CN110041358B - 一种粗单体分离工艺及系统 - Google Patents
一种粗单体分离工艺及系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110041358B CN110041358B CN201910286403.XA CN201910286403A CN110041358B CN 110041358 B CN110041358 B CN 110041358B CN 201910286403 A CN201910286403 A CN 201910286403A CN 110041358 B CN110041358 B CN 110041358B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tower
- boiling
- product
- controlled
- dimethyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000178 monomer Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000000926 separation method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract description 81
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 67
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 55
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 claims description 13
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N chloro(methyl)silane Chemical compound C[SiH2]Cl YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 82
- -1 methyl siloxane Chemical class 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N trimethylsilyl-trifluoromethansulfonate Natural products C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N dichloro(methyl)silicon Chemical compound C[Si](Cl)Cl KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000005048 methyldichlorosilane Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/20—Purification, separation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
本发明公开一种粗单体分离工艺及系统,将来自单体合成的粗单体首先进入脱高塔,脱高塔塔釜的粗高沸进入高沸塔,塔顶采出的馏分进入中切塔;中切塔塔顶采出的馏分进入一甲塔,塔釜采出的粗二甲进入精二甲塔;精二甲塔塔顶采出精二甲产品,塔釜采出粗高沸物进入高沸物塔;高沸物塔塔釜采出高沸物产品,塔顶采出返回至脱高塔;一甲塔塔釜采出一甲产品,塔顶采出低沸组分进入后续精馏塔分离。利用本发明的技术方案,同比降低能耗20%,同时可以消除粗单体中高沸含量对粗单体分离的影响,提高二甲产品质量至99.95%以上。
Description
技术领域
本发明涉及一种粗单体分离工艺及系统,属有机硅生产技术领域。
背景技术
甲基氯硅烷混合单体包括二甲基二氯硅烷(简称二甲)、一甲基三氯硅烷(简称一甲)、三甲基一氯硅烷(简称三甲)、一甲基二氯硅烷(简称一甲含氢)、高沸物和低沸物。众所周知,目前国内外甲基氯硅烷单体合成普遍采用“直接法”合成工艺,以硅粉和氯甲烷为原料,在铜催化剂体系作用下直接合成甲基氯硅烷混合单体,甲基氯硅烷混合单体通过精馏分离得到主要目标产物二甲,副产物一甲、一甲含氢、三甲、高沸物及低沸物。二甲再通过水解和裂解等过程生产各种有机硅中间体—低聚甲基硅氧烷或烷氧基硅烷,进一步加工成为各类有机硅下游产品。
在制备硅油、硅橡胶时对原料二甲的纯度要求相当高,尤其是制备高温硫化硅橡胶,要求关键原料二甲的纯度达到99.95%以上。但粗单体组分复杂,沸点差距小,目前国内有机硅生产厂家精馏所得二甲产品与国外先进水平相比,纯度不高,且蒸汽用量较大,导致产品市场竞争力低下。因此有必要对甲基氯硅烷混合单体分离提纯工艺进行相关技术研究,设计合理分离流程,尽可能的分离出合格纯度的二甲,同时降低蒸汽消耗。
目前国内通用的有机硅单体分离工艺是顺式8塔,粗单体经过脱高塔、脱低塔,再进入二元塔分离出一甲产品和二甲产品;脱低塔塔顶采出物料经轻分塔、含氢塔、共沸塔、三甲塔分别分离出低沸物产品、一甲含氢产品、共沸物产品、三甲产品;脱高塔塔釜物料经过高沸塔分离出高沸物产品。该分离工艺粗单体经脱高塔、脱低塔,再进入二元塔分离出一甲产品和二甲产品,由于对塔顶及塔釜产品纯度要求均非常高,二元塔的操作条件比较苛刻,操作条件的微小波动可能就会导致其中某一种产品不合格,二甲产品为塔釜最后出料,导致二甲纯度不高。同时,二甲产品中沸点相近的杂质一直没有得到很好的解决。
发明内容
本发明提供了一种粗单体分离工艺及系统,解决现有技术难提,降低能耗的同时提高产品质量。
本发明中使用的技术术语说明:
粗单体:甲基氯硅烷混合单体,主要组分为一甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、三甲基一氯硅烷、一甲基二氯硅烷、四氯化硅等;
高沸物:标况下沸点大于70.2℃的组分;
低沸物:标况下沸点小于40.4℃的组分;
共沸物:三甲与四氯化硅组成的共沸物;
脱高塔:用于除去高沸物的塔器;
中切塔:用于分离一甲与二甲的塔器;
精二甲塔:用于脱除高沸物的塔器,本发明中所述的精二甲塔是脱高塔的一种;
一甲塔:用于分离一甲与三甲的塔器;
高沸塔:用于分离提纯高沸物产品的塔器;
本发明技术方案如下:
一种粗单体分离工艺及系统,将来自单体合成的粗单体进入脱高塔,脱高塔的塔釜内粗高沸被送至高沸物塔,脱高塔的塔顶采出的馏出液进入中切塔;
中切塔的塔顶采出物进入一甲塔,中切塔塔釜采出的粗二甲基二氯硅烷进入精二甲塔,精二甲塔塔顶采出精二甲基二氯硅烷产品,精二甲塔塔釜采出的粗高沸物进入高沸物塔;
高沸物塔的塔釜采出高沸物产品,高沸物塔的塔顶采出返回至脱高塔;
一甲塔塔釜采出一甲基三氯硅烷产品,一甲塔塔顶采出的低沸组分进入后续精馏塔分离。
所述脱高塔塔釜温度控制在140-170℃,塔釜压力控制在0.35-0.45MPa。
所述中切塔塔顶温度控制在80-90℃,塔顶压力控制在0.05-0.15MPa。
所述精二甲塔塔顶采出二甲基二氯硅烷产品,塔顶温度控制在80-100℃,塔顶压力控制在0.05-0.15MPa。
所述一甲塔塔釜采出一甲基三氯硅烷产品,塔顶温度控制在70-80℃,塔顶压力控制在0.03-0.15MPa。
所述高沸物塔塔釜采出高沸物产品,塔釜温度控制在150-170℃,塔釜压力控制在0.08-0.15MPa。
在上述工艺的基础上,本发明还提供一种粗单体分离工艺的系统,脱高塔顶部与中切塔连接;
中切塔顶部与一甲塔连接,中切塔底部与精二甲塔连接。
脱高塔底部与高沸物塔连接,高沸物塔顶部连接至高沸塔返料装置,高沸物塔底部连接至高沸物产品装置。
一甲塔顶部连接至低沸组分装置;底部连接至一甲产品装置。
精二甲塔顶部连接至二甲产品装置,精二甲塔底部连接至粗高沸物装置。
本发明工艺技术简单、控制条件严谨、具有良好的应用前景和应用价值,和现有技术相比其良效果在于:本发明工艺技术简单、控制条件严谨、具有良好的应用前景和应用价值,和现有技术相比其良效果在于:1.设计时二甲基二氯硅烷采用塔顶采出,最大降低高沸及塔釜杂质对二甲基二氯硅烷产品质量的影响,大幅度提高主产物二甲产品质量,达到99.98%以上;2.本发明调整工艺分离循序,先分一甲基三氯硅烷与二甲基二氯硅烷,一甲基三氯硅烷产品从塔釜采出,一甲塔设计比传统工艺脱低塔要少一只塔且塔径相对小一半,同时中切塔回流比变小,使得设备投资减少且各热量充分利用,可降低能耗20%。
附图说明
图1为本发明的工艺流程图,其中,1脱高塔;2中切塔;3精二甲塔;4一甲塔;5高沸物塔;6粗单体;7低沸组分装置;8一甲产品装置;9二甲产品装置;10粗高沸物装置; 11高沸塔返料装置;12高沸物产品装置。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明,但下述实施例仅仅为本发明的优先实施例,并非全部。基于实施方式中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得其它实施例,都属于本发明的保护范围。
实施例1
将来自单体合成的粗单体6首先进入脱高塔1,脱高塔1塔釜的粗高沸被送至高沸塔5,高沸塔5塔顶采出的馏出液进入中切塔2;脱高塔1塔釜温度控制在150℃,塔釜压力控制在0.4MPa。
中切塔2塔顶采出进入一甲塔4,塔釜采出的粗二甲进入精二甲塔3;中切塔2塔顶温度控制在90℃,塔顶压力控制在0.10MPa。
精二甲塔3塔顶采出精二甲产品9,塔釜采出粗高沸物10进入高沸物塔5;精二甲塔3塔顶温度控制在90℃,塔顶压力控制在0.10Mpa,二甲产品12纯度99.99%。
高沸物塔5塔釜采出高沸物产品12,塔顶采出11返回至脱高塔1;高沸物塔5塔釜温度控制在160℃,塔釜压力控制在0.09MPa,高沸物产品16纯度99.8%。
一甲塔4塔釜采出一甲产品8,塔顶采出低沸组分进入后续精馏塔分离;一甲塔4塔顶温度控制在75℃,塔顶压力控制在0.10MPa,一甲产品14纯度99.8%。
实施例2
将来自单体合成的粗单体6首先进入脱高塔1,脱高塔1塔釜的粗高沸被送至高沸塔5,高沸塔5塔顶采出的馏出液进入中切塔2;脱高塔1塔釜温度控制在160℃,塔釜压力控制在0.35MPa。
中切塔2塔顶采出进入一甲塔4,塔釜采出的粗二甲进入精二甲塔3;中切塔2塔顶温度控制在88℃,塔顶压力控制在0.08MPa。
精二甲塔3塔顶采出精二甲产品9,塔釜采出粗高沸物10进入高沸物塔5;精二甲塔3塔顶温度控制在80℃,塔顶压力控制在0.08Mpa,二甲产品12纯度99.999%。
高沸物塔5塔釜采出高沸物产品12,塔顶采出11返回至脱高塔1;高沸物塔5塔釜温度控制在155℃,塔釜压力控制在0.08MPa,高沸物产品16纯度99.7%。
一甲塔4塔釜采出一甲产品8,塔顶采出低沸组分进入后续精馏塔分离;一甲塔4塔顶温度控制在75℃,塔顶压力控制在0.05MPa,一甲产品14纯度99.9%。
实施例3
将来自单体合成的粗单体6首先进入脱高塔1,脱高塔1塔釜的粗高沸被送至高沸塔5,高沸塔5塔顶采出的馏出液进入中切塔2;脱高塔1塔釜温度控制在170℃,塔釜压力控制在0.45MPa。
中切塔2塔顶采出进入一甲塔4,塔釜采出的粗二甲进入精二甲塔3;中切塔2塔顶温度控制在90℃,塔顶压力控制在0.15MPa。
精二甲塔3塔顶采出精二甲产品9,塔釜采出粗高沸物10进入高沸物塔5;精二甲塔3塔顶温度控制在90℃,塔顶压力控制在0.15Mpa,二甲产品12纯度99.98%。
高沸物塔5塔釜采出高沸物产品12,塔顶采出11返回至脱高塔1;高沸物塔5塔釜温度控制在170℃,塔釜压力控制在0.15MPa,高沸物产品16纯度99.9%。
一甲塔4塔釜采出一甲产品8,塔顶采出低沸组分进入后续精馏塔分离;一甲塔4塔顶温度控制在80℃,塔顶压力控制在0.15MPa,一甲产品14纯度99.8%。
实施例4
将来自单体合成的粗单体6以20吨/小时的流量进入脱高塔1,脱高塔1塔釜采出的粗高沸物被送至高沸物塔5,塔顶采出的馏出液进入中切塔2;脱高塔1塔釜温度控制在145.5℃,塔釜压力控制在0.38MPa。
中切塔2塔顶采出进入一甲塔4,塔釜采出的粗二甲基二氯硅烷进入精二甲塔3;中切塔2塔顶温度控制在82.3℃,塔顶压力控制在0.07MPa。
精二甲塔3塔顶采出精二甲基二氯硅烷产品9,塔釜采出的粗高沸物10进入高沸物塔5;精二甲塔3塔顶温度控制在86.4℃,塔顶压力控制在0.05Mpa,二甲基二氯硅烷产品12纯度99.99%。
一甲塔4塔釜采出一甲基三氯硅烷产品8,塔顶采出的低沸组分进入后续精馏塔分离;一甲塔4塔顶温度控制在72.6℃,塔顶压力控制在0.06MPa,一甲基三氯硅烷产品14纯度99.55%。
高沸物塔5塔釜采出高沸物产品12,塔顶采出11返回至脱高塔1;高沸物塔5塔釜温度控制在153.3℃,塔釜压力控制在0.09MPa,高沸物产品16纯度99.6%。
实施例5
将来自单体合成的粗单体6以25.5吨/小时的流量进入脱高塔1,脱高塔1塔釜采出的粗高沸物被送至高沸塔5,塔顶采出的馏出液进入中切塔2;脱高塔1塔釜温度控制在151.1℃,塔釜压力控制在0.41MPa。
中切塔2塔顶采出进入一甲塔4,塔釜采出的粗二甲基二氯硅烷进入精二甲塔3;中切塔2塔顶温度控制在85.2℃,塔顶压力控制在0.10MPa。
精二甲塔3塔顶采出精二甲基二氯硅烷产品9,塔釜采出的粗高沸物10进入高沸物塔5;精二甲塔3塔顶温度控制在90.5℃,塔顶压力控制在0.08Mpa,二甲基二氯硅烷产品12主含量99.98%。
一甲塔4塔釜采出一甲基三氯硅烷产品8,塔顶采出的低沸组分进入后续精馏塔分离;一甲塔4塔顶温度控制在76.2℃,塔顶压力控制在0.10MPa,一甲基三氯硅烷产品14纯度99.6%。
高沸物塔5塔釜采出高沸物产品12,塔顶采出11返回至脱高塔1;高沸物塔5塔釜温度控制在160.4℃,塔釜压力控制在0.11MPa,高沸物产品16纯度99.55%。
实施例6
将来自单体合成的粗单体6以30吨/小时的流量进入脱高塔1,脱高塔1塔釜采出的粗高沸物被送至高沸塔5,塔顶采出的馏出液进入中切塔2;脱高塔1塔釜温度控制在160.5℃,塔釜压力控制在0.43MPa。
中切塔2塔顶采出进入一甲塔4,塔釜采出的粗二甲基二氯硅烷进入精二甲塔3;中切塔2塔顶温度控制在88.3℃,塔顶压力控制在0.13MPa。
精二甲塔3塔顶采出精二甲基二氯硅烷产品9,塔釜采出的粗高沸物10进入高沸物塔5;精二甲塔3塔顶温度控制在98.2℃,塔顶压力控制在0.13Mpa,二甲基二氯硅烷产品12主含量99.98%。
一甲塔4塔釜采出一甲基三氯硅烷产品8,塔顶采出的低沸组分进入后续精馏塔分离;一甲塔4塔顶温度控制在78.6℃,塔顶压力控制在0.13MPa,一甲基三氯硅烷产品14纯度99.55%。
高沸物塔5塔釜采出高沸物产品12,塔顶采出11返回至脱高塔1;高沸物塔5塔釜温度控制在164.5℃,塔釜压力控制在0.14MPa,高沸物产品16纯度99.7%。
实施例7
一种粗单体分离系统,脱高塔1顶部与中切塔2连接;中切塔2顶部与一甲塔4连接,中切塔2底部与精二甲塔3连接。脱高塔1底部与高沸物塔5连接,高沸物塔5顶部连接至高沸塔返料装置11,高沸物塔5底部连接至高沸物产品装置12。一甲塔4顶部连接至低沸组分装置7;底部连接至一甲产品装置8。精二甲塔3顶部连接至二甲产品装置9,精二甲塔3底部连接至粗高沸物装置10。
Claims (6)
1.一种甲基氯硅烷粗单体分离工艺,其特征在于,将来自单体合成的粗单体进入脱高塔,脱高塔的塔釜内粗高沸被送至高沸物塔,脱高塔的塔顶采出的馏出液进入中切塔,所述脱高塔的塔釜温度控制在140-170℃,塔釜压力控制在0.35-0.45MPa;
中切塔的塔顶采出物进入一甲塔,中切塔塔釜采出的粗二甲基二氯硅烷进入精二甲塔,精二甲塔塔顶采出精二甲基二氯硅烷产品,塔顶温度控制在80-100℃,塔顶压力控制在0.05-0.15MPa,精二甲塔塔釜采出的粗高沸物进入高沸物塔;
高沸物塔的塔釜采出高沸物产品,高沸物塔的塔顶采出返回至脱高塔;
一甲塔塔釜采出一甲基三氯硅烷产品,一甲塔塔顶采出的低沸组分进入后续精馏塔分离。
2.如权利要求1所述的甲基氯硅烷粗单体分离工艺,其特征在于,所述中切塔的塔顶温度控制在80-90℃,塔顶压力控制在0.05-0.15MPa。
3.如权利要求1所述的甲基氯硅烷粗单体分离工艺,其特征在于,所述一甲塔的塔釜采出一甲产品,塔顶温度控制在70-80℃,塔顶压力控制在0.03-0.15MPa。
4.如权利要求1所述的甲基氯硅烷粗单体分离工艺,其特征在于,所述高沸物塔的塔釜采出高沸物产品,塔釜温度控制在150-170℃,塔釜压力控制在0.08-0.15MPa。
5.进行权利要求1-4任一项所述的甲基氯硅烷粗单体分离工艺的装置,其特征在于,脱高塔(1)顶部与中切塔(2)连接;
中切塔(2)顶部与一甲塔(4)连接,中切塔(2)底部与精二甲塔(3)连接,脱高塔(1)底部与高沸物塔(5)连接,高沸物塔(5)顶部连接至高沸塔返料装置(11),高沸物塔(5)底部连接至高沸物产品装置(12),一甲塔(4)顶部连接至低沸组分装置(7);底部连接至一甲产品装置(8)。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,精二甲塔(3)顶部连接至二甲产品装置(9),精二甲塔(3)底部连接至粗高沸物装置(10)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910286403.XA CN110041358B (zh) | 2019-04-10 | 2019-04-10 | 一种粗单体分离工艺及系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910286403.XA CN110041358B (zh) | 2019-04-10 | 2019-04-10 | 一种粗单体分离工艺及系统 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110041358A CN110041358A (zh) | 2019-07-23 |
CN110041358B true CN110041358B (zh) | 2021-08-31 |
Family
ID=67276708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910286403.XA Active CN110041358B (zh) | 2019-04-10 | 2019-04-10 | 一种粗单体分离工艺及系统 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110041358B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116082384B (zh) * | 2023-04-12 | 2023-06-16 | 南京首开化工有限公司 | 利用有机硅低沸副产物合成三甲基氯硅烷的工艺 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101429211A (zh) * | 2008-12-01 | 2009-05-13 | 山东东岳有机硅材料有限公司 | 一种有机硅生产中甲基混合单体分离工艺 |
CN105503933A (zh) * | 2015-12-21 | 2016-04-20 | 山东聊城中盛蓝瑞化工有限公司 | 一种化工单体节能精馏系统及方法 |
-
2019
- 2019-04-10 CN CN201910286403.XA patent/CN110041358B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101429211A (zh) * | 2008-12-01 | 2009-05-13 | 山东东岳有机硅材料有限公司 | 一种有机硅生产中甲基混合单体分离工艺 |
CN105503933A (zh) * | 2015-12-21 | 2016-04-20 | 山东聊城中盛蓝瑞化工有限公司 | 一种化工单体节能精馏系统及方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110041358A (zh) | 2019-07-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103086380B (zh) | 利用反应精馏处理二氯二氢硅废料的方法及设备 | |
CN103101914B (zh) | 从氯硅烷残液中回收和提纯六氯乙硅烷的间歇操作方法及装置 | |
CN217828930U (zh) | 粗单体精馏节能装置 | |
CN110078080A (zh) | 一种结合渣浆处理与裂解反应的氯硅烷高沸物回收工艺 | |
CN103112859A (zh) | 连续式氯硅烷残液回收处理装置及方法 | |
CN101429211B (zh) | 一种有机硅生产中甲基混合单体分离工艺 | |
CN110041358B (zh) | 一种粗单体分离工艺及系统 | |
CN101712475B (zh) | 一种三氯氢硅的提纯方法和装置 | |
CN104945428B (zh) | 一种制备二甲基二氯硅烷的方法 | |
CN110963494B (zh) | 一种制备硅烷的系统和方法 | |
CN209940874U (zh) | 一种粗单体分离系统 | |
CN205653378U (zh) | 一种二甲基二氯硅烷的提纯系统 | |
CN209940873U (zh) | 一种甲基氯硅烷混合单体的分离提纯系统 | |
CN217939189U (zh) | 粗单体分离节能装置 | |
CN110128462B (zh) | 一种单体精馏工艺及系统 | |
CN209940872U (zh) | 一种单体精馏系统 | |
CN217828931U (zh) | 粗单体分离装置 | |
CN115228118A (zh) | 一种粗单体精馏节能方法及装置 | |
CN115282625A (zh) | 一种粗单体分离方法及装置 | |
CN105294380A (zh) | 乙烯副产c9分离环戊二烯、甲基环戊二烯并联产石油树脂的方法 | |
CN101643379A (zh) | 一种高纯度间戊二烯的制备方法 | |
CN209940875U (zh) | 一种单体分离节能系统 | |
CN110041359A (zh) | 一种单体分离节能工艺及系统 | |
CN109503389B (zh) | 采用单侧线减压精馏与柱层析提取200号聚醚胺中伯胺的方法 | |
CN110128463A (zh) | 一种甲基氯硅烷混合单体的分离提纯工艺及系统 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |