CN111540311A - 发光二极管装置及其控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光二极管装置及其控制方法。控制方法包括：由电压调整器于预重置阶段依据发光控制信号以及电压控制信号来拉低驱动晶体管的第二端的电压电位，以增大驱动晶体管的第一端与第二端之间的电压差值；由驱动晶体管的控制端于第一重置阶段接收重置电压而被重置；由驱动晶体管的控制端于补偿阶段被补偿至补偿电位；由驱动晶体管于发光阶段提供驱动电流以驱动发光二极管发光。

Description

发光二极管装置及其控制方法
技术领域
本发明是有关于一种发光二极管装置以及发光二极管装置的控制方法。
背景技术
随着显示技术的进步，发光二极管已经被广泛应用在显示科技中，而主动矩阵有机发光二极管(Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)即是显示技术的主要发展重点之一。
然而，在主动矩阵有机发光二极管操作在高速状态的情况下，当显示画面进行切换动作时，通常会发生动态模糊(motionblur)以及响应时间(response time)不足的显示状况，使得在画面切换的过程中会存在些许的残影，进而导致整体的显示质量将会受到影响。因此，如何有效的通过适当的控制方法以改善或减轻画面残影的显示状况，并且进一步的改善画面切换的响应时间，借以提升整体的显示质量，将是本领域相关技术人员重要的课题。
发明内容
本发明提供一种发光二极管装置以及发光二极管装置的控制方法，可以有效地改善画面动态模糊的状况以及画面切换的响应时间。
本发明的发光二极管装置的控制方法，包括：由电压调整器于预重置阶段依据发光控制信号以及电压控制信号来拉低驱动晶体管的第二端的电压电位，以增大驱动晶体管的第一端与第二端之间的电压差值；由驱动晶体管的控制端于第一重置阶段接收重置电压而被重置；由驱动晶体管的控制端于补偿阶段被补偿至补偿电位；由驱动晶体管于发光阶段提供驱动电流以驱动发光二极管发光。
本发明的发光二极管装置包括驱动晶体管、电压调整器以及发光二极管。驱动晶体管的第一端接收系统高电压。电压调整器耦接至驱动晶体管的第二端。发光二极管的第一端耦接至电压调整器，发光二极管的第二端接收系统低电压。电压调整器于预重置阶段依据发光控制信号以及电压控制信号来拉低驱动晶体管的第二端的电压电位，以增大驱动晶体管的第一端与第二端之间的电压差值。驱动晶体管的控制端于第一重置阶段接收重置电压而被重置。驱动晶体管的控制端于补偿阶段被补偿至补偿电位。驱动晶体管于发光阶段提供驱动电流以驱动发光二极管发光。
本发明的发光二极管装置的控制方法，包括：于重置阶段中，由电压调整器依据第一控制信号以拉低驱动晶体管的第二端的电压电位，以增大驱动晶体管的第一端与第二端之间的电压差值；于数据写入阶段中，由电压产生器依据第一控制信号或第二控制信号以产生数据电压至驱动晶体管的控制端，以对驱动晶体管进行数据写入；于发光阶段中，由驱动晶体管提供驱动电流以驱动发光二极管发光。
本发明的发光二极管装置包括驱动晶体管、电压调整器、发光二极管以及电压产生器。驱动晶体管的第一端接收系统电压源。电压调整器耦接至驱动晶体管的第二端。发光二极管的第一端耦接至电压调整器，发光二极管的第二端接收系统低电压。电压产生器耦接至驱动晶体管的控制端与第一端。于重置阶段中，电压调整器依据第一控制信号以拉低驱动晶体管的第二端的电压电位，以增大驱动晶体管的第一端与第二端之间的电压差值。于数据写入阶段中，电压产生器依据第一控制信号或第二控制信号以产生数据电压至驱动晶体管的控制端，以对驱动晶体管进行数据写入。于发光阶段中，驱动晶体管提供驱动电流以驱动发光二极管发光。
基于上述，本发明的发光二极管装置可以在执行于第一重置阶段之前，加入预重置阶段的操作动作。在所述预重置阶段中，发光二极管装置可以通过电压调整器来预先拉低驱动晶体管的第二端(亦即漏极端)的电压电位，从而增大驱动晶体管的第一端(亦即源极端)与第二端之间的电压差值。如此一来。当发光二极管装置执行于发光阶段时，能够有效地增加驱动电流的电流大小，从而降低发光二极管装置发生动态残影的状况，并且改善发光二极管装置的响应时间，借以提升整体显示质量。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1是依据本发明一实施例所示出的发光二极管、电压调整器以及驱动晶体管的耦接示意图。
图2是依据本发明一实施例所示出的发光二极管装置的控制方法的流程图。
图3A至图3G是依据本发明一实施例所示出的发光二极管装置的控制示意图。
图4是对应于图3A至图3G的一实施例所示出的控制波形示意图。
图5是对应于图3A至图3G的另一实施例所示出的控制波形示意图。
图6是依据本发明另一实施例所示出的发光二极管、电压调整器、电压产生器以及驱动晶体管的耦接示意图。
图7是依据本发明另一实施例所示出的发光二极管装置的控制方法的流程图。
图8A至图8C是依据本发明图6所示的第一实施例所示出的发光二极管装置的控制示意图。
图9是对应于图8A至图8C的一实施例所示出的控制波形示意图。
图10A至图10C是依据本发明图6所示的第二实施例所示出的发光二极管装置的控制示意图。
图11是对应于图10A至图10C的一实施例所示出的控制波形示意图。
图12A至图12D是依据本发明图6所示的第三实施例所示出的发光二极管装置的控制示意图。
图13是对应于图12A至图12D的一实施例所示出的控制波形示意图。
附图标记
100、300、600、800、1000、1200：发光二极管装置
110、310、610、810、1010、1210：电压调整器
320、330、620、820、1020、1220：电压产生器
CS：电压控制信号
C：电容
EM：发光控制信号
ID：驱动电流
M1～M6：开关
OLED：发光二极管
OVDD：系统高电压
OVSS：系统低电压
PR：重置阶段
PDI：数据写入阶段
PSTOP：停止发光阶段
TE、PEM：发光阶段
TE1、TE2、TP1、TP2：子阶段
TP：预重置阶段
TRA：第一重置阶段
TRB：第二重置阶段
TC：补偿阶段
VSS：系统电压源
VIN：输入电压
VINI：重置电压
VDATA：数据电压
VREF、VREF1、VREF2：参考电压
S1～S3：控制信号
S210～S240、S710～S730：步骤
TD：驱动晶体管
t1：第一端
t2：第二端
t3：控制端
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：
在本说明书全文(包括权利要求书)中所使用的「耦接(或连接)」一词可指任何直接或间接的连接手段。举例而言，若文中描述第一装置耦接(或连接)于第二装置，则应该被解释成该第一装置可以直接连接于该第二装置，或者该第一装置可以通过其他装置或某种连接手段而间接地连接至该第二装置。另外，凡可能之处，在附图及实施方式中使用相同标号的元件/构件/步骤代表相同或类似部分。不同实施例中使用相同标号或使用相同用语的元件/构件/步骤可以相互参照相关说明。
图1是依据本发明一实施例所示出的发光二极管、电压调整器以及驱动晶体管的耦接示意图。请参照图1，在本实施例中，发光二极管装置100包括驱动晶体管TD、电压调整器110以及发光二极管OLED。驱动晶体管TD具有第一端t1(例如是源极端)、第二端t2(例如是漏极端)以及控制端t3(例如是栅极端)。驱动晶体管TD的第一端t1可以接收系统高电压OVDD。电压调整器110耦接至驱动晶体管TD的第二端t2。发光二极管OLED的第一端(例如是阳极端)耦接至电压调整器110，发光二极管OLED的第二端(例如是阴极端)接收系统低电压OVSS。
图2是依据本发明一实施例所示出的发光二极管装置的控制方法的流程图，请同时参照图1以及图2，在步骤S210中，当发光二极管装置100操作于一预重置阶段时，发光二极管装置100可以通过电压调整器110来依据发光控制信号EM以及电压控制信号CS以拉低驱动晶体管TD的第二端t2的电压电位。
举例来说，在所述预重置阶段中，本实施例的电压控制信号CS可以被设定为致能(例如是低电压电位)状态。在此情况下，电压调整器110可以依据具有低电压电位的电压控制信号CS来拉低驱动晶体管TD的第二端t2的电压电位，进而使得驱动晶体管TD的第一端t1以及第二端t2之间的电压差值可以被增大。
在步骤S220中，当发光二极管装置100操作于一第一重置阶段时，发光二极管装置100可以使用一重置电压来重置驱动晶体管TD的控制端t3。在步骤S230中，当发光二极管装置100操作于一补偿阶段时，发光二极管装置100可以使驱动晶体管TD的控制端t3被补偿至一补偿电位，以对晶体管TD的控制端t3的电压进行补偿。在步骤S240中，当发光二极管装置100操作于一发光阶段时，驱动晶体管TD可以提供驱动电流ID至驱动发光二极管OLED，以驱动发光二极管OLED发光。
值得一提的是，由于本实施例的电压调整器110于预重置阶段时预先拉低驱动晶体管TD的第二端t2的电压电位，以增大驱动晶体管TD的第一端t1以及第二端t2之间的电压差值，因此，在增大驱动晶体管TD的第一端t1以及第二端t2之间的电压差值的情况下，当发光二极管装置100操作于发光阶段时，驱动晶体管TD可以提供相对大的驱动电流ID以点亮发光二极管OLED。
换言之，本实施例的控制方法是在发光二极管装置100执行于所述第一重置阶段之前，加入所述预重置阶段的操作动作。在所述预重置阶段中，发光二极管装置100可以通过电压调整器110来预先拉低驱动晶体管TD的第二端t2的电压电位，从而增大驱动晶体管TD的第一端t1与第二端t2之间的电压差值。如此一来，在发光二极管装置100执行于所述发光阶段时，能够有效地增加驱动电流ID的电流大小，从而降低发光二极管装置100发生动态残影的状况，并且改善发光二极管装置100的响应时间，借以提升整体显示质量。
需注意到的是，在图2所示的控制方法中，本实施例的发光二极管装置100会依续执行步骤S210、S220、S230以及S240的操作动作，然在一些设计需求下，步骤S220的操作动作可以在步骤S210之前完成。也就是说，在一些设计需求下，所述预重置阶段(步骤S210)可以发生于所述第一重置阶段(步骤S220)之后，所述补偿阶段(步骤S230)可以发生于所述预重置阶段之后，所述发光阶段(步骤S240)可以发生于所述补偿阶段之后。
此外，在另一些设计需求下，所述补偿阶段(步骤S230)以及所述发光阶段(步骤S240)之间还可以包括一第二重置阶段。在所述第二重置阶段中，发光二极管装置100可以再次执行步骤S210的操作动作，以使电压调整器110可以再次拉低驱动晶体管TD的第二端t2的电压电位，并使得驱动晶体管TD的第一端t1以及第二端t2的电压差值可以进一步的被增大，从而使在所述发光阶段时，能够进一步提升驱动电流ID的电流大小。
图3A至图3G是依据本发明一实施例所示出的发光二极管装置的控制示意图。在本实施例中，发光二极管装置300包括驱动晶体管TD、电压调整器310、第一电压产生器320、第二电压产生器330以及发光二极管OLED。
电压调整器310耦接于驱动晶体管TD的第二端以及发光二极管OLED的第一端。其中，电压调整器310包括开关M5以及开关M6。开关M5的第一端与控制端相互耦接，且共同接收电压控制信号CS，开关M5的第二端耦接至发光二极管OLED的第一端。开关M6的第一端耦接至发光二极管OLED的第一端，开关M6的第二端耦接至驱动晶体管TD的第二端，开关M6的控制端接收发光控制信号EM。
第一电压产生器320耦接于驱动晶体管TD的控制端以及电压调整器310之间。其中，第一电压产生器320包括开关M3以及开关M4。开关M3的第一端接收重置电压VINI，开关M3的控制端接收第一控制信号S1。开关M4的第一端耦接至开关M3的第二端以及晶体管M6的第二端，开关M4的第二端耦接至驱动晶体管TD的控制端，开关M4的控制端接收第二控制信号S2。
第二电压产生器330耦接至驱动晶体管TD的控制端。其中，第二电压产生器330包括开关M1、开关M2以及电容C。开关M1的第一端接收参考电压VREF，开关M1的第二端耦接至节点P1，开关M1的控制端接收发光控制信号EM。开关M2的第一端接收数据电压VDATA，开关M2的第二端耦接至节点P1，开关M2的控制端接收第二控制信号S2。电容C的第一端耦接至节点P1，电容C的第二端耦接至驱动晶体管TD的控制端。
在本实施例中，驱动晶体管TD以及开关M1～M6可分别是以晶体管来实施。其中，驱动晶体管TD以及开关M1～M6可分别为P型晶体管。此外，本实施例的发光二极管OLED可以例如是有机发光二极管或是其他种类的电激发光元件，发光二极管的数量可以是一个或是多个，其数量未特别的限制。
值得一提的是，本实施例的开关M5可以依据二极管组态(Diode Connection)的连接方式来形成一个二极管。其中，所述二极管的阴极端(亦即开关M5的第一端以及控制端)可以接收电压控制信号CS，所述二极管的阳极端(亦即开关M5的第二端)可以耦接至发光二极管OLED的第一端。
图4是对应于图3A至图3G的一实施例所示出的控制波形示意图。请参照图4，控制波形示意图可以区分为预重置阶段TP、第一重置阶段TRA、补偿阶段TC以及发光阶段TE等四个阶段。并且，预重置阶段TP、第一重置阶段TRA、补偿阶段TC以及发光阶段TE彼此不相互重叠。其中，第一重置阶段TRA位于(或发生于)预重置阶段TP之后，补偿阶段TC位于(或发生于)第一重置阶段TRA之后，发光阶段TE位于(或发生于)补偿阶段TC之后。
需注意到的是，为了方便示意，在图3A至图3G断开的开关以打叉示意，而导通的开关以未打叉来示意。
关于发光二极管装置300在一实施例的操作细节，请同时参照图3A以及图4。详细来说，当发光二极管装置300操作于发光阶段TE的第一子阶段TE1时，第一控制信号S1、第二控制信号S2以及电压控制信号CS皆可被设定为禁能(例如为高电压电位)状态，且发光控制信号EM可被设定为致能(例如为低电压电位)状态，以使开关M2、M3、M4以及M5可以被断开，且开关M1、M6可以被导通。
在此情况下，第二电压产生器330可以通过开关M1以及电容C来将参考电压VREF所提供的电压耦合至驱动晶体管TD的控制端，以使驱动晶体管TD可以被导通。接着，驱动晶体管TD可以依据参考电压VREF所提供的电压而提供驱动电流ID至发光二极管OLED，以驱动发光二极管OLED进行发光动作。
请同时参照图3B以及图4，当发光二极管装置300操作于发光阶段TE的第二子阶段TE2时，第二控制信号S2以及电压控制信号CS皆可维持为禁能(例如为高电压电位)状态，且第一控制信号S1以及发光控制信号EM可被设定为致能(例如为低电压电位)状态，以使开关M2、M4以及M5可以被断开，且开关M1、M3以及M6可以被导通。
在此情况下，类似于图3A的操作动作，第二电压产生器330可以持续的通过开关M1以及电容C来将参考电压VREF所提供的电压耦合至驱动晶体管TD的控制端，以使驱动晶体管TD可以持续的提供驱动电流ID至发光二极管OLED，并点亮发光二极管OLED。
接着，请同时参照图3C以及图4，当发光二极管装置300操作于预重置阶段TP的第一子阶段TP1时，第一控制信号S1以及第二控制信号S2皆可被设定为禁能(例如为高电压电位)状态，且发光控制信号EM以及电压控制信号CS皆可被设定为致能(例如为低电压电位)状态，以使开关M2、M3以及M4可以被断开，且开关M1、M5以及M6可以被导通。
值得一提的是，在电压控制信号CS处于低电压电位的情况下，本实施例的电压调整器310可以通过开关M5以及开关M6所形成的导通路经，并且依据具有低电压电位的电压控制信号CS来将驱动晶体管TD的第二端的电压电位进行下拉动作，以使驱动晶体管TD的第一端与第二端之间的电压差值得以增加。
请同时参照图3D以及图4，当发光二极管装置300操作于预重置阶段TP的第二子阶段TP2时，发光控制信号EM、第一控制信号S1以及第二控制信号S2皆可被设定为禁能(例如为高电压电位)状态，且电压控制信号CS可被设定为致能(例如为低电压电位)状态，以使开关M1、M3、M4以及M6可以被断开，且开关M2以及M5可以被导通。
在开关M2处于导通状态的情况下，本实施例的第二电压产生器330可以通过开关M2以及电容C来将数据电压VDATA所提供的电压耦合至驱动晶体管TD的控制端。值得一提的是，由于本实施例的数据电压VDATA的电压电位可以低于参考电压VREF的电压电位，因此，当发光二极管装置300通过数据电压VDATA所提供的电压以驱动晶体管TD的控制端的电压电位时，本实施例可以进一步扩大驱动晶体管TD的控制端与第一端之间的电压差值。藉此，可以使驱动晶体管TD的控制端的电压能够更接近开启驱动晶体管TD的通道所需的电压，或预先略为开启驱动晶体管TD的通道。
接着，请同时参照图3E以及图4，当发光二极管装置300操作于第一重置阶段TRA时，发光控制信号EM以及电压控制信号CS皆可被设定为禁能(例如为高电压电位)状态，且第一控制信号S1以及第二控制信号S2可被设定为致能(例如为低电压电位)状态，以使开关M1、M5以及M6可以被断开，且开关M2、M3以及M4可以被导通。
在此情况下，第一电压产生器320可以通过开关M3以及开关M4所形成的导通路径，将重置电压VINI提供至驱动晶体管TD的控制端，以对驱动晶体管TD的控制端进行重置动作。
请同时参照图3F以及图4，当发光二极管装置300操作于补偿阶段TC时，发光控制信号EM以及第一控制信号S1皆可被设定为禁能(例如为高电压电位)状态，且第二控制信号S2以及电压控制信号CS可被设定为致能(例如为低电压电位)状态，以使开关M1、M3、M5以及M6可以被断开，且开关M2以及M4可以被导通。
在此情况下，驱动晶体管TD的控制端的电压电位可以被补偿至补偿电位。其中，所述补偿电位的电压值可以为系统高电压OVDD的电压值与驱动晶体管TD的临界电压(threshold voltage)的电压值之间的差值。藉此，驱动晶体管TD的控制端的电压电位可以通过预重置阶段TP、第一重置阶段TRA以及补偿阶段TC的电路动作而得以被校正，进而改善驱动晶体管TD因制程差异而产生的元件特性误差，以及不同画面数据间转换的影响。
接着，请同时参照图3G以及图4，当发光二极管装置300操作于发光阶段TE时，第一控制信号S1、第二控制信号S2以及电压控制信号CS皆可被设定为禁能(例如为高电压电位)状态，且发光控制信号EM可被设定为致能(例如为低电压电位)状态，以使开关M2、M3、M4以及M5可以被断开，且开关M1以及M6可以被导通。
在此情况下，第一电压产生器330可以通过开关M1以及电容C来将参考电压VREF所提供的电压耦合至驱动晶体管TD的控制端，以使驱动晶体管TD可以被导通。此外，由于驱动晶体管TD的第一端以及第二端之间的电压差值在预重置阶段TP的第一子阶段TP1时已被增大，因此，当发光二极管装置300操作于发光阶段TE时，驱动晶体管TD可以提供相对大的驱动电流ID至发光二极管OLED，以驱动发光二极管OLED进行发光动作。
换言之，在提升了驱动电流ID的电流大小下，本实施例的发光二极管装置300可以有效地降低发光二极管装置300发生动态残影，并且改善发光二极管装置300的响应时间，借以提升显示质量。
特别一提的是，在图4所示出的控制波形示意图中，发光二极管装置300是依续操作于预重置阶段TP、第一重置阶段TRA、补偿阶段TC以及发光阶段TE。而在一些设计需求下(在一些实施例中)，发光二极管装置300可以先执行第一重置阶段TRA的操作动作之后，再执行预重置阶段TP的操作动作。换言之，在一些实施例中，预重置阶段TP可以位于第一重置阶段TRA之后，补偿阶段TC可以位于预重置阶段TP之后，发光阶段TE可以位于补偿阶段TC之后。
除此之外，在另一些设计需求下(在另一些实施例中)，控制波形示意图可以更包括第二重置阶段。在此请参照图5，图5是对应于图3A至图3G的另一实施例所示出的控制波形示意图。其中，图5实施例的第二重置阶段TRB可以介于补偿阶段TC的结束时间点以及发光阶段TE的开始时间点之间。也就是说，在另一些实施例中，第一重置阶段TRA可以位于预重置阶段TP之后，补偿阶段TC可以位于第一重置阶段TRA之后，第二重置阶段TRB可以位于补偿阶段TC之后，发光阶段TE可以位于第二重置阶段TRB之后。
进一步来说，请同时参照图3C以及图5，不同于图4实施例的是，在图5所示的实施例中，发光二极管装置300可以在执行完成补偿阶段TC的操作动作之后，接续执行第二重置阶段TRB的操作动作。特别一提的是，本实施例的第二重置阶段TRB的操作动作可以相同或相似于预重置阶段TP的第一子阶段TP1时的操作动作(对应于图3C的电路动作)，因此发光二极管装置300在第二重置阶段TRB中的电路动作可依据图3C以及图4所提及的电路动作的相关说明来类推，故不再赘述。
换言之，在图5所示的实施例中，发光二极管装置300的电压调整器310可以在第二重置阶段TRB中进一步的下拉驱动晶体管TD的第二端的电压电位，从而再次提升驱动电流ID的电流大小，并进一步的降低发光二极管装置300的动态残影状况。
图6是依据本发明另一实施例所示出的发光二极管、电压调整器、电压产生器以及驱动晶体管的耦接示意图。请参照图6，在本实施例中，发光二极管装置600包括驱动晶体管TD、电压调整器610、电压产生器620以及发光二极管OLED。驱动晶体管TD具有第一端t1(例如是源极端)、第二端t2(例如是漏极端)以及控制端t3(例如是栅极端)。驱动晶体管TD的第一端t1可以接收系统电压源VSS。其中，根据发光二极管装置600的操作状态，本实施例的系统电压源VSS可以切换为系统高电压OVDD或第二参考电压VREF2，其中系统高电压OVDD的电压值可以大于第二参考电压VREF2的电压值，但本发明并不限于此。
电压调整器610耦接至驱动晶体管TD的第二端t2。发光二极管OLED的第一端(例如是阳极端)耦接至电压调整器610，发光二极管OLED的第二端(例如是阴极端)接收系统低电压OVSS。电压产生器620耦接至驱动晶体管TD的控制端t3以及第一端t1。电压产生器620可以接收第一控制信号S1(或第二控制信号S2)以及输入电压VIN。其中，根据发光二极管装置600的操作状态，本实施例的输入电压VIN可以切换为第一参考电压VREF1或数据电压VDATA，其中数据电压VDATA的电压值可以大于第一参考电压VREF1的电压值，但本发明并不限于此。
图7是依据本发明另一实施例所示出的发光二极管装置的控制方法的流程图。请同时参照图6以及图7，在步骤S710中，当发光二极管装置600操作于一重置阶段时，电压调整器610可以依据第一控制信号S1以拉低驱动晶体管TD的第二端t2的电压电位，进而使得驱动晶体管TD的第一端t1以及第二端t2之间的电压差值可以被增大。
举例来说，在所述重置阶段中，本实施例的第一控制信号S1可以被设定为致能(例如是低电压电位)状态。在此情况下，电压调整器610可以依据具有低电压电位的第一控制信号S1来拉低驱动晶体管TD的第二端t2的电压电位，进而使得驱动晶体管TD的第一端t1以及第二端t2之间的电压差值可以被增大。
在步骤S720中，当发光二极管装置600操作于一数据写入阶段时，输入电压VIN可以为数据电压VDATA。在此情况下，电压产生器620可以依据第一控制信号S1或第二控制信号S2以产生数据电压VDATA至驱动晶体管TD的控制端t3，以对驱动晶体管TD进行数据写入的操作动作。在步骤S730中，当发光二极管装置600操作于一发光阶段时，驱动晶体管TD可以提供驱动电流ID至发光二极管OLED，以驱动发光二极管OLED发光。
值得一提的是，由于本实施例的电压调整器610于所述重置阶段时预先拉低驱动晶体管TD的第二端t2的电压电位，以增大驱动晶体管TD的第一端t1以及第二端t2之间的电压差值，因此，在增大驱动晶体管TD的第一端t1以及第二端t2之间的电压差值的情况下，当发光二极管装置100操作于所述发光阶段时，驱动晶体管TD可以提供相对大的驱动电流ID以点亮发光二极管OLED。藉此，本实施例可以通过增加驱动电流ID的电流大小，从而降低发光二极管装置600发生动态残影的状况，并且改善发光二极管装置600的响应时间，借以提升整体显示质量。
图8A至图8C是依据本发明图6所示的第一实施例所示出的发光二极管装置的控制示意图。在本实施例中，发光二极管装置800包括驱动晶体管TD、电压调整器810、电压产生器820以及发光二极管OLED。
电压调整器810包括开关M1。开关M1的第一端与控制端相互耦接，且共同接收第一控制信号S1，开关M1的第二端耦接至发光二极管OLED的第一端。电压产生器820包括开关M2以及电容C。开关M2的第一端接收输入电压VIN，开关M2的第二端耦接至驱动晶体管TD的控制端，开关M2的控制端接收第一控制信号S1。电容C的第一端耦接至驱动晶体管TD的第一端，电容C的第二端耦接至驱动晶体管TD的控制端。
值得一提的是，本实施例的开关M1可以依据二极管组态(Diode Connection)的连接方式来形成一个二极管。其中，所述二极管的阴极端(亦即开关M1的第一端以及控制端)可以接收第一控制信号S1，所述二极管的阳极端(亦即开关M1的第二端)可以耦接至发光二极管OLED的第一端。
图9是对应于图8A至图8C的一实施例所示出的控制波形示意图。请参照图9，控制波形示意图可以区分为重置阶段PR、数据写入阶段PDI以及发光阶段PEM等三个阶段。并且，重置阶段PR、数据写入阶段PDI以及发光阶段PEM彼此不相互重叠。其中，数据写入阶段PDI位于(或发生于)重置阶段PR之后，发光阶段PEM位于(或发生于)数据写入阶段PDI之后。
需注意到的是，为了方便示意，在图8A至图8C断开的开关以打叉示意，而导通的开关以未打叉来示意。
关于发光二极管装置800的操作细节，请同时参照图8A以及图9。详细来说，当发光二极管装置800操作于重置阶段PR时，第一控制信号S1可以被设定为致能(例如为低电压电位)状态，以使开关M1以及M2可以被导通。并且，在重置阶段PR中，本实施例的输入电压VIN可以为第一参考电压VREF1，并且系统电源电压VSS可以为第二参考电压VREF2。其中，第一参考电压VREF1的电压值可以大于第二参考电压VREF2的电压值。
进一步来说，在第一控制信号S1处于低电压电位的情况下，本实施例的电压调整器810可以通过开关M1所形成的导通路径，并且依据具有低电压电位的第一控制信号S1来将驱动晶体管TD的第二端的电压电位进行下拉动作，以使驱动晶体管TD的第一端与第二端之间的电压差值得以增加。
在此同时，电压产生器820亦可通过开关M2所形成的导通路径，将第一参考电压VREF1提供至驱动晶体管TD的控制端。值得一提的是，在重置阶段PR中，驱动晶体管TD的控制端与第一端之间的电压差值(亦即第一参考电压VREF1与第二参考电压VREF2之间的电压差值)可以大于驱动晶体管TD的临界电压的电压值。
换言之，在驱动晶体管TD的第一端(亦即源极端)与第二端(亦即漏极端)之间的电压差值被增大，并且驱动晶体管TD的控制端(亦即栅极端)与第一端之间的电压差值大于驱动晶体管TD的临界电压的电压值的情况下，驱动电流ID的电流大小可以相对的被提升。
请同时参照图8B以及图9，当发光二极管装置800操作于数据写入阶段PDI时，第一控制信号S1可以维持为致能(例如为低电压电位)状态，以使开关M1以及M2持续的被导通。并且，在数据写入阶段PDI中，本实施例的输入电压VIN可以为数据电压VDATA，并且系统电源电压VSS可以维持为第二参考电压VREF2。
在此情况下，电压产生器820可以通过开关M2所形成的导通路径，将数据电压VDATA提供至驱动晶体管TD的控制端，以对驱动晶体管TD进行数据写入的操作动作。
请同时参照图8C以及图9，当发光二极管装置800操作于发光阶段PEM时，第一控制信号S1可以被设定为禁能(例如为高电压电位)状态，以使开关M1以及M2可以被断开。并且，在发光阶段PEM中，本实施例的系统电源电压VSS可以为系统高电压OVDD。
在此情况下，电压产生器820可以通过电容C来将系统高电压OVDD所提供的电压耦合至驱动晶体管TD的控制端，以使驱动晶体管TD可以被导通。此外，由于驱动晶体管TD的第一端以及第二端之间的电压差值在重置阶段PR时已被增大，因此，当发光二极管装置800操作于发光阶段PEM时，驱动晶体管TD可以提供相对大的驱动电流ID至发光二极管OLED，以驱动发光二极管OLED进行发光动作。
图10A至图10C是依据本发明图6所示的第二实施例所示出的发光二极管装置的控制示意图。在本实施例中，发光二极管装置1000包括驱动晶体管TD、电压调整器1010、电压产生器1020以及发光二极管OLED。
电压调整器1010包括开关M1以及开关M2。开关M1的第一端与控制端相互耦接，且共同接收第一控制信号S1，开关M1的第二端耦接至发光二极管OLED的第一端。开关M2的第一端耦接至驱动晶体管TD的第二端，开关M2的第二端耦接至发光二极管OLED的第一端，开关M2的控制端接收发光控制信号EM。
电压产生器1020包括开关M3以及电容C。开关M3的第一端接收输入电压VIN，开关M3的第二端耦接至驱动晶体管TD的控制端，开关M3的控制端接收第一控制信号S1。电容C的第一端耦接至驱动晶体管TD的第一端，电容C的第二端耦接至驱动晶体管TD的控制端。
图11是对应于图10A至图10C的一实施例所示出的控制波形示意图。请参照图11，控制波形示意图可以区分为重置阶段PR、数据写入阶段PDI以及发光阶段PEM等三个阶段。并且，重置阶段PR、数据写入阶段PDI以及发光阶段PEM彼此不相互重叠。其中，数据写入阶段PDI位于(或发生于)重置阶段PR之后，发光阶段PEM位于(或发生于)数据写入阶段PDI之后。
需注意到的是，为了方便示意，在图10A至图10C断开的开关以打叉示意，而导通的开关以未打叉来示意。
关于发光二极管装置1000的操作细节，请同时参照图10A以及图11。详细来说，当发光二极管装置1000操作于重置阶段PR时，第一控制信号S1以及发光控制信号EM可以被设定为致能(例如为低电压电位)状态，以使开关M1、M2以及M3可以被导通。并且，在重置阶段PR中，本实施例的输入电压VIN可以为第一参考电压VREF1，并且系统电源电压VSS可以为第二参考电压VREF2。其中，第一参考电压VREF1的电压值可以大于第二参考电压VREF2的电压值。
具体而言，在第一控制信号S1以及发光控制信号EM皆处于低电压电位的情况下，本实施例的电压调整器1010可以通过开关M1以及M2所形成的导通路径，并且依据具有低电压电位的第一控制信号S1来将驱动晶体管TD的第二端的电压电位进行下拉动作，以使驱动晶体管TD的第一端与第二端之间的电压差值得以增加。
在此同时，电压产生器1020亦可通过开关M3所形成的导通路径，将第一参考电压VREF1提供至驱动晶体管TD的控制端。值得一提的是，在重置阶段PR中，驱动晶体管TD的控制端与第一端之间的电压差值(亦即第一参考电压VREF1与第二参考电压VREF2之间的电压差值)可以大于驱动晶体管TD的临界电压的电压值。
换言之，在驱动晶体管TD的第一端(亦即源极端)与第二端(亦即漏极端)之间的电压差值被增大，并且驱动晶体管TD的控制端(亦即栅极端)与第一端之间的电压差值大于驱动晶体管TD的临界电压的电压值的情况下，驱动电流ID的电流大小可以相对的被提升。
请同时参照图10B以及图11，当发光二极管装置1000操作于数据写入阶段PDI时，第一控制信号S1可以维持为致能(例如为低电压电位)状态，并且发光控制信号EM可以被设定为禁能(例如为高电压电位)状态，以使开关M2可以被断开且开关M1以及M3可以被导通。此外，在数据写入阶段PDI中，本实施例的输入电压VIN可以为数据电压VDATA，并且系统电源电压VSS可以维持为第二参考电压VREF2。
在此情况下，电压产生器1020可以通过开关M3所形成的导通路径，将数据电压VDATA提供至驱动晶体管TD的控制端，以对驱动晶体管TD进行数据写入的操作动作。
请同时参照图10C以及图11。当发光二极管装置1000操作于发光阶段PEM时，第一控制信号S1可以被设定为禁能(例如为高电压电位)状态，并且发光控制信号EM可以被设定为致能(例如为低电压电位)状态，以使开关M2可以被导通且开关M1以及M3可以被断开。并且，在发光阶段PEM中，本实施例的系统电源电压VSS可以为系统高电压OVDD。
在此情况下，电压产生器1020可以通过电容C来将系统高电压OVDD所提供的电压耦合至驱动晶体管TD的控制端，以使驱动晶体管TD可以被导通。此外，由于驱动晶体管TD的第一端以及第二端之间的电压差值在重置阶段PR时已被增大，因此，当发光二极管装置1000操作于发光阶段PEM时，驱动晶体管TD可以提供相对大的驱动电流ID至发光二极管OLED，以驱动发光二极管OLED进行发光动作。
图12A至图12D是依据本发明图6所示的第三实施例所示出的发光二极管装置的控制示意图。在本实施例中，发光二极管装置1200包括驱动晶体管TD、电压调整器1210、电压产生器1220以及发光二极管OLED。
电压调整器1210包括开关M1、M2以及M3。开关M1的第一端耦接至驱动晶体管TD的第二端，开关M1的第二端耦接至发光二极管OLED的第一端，开关M1的控制端接收第三控制信号S3。开关M2的第一端耦接至驱动晶体管TD的第二端。开关M3的第一端耦接至开关M2的第二端，开关M3的第二端与控制端以及开关M2的控制端相互耦接，且共同接收第一控制信号S1。
电压产生器1220包括开关M4、开关M5以及电容C。开关M4的第一端接收输入电压VIN，开关M4的第二端耦接至驱动晶体管TD的控制端，开关M4的控制端接收第二控制信号S2。开关M5的第一端接收系统电压源VSS，开关M5的第二端耦接至驱动晶体管TD的控制端，开关M5的控制端接收第一控制信号S1。
图13是对应于图12A至图12D的一实施例所示出的控制波形示意图。请参照图13，控制波形示意图可以区分为重置阶段PR、停止发光阶段PSTOP、数据写入阶段PDI以及发光阶段PEM等四个阶段。并且，重置阶段PR、停止发光阶段PSTOP、数据写入阶段PDI以及发光阶段PEM彼此不相互重叠。其中，停止发光阶段PSTOP位于(或发生于)重置阶段PR之后，数据写入阶段PDI位于(或发生于)停止发光阶段PSTOP之后，发光阶段PEM位于(或发生于)数据写入阶段PDI之后。
需注意到的是，为了方便示意，在图12A至图12D断开的开关以打叉示意，而导通的开关以未打叉来示意。
关于发光二极管装置1200的操作细节，请同时参照图12A以及图13。详细来说，当发光二极管装置1200操作于重置阶段PR时，第一控制信号S1以及第三控制信号S3可以被设定为致能(例如为低电压电位)状态，并且第二控制信号S2可以被设定为禁能(例如为高电压电位)状态，以使开关M1、M2、M3以及M5可以被导通，且开关M4可以被断开。并且，在重置阶段PR中，本实施例的系统电源电压VSS可以为系统高电压OVDD。
具体而言，在第一控制信号S1处于低电压电位的情况下，本实施例的电压调整器1210可以通过开关M2以及M3所形成的导通路径，并且依据具有低电压电位的第一控制信号S1来将驱动晶体管TD的第二端的电压电位进行下拉动作，以使驱动晶体管TD的第一端与第二端之间的电压差值得以增加。
换言之，在驱动晶体管TD的第一端(亦即源极端)与第二端(亦即漏极端)之间的电压差值被增大的情况下，驱动电流ID的电流大小可以相对的被提升。
请参照图12B以及图13，当发光二极管装置1200操作于停止发光阶段PSTOP时，第一控制信号S1可以被设定为致能(例如为低电压电位)状态，并且第二控制信号S2以及第三控制信号S2可以被设定为禁能(例如为高电压电位)状态，以使开关M2、M3以及M5可以被导通，且开关M1以及M4可以被断开。
在此情况下，电压调整器1210会依据具有高电压电位的第三控制器S3而无法导通驱动晶体管TD与发光二极管OLED之间的导通路径，使得驱动晶体管TD在停止发光阶段PSTOP时停止对发光二极管OLED进行发光。
请同时参照图12C以及图13，当发光二极管装置1200操作于数据写入阶段PDI时，第二控制信号S2可以被设定为致能(例如为低电压电位)状态，并且第一控制信号S1以及第三控制信号S3可以被设定为禁能(例如为高电压电位)状态，以使开关M4可以被导通，且开关M1、M2、M3以及M4可以被断开。并且，在数据写入阶段PDI中，本实施例的输入电压VIN可以为数据电压VDATA。
在此情况下，电压产生器1220可以通过开关M4所形成的导通路径，将数据电压VDATA提供至驱动晶体管TD的控制端，以对驱动晶体管TD进行数据写入的操作动作。
请同时参照图12D以及图13，当发光二极管装置1200操作于发光阶段PEM时，第三控制信号S3可以被设定为致能(例如为低电压电位)状态，并且第一控制信号S1以及第二控制信号S2可以被设定为禁能(例如为高电压电位)状态，以使开关M2～M5可以被断开，且开关M1可以被导通。
在此情况下，电压产生器1220可以通过电容C来将系统高电压OVDD所提供的电压耦合至驱动晶体管TD的控制端，以使驱动晶体管TD可以被导通。此外，由于驱动晶体管TD的第一端以及第二端之间的电压差值在重置阶段PR时已被增大，因此，当发光二极管装置1200操作于发光阶段PEM时，驱动晶体管TD可以提供相对大的驱动电流ID至发光二极管OLED，以驱动发光二极管OLED进行发光动作。
需注意到的是，在图8A至图8C、图10A至图10C以及图12A至图12D等诸多实施例中，开关M1～M5以及驱动晶体管TD可分别为P型晶体管。此外，发光二极管OLED可以例如是有机发光二极管或是其他种类的电激发光元件，发光二极管的数量可以是一个或是多个，其数量未特别的限制。
依据上述图8A至图8C、图10A至图10C以及图12A至图12D等诸多实施例的说明可以得知，在提升了驱动电流ID的电流大小下，发光二极管装置800、1000以及1200可以有效地降低发生动态残影的状况，并且改善发光二极管装置的响应时间，借以提升显示质量。
综上所述，本发明的发光二极管装置可以在执行于第一重置阶段之前，加入预重置阶段的操作动作。在所述预重置阶段中，发光二极管装置可以通过电压调整器来预先拉低驱动晶体管的第二端(亦即漏极端)的电压电位，从而增大驱动晶体管的第一端(亦即源极端)与第二端之间的电压差值。如此一来。当发光二极管装置执行于发光阶段时，能够有效地增加驱动电流的电流大小，从而降低发光二极管装置发生动态残影的状况，并且改善发光二极管装置的响应时间，借以提升整体显示质量。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (39)

1.一种发光二极管装置的控制方法，其特征在于，包括：
由一电压调整器于一预重置阶段依据一发光控制信号以及一电压控制信号来拉低一驱动晶体管的第二端的电压电位，以增大该驱动晶体管的第一端与第二端之间的电压差值；
由该驱动晶体管的控制端于一第一重置阶段接收一重置电压而被重置；
由该驱动晶体管的控制端于一补偿阶段被补偿至一补偿电位；以及
由该驱动晶体管于一发光阶段提供一驱动电流以驱动一发光二极管发光。
2.如权利要求1所述的发光二极管装置的控制方法，其特征在于，其中该第一重置阶段位于该预重置阶段之后，该补偿阶段位于该第一重置阶段之后，该发光阶段位于该补偿阶段之后。
3.如权利要求1所述的发光二极管装置的控制方法，其特征在于，其中该预重置阶段位于该第一重置阶段之后，该补偿阶段位于该预重置阶段位之后，该发光阶段位于该补偿阶段之后。
4.如权利要求1所述的发光二极管装置的控制方法，其特征在于，其中该电压控制信号于该预重置阶段时操作于一低电压电位。
5.如权利要求1所述的发光二极管装置的控制方法，其特征在于，其中由该驱动晶体管的控制端于该第一重置阶段接收该重置电压而被重置的步骤包括：
由一第一电压产生器于该第一重置阶段依据一第一控制信号以及一第二控制信号以提供该重置电压至该驱动晶体管的控制端；以及
由一第二电压产生器依据该第二控制信号以及该发光控制信号以产生一参考电压或一数据电压。
6.如权利要求1所述的发光二极管装置的控制方法，其特征在于，其中该补偿电位的电压值为一系统高电压的电压值与该驱动晶体管的临界电压的电压值之间的电压差值。
7.如权利要求1所述的发光二极管装置的控制方法，其特征在于，更包括：
由该电压调整器于一第二重置阶段依据该发光控制信号以及该电压控制信号来再次拉低该驱动晶体管的第二端的电压电位，以再次增大该驱动晶体管的第一端与第二端之间的电压差值。
8.如权利要求7所述的发光二极管装置的控制方法，其特征在于，其中该第一重置阶段位于该预重置阶段之后，该补偿阶段位于该第一重置阶段之后，该第二重置阶段位于该补偿阶段之后，该发光阶段位于该第二重置阶段之后。
9.如权利要求1所述的发光二极管装置的控制方法，其特征在于，其中该发光二极管包括有机发光二极管。
10.一种发光二极管装置，其特征在于，包括：
一驱动晶体管，其第一端接收一系统高电压；
一电压调整器，耦接至该驱动晶体管的第二端；以及
一发光二极管，其第一端耦接至该电压调整器，其第二端接收一系统低电压；
其中，该电压调整器于一预重置阶段依据一发光控制信号及一电压控制信号来拉低该驱动晶体管的第二端的电压电位，以增大该驱动晶体管的第一端与第二端之间的电压差值，
该驱动晶体管的控制端于一第一重置阶段接收一重置电压而被重置，
该驱动晶体管的控制端于一补偿阶段被补偿至一补偿电位，
该驱动晶体管于一发光阶段提供一驱动电流以驱动该发光二极管发光。
11.如权利要求10所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该第一重置阶段位于该预重置阶段之后，该补偿阶段位于该第一重置阶段之后，该发光阶段位于该补偿阶段之后。
12.如权利要求10所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该预重置阶段位于该第一重置阶段之后，该补偿阶段位于该预重置阶段位之后，该发光阶段位于该补偿阶段之后。
13.如权利要求10所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该电压控制信号于该预重置阶段时操作于一低电压电位。
14.如权利要求10所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该发光二极管装置更包括：
一第一电压产生器，耦接于该驱动晶体管的控制端以及该电压调整器之间，其中该第一电压产生器于该第一重置阶段依据一第一控制信号以及一第二控制信号以提供该重置电压至该驱动晶体管的控制端；以及
一第二电压产生器，耦接至该驱动晶体管的控制端，依据该第二控制信号以及该发光控制信号以产生一参考电压或一数据电压。
15.如权利要求10所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该补偿电位的电压值为该系统高电压的电压值与该驱动晶体管的临界电压的电压值之间的电压差值。
16.如权利要求10所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该电压调整器包括：
一第一开关，其第一端与控制端共同接收该电压控制信号，其第二端耦接至该发光二极管的第一端；以及
一第二开关，其第一端耦接至该发光二极管的第一端，其第二端耦接至该驱动晶体管的第二端，其控制端接收该发光控制信号。
17.如权利要求14所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该第一电压产生器包括：
一第一开关，其第一端接收该重置电压，其控制端接收该第一控制信号；以及
一第二开关，其第一端耦接至该第一开关的第二端以及该电压调整器，其第二端耦接至该驱动晶体管的控制端，其控制端接收该第二控制信号。
18.如权利要求14所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该第二电压产生器包括：
一第一开关，其第一端接收该参考电压，其第二端耦接至一第一节点，其控制端接收该发光控制信号；
一第二开关，其第一端接收该数据电压，其第二端耦接至该第一节点，其控制端接收该第二控制信号；以及
一电容，其第一端耦接至该第一节点，其第二端耦接至该驱动晶体管的控制端。
19.如权利要求10所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该电压调整器于一第二重置阶段依据该发光控制信号以及该电压控制信号来再次拉低该驱动晶体管的第二端的电压电位，以再次增大该驱动晶体管的第一端与第二端之间的电压差值。
20.如权利要求19所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该第一重置阶段位于该预重置阶段之后，该补偿阶段位于该第一重置阶段之后，该第二重置阶段位于该补偿阶段之后，该发光阶段位于该第二重置阶段之后。
21.如权利要求10所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该发光二极管包括有机发光二极管。
22.一种发光二极管装置的控制方法，其特征在于，包括：
于一重置阶段中，由一电压调整器依据一第一控制信号以拉低一驱动晶体管的第二端的电压电位，以增大该驱动晶体管的第一端与第二端之间的电压差值；
于一数据写入阶段中，由一电压产生器依据该第一控制信号或一第二控制信号以产生一数据电压至该驱动晶体管的控制端，以对该驱动晶体管进行数据写入；以及
于一发光阶段中，由该驱动晶体管提供一驱动电流以驱动一发光二极管发光。
23.如权利要求22所述的发光二极管装置的控制方法，其特征在于，其中该第一控制信号于该重置阶段时操作于一低电压电位。
24.如权利要求22所述的发光二极管装置的控制方法，其特征在于，其中该数据写入阶段位于该重置阶段之后，该发光阶段位于该数据写入阶段之后。
25.如权利要求22所述的发光二极管装置的控制方法，其特征在于，其中于该重置阶段中，由该电压产生器依据该第一控制信号以产生一第一参考电压至该驱动晶体管的控制端，并且该驱动晶体管的控制端与第一端之间的电压差值大于该驱动晶体管的临界电压的电压值。
26.如权利要求22所述的发光二极管装置的控制方法，其特征在于，其中该控制方法更包括：
于一停止发光阶段中，由该电压调整器依据一第三控制信号以使该驱动晶体管停止对该发光二极管发光。
27.如权利要求26所述的发光二极管装置的控制方法，其特征在于，其中该停止发光阶段位于该重置阶段之后，该数据写入阶段位于该停止发光阶段之后，该发光阶段位于该数据写入阶段之后。
28.如权利要求22所述的发光二极管装置的控制方法，其特征在于，其中该发光二极管包括有机发光二极管。
29.一种发光二极管装置，其特征在于，包括：
一驱动晶体管，其第一端接收一系统电压源；
一电压调整器，耦接至该驱动晶体管的第二端；
一发光二极管，其第一端耦接至该电压调整器，其第二端接收一系统低电压；以及
一电压产生器，耦接至该驱动晶体管的控制端与第一端；
其中，于一重置阶段中，该电压调整器依据一第一控制信号以拉低该驱动晶体管的第二端的电压电位，以增大该驱动晶体管的第一端与第二端之间的电压差值，
于一数据写入阶段中，该电压产生器依据该第一控制信号或一第二控制信号以产生一数据电压至该驱动晶体管的控制端，以对该驱动晶体管进行数据写入，
于一发光阶段中，该驱动晶体管提供一驱动电流以驱动该发光二极管发光。
30.如权利要求29所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该第一控制信号于该重置阶段时操作于一低电压电位。
31.如权利要求29所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该数据写入阶段位于该重置阶段之后，该发光阶段位于该数据写入阶段之后。
32.如权利要求29所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该系统电压源为一系统高电压或一第二参考电压。
33.如权利要求29所述的发光二极管装置，其特征在于，其中于该重置阶段中，该电压产生器依据该第一控制信号以产生一第一参考电压至该驱动晶体管的控制端，并且该驱动晶体管的控制端与第一端之间的电压差值大于该驱动晶体管的临界电压的电压值。
34.如权利要求29所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该电压调整器包括：
一第一开关，其第一端与控制端共同接收该第一控制信号，其第二端耦接至该发光二极管的第一端，
其中该电压产生器包括：
一第二开关，其第一端接收一输入电压，其第二端耦接至该驱动晶体管的控制端，其控制端接收该第一控制信号；以及
一电容，其第一端耦接至该驱动晶体管的第一端，其第二端耦接至该驱动晶体管的控制端。
35.如权利要求29所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该电压调整器包括：
一第一开关，其第一端与控制端共同接收该第一控制信号，其第二端耦接至该发光二极管的第一端；以及
一第二开关，其第一端耦接至该驱动晶体管的第二端，其第二端耦接至该发光二极管的第一端，其控制端接收一发光控制信号，
其中该电压产生器包括：
一第三开关，其第一端接收一输入电压，其第二端耦接至该驱动晶体管的控制端，其控制端接收该第一控制信号；以及
一电容，其第一端耦接至该驱动晶体管的第一端，其第二端耦接至该驱动晶体管的控制端。
36.如权利要求29所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该电压调整器包括：
一第一开关，其第一端耦接至该驱动晶体管的第二端，其第二端耦接至该发光二极管的第一端，其控制端接收一第三控制信号；
一第二开关，其第一端耦接至该驱动晶体管的第二端；以及
一第三开关，其第一端耦接至该第二开关的第二端，其第二端与控制端以及该第二开关的控制端共同接收该第一控制信号，
其中该电压产生器包括：
一第四开关，其第一端接收一输入电压，其第二端耦接至该驱动晶体管的控制端，其控制端接收该第二控制信号；
一第五开关，其第一端接收该系统电压源，其第二端耦接至该驱动晶体管的控制端，其控制端接收该第一控制信号；以及
一电容，其第一端耦接至该驱动晶体管的第一端，其第二端耦接至该驱动晶体管的控制端。
37.如权利要求29所述的发光二极管装置，其特征在于，其中于一停止发光阶段中，该电压调整器依据一第三控制信号以使该驱动晶体管停止对该发光二极管发光。
38.如权利要求37所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该停止发光阶段位于该重置阶段之后，该数据写入阶段位于该停止发光阶段之后，该发光阶段位于该数据写入阶段之后。
39.如权利要求29所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该发光二极管包括有机发光二极管。
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