CN110099227B - 一种像素单元电路及图像处理方法、存储介质 - Google Patents

一种像素单元电路及图像处理方法、存储介质 Download PDF

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Abstract

本申请实施例提供了一种像素单元电路及图像处理方法、存储介质，该像素单元电路包括：光电二极管PD柱；与PD柱连接的埋沟源极跟随器BSF，BSF的源极和漏极对应的n+区之间注入一层n区，BSF的栅极设置在n区上；其中，PD柱，用于吸收RGB对应的至少一种色光，并将对应的光信号转换成电信号；BSF，用于放大电信号。

Description

一种像素单元电路及图像处理方法、存储介质
技术领域
本申请涉及图像处理领域，尤其涉及一种像素单元电路及图像处理方法、存储介质。
背景技术
现有的CMOS图像传感器(CIS，CMOS Image Sensor)由像素单元电路和CMOS电路构成，其中，像素单元电路包括感光二极管和CMOS像素读出电路。相对于CCD图像传感器，CMOS图像传感器因为采用CMOS标准制作工艺，因此具有更好的可集成度，可以与其他数模运算和控制电路集成在同一块芯片上，更适应未来的发展。
根据现有CMOS图像传感器的像素单元电路所含晶体管数目，其主要分为3T型结构和4T型结构。其中，3T型CMOS图像传感器的CMOS像素读出电路包括复位管、放大管和选通管，三者都为NMOS管；4T型CMOS图像传感器的CMOS像素读出电路比3T型CMOS图像传感器的CMOS像素读出电路多了一个转移晶体管。
现有的放大管使用的是源极跟随器，其MOS场效应管的结构如图1所示，源极跟随器的栅极由硅-二氧化硅组成，其中，二氧化硅层与P-epi相接触，使得源极跟随器的通道的最高势能受到二氧化硅表面的影响，进而提高了亚波长像素的随机噪声。
发明内容
本申请实施例提供一种像素单元电路及图像处理方法、存储介质，能够降低了亚波长像素的随机噪声。
本申请的技术方案是这样实现的：
本申请实施例提供一种像素单元电路，应用于CMOS图像传感器，其特征在于，所述像素单元电路包括：
光电二极管PD柱；
与所述PD柱连接的埋沟源极跟随器BSF，所述BSF的源极和漏极对应的n+区之间注入一层n区，所述BSF的栅极设置在n区上；
其中，所述PD柱，用于吸收RGB对应的至少一种色光，并将对应的光信号转换成电信号；
所述BSF，用于放大所述电信号。
在上述像素单元电路中，所述BSF的栅极由多晶硅薄膜和二氧化硅层组成，所述二氧化硅层与n区连接。
在上述像素单元电路中，所述PD柱的尺寸是基于RGB单色光的共振波长和所述光信号的折射率确定。
在上述像素单元电路中，所述PD柱的形状至少包括长方形、圆形、平行四边形和菱形。
在上述像素单元电路中，所述像素单元电路还包括：转移晶体管，用于连接所述PD柱和所述BSF；
所述转移晶体管的源极与PD柱的n区连接；所述转移晶体管的漏极与浮空有源区FD连接；
所述PD柱将所述电信号聚焦到所述转移晶体管的n+区，并经过所述转移晶体管转移到所述FD。
在上述像素单元电路中，所述像素单元电路还包括：选通管；
所述BSF的栅极和所述FD连接；所述BSF的源极和电源连接；所述BSF的漏极和所述选通管的源极连接；所述选通管的漏极和图像信号处理器连接。
在上述像素单元电路中，所述像素单元电路还包括：复位管，所述复位管的源极和漏极对应的n+区之间注入一层n区，所述复位管的栅极设置在n区上；
所述复位管的源极和电源连接；所述复位管的漏极和FD连接。
在上述像素单元电路中，所述复位管用于存储复位电平，并通过所述FD读出所述复位电平。
本申请实施例提供一种图像处理方法，应用于由像素单元电路组成的CMOS图像传感器，所述像素单元电路包括PD柱和通过转移晶体管与所述PD柱连接的BSF，所述方法包括：
利用PD柱吸收RGB对应的至少一种色光，并将对应的光信号转换成电信号；
利用所述转移晶体管将所述电信号转移至FD，以供所述FD读出所述电信号；
利用所述BSF，将读出的电信号放大，以对放大的电信号进行图像处理，得到对应的图像，所述BSF的源极和漏极对应的n+区之间注入一层n区，所述BSF的栅极设置在n区上。
在上述方法中，像素单元电路还包括：复位管，所述复位管的源极和漏极对应的n+区之间注入一层n区，所述复位管的栅极设置在n区上，所述方法还包括：
将所述复位管中存储的复位电平转移至所述FD，以供所述FD读出所述复位电平；
利用所述BSF，将读出的所述复位电平放大，以利用放大的复位电平和放大的电信号，得到对应的图像。
本申请实施例提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，应用于像素单元电路，该计算机程序被处理器执行时实现如上述任一项所述的方法。
本申请实施例提供了一种像素单元电路及图像处理方法、存储介质，该像素单元电路包括：光电二极管PD柱；与PD柱连接的埋沟源极跟随器BSF，BSF的源极和漏极对应的n+区之间注入一层n区，BSF的栅极设置在n区上；其中，PD柱，用于吸收RGB对应的至少一种色光，并将对应的光信号转换成电信号；BSF，用于放大电信号。采用上述实现方案，BSF在源极和漏极的n+区域之间注入一层额外的n区，使得BSF的通道的最高势能远离硅-二氧化硅表面，降低了载流子被阵列缺陷俘获的几率，进而降低了亚波长像素的随机噪声。
附图说明
图1为现有技术提出的一种源极跟随器的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的一种像素单元电路的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的一种示例性的埋沟源极跟随器的结构组成图；
图4为本申请实施例提供的一种示例性的像素单元电路的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的一种图像处理方法的流程图。
具体实施方式
应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请。并不用于限定本申请。
实施例一
本申请实施例提供一种像素单元电路，应用于CMOS图像传感器，如图2所示，该像素单元电路包括：
光电二极管PD柱；
与所述PD柱连接的埋沟源极跟随器BSF，所述BSF的源极和漏极对应的n+区之间注入一层n区，所述BSF的栅极设置在n区上；
其中，所述PD柱，用于吸收RGB对应的至少一种色光，并将对应的光信号转换成电信号；
所述BSF，用于放大所述电信号。
本申请实施例提供的一种像素单元电路适用于利用CMOS图像传感器对采集到的光信号进行图像处理，得到光信号对应的图像的场景下。
本申请实施例中，CMOS图像传感器由像素单元电路和CMOS电路组成，其中，像素单元电路用于将采集到的光信号转换成电信号，并将电信号读出，以供CMOS电路对电信号进行图像处理，得到光信号对应的图像。
本申请实施例中，每个像素单元电路至少由一个或者多个PD柱、与一个或者多个PD柱连接的转移晶体管和与转移晶体管连接的埋沟源极跟随器(BSF，Buried-channelSource Follower)组成。
本申请实施例中，BSF的源极和漏极对应的n+区之间注入一层n区，并将BSF的栅极设置在n区上，其中，BSF的栅极由多晶硅薄膜和二氧化硅层组成，BSF的二氧化硅层与n区连接。
如图3所示，为BSF结构示意图，其中，BSF的源极接电源VDD，栅极接浮空有源区(FD，Floating Diffusion)，在两个n+区之间注入一层n区，使得BSF的硅-二氧化硅层与P-epi相隔。
可选的，所述PD柱的尺寸是基于RGB单色光的共振波长和所述光信号的折射率确定。
本申请实施例中，PD柱的直径是基于RGB单色光的共振波长和所述光信号的折射率确定的，或者通过光学模拟得到的，具体的根据实际情况进行选择，本申请实施例不做具体的限定。
本申请实施例中，利用公式(1)确定PD柱的尺寸
PD柱的尺寸＝(共振波长-预设常数)/折射率(1)
示例性的，吸收蓝光时对应的PD柱的直径为60nm左右；吸收绿光时对应的PD柱的直径为90nm；吸收红光时对应的PD柱的直径为120nm。
本申请实施例中，像素单元电路利用PD柱的光学共振，实现了对RGB对应的至少一种色光的共振吸收。
可选的，所述PD柱的形状至少包括长方形、圆形、平行四边形和菱形，具体的根据实际情况进行选择，本申请实施例不做具体的限定。
可选的，所述像素单元电路还包括：转移晶体管，用于连接所述PD柱和所述BSF；所述转移晶体管的源极与PD柱的n区连接；所述转移晶体管的漏极与FD连接；
所述PD柱将所述电信号聚焦到所述转移晶体管的n+区，并经过所述转移晶体管转移到所述FD。
本申请实施例中，光线在PD柱的耗尽区发生光电转换，将光信号转换成电信号，之后转移晶体管将电信号聚集到转移晶体管的n+区沟道中；并将n+区沟道中的电信号转移到FD。
可选的，所述像素单元电路还包括：选通管；
所述BSF的栅极和所述FD连接；所述BSF的源极和电源连接；所述BSF的漏极和所述选通管的源极连接；所述选通管的漏极和图像信号处理器连接。
本申请实施例中，BSF从FD获取电信号，并将电信号进行放大，最终经过选通管后读出，CMOS电路对读出的电信号进行图像信号处理，得到对应的图像。
可选的，所述像素单元电路还包括：复位管，所述复位管的源极和漏极对应的n+区之间注入一层n区，所述复位管的栅极设置在n区上；
所述复位管的源极和电源连接；所述复位管的漏极和FD连接。
本申请实施例中，像素单元电路还包括复位管，其中存储有复位电平，该复位电平用于与电信号进行相关双采样，以降低读出电信号的噪声。
本申请实施例中，复位管的源极和漏极对应的n+区之间注入一层n区，所述复位管的栅极设置在n区上，由此，能够降低在读出复位电平时的噪声。
可选的，所述复位管用于存储复位电平，并通过所述FD读出所述复位电平。
本申请实施例中，分别从复位管读出复位电平、从转移晶体管读出电信号，之后，对复位电平和电信号进行放大之后，对放大的电信号和放大的复位电平进行相关双采样，从而降低读出电信号的噪声。
如图4所示，为单个像素单元电路的简化示意图，其中，PD柱的n区和转移晶体管的源极连接，转移晶体管的漏极与FD连接；FD还与复位管的漏极连接，复位管的源极和电源连接；FD还与BSF的栅极连接，BSF的源极和电源连接，BSF的漏极与选通管的源极连接，选通管的漏极和输出端连接。
可以理解的是，BSF在源极和漏极的n+区域之间注入一层额外的n区，使得BSF的通道的最高势能远离硅-二氧化硅表面，降低了载流子被阵列缺陷俘获的几率，进而降低了亚波长像素的随机噪声。
实施例二
本申请实施例提供一种图像处理方法，应用于由像素单元电路组成的CMOS图像传感器，像素单元电路包括PD柱和通过转移晶体管与PD柱连接的BSF，如图5所示，该方法可以包括：
S101、利用PD柱吸收RGB对应的至少一种色光，并将对应的光信号转换成电信号。
本申请实施例提供的一种图像处理方法适用于的场景下。
本申请实施例中，不同尺寸的PD柱吸收不同的RGB对应的一种色光，光线在PD柱的耗尽区发生光电转换，将光信号转换成电信号。
本申请实施例中，PD柱的直径是基于RGB单色光的共振波长和所述光信号的折射率确定的，或者通过光学模拟得到的，具体的根据实际情况进行选择，本申请实施例不做具体的限定。
本申请实施例中，利用公式(1)确定PD柱的尺寸
PD柱的尺寸＝(共振波长-预设常数)/折射率 (1)
示例性的，吸收蓝光时对应的PD柱的直径为60nm左右；吸收绿光时对应的PD柱的直径为90nm；吸收红光时对应的PD柱的直径为120nm。
本申请实施例中，像素单元电路利用PD柱的光学共振，实现了对RGB对应的至少一种色光的共振吸收。
可选的，PD柱的形状至少包括长方形、圆形、平行四边形和菱形，具体的根据实际情况进行选择，本申请实施例不做具体的限定。
S102、利用转移晶体管将电信号转移至FD，以供FD读出电信号。
当CMOS图像传感器利用PD柱吸收RGB对应的至少一种色光，并将对应的光信号转换成电信号之后，CMOS图像传感器利用转移晶体管将电信号转移至FD，以供FD读出电信号。
本申请实施例中，转移晶体管的源极与PD柱的n区连接；转移晶体管的漏极与FD连接；由此，PD柱将电信号聚焦到转移晶体管的n+区，并经过转移晶体管转移到FD。
S103、利用BSF，将读出的电信号放大，以对放大的电信号进行图像处理，得到对应的图像，BSF的源极和漏极对应的n+区之间注入一层n区，BSF的栅极设置在n区上。
当CMOS图像传感器利用转移晶体管将电信号转移至FD，以供FD读出电信号之后，CMOS图像传感器利用BSF，将读出的电信号放大，以对放大的电信号进行图像处理，得到对应的图像。
本申请实施例中，像素单元电路还包括：选通管；其中，BSF的栅极和FD连接；BSF的源极和电源连接；BSF的漏极和选通管的源极连接；选通管的漏极和图像信号处理器连接。
本申请实施例中，BSF从FD获取电信号，并将电信号进行放大，最终经过选通管后读出，ISP对读出的电信号进行图像信号处理，得到对应的图像。
本申请实施例中，像素单元电路还包括：复位管，其中，复位管的源极和漏极对应的n+区之间注入一层n区，复位管的栅极设置在n区上，像素单元电路将复位管中存储的复位电平转移至FD，以供FD读出复位电平，之后，像素单元电路利用BSF，将读出的复位电平放大，以利用放大的复位电平和放大的电信号，得到对应的图像。
本申请实施例中，复位管的源极和漏极对应的n+区之间注入一层n区，所述复位管的栅极设置在n区上，由此，能够降低在读出复位电平时的噪声。
本申请实施例中，分别从复位管读出复位电平、从转移晶体管读出电信号，之后，对复位电平和电信号进行放大之后，对放大的电信号和放大的复位电平进行相关双采样，从而降低读出电信号的噪声。
可以理解的是，BSF在源极和漏极的n+区域之间注入一层额外的n区，使得BSF的通道的最高势能远离硅-二氧化硅表面，降低了载流子被阵列缺陷俘获的几率，进而降低了亚波长像素的随机噪声。
实施例三
本申请实施例提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，上述计算机可读存储介质存储有一个或者多个程序，上述一个或者多个程序可被一个或者多个处理器执行，应用于像素单元电路中，该计算机程序实现如实施例二所述的图像处理方法。
具体来讲，本实施例中的一种图像处理方法对应的程序指令被一电子设备读取或被执行时，包括如下步骤：
利用PD柱吸收RGB对应的至少一种色光，并将对应的光信号转换成电信号；
利用所述转移晶体管将所述电信号转移至FD，以供所述FD读出所述电信号；
利用所述BSF，将读出的电信号放大，以对放大的电信号进行图像处理，得到对应的图像，所述BSF的源极和漏极对应的n+区之间注入一层n区，所述BSF的栅极设置在n区上。
在本发明的实施例中，进一步地，像素单元电路还包括：复位管，所述复位管的源极和漏极对应的n+区之间注入一层n区，所述复位管的栅极设置在n区上，上述一个或者多个程序被上述一个或者多个处理器执行，还实现以下步骤：
将所述复位管中存储的复位电平转移至所述FD，以供所述FD读出所述复位电平；
利用所述BSF，将读出的所述复位电平放大，以利用放大的复位电平和放大的电信号，得到对应的图像。
以上所述，仅为本申请的较佳实施例而已，并非用于限定本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种像素单元电路，应用于CMOS图像传感器，其特征在于，所述像素单元电路包括：
光电二极管PD柱；
与所述PD柱连接的埋沟源极跟随器BSF，所述BSF的源极和漏极对应的n+区之间注入一层n区，所述BSF的栅极设置在n区上；
其中，不同尺寸的所述PD 柱吸收不同的RGB 对应的一种单色光，并将对应的光信号转换成电信号；
所述BSF，用于放大所述电信号；
其中，所述PD柱的尺寸是基于RGB单色光的共振波长和所述光信号的折射率确定。
2.根据权利要求1所述的像素单元电路，其特征在于，所述BSF的栅极由多晶硅薄膜和二氧化硅层组成，所述二氧化硅层与n区连接。
3.根据权利要求1所述的像素单元电路，其特征在于，所述PD柱的形状至少包括长方形、圆形、平行四边形和菱形。
4.根据权利要求1所述的像素单元电路，其特征在于，所述像素单元电路还包括：转移晶体管，用于连接所述PD柱和所述BSF；
所述转移晶体管的源极与PD柱的n区连接；所述转移晶体管的漏极与浮空有源区FD连接；
所述PD柱将所述电信号聚焦到所述转移晶体管的n+区，并经过所述转移晶体管转移到所述FD。
5.根据权利要求4所述的像素单元电路，其特征在于，所述像素单元电路还包括：选通管；
所述BSF的栅极和所述FD连接；所述BSF的源极和电源连接；所述BSF的漏极和所述选通管的源极连接；所述选通管的漏极和图像信号处理器连接。
6.根据权利要求1所述的像素单元电路，其特征在于，所述像素单元电路还包括：复位管，所述复位管的源极和漏极对应的n+区之间注入一层n区，所述复位管的栅极设置在n区上；
所述复位管的源极和电源连接；所述复位管的漏极和FD连接。
7.根据权利要求6所述的像素单元电路，其特征在于，所述复位管用于存储复位电平，并通过所述FD读出所述复位电平。
8.一种图像处理方法，应用于包括像素单元电路组成的CMOS图像传感器，所述像素单元电路包括PD柱和通过转移晶体管与所述PD柱连接的BSF，其特征在于，所述方法包括：
利用不同尺寸的光电二极管PD柱吸收不同RGB对应的一种单色光，并将对应的光信号转换成电信号；
利用所述转移晶体管将所述电信号转移至FD，以供所述FD读出所述电信号；
利用所述BSF，将读出的电信号放大，以对放大的电信号进行图像处理，得到对应的图像，所述BSF的源极和漏极对应的n+区之间注入一层n区，所述BSF的栅极设置在n区上；
其中，所述PD柱的尺寸是基于RGB单色光的共振波长和所述光信号的折射率确定。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，像素单元电路还包括：复位管，所述复位管的源极和漏极对应的n+区之间注入一层n区，所述复位管的栅极设置在n区上，所述方法还包括：
将所述复位管中存储的复位电平转移至所述FD，以供所述FD读出所述复位电平；
利用所述BSF，将读出的所述复位电平放大，以利用放大的复位电平和放大的电信号，得到对应的图像。
10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，应用于像素单元电路，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求8-9任一项所述的方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110460788A (zh) * 2019-08-14 2019-11-15 Oppo广东移动通信有限公司 一种单色偏振式cis及图像处理方法、存储介质
CN110536084A (zh) * 2019-09-10 2019-12-03 Oppo广东移动通信有限公司 叠层互补金属氧化物半导体图像传感器及图像处理方法
CN110572594B (zh) * 2019-09-11 2022-04-15 Oppo广东移动通信有限公司 叠层互补金属氧化物半导体图像传感器及图像处理方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1684266A (zh) * 2003-05-16 2005-10-19 戴洛格半导体公司 利用垂直结构的互补金属氧化物半导体象素
CN1957480A (zh) * 2004-03-26 2007-05-02 爱特梅尔股份有限公司 以单一掩模组结合只读元件的非易失性晶体管存储器阵列
CN102569325A (zh) * 2012-02-27 2012-07-11 上海中科高等研究院 多功能图像传感器及其制作方法
CN102610622A (zh) * 2008-11-07 2012-07-25 索尼株式会社 固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备
CN103208522A (zh) * 2012-01-17 2013-07-17 台湾积体电路制造股份有限公司 具有伪栅极的横向dmos器件

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4485087B2 (ja) * 2001-03-01 2010-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の動作方法
CN101924137B (zh) * 2009-06-12 2012-07-04 万国半导体股份有限公司 纳米管半导体器件及其制备方法
US20160035822A1 (en) * 2014-07-30 2016-02-04 Freescale Semiconductor, Inc. High Voltage Semiconductor Devices and Methods for their Fabrication

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1684266A (zh) * 2003-05-16 2005-10-19 戴洛格半导体公司 利用垂直结构的互补金属氧化物半导体象素
CN1957480A (zh) * 2004-03-26 2007-05-02 爱特梅尔股份有限公司 以单一掩模组结合只读元件的非易失性晶体管存储器阵列
CN102610622A (zh) * 2008-11-07 2012-07-25 索尼株式会社 固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备
CN103208522A (zh) * 2012-01-17 2013-07-17 台湾积体电路制造股份有限公司 具有伪栅极的横向dmos器件
CN102569325A (zh) * 2012-02-27 2012-07-11 上海中科高等研究院 多功能图像传感器及其制作方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
n沟道场效应管工作原理、特性及结构详解-N沟道场效应管型号-KIA MOS管;深圳市可易亚半导体科技有限公司;《http://www.kiaic.com/article/detail/1167.html》;20180930;1-7 *

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