CN110364120A - 用施加于发光装置的数据电压的tft像素阈值电压补偿电路 - Google Patents

用施加于发光装置的数据电压的tft像素阈值电压补偿电路 Download PDF

Info

Publication number
CN110364120A
CN110364120A CN201910222119.6A CN201910222119A CN110364120A CN 110364120 A CN110364120 A CN 110364120A CN 201910222119 A CN201910222119 A CN 201910222119A CN 110364120 A CN110364120 A CN 110364120A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transistor
voltage
light emitting
driving transistor
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910222119.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110364120B (zh
Inventor
陆彤
M·J·布朗洛
T·M·斯米顿
上田直树
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN110364120A publication Critical patent/CN110364120A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110364120B publication Critical patent/CN110364120B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3266—Details of drivers for scan electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3275—Details of drivers for data electrodes
    • G09G3/3291—Details of drivers for data electrodes in which the data driver supplies a variable data voltage for setting the current through, or the voltage across, the light-emitting elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0852—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0251—Precharge or discharge of pixel before applying new pixel voltage
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0262—The addressing of the pixel, in a display other than an active matrix LCD, involving the control of two or more scan electrodes or two or more data electrodes, e.g. pixel voltage dependent on signals of two data electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
    • G09G2310/066—Waveforms comprising a gently increasing or decreasing portion, e.g. ramp
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0238—Improving the black level
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing

Abstract

一种显示装置用像素电路包括：驱动晶体管，根据施加到其栅极的电压来控制到发光装置的电流量；第二晶体管，连接到驱动晶体管栅极和第二端子，当处于导通状态时，使驱动晶体管变为二极管连接，使其栅极和第二端子经第二晶体管连接；发光装置，在第一节点连接到驱动晶体管第三端子并在第二节点连接到第一电压源；第三晶体管，连接到第一节点，将数据电压连接到第一节点；第四晶体管，连接在第二端子与第二电压源间；和至少一个电容器，具有连接到驱动晶体管栅极的第一板和可连接到参考信号的第二板。像素电路可在发光阶段前的阶段操作，该阶段包括将使发光装置两端的电压低于发光装置阈值电压的数据电压施加到第一节点和驱动晶体管第三端子。

Description

用施加于发光装置的数据电压的TFT像素阈值电压补偿电路
技术领域
本发明涉及用于将电流递送到显示装置中的元件(例如有源矩阵OLED(AMOLED)显示装置的像素中的有机发光二极管(OLED))的电子电路的设计和操作。
背景技术
有机发光二极管(OLED)通过电子和空穴的复合来产生光，并且当在阳极与阴极之间施加偏置以使得电流在它们之间经过时发光。光的亮度与电流量相关。如果没有电流，则没有光发射，所以OLED技术是一种能够具有绝对黑色并在显示器应用中使用时实现像素之间的几乎“无限”对比度的技术。
在现有技术中教导了几种用于像素薄膜晶体管(TFT)电路通过驱动晶体管将电流递送到显示装置的元件(例如有机发光二极管(OLED))的方法。在一个示例中，诸如高“SCAN”信号的输入信号用于切换电路中的晶体管以允许数据电压VDAT在编程阶段期间存储在储能电容器中。当SCAN信号为低电平并通过开关晶体管关闭与电路隔离时，VDAT电压由电容器保持并且该电压被施加到驱动晶体管的栅极。在驱动晶体管具有阈值电压VTH的情况下，到OLED的电流量通过下式与驱动晶体管的栅极上的电压相关：
TFT装置特性(尤其是TFT阈值电压VTH)可以变化，例如由于制造过程或TFT装置在操作期间的应力和老化。在相同的VDAT电压下，由驱动TFT递送的电流量可能由于此类阈值电压变化而大量变化。因此，对于给定VDAT值，显示器中的像素可能不会表现出均匀的亮度。
常规上，因此，通过采用补偿驱动晶体管特性的不匹配的电路，OLED像素电路具有对驱动晶体管的阈值电压和/或载流子迁移率的变化的高容限范围。例如，在US 7414599(Chung等人，2008年8月19日发布)中描述了一种方法，其描述了一种电路，其中驱动TFT在编程周期期间被配置为二极管连接的装置，并且数据电压被施加到驱动晶体管的源极。
然而，在这种电路配置中，OLED的阳极在初始化和编程阶段期间不重置。相反，在OLED阳极处将存在残余电压。当发光开始并且发光电流在发光阶段期间流过OLED时，OLED将需要一些时间来刷新阳极处的数据电压。有关这种情况的第一个问题是它可能影响真正的黑色状态。如果先前帧数据电压对应白色灰度且当前帧数据电压对应黑色灰度，则由于发光阶段开始时的残余电压将会有一些光发射。真正的黑色状态将受到损害。第二个问题是来自先前帧数据的记忆效应。如果编程电流是低电流，则可能需要很长时间才会将阳极刷新到编程值。在刷新周期期间，光发射可能由于OLED的阳极处的先前残余数据而变化，这意味着相同的编程数据可能由于受先前帧数据影响而具有不同的光发射。
在US 8314788(Choi，2012年11月12日发布)中描述了另一种方法。在这种电路中，通过改变储能电容器的顶板处的电压电平来下拉驱动晶体管的二极管连接电压。这种配置和方法存在明显的缺点。首先，当下拉驱动晶体管的栅极电压时，二极管连接的驱动晶体管被正向偏置，并且可能存在到OLED的大瞬时电流。这可能导致高亮度光的情况，其将阻止像素具有真正的黑色状态。其次，OLED的阳极和驱动晶体管的栅极电压将保持来自先前帧的电压。由于没有初始化或重置方案，来自先前帧的电压可能会影响当前帧的编程电压。因此，在帧期间到OLED的电流可能受先前帧中的状态以及所施加的数据的影响。
用于解决以上问题的其他方法已经被证明是有缺陷的。US7936322(Chung等人，2011年5月3日发布)描述了通过重叠扫描和发光控制信号将晶体管数量减少到五个的方案。然而，这种方法可能在编程阶段期间引起泄漏电流，这可能影响低电流操作中的黑度。US 8237637(Chung，2012年8月7日发布)描述了通过在初始电压与阳极之间添加又一个晶体管来改善黑度并移除OLED阳极上的记忆效应的方案。然而，这种配置将电路中的晶体管数量增加到七个，这将降低产量并难以在需要小几何形状的高分辨率应用中实现。US9337439B2(Kwon，2016年5月10日发布)描述了通过使用先前数据来改善黑度的方案，但晶体管数量仍然很高，并且OLED的阳极处的残余电压仍然可能在低电流下引起一些漏光。US9489894B2(Yin等人)描述了使用ELVDD作为初始信号的方案，其将信号线减少一根。然而，该方法仍然具有与US 7414599相同的晶体管数量，并且在OLED的阳极处具有相同的残余记忆效应。
发明内容
本发明涉及能够用比常规配置更少的晶体管补偿驱动晶体管的阈值电压变化，以及附加地移除来自先前帧的与OLED装置和驱动晶体管相关联的可能的记忆效应的像素电路。因此，所描述的电路配置改善了像素发射非常少的光或不发射光的能力并因此具有真正的黑色状态。
用于向OLED递送电流的像素电路包括在编程阶段期间施加在OLED的端子处(诸如OLED的阳极处)的数据电压(VDAT)。VDAT指定OLED在后续发光阶段期间所需的电流，其对应于为编程阶段和发光阶段建立的帧的像素的亮度。
VDAT的电压范围是：
i)在所有情况下小于OLED装置的阈值电压(即，将致使大电流流过OLED或者来自OLED的显著光发射的施加到OLED的阳极的电压)；
或者
ii)低于在后续发光阶段期间将施加到OLED阳极并与由VDAT值指定的OLED的电流(或亮度)相对应的电压。
因此，在编程阶段期间将不会有来自OLED的光发射，或者在编程阶段期间来自OLED的亮度小于在后续发光阶段期间的指定亮度。因此，来自像素的最小亮度较低，并且真正暗度将得到改善。
当在编程阶段期间在OLED的阳极处施加VDAT时，OLED的端子处的电压被重置或初始化为VDAT。因此减少或消除了与OLED相关的记忆效应，由此减少或消除了来自先前帧的OLED阳极处的电压对当前帧期间的电路操作的影响。在其他实施例中，VDAT可以在编程阶段期间施加到OLED的阴极，具有用于减少或消除记忆效应的类似效果。
此外，在初始化阶段期间重置驱动晶体管的栅极处的电压。以此方式，也减少或消除了与驱动晶体管相关的记忆效应。
本发明的实施例具有优于常规配置的优点。例如，此类优点包括提供有效的阈值电压补偿、减小或消除记忆效应、真正的黑色改进与有效的数据编程。示例性实施例仅利用四个晶体管和少至一个电容器来进行上述功能。
本发明的一个方面是一种用于显示装置的像素电路，其可在初始化状态、组合编程和补偿阶段、以及发光阶段中操作。在示例性实施例中，所述像素电路包括：驱动晶体管，其被配置成取决于施加到所述驱动晶体管的栅极的电压来控制到发光装置的电流量；第二晶体管，其连接到所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的第二端子，使得当所述第二晶体管处于导通状态时，所述驱动晶体管变为二极管连接的，从而使得所述驱动晶体管的栅极和第二端子通过所述第二晶体管连接；发光装置，其在第一节点处连接到所述驱动晶体管的第三端子并在第二节点处连接到第一电压源；第三晶体管，其连接到所述发光装置的第一节点，所述第三晶体管将数据电压连接到所述发光装置的第一节点；第四晶体管，其连接在所述驱动晶体管的第二端子与第二电压源之间；以及至少一个电容器，其具有连接到所述驱动晶体管的栅极的第一板和可连接到参考信号的第二板。
本发明的另一个方面是一种操作像素电路的方法，通过所述方法，所述像素电路可在所述发光阶段之前的所述驱动晶体管二极管连接的阶段期间操作。所述发光阶段之前的所述阶段包括将数据电压施加到所述发光装置的第一节点和所述驱动晶体管的第三端子，所述数据电压被设置成使得所述发光装置两端的电压低于所述发光装置的阈值电压。所述操作方法可以包括：将参考信号施加到所述电容器的第二板，其中所述参考信号连接到参考电源；将所述参考信号改变到用于补偿所述驱动晶体管的阈值电压的变化的电平；以及在后续发光阶段期间，调整所述参考信号以将所述驱动晶体管的栅极电压改变为所述操作电压范围，其中所述驱动晶体管控制到所述发光装置的电流量。
所述操作方法可以包括执行初始化阶段，执行组合编程和补偿阶段；以及执行发光阶段。在示例性实施例中，每个阶段可以包括以下内容。在所述初始化阶段期间，通过执行以下步骤来减小来自先前帧的记忆效应：保持所述第四晶体管处于导通状态并保持所述第二和第三晶体管处于截止状态；输入所述参考信号，其中所述参考信号在所述初始化阶段期间被设置在对应于所述驱动晶体管处于截止状态的电平；将所述第二和第三晶体管从截止状态切换到导通状态，其中所述驱动晶体管变为通过所述第二晶体管来二极管连接的，并由此将所述驱动晶体管的栅极连接到所述第二电压源；以及将数据电压VDAT施加到所述发光装置的第一端子，VDAT被设置成使得所述发光装置两端的电压低于阈值电压。在所述组合编程和补偿阶段期间，通过以下步骤至少部分地被补偿所述驱动晶体管的电压阈值以及对数据进行编程：将所述第四晶体管置于截止状态；将所述参考信号改变到用于补偿所述驱动晶体管的阈值电压的变化的电平；以及将VDAT更新到用于当前像素的数据电压。在发光阶段期间，通过执行以下步骤来控制光输出：将所述第二和第三晶体管置于截止状态；调整所述参考信号以将所述驱动晶体管的栅极电压改变到所述操作电压范围，其中所述驱动晶体管控制到所述发光装置的电流量；将所述第四晶体管置于导通状态以将所述第二电源连接到所述驱动晶体管；以及取决于施加到驱动晶体管的栅极的电压来控制到所述发光装置的电流量。
为了实现前述和相关目的，本发明包括以下充分描述并且在权利要求中具体指出的特征。以下描述和附图详细阐述了本发明的某些说明性实施例。然而，这些实施例仅指示可以采用本发明原理的各种方式中的一些。当结合附图考虑时，本发明的其他目的、优点和新颖特征将通过以下对本发明的详细描述变得显而易见。
附图说明
图1是描绘根据本发明的实施例的第一电路配置的图示。
图2是与图1的电路配置相关联的时序图。
图3是描绘根据本发明的实施例的第二电路配置的图示。
图4是与图3的电路配置相关联的时序图。
图5是描绘根据本发明的实施例的第三电路配置的图示。
图6是与图5的电路配置相关联的时序图。
图7是描绘根据本发明的实施例的第四电路配置的图示。
图8是与图7的电路配置相关联的时序图。
图9是描绘根据本发明的实施例的第五电路配置的图示。
图10是与图9的电路配置相关联的时序图。
附图标记说明
10-第一电路配置
20-第二电路配置
30-第三电路配置
40-第四电路配置
50-第五电路配置
T1-T5-多个晶体管
OLED-有机发光二极管(或通常的发光装置)
Cst/Cst1-储能电容器
Coled-OLED的内部电容
N1-驱动晶体管处的节点
VDAT-数据电压
VDD-电源
ELVSS-电源
VREF-参考电压源
SCAN/EMI-控制信号
具体实施方式
现在将参考附图描述本发明的实施例，其中相同的附图标号始终用于指代相同的元件。应当理解，附图不一定按比例绘制。
图1是描绘根据本发明的实施例的第一电路配置10的图示，并且图2是与图1的电路配置相关联的时序图。在该示例中，电路10被配置为包括多个p型晶体管T1-T4和单个储能电容器Cst的TFT电路。电路元件驱动发光装置(例如OLED)。发光装置(OLED)具有相关联的内部电容，其在电路图中表示为Coled。此外，尽管主要结合作为发光装置的OLED描述了实施例，但类似原理可以与采用其他类型的发光装置的显示技术一起使用，包括例如微LED和量子点LED。
更具体地，图1描绘了配置有多个p-MOS或p型TFT的TFT电路10。T1是作为模拟TFT的驱动晶体管，并且T2-T4是数字开关TFT。在该示例性实施例中，作为优选实施例，T3是在源极与漏极之间具有低泄漏的双栅极TFT，但T3替代地可以是单栅极TFT。如上所述，Cst是电容器，并且Coled是OLED装置的内部电容(即，Coled不是单独部件，而是OLED固有的)。OLED如常规那样进一步连接到第一电源ELVSS。
可以使用本领域常规的TFT制造工艺来制造OLED和TFT电路10，包括晶体管、电容器和连接线。应当理解，可以采用类似的制造工艺来制造根据任何实施例的TFT电路。
例如，TFT电路10(和随后的实施例)可以设置在基板(诸如玻璃、塑料或金属基板)上。每个TFT可以包括栅电极、栅极绝缘层、半导电层、第一电极和第二电极。半导电层设置在基板上。栅极绝缘层设置在半导电层上，并且栅电极可以设置在绝缘层上。第一电极和第二电极可以设置在绝缘层上并使用导通孔来连接到半导电层。第一电极和第二电极分别通常可以称为TFT的“源电极”和“漏电极”。电容器可以包括第一电极、绝缘层和第二电极，由此绝缘层在第一电极与第二电极之间形成绝缘势垒。电路中的部件之间的布线以及用于将信号(例如，SCAN、EMI、VDATA、VREF)引入电路的布线可以包括金属线或掺杂半导体材料。例如，金属线可以设置在基板与TFT的栅电极之间，并且使用导通孔来连接到电极。可以通过化学气相沉积来沉积半导体层，并且可以通过热蒸发技术来沉积金属层。
OLED装置可以设置在TFT电路上。OLED装置可以包括：在该示例中连接到晶体管T1和T3的第一电极(例如OLED的阳极)、用于将电荷(例如空穴)注入或输运到发光层的一个或多个层、发光层、用于将电荷(例如电子)注入或输运到发光层的一个或多个层、以及在该示例中连接到第一电源ELVSS的第二电极(例如OLED的阴极)。注入层、输运层和发光层可以是有机材料，第一电极和第二电极可以是金属，并且所有这些层可以通过热蒸发技术来沉积。
结合图2中的时序图参考TFT电路10，TFT电路10操作以按三个阶段执行：初始化阶段、组合编程和补偿阶段、以及用于光发射的发光阶段。用于执行补偿和编程阶段的时间段在本领域中称为“水平时间(horizontal time)”或“1H”，如图2和后续时序图所示的。短的1H时间是对一列中具有大量像素的显示器的要求，这对于高分辨率显示器是必需的。在下面描述的某些实施例的时序图中对2H和3H的引用是指水平时间1H的倍数。
在该第一实施例中，在初始化阶段期间，EMI信号电平具有低电压值，因此晶体管T4导通。SCAN信号电平最初具有高电压值，因此晶体管T2和T3截止。如下面详细描述的，输入电压VREF可以被设置为三个不同值，在本文中称为第一值或高值、第二值或中值、以及第三值或低值，其指示VREF在不同使用阶段期间的相对电压。在图2的初始化阶段的开始时，VREF信号电平从中值变为高值。由于电容器(Cst)顶板在此时浮置，顶板(节点N1)(该节点是与驱动晶体管T1的栅极相同的节点)处的电压将被更高地提升从中到高的VREF电压改变量或ΔVREF_MH(MH指示中到高的差异)。VREF的这种改变被选择为足以截止通过驱动晶体管T1的电流。
接下来在初始化阶段期间，SCAN信号电平从高电压值变为低电压值，从而致使晶体管T2和T3导通。当晶体管T2导通时，储能电容器的顶板以及因此驱动晶体管的栅极(节点N1)通过晶体管T4连接到第二电源VDD。节点N1被初始化为电源电压VDD。因此，驱动晶体管T1通过晶体管T2来“二极管连接”。二极管连接是指驱动晶体管T1在其栅极和第二端子(例如，源极或漏极)连接的情况下操作，使得电流在一个方向上流动。因此，驱动晶体管T1最初通过上面提到的VREF改变来截止，并且然后当驱动晶体管的栅极处施加VDD时仍然截止，使得二极管连接的驱动晶体管被有效地反向偏置。因此，将没有电流通过驱动晶体管T1到达OLED。
一旦晶体管T3在初始化阶段期间导通，数据电压VDAT就施加在OLED装置的阳极处。优选地，VDAT电压范围(即VDAT的可能值)被设置成使得OLED两端的电压完全低于OLED的阈值电压，使得将不会有光发射，或者光发射可以忽略不计。如本文所定义的，OLED的阈值电压是OLED的阳极与阴极之间的最大电压差，针对其而言，OLED的输出亮度在电路的任何发光阶段期间小于OLED的最大亮度的1.0％，并且优选地小于0.1％。VDAT满足以下条件：被设置使得针对VDAT电压范围内的任何值，OLED两端的电压低于OLED阈值电压。在示例性实施例中，当第三晶体管处于导通状态时，通过OLED的电流小于100pA。该电流电平限制可适用于任何实施例。在初始化阶段期间，VDAT可以具有与显示器的同时处于编程阶段的另一个像素的VDAT相对应的值，所述值例如可以是显示器的相同列的相邻行中的像素的值，在图2中表示为DATA(n-1)。
TFT电路10接下来可在组合编程和补偿阶段中操作，在所述组合编程和补偿阶段期间补偿驱动晶体管T1的阈值电压并且对发光数据进行编程。针对这种阶段，EMI信号电平从低电压值变为高电压值，从而致使晶体管T4截止。因此，二极管连接的晶体管T1的源极和栅极以及电容器的顶板与电源VDD断开并变为浮置。VREF信号电平从高电压值变为低电压值，在本文中定义为改变ΔVREF。因此，电容器的顶板以及驱动晶体管的二极管连接的栅极和源极处的电压被下拉相同量ΔVREF。这种下拉首先被假定为真实的；如果存在显著的寄生电容，则电压的改变可能不完全等于ΔVREF，但通常寄生电容可忽略不计。
优选地，为了具有对驱动晶体管T1的有效电压阈值补偿，驱动晶体管的栅极处的电压应当满足以下条件：
VDAT-VN1＞|VTH|+ΔV，
其中VN1是驱动晶体管T1的栅极电压；VTH是驱动晶体管T1的阈值电压，并且ΔV是足够大以产生高初始电流以便在一个水平时间内对储能电容器充电的电压。ΔV的值将取决于晶体管的特性。例如，针对低温多晶硅薄膜晶体管工艺中的一种，ΔV至少为3伏。
数据电压VDAT从另一个像素的值(例如显示器的先前行DATA(n-1))变为当前像素(例如显示器的当前行)的数据值，在图2中表示为DATA(n)。因此，在晶体管T3导通的情况下，OLED阳极处的电压被刷新到VDAT。当驱动晶体管T1的二极管连接节点N1浮置并且节点N1处的初始电压是低电压时，节点N1处的电压将被上拉到电压VDAT+VTH。在组合编程和补偿阶段的结束时，SCAN信号电平从低电压值变为高电压值，从而致使晶体管T2和T3截止。当T2截止时，驱动晶体管T1的第二端子和栅极断开，并且节点N1变为浮置。电压VDAT+VTH存储在储能电容器Cst的顶板处。在T3截止的情况下，VDAT与OLED的阳极断开。
接下来，TFT电路10可在发光阶段中操作，在所述发光阶段期间OLED能够发射光。VREF电压从低电压值变回中值。由于电容器Cst的顶板是浮置的，顶板处的电压将升高与VREF相同的量，即ΔVREF_ML(ML表示低到中差异)。通过该电压改变，驱动晶体管的栅极电压被调整到以下操作电压范围：
VDAT+VTH+ΔVREF_ML
操作范围是驱动晶体管的栅极电压范围，驱动晶体管可以通过所述栅极电压范围来控制到发光装置的电流量，即从像素电路的最低电流到最高电流。例如，在一些应用中，电流范围是10pA至100nA。
然后，EMI信号电平从高值变为低值，从而致使晶体管T4导通。驱动晶体管的源极连接到电源VDD，并且驱动晶体管的栅极电压是VDAT+VTH+VREF_ML。到OLED装置的电流约为：
其中
Cox是驱动晶体管栅极氧化物的电容；
W是驱动晶体管沟道的宽度；
L是驱动晶体管沟道的长度(即源极与漏极之间的距离)；
μn是驱动晶体管的载流子迁移率；
因此，到OLED的电流不取决于驱动晶体管T1的阈值电压，并且因此到OLED装置的电流IOLED不受驱动晶体管的阈值电压变化的影响。以此方式，已经补偿了驱动晶体管的阈值电压的变化。然后可以将VDAT设置为下一个像素的数据值，在图2中表示为DATA(n+1)。
图3是描绘根据本发明的实施例的第二电路配置20的图示，并且图4是与图3的电路配置相关联的时序图。在该示例中，与先前实施例类似，电路20被配置为包括多个p型晶体管(T1-T4)的TFT电路。在该实施例中，存在两个储能电容器Cst和Cst1。电路元件驱动发光装置(例如OLED)。发光装置(OLED)具有相关联的内部电容，其在电路图中表示为Coled。与先前的实施例类似，T1是作为模拟TFT的驱动晶体管，并且T2-T4是数字开关TFT。在该示例性实施例中，作为优选实施例，T3是双栅极TFT，但T3替代地可以是单栅极TFT。Coled是OLED装置的内部电容(即，Coled不是单独部件，而是OLED固有的)。OLED进一步连接到第一电源ELVSS。
通常，该实施例具有用于装置中的其他行像素的类似控制信号EMI和SCAN，由此在显示器配置中实现更少的控制信号线。对于该示例以及在随后的实施例中，显示器像素通过行和列来寻址。当前行是行n。先前行是行n-1，并且第二先前行是n-2。下一行是行n+1。因此，SCAN(n)是指行n处的扫描信号，并且SCAN(n+1)是指行n+1处的扫描信号等。EMI(n)是指行n处的发光信号，并且EMI(n-2)是指行n-2处的发光信号等。以此方式，对于各种实施例，输入信号对应于所指示的行。附加地，在图3的实施例中，没有专用的VREF信号，这与先前实施例相比可以简化驱动器设计。相反，利用两个储能电容器来实现多个电压电平，如以下详细描述的，其中EMI和SCAN信号用作参考电压电源。任选的替代方案是使用对储能电容器的两个参考电压信号输入来代替EMI(n-2)和SCAN(n+1)信号，例如VREF1和VREF2。因此，在该实施例中，使用两个电容器进行操作以便仅使用两个输入来产生三个电压电平，并且消除单独的逻辑信号。该效果与设置有多个参考电压的效果相同，从而提供了简单且有效的配置。
结合图4中的时序图参考TFT电路20，TFT电路20也操作以按三个阶段执行：初始化阶段、组合编程和补偿阶段、以及用于光发射的发光阶段。在初始化阶段期间，EMI(n-2)信号电平从低电压值变为高电压值。该电压改变表示为ΔVLOGIC。当电容器Cst和Cst1的顶板处的N1浮置时，驱动晶体管T1的栅极处的电压被提升同样，这首先也是真实的；如果存在显著的寄生电容，则电压的改变可能不完全等于但优选寄生电容可忽略不计。
然后在初始化阶段期间，SCAN(n)信号电平从高电压值变为低电压值，从而致使晶体管T2和T3导通。当晶体管T2导通时，储能电容器的顶板(节点N1)(该节点是与节点晶体管T1的栅极相同的节点)通过晶体管T4连接到第二电源VDD，并且电压被初始化为电源VDD。驱动晶体管T1也通过晶体管T2来二极管连接。利用这种配置，将从驱动晶体管T1和储能电容器Cst和Cst1中移除来自先前帧的任何记忆效应。在晶体管T3导通的情况下，VDAT连接到OLED的阳极。如在先前实施例中那样，VDAT电压范围应当满足以下条件：不超过OLED的阈值电压，使得将不会有光发射，或者光发射可以忽略不计。
TFT电路20接下来可在组合编程和补偿阶段中操作，在所述组合编程和补偿阶段期间补偿驱动晶体管T1的阈值电压并且对发光数据进行编程。在这种阶段期间，EMI(n)信号电平从低电压值变为高电压值，从而致使晶体管T4截止。节点N1与电源VDD断开，并且N1变为浮置。然后，VDAT信号电平从先前行数据变为当前行数据。然后，SCAN(n+1)信号电平从高电压值变为低电压值。该电压改变表示为ΔVLOGIC。由于电容器Cst1的顶板是浮置的，顶板(即与驱动晶体管T1的栅极相同的节点)处的电压被下拉
然后，EMI(n-2)信号电平从高电压值变为低电压值。类似地，驱动晶体管的栅极被下拉驱动晶体管T1的栅极处的总电压降将为ΔVLOGIC。优选地，为了具有有效电压阈值补偿，驱动晶体管T1的栅极处的电压应当满足以下条件：
VDAT-VN1＞|VTH|+ΔV
其中VN1是驱动晶体管T1的栅极电压；VTH是驱动晶体管T1的阈值电压；并且ΔV是足够大以产生高初始电流以便在一个水平时间内对储能电容器充电的电压。如上所述，ΔV的值将取决于晶体管的特性。例如，针对低温多晶硅薄膜晶体管工艺中的一种，ΔV至少为3伏。
当驱动晶体管T1的二极管连接节点N1浮置并且节点N1处的初始电压是低电压时，节点N1处的电压将被上拉到电压VDAT+VTH。在该阶段的结束时，SCAN(n)信号电平从低电压值变为高电压值，从而致使晶体管T2和T3截止。VDAT与OLED的阳极断开，并且驱动晶体管T1不再是二极管连接的。电压VDAT+VTH存储在电容器Cst和Cst1的顶板处。
接下来，TFT电路20可在发光阶段中操作，在所述发光阶段期间OLED能够发射光。在这种阶段期间，SCAN(n+1)信号电平从低电压值变为高电压值。由于电容器Cst1的顶板是浮置的，驱动晶体管的栅极被提升以达到操作电压范围。然后，EMI(n)信号电平从高电压值变为低电压值，从而致使晶体管T4导通。驱动晶体管的源极连接到电源VDD。驱动晶体管的栅极电压为到OLED装置的电流为：
如在先前实施例中那样，到OLED的电流不取决于驱动晶体管T1的阈值电压，并且因此到OLED装置的电流IOLED不受驱动晶体管的阈值电压变化的影响。以此方式，已经补偿了驱动晶体管的阈值电压的变化。然后可以将VDAT设置为下一个像素的数据值，在图4中表示为DATA(n+1)。
图5是描绘根据本发明的实施例的第三电路配置30的图示，并且图6是与图5的电路配置相关联的时序图。在该示例中，与先前实施例类似，电路30被配置为包括多个晶体管的TFT电路，所述晶体管在该实施例中是n型晶体管(T1-T5)，并且Cst是电容器。电路元件驱动发光装置(例如OLED)。发光装置(OLED)具有相关联的内部电容，其在电路图中表示为Coled。T1是作为模拟TFT的驱动晶体管，并且T2-T5是数字开关TFT，其中T5在本实施例中是附加晶体管。Coled是OLED装置的内部电容(即，Coled不是单独部件，而是OLED固有的)。OLED进一步连接到第一电源ELVSS。
通常，该示例采用如上所述的n型TFT。如下面进一步详细描述的，与第一实施例相比，VREF电压仅具有两个电平，并且EMI和SCAN信号不重叠。相反，使用又一个初始化晶体管(即，晶体管的总数为5)。
结合图6中的时序图参考TFT电路30，TFT电路30也操作以按三个阶段执行：初始化阶段、组合编程和补偿阶段、以及用于光发射的发光阶段。在初始化阶段期间，EMI(n)信号电平从高电压值变为低电压值，从而致使晶体管T4截止。驱动晶体管T1的漏极(节点N2)与第二电源VDD断开。SCAN(n-1)信号电平从低电压值变为高电压值，从而致使晶体管T5导通。储能电容器Cst的顶板(节点N1)(该节点与驱动晶体管T1的栅极相同的节点)连接到电源VDD，并且N1处的电压初始化为电源VDD。以此方式，将从驱动晶体管T1和储能电容器Cst中移除来自先前帧的任何记忆效应。然后，在SCAN(n-1)处于高电压值的周期期间，VREF从高电压值变为低电压值。在初始化阶段的结束时，SCAN(n-1)信号电平从高电压值变为低电压值，从而致使晶体管T5截止。因此节点N1与电源VDD断开。
TFT电路30接下来可在组合编程和补偿阶段中操作，在所述组合编程和补偿阶段期间补偿驱动晶体管T1的阈值电压并且对发光数据进行编程。在这种阶段期间，SCAN(n)信号电平从低电压值变为高电压值，从而致使晶体管T3和T2导通。节点N1与节点N2连接，使得驱动晶体管T1通过晶体管T2来二极管连接。当晶体管T3导通时，数据电压VDAT被施加在OLED的阳极处，并且VDAT从先前行数据变为当前行数据。由此刷新OLED阳极处的电压。由于VDAT再次小于发光所需的阳极电压，因此将不会有光发射或者光灰度小于编程的光发射灰度，并因此可忽略不计。因此，在OLED阳极处施加的VDAT电压将不会劣化真正的黑度。当驱动晶体管的二极管连接节点N1-N2浮置时，该节点N2-N1处的初始电压是正电源电压，其远高于驱动晶体管T1的阈值电压和VDAT电压。节点N2-N1处的电压将在该阶段的结束时下降到电压VDAT+VTH。
同样在该阶段的结束时，SCAN(n)信号电平从高电压值变为低电压值，从而致使晶体管T3和T2截止。节点N2和N1变为断开的，并且驱动晶体管T1不再是二极管连接的。当晶体管T3截止时，OLED的阳极与VDAT断开。然后VREF从低变为高。位于驱动晶体管T1的栅极处的节点N1被提升VREF电压电平改变ΔVREF。电压VDAT+VTH+ΔVREF存储在电容器Cst的顶板处。
接下来，TFT电路30可在发光阶段中操作，在所述发光阶段期间OLED能够发射光。在这阶段期间，EMI(n)信号从低电压值变为高电压值，从而致使晶体管T4导通。驱动晶体管的漏极连接到电源VDD。驱动晶体管T1的栅极电压为VDAT+VTH+ΔVREF。到OLED装置的电流为：
如在先前实施例中那样，到OLED的电流不取决于驱动晶体管T1的阈值电压，并且因此到OLED装置的电流IOLED不受驱动晶体管的阈值电压变化的影响。以此方式，已经补偿了驱动晶体管的阈值电压的变化。然后可以将VDAT设置为下一个像素的数据值。
图7是描绘根据本发明的实施例的第四电路配置40的图示，并且图8是与图7的电路配置相关联的时序图。图7的实施例与图1的实施例类似地操作，不同之处在于OLED以“反转(inverted)”配置连接，OLED经由所述反转配置通过阴极连接到像素电路。该实施例还采用n型TFT，并且编程电流不取决于OLED两端的电压。
在该示例中，与先前实施例类似，电路40被配置为包括多个晶体管(T1-T4)和储能电容器Cst的TFT电路。电路元件驱动发光装置(例如OLED)。发光装置(OLED)具有相关联的内部电容，其在电路图中表示为Coled。与先前的实施例类似，T1是作为模拟TFT的驱动晶体管，并且T2-T4是数字开关TFT。Coled是OLED装置的内部电容(即，Coled不是单独部件，而是OLED固有的)。利用反转配置，OLED进一步连接到OLED阳极处的第二电源VDD。
结合图8中的时序图参考TFT电路40，TFT电路40也操作以按三个阶段执行：初始化阶段、组合编程和补偿阶段、以及用于光发射的发光阶段。在初始化阶段期间，EMI信号电平具有高电压值，因此晶体管T4导通。SCAN信号电平具有低电压值，因此晶体管T2和T3截止。VREF信号电平从中值变为低值。由于电容器Cst顶板是浮置的，因此顶板，即节点N1(该节点是与驱动晶体管T1的栅极相同的节点)处的电压将被下拉VREF电压改变量ΔVREF_ML，这截止通过驱动晶体管T1的电流。
接下来，SCAN信号电平从低电压值变为高电压值，从而致使晶体管T2和T3导通。当晶体管T2导通时，储能电容器的顶板以及驱动晶体管的栅极(节点N1)通过晶体管T4连接到第一电源ELVSS。节点N1被初始化为电源电压ELVSS。因此，驱动晶体管T1被二极管连接并截止以进行初始化，并且将没有电流通过驱动晶体管T1到达OLED。一旦晶体管T3导通，数据电压VDAT就施加在OLED装置的阴极处。优选地，VDD-VDAT电压范围(即，基于VDAT可具有的可能值)满足以下条件：OLED两端的电压保持低于OLED的阈值电压，使得将不会有光发射，或者光发射可以忽略不计。
TFT电路40接下来可在组合编程和补偿阶段中操作，在所述组合编程和补偿阶段期间补偿驱动晶体管T1的阈值电压并且对发光数据进行编程。在这种阶段期间，EMI信号电平从高电压值变为低电压值，从而致使晶体管T4截止。二极管连接的晶体管T1的源极和栅极以及电容器的顶板与电源ELVSS断开并变为浮置。VREF信号电平从低电压值变为高电压值，表示为改变ΔVREF。因此，电容器的顶板以及驱动晶体管的二极管连接的栅极和第二端子处的电压被提升相同量ΔVREF(再次假设寄生电容可忽略不计)。为了具有有效阈值补偿，驱动晶体管的栅极处的电压应当满足以下条件：
VNl-VDAT＞|VTH|+ΔV，
其中VN1是驱动晶体管T1的栅极电压；VTH是驱动晶体管T1的阈值电压；并且ΔV是足够大以产生高初始电流以便在一个水平时间内对储能电容器充电的电压。如以上所引用的，ΔV的值将取决于晶体管的特性。例如，针对低温多晶硅薄膜晶体管工艺中的一种，ΔV至少为3伏。
然后，数据电压VDAT从先前行数据的值变为当前行数据的值。因此，OLED阴极处的电压被刷新到VDAT。当驱动晶体管T1的二极管连接节点N1浮置并且节点N1处的初始电压是高电压时，节点N1处的电压将被下拉到电压VDAT+VTH。在该阶段的结束时，SCAN信号电平从高电压值变为低电压值，从而致使晶体管T2和T3截止。当T2截止时，驱动晶体管T1的源极和栅极断开，并且节点N1变为浮置。电压VDAT+VTH存储在电容器Cst的顶板处。在T3截止的情况下，VDAT与OLED的阴极断开。
接下来，TFT电路40可在发光阶段中操作，在所述发光阶段期间OLED能够发射光。在这种阶段期间，VREF电压从高电压值变为中值。由于电容器Cst的顶板是浮置的，顶板处的电压将下降与VREF相同的量，即ΔVREF_MH。通过该电压改变，驱动晶体管的栅极电压被调整到操作电压范围。
VDAT+VTH-ΔVREF_MH
然后，EMI信号电平从低电压值变为高电压值，从而致使晶体管T4导通。驱动晶体管的源极连接到电源ELVSS。驱动晶体管的栅极电压为VDAT+VTH-ΔVREF_MH。到OLED装置的电流约为：
其中
Cox是驱动晶体管栅极氧化物的电容；
W是驱动晶体管沟道的宽度；
L是驱动晶体管沟道的长度(即源极与漏极之间的距离)；
μn是晶体管的载流子迁移率；
如在先前实施例中那样，到OLED的电流不取决于驱动晶体管T1的阈值电压，并且因此到OLED装置的电流IOLED不受驱动晶体管的阈值电压变化的影响。以此方式，已经补偿了驱动晶体管的阈值电压的变化。然后可以将VDAT设置为下一个像素的数据值。
图9是描绘根据本发明的实施例的第五电路配置50的图示，并且图10是与图9的电路配置相关联的时序图。图9的实施例与图3的实施例类似地操作，不同之处在于OLED以“反转”配置连接(如图7)，OLED经由所述反转配置通过阴极连接到像素电路。该实施例还采用n型TFT，并且编程电流不取决于OLED两端的电压。
在该示例中，与先前实施例类似，电路50被配置为包括多个晶体管(T1-T4)的TFT电路。在该实施例中，与图3的电路相比，存在两个电容器Cst和Cst1。电路元件驱动发光装置(例如OLED)。发光装置(OLED)具有相关联的内部电容，其在电路图中表示为Coled。与先前的实施例类似，T1是作为模拟TFT的驱动晶体管，并且T2-T4是数字开关TFT。Coled是OLED装置的内部电容(即，Coled不是单独部件，而是OLED固有的)。在反转配置中，OLED进一步在其阳极处连接到第二电源VDD。
与图3的实施例类似，该实施例具有用于装置中的其他行像素的类似控制信号EMI和SCAN，由此在显示器配置中实现更少的控制信号线。附加地，没有专用的VREF信号，这与先前实施例相比可以简化驱动器设计，并且相反有效地将EMI和SCAN信号用作参考电压信号。任选的替代方案是使用对电容器的两个参考电压信号输入来代替EMI(n-2)和SCAN(n+1)；例如VREF1和VREF2。因此，在该实施例中，使用两个电容器进行操作以便仅使用两个输入来产生三个电压电平，并且消除单独的逻辑信号。该效果与设置有多个参考电压的效果相同，从而提供了简单且有效的配置。
结合图10中的时序图参考TFT电路50，TFT电路50也操作以按三个阶段执行：初始化阶段、组合编程和补偿阶段、以及用于光发射的发光阶段。在初始化阶段期间，EMI(n-2)信号电平从高电压值变为低电压值。电压改变表示为ΔVLOGIC。由于电容器Cst的顶板是浮置的，顶板或驱动晶体管T1的栅极处的电压被下拉(再次首先假定是真实的，其中寄生电容可忽略不计)。然后SCAN(n)信号电平从低变为高，从而致使晶体管T2和T3导通。当晶体管T2导通时，在节点N1处(该节点是与驱动晶体管T1的栅极相同的节点)，储能电容器的顶板通过晶体管T4连接到第一电源ELVSS，并且电压被初始化为电源ELVSS。驱动晶体管T1也通过晶体管T2来二极管连接。将从驱动晶体管T1和储能电容器Cst和Cst1中移除来自先前帧的任何记忆效应。当晶体管T3导通时，VDAT连接到OLED的阴极。VDD-VDAT电压范围(即，基于VDAT可具有的可能值)满足以下条件：OLED两端的电压保持低于OLED的阈值电压，使得将不会有光发射，或者光发射可以忽略不计。
TFT电路50接下来可在组合编程和补偿阶段中操作，在所述组合编程和补偿阶段期间补偿驱动晶体管T1的阈值电压并且对发光数据进行编程。在这种阶段期间，EMI(n)信号电平从高电压值变为低电压值，从而致使晶体管T4截止。节点N1与电源ELVSS断开，并且N1变为浮置。然后，VDAT信号电平从先前行数据变为当前行数据。然后，SCAN(n+1)信号电平从低电压值变为高电压值。该电压改变表示为ΔVLOGIC。由于电容器Cst1的顶板是浮置的，顶板(其为与驱动晶体管T1的栅极相同的节点)处的电压被提升然后，EMI(n-2)信号电平从低值变为高值。类似地，驱动晶体管T1的栅极被提升驱动晶体管的栅极处的总电压改变将为ΔVLOGIC。
为了具有有效阈值补偿，驱动晶体管的栅极处的电压应当满足以下条件：
VN1-VDAT＞|VTH|+ΔV，
其中VN1是驱动晶体管T1的栅极电压；VTH是驱动晶体管T1的阈值电压；并且ΔV是足够大以产生高初始电流以便在一个水平时间内对储能电容器充电的电压。如先前所引用的，ΔV的值将取决于晶体管的特性。例如，针对低温多晶硅薄膜晶体管工艺中的一种，ΔV至少为3伏。当驱动晶体管的二极管连接节点N1浮置并且节点N1处的初始电压是高电压时，节点N1处的电压将被下拉到电压VDAT+VTH。在该阶段的结束时，SCAN(n)信号电平从高电压值变为低电压值，从而致使晶体管T2和T3截止。VDAT与OLED的阴极断开，并且驱动晶体管T1不再是二极管连接的。电压VDAT+VTH存储在电容器Cst和Cst1的顶板处。
接下来，TFT电路50可在发光阶段中操作，在所述发光阶段期间OLED能够发射光。在这种阶段期间，SCAN(n+1)信号电平从高电压值变为低电压值。由于电容器Cst1的顶板是浮置的，驱动晶体管的栅极被下拉以达到操作电压范围。然后，EMI(n)信号电平从低电压值变为高电压值，从而致使晶体管T4导通。驱动晶体管的源极连接到电源ELVSS。驱动晶体管的栅极电压为到OLED装置的电流为：
其中
Cox是驱动晶体管栅极氧化物的电容；
W是驱动晶体管沟道的宽度；
L是驱动晶体管沟道的长度(即源极与漏极之间的距离)；
μn是晶体管的载流子迁移率；
如在先前实施例中那样，到OLED的电流不取决于驱动晶体管T1的阈值电压，并且因此到OLED装置的电流IOLED不受驱动晶体管的阈值电压变化的影响。以此方式，已经补偿了驱动晶体管的阈值电压的变化。然后可以将VDAT设置为下一个像素的数据值。
所描述的像素电路具有优于常规配置的优点。此类电路配置能够用比常规配置更少的晶体管来补偿阈值电压变化，附加地移除了来自先前帧的与OLED装置和驱动晶体管相关联的可能记忆效应。因此，所描述的电路配置改善了像素发射非常少的光或不发射光的能力并因此具有真正的黑色状态。因此，优点包括提供有效的阈值电压补偿、减小或消除记忆效应、以及真正的黑色改进与有效的数据编程。
已经结合作为显示器发光装置的OLED描述了各种实施例。然而，电路配置不限于任何特定的显示技术。例如，电路配置还可以用于微LED显示器、量子点LED显示器、或响应于施加的电偏置而发射光的任何其他装置。例如，微LED是包括p型区域、n型区域和光发射区域的半导体装置，例如在基板上形成并分成单独的芯片。微LED可以基于III族氮化物半导体。例如，量子点LED是包含空穴输运层、电子输运层和光发射区域的装置，其中光发射区域包含纳米晶量子点。本文描述的电路配置可以用于任何此类显示技术。
本发明的一个方面是一种用于显示装置的像素电路，其可在初始化状态、组合编程和补偿阶段、以及发光阶段中操作。在示例性实施例中，所述像素电路包括：驱动晶体管，其被配置成取决于施加到所述驱动晶体管的栅极的电压来控制到发光装置的电流量；第二晶体管，其连接到所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的第二端子，使得当所述第二晶体管处于导通状态时，所述驱动晶体管变为二极管连接的，从而使得所述驱动晶体管的栅极和第二端子通过所述第二晶体管连接；发光装置，其在第一节点处连接到所述驱动晶体管的第三端子并在第二节点处连接到第一电压源；第三晶体管，其连接到所述发光装置的第一节点，所述第三晶体管将数据电压连接到所述发光装置的第一节点；第四晶体管，其连接在所述驱动晶体管的第二端子与第二电压源之间；以及至少一个电容器，其具有连接到所述驱动晶体管的栅极的第一板和可连接到参考信号的第二板。所述像素电路可以包括以下特征中的一个或多个(单独地或组合地)。
在所述像素电路的示例性实施例中，所述至少一个电容器包括多个电容器，其各自具有连接到所述驱动晶体管的栅极的第一板和可连接到相应参考信号的第二板。
在所述像素电路的示例性实施例中，所述第一至第四晶体管是p型晶体管。在所述像素电路的示例性实施例中，所述发光装置的第一节点是阳极并且所述发光装置的第二节点是阴极。
在所述像素电路的示例性实施例中，所述第一至第四晶体管是n型晶体管。在所述像素电路的示例性实施例中，所述像素电路还包括连接在所述第二晶体管与所述第二电压源之间的第五晶体管。
在所述像素电路的示例性实施例中，所述发光装置的第一节点是阴极并且所述发光装置的第二节点是阳极。
在所述像素电路的示例性实施例中，所述发光装置是有机发光二极管、微发光二极管(LED)或量子点LED。
本发明的另一个方面是一种操作像素电路的方法，通过所述方法，所述像素电路可在所述发光阶段之前的阶段期间操作，在所述期间所述驱动晶体管是二极管连接的。所述发光阶段之前的所述阶段包括将数据电压施加到所述发光装置的第一节点和所述驱动晶体管的第三端子，所述数据电压被设置成使得所述发光装置两端的电压低于所述发光装置的阈值电压。所述操作方法可以包括以下特征中的一个或多个(单独地或组合地)。
所述操作方法可以包括：将参考信号施加到所述电容器的第二板，其中所述参考信号连接到参考电源；将所述参考信号改变到用于补偿所述驱动晶体管的阈值电压的变化的电平；以及在后续发光阶段期间，调整所述参考信号以将所述驱动晶体管的栅极电压改变为所述操作电压范围，其中所述驱动晶体管控制到所述发光装置的电流量。所述操作方法可以包括执行初始化阶段，执行组合编程和补偿阶段；以及执行发光阶段。在示例性实施例中，每个阶段可以包括以下内容。在所述初始化阶段期间，通过执行以下步骤来减小来自先前帧的记忆效应：保持所述第四晶体管处于导通状态并保持所述第二和第三晶体管处于截止状态；输入所述参考信号，其中所述参考信号在所述初始化阶段期间被设置在对应于所述驱动晶体管处于截止状态的电平；将所述第二和第三晶体管从截止状态切换到导通状态，其中所述驱动晶体管变为通过所述第二晶体管来二极管连接的，并由此将所述驱动晶体管的栅极连接到所述第二电压源；以及将数据电压VDAT施加到所述发光装置的第一端子，VDAT被设置成使得所述发光装置两端的电压低于阈值电压。在所述组合编程和补偿阶段期间，通过以下步骤至少部分地被补偿所述驱动晶体管的电压阈值以及对数据进行编程：将所述第四晶体管置于截止状态；将所述参考信号改变到用于补偿所述驱动晶体管的阈值电压的变化的电平；以及将VDAT更新到用于当前像素的数据电压。在发光阶段期间，通过执行以下步骤来控制光输出：将所述第二和第三晶体管置于截止状态；调整所述参考信号以将所述驱动晶体管的栅极电压改变到所述操作电压范围，其中所述驱动晶体管控制到所述发光装置的电流量；将所述第四晶体管置于导通状态以将所述第二电源连接到所述驱动晶体管；以及取决于施加到驱动晶体管的栅极的电压来控制到所述发光装置的电流量。
在所述操作方法的示例性实施例中，所述发光装置的阈值电压是所述OLED的阳极与阴极之间的最大电压差，针对其而言，所述OLED的输出亮度在任何发光阶段期间小于所述OLED的最大亮度的1.0％。
在所述操作方法的示例性实施例中，所述至少一个电容器包括连接到作为所述参考信号的多电平参考电压VREF的单个电容器。
在所述操作方法的示例性实施例中，所述至少一个电容器包括第一电容器和第二电容器，其各自具有连接到所述驱动晶体管的栅极的第一板和连接到相应参考信号的第二板。
在所述操作方法的示例性实施例中，所述第一电容器的第二板连接到SCAN信号并且所述第二电容器的第二板连接到EMI信号，所述SCAN信号和EMI信号作为所述参考信号。
在所述操作方法的示例性实施例中，所述数据电压被施加到所述发光装置的阳极。
在所述操作方法的示例性实施例中，所述数据电压被施加到所述发光装置的阴极。
在所述操作方法的示例性实施例中，所述像素电路还包括连接在所述第二晶体管与所述第二电压源之间的第五晶体管，并且所述第五晶体管导通以将所述电容器的顶板连接到所述第二电压源。
在所述操作方法的示例性实施例中，所述发光装置是有机发光二极管、微发光二极管(LED)或量子点LED中的一个。
尽管已经相对于一个或多个特定实施例示出并描述了本发明，但显然的是，本领域的其他技术人员在阅读和理解本说明书和附图后将会想到等同的改变和修改。具体地关于由上述元件(部件、组件、装置、组合物等)执行的各种功能，除非另有说明，否则用于描述此类元件的术语(包括对“装置”的引用)旨在与执行所述元件的特定功能的任何元件相对应(即，功能上等同的)，即使在结构上不等同于在本文所示的本发明的一个或多个示例性实施例中执行该功能的公开结构。另外，虽然可能已经相对于若干所示实施例中的仅一个或多个描述了本发明的一个特定特征，但这种特征可以与其他实施例的一个或多个其他特征进行组合，这对于任何指定或特定应用来说可能同样是期望的和有利的。
工业实用性
本发明的实施例适用于许多显示装置以允许具有有效阈值电压和真正黑色性能的高分辨率显示装置。此类装置的示例包括电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、平板和膝上型计算机、台式监视器、数码相机以及期望高分辨率显示器的类似装置。

Claims (20)

1.一种用于显示装置的像素电路，所述像素电路包括：
驱动晶体管，其被配置成取决于施加到所述驱动晶体管的栅极的电压来控制到发光装置的电流量；
第二晶体管，其连接到所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的第二端子，使得当所述第二晶体管处于导通状态时，所述驱动晶体管变为二极管连接的，从而使得所述驱动晶体管的栅极和第二端子通过所述第二晶体管连接；
发光装置，其在第一节点处连接到所述驱动晶体管的第三端子并在第二节点处连接到第一电压源；
第三晶体管，其连接到所述发光装置的第一节点，所述第三晶体管将数据电压连接到所述发光装置的第一节点；
第四晶体管，其连接在所述驱动晶体管的第二端子与第二电压源之间；以及
至少一个电容器，其具有连接到所述驱动晶体管的栅极的第一板和可连接到参考信号的第二板。
2.根据权利要求1所述的像素电路，其中所述至少一个电容器包括多个电容器，其各自具有连接到所述驱动晶体管的栅极的第一板和可连接到相应参考信号的第二板。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的像素电路，其中所述第一至第四晶体管是p型晶体管。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的像素电路，其中所述发光装置的第一节点是阳极并且所述发光装置的第二节点是阴极。
5.根据权利要求1-2中任一项所述的像素电路，其中所述第一至第四晶体管是n型晶体管。
6.根据权利要求5所述的像素电路，其还包括连接在所述第二晶体管与所述第二电压源之间的第五晶体管。
7.根据权利要求5所述的像素电路，其中所述发光装置的第一节点是阴极并且所述发光装置的第二节点是阳极。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的像素电路，其中所述发光装置是有机发光二极管、微发光二极管(LED)或量子点LED中的一个。
9.一种操作用于显示装置的像素电路的方法，所述方法包括以下步骤：
提供像素电路，所述像素电路包括：
驱动晶体管，其被配置成取决于施加到所述驱动晶体管的栅极的电压来控制到发光装置的电流量；以及
发光装置，其在第一节点处连接到所述驱动晶体管的第三端子并在第二节点处连接到第一电压源；以及
在发光阶段之前的阶段期间，所述驱动晶体管是二极管连接的，并且所述发光阶段之前的所述阶段包括将数据电压施加到所述发光装置的第一节点和所述驱动晶体管的第三端子，所述数据电压被设置成使得所述发光装置两端的电压低于所述发光装置的阈值电压。
10.根据权利要求9所述的操作方法，其还包括：
将参考信号施加到所述电容器的第二板，其中所述参考信号连接到参考电源；以及
将所述参考信号改变到用于补偿所述驱动晶体管的阈值电压的变化的电平。
11.根据权利要求10所述的操作方法，其还包括：在后续发光阶段期间，调整所述参考信号以将所述驱动晶体管的栅极电压改变到所述操作电压范围，其中所述驱动晶体管控制到所述发光装置的电流量。
12.根据权利要求9-11中任一项所述的操作方法，其中所述发光装置的阈值电压是OLED的阳极与阴极之间的最大电压差，针对其而言，所述OLED的输出亮度在任何发光阶段期间小于所述OLED的最大亮度的1.0％。
13.根据权利要求9-12中任一项所述的操作方法，其中所述像素电路可在初始化阶段、组合编程和补偿阶段以及所述发光阶段中操作；
其中所述像素电路还包括：
第二晶体管，其连接到所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的第二端子，使得当所述第二晶体管处于导通状态时，所述驱动晶体管变为二极管连接的，从而使得所述驱动晶体管的栅极和第二端子通过所述第二晶体管连接；
第三晶体管，其连接到所述发光装置的第一节点，所述第三晶体管将数据电压连接到所述发光装置的第一节点；
第四晶体管，其连接在所述驱动晶体管的第二端子与第二电压源之间；以及
至少一个电容器，其具有连接到所述驱动晶体管的栅极的第一板和可连接到参考信号的第二板；
所述操作方法包括以下步骤：
在所述初始化阶段期间，通过执行以下步骤来减小来自先前帧的记忆效应：
保持所述第四晶体管处于导通状态并保持所述第二和第三晶体管处于截止状态；
输入所述参考信号，其中所述参考信号在所述初始化阶段期间被设置在对应于所述驱动晶体管处于截止状态的电平；
将所述第二和第三晶体管从截止状态切换到导通状态，其中所述驱动晶体管变为通过所述第二晶体管来二极管连接的，由此将所述驱动晶体管的栅极连接到所述第二电压源；以及
将数据电压VDAT施加到所述发光装置的第一端子，VDAT被设置成使得所述发光装置两端的电压低于阈值电压；
在所述组合编程和补偿阶段期间，通过以下步骤来至少部分地补偿所述驱动晶体管的阈值电压：
将所述第四晶体管置于截止状态；
将所述参考信号改变到用于补偿所述驱动晶体管的阈值电压的变化的电平；以及
将VDAT更新到用于当前像素的数据电压；
以及在所述发光阶段期间，执行以下步骤：
将所述第二和第三晶体管置于截止状态；
调整所述参考信号以将所述驱动晶体管的栅极电压改变到所述操作电压范围，其中所述驱动晶体管控制到所述发光装置的电流量；
将所述第四晶体管置于导通状态以将所述第二电源连接到所述驱动晶体管；以及
取决于施加到驱动晶体管的栅极的电压来控制到所述发光装置的电流量。
14.根据权利要求13所述的操作方法，其中所述至少一个电容器包括连接到作为所述参考信号的多电平参考电压VREF的单个电容器。
15.根据权利要求13-14中任一项所述的操作方法，其中所述至少一个电容器包括第一电容器和第二电容器，其各自具有连接到所述驱动晶体管的栅极的第一板和连接到相应参考信号的第二板。
16.根据权利要求15所述的操作方法，其中所述第一电容器的第二板连接到SCAN信号并且所述第二电容器的第二板连接到EMI信号，所述SCAN信号和EMI信号作为所述参考信号，其中所述SCAN信号和所述EMI信号也用于在另一个像素电路中使晶体管在导通状态与截止状态之间切换。
17.根据权利要求9-16中任一项所述的操作方法，其中所述数据电压被施加到所述发光装置的阳极。
18.根据权利要求9-17中任一项所述的操作方法，其中所述数据电压被施加到所述发光装置的阴极。
19.根据权利要求9-18中任一项所述的操作方法，其中所述像素电路还包括连接在所述第二晶体管与所述第二电压源之间的第五晶体管，并且所述第五晶体管导通以将所述电容器的顶板连接到所述第二电压源。
20.根据权利要求9-19中任一项所述的操作方法，其中所述发光装置是有机发光二极管、微发光二极管(LED)或量子点LED中的一个。
CN201910222119.6A 2018-03-26 2019-03-22 用施加于发光装置的数据电压的tft像素阈值电压补偿电路 Active CN110364120B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/935,123 US10475391B2 (en) 2018-03-26 2018-03-26 TFT pixel threshold voltage compensation circuit with data voltage applied at light-emitting device
US15/935,123 2018-03-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110364120A true CN110364120A (zh) 2019-10-22
CN110364120B CN110364120B (zh) 2022-04-22

Family

ID=67985328

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910222119.6A Active CN110364120B (zh) 2018-03-26 2019-03-22 用施加于发光装置的数据电压的tft像素阈值电压补偿电路

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10475391B2 (zh)
CN (1) CN110364120B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111028780A (zh) * 2019-12-03 2020-04-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Amoled的像素补偿电路
CN111383600A (zh) * 2020-04-28 2020-07-07 厦门天马微电子有限公司 像素驱动电路、驱动方法、显示面板及显示装置
CN111540311A (zh) * 2019-11-25 2020-08-14 友达光电股份有限公司 发光二极管装置及其控制方法
CN114627815A (zh) * 2020-12-10 2022-06-14 夏普株式会社 具有源极跟随器的tft像素阈值电压补偿电路
CN116092415A (zh) * 2021-11-05 2023-05-09 乐金显示有限公司 具有像素驱动电路的电致发光显示装置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108806609B (zh) * 2018-06-15 2020-03-31 京东方科技集团股份有限公司 一种数据处理方法及其装置、介质
TWI690915B (zh) * 2019-01-29 2020-04-11 友達光電股份有限公司 畫素電路
US10714008B1 (en) * 2019-06-03 2020-07-14 Sharp Kabushiki Kaisha TFT pixel threshold voltage compensation circuit
US10885843B1 (en) * 2020-01-13 2021-01-05 Sharp Kabushiki Kaisha TFT pixel threshold voltage compensation circuit with a source follower
TWI717996B (zh) * 2020-02-11 2021-02-01 友達光電股份有限公司 畫素驅動電路
US11189225B1 (en) * 2020-09-23 2021-11-30 Sharp Kabushiki Kaisha Pixel circuit with reduced sensitivity to threshold variations of the diode connecting switch
US11322087B1 (en) * 2021-04-22 2022-05-03 Sharp Kabushiki Kaisha Pixel circuit with threshold voltage compensation
CN114694580B (zh) * 2022-03-31 2023-07-04 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及其驱动方法、显示装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120306843A1 (en) * 2011-06-01 2012-12-06 Wintek Corporation Pixel circuit
CN103366672A (zh) * 2012-04-10 2013-10-23 东莞万士达液晶显示器有限公司 发光元件驱动电路及像素电路
US20140049180A1 (en) * 2012-08-17 2014-02-20 Lg Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Diode Display and Method of Driving the Same
CN103700338A (zh) * 2012-09-27 2014-04-02 乐金显示有限公司 像素电路及其驱动方法及采用该电路的有机发光显示装置
CN104050923A (zh) * 2014-04-08 2014-09-17 友达光电股份有限公司 像素电路及采用此像素电路的显示设备
US20160351121A1 (en) * 2015-05-28 2016-12-01 Lg Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Diode Display
CN106910458A (zh) * 2015-12-22 2017-06-30 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其驱动方法和其子像素
CN107358915A (zh) * 2017-08-11 2017-11-17 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种像素电路、其驱动方法、显示面板及显示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100560780B1 (ko) 2003-07-07 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치의 화소회로 및 그의 구동방법
KR100812037B1 (ko) 2006-12-19 2008-03-10 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치
KR100833753B1 (ko) 2006-12-21 2008-05-30 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 구동방법
KR100939211B1 (ko) * 2008-02-22 2010-01-28 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치와 그 구동방법
KR101040816B1 (ko) 2009-02-27 2011-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR20140096862A (ko) 2013-01-29 2014-08-06 삼성디스플레이 주식회사 화소, 이를 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 구동 방법
CN103500556B (zh) 2013-10-09 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及其驱动方法、薄膜晶体管背板
CN104157239A (zh) * 2014-07-21 2014-11-19 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、像素电路的驱动方法和显示装置
CN104409043B (zh) * 2014-12-05 2016-08-24 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路和像素驱动方法、显示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120306843A1 (en) * 2011-06-01 2012-12-06 Wintek Corporation Pixel circuit
CN103366672A (zh) * 2012-04-10 2013-10-23 东莞万士达液晶显示器有限公司 发光元件驱动电路及像素电路
US20140049180A1 (en) * 2012-08-17 2014-02-20 Lg Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Diode Display and Method of Driving the Same
CN103700338A (zh) * 2012-09-27 2014-04-02 乐金显示有限公司 像素电路及其驱动方法及采用该电路的有机发光显示装置
CN104050923A (zh) * 2014-04-08 2014-09-17 友达光电股份有限公司 像素电路及采用此像素电路的显示设备
US20160351121A1 (en) * 2015-05-28 2016-12-01 Lg Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Diode Display
CN106910458A (zh) * 2015-12-22 2017-06-30 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其驱动方法和其子像素
CN107358915A (zh) * 2017-08-11 2017-11-17 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种像素电路、其驱动方法、显示面板及显示装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111540311A (zh) * 2019-11-25 2020-08-14 友达光电股份有限公司 发光二极管装置及其控制方法
CN111028780A (zh) * 2019-12-03 2020-04-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Amoled的像素补偿电路
CN111383600A (zh) * 2020-04-28 2020-07-07 厦门天马微电子有限公司 像素驱动电路、驱动方法、显示面板及显示装置
CN111383600B (zh) * 2020-04-28 2022-04-19 厦门天马微电子有限公司 像素驱动电路、驱动方法、显示面板及显示装置
CN114627815A (zh) * 2020-12-10 2022-06-14 夏普株式会社 具有源极跟随器的tft像素阈值电压补偿电路
CN114627815B (zh) * 2020-12-10 2023-07-07 夏普株式会社 具有源极跟随器的tft像素阈值电压补偿电路
CN116092415A (zh) * 2021-11-05 2023-05-09 乐金显示有限公司 具有像素驱动电路的电致发光显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10475391B2 (en) 2019-11-12
CN110364120B (zh) 2022-04-22
US20190295473A1 (en) 2019-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110364120A (zh) 用施加于发光装置的数据电压的tft像素阈值电压补偿电路
CN110322841B (zh) 利用发光器件初始化的tft像素阈值电压补偿电路
CN106205490B (zh) 有机发光显示器
CN106960659B (zh) 显示面板、像素驱动电路及其驱动方法
CN102867840B (zh) 像素电路、显示器、电子装置和像素电路的驱动方法
CN101501748B (zh) 有源矩阵显示器的稳定驱动设计
CN102956193B (zh) 显示设备和电子装置
CN108257549A (zh) 电致发光显示器
CN107358915A (zh) 一种像素电路、其驱动方法、显示面板及显示装置
CN106448560A (zh) 有机发光显示面板及其驱动方法、有机发光显示装置
CN101572055B (zh) 显示装置和显示装置驱动方法
CN109147671A (zh) 发光元件
CN113112954B (zh) 具有源极跟随器的tft像素阈值电压补偿电路
CN103440842B (zh) 显示装置
US10714008B1 (en) TFT pixel threshold voltage compensation circuit
CN111951726B (zh) 像素电路及其操作方法
JP2008015451A (ja) 有機発光ダイオード表示素子及びその駆動方法
CN101615380A (zh) 显示装置、显示装置的驱动方法以及电子装置
CN107516488A (zh) 一种像素电路、其驱动方法、显示面板及显示装置
CN107342049A (zh) 显示面板和显示面板的驱动方法
WO2019064487A1 (ja) 表示装置およびその駆動方法
CN110100275A (zh) 像素阵列基板及其驱动方法、显示面板、显示装置
US10818230B1 (en) TFT pixel threshold voltage compensation circuit with short data programming time
CN110299108A (zh) 使用参考电流的用于显示装置的tft补偿电路
US11122660B2 (en) Electronic device and light emitting unit driving circuit thereof

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant