CN110042407A - 磷酸钴-聚多巴胺-钒酸铋三元复合光电极的制备方法及应用 - Google Patents
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Abstract
本发明属于光电极纳米材料合成技术领域，涉及复合光电极，尤其涉及一种磷酸钴‑聚多巴胺‑钒酸铋（Co‑Pi/PDA/BiVO4）三元复合光电极的制备方法。本发明首先采用电沉积在FTO表面生长一层均匀BiOI纳米颗粒，经高温煅烧生成钒酸铋；通过化学水浴法在钒酸铋上生长聚多巴胺（PDA），同时以PDA为功能性桥梁引进磷酸钴助催化剂，经化学水浴法将PDA/BiVO4电极浸没于硝酸钴和磷酸钠水溶液，在聚多巴胺上生长磷酸钴助催化剂，制得磷酸钴‑聚多巴胺‑钒酸铋光电极。本发明合成工艺简单，重复性好，所用材料价廉易得，符合环境友好要求，利用简单的电沉积、高温煅烧、化学浴沉积法所制备的Co‑Pi/PDA/BiVO4复合光电极，具有良好的化学稳定性，光电化学性能好，光电转换效率高达27%。
Description
技术领域
本发明属于光电极纳米材料合成技术领域，涉及复合光电极，尤其涉及一种磷酸钴-聚多巴胺-钒酸铋（Co-Pi/PDA/BiVO4）三元复合光电极的制备方法及应用。
背景技术
随着人口的增长，对化石燃料的不合理开发，环境和能源危机日趋严重，人类已经清醒的意识到发展清洁能源的危机感和必要性。因此，绿色能源的开发与利用已成为人类可持续发展的必由之路。
光电化学分解水制氢是一条环境友好的绿色能源发展之路，氢气的环保性以及水和太阳光的丰富储量，表明光电化学分解水制氢是非常有前景的能源战略。该技术可以实现太阳能到化学能量的转换，有着化石燃料无法比拟的巨大优势，符合可持续发展的社会理念。PEC分解水的性能受到光捕获、光生电荷转移、水氧化动力学的直接影响，因此设计新型半导体电极是提高PEC制氢效率的有效切入点。
钒酸铋 （BiVO4）是一种具有可见光响应的半导体材料，然而，钒酸铋存在光生电子空穴易复合、水氧化动力学缓慢的问题，严重制约着钒酸铋在PEC分解水制氢领域的性能表现。
多巴胺（DA）在特定的缓冲溶液（Tris, pH=8.5）自身聚合生成高分子聚合物聚多巴胺（PDA），聚多巴胺 （PDA）是优良的光敏剂，同时也是导电性良好的有机半导体。钒酸铋（BiVO4）通过化学水浴法 （CBD）形成PDA/BiVO4异质结，一方面可以显著提高钒酸铋的光捕获强度和范围，另一方面，异质结的形成一定程度遏制电子空穴对的复合。此外，PDA作为多种官能团载体聚合物，通过官能团的配位键合作用成功引入磷酸钴助催化剂 （Co-Pi），能够极大提升钒酸铋的水氧化动力学，因此PDA具有显著的光捕获能力。
利用化学水浴法（CBD）在聚多巴胺上引入助催化剂磷酸钴（Co-Pi），磷酸钴 的成功引入显著提升钒酸铋的水氧动力学，具体表现在电荷注入效率和光电转换效率的显著提升。因此助催化剂磷酸钴（Co-Pi）对半导体的界面修饰，能极大地提升光电极的PEC分解水制氢性能。
发明内容
为了解决上述问题，本发明公开一种磷酸钴-聚多巴胺-钒酸铋（Co-Pi/PDA/BiVO4）三元复合光阳极的制备方法。
本发明首先采用电沉积在FTO表面生长一层均匀BiOI纳米颗粒，经高温煅烧生成钒酸铋（BiVO4）；然后通过化学水浴法（CBD）在钒酸铋（BiVO4）上生长聚多巴胺（PDA），同时以PDA为功能性桥梁引进磷酸钴（Co-Pi）助催化剂，经化学水浴法（CBD）将PDA/BiVO4电极浸没于硝酸钴和磷酸钠水溶液，在聚多巴胺上生长磷酸钴助催化剂，制得磷酸钴-聚多巴胺-钒酸铋（Co-Pi/PDA/BiVO4）光电极。
一种磷酸钴-聚多巴胺-钒酸铋（Co-Pi/PDA/BiVO4）三元复合光电极的制备方法，包括如下步骤:
A、将KI与Bi(NO3)3溶于去离子水，滴加硝酸调pH为1～3，得到混合溶液A，其中KI:Bi(NO3)3:去离子水的质量体积比为3.32 g:0.8～2g:50 mL，优选KI:Bi(NO3)3:去离子水的质量体积比为3.32 g:0.9701g:50 mL；
B、将对苯琨溶解于无水乙醇中得到溶液B，其中对苯琨:无水乙醇的质量体积比0.1～2g:20 ml；将A、B两种溶液按体积比5:2混合，剧烈搅拌均匀后得到BiOI溶液；
C、FTO作工作电极，Pt丝作对电极，Ag/AgCl作参比电极，外加偏压-0.1V，将FTO浸入BiOI 溶液进行电沉积，反应完全后以去离子水冲洗FTO表面，干燥后得到表面沉积均匀BiOI纳米颗粒的FTO；
D、在沉积有BiOI的FTO表面滴加2滴0.1～1 mol/L的乙酰丙酮氧钒的二甲亚砜溶液，置于马弗炉中350～600℃焖火煅烧1～4 h，优选450℃焖火煅烧2h，自然冷却后，浸泡于1mol/L的NaOH溶液中去除杂质，室温干燥, 得到钒酸铋（BiVO4）FTO基片；
E、将沉积有钒酸铋（BiVO4）的FTO基片倾斜浸于pH为8.5的Tris-盐酸缓冲溶液中，加入多巴胺(DA)，匀速搅拌1～4 h ，制得PDA/BiVO4光电极，其中，所述DA: BiVO4的质量比为1:0.1～0.02，多巴胺自聚合形成聚多巴胺生长到BiVO4的表面，通过化学水浴法制得PDA/BiVO4异质结；
F、将PDA/ BiVO4光电极浸泡于0.1～0.6 mol/L硝酸钴水溶液1～4h，取出后在0.1mol/L磷酸钠水溶液中浸泡2 h，即得；其中，所述六水合硝酸钴与十二水合磷酸钠的质量比为0.79～4.58:1。
本发明较优公开例中，步骤E所述配制pH值8.5的Tris-盐酸缓冲溶液，将50mL的0.1 M三（羟甲基）氨基甲烷（Tris）溶液与14.7 mL的0.1M盐酸溶液混合均匀后，加水稀释至100 mL。
利用PDA官能团的配位作用限域性生长Co-Pi助催化剂；通过调节六水合硝酸钴与十二水磷酸钠的质量比，改变不同磷酸钴的浓度，得到不同厚度的Co-Pi助催化剂负载量。
本发明所述光电极的物相、结构以及性能表征由X-射线衍射仪测定。
本发明的另一个目的在于将磷酸钴-聚多巴胺-钒酸铋（Co-Pi/PDA/BiVO4）三元复合光电极作为工作电极应用于光电化学水解反应。
Co-Pi/PDA/BiVO4光电极在氙灯光源照射下光电流测试步骤如下：
在CHI 852C型电化学工作站下进行，在电解槽里加入0.5 mol/L的硫酸钠(Na2SO4)作为电解液，加入氯化银电极作为参比电极，铂电极作为对电极，Co-Pi/PDA/ BiVO4光电极作为工作电极，进行J–V特性曲线的扫描。
使用配备有单色器的太阳光模拟器，在入射光范围为330-600nm以及0.6 V(相对于Ag/AgCl)偏压下，测定Co-Pi/PDA/BiVO4三元复合光电极的光电转换效率（IPCE）。
有益效果
本发明利用简单的电沉积、高温煅烧、化学浴沉积法所制备的Co-Pi/PDA/ BiVO4复合光电极，具有良好的化学稳定性，光电化学性能好的优点；合成工艺简单，重复性好，所用材料价廉易得，符合环境友好要求。
附图说明
图1.BiVO4、PDA/BiVO4以及Co-Pi/PDA/ BiVO4的X射线衍射分析图（XRD）；
图2.在光照和黑暗下所有样品的J–V特性曲线图，实线和虚线分别对应光电流和暗电流；
图3表明磷酸钴负载量对Co-Pi/PDA/ BiVO4光电极光电流性能的影响；
图4. BiVO4、PDA/BiVO4以及Co-Pi/PDA/ BiVO4的光电转换效率（IPCE）。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行详细说明，以使本领域技术人员更好地理解本发明，但本发明并不局限于以下实施例。
实施例1
一种磷酸钴-聚多巴胺-钒酸铋（Co-Pi/PDA/BiVO4）三元复合光电极的制备方法，包括如下步骤:
（1）将3.32 g KI 溶解于50 ml去离子水，添加0.9701 g Bi(NO3)3·5H2O，滴加硝酸调节pH至1.2，得到混合溶液；
（2）将0.7514 g 对苯琨溶解于20 ml 无水乙醇中，使其搅拌溶解。将两种溶液混合，剧烈搅拌10分钟，得到BiOI溶液；
（3）通过电化学工作站的三电极体系进行电沉积，具体为FTO作工作电极，Pt丝作对电极，Ag/AgCl作参比电极。在外加偏压-0.1V，FTO上电沉积BiOI 5 min。然后，用去离子水冲洗BiOI 表面，在室温下干燥；
（4）在BiOI表面用胶头滴管滴加2滴0.1 mol/L的乙酰丙酮氧钒的二甲亚砜溶液，在马弗炉中350 ℃高温焖火3 h，冷却后，将电极置于1mol/L的NaOH溶液中浸泡30 min，去除多余的V2O5, 最后制得的BiVO4在室温下干燥；
（5）将沉积有BiVO4 的基片浸于pH=8.5的Tris-盐酸缓冲溶液。BiVO4 的基片与烧杯杯壁呈一定角度倾斜。多巴胺（DA）0.2 g，钒酸铋（BiVO4）0.004 g，将多巴胺(DA) 加入缓冲溶液，均匀搅拌0.5 h。多巴胺自聚合形成聚多巴胺生长到BiVO4的表面，通过化学水浴法制备PDA/BiVO4异质结；
（6）将PDA/ BiVO4光电极浸泡于0.1 mol/L硝酸钴水溶液4 h，然后在0.1 mol/L磷酸钠水溶液浸泡2 h。六水合硝酸钴1.46 g，十二水磷酸钠1.90 g。
使用配备有单色器的太阳光模拟器，在入射光范围为330-600nm以及0.6 V(相对于Ag/AgCl)偏压下，测定Co-Pi/PDA/BiVO4三元复合光电极的光电转换效率13%。
实施例2
一种磷酸钴-聚多巴胺-钒酸铋（Co-Pi/PDA/BiVO4）三元复合光电极的制备方法，包括如下步骤:
（1）将3.32 g KI 溶解于50 ml去离子水，添加0.9701 g Bi(NO3)3·5H2O，滴加硝酸调节pH至1.7，得到混合溶液；
（2）将1.001 g 对苯琨溶解于20 ml 无水乙醇中，使其搅拌溶解。将两种溶液混合，剧烈搅拌10分钟，得到BiOI溶液；
（3）通过电化学工作站的三电极体系进行电沉积，具体为FTO作工作电极，Pt丝作对电极，Ag/AgCl作参比电极。在外加偏压-0.1V，FTO上电沉积BiOI 5 min。然后，用去离子水冲洗BiOI 表面，在室温下干燥；
（4）在BiOI 表面用胶头滴管滴加2滴0.2 mol/L的乙酰丙酮氧钒的二甲亚砜溶液，在马弗炉中400 ℃高温焖火2.5 h，冷却后，将电极置于1mol/L的NaOH溶液中浸泡30 min，去除多余的V2O5, 最后制得的BiVO4在室温下干燥；
（5）将沉积有BiVO4 的基片浸于pH=8.5的Tris-盐酸缓冲溶液。BiVO4 的基片与烧杯杯壁呈一定角度倾斜。多巴胺（DA）0.2 g，钒酸铋（BiVO4）0.008 g，将多巴胺(DA) 加入缓冲溶液，均匀搅拌1 h。多巴胺自聚合形成聚多巴胺生长到BiVO4的表面，通过化学水浴法制备PDA/BiVO4异质结；
（6）将PDA/ BiVO4光电极浸泡于0.15 mol/L硝酸钴水溶液1.5 h，然后在0.2 mol/L磷酸钠水溶液浸泡2 h。六水合硝酸钴2.19 g，十二水磷酸钠1.9 g。
使用配备有单色器的太阳光模拟器，在入射光范围为330-600nm以及0.6 V(相对于Ag/AgCl)偏压下，测定Co-Pi/PDA/BiVO4三元复合光电极的光电转换效率18%。
实施例3
一种磷酸钴-聚多巴胺-钒酸铋（Co-Pi/PDA/BiVO4）三元复合光电极的制备方法，包括如下步骤:
（1）将3.32 g KI 溶解于50 ml去离子水，添加0.9701 g Bi(NO3)3·5H2O，滴加硝酸调节pH至2.0，得到混合溶液；
（2）将1.10 g 对苯琨溶解于20 ml 无水乙醇中，使其搅拌溶解。将两种溶液混合，剧烈搅拌10分钟，得到BiOI溶液；
（3）通过电化学工作站的三电极体系进行电沉积，具体为FTO作工作电极，Pt丝作对电极，Ag/AgCl作参比电极。在外加偏压-0.1 V，FTO上电沉积BiOI 5 min。然后，用去离子水冲洗BiOI 表面，在室温下干燥；
（4）在BiOI表面滴加0.3 mol/L的乙酰丙酮氧钒的二甲亚砜溶液，在马弗炉中450 ℃高温焖火2 h，冷却后，将电极置于1mol/L的NaOH溶液中浸泡30 min，去除多余的V2O5, 最后制得的BiVO4在室温下干燥；
（5）将沉积有BiVO4 的基片浸于pH=8.5的Tris-盐酸缓冲溶液。BiVO4 的基片与烧杯杯壁呈一定角度倾斜。多巴胺（DA）0.2 g，钒酸铋（BiVO4）0.012 g，将多巴胺(DA) 加入缓冲溶液，均匀搅拌1.5 h。多巴胺自聚合形成聚多巴胺生长到BiVO4的表面，通过化学水浴法制备PDA/BiVO4异质结；
（6）将PDA/ BiVO4光电极浸泡于0.2 mol/ L硝酸钴水溶液3 h，然后在0.1 mol/L磷酸钠水溶液浸泡2 h。六水合硝酸钴2.92 g与十二水磷酸钠的质量1.9 g。利用PDA官能团的配位作用限域性生长Co-Pi助催化剂。
使用配备有单色器的太阳光模拟器，在入射光范围为330-600nm以及0.6 V(相对于Ag/AgCl)偏压下，测定Co-Pi/PDA/BiVO4三元复合光电极的光电转换效率23%。
实施例4
一种磷酸钴-聚多巴胺-钒酸铋（Co-Pi/PDA/BiVO4）三元复合光电极的制备方法，包括如下步骤:
（1）将3.32 g KI 溶解于50 ml去离子水，添加0.9701 g Bi(NO3)3·5H2O，滴加硝酸调节pH至2.3，得到混合溶液；
（2）将1.35 g 对苯琨溶解于20 ml 无水乙醇中，使其搅拌溶解。将两种溶液混合，剧烈搅拌10分钟，得到BiOI溶液；
（3）通过电化学工作站的三电极体系进行电沉积，具体为FTO作工作电极，Pt丝作对电极，Ag/AgCl作参比电极。在外加偏压-0.1V，FTO上电沉积BiOI 5 min。然后，用去离子水冲洗BiOI 表面，在室温下干燥；
（4）在BiOI表面滴加0.5 mol/L的乙酰丙酮氧钒的二甲亚砜溶液，在马弗炉中500℃高温焖火2.5 h，冷却后，将电极置于1mol/L的NaOH溶液中浸泡30 min，去除多余的V2O5, 最后制得的BiVO4在室温下干燥；
（5）将沉积有BiVO4 的基片浸于pH=8.5的Tris-盐酸缓冲溶液。BiVO4 的基片与烧杯杯壁呈一定角度倾斜。多巴胺（DA）0.2 g，钒酸铋（BiVO4）0.016 g，将多巴胺(DA) 加入缓冲溶液，均匀搅拌2 h。多巴胺自聚合形成聚多巴胺生长到BiVO4的表面，通过化学水浴法制备PDA/BiVO4异质结；
（6）将PDA/ BiVO4光电极浸泡于0.3 mol/L硝酸钴水溶液2 h，然后在0.1 mol/L磷酸钠水溶液浸泡2 h。六水合硝酸钴3.65 g与十二水磷酸钠1.9 g。利用PDA官能团的配位作用限域性生长Co-Pi助催化剂。
使用配备有单色器的太阳光模拟器，在入射光范围为330-600nm以及0.6 V(相对于Ag/AgCl)偏压下，测定Co-Pi/PDA/BiVO4三元复合光电极的光电转换效率16%。
实施例5
一种磷酸钴-聚多巴胺-钒酸铋（Co-Pi/PDA/BiVO4）三元复合光电极的制备方法，包括如下步骤:
（1）将3.32 g KI 溶解于50 ml去离子水，添加0.9701 g Bi(NO3)3·5H2O滴加硝酸调节pH至2.8，得到混合溶液；
（2）将1.50 g 对苯琨溶解于20 ml 无水乙醇中，使其搅拌溶解。将两种溶液混合，剧烈搅拌10分钟，得到BiOI溶液；
（3）通过电化学工作站的三电极体系进行电沉积，具体为FTO作工作电极，Pt丝作对电极，Ag/AgCl作参比电极。在外加偏压-0.1V，FTO上电沉积BiOI 5 min。然后，用去离子水冲洗BiOI 表面，在室温下干燥；
（4）在BiOI表面滴加0.6 mol/L的乙酰丙酮氧钒的二甲亚砜溶液，在马弗炉中550 ℃高温焖火2 h，冷却后，将电极置于1mol/L的NaOH溶液中浸泡30 min，去除多余的V2O5, 最后制得的BiVO4在室温下干燥；
（5）将沉积有BiVO4 的基片浸于pH=8.5的Tris-盐酸缓冲溶液。BiVO4 的基片与烧杯杯壁呈一定角度倾斜。多巴胺（DA）0.2 g，钒酸铋（BiVO4）0.02 g，将多巴胺(DA) 加入缓冲溶液，均匀搅拌3 h。多巴胺自聚合形成聚多巴胺生长到BiVO4的表面，通过化学水浴法制备PDA/BiVO4异质结；
（6）将PDA/ BiVO4光电极浸泡于0.4 mol/L硝酸钴水溶液1.5 h，然后在0.1 mol/L磷酸钠水溶液浸泡2 h。六水合硝酸钴5.84 g与十二水磷酸钠1.9 g。利用PDA官能团的配位作用限域性生长Co-Pi助催化剂。
使用配备有单色器的太阳光模拟器，在入射光范围为330-600nm以及0.6 V(相对于Ag/AgCl)偏压下，测定Co-Pi/PDA/BiVO4三元复合光电极的光电转换效率12%。
由图1可知：在FTO基片上成功合成了BiVO4蠕虫状纳米颗粒和磷酸钴助催化剂。
从图2可以看出所有样品的暗电流基本上都为零, 而其光电流都不同程度提高，其中效果最好的是Co-Pi/PDA/ BiVO4,说明Co-Pi/PDA/ BiVO4的光电化学性能是最好的。图2表明BiVO4、PDA/BiVO4以及Co-Pi/PDA/ BiVO4 光电极的LSV（线性扫描伏安法），与裸BiVO4相比，PDA/BiVO4以及Co-Pi/PDA/ BiVO4光电极光电流提升显著，这归结于有机半导体聚多巴胺（PDA）与BiVO4组成异质结，促进电子空空穴对的分离。同时通过配位键合理的键合方式限域性引入助催化剂磷酸钴，极大改善水氧化动力学缓慢的问题，促使Co-Pi/PDA/BiVO4光电极光电流提升最大。
图3表明磷酸钴负载量对Co-Pi/PDA/ BiVO4光电极光电流性能的影响。与图2相比，限域性配位生长 Co-Pi助催化剂，光电流性能普遍优于BiVO4、PDA/BiVO4光电极。这表明Co-Pi助催化剂对改善水氧化动力学的决定性作用。
由图4可知：Co-Pi/PDA/BiVO4光阳极表现出比BiVO4更大的IPCE值，这主要是因为PDA赋予了比纯BiVO4光阳极更强的光捕获能力以及Co-Pi助催化剂对BiVO4水氧化动力学进一步提升；0.15-Co-Pi/PDA/ BiVO4光阳极则拥有最高的IPCE值，那是因为染料敏化剂PDA显著的光捕获能力和适宜厚度的Co-Pi助催化剂对水氧化动力学的巨大提升。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (6)
1.一种磷酸钴-聚多巴胺-钒酸铋三元复合光电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:
A、将KI与Bi(NO3)3溶于去离子水，滴加硝酸调pH为1～3，得到混合溶液A，其中KI:Bi(NO3)3:去离子水的质量体积比为3.32 g:0.8～2g:50 mL；
B、将对苯琨溶解于无水乙醇中得到溶液B，其中对苯琨:无水乙醇的质量体积比0.1～2g:20 ml，将A、B两种溶液按体积比5:2混合，剧烈搅拌均匀后得到BiOI溶液；
C、FTO作工作电极，Pt丝作对电极，Ag/AgCl作参比电极，外加偏压-0.1V，将FTO浸入BiOI 溶液进行电沉积，反应完全后以去离子水冲洗FTO表面，干燥后得到表面沉积均匀BiOI纳米颗粒的FTO；
D、在沉积有BiOI的FTO表面滴加2滴0.1～1 mol/L的乙酰丙酮氧钒的二甲亚砜溶液，置于马弗炉中350～600℃焖火煅烧1～4 h，自然冷却后，浸泡于1 mol/L的NaOH溶液中去除杂质，室温干燥, 得到钒酸铋FTO基片；
E、将沉积有钒酸铋的FTO基片倾斜浸于pH为8.5的Tris-盐酸缓冲溶液中，加入多巴胺，匀速搅拌1～4 h ，制得PDA/BiVO4光电极，其中所述多巴胺: 钒酸铋的质量比为1:0.1～0.02；
F、将PDA/ BiVO4光电极浸泡于0.1～0.6 mol/L硝酸钴水溶液1～4h，取出后在0.1 mol/L磷酸钠水溶液中浸泡2 h，即得；其中所述六水合硝酸钴与十二水合磷酸钠的质量比为0.79～4.58:1。
2.根据权利要求1所述磷酸钴-聚多巴胺-钒酸铋三元复合光电极的制备方法，其特征在于：步骤A所述KI:Bi(NO3)3:去离子水的质量体积比为3.32 g:0.9701g:50 mL。
3.根据权利要求1所述磷酸钴-聚多巴胺-钒酸铋三元复合光电极的制备方法，其特征在于：步骤D所述焖火煅烧为450℃焖火煅烧2h。
4.根据权利要求1所述磷酸钴-聚多巴胺-钒酸铋三元复合光电极的制备方法，其特征在于：步骤E所述配制pH值8.5的Tris-盐酸缓冲溶液，将50mL的0.1 M三（羟甲基）氨基甲烷溶液与14.7 mL的0.1M盐酸溶液混合均匀后，加水稀释至100 mL。
5.根据权利要求1-4任一所述方法制得的磷酸钴-聚多巴胺-钒酸铋三元复合光电极。
6.一种权利要求5所述磷酸钴-聚多巴胺-钒酸铋三元复合光电极的应用，其特征在于：将所述三元复合光电极作为工作电极应用于光电化学水解反应。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110586130A (zh) * | 2019-10-12 | 2019-12-20 | 南京大学 | 一种基于晶面能级差异与空穴阱协同效应的z体系可见光催化材料及其制备方法 |
| CN111774099A (zh) * | 2020-07-08 | 2020-10-16 | 天津城建大学 | 一种ZnS/PCPA/CoPi光电催化材料及其制备方法 |
| CN112038606A (zh) * | 2020-09-09 | 2020-12-04 | 吉林师范大学 | 聚多巴胺衍生碳包覆钒酸钙纳米片复合材料的制备方法 |
| CN112495445A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-03-16 | 陕西科技大学 | 一种Bi12SiO20-Bi2O2SiO3-多巴胺光催化剂的制备方法 |
| CN112500697A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-03-16 | 陕西科技大学 | 一种聚多巴胺包覆钨掺杂二氧化钒改性聚氨酯固-固相变材料及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016011543A1 (en) * | 2014-07-22 | 2016-01-28 | Celluforce Inc. | Polydopamine functionalized cellulose nanocrystals (pd-cncs) and uses thereof |
| WO2016136374A1 (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | 光触媒構造体および光電池 |
| CN108208003A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-29 | 江苏大学 | 一种Ag/多巴胺/g-C3N4可见光催化杀菌剂 |
| CN108404993A (zh) * | 2018-03-15 | 2018-08-17 | 湖南大学 | 一种利用聚多巴胺还原的氮化碳负载型纳米金催化剂处理硝基芳香烃类物质的方法 |
| CN109402656A (zh) * | 2018-12-17 | 2019-03-01 | 常州大学 | 一种磷化钴修饰钼掺杂钒酸铋光电极的制备方法 |
-
2019
- 2019-03-15 CN CN201910196016.7A patent/CN110042407B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016011543A1 (en) * | 2014-07-22 | 2016-01-28 | Celluforce Inc. | Polydopamine functionalized cellulose nanocrystals (pd-cncs) and uses thereof |
| WO2016136374A1 (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | 光触媒構造体および光電池 |
| CN108208003A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-29 | 江苏大学 | 一种Ag/多巴胺/g-C3N4可见光催化杀菌剂 |
| CN108404993A (zh) * | 2018-03-15 | 2018-08-17 | 湖南大学 | 一种利用聚多巴胺还原的氮化碳负载型纳米金催化剂处理硝基芳香烃类物质的方法 |
| CN109402656A (zh) * | 2018-12-17 | 2019-03-01 | 常州大学 | 一种磷化钴修饰钼掺杂钒酸铋光电极的制备方法 |
Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| AIHUA JIA等: "Photodeposited FeOOH vs electrodeposited Co-Pi to enhance nanoporous BiVO4 for photoelectrochemical water splitting", 《JOURNAL OF SEMICONDUCTORS》 * |
| ALAKA SAMAL等: "3D Co3(PO4)2–Reduced Graphene Oxide Flowers for Photocatalytic Water Splitting: A Type II Staggered Heterojunction System", 《CHEMSUSCHEM》 * |
| MICHAEL R. NELLIST等: "Potential-Sensing Electrochemical AFM Shows CoPi as a Hole Collector and Oxygen Evolution Catalyst on BiVO4 Water-Splitting Photoanodes", 《ACS ENERGY LETT.》 * |
| PENG GUAN等: "Chemical Engineering Journal", 《CHEMICAL ENGINEERING JOURNAL》 * |
| 隋美蓉等: "电解液成分、厚度及表面改性对旋涂法制备的BiVO_4膜层光电化学性能的影响（英文）", 《无机化学学报》 * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110586130A (zh) * | 2019-10-12 | 2019-12-20 | 南京大学 | 一种基于晶面能级差异与空穴阱协同效应的z体系可见光催化材料及其制备方法 |
| CN111774099A (zh) * | 2020-07-08 | 2020-10-16 | 天津城建大学 | 一种ZnS/PCPA/CoPi光电催化材料及其制备方法 |
| CN112038606A (zh) * | 2020-09-09 | 2020-12-04 | 吉林师范大学 | 聚多巴胺衍生碳包覆钒酸钙纳米片复合材料的制备方法 |
| CN112495445A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-03-16 | 陕西科技大学 | 一种Bi12SiO20-Bi2O2SiO3-多巴胺光催化剂的制备方法 |
| CN112500697A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-03-16 | 陕西科技大学 | 一种聚多巴胺包覆钨掺杂二氧化钒改性聚氨酯固-固相变材料及其制备方法 |
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