CN109994074A - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种显示设备。该显示设备包括：沿第一方向延伸的第一数据线和第二数据线；连接到第一数据线的第一晶体管；连接到第一晶体管的第二晶体管；电连接到第二晶体管的第三晶体管；布置在第一数据线与第二数据线之间的连接线，连接线将第二晶体管连接到第三晶体管；以及布置在连接线上的驱动电压线，驱动电压线在第一数据线与连接线之间延伸。

Description

显示设备
技术领域
本发明的示例性实施例总体涉及显示设备，并且更具体地，涉及包括多个像素的有机发光显示设备。
背景技术
有机发光显示设备可以具有有机发光元件，该有机发光元件包括空穴注入层、电子注入层以及形成在它们之间的有机发光层。在有机发光显示设备中，在激子(其为从空穴注入层注入的空穴与从电子注入层注入的电子的结合)从激发态下降到基态时，可以产生光。有机发光显示设备可以不包括用于产生光的单独的光源，并且因此有机发光显示设备可以具有相对小的厚度和轻的重量以及相对低的功耗。此外，有机发光显示设备可以具有相对宽的视角、高对比度和高响应速度等。
信号线的数量可以随着显示设备的分辨率增加而增加，并且信号线之间的间隔可以随着信号线的数量增加而更窄。在此情形下，信号线之间可能发生串扰。
在该背景部分公开的上述信息仅用于对本发明构思的背景的理解，并且因此可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本发明的示例性实施例提供了一种信号线之间的串扰被最小化的显示设备。
本发明构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且将部分地从描述中明白，或者可以通过本发明构思的实践来学习。
本发明的示例性实施例提供了一种显示设备，包括：沿第一方向延伸的第一数据线和第二数据线；连接到第一数据线的第一晶体管；连接到第一晶体管的第二晶体管；电连接到第二晶体管的第三晶体管；布置在第一数据线与第二数据线之间的连接线，连接线将第二晶体管连接到第三晶体管；以及布置在连接线上的驱动电压线，驱动电压线在第一数据线与连接线之间延伸。
显示设备可以进一步包括布置在连接线与驱动电压线之间的绝缘层，沟槽被限定在第一数据线与连接线之间的绝缘层中。驱动电压线可以延伸到沟槽中。
沟槽在平面图中可以具有多边形形状。
驱动电压线可以在第二数据线与连接线之间延伸。
显示设备可以进一步包括布置在连接线与驱动电压线之间的绝缘层，第一沟槽被限定在第一数据线与连接线之间的绝缘层中，第二沟槽被限定在第二数据线与连接线之间的绝缘层中。驱动电压线可以延伸到第一沟槽中，并且延伸到第二沟槽中。
第一数据线、第二数据线和连接线可以被布置在基本上相同的层。
连接线可以将第二晶体管的栅电极连接到第三晶体管的源区/漏区。
连接线可以沿第一方向延伸。
显示设备可以进一步包括电连接到第二晶体管的有机发光元件。
显示设备可以进一步包括电容器，电容器包括第一电极和第二电极。电容器的第一电极可以连接到连接线。电容器的第二电极可以连接到驱动电压线。
第三晶体管可以将栅电极电连接到第二晶体管的源区/漏区。
显示设备可以进一步包括沿与第一方向相交的第二方向延伸的初始化电压线。第三晶体管可以连接到初始化电压线。
本发明的另一示例性实施例提供了一种显示设备，包括：第一像素，包括多个晶体管；从第一像素起布置在第一方向上的第二像素；沿第一方向延伸并且连接到第一像素的第一数据线；沿第一方向延伸并且连接到第二像素的第二数据线；布置在第一数据线与第二数据线之间的连接线，连接线连接多个晶体管中的两个晶体管；以及布置在连接线上的驱动电压线，驱动电压线在第一数据线与连接线之间延伸。
显示设备可以进一步包括布置在连接线与驱动电压线之间的绝缘层，沟槽被限定在第一数据线与连接线之间的绝缘层中。驱动电压线可以延伸到沟槽中。
沟槽在平面图中可以具有多边形形状。
驱动电压线可以在第二数据线与连接线之间延伸。
显示设备可以进一步包括布置在连接线与驱动电压线之间的绝缘层，第一沟槽被限定在第一数据线与连接线之间的绝缘层中，第二沟槽被限定在第二数据线与连接线之间的绝缘层中。驱动电压线可以延伸到第一沟槽中，并且延伸到第二沟槽中。
第一数据线、第二数据线和连接线可以被布置在基本上相同的层。
多个晶体管可以包括：连接到第一数据线的第一晶体管；连接到第一晶体管的第二晶体管；以及电连接到第二晶体管的第三晶体管。连接线可以将第二晶体管的栅电极连接到第三晶体管的源区/漏区。
显示设备可以进一步包括信号分离器，该信号分离器将数据信号提供到第一数据线和第二数据线。
应当理解，前述概括性描述和下面的具体描述两者是示例性和说明性的，并且旨在提供所要求保护的发明的进一步说明。
附图说明
包含附图来提供本发明的进一步理解并且附图被并入本说明书中且构成本说明书的一部分，附图示出本发明的示例性实施例并且与说明书一起用来解释本发明构思。
图1是示出根据本发明的示例性实施例的显示设备的框图。
图2是示出图1中的显示设备的像素的等效电路图。
图3是示出图1中的显示设备的一部分的框图。
图4是示出驱动图1中的显示设备的方法的时序图。
图5是示出根据本发明的示例性实施例的像素的平面图。
图6是示出沿线I-I'截取的图5中的像素的截面图。
图7是示出根据本发明的示例性实施例的像素的平面图。
图8是示出沿线II-II'截取的图7中的像素的截面图。
具体实施方式
在下面的描述中，为了说明的目的，阐述许多具体细节，以提供本发明的各个示例性实施例的全面理解。如本文中使用的“实施例”是采用本文中公开的发明构思中的一个或多个的设备或方法的非限制性示例。然而，要清楚，各个示例性实施例可以在没有这些具体细节的情况下或在一个或多个等价布置的条件下实践。在其他情况中，以框图的形式示出众所周知的结构和设备，以便避免不必要地模糊各个示例性实施例。此外，各个示例性实施例可以是不同的，但不一定是排斥的。例如，示例性实施例的特定形状、配置和特性可以在另一示例性实施例中被使用或被实现而不脱离本发明构思。
除非另外指出，示出的示例性实施例将被理解为提供本发明构思可以在实践中被实现的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另外指出，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(下文分别或统称为“元件”)可以被另行组合、分离、互换和/或重新排列，而不脱离本发明构思。
附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供以使相邻元件之间的边界变得清楚。因此，除非指定，交叉影线和阴影的存在或不存在均不表达或指示对特定材料，材料特性，尺寸，比例，图示元素之间的共性和/或元素的任何其他特征，属性，性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当示例性实施例可被不同地实现时，不同于所描述的顺序的特定工艺顺序可被执行。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时被执行，或以与所描述的顺序相反的顺序被执行。此外，相同的附图标记表示相同的元件。
当诸如层的元件被称为“位于另一元件或层上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，该元件可以直接位于另一元件或层上、直接连接到或耦接到另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当一元件或层被称为“直接位于另一元件或层上”、“与另一元件或层直接连接”或“与另一元件或层直接耦接”时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指使用或不使用中间元件的物理连接、电气连接和/或流体连接。此外，D1轴、D2轴和D3轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如，x轴、y轴和z轴)，而是可以以更广泛的意义解释。例如，D1轴、D2轴和D3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或X、Y和Z中两个或更多个的任意组合，诸如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文中使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。
虽然本文可能使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但这些元件不应受这些术语限制。使用这些术语是为了将一个元件与另一个元件区别开来。因此，下面介绍的第一元件可以被称为第二元件，而不背离本公开的教导。
为了描述目的，本文中可以使用空间相关术语，诸如“下面”、“下方”、“之下”、“更低”、“上方”、“上面”、“之上”、“更高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等，并且由此来描述附图中示出的一个元件与另一元件的关系。空间相关术语旨在涵盖装置在使用时、在操作时和/或在制造时除了附图中描绘的方位以外的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为位于另一元件或特征“下方”或“下面”的元件将位于另一元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可包含上方和下方两种方位。此外，装置可以被另外定向(例如，旋转90度或在其他方向上)，并且因此相应地解释本文中使用的空间相关描述符。
本文中使用的术语是为了描述特定实施例的目的，而不旨在限制。如本文使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式的“一”和“该”还旨在包括复数形式。此外，当在此说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”表明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组，但并不排除存在或添加一个或多个其他的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组。还应注意的是，如本文所使用的，术语“基本上”、“约”和其他类似术语被用作近似术语而不作为程度术语，并且因此被用于对将由本领域的普通技术人员识别的测量到的、计算出的和/或被提供的值中的固有偏差做出解释。
在本文中参考截面图示和/或分解图示来描述各个示例性实施例，该截面图示和/或分解图示是理想化示例性实施例和/或中间结构的示意性图示。因此，作为例如制造技术和/或公差的结果，可预期图示形状之间的变化。因此，本文所公开的示例性实施例不一定应被解释为限于具体图示的区域形状，而将包括由例如制造导致的形状的偏差。以这种方式，在附图中所示的区域实际上是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映设备的区域的实际形状，并且因此不一定旨在限制。
除非另有定义，否则本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的本领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。诸如那些在常用词典中所定义的术语应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过度正式的意义来解释，除非本文中明确地如此定义。
下面，将参考附图具体说明根据本发明的示例性实施例的显示设备。
图1是示出根据示例性实施例的显示设备的框图。
参照图1，根据本发明的示例性实施例的显示设备100可以包括像素单元110、数据驱动器120、数据分配器130、扫描驱动器140和控制器150。显示设备100可以是有机发光显示设备。
像素单元110可以包括多条扫描线SL1至SLn、多条数据线DL11至DL2m、多条发射控制线EL1至ELn以及多个像素PX。扫描线SL1至SLn可以在行方向上延伸，并且传输扫描信号。连接到相应像素PX的扫描线SL1至SLn中的每条可以包括施加第一扫描信号GIj的第一扫描线GILj、施加第二扫描信号GWj的第二扫描线GWLj以及施加第三扫描信号GBj的第三扫描线GBLj(参考图2)。
数据线DL11至DL2m可以在列方向上延伸，并且传输数据信号。每列可以布置两条数据线DL1i和DL2i，并且每列中的两条数据线DL1i和DL2i中的每条可以包括连接到奇数行中的像素PX的第一数据线DL1i和连接到偶数行中的像素PX的第二数据线DL2i。第一数据线DL1i和第二数据线DL2i可以彼此相邻，并且交替地连接到位于同一列的像素PX。第一数据线DL1i和第二数据线DL2i可以沿行方向交替排列。
扫描线SL1至SLn和数据线DL11至DL2m可以被排列成矩阵形式，并且像素PX可以被限定在它们的交叉点处。发射控制线EL1至ELn可以传输发射控制信号。第一电力电压ELVDD和第二电力电压ELVSS可以被施加到像素单元110的像素PX。第二电力电压ELVSS可以是比第一电力电压ELVDD低的电压。
数据驱动器120可以连接到多条输出线OL1至OLm，并且输出线OL1至OLm可以经由数据分配器130连接到数据线DL11至DL2m。数据驱动器120可以响应来自控制器150的控制信号，并且将图像信号转换成电压或电流的形式的数据信号。数据驱动器120可以将数据信号施加到输出线OL1至OLm。
数据线DL11至DL2m中的每条可以包括数据电容器。数据电容器可以临时存储施加到数据线DL11至DL2m的数据信号，并且将存储的数据信号施加到像素PX。等效地形成在数据线DL11至DL2m上的寄生电容器可以被用作数据电容器。可替代地，数据线DL11至DL2m中的每条可以另外形成电容器，并且该电容器用作数据电容器。
数据分配器130可以连接到输出线OL1至OLm以及数据线DL11至DL2m。数据分配器130可以包括包含多个开关元件的m个信号分离器。包括在数据分配器130中的信号分离器的数量可以与输出线OL1至OLm的数量相同。信号分离器中的每个的一端可以连接到输出线OL1至OLm中的任一条。此外，信号分离器中的每个的另一端可以连接到第一数据线DL1i和第二数据线DL2i。信号分离器可以将来自一条输出线的数据信号施加到两条数据线DL1i和DL2i。通过包括信号分离器，连接到数据驱动器120的输出线OL1至OLm的数量不需要等于数据线DL11至DL2m的数量，并且因此，通过将更少的输出线OL1至OLm连接到数据驱动器120以及在数据驱动器120中包括更少的集成电路可以降低制造成本。
信号分离器可以在第一水平周期期间将数据信号施加到连接到该信号分离器的一些数据线，并且可以在第二水平周期期间将数据信号施加到除了上述数据线之外的数据线。在此情形下，在相同的水平周期期间接收数据信号的数据线可以连接到位于同一行的像素PX。响应于来自控制器150的控制信号，在某个水平周期期间，信号分离器可以将数据信号依次施加到连接到奇数行中的像素PX的第一数据线DL1i，并且然后，在随后的水平周期期间，可以将数据信号依次施加到连接到偶数行中的像素PX的第二数据线DL2i。例如，响应于来自控制器150的控制信号，当第二扫描信号GWj被施加到奇数行中的像素PX时，信号分离器可以将数据信号施加到连接到偶数行中的连接到该信号分离器的像素PX的第二数据线DL2i。此外，当第二扫描信号GWj被施加到偶数行中的像素PX时，信号分离器可以将数据信号施加到连接到奇数行中的连接到该信号分离器的像素PX的第一数据线DL1i。换句话说，当第二扫描信号GWj被施加到第j条扫描线时，与第(j+1)行对应的数据信号可以被施加。
扫描驱动器140可以连接到扫描线SL1至SLn，并且可以响应于来自控制器150的控制信号产生扫描信号。扫描驱动器140可以将扫描信号施加到扫描线SL1至SLn。此外，扫描驱动器140可以连接到发射控制线EL1至ELn，并且可以响应于来自控制器150的控制信号产生发射控制信号。扫描驱动器140可以将发射控制信号施加到发射控制线EL1至ELn。根据图1所示的示例性实施例，扫描驱动器140生成发射控制信号并将发射控制信号施加到像素单元110。然而，附加的发射控制器可以生成发射控制信号并将发射控制信号施加到像素单元110。
控制器150可以响应于从外部源施加的同步信号产生控制信号。控制器150可以将用于控制数据驱动器120的控制信号输出到数据驱动器120，并且可以将用于控制扫描驱动器140的控制信号输出到扫描驱动器140。控制器150可以将控制信号施加到信号分离器中的每个。在此情形下，控制器150可以控制控制信号的施加，使得数据信号可以以行为单位被施加。
图2是示出图1中的显示设备100的像素PX的等效电路图。
参考图2，根据示例性实施例的像素PX可以包括像素电路，该像素电路包括第一晶体管T1至第七晶体管T7、电容器Cst以及连接到像素电路的发光元件。发光元件可以是有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED可以包括阳极、阴极以及阳极与阴极之间的发射层。有机发光二极管OLED的阴极可以连接到供给第二电力电压ELVSS的第二电源。
像素PX可以连接到第一扫描线GILj、第二扫描线GWLj、发射控制线ELj、数据线DLi、驱动电压线PL、初始化电压线VL和第三扫描线GBLj，第一扫描线GILj将第一扫描信号GIj传输到第四晶体管T4，第二扫描线GWLj将第二扫描信号GWj传输到第二晶体管T2和第三晶体管T3，发射控制线ELj将发射控制信号Ej传输到第五晶体管T5和第六晶体管T6，数据线DLi传输数据信号Di，驱动电压线PL传输第一电力电压ELVDD，初始化电压线VL传输用于初始化第一晶体管T1的初始化电压Vint，第三扫描线GBLj将第三扫描信号GBj传输到第七晶体管T7。数据线DLi可以是图1所示的第一数据线DL1i或第二数据线DL2i。
第一晶体管T1可以包括栅电极G1、第一电极S1和第二电极D1，栅电极G1连接到电容器Cst的第一电极Cst1，第一电极S1经由第五晶体管T5连接到驱动电压线PL，第二电极D1通过第六晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的阳极。第一晶体管T1可以用作驱动晶体管，并且可以根据第二晶体管T2的开关操作接收数据信号Di，并且可以将电流施加到有机发光二极管OLED。
第二晶体管T2可以包括栅电极G2、第一电极S2和第二电极D2，栅电极G2连接到第二扫描线GWLj，第一电极S2连接到数据线DLi，第二电极D2连接到第一晶体管T1的第一电极S1。第二晶体管T2可以用作开关晶体管，并且可以根据经由第二扫描线GWLj接收的第二扫描信号GWj而导通。第二晶体管T2可以执行将经由数据线DLi传输的数据信号Di传输到第一晶体管T1的第一电极S1的开关操作。
第三晶体管T3可以包括栅电极G3、第一电极S3和第二电极D3，栅电极G3连接到第二扫描线GWLj，第一电极S3连接到第一晶体管T1的第二电极D1，第二电极D3连接到电容器Cst的第一电极Cst1、第四晶体管T4的第二电极D4和第一晶体管T1的栅电极G1。第三晶体管T3可以用作补偿晶体管，并且可以根据经由第二扫描线GWLj接收的第二扫描信号GWj而导通。第三晶体管T3可以以二极管接法连接第一晶体管T1。
第四晶体管T4可以包括栅电极G4、第一电极S4和第二电极D4，栅电极G4连接到第一扫描线GILj，第一电极S4连接到初始化电压线VL，第二电极D4连接到电容器Cst的第一电极Cst1、第三晶体管T3的第二电极D3和第一晶体管T1的栅电极G1。第四晶体管T4可以用作初始化晶体管，并且可以根据经由第一扫描线GILj接收的第一扫描信号GIj而导通。第四晶体管T4可以通过将初始化电压Vint传输到第一晶体管T1的栅电极G1来执行初始化第一晶体管T1的栅极电压的初始化操作。
第五晶体管T5可以包括栅电极G5、第一电极S5和第二电极D5，栅电极G5连接到发射控制线ELj，第一电极S5连接到驱动电压线PL，第二电极D5连接到第一晶体管T1的第一电极S1和第二晶体管T2的第二电极D2。
第六晶体管T6可以包括栅电极G6、第一电极S6和第二电极D6，栅电极G6连接到发射控制线ELj，第一电极S6连接到第一晶体管T1的第二电极D1和第三晶体管T3的第一电极S3，第二电极D6连接到有机发光二极管OLED的阳极。第五晶体管T5和第六晶体管T6可以根据经由发射控制线ELj接收的发射控制信号Ej同时或并发地被导通，并且因此，电流可以流过有机发光二极管OLED。
第七晶体管T7可以包括栅电极G7、第一电极S7和第二电极D7，栅电极G7连接到第三扫描线GBLj，第一电极S7连接到第六晶体管T6的第二电极D6和有机发光二极管OLED的阳极，第二电极D7连接到初始化电压线VL。第七晶体管T7可以根据经由第三扫描线GBLj接收的第三扫描信号GBj而导通，并且可以通过将初始化电压Vint传输到有机发光二极管OLED的阳极来执行初始化有机发光二极管OLED的阳极的电压的初始化操作。
连接到第七晶体管T7的栅电极G7的第三扫描线GBLj可以是第一扫描线GILj或第二扫描线GWLj，并且第三扫描信号GBj可以是第一扫描信号GIj或第二扫描信号GWj。
电容器Cst可以包括第一电极Cst1和第二电极Cst2，第一电极Cst1连接到第一晶体管T1的栅电极G1、第三晶体管T3的第二电极D3和第四晶体管T4的第二电极D4，第二电极Cst2连接到驱动电压线PL。
下面将简要描述操作过程。首先，第一扫描信号GIj可以被施加到第一扫描线GILj，并且因此，第四晶体管T4可以被导通。当第四晶体管T4被导通时，初始化电压Vint可以被施加到第一晶体管T1的栅电极G1，并且因此，第一晶体管T1的栅电极G1的电压可以被初始化为初始化电压Vint。
然后，第二扫描信号GWj可以被施加到第二扫描线GWLj，并且因此，第二晶体管T2和第三晶体管T3可以被导通。当第三晶体管T3被导通时，第一晶体管T1可以以二极管接法连接。当第一晶体管T1以二极管接法连接时，数据信号Di和与第一晶体管T1的阈值电压对应的电压可以被施加到第一晶体管T1的栅电极G1。当第二晶体管T2被导通时，数据信号Di可以从数据线DLi被传输到第一晶体管T1的第一电极S1。
然后，第三扫描信号GBj可以被施加到第三扫描线GBLj，并且因此，第七晶体管T7可以被导通。当第七晶体管T7被导通时，有机发光二极管OLED的阳极可以被初始化为初始化电压Vint。
然后，发射控制信号Ej可以被施加到发射控制线ELj，并且因此，第五晶体管T5和第六晶体管T6可以被导通。然后，响应于施加到栅电极G1的电压，第一晶体管T1可以控制经由有机发光二极管OLED从第一电力电压ELVDD流到第二电力电压ELVSS的电流的量。在此情形下，有机发光二极管OLED可以响应于电流的量产生具有预定亮度级别的光。
图3是示出图1中的显示设备100的一部分的框图。图4是示出驱动图1中的显示设备100的方法的时序图。
参考图3，像素单元110可以包括发射具有不同颜色的光的第一像素、第二像素和第三像素。第一像素和第二像素可以交替地排列在同一列中，并且第三像素被排列在与第一像素和第二像素被排列的列相邻的列中。第一像素可以是发射红光的红色像素R，第二像素可以是发射蓝光的蓝色像素B，并且第三像素可以是发射绿光的绿色像素G。红色像素R和蓝色像素B可以交替地排列在同一列中，并且绿色像素G可以被排列在与红色像素R和蓝色像素B被排列的列相邻的列中。
两条数据线(即，连接到奇数行中的像素PX的第一数据线DL1和连接到偶数行中的像素PX的第二数据线DL2)在每列中可以基本上彼此平行。在示例性实施例中，由连接到第一数据线DL1的像素PX发射的光可以具有与由连接到第二数据线DL2的像素PX发射的光不同的颜色。在另一示例性实施例中，连接到第一数据线DL1的像素PX可以具有与连接到第二数据线DL2的像素PX不同的尺寸。
在图3的第一列中，红色像素R可以连接到第一数据线DL1，并且蓝色像素B可以连接到第二数据线DL2。在图3的第三列中，蓝色像素B可以连接到第一数据线DL1，并且红色像素R可以连接到第二数据线DL2。在图3的第二列和第四列中，绿色像素G可以连接到第一数据线DL1和第二数据线DL2。
在图3的示例性实施例中，第一列和第二列中的第一数据线DL1和第二数据线DL2的交替顺序可以与第三列和第四列中的第一数据线DL1和第二数据线DL2的交替顺序不同。然而，本发明构思并不限于此，并且第一数据线DL1和第二数据线DL2的交替顺序在行方向上可以相同。
数据分配器130可以被布置在第一输出线OL1至第四输出线OL4和与第一列至第八列对应的第一数据线DL1和第二数据线DL2之间，并且可以包括信号分离器DMUX，信号分离器DMUX包括第一开关SW1至第四开关SW4。信号分离器DMUX可以被提供在每八个列上。
第一开关SW1可以被第一时钟信号CLA_ODD导通，并且可以将施加到第一输出线OL1至第四输出线OL4的数据信号施加到第一列至第四列的第一数据线DL1中的每条。第二开关SW2可以被第二时钟信号CLA_EVEN导通，并且可以将施加到第一输出线OL1至第四输出线OL4的数据信号施加到第一列至第四列的第二数据线DL2中的每条。第三开关SW3可以被第三时钟信号CLB_ODD导通，并且可以将施加到第一输出线OL1至第四输出线OL4的数据信号施加到第五列至第八列的第一数据线DL1中的每条。第四开关SW4可以被第四时钟信号CLB_EVEN导通，并且可以将施加到第一输出线OL1至第四输出线OL4的数据信号施加到第五列至第八列的第二数据线DL2中的每条。
当第一扫描信号GIj被施加到像素PX时，对应的数据信号可以被施加到对应的(即，连接的)第一数据线DL1或对应的(即，连接的)第二数据线DL2。然后，当第二扫描信号GWj被施加到像素PX时，施加到对应的第一数据线DL1或对应的第二数据线DL2的数据信号可以经由第二晶体管T2被施加到像素PX。第一扫描信号GIj、第二扫描信号GWj和第三扫描信号GBj可以以1个水平周期(1H)为单位沿行依次被施加。
参考图4，当第一扫描信号GI1被施加到第一行的像素PX时，第一时钟信号CLA_ODD和第三时钟信号CLB_ODD可以被施加到数据分配器130。第一开关SW1可以被第一时钟信号CLA_ODD导通，并且第三开关SW3可以被第三时钟信号CLB_ODD导通。因此，第一行的数据信号D1可以被施加到第一数据线DL1。接下来，第二扫描信号GW1可以被施加到第一行的像素PX，并且存储在第一数据线DL1中的数据信号D1可以被施加到第一行的像素PX。类似地，当第一扫描信号GI2被施加到第二行的像素PX时，第二时钟信号CLA_EVEN和第四时钟信号CLB_EVEN可以被施加到数据分配器130。第二开关SW2可以被第二时钟信号CLA_EVEN导通，并且第四开关SW4可以被第四时钟信号CLB_EVEN导通。因此，第二行的数据信号D2可以被施加到第二数据线DL2。接下来，第二扫描信号GW2可以被施加到第二行中的像素PX，并且存储在第二数据线DL2中的数据信号D2可以被施加到第二行的像素PX。施加到第一行的像素PX的第二扫描信号GW1与施加到第二行的像素PX的第一扫描信号GI2相互重叠。此外，尽管未示出，但是施加到第二行的像素PX的第二扫描信号GW2与施加到第三行的像素PX的第一扫描信号GI3相互重叠。也就是说，根据示例性实施例的显示设备中的数据线保持数据信号2个水平周期(2H)。
本发明构思不限于信号分离器DMUX的上述配置和时钟信号的时序图。可以提供信号分离器的配置和时钟信号的时序的各种示例性实施例，以驱动一个像素中排列两条数据线的像素单元。
图5是示出根据示例性实施例的像素的平面图。
图5示出了在基板上的任意列的第j行中的像素PX。第j行可以是奇数行。图5可以是实现图2中的像素PX的平面图。在图5中，有机发光二极管OLED未被示出，并且仅像素电路被示出。
参考图5，施加初始化电压Vint的初始化电压线VLj和VLj+1、施加第一扫描信号GIj的第一扫描线GILj、施加第二扫描信号GWj的第二扫描线GWLj、施加发射控制信号Ej的发射控制线ELj以及施加第三扫描信号GBj的第三扫描线GBLj可以在第一方向DR1上彼此隔开预定距离，并且在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上彼此平行。左侧处的第一数据线DL1和右侧处的第二数据线DL2可以用介于它们之间的电容器Cst隔开，并且在第一方向DR1上彼此平行。驱动电压线PL可以部分地与电容器Cst重叠，并且可以在第一数据线DL1与第二数据线DL2之间。驱动电压线PL可以在第一方向DR1上与第一数据线DL1和第二数据线DL2近似平行。在第j行中的像素PX可以连接到第一数据线DL1。
根据图5的示例性实施例，第一数据线DL1在左侧处，并且第二数据线DL2在右侧处。然而，本发明构思并不限于此，并且第一数据线DL1可以在右侧处，并且第二数据线DL2可以在左侧处。
晶体管T1至T7可以沿半导体层ACT形成，并且半导体层ACT可以以各种方式弯曲以具有不同的形状。半导体层ACT可以通过使用例如多晶硅、非晶硅等形成。半导体层ACT可以包括未掺杂杂质的沟道区以及通过掺杂杂质形成在沟道区的相对侧处形成的源区和漏区。杂质可以根据晶体管的类型而改变。例如，杂质可以包括n型杂质或p型杂质。
第一晶体管T1可以包括栅电极G1、第一电极S1和第二电极D1。第一电极S1可以与半导体层ACT中掺杂有杂质的源区对应，并且第二电极D1可以与半导体层ACT中掺杂有杂质的漏区对应。栅电极G1可以与沟道区重叠。栅电极G1可以经由第一接触孔CH1电连接到连接线CNL，并且连接线CNL可以经由第二接触孔CH2电连接到第三晶体管T3的第二电极D3和第四晶体管T4的第二电极D4。栅电极G1可以用作电容器Cst的第一电极Cst1。
第一晶体管T1的半导体层ACT可以是弯曲的。通过弯曲半导体层ACT，半导体层ACT可以在小的区域中被拉长。因此，由于第一晶体管T1的半导体层ACT可以具有长的沟道区，因此可以扩大施加到栅电极G1的栅极电压的驱动范围。当扩大栅极电压的驱动范围时，可以通过改变栅极电压的大小来更彻底地调整由有机发光二极管OLED发射的光。
第二晶体管T2可以包括栅电极G2、第一电极S2和第二电极D2。第一电极S2可以与半导体层ACT中掺杂有杂质的源区对应，并且第二电极D2可以与半导体层ACT中掺杂有杂质的漏区对应。栅电极G2可以与沟道区重叠。第一电极S2可以经由第三接触孔CH3电连接到第一数据线DL1。第二电极D2可以连接到第一晶体管T1的第一电极S1和第五晶体管T5的第二电极D5。栅电极G2可以由第二扫描线GWLj的一部分形成。
第三晶体管T3可以包括栅电极G3、第一电极S3和第二电极D3。第一电极S3可以与半导体层ACT中掺杂有杂质的源区对应，并且第二电极D3可以与半导体层ACT中掺杂有杂质的漏区对应。栅电极G3可以与沟道区重叠，并且可以由第二扫描线GWLj的一部分形成。
第四晶体管T4可以包括栅电极G4、第一电极S4和第二电极D4。第一电极S4可以与半导体层ACT中掺杂有杂质的源区对应，并且第二电极D4可以与半导体层ACT中掺杂有杂质的漏区对应。第一电极S4可以经由第四接触孔CH4电连接到初始化电压线VLj。栅电极G4可以与沟道区重叠，并且可以由第一扫描线GILj的一部分形成。初始化电压线VLj可以经由第四接触孔CH4电连接到前一行(偶数行)上的第七晶体管T7的第二电极D7。
第五晶体管T5可以包括栅电极G5、第一电极S5和第二电极D5。第一电极S5可以与半导体层ACT中掺杂有杂质的源区对应，并且第二电极D5可以与半导体层ACT中掺杂有杂质的漏区对应。栅电极G5可以与沟道区重叠。第一电极S5可以经由第五接触孔CH5连接到驱动电压线PL。栅电极G5可以由发射控制线ELj的一部分形成。
第六晶体管T6可以包括栅电极G6、第一电极S6和第二电极D6。第一电极S6可以与半导体层ACT中掺杂有杂质的源区对应，并且第二电极D6可以与半导体层ACT中掺杂有杂质的漏区对应。栅电极G6可以与沟道区重叠。第二电极D6可以经由通孔VH电连接到有机发光二极管OLED的阳极。栅电极G6可以由发射控制线ELj的一部分形成。
第七晶体管T7可以包括栅电极G7、第一电极S7和第二电极D7。第一电极S7可以与半导体层ACT中掺杂有杂质的源区对应，并且第二电极D7可以与半导体层ACT中掺杂有杂质的漏区对应。栅电极G7可以与沟道区重叠。第一电极S7可以连接到第六晶体管T6的第二电极D6。此外，第一电极S7可以经由通孔VH电连接到有机发光二极管OLED的阳极。第二电极D7可以经由第六接触孔CH6连接到随后的行(即，偶数行)中的初始化电压线VLj+1。
连接到第一接触孔CH1的连接线CNL可以将电容器Cst的第一电极Cst1连接到第三晶体管T3的第二电极D3和第四晶体管T4的第二电极D4。电容器Cst的第一电极Cst1也可以用作第一晶体管T1的栅电极G1。电容器Cst的第二电极Cst2可以经由第七接触孔CH7和第八接触孔CH8连接到驱动电压线PL，并且可以接收来自驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD。
电容器Cst的第一电极Cst1可以与相邻像素隔开，并且具有四边形形状。电容器Cst的第一电极Cst1可以用与第一扫描线GILj、第二扫描线GWLj、发射控制线ELj以及第一晶体管T1至第七晶体管T7的栅电极G1至G7相同的材料形成在相同的水平面(相同的层)上。
电容器Cst的第二电极Cst2可以连接到在第二方向DR2上相邻排列的像素的第二电极Cst2，即，连接到同一行中的像素的第二电极Cst2。电容器Cst的第二电极Cst2可以与第一电极Cst1重叠使得第一电极Cst1被完全覆盖，并且可以与第一晶体管T1垂直重叠。为了产生由于第一晶体管T1的弯曲的半导体层而减小的电容器Cst的区域，电容器Cst可以与第一晶体管T1的半导体层ACT重叠，并且因此，即使在高分辨率状态下也可以产生电容。
第一数据线DL1可以沿第一方向DR1延伸，并且可以被布置在像素PX的左侧上。第二数据线DL2可以沿第一方向DR1延伸，并且可以被布置在像素PX的右侧上。第一数据线DL1可以连接到第j行中的像素PX的第二晶体管T2，并且第二数据线DL2可以连接到从第j行中的像素PX位于第一方向DR1上的第(j+1)行中的像素的第二晶体管T2。
连接线CNL可以被布置在第一数据线DL1与第二数据线DL2之间。连接线CNL可以沿第一方向DR1延伸。连接线CNL可以将第一晶体管T1连接到第三晶体管T3和第四晶体管T4。具体地，连接线CNL可以将第一晶体管T1的栅电极G1连接到第三晶体管T3的第二电极D3和第四晶体管T4的第二电极D4。连接线CNL可以用与第一数据线DL1和第二数据线DL2相同的材料形成在相同的水平面(相同的层)上。
初始化电压线VLj可以沿第二方向DR2延伸，并且可以位于第一扫描线GILj附近。初始化电压线VLj可以经由第四接触孔CH4电连接到第四晶体管T4的第一电极S4。初始化电压线VLj可以用与电容器Cst的第二电极Cst2相同的材料形成在相同的水平面(相同的层)上。
图6是示出沿线I-I'截取的图5中的像素的截面图。
参考图5和图6，缓冲层101可以被布置在基板SUB上，并且第一晶体管T1至第七晶体管T7中的每个的半导体层ACT可以被布置在缓冲层101上。图6示出了第二晶体管T2的第二电极D2和第三晶体管T3的第一电极S3。
第一绝缘层102可以被布置在半导体层ACT上。第一绝缘层102可以用作栅绝缘层。第一绝缘层102可以被形成为单个无机绝缘层或多个无机绝缘层。包括即第一扫描线GILj、第二扫描线GWLj、第三扫描线GBLj和发射控制线ELj的信号线，第一晶体管T1至第七晶体管T7的栅电极G1至G7，以及电容器Cst的第一电极Cst1可以被布置在第一绝缘层102上。
第二绝缘层103可以被布置在信号线、栅电极G1至G7以及第一电极Cst1上。第二绝缘层103可以被形成为单个无机绝缘层或多个无机绝缘层。初始化电压线VLj和VLj+1以及电容器Cst的第二电极Cst2可以被布置在第二绝缘层103上。
第三绝缘层104可以被布置在初始化电压线VLj和VLj+1以及第二电极Cst2上。第三绝缘层104可以被形成为单个无机绝缘层或多个无机绝缘层。第一数据线DL1、第二数据线DL2和连接线CNL可以被布置在第三绝缘层104上。
第四绝缘层105可以被布置在第一数据线DL1、第二数据线DL2和连接线CNL上。第四绝缘层105可以被形成为单个有机绝缘层或多个有机绝缘层。驱动电压线PL可以被布置在第四绝缘层105上。驱动电压线PL可以朝向第一数据线DL1与连接线CNL之间延伸，并且可以将第一数据线DL1和连接线CNL彼此屏蔽。因此，驱动电压线PL可以防止第一数据线DL1与连接线CNL之间的串扰。
沟槽TCH可以被限定在第一数据线DL1与连接线CNL之间的第四绝缘层105中。沟槽TCH可以暴露第三绝缘层104的上表面的一部分。在示例性实施例中，沟槽TCH在如图5所示的平面图中可以具有多边形形状。例如，沟槽TCH在平面图中可以具有被第四绝缘层105的侧壁围绕的诸如四边形等的平面形状。
驱动电压线PL可以延伸到沟槽TCH中。例如，布置在第四绝缘层105上的驱动电压线PL可以沿沟槽TCH的侧壁和第三绝缘层104的上表面延伸到沟槽TCH中。因此，驱动电压线PL的一部分可以位于第一数据线DL1与连接线CNL之间，并且驱动电压线PL可以将第一数据线DL1和连接线CNL彼此屏蔽。
在图5和图6的示例性实施例中，沟槽TCH被限定在第一数据线DL1与连接线CNL之间的第四绝缘层105中，并且驱动电压线PL在第一数据线DL1与连接线CNL之间延伸。然而，本发明构思并不限于此，沟槽TCH可以被限定在第二数据线DL2与连接线CNL之间的第四绝缘层105中，并且驱动电压线PL可以在第二数据线DL2与连接线CNL之间延伸。在此情形下，驱动电压线PL可以将第二数据线DL2和连接线CNL彼此屏蔽。
第五绝缘层106可以被布置在驱动电压线PL上。第五绝缘层106可以被形成为单个有机绝缘层或多个有机绝缘层。有机发光二极管可以被布置在第五绝缘层106上。
图7是示出根据另一示例性实施例的像素的平面图。图8是示出沿线II-II'截取的图7中的像素的截面图。
在下面的具体实施方式中可以省略根据参考图7和图8的示例性实施例的像素PX的与根据参考图5和图6的示例性实施例的像素PX的元件基本上相同或相似的元件。
参考图7和图8，第四绝缘层105可以被布置在第一数据线DL1、第二数据线DL2和连接线CNL上。第四绝缘层105可以被形成为单个有机绝缘层或多个有机绝缘层。驱动电压线PL可以被布置在第四绝缘层105上。驱动电压线PL可以朝向第一数据线DL1与连接线CNL之间以及朝向第二数据线DL2与连接线CNL之间延伸，并且可以将第一数据线DL1、连接线CNL和第二数据线DL2彼此屏蔽。因此，驱动电压线PL可以防止第一数据线DL1与连接线CNL之间的串扰以及第二数据线DL2与连接线CNL之间的串扰。
第一沟槽TCH1可以被限定在第一数据线DL1与连接线CNL之间的第四绝缘层105中，并且第二沟槽TCH2可以被限定在第二数据线DL2与连接线CNL之间的第四绝缘层105中。第一沟槽TCH1和第二沟槽TCH2中的每个可以暴露第三绝缘层104的上表面的一部分。在示例性实施例中，第一沟槽TCH1和第二沟槽TCH2在如图7所示的平面图中可以具有多边形形状。例如，第一沟槽TCH1和第二沟槽TCH2在平面图中可以具有被第四绝缘层105的侧壁围绕的诸如四边形等的平面形状。
驱动电压线PL可以延伸到第一沟槽TCH1和第二沟槽TCH2中。例如，布置在第四绝缘层105上的驱动电压线PL可以沿第一沟槽TCH1的侧壁和第三绝缘层104的上表面延伸到第一沟槽TCH1中，并且可以沿第二沟槽TCH2的侧壁和第三绝缘层104的上表面延伸到第二沟槽TCH2中。因此，驱动电压线PL的一部分可以位于第一数据线DL1与连接线CNL之间，并且驱动电压线PL的另一部分可以位于第二数据线DL2与连接线CNL之间。因此，驱动电压线PL可以将第一数据线DL1、连接线CNL和第二数据线DL2彼此屏蔽。
根据本发明构思的显示设备可以应用于包含在计算机、笔记本电脑、移动电话、智能电话、智能平板、PMP、PDA、MP3播放器等中的显示设备。
根据本发明构思的显示设备可以包括在第一数据线与连接线之间和/或在第二数据线与连接线之间延伸的驱动电压线。因此，第一数据线与连接线之间和/或第二数据线与连接线之间的串扰可以被最小化。
尽管本文已经描述了特定示例性实施例，但是其它实施例和修改将从该描述中显而易见。因此，本发明构思不局限于这样的实施例，而是受限于随附权利要求的更广范围以及各种明显的修改和等价布置，如对本领域普通技术人员来说将是显而易见的那样。

Claims (10)

1.一种显示设备，包括：
沿第一方向延伸的第一数据线和第二数据线；
连接到所述第一数据线的第一晶体管；
连接到所述第一晶体管的第二晶体管；
电连接到所述第二晶体管的第三晶体管；
布置在所述第一数据线与所述第二数据线之间的连接线，所述连接线将所述第二晶体管连接到所述第三晶体管；以及
布置在所述连接线上的驱动电压线，所述驱动电压线在所述第一数据线与所述连接线之间延伸。
2.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：布置在所述连接线与所述驱动电压线之间的绝缘层，沟槽被限定在所述第一数据线与所述连接线之间的所述绝缘层中，
其中所述驱动电压线延伸到所述沟槽中。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述驱动电压线在所述第二数据线与所述连接线之间延伸。
4.根据权利要求3所述的显示设备，进一步包括：布置在所述连接线与所述驱动电压线之间的绝缘层，第一沟槽被限定在所述第一数据线与所述连接线之间的所述绝缘层中，并且第二沟槽被限定在所述第二数据线与所述连接线之间的所述绝缘层中，
其中所述驱动电压线延伸到所述第一沟槽中，并且延伸到所述第二沟槽中。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一数据线、所述第二数据线和所述连接线被布置在相同的层。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述连接线将所述第二晶体管的栅电极连接到所述第三晶体管的源区/漏区。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述连接线沿所述第一方向延伸。
8.一种显示设备，包括：
第一像素，包括多个晶体管；
从所述第一像素起布置在第一方向上的第二像素；
沿所述第一方向延伸并且连接到所述第一像素的第一数据线；
沿所述第一方向延伸并且连接到所述第二像素的第二数据线；
布置在所述第一数据线与所述第二数据线之间的连接线，所述连接线连接所述多个晶体管中的两个晶体管；以及
布置在所述连接线上的驱动电压线，所述驱动电压线在所述第一数据线与所述连接线之间延伸。
9.根据权利要求8所述的显示设备，进一步包括：布置在所述连接线与所述驱动电压线之间的绝缘层，沟槽被限定在所述第一数据线与所述连接线之间的所述绝缘层中，
其中所述驱动电压线延伸到所述沟槽中。
10.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述驱动电压线在所述第二数据线与所述连接线之间延伸，
其中所述显示设备进一步包括布置在所述连接线与所述驱动电压线之间的绝缘层，第一沟槽被限定在所述第一数据线与所述连接线之间的所述绝缘层中，并且第二沟槽被限定在所述第二数据线与所述连接线之间的所述绝缘层中，并且
其中所述驱动电压线延伸到所述第一沟槽中，并且延伸到所述第二沟槽中。
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