)的情况下，使欧拉角θ变化时的起因于SH波的杂散的最大相位角的图。从图43明确可知，无论IDT电极14的厚度如何，在欧拉角中的θ为30°以上且38°以下时，都能够使起因于SH波的杂散的最大相位角减小至0°以下。
另外，参照图68～图85，如以下所示，在欧拉角中的θ为30°以上且38°以下时，无论LiNbO3膜的厚度如何，都能够使起因于SH波的杂散的最大相位角减小至0°以下。
具体地，在图16所示的构造中，设计以下的弹性波谐振器，求出了相位特性。
支承基板12...Si基板
低声速材料层22：SiO2膜，厚度：0.2λ
压电体13...LiNbO3膜，欧拉角(0°，θ，0°)，厚度：0.1λ～1.0λ
IDT电极14...占空比：0.50，IDT电极14的电极指的根数：201根(100对)，其电极指交叉宽度：15λ，反射器15、16的电极指的根数：21根(10对)
IDT电极14的材料...Pt膜(厚度：0.1λ)
所利用的弹性波...瑞利波
另外，λ是由IDT电极14的电极指间距规定的波长，λ＝1.0μm。
在像这样设计的弹性波谐振器中，使欧拉角的θ变化，求出了相位特性。
图68～图85是示出使欧拉角的θ以及LiNbO3膜的厚度按每个图变化时的相位特性的图。另外，在图68～图73中，欧拉角的θ为30°，LiNbO3膜的厚度分别依次为0.1λ、0.2λ、0.4λ、0.6λ、0.8λ以及1.0λ。在图74～图79中，欧拉角的θ为34°，LiNbO3膜的厚度分别依次为0.1λ、0.2λ、0.4λ、0.6λ、0.8λ以及1.0λ。在图80～图85中，欧拉角的θ为38°，LiNbO3膜的厚度分别依次为0.1λ、0.2λ、0.4λ、0.6λ、0.8λ以及1.0λ。在图68～图85中，在图的右上记载了LiNbO3膜(LN)的厚度。
如图68～图85所示可知，在欧拉角中的θ为30°以上且38°以下并且LiNbO3膜的厚度为0.1λ以上且1.0λ以下时，能够使起因于SH波的杂散(比主模式的谐振频率更靠低频侧的杂散)的最大相位角减小至0°以下。
另外，在图43～图48以及图68～图85中，示出了欧拉角(0°，θ，0°)的结果，但已确认了在欧拉角(0°±5°，θ，0°±10°)的范围中可得到同样的结果。
(第3实施方式)
图49是构成本发明的第3实施方式涉及的多工器中的第1带通型滤波器的弹性波装置的示意性剖视图。在第3实施方式涉及的多工器中，作为构成第1带通型滤波器的弹性波装置，使用了图49所示的弹性波装置31。
如图49所示，在弹性波装置31中，在支承基板12与低声速材料层22之间设置有高声速材料层32。
高声速材料层32由所传播的体波的声速比在压电体13传播的弹性波的声速高的高声速材料构成。
高声速材料层32发挥功能以使得在层叠了压电体13以及低声速材料层22的部分限制弹性波，弹性波不会泄漏到比高声速材料层32更靠支承基板12侧的构造。在本实施方式中，高声速材料层32由氮化铝构成。不过，只要能够限制上述弹性波，就能够使用DLC膜、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、氧化镁、金刚石、以上述各材料为主要成分的材料、或以上述各材料的混合物为主要成分的材料。另外，在支承基板12与高声速材料层32之间也可以设置缓冲层。作为缓冲层，能够使用氮化铝、氮化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝等。关于其他方面，与第2实施方式同样。
即使在第3实施方式中，构成第1带通型滤波器的弹性波装置31也具备上述那样的结构，因此能够抑制在比主模式的频率更靠高频侧产生的杂散。因此，具有处于比第1带通型滤波器高的频带的通带的第2带通型滤波器的特性不易劣化。
此外，在第3实施方式中，弹性波装置31具备高声速材料层32，能够抑制能量向支承基板12的渗出，因此能够将弹性波有效地限制在压电体13内。
[高频前端电路、通信装置]
上述实施方式的多工器能够用于高频前端电路等。在下述中对该例进行说明。
图86是通信装置以及高频前端电路的结构图。另外，在该图中，与高频前端电路230连接的各构成要素，例如，天线元件202、RF信号处理电路(RFIC)203也一并图示。高频前端电路230以及RF信号处理电路203构成了通信装置240。另外，通信装置240也可以包含电源、CPU、显示器。
高频前端电路230具备开关225、多工器201A、201B、滤波器231、232、低噪声放大器电路214、224、和功率放大器电路234a、234b、244a、244b。另外，图86的高频前端电路230以及通信装置240是高频前端电路以及通信装置的一例，不限定于该结构。
多工器201A具有滤波器211、212。多工器201B具有滤波器221、222。多工器201A、201B经由开关225而与天线元件202连接。像这样，上述多工器也可以是两个滤波器的天线端子被公共化的双工器。
进而，上述多工器例如关于三个滤波器的天线端子被公共化的三工器、六个滤波器的天线端子被公共化的六工器等具备三个以上的滤波器的多工器也能够应用。
即，上述多工器包括双工器、具备三个以上的滤波器的多工器。而且，该多工器不限于具备发送滤波器以及接收滤波器双方的结构，也可以是仅具备发送滤波器或仅具备接收滤波器的结构。
开关225按照来自控制部(未图示)的控制信号，将天线元件202和与给定的频段对应的信号路径连接，例如，由SPDT(Single Pole Double Throw，单刀双掷)型的开关构成。另外，与天线元件202连接的信号路径不限于一个，也可以为多个。也就是说，高频前端电路230也可以对应载波聚合。
低噪声放大器电路214是将经由了天线元件202、开关225以及多工器201A的高频信号(在此为高频接收信号)进行放大并输出到RF信号处理电路203的接收放大电路。低噪声放大器电路224是将经由了天线元件202、开关225以及多工器201B的高频信号(在此为高频接收信号)进行放大并输出到RF信号处理电路203的接收放大电路。
功率放大器电路234a、234b是将从RF信号处理电路203输出的高频信号(在此为高频发送信号)进行放大并经由多工器201A以及开关225输出到天线元件202的发送放大电路。功率放大器电路244a、244b是将从RF信号处理电路203输出的高频信号(在此为高频发送信号)进行放大并经由多工器201B以及开关225输出到天线元件202的发送放大电路。
RF信号处理电路203通过下转换等对从天线元件202经由接收信号路径而输入的高频接收信号进行信号处理，并输出进行该信号处理而生成的接收信号。此外，RF信号处理电路203通过上转换等对所输入的发送信号进行信号处理，并将进行该信号处理而生成的高频发送信号输出到低噪声放大器电路224。RF信号处理电路203例如是RFIC。另外，通信装置也可以包含BB(基带)IC。在该情况下，BBIC对由RFIC处理后的接收信号进行信号处理。此外，BBIC对发送信号进行信号处理，并输出到RFIC。由BBIC处理后的接收信号、BBIC进行信号处理之前的发送信号例如是图像信号、声音信号等。另外，高频前端电路230也可以在上述的各构成要素之间具备其他电路元件。
另外，高频前端电路230也可以取代上述多工器201A、201B而具备多工器201A、201B的变形例涉及的多工器。
另一方面，通信装置240中的滤波器231、232不经由低噪声放大器电路214、224以及功率放大器电路234a、234b、244a、244b地连接在RF信号处理电路203与开关225之间。滤波器231、232也与多工器201A、201B同样地经由开关225而与天线元件202连接。
根据像以上那样构成的高频前端电路230以及通信装置240，通过具备本发明的多工器，从而频带高的带通型滤波器的滤波器特性不易由于频带低的带通型滤波器的影响而劣化。
以上，对本发明的实施方式涉及的多工器、高频前端电路以及通信装置，列举实施方式进行了说明，但关于本发明，将上述实施方式中的任意的构成要素组合而实现的另外的实施方式、对上述实施方式在不脱离本发明的主旨的范围内实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置了本发明涉及的高频前端电路以及通信装置的各种设备也包含于本发明。
本发明作为能够应用于多频带系统的多工器、前端电路以及通信装置，能够广泛利用于便携式电话机等通信设备。
符号说明
1...多工器；
2...公共端子；
3～5...第1～第3带通型滤波器；
11、21、31...弹性波装置；
12...支承基板；
13...压电体；
14...IDT电极；
15、16...反射器；
22...低声速材料层；
32...高声速材料层；
201A、201B...多工器；
202...天线元件；
203...RF信号处理电路；
211、212...滤波器；
214...低噪声放大器电路；
221、222...滤波器；
224...低噪声放大器电路；
225...开关；
230...高频前端电路；
231、232...滤波器；
234a、234b...功率放大器电路；
240...通信装置；
244a、244b...功率放大器电路。
Claims (13)
1.一种多工器，具备：
公共端子；
第1带通型滤波器，与所述公共端子连接，具有第1通带；和
第2带通型滤波器，与所述公共端子连接，具有频率比所述第1通带高的第2通带，
所述第1带通型滤波器具有弹性波装置，所述弹性波装置具备：
支承基板；
压电体，层叠在所述支承基板上；和
IDT电极，设置在所述压电体上，
所述压电体为铌酸锂，
所述弹性波装置利用了瑞利波。
2.根据权利要求1所述的多工器，其中，
所述压电体的欧拉角在(0°±5°，θ，0°±10°)的范围内，
所述欧拉角中的θ为30°以上且38°以下。
3.根据权利要求1或2所述的多工器，其中，
在将由所述IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ时，所述压电体的膜厚为0.1λ以上且1.0λ以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的多工器，其中，
还具备：低声速材料层，设置在所述支承基板与所述压电体之间，由所传播的体波的声速比在所述压电体传播的弹性波的声速低的低声速材料构成。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的多工器，其中，
在所述支承基板传播的体波的声速比在所述压电体传播的弹性波的声速高。
6.根据权利要求4所述的多工器，其中，
还具备：高声速材料层，设置在所述支承基板与所述低声速材料层之间，由所传播的体波的声速比在所述压电体传播的弹性波的声速高的高声速材料构成。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的多工器，其中，
所述IDT电极是从由Pt、Al、Cu、Mo、Au以及包含这些金属的合金构成的组中选择出的至少一种。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的多工器，其中，
所述支承基板由氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、金刚石、或以这些材料为主要成分的材料构成。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的多工器，其中，
在将由所述IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ时，所述IDT电极的厚度为0.02λ以上。
10.根据权利要求9所述的多工器，其中，
在将由所述IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ时，所述IDT电极的厚度为0.1λ以下。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的多工器，其中，
所述多工器用于载波聚合。
12.一种高频前端电路，具备：
权利要求1～11中任一项所述的多工器；和
功率放大器。
13.一种通信装置，具备：
权利要求12所述的高频前端电路；和
RF信号处理电路。
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