CN110082974B - 阵列基板修补系统及其方法 - Google Patents
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Abstract
一种阵列基板修补系统及其方法，其中所述阵列基板修补系统包括第一电性量测站、镭射修补机、镭射长线机及研磨机。第一电性量测站量测所述阵列基板是否存在缺陷，所述缺陷包括点缺陷、断线缺陷和粒子缺陷。镭射修补机对具有所述点缺陷的所述阵列基板进行修补，并分流其余非具有所述点缺陷的所述阵列基板。镭射长线机对具有所述断线缺陷的所述阵列基板并进行长线修补。研磨机对具有所述粒子缺陷的所述阵列基板进行研磨。借此，通过所述研磨机的研磨修补取代所述镭射长线机的长线修补，降低所述镭射长线机的工作量，从而提升产能与生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种阵列基板修补系统及其方法。
背景技术
随着经济的快速发展，人们对电视机显示效果需求越来越高。液晶面板厂商的生产设备价格也是极其昂贵，如何在现有设备数量上同时不影响良率效果的前提下，将生产能力最大化满足市场刚需，已成为液晶面板生产厂商的重要难题。
以现有的液晶面板生产设备而言，T400(Laser CVD)站点作为薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)阵列测试区的一个长线站点。T400主要原理是利用气相沉积(chemicalvapor deposition，CVD)原理，将金属材料沉积在各种不同的阵列制程材质上。T400主要用途是针对会造成断线的缺陷(defect)进行修补，以减少线缺陷对产品的损失，进而提高良率。然而在现有的生产流程中，通过T200(array test)电性检测结果为断路类型的线缺陷并通过T300(final repair)而无法修补的线缺陷进行长线修补。
T400的设备数量会根据最大产能的进片率估算购买，一般生产商为节省成本和提升生产空间利用率而压缩购买设备数量，从而导致T400站点生产压力过大，造成长期堆积的现象，因此T400长线站点长期成为生产瓶颈。有鉴于此，有必要提供一种阵列基板修补系统及其方法，来解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板修补系统及基板检测方法，通过所述研磨机的研磨修补取代所述镭射长线机的长线修补，降低所述镭射长线机的工作量，即降低因长线修补堆积带来的产能损失和时间成本，从而提升产能与生产效率。
为达成本发明的前述目的，本发明提供一种阵列基板修补系统，包括第一电性量测站、镭射修补机、镭射长线机及研磨机。第一电性量测站量测所述阵列基板是否存在缺陷，所述缺陷包括点缺陷、断线缺陷和粒子缺陷。镭射修补机连接所述第一电性量测站，对具有所述点缺陷的所述阵列基板进行修补，所述镭射修补机分流其余非具有所述点缺陷的所述阵列基板。镭射长线机连接所述镭射修补机，对具有所述断线缺陷的所述阵列基板并进行长线修补。研磨机连接所述镭射修补机，对具有所述粒子缺陷的所述阵列基板进行研磨。
在本发明的一实施例中，所述粒子缺陷叠设在薄膜晶体管的金属导线上，所述粒子缺陷通过所述研磨机的激光磨低或磨除，使所述金属导线保持电性导通。
在本发明的一实施例中，在所述栅极扫描线或所述源漏极数据线上的开口部熔接修补成U或I字型长线，使得断开的所述栅极扫描线或所述源漏极数据线恢复电性连接。
在本发明的一实施例中，还包括:
虚拟做账站，分别接收从所述镭射长线机和所述研磨机修补后的所述阵列基板；
分出重测站，连接所述虚拟做账站并检测出异常的所述阵列基板；
第二电性量测站，连接所述分出重测站并对上述异常的所述阵列基板再次量测；以及
出货站，连接所述分出重测站，当所述分出重测站检测所述阵列基板正常时，即通过所述出货站出货。
在本发明的一实施例中，，所述第二电性量测站还连接所述镭射修补机，通过所述镭射修补机进行所述点缺陷的修补，并根据所述缺陷种类再次分流至所述镭射长线机或所述研磨机。
在本发明的一实施例中，所述第一电性量测站和第二电性量测站分别为自动量测系统(ATS，automatic test system)，所述研磨机为镭射研磨机。再者，本发明还提供一种阵列基板修补方法，包括以下步骤：
S10、提供第一电性量测站，通过所述第一电性量测站量测所述阵列基板是否存在缺陷，其中所述缺陷包括点缺陷、断线缺陷和粒子缺陷；
S20、提供镭射修补机，所述镭射修补机对具有所述点缺陷的所述阵列基板进行修补，并分流其余非具有所述点缺陷的所述阵列基板；
S30、提供镭射长线机，所述镭射长线机对具有所述断线缺陷的所述阵列基板并进行长线修补；以及
S40、提供研磨机，所述研磨机对具有所述粒子缺陷的所述阵列基板进行研磨。
在本发明的一实施例中，在步骤S30中，将具有所述断线缺陷的所述阵列基板都进入所述镭射长线机进行长线；在步骤S40中，将具有所述粒子缺陷的所述阵列基板都进入所述研磨机进行研磨，且研磨后不再进入所述镭射长线机中，以缩短长线作业时间。
在本发明的一实施例中，还包括以下步骤:
S50、提供虚拟做账站，所述虚拟做账站分别接收从所述镭射长线机和所述研磨机修补后的所述阵列基板；
S60、提供分出重测站，所述分出重测站连接所述虚拟做账站并检测出异常的所述阵列基板；
S70、提供第二电性量测站，所述第二电性量测站连接所述分出重测站并对上述异常的所述阵列基板再次量测；以及
S80、提供出货站，所述出货站连接所述分出重测站，当所述分出重测站检测所述阵列基板正常时，即通过所述出货站出货。
在本发明的一实施例中，所述长线作业时间从720秒缩短为120秒，通过优化操作接口模式和数据系统，缩短作业流程，也保证从所述研磨机研磨后的所述阵列基板进入所述虚拟做账站后出货。
本发明还具有以下功效，本发明利用研磨机分流部份镭射长线机的工作量，制定需要长线的类型，并优化各工作站点流程，从而提高了镭射长线机4长线修补的制作流程，并快速消耗镭射长线机的需要长线的阵列基板数量，从而提升产能，减少设备购买量，以及提升液晶面板行业的经济效益。再者，本发明能够在不影响产品良率损失的前提下，减少镭射长线机堆积(即阵列基板)现象，从而提升制程速度，将产能最大化，减少产能损失。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明阵列基板修补系统的方块图；
图2A是本发明阵列基板修补系统在镭射修补机检视具有粒子缺陷的示意图；
图2B是本发明阵列基板修补系统在镭射修补机的具有粒子缺陷的另一示意图；
图2C分别是本发明阵列基板修补系统通过研磨机磨低或磨平的示意图；及
图3是本发明阵列基板修补方法的方块流程图。
具体实施方式
在具体实施方式中提及“实施例”意指结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的不同位置出现的相同用语并非必然被限制为相同的实施方式，而应当理解为与其它实施例互为独立的或备选的实施方式。在本发明提供的实施例所公开的技术方案启示下，本领域的普通技术人员应理解本发明所描述的实施例可具有其他符合本发明构思的技术方案结合或变化。
请参照图1所示，本发明提供一种阵列基板修补系统，包括第一电性量测站2、镭射修补机3、镭射长线机4及研磨机5。在此所指的阵列基板1应用在包含但不限于液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置中。请一并参照图2A及图2B所示，所述阵列基板1包括由阵列排列的多个薄膜晶体管12和金属导线11构成，其中所述金属导线11包括栅极扫描线111(gate line)或源漏极数据线112(data line)。
如图1所示，在产品出货前，事先由第一电性量测站2量测所述阵列基板1是否存在缺陷，所述缺陷包括点缺陷、断线缺陷和粒子缺陷，并判断所述缺陷种类再运送到适合的工作站进行修补。所述点缺陷是在薄膜晶体管12的制作过程中，因为光阻(图略)剥除不全、异物残留造成薄膜晶体管12内的金属导线11短路、断路等点缺陷，并使得完成的显示面板在通过测试时出现亮点、暗点或亮线，从而严重影响液晶平面显示器的良率。因此通过镭射修补机3连接所述第一电性量测站2，对具有所述点缺陷的所述阵列基板1进行修补。
所述镭射修补机3分流其余非具有所述点缺陷的所述阵列基板1。镭射长线机4连接所述镭射修补机3，对具有所述断线缺陷的所述阵列基板1并进行长线修补。具体而言，当所述阵列基板1的栅极扫描线111或源漏极数据线112断线时，通过所述镭射长线机4在所述栅极扫描线111或所述源漏极数据线112上的开口部(图略)熔接修补成U或I字型长线(图略)，使得断开的所述栅极扫描线111或所述源漏极数据线112恢复电性连接。
所述研磨机5连接所述镭射修补机3，对具有所述粒子缺陷13的所述阵列基板1进行研磨修补。如图2B及图2C所示，所述粒子缺陷13叠设在薄膜晶体管1的金属导线11上，所述粒子缺陷13通过所述研磨机5的激光磨低或磨除，使所述金属导线11保持电性导通(不断线)，以便于所述阵列基板1和彩膜基板(图略)能够无缝贴合，如图2C中的粒子缺陷13’。因此，在本实施例中，通过所述研磨机5的研磨修补取代所述镭射长线机4的长线修补，降低所述镭射长线机4的工作量，从而提升产能与生产效率。
本发明将需要研磨的粒子缺陷类型直接进入所述研磨机5进行研磨修补，研磨后不需重复进入所述镭射长线机4进行长线，其余所有非研磨的所述阵列基板1则进入所述镭射长线机4进行长线修补。换句话说，本发明通过所述研磨机5分流所述镭射长线机4需要修补的阵列基板1数量，优化所述镭射长线机4的制程和修补类型，从而让所述镭射长线机4从瓶颈/堆积设备变为非瓶颈/堆积设备，减少需要长线的阵列基板1数量，降低产能损失、时间成本，从而提高生产效率，使产能最大化。
具体优化效益计算如下：
预估通过每日研磨数量占全部长线数量，即单月研磨数量/每日产出量/月天数约等于5039/5000/30＝3.36％。
年产生研磨数量，即等于每日研磨百分之*每日产出量*365，等于3.36％*5000*365＝61,320。
年经济效益，即等于单一面板(panel)价格*年产生研磨数量等于550*61,320＝33,726,000。
如图1所示的实施例中，还包括虚拟做账站6、分出重测站7、第二电性量测站8以及出货站9。所述虚拟做账站6分别接收从所述镭射长线机4和所述研磨机5修补后的所述阵列基板1，记录并上传各所述阵列基板1的信息。所述分出重测站7连接所述虚拟做账站6并检测出异常的所述阵列基板1。第二电性量测站8连接所述分出重测站7并对上述异常的所述阵列基板1再次量测。所述第二电性量测站8还连接所述镭射修补机3，通过所述镭射修补机3进行所述点缺陷的修补，并根据所述缺陷种类再次分流至所述镭射长线4机或所述研磨机5。
所述出货站9连接所述分出重测站7，当所述分出重测站7检测所述阵列基板1正常时，即能够通过所述出货站9出货。当所述分出重测站7检测出所述阵列基板1为异常时，工作人员或其他自动设备将所述阵列基板1信息修改为修补前信息，且将量测数据上传至所述镭射修补机3进行补修。
需说明的是，当所述第一电性量测站2通过所述镭射修补机3检测阵列基板1为正常时，即可续流至虚拟做账站6。所述第一电性量测站2和第二电性量测站8分别为自动量测系统(ATS，automatic test system)，所述研磨机5为镭射研磨机，而所述虚拟作账站6仅为做账转换站点没有实体机台。
请一并参照图3所示，本发明提供一种阵列基板修补方法，包括以下步骤：步骤S10、提供第一电性量测站2，通过所述第一电性量测站2量测所述阵列基板1是否存在缺陷，其中所述缺陷包括点缺陷、断线缺陷和粒子缺陷。步骤S20、提供镭射修补机3，所述镭射修补机3对具有所述点缺陷的所述阵列基板1进行修补，并分流其余非具有所述点缺陷的所述阵列基板1。S30、提供镭射长线机4，所述镭射长线机4对具有所述断线缺陷的所述阵列基板1并进行长线修补。S40、提供研磨机5，所述研磨机5对具有所述粒子缺陷的所述阵列基板1进行研磨，通过所述研磨机5的研磨修补取代所述镭射长线机4的长线修补，降低所述镭射长线机4的工作量。
在步骤S30中，将具有所述断线缺陷的所述阵列基板1都进入所述镭射长线机4进行长线；在步骤S40中，将具有所述粒子缺陷的所述阵列基板1都进入所述研磨机5进行研磨，且研磨后不再进入所述镭射长线机4中，以缩短长线作业时间和作业流程，其中所述长线作业时间从720秒缩短为120秒。因此通过优化操作接口模式(OPI，operatorinterface)、数据系统以及所述镭射长线机4和所述研磨机5的软件，保证从所述研磨机5研磨后的所述阵列基板1进入所述虚拟做账站6后能够出货。
此外，本发明还包括以下步骤:步骤S50、提供虚拟做账站6，所述虚拟做账站6分别接收从所述镭射长线机4和所述研磨机5修补后的所述阵列基板1。步骤S60、提供分出重测站7，所述分出重测站7连接所述虚拟做账站6并对修补后的所述阵列基板1再次检测，当所述分出重测站7检测出所述阵列基板1为异常时，通过第二电性量测站8重新量测所述阵列基板1的缺陷种类并再次输送到所述镭射修补机3进行补修。步骤S70、提供出货站9，所述出货站9连接所述分出重测站7，当所述分出重测站7检测所述阵列基板1正常时，即通过所述出货站9出货。
因此，本发明利用研磨机5分流部份镭射长线机4的工作量，制定需要长线的类型，并优化各工作站点流程，从而提高了镭射长线机4长线修补的制作流程，并快速消耗镭射长线机4的需要长线的阵列基板1数量，从而提升产能，减少设备购买量，以及提升液晶面板行业的经济效益。再者，本发明能够在不影响产品良率损失的前提下，减少镭射长线机5堆积(即阵列基板1)现象，从而提升制程速度，将产能最大化，减少产能损失(LOSS)。
综上所述，虽然本发明结合其具体实施例而被描述，应该理解的是，许多替代、修改及变化对于那些本领域的技术人员将是显而易见的。因此，其意在包含落入所附权利要求书的范围内的所有替代、修改及变化。
Claims (9)
1.一种阵列基板修补系统，包括:
第一电性量测站，量测所述阵列基板是否存在缺陷，其中所述缺陷包括点缺陷、断线缺陷和粒子缺陷；
镭射修补机，连接所述第一电性量测站，对具有所述点缺陷的所述阵列基板进行修补，所述镭射修补机分流其余非具有所述点缺陷的所述阵列基板；
镭射长线机，连接所述镭射修补机，对具有所述断线缺陷的所述阵列基板进行长线修补；以及
研磨机，连接所述镭射修补机，对具有所述粒子缺陷的所述阵列基板进行研磨。
2.如权利要求1所述的阵列基板修补系统，其特征在于，所述粒子缺陷叠设在薄膜晶体管的金属导线上，所述粒子缺陷通过所述研磨机的激光磨低或磨除，使所述金属导线保持电性导通。
3.如权利要求2所述的阵列基板修补系统，其特征在于，当所述阵列基板的栅极扫描线或源漏极数据线断线时，通过所述镭射长线机在所述栅极扫描线或所述源漏极数据线上的开口部熔接修补成U或I字型长线，使得断开的所述栅极扫描线或所述源漏极数据线恢复电性连接。
4.如权利要求1所述的阵列基板修补系统，其特征在于，还包括:
虚拟做账站，分别接收从所述镭射长线机和所述研磨机修补后的所述阵列基板；
分出重测站，连接所述虚拟做账站并检测出异常的所述阵列基板；
第二电性量测站，连接所述分出重测站并对上述异常的所述阵列基板再次量测；以及
出货站，连接所述分出重测站，当所述分出重测站检测所述阵列基板正常时，即通过所述出货站出货。
5.如权利要求4所述的阵列基板修补系统，其特征在于，所述第二电性量测站还连接所述镭射修补机，通过所述镭射修补机进行所述点缺陷的修补，并根据所述缺陷种类再次分流至所述镭射长线机或所述研磨机。
6.如权利要求1所述的阵列基板修补系统，其特征在于，所述第一电性量测站和第二电性量测站分别为自动量测系统(ATS，automatic test system)，所述研磨机为镭射研磨机。
7.一种阵列基板修补方法，包括以下步骤：
S10、提供第一电性量测站，通过所述第一电性量测站量测所述阵列基板是否存在缺陷，其中所述缺陷包括点缺陷、断线缺陷和粒子缺陷；
S20、提供镭射修补机，所述镭射修补机连接所述第一电性量测站，所述镭射修补机对具有所述点缺陷的所述阵列基板进行修补，并分流其余非具有所述点缺陷的所述阵列基板；
S30、提供镭射长线机，所述镭射长线机连接所述镭射修补机，所述镭射长线机对具有所述断线缺陷的所述阵列基板进行长线修补；以及
S40、提供研磨机，所述研磨机连接所述镭射修补机，所述研磨机对具有所述粒子缺陷的所述阵列基板进行研磨。
8.如权利要求7所述的阵列基板修补方法，其特征在于，在步骤S30中，将具有所述断线缺陷的所述阵列基板都进入所述镭射长线机进行长线；在步骤S40中，将具有所述粒子缺陷的所述阵列基板都进入所述研磨机进行研磨，且研磨后不再进入所述镭射长线机中。
9.如权利要求7所述的阵列基板修补方法，其特征在于，还包括以下步骤:S50、提供虚拟做账站，所述虚拟做账站分别接收从所述镭射长线机和所述研磨机修补后的所述阵列基板；
S60、提供分出重测站，所述分出重测站连接所述虚拟做账站并检测出异常的所述阵列基板；
S70、提供第二电性量测站，所述第二电性量测站连接所述分出重测站并对上述异常的所述阵列基板再次量测；以及
S80、提供出货站，所述出货站连接所述分出重测站，当所述分出重测站检测所述阵列基板正常时，即通过所述出货站出货。
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Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101325147A (zh) * | 2007-06-13 | 2008-12-17 | 台达电子工业股份有限公司 | 自动分析修补装置 |
| CN101461063A (zh) * | 2006-08-01 | 2009-06-17 | 株式会社岛津制作所 | 基板检查及修正装置、以及基板评估系统 |
| CN101571629A (zh) * | 2008-04-30 | 2009-11-04 | 深超光电（深圳）有限公司 | 自动镭射修补方法 |
| CN102790011A (zh) * | 2011-05-17 | 2012-11-21 | 松下电器产业株式会社 | 有机el 显示器的修复方法 |
| CN104091901A (zh) * | 2014-06-24 | 2014-10-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled制备方法 |
| CN104880841A (zh) * | 2015-05-18 | 2015-09-02 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 基板修复装置及修复方法 |
| CN105242423A (zh) * | 2015-11-11 | 2016-01-13 | 武汉华星光电技术有限公司 | Tft-lcd彩膜玻璃基板的检测和修复方法及其系统 |
| CN107390396A (zh) * | 2017-08-17 | 2017-11-24 | 东旭（昆山）显示材料有限公司 | 彩膜基板修补装置和方法 |
| CN207301537U (zh) * | 2017-08-17 | 2018-05-01 | 东旭（昆山）显示材料有限公司 | 彩膜基板修补装置 |
| CN207441756U (zh) * | 2017-10-14 | 2018-06-01 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种OLED Cell 缺陷维修设备 |
| CN109459897A (zh) * | 2018-11-09 | 2019-03-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板修补方法及修补装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7236847B2 (en) * | 2002-01-16 | 2007-06-26 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for closed loop defect reduction |
-
2019
- 2019-04-08 CN CN201910274971.8A patent/CN110082974B/zh active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101461063A (zh) * | 2006-08-01 | 2009-06-17 | 株式会社岛津制作所 | 基板检查及修正装置、以及基板评估系统 |
| CN101325147A (zh) * | 2007-06-13 | 2008-12-17 | 台达电子工业股份有限公司 | 自动分析修补装置 |
| CN101571629A (zh) * | 2008-04-30 | 2009-11-04 | 深超光电（深圳）有限公司 | 自动镭射修补方法 |
| CN102790011A (zh) * | 2011-05-17 | 2012-11-21 | 松下电器产业株式会社 | 有机el 显示器的修复方法 |
| CN104091901A (zh) * | 2014-06-24 | 2014-10-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled制备方法 |
| CN104880841A (zh) * | 2015-05-18 | 2015-09-02 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 基板修复装置及修复方法 |
| CN105242423A (zh) * | 2015-11-11 | 2016-01-13 | 武汉华星光电技术有限公司 | Tft-lcd彩膜玻璃基板的检测和修复方法及其系统 |
| CN107390396A (zh) * | 2017-08-17 | 2017-11-24 | 东旭（昆山）显示材料有限公司 | 彩膜基板修补装置和方法 |
| CN207301537U (zh) * | 2017-08-17 | 2018-05-01 | 东旭（昆山）显示材料有限公司 | 彩膜基板修补装置 |
| CN207441756U (zh) * | 2017-10-14 | 2018-06-01 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种OLED Cell 缺陷维修设备 |
| CN109459897A (zh) * | 2018-11-09 | 2019-03-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板修补方法及修补装置 |
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