CN110137083B - 阵列基板及其制备方法 - Google Patents
阵列基板及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110137083B CN110137083B CN201910307251.7A CN201910307251A CN110137083B CN 110137083 B CN110137083 B CN 110137083B CN 201910307251 A CN201910307251 A CN 201910307251A CN 110137083 B CN110137083 B CN 110137083B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- insulating layer
- decomposable
- substrate
- array substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 109
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 67
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- -1 silicon nitride compound Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 2
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 2
- SIXOAUAWLZKQKX-UHFFFAOYSA-N carbonic acid;prop-1-ene Chemical compound CC=C.OC(O)=O SIXOAUAWLZKQKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 200
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- ZXTFQUMXDQLMBY-UHFFFAOYSA-N alumane;molybdenum Chemical compound [AlH3].[Mo] ZXTFQUMXDQLMBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N copper molybdenum Chemical compound [Cu].[Mo] WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N copper titanium Chemical compound [Ti].[Cu] IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229920000379 polypropylene carbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本申请提供了一种阵列基板及其制备方法，所述制备方法还包括以下步骤：在玻璃基板上形成栅极金属层；在栅极金属层上形成可分解层，其中可分解层在紫外线照射前和照射后具有不同的热分解温度；在形成有所述可分解层的玻璃基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖可分解层；对形成有第一绝缘层的玻璃基板进行紫外线处理；对紫外线处理后的玻璃基板进行加热，其中在加热过程中可分解层产生分解，所述第一绝缘层和栅极金属层之间形成中空腔室；在第一绝缘层上方形成源极和漏极。有益效果：采用阵列基板制备方法，该阵列基板结构，有效减低了栅极绝缘薄膜击穿，有效改善导电金属铜扩散、静电释放等问题，提高电压保持率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
背景技术
随着薄膜晶体管(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)技术逐渐成熟，高解析如4K/8K及大尺寸65’/75’ /85’面板需求日益增加。同时，随着液晶面板尺寸增大，电流传输距离变大，最终导致液晶面板电阻电容负载增大。为降低传输距离变大导致的阻抗增大的问题，目前业界常用的做法是增加导电金属如铝(Al)、铜(Cu)等的厚度。然而，导电金属如Cu 厚度增加，湿蚀刻时间需要延长的同时，形成的图案还具有较高的锥形角(taper)，较高的锥形角会产生一系列的负面影响如：应力集中导致的栅极绝缘薄膜(Gate Insulator，简称GI)击穿、导电金属铜(Cu)扩散、静电释放(Electro-Staticdischarge，简称ESD)等。
综上所述，现有技术的薄膜晶体管存在栅极绝缘薄膜击穿、导电金属铜扩散、静电释放等的问题。
发明内容
本发明提供的阵列基板及阵列基板方法，为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
一种阵列基板制备方法，所述方法包括如下步骤：
在基板上形成栅极金属层；
在所述栅极金属层上形成可分解层，其中所述可分解层在紫外线照射前和照射后具有不同的热分解温度；
在形成有所述可分解层的基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述可分解层；
对形成有所述第一绝缘层的基板进行紫外线处理；
对紫外线处理后的所述基板进行加热，其中在加热过程中所述可分解层产生分解，所述第一绝缘层和栅极金属层之间形成中空腔室；
在所述第一绝缘层上方形成源极和漏极。
在一些实施例中，所述第一绝缘层为有机绝缘膜层，所述有机绝缘膜层材料为阵列有机绝缘膜、亚克力树脂、硅氧烷树脂中的一种或者多种；
所述对紫外线处理后的所述基板进行加热的步骤包括：以 230℃为加热温度，20-30分钟为加热时间对紫外线处理后的所述基板进行加热。
在一些实施例中，所述第一绝缘层的材料包括氮硅化合物，所述第一绝缘层的厚度为
所述对紫外线处理后的所述基板进行加热，包括：以大于或等于100℃的加热温度，对紫外线处理后的所述基板进行加热。
在一些实施例中，在所述第一绝缘层上方形成源极和漏极之前，所述阵列基板制备方法还包括：
在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层由氮硅化合物制成，所述氮硅化合物的厚度为
所述在所述第一绝缘层上方形成源极和漏极，包括：
在所述第二绝缘层上形成源极和漏极。
在一些实施例中，所述可分解层的可分解材料包括聚甲基乙撑碳酸酯、光酸产生剂、溶剂、以及添加剂、表面活性剂中的一种或者多种。
在一些实施例中，所述栅极金属层上形成可分解层，包括：
在所述栅极金属层上涂覆一层所述可分解材料；
对所述可分解材料进行黄光制程，得到可分解层，所述黄光制程所用的曝光量在100-1000兆焦耳之间。
本发明还提供一种阵列基板，所述的阵列基板制备方法制成，所述阵列基板包括基板与制备于所述基板上方的栅极金属层；以及，中间绝缘层，设置于所述栅极金属层上方，所述中间绝缘层和所述栅极金属层之间形成有中空腔室；
源漏极层，设置于所述中间绝缘层上方。
在一些实施例中，所述中空腔室将所述中间绝缘层与所述栅极金属层隔开。
在一些实施例中，所述中空腔室为部分断开结构，使得所述中间绝缘层与所述栅极金属层之间存在接触区域。
在一些实施例中，所述中空腔室为真空腔室。
本申请提供的阵列基板方法及阵列基板，采用新的薄膜晶体管的结构，有效减低了栅极绝缘薄膜(Gate Insulator，简称GI) 击穿，有效改善导电金属铜(Cu)扩散、静电释放(Electro-Static discharge，简称ESD)等问题，提高电压保持率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的阵列基板制备方法的流程示意图。
图2a-图2f为本发明实施例的工艺制备流程示意图。
图3为本发明实施例提供的阵列基板制备方法的另一流程示意图。
图4a-图4i为本发明实施例提供的制备流程结构另一示意图。
图5a-图5h为本发明实施例的制备流程结构示意图。
图6为本发明实施例的阵列基板的侧面示意图。
图7为本发明实施例的阵列基板的另一侧面示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、 [前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
如图1所示，本发明提供的阵列基板制备方法，所述方法包括：
S10，在基板上形成栅极金属层。
S20，在所述栅极金属层上形成可分解层，其中所述可分解层在紫外线照射前和照射后具有不同的热分解温度。
S30，在形成有所述可分解层的基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述可分解层。
S40，对形成有所述第一绝缘层的基板进行紫外线处理。
S50，对紫外线处理后的所述基板进行加热，其中在加热过程中所述可分解层产生分解，所述第一绝缘层和栅极金属层之间形成中空腔室。
S60，在所述第一绝缘层上方形成源极和漏极。
此方法制备的阵列基板，有效减低了阵列基板中的栅极绝缘薄膜击穿，有效改善导电金属铜扩散、静电释放等问题，提高电压保持率。
实施例一
图2a～图2f为本发明实施例提供的阵列基板的工艺制备流程图。
如图2a所示，包括基板201，所述基板201上方制备有栅极金属层202。
进一步的，所述栅极金属层202的导电材料为包括钼铝合金 (Mo/Al/Mo)、钼铜合金(Cu/Mo)或者铜钛合金(Cu/Ti)中的一种或多种。
如图2b所示，在所述栅极金属层202上形成有可分解层203。
进一步的，所述可分解层203是一种正性光刻胶材料，故亦可通过正常的黄光制程形成所需的。其主要组成为：聚甲基乙撑碳酸酯(Poly propylene carbonate，简称PPC)、光酸产生剂(Photo Acid Generator，简称PAG)、溶剂、以及添加剂、表面活性剂等。此外，此可分解层材料还有一性能：未经紫外光(Ultraviolet，简称UV)照射时，该可分解层材料的热分解温度在150-250℃之间。但经紫外光(UV)照射处理后，该可分解层材料203从50℃即可分解，到100℃时接近分解完全。
如图2c所示，在形成有所述可分解层203的基板201上形成有第一绝缘层204，所述第一绝缘层204覆盖所述可分解层203。
进一步的，该第一绝缘层204为有机绝缘膜层，所述有机绝缘膜层材料为阵列有机绝缘膜(Polymer Film on Array，简称PFA)、亚克力树脂(Polymethyl Methacrylate，简称PMMA)、硅氧烷树脂中的一种或者多种。
如图2d所示，对包括所述第一绝缘层204的基板进行紫外光 205照射；
进一步的，该紫外光205对该第一绝缘层204起到的作用为：对第一绝缘层204进行漂白处理用以提升该第一绝缘层204的穿透率，以及对可分解层203进行紫外光205处理。所使用的紫外光205的积光量大于或等于800毫焦耳(Milli Joule，MJ)；
如图2e所示，对紫外线204处理后的所述基板进行加热，其中在加热过程中所述可分解层203产生分解，使得所述第一绝缘层204和栅极金属层202之间形成有中空腔室206，该中空腔室 206的形态原可分解层203的形态相同，在图2e中，该中空腔室 206覆盖该栅极金属层202，使得该栅极金属层202与该第一绝缘层204隔开。
进一步的，所述加热温度为230℃，加热时间为20-30分钟。在该加热过程中，该第一绝缘层204进行固化的同时，该可分解层203产生分解，并透过该第一绝缘层204析出，形成该中空腔室206。
如图2f所示，在所述第一绝缘层上方形成有源层207和源漏极208及钝化层209。
实施例二
图3为本发明实施例提供的阵列基板方法的具体流程示意图，如下为：
S310，在基板上形成栅极金属层。
S320，在所述栅极金属层上涂覆一层所述可分解材料。
S330，对所述可分解材料进行黄光制程，得到可分解层。
S340，在形成有所述可分解层的玻璃基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述可分解层。
S350，对形成有所述第一绝缘层的基板进行紫外线处理。
S360，对形成有第一绝缘层的所述基板进行加热。
S370，在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，所述第一绝缘层包括所述第二绝缘层。
S380，对加热处理后的所述玻璃基板上方进行沉积有源层。
S390，对沉积氮化硅的所述玻璃基板进行沉积、黄光及蚀刻制
程，形成源漏极层与钝化层。
实施例二
如图4为本发明实施例提供的阵列基板的制备流程图：
如图4a所示，在基板401上形成有栅极金属层402。
进一步的，所述栅极金属层402的导电材料为钼铝合金、钼铜合金或者铜钛合金中的一种或多种。
如图4b所示，所述栅极金属层401上涂覆有一层所述可分解材料203。
如图4c所示，对所述可分解材料403进行黄光制程，得到有可分解层403。
进一步的，该黄光制程的曝光量在100-1000毫焦耳之间，在该实施例的黄光制程中，利用掩膜版对所述可分解材料403进行黄光制程，所述掩膜板上有镂空区，使所述可分解材料403形成如图4c的结构；此时，所述可分解层403覆盖所述栅极金属层402，该可分解层403覆盖该基板401的区域由黄光制程剥离。
如图4d所示，在形成有所述可分解层403的基板上形成第一绝缘层404，所述第一绝缘层404覆盖所述可分解层403及该基板 401。
进一步的，所述第一绝缘层404的材料包括氮硅化合物(SiNx)。
如图4e所示，对形成有所述第一绝缘层403的基板进行紫外线405处理，所述紫外线405的曝光量大于或等于800毫焦耳(mj)。
如图4f所示，对形成有第一绝缘层的所述基板401进行加热。
进一步的，所述加热温度大于或等于100℃，在加热过程中，该第一绝缘层404进行固化的同时，该可分解层403产生分解，并透过该第一绝缘层404析出，形成该中空腔室406。
如图4g所示，在所述第一绝缘层404上形成第二绝缘层4041，所述第一绝缘层404包括所述第二绝缘层4041。
进一步的，所述第二绝缘层的材料包括氮硅化合物(SiNx)，
如图4h所示，对加热处理后的所述基板401上方进行沉积，形成有源层407。
如图4i所示，对沉积有有源层407的所述基板401进行沉积、黄光及蚀刻制程，形成源漏极层408与钝化层409。
实施例三
如图5a-图5g为本发明实施例提供的阵列基板的制备流程图：
如图5a所示，在基板501上形成有栅极金属层502。
进一步的，所述栅极金属层502的导电材料为包括钼铝合金、钼铜合金或者铜钛合金中的一种或多种。
如图5b所示，在所述栅极金属层501上涂覆有一层所述可分解材料503。
如图5c所示，对所述可分解材料503进行黄光制程，得到有可分解层503。
进一步的，该黄光制程的曝光量在100-1000毫焦耳之间，在该实施例的黄光制程中，利用掩膜版对所述可分解材料503进行黄光制程，所述掩膜板上有镂空区，使所述可分解材料503形成如图5c的结构，所述可分解材料503形成一包括镂空区且部分覆盖所述栅极金属层501的可分解层503。在该黄光制程中，使得该栅极金属层502裸露。
如图5d所示，在形成有所述可分解层503的基板上形成第一绝缘层504，所述第一绝缘层504覆盖所述可分解层503，在该图 5d中，该第一绝缘层504与该栅极金属层502连接。
进一步的，所述第一绝缘层504的材料包括氮硅化合物(SiNx)。
如图5e所示，对形成有所述第一绝缘层503的基板进行紫外线505处理，所述紫外线505的曝光量大于或等于800毫焦耳(mj)。
如图5f所示，对形成有第一绝缘层504的所述基板进行加热形成中空腔室506，所述第一绝缘层504与所述栅极金属层502的上表面存在接触区域。
该中空腔室506为部分断开结构，使得该栅极金属层502与该第一绝缘层504连接。
进一步的，所述加热温度大于或等于100℃。
如图5g所示，在所述第一绝缘层504上形成第二绝缘层5041，所述第一绝缘层504包括所述第二绝缘层5041。
进一步的，所述第二绝缘层5041的材料包括氮硅化合物 (SiNx)。
所述第一绝缘层504包括第二绝缘层5041.
如图5h所示，对加热处理后的所述基板上方进行沉积，形成源极层507。对沉积有源层507的所述基板进行沉积、黄光及蚀刻制程，形成源漏极层508与钝化层509。
实施例四
如图6为本发明实施例所提供的阵列基板侧面剖视图，在图6 中，一种阵列基板，由本发明实施例所提供的任一种阵列基板制备方法制成，所述阵列基板包括基板601与制备于所述基板上方的栅极金属层602；以及，
中间绝缘层604，设置于所述栅极金属层602上方，所述中间绝缘层604和所述栅极金属层602之间形成有中空腔室606；
源漏极层608，设置于所述中间绝缘层604上方。
具体的，所述源漏极层608与所述中间绝缘层604之间还设置有有源层607。
所述源漏极608上方还设置有钝化层609。
在现有技术的阵列基板中，随着液晶面板尺寸的增大，电流传输距离变大，最终也会导致该液晶面板的电阻电容负载过大，使得该液晶显示面板栅极金属层与绝缘层发生栅极绝缘层裂纹及击穿。
本发明实施例提供的阵列基板，通过本发明实施例提供的阵列基板的制备方法形成如图6所示的阵列基板，该中间绝缘层604 和所述栅极金属层602之间形成有中空腔室606，使得该中间绝缘层与该栅极金属层避免接触，从而避免栅极绝缘层件产生击穿以及金属铜(Cu)扩散的问题。
如图7为本发明实施例所提供的另一阵列基板侧面图，该阵列基板由本发明实施例所提供的阵列基板制备方法制成，所述阵列基板包括基板701与制备于所述基板上方的栅极金属层702；以及，中间绝缘层704，设置于所述栅极金属层702上方，所述中间绝缘层704和所述栅极金属层702之间形成有中空腔室706；
在该图7中，该中空腔室706为部分断开结构，使得该中间绝缘层703与该栅极金属层702之间连接。
源漏极层708，设置于所述中间绝缘层704上方。
具体的，所述源漏极层708与所述中间绝缘层704之间还设置有有源层707。
所述源漏极708上方还设置有钝化层709。
本实施例提供的阵列基板与图6提供的阵列基板相似，在该图中，该中空腔室706为部分断开结构，所述中间绝缘层704与所述栅极金属层702的上表面存在接触区域。本实施例提供的阵列基板的目的在于：考虑到金属铜(Cu)扩散主要集中发生在该栅极金属层702与该中间绝缘层704的边缘处，此结构的设计不仅舍得该中间绝缘层704与该栅极金属层702接触连接，与此同时，由于该中空腔室706的部分断开结构，也避免了原本该中空腔室706区域发生的栅极绝缘薄膜击穿及导电金属铜扩散的问题。
在本实施例中，所述阵列基板制备方法及装置，可以应用于有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)技术开发中，或量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)的TFT技术开发中，或微型二极管的TFT技术开发中。
有益效果为：采用阵列基板制备方法，该阵列基板结构，有效减低了栅极绝缘薄膜击穿，有效改善导电金属铜扩散、静电释放等问题，提高电压保持率。
综上所述，虽然本发明已将优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
在基板上形成栅极金属层；
在所述栅极金属层上形成可分解层，其中所述可分解层在紫外线照射前和照射后具有不同的热分解温度；
在形成有所述可分解层的基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述可分解层；
对形成有所述第一绝缘层的基板进行紫外线处理；
对紫外线处理后的所述基板进行加热，其中在加热过程中所述可分解层产生分解，所述第一绝缘层和栅极金属层之间形成中空腔室；
在所述第一绝缘层上方形成源极和漏极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层为有机绝缘膜层，所述有机绝缘膜层材料为阵列有机绝缘膜、亚克力树脂、硅氧烷树脂中的一种或者多种；
所述对紫外线处理后的所述基板进行加热的步骤包括：以230℃为加热温度，20-30分钟为加热时间对紫外线处理后的所述基板进行加热。
3.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，
所述第一绝缘层的材料包括氮硅化合物，所述第一绝缘层的厚度为
所述对紫外线处理后的所述基板进行加热，包括：以大于或等于100℃的加热温度，对紫外线处理后的所述基板进行加热。
4.根据权利要求3所述的阵列基板制备方法，其特征在于，
在所述第一绝缘层上方形成源极和漏极之前，所述阵列基板制备方法还包括：
在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层由氮硅化合物制成，所述氮硅化合物的厚度为
所述在所述第一绝缘层上方形成源极和漏极，包括：
在所述第二绝缘层上方形成源极和漏极。
5.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述可分解层的可分解材料包括聚甲基乙撑碳酸酯、光酸产生剂、溶剂、以及添加剂、表面活性剂中的一种或者多种。
6.根据权利要求5所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述栅极金属层上形成可分解层，包括：
在所述栅极金属层上涂覆一层所述可分解材料；
对所述可分解材料进行黄光制程，得到可分解层，所述黄光制程所用的曝光量在100-1000兆焦耳之间。
7.一种阵列基板，其特征在于，由权利要求1所述的阵列基板制备方法制成，包括：
基板；
设置于所述基板上的栅极金属层；
中间绝缘层，设置于所述栅极金属层上方，所述中间绝缘层和所述栅极金属层之间形成有中空腔室；以及
源漏极层，设置于所述中间绝缘层上方。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述中空腔室将所述中间绝缘层与所述栅极金属层隔开。
9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述中间绝缘层与所述栅极金属层的上表面存在接触区域。
10.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述中空腔室为真空腔室。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910307251.7A CN110137083B (zh) | 2019-04-17 | 2019-04-17 | 阵列基板及其制备方法 |
| PCT/CN2019/117677 WO2020211349A1 (zh) | 2019-04-17 | 2019-11-12 | 阵列基板及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910307251.7A CN110137083B (zh) | 2019-04-17 | 2019-04-17 | 阵列基板及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110137083A CN110137083A (zh) | 2019-08-16 |
| CN110137083B true CN110137083B (zh) | 2020-12-08 |
Family
ID=67570052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910307251.7A Active CN110137083B (zh) | 2019-04-17 | 2019-04-17 | 阵列基板及其制备方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110137083B (zh) |
| WO (1) | WO2020211349A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110137083B (zh) * | 2019-04-17 | 2020-12-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
| CN111124176B (zh) * | 2019-12-06 | 2023-10-13 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种触控面板制程方法及触控面板 |
| CN111863903B (zh) * | 2020-07-23 | 2023-04-18 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004009601B4 (de) * | 2004-02-27 | 2008-03-20 | Qimonda Ag | Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors |
| DE102007022509B4 (de) * | 2007-05-14 | 2015-10-22 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauteil mit Dünnschichtverkappung und Herstellungsverfahrung |
| US7749820B2 (en) * | 2008-03-07 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, manufacturing method thereof, display device, and manufacturing method thereof |
| KR20130112854A (ko) * | 2010-06-21 | 2013-10-14 | 아이엠이씨 | 박막 트랜지스터들 및 트랜지스터 회로들을 제조하는 방법 |
| US8633055B2 (en) * | 2011-12-13 | 2014-01-21 | International Business Machines Corporation | Graphene field effect transistor |
| CN104362179B (zh) * | 2014-10-13 | 2017-04-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置 |
| CN110137083B (zh) * | 2019-04-17 | 2020-12-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
-
2019
- 2019-04-17 CN CN201910307251.7A patent/CN110137083B/zh active Active
- 2019-11-12 WO PCT/CN2019/117677 patent/WO2020211349A1/zh active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2020211349A1 (zh) | 2020-10-22 |
| CN110137083A (zh) | 2019-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11569462B2 (en) | Flexible array substrate, preparation method thereof, and flexible display panel | |
| CN110137083B (zh) | 阵列基板及其制备方法 | |
| TW439389B (en) | Substrate for patterning thin film and surface treatment thereof | |
| CN100466206C (zh) | 薄膜晶体管基板及其制造方法 | |
| KR101019048B1 (ko) | 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
| US10914998B2 (en) | Array substrate of thin-film transistor liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
| KR101128333B1 (ko) | 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
| KR20110055936A (ko) | 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
| WO2018090482A1 (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN1727976A (zh) | 液晶显示器的阵列基板及其制造方法 | |
| KR20120046555A (ko) | 어레이 기판의 제조방법 | |
| WO2021136446A1 (zh) | 驱动背板及其制备方法、显示面板、显示装置 | |
| US11114630B2 (en) | Display panel, manufacturing method thereof, display device | |
| US8064003B2 (en) | Thin film transistor integrated circuit device, active matrix display device, and manufacturing methods of the same | |
| US10170506B2 (en) | LTPS array substrate and method for producing the same | |
| KR20090071538A (ko) | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| CN1901169A (zh) | 制造薄膜晶体管基板的方法 | |
| JP2014512075A (ja) | 表面の平坦化 | |
| WO2018000947A1 (zh) | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板 | |
| WO2020019557A1 (zh) | 薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管 | |
| KR20100123535A (ko) | 어레이 기판의 제조방법 | |
| TWI239652B (en) | Transistor manufacturing method, electro-optic device and electronic instrument | |
| WO2022247017A1 (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| CN102237306B (zh) | 液晶显示基板及其制造方法和液晶显示器 | |
| KR20110113042A (ko) | 어레이 기판 및 이의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: TCL Huaxing Photoelectric Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210624 Address after: No. 338, Fangzhou Road, Suzhou Industrial Park, Suzhou, Jiangsu 215000 Patentee after: Suzhou Huaxing Optoelectronic Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: TCL Huaxing Photoelectric Technology Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |