CN109988552A - 量子点薄膜及其制备方法和qled器件 - Google Patents

量子点薄膜及其制备方法和qled器件 Download PDF

Info

Publication number
CN109988552A
CN109988552A CN201711470083.0A CN201711470083A CN109988552A CN 109988552 A CN109988552 A CN 109988552A CN 201711470083 A CN201711470083 A CN 201711470083A CN 109988552 A CN109988552 A CN 109988552A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
ligand
mercaptan
preparation
anion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201711470083.0A
Other languages
English (en)
Inventor
程陆玲
杨一行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Corp
Original Assignee
TCL Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Corp filed Critical TCL Corp
Priority to CN201711470083.0A priority Critical patent/CN109988552A/zh
Publication of CN109988552A publication Critical patent/CN109988552A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/661—Chalcogenides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点薄膜及其制备方法和QLED器件。一种量子点薄膜，含有量子点，所述量子点表面的结合有硫醇配体，且所述量子点表面还结合有阴离子。本发明通将量子点薄膜中的量子点表面结合阴离子，这样能有效降低硫醇配体与量子点表面的金属元素的结合率，进而有效降低量子点表面硫醇配体流动带动量子点表面金属原子流动造成的表面缺陷，从而提高量子点薄膜的荧光强度，改善器件的发光效率。

Description

量子点薄膜及其制备方法和QLED器件
技术领域
本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点薄膜及其制备方法和QLED器件。
背景技术
量子点具有较大的比表面积，预示着量子点的电学和光学性质被表面电子状态所主导，尤其是带隙的电子态；因此，理解和控制量子点表面的电子态、并利用这些电学特性做一些实际应用是一个重要的研究课题。
胶体半导体量子点的电学性质较为重要，其主要依赖胶体量子点表面的配体，采用不同的方法合成的胶体量子点，其表面所含的配体种类不同，这些配体对胶体量子点的分散性和表面电荷钝化非常关键。在利用胶体量子点制备光电器件时，需要将胶体量子点制备成量子点固态膜，同时根据器件需求也会将量子点固态膜的绝缘长链配体交换成短链配体，以改善量子点固态膜的传导性，短链配体能够显著改善量子点固态膜的电传导性。目前，配体对量子点固态膜影响的研究主要集中在量子点表面配体的化学性质上(如配体的官能团、配体的表面结合特性、配体分子的长度等)，然而覆盖在量子点表面对配体分子的物理状态(即配体的宏观状态：固态或液态)对量子点固态膜的电学性质影响的研究还没报道。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点薄膜及其制备方法和QLED器件，旨在解决目前利用表面配体的化学性质来改善量子点薄膜的荧光强度的作用有限的技术问题。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
本发明一方面提供一种量子点薄膜，含有量子点，所述量子点表面的结合有硫醇配体，且所述量子点表面还结合有阴离子。
相应地，一种量子点薄膜的制备方法，包括如下步骤：
提供第一量子点溶液，所述第一量子点溶液中含有表面结合有初始配体的量子点；
提供阴离子前驱体，将所述阴离子前驱体加入到所述第一量子点溶液中，进行钝化处理，得到第二量子点溶液；
提供硫醇配体，将所述硫醇配体加入到所述第二量子点溶液中，进行表面配体交换，得到第三量子点溶液；
将所述第三量子点溶液沉积在基片上，得到所述量子点薄膜。
本发明另一方面提供一种QLED器件，包括量子点发光层，所述量子点发光层为本发明的上述量子点薄膜或本发明的上述制备方法制得的量子点薄膜。
本发明提供的量子点薄膜，根据其在高于硫醇配体的固液临界温度Tm(即硫醇配体的熔点)时产生荧光强度淬灭并且发生红移的原理，通过减少量子点表面的金属原子的流动来降低量子点表面的缺陷的形成，进而降低深能级捕获；即通将量子点薄膜中的量子点表面结合阴离子，这样能有效降低硫醇配体与量子点表面的金属元素的结合率，进而有效降低量子点表面硫醇配体流动带动量子点表面金属原子流动造成的表面缺陷，从而提高量子点薄膜的荧光强度，改善器件的发光效率。
本发明提供的量子点薄膜的制备方法，首先向量子点混合液中添加适量的阴离子前躯体对量子点进行钝化，使量子点表面富含阴离子，然后再添加适量的含有巯基短链的硫醇配体进行配体交换，得到量子点表面富含阴离子且量子点表面连接有短链配体的量子点(阴离子能够有效降低硫醇配体与量子点表面的金属原子的结合率，进而有效降低了表面硫醇配体流动带动表层金属原子流动造成的表面缺陷)，最后利用该类量子点制备量子点固态膜，该制备方法不仅简单操作简单、易重复，而且能够改善量子点薄膜的荧光强度进而改善QLED器件的发光效率。
附图说明
图1为本发明量子点薄膜制备过程中量子点纳米颗粒的修饰过程图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一方面，本发明实施例提供了一种量子点薄膜，含有量子点，所述量子点表面的结合有硫醇配体，且所述量子点表面还结合有阴离子。
本发明实施例提供的量子点薄膜，根据其在高于硫醇配体的固液临界温度Tm(即硫醇配体的熔点)时产生荧光强度淬灭并且发生红移的原理，通过减少量子点表面的金属原子的流动来降低量子点表面的缺陷的形成，进而降低深能级捕获；即通将量子点薄膜中的量子点表面结合阴离子，这样能有效降低硫醇配体与量子点表面的金属元素的结合率，进而有效降低量子点表面硫醇配体流动带动量子点表面金属原子流动造成的表面缺陷，从而提高量子点薄膜的荧光强度，改善器件的发光效率。
具体地，针对激子波尔半径大于颗粒尺寸的一类量子点，利用短链的硫醇配体制备成固态膜后，会随不同的温度处理发生的一些现象：即利用表面覆盖有巯基的硫醇的量子点制备成固态膜后，量子点表面的电荷捕获状态具有可逆行为。对该类量子点薄膜的研究发现，量子点薄膜低于配体的固液临界温度Tm(量子点表面的硫醇配体从固态变为液体时的温度Tm，即硫醇配体的熔点)时，量子点薄膜的荧光强度会发生增强效应，同时发射波长也会恢复到溶液状态时的波长)；当量子点薄膜温度高于Tm时，荧光强度会发生较大的淬灭并且发生红移效应(波长红移)。产生该效应的机制原理是表层配体分子与量子点表面形成的共价键如S-Pb的键能弱于内部晶体的Pb-S键能，因此处于流动的无序配体分子会带动表面金属原子一起流动(类似震动)，处于流动状态的表层金属原子会造成带隙深能级捕获进而降低量子点固态膜的荧光强度；其主要原因是与量子点表面的配体分子随温度的变化(如77-337K，其中：T(K)＝t(℃)+273.15；例如0K＝-273.151℃)会从无序到有序过渡进而影响表面电荷捕获状态，当量子点表面的配体处于有序(固态)的状态时量子点固态膜的荧光强度要高于无序(液体)状态时的荧光强度(主要机制可理解为：处于有序状态的硫醇配体在量子点表面形成一种有机分子壳层，该壳层的带隙具有大于量子点带隙因此具有一定的量子点限域效应)。因此，本发明实施例通过将量子点薄膜中的量子点表面结合阴离子，这样能有效降低硫醇配体与量子点表面的金属元素的结合率，进而有效降低了表面硫醇配体流动带动量子点表面金属原子流动造成的表面缺陷，从而提高量子点薄膜的荧光强度，改善器件对发光效率。
进一步地，本发明实施例的量子点薄膜中，所述阴离子选自S2-、Se2-和Te2-中的至少一种；所述硫醇配体选自1-丙硫醇、1-丁硫醇、1-戊硫醇、1-己硫醇、1-庚硫醇、1-辛硫醇、1-癸硫醇、1-十一硫醇和1-十二硫醇中的至少一种。所述硫醇配体中的巯基能够很好的与量子点表面的金属原子进行共价结合，优选的短链的硫醇配体能够很好的进行电荷传导即相对的分子链长小于电子的自由程。
相应地，一种量子点薄膜的制备方法，包括如下步骤：
S01：提供第一量子点溶液，所述第一量子点溶液中含有表面结合有初始配体的量子点；
S02：提供阴离子前驱体，将所述阴离子前驱体加入到所述第一量子点溶液中，进行钝化处理，得到第二量子点溶液；
S03：提供硫醇配体，将所述硫醇配体加入到所述第二量子点溶液中，进行表面配体交换，得到第三量子点溶液；
S04：将所述第三量子点溶液沉积在基片上，得到所述量子点薄膜。
本发明实施例提供的量子点薄膜的制备方法，首先向量子点混合液中添加适量的阴离子前躯体对钝化量子点进行钝化，使量子点表面富含阴离子，然后再添加适量的含有巯基短链的硫醇配体进行配体交换，得到量子点表面富含阴离子且量子点表面连接有短链配体的量子点(阴离子能够有效降低硫醇配体与量子点表面的金属原子的结合率，进而有效降低了表面硫醇配体流动带动表层金属原子流动造成的表面缺陷)，最后利用该类量子点制备量子点固态膜，该制备方法不仅简单操作简单、易重复，而且能够改善量子点薄膜的荧光强度进而改善QLED器件的发光效率。
进一步地，在本发明实施例提供上述量子点薄膜的制备方法中，所述阴离子前驱体选自S-TOP、S-ODE、S-OA、TMS(六甲基二硅硫烷，可直接作为阴离子前驱体)、S-TBP、Se-TOP、Se-ODE、Se-OA、Se-TBP、Te-TOP和Te-TBP中的至少一种；所述硫醇配体选自1-丙硫醇、1-丁硫醇、1-戊硫醇、1-己硫醇、1-庚硫醇、1-辛硫醇、1-癸硫醇、1-十一硫醇和1-十二硫醇中的至少一种。所述初始配体选自油酸、油胺、三辛基磷和三辛基氧磷中的至少一种。其中，所述第二量子点溶液中，得到的是表面同时结合有初始配体和阴离子离子的量子点；所述第三量子点溶液中，得到的是表面同时结合有硫醇配体和阴离子的量子点；过程如图1所示，图1中NC即为量子点纳米颗粒。
进一步的，步骤S01中，第一量子点溶液的制备方法采用常规的油相法制备得到。其中的量子点的尺寸大小范围1-10nm，量子点的波尔半径大于量子点的颗粒尺寸。量子点的波尔半径的客观范围为10-50nm，该区间的取值不是连续的，相应的取值是对应上述不同种类的量子点。所述的量子点为CdSe、PbSe、PbS、PbSe/CdSe、PbS/CdS、AgS、HgS、CdTe、CdTe/CdS、CdTe/CdZnS、InP、InP/ZnS、InP/ZnSeS等，但不限于此。进一步的，所述量子点为油溶性量子点，量子点表面连接初始配体即油溶性配体，所述初始配体为油溶性长链配体，如油酸(OA)、油胺(OAm)三辛基磷(TOP)、三辛基氧磷(TOPO)等不限于此。第一量子点溶液的制备温度范围为100-380℃，制备环境为惰性气体氛围，最终，第一量子点溶液制备成浓度为10-40mg/mL的量子点溶液。
进一步地，步骤S02中，可将第一量子点溶液分散在高沸点非共融溶剂中，然后将溶液升温到一定的温度范围后，加入适量的阴离子前躯体进行钝化处理使量子点表面富含阴离子。高沸点非共融溶剂可选自十八稀、石蜡油、二苯醚等。进一步地，所述钝化处理的温度为100-300℃，所述钝化处理的时间为30-60min；进一步地，按所述阴离子前躯体与所述表面结合有初始配体的量子点的摩尔质量比为(0.5-1mmol):100mg，将所述阴离子前驱体加入到所述第一量子点溶液中。
进一步地，步骤S03中，所述表面配体交换的温度为30-300℃，所述表面配体交换的时间为30-60min。按所述硫醇配体与所述表面结合有初始配体的量子点的摩尔质量比为(0.01-0.2mmol):100mg，将所述硫醇配体加入到所述第二量子点溶液中。进一步的，上述硫醇配体可以先分散于有机溶剂中得到硫醇配体溶液，再将硫醇配体溶液加入到所述第二量子点溶液中，溶解硫醇配体的有机溶剂可为十八稀、石蜡油、二苯醚等，该有机溶剂的作用只起分散作用不参与反应。
进一步地，步骤S04中，在将所述第三量子点溶液沉积在基片上之前，还包括将所述第三量子点溶液进行萃取分离的步骤，可进一步提高量子点纯度。具体采用萃取剂和极性溶剂进行萃取、沉淀离心分离。所述萃取剂为乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、丙酸乙酯、丙酸乙酯、丙酸乙酯、丁酸乙酯、丁酸乙酯、丁酸乙酯、丁酸丙酯等不限于此，优选的是乙酸乙酯，所述极性溶剂为甲醇、乙醇、丙酮等不限于此。最终提纯的量子点分散在非极性有机溶剂中如为甲苯、氯仿、氯苯、正己烷、正辛烷等不限于此。
最后，将制备好的表面富含阴离子且修饰的有硫醇配体的量子点(即第三量子点溶液)用涂布或印刷的方式沉积制备一层量子点薄膜。此时，第三量子点溶液的浓度范围可以为10-40mg/mL，所述量子点薄膜的厚度范围可以为10～30nm，所述述量子点薄膜的制备环境为惰性气体氛围。
进一步地，所述阴离子前驱体的制备方法包括：将非金属单质溶于有机溶剂中，在20-250℃的温度条件下进行加热处理。其中，所述非金属单质选自S、Se和Te中的至少一种；所述有机溶剂选自TOP、ODE(十八烯)、OA和TBP(磷酸三正丁脂)中的至少一种。所述阴离子前躯体的制备是采用适当的摩尔比例将非金属元素S、Se、Te等在适当的温度范围内分散在相应的高沸点油相有机溶剂中或与油相有机溶剂共价结合形成前驱物。进一步的，所述非金属元素S、Se、Te等依据活性的不同于相应的高沸点油相有机溶剂分散或结合的温度不同，分散在高沸点油相溶剂中的温度范围为20-250℃。
本发明实施例还提供一种QLED器件，包括量子点发光层，所述量子点发光层为发明实施例的量子点薄膜或本发明的上述制备方法制得的量子点薄膜。
该QLED器件可以采用印刷或打印的方式在衬底上依次制备空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和电极。所述量子点发光层是采用上述量子点薄膜制备流程得到。
本发明先后进行过多次试验，现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述，下面结合具体实施例进行详细说明，以利用PbS量子点、S-TOP、1-辛硫醇为主要原料为例进行详细介绍。
实施例1
PbS量子点的制备方法，包括如下步骤：
1)油酸铅{Pb(OA)2}前躯体的制备：
取0.6mmol的三水合醋酸铅、2ml油酸(OA)、10mL十八稀(ODE)加入到三口烧瓶中，先常温排气20min，然后温度升高到150℃搅拌30min后温度降低至120℃。
2)硫(S)前躯体的制备：
称4mmol的S加入到6ml的三辛基氧磷(TOP)中，加热到170℃维持30min，然后降温到140℃。
3)将1)中的混合液温度升高到150℃后，取2mL的硫前躯体快速注入到烧瓶内反应10min，迅速取出加热套待混合液温度冷去至室温后通过添加萃取剂和沉淀剂进行离心分离清洗得到油溶性PbS近红外量子点并做干燥处理，然后将干燥的油溶性量子点分散在正己烷中制备成浓度为30mg/mL的溶液，其表面的配体是油酸(OA)。
实施例2
S-TOP钝化PbS量子点的制备方法，包括如下步骤：
1)取上述实施例1中PbS量子点溶液(量子点重量为100mg)分散在10mL的十八稀溶液中，在惰性气体下先进行常温排气20min，然后将PbS量子点溶液温度升高到150℃。
2)取0.5mmol的硫(S)粉分散在1mL的三辛基磷(TOP)中170℃溶解得阴离子前驱体S-TOP溶液，然后冷却至室温备用。
3)将2)中的S-TOP溶液添加到1)的量子点溶液中进行钝化30min，然后混合液温度降低到100℃保持恒温。
实施例3
1-辛硫醇修饰PbS量子点的制备方法，包括如下步骤：
1)取0.1mmol的1-辛硫醇分散在2mL的十八稀溶液中均匀搅拌备用。
2)将1)中的1-辛硫醇溶液注入上述实施例2中的温度为100℃的量子点混合液中交换30min，然后冷却至室温。
3)向混合液中添加10mL的乙酸乙酯和3mL的乙醇对混合进行离心分离沉淀得到1-辛硫醇修饰的表面富含有阴离子S2-的PbS量子点，并将PbS量子点分散在正己烷中制备成浓度为30mg/mL的溶液。
实施例4
1-辛硫醇修饰、表面富含S原子的PbS量子点固态膜的制备如下
1)取实施例3中制备好的1-辛硫醇修饰的表面富含有阴离子S2-的PbS量子点溶液，采用印刷的方式制备成量子点固态膜。
2)采用120℃的温度对制备好的量子点固态膜进行热处理。
实施例5
利用1-辛硫醇修饰表面富含S2-的PbS量子点固态膜制备QLED器件，包括如下步骤：
将PEDPOT:PSS(AI4083)溶液利用0.45微米的滤头进行过滤后，采用转速为4000rpm时间为60s在清洗干净的ITO玻璃片上旋涂，然后150℃退火15min；采用同样的转速和时间旋涂空穴传输层和电子阻挡层(含有PVK氯苯溶液，浓度为：6mg/mL)，然后采用上述实施例4制备量子点发光层，之后将电子传输层在手套箱中采用转速为2000rpm时间为60s的条件旋涂沉积，最后在高真空2x104Pa压强下通过一个掩膜版采用热蒸的形式沉积150nm厚的铝电极，制备的QLED器件面积为4cm2。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供第一量子点溶液，所述第一量子点溶液中含有表面结合有初始配体的量子点；
提供阴离子前驱体，将所述阴离子前驱体加入到所述第一量子点溶液中，进行钝化处理，得到第二量子点溶液；
提供硫醇配体，将所述硫醇配体加入到所述第二量子点溶液中，进行表面配体交换，得到第三量子点溶液；
将所述第三量子点溶液沉积在基片上，得到所述量子点薄膜。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阴离子前驱体选自S-TOP、S-ODE、S-OA、TMS、S-TBP、Se-TOP、Se-ODE、Se-OA、Se-TBP、Te-TOP和Te-TBP中的至少一种；和/或
所述硫醇配体选自1-丙硫醇、1-丁硫醇、1-戊硫醇、1-己硫醇、1-庚硫醇、1-辛硫醇、1-癸硫醇、1-十一硫醇和1-十二硫醇中的至少一种；和/或
所述初始配体选自油酸、油胺、三辛基磷和三辛基氧磷中的至少一种。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钝化处理的温度为100-300℃；和/或
所述钝化处理的时间为30-60min；和/或
所述表面配体交换的温度为30-300℃；和/或
所述表面配体交换的时间为30-60min。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，按所述阴离子前躯体与所述表面结合有初始配体的量子点的摩尔质量比为(0.5-1mmol):100mg，将所述阴离子前驱体加入到所述第一量子点溶液中；和/或
按所述硫醇配体与所述表面结合有初始配体的量子点的摩尔质量比为(0.01-0.2mmol):100mg，将所述硫醇配体加入到所述第二量子点溶液中。
5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述阴离子前驱体的制备方法包括：
将非金属单质溶于有机溶剂中，在20-250℃的温度条件下进行加热处理。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述非金属单质选自S、Se和Te中的至少一种；和/或
所述有机溶剂选自TOP、ODE、OA和TBP中的至少一种。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在将所述第三量子点溶液沉积在基片上之前，还包括将所述第三子点溶液进行萃取分离的步骤。
8.一种量子点薄膜，含有量子点，其特征在于，所述量子点表面的结合有硫醇配体，且所述量子点表面还结合有阴离子。
9.如权利要求8所述的量子点薄膜，其特征在于，所述阴离子选自S2-、Se2-和Te2-中的至少一种；和/或
所述硫醇配体选自1-丙硫醇、1-丁硫醇、1-戊硫醇、1-己硫醇、1-庚硫醇、1-辛硫醇、1-癸硫醇、1-十一硫醇和1-十二硫醇中的至少一种。
10.一种QLED器件，包括量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层为权利要求8或9所述的量子点薄膜或权利要求1-7任一项所述的制备方法制得的量子点薄膜。
CN201711470083.0A 2017-12-29 2017-12-29 量子点薄膜及其制备方法和qled器件 Pending CN109988552A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711470083.0A CN109988552A (zh) 2017-12-29 2017-12-29 量子点薄膜及其制备方法和qled器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711470083.0A CN109988552A (zh) 2017-12-29 2017-12-29 量子点薄膜及其制备方法和qled器件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109988552A true CN109988552A (zh) 2019-07-09

Family

ID=67109313

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711470083.0A Pending CN109988552A (zh) 2017-12-29 2017-12-29 量子点薄膜及其制备方法和qled器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109988552A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112730318A (zh) * 2020-12-24 2021-04-30 北京理工大学 近红外量子点光谱仪及其构建方法和光谱测量方法
CN113130832A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 量子点薄膜及制备方法、量子点发光二极管及制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102086396A (zh) * 2010-11-25 2011-06-08 华北电力大学 一种CuInS2-ZnS/ZnSe/ZnS核壳结构半导体量子点的制备方法及其在发光器件中的应用
CN105154086A (zh) * 2015-09-29 2015-12-16 复旦大学 一种常温下制备CdSe/CdS核壳半导体量子点的方法
CN105505393A (zh) * 2015-12-22 2016-04-20 复旦大学 一种快速显著增强量子点荧光强度的方法
CN106206972A (zh) * 2016-09-05 2016-12-07 Tcl集团股份有限公司 量子点发光层制备方法、量子点发光二极管及制备方法
CN106701060A (zh) * 2016-12-22 2017-05-24 Tcl集团股份有限公司 钝化量子点膜及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102086396A (zh) * 2010-11-25 2011-06-08 华北电力大学 一种CuInS2-ZnS/ZnSe/ZnS核壳结构半导体量子点的制备方法及其在发光器件中的应用
CN105154086A (zh) * 2015-09-29 2015-12-16 复旦大学 一种常温下制备CdSe/CdS核壳半导体量子点的方法
CN105505393A (zh) * 2015-12-22 2016-04-20 复旦大学 一种快速显著增强量子点荧光强度的方法
CN106206972A (zh) * 2016-09-05 2016-12-07 Tcl集团股份有限公司 量子点发光层制备方法、量子点发光二极管及制备方法
CN106701060A (zh) * 2016-12-22 2017-05-24 Tcl集团股份有限公司 钝化量子点膜及其制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113130832A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 量子点薄膜及制备方法、量子点发光二极管及制备方法
CN113130832B (zh) * 2019-12-30 2022-08-09 Tcl科技集团股份有限公司 量子点薄膜及制备方法、量子点发光二极管及制备方法
CN112730318A (zh) * 2020-12-24 2021-04-30 北京理工大学 近红外量子点光谱仪及其构建方法和光谱测量方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Morozova et al. Silicon quantum dots: synthesis, encapsulation, and application in light-emitting diodes
CN109994619A (zh) 量子点薄膜及其制备方法和qled器件
US10340427B2 (en) Quantum dots with inorganic ligands in an inorganic matrix
EP3102647B1 (en) Oxo- and hydroxo-based composite inorganic ligands for quantum dots
US9159590B2 (en) Encapsulated nanoparticles
CN101906298B (zh) 一种含有表面等离子体荧光增强的纳米复合结构的薄膜及其制备方法
TW200927642A (en) Nanoparticles
US9701898B2 (en) Methods of grinding semiconductor nanocrystal polymer composite particles
Guan et al. New insights into the formation and color‐tunable optical properties of multinary Cu‐in‐Zn‐based chalcogenide semiconductor nanocrystals
CN109988552A (zh) 量子点薄膜及其制备方法和qled器件
Yin et al. One-pot controllable synthesis of wurtzite CuInS2 nanoplates
Xiong et al. A general one-pot approach to synthesize binary and ternary metal sulfide nanocrystals
CN109694705A (zh) 粒子及其制备方法
CN109994612A (zh) 量子点薄膜及其制备方法和电池器件
Bujak Core and surface engineering in binary, ternary and quaternary semiconductor nanocrystals—A critical review
US9951272B2 (en) Method of making semiconductor nanocrystals
Ling et al. Fast access to core/shell/shell CdTe/CdSe/ZnO quantum dots via magnetic hyperthermia method
Smagin et al. Photoluminescence of low-dimensional polymethylmethacrylate/(Zn, Cd, Mn, Eu) S composite structures
CN112625671B (zh) 核壳纳米材料及其制备方法、应用和量子点发光二极管
CN113054062B (zh) 纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管及发光装置
Fukuda et al. Quantum Dot Light-Emitting Diode with Ligand-Exchanged ZnCuInS 2 Quantum Dot
Huang et al. Controllable preparation of CdSe@ ZnS quantum dots and their applications in high-performance LED digital dynamic color display
Yang et al. Dark‐red‐emitting CdTe/Cd1‐xZnxS core/shell quantum dots: preparation and properties
Chung Foundations of White Light Quantum Dots
CN111378435A (zh) 一种量子点膜的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190709

RJ01 Rejection of invention patent application after publication