CN109983057A - 导电性高分子用掺杂剂、利用其的导电性高分子、以及导电性高分子的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种导电性高分子用掺杂剂,通过该导电性高分子用掺杂剂可以得到有机溶剂中的分散性优异的电性高分子。根据本发明,提供一种高分子用掺杂剂,其重均分子量为500以上,具有硅酮骨架且至少具有1个以上取代基的化合物,所述取代基为磺酸基或磷酸基或者它们的盐中的任一者。
Description
技术领域
本发明涉及导电性高分子用掺杂剂、利用其的导电性高分子的制造方法、以及导电性高分子。
背景技术
作为已往的导电性高分子,作为代表可列举将聚苯乙烯磺酸(PSS)掺杂于聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)的PEDOT-PSS利用于工业上。(例如专利文献1)然而,该PEDOT-PSS藉由未作为PSS的掺杂所使用的磺酸基,以在水中的分散稳定作为特征,因此有诸如具有由高酸性度导致的金属腐蚀性的课题或者无法稳定地分散于有机溶剂的课题。并且,有诸如将各种材料进行混合,作为涂料配合时,粘合剂以及各种添加剂限定于水系的课题。
针对这些课题,进行着关于纳米级别的微分散体溶液的研究、以及使用了空间位阻性高的支链烷基的二(2-乙基己基)磺基琥珀酸的研究(专利文献4)。其中,纳米级别的微分散体溶液是通过以下方式提供的:将实质上不溶于溶剂的聚苯胺研磨微粉化至纳米级别,将此聚苯胺和对溶剂亲和性高的对甲苯磺酸(专利文献2)、十二烷基苯磺酸(专利文献3)等磺酸阴离子乳化剂作为分散剂,共分散于溶剂。并且,以溶剂中的溶解性作为目的,进行着关于掺杂了含磺酸基聚(甲基)丙烯酸酯的导电性高分子的研究(专利文献5)。
【先行技术文献】
【专利文献】
专利文献1:日本特开平7-90060号公报
专利文献2:日本特表2007-518859号公报
专利文献3:日本特开2014-075415号公报
专利文献4:日本专利第4137583号
专利文献5:日本专利第5435436号
发明内容
【发明要解决的问题】
然而,在专利文献2、3的研究中,由于作为分子大小小的掺杂剂和与各种有机溶剂的亲和性上有限制,因此存在π共轭系部分之间的堆叠抑制效果较小,无法充分地赋予溶剂分散性的课题。
专利文献4的研究中,分散性还不够充分,难以分散于广泛的极性的溶剂。
并且,专利文献5的研究中,虽然能够得到一定程度的溶剂分散性,但由于高分子掺杂剂上不均匀地生成π共轭,因此作为不溶部位的π共轭部分成为在分子内和分子间易于成为凝聚状态的结构,很多时候导电性高分子的粒径变大,难以保证分散稳定状态的课题。
本发明是鉴于这样的情况而完成的,提供一种导电性高分子用掺杂剂,通过该导电性高分子用掺杂剂可以得到在有机溶剂中具有优异的分散性的导电性高分子。
【解决课题的手段】
根据本发明,提供一种导电性高分子用掺杂剂,其特征在于,重均分子量为500以上,具有硅酮骨架且至少具有1个以上取代基的化合物,所述取代基为磺酸基或磷酸基或者它们的盐中的任一者。
本发明的发明人等,为了提高导电性高分子的溶剂分散性,进行了认真研究发现,导电性高分子用掺杂剂的重均分子量500以上,具有硅酮骨架,且具有1个以上的磺酸或磷酸或者它们的盐的化合物时,导电性高分子的溶剂分散性优异,从而完成了本发明。
以下,例示本发明的各种实施方式。以下示出的实施方式可以互相组合。
在所述导电性高分子用掺杂剂中,优选所述取代基与硅酮骨架的单末端或两末端键合。
在所述导电性高分子用掺杂剂中,所述硅酮骨架为具有以下述通式(1)表示的结构单元的化合物。
【化1】
[式中,这里,n表示2~200的整数,各R独立地表示碳原子数为3以下的烷基或未经取代或经取代的苯基。]
在所述导电性高分子用掺杂剂中,优选所述重均分子量为500~20000。
根据本发明,提供一种导电性高分子,其包含所述导电性高分子用掺杂剂、以及π共轭系高分子。
在所述导电性高分子中,优选为所述π共轭系高分子是将选自噻吩、苯胺、吡咯以及它们的衍生物中的至少1个单体进行聚合而构成的。
根据本发明,提供一种导电性高分子的分散液,其是使所述的导电性高分子分散于有机溶剂而得。
根据本发明,提供一种导电性高分子的制造方法,具备:准备所述导电性高分子用掺杂剂的步骤;准备包含所述导电性高分子用掺杂剂和π共轭系高分子的单体的混合物的步骤;聚合所述混合物的步骤。
具体实施方式
以下,对本发明的实施方式进行说明。以下示出的实施方式中例示的各种特征事项可以互相组合。并且,各特征事项独立地使发明成立。
<1.导电性高分子用掺杂剂A>
本发明的导电性高分子用掺杂剂是重均分子量500以上,具有硅酮骨架,并至少具有一个以上的磺酸基或磷酸基或者它们的盐、即取代基的化合物(以下,称为导电性高分子用掺杂剂A)。即,通过上述构成,能够得到有机溶剂中的溶解性。并且,导电性高分子用掺杂剂A在化合物中具有亲水性基团的部位和疏水性基团的部位,但通过上述构成,无论是极性溶剂、非极性溶剂,均能够得到广泛种类的溶剂中的溶解性。
<1.1重均分子量>
本发明的导电性高分子用掺杂剂A的重均分子量为500以上,优选为1000以上,更优选为2000以上。此时,掺杂剂A本身的溶剂溶解性变的良好,且提高利用该掺杂剂A制作的导电性高分子的有机溶剂中的分散性。掺杂剂A的重均分子量优选为20000以下,更优选为15000以下,进一步优选为10000以下。此时,可以得到导电性高分子的合成时的聚合领域(水溶性)中的溶解性以及导电性高分子的溶剂分散性。掺杂剂A的重均分子量,具体而言例如为500、1000、1500、2000、2500、3000、3500、4000、4500、5000、5500、6000、7000、8000、9000、10000、12000、14000、16000、18000、20000,也可以在上述任意2个数值之间的范围内。
导电性高分子用掺杂剂的重均分子量例如可利用GPC(凝胶渗透色谱)来测定。
<1.2硅酮骨架>
导电性高分子用掺杂剂A若是在主链具有硅酮骨架,则没有特别限定,例如可列举具有由下述的通式(1)表示的结构单元的化合物等。
【化1】
[式中,这里n表示2~200的整数,各R独立地表示碳原子数为3以下的烷基或未经取代或者经取代的苯基。]
这里,烷基优选为甲基,更优选为通过使各R皆为甲基,可以抑制导电性高分子的凝聚,确保更优异的溶剂分散性,因而优选。n值为2~200,优选为2~120,更优选为2~60。
<1.3取代基>
导电性高分子用掺杂剂A作为取代基,若至少具有1个磺酸基或磷酸基或者它们的盐,则没有特别限定。即,导电性高分子用掺杂剂通过具有上述取代基,可得到水溶性,使水中的导电性高分子进行聚合,且同时能够进行掺杂。这里,取代基更优选为磺酸基。
作为上述磺酸盐或磷酸盐,例如可列举磺酸钠、磺酸钾等磺酸金属盐或磺酸氨盐、磺酸吡啶盐等或磷酸钠、磷酸钾等磷酸金属盐或磷酸氨盐等。
导电性高分子用掺杂剂A优选为取代基数为1个或2个。更优选所述取代基键合于硅酮骨架的单末端或两末端。即,若为这样的化合物,则作为导电性高分子用掺杂剂掺杂时能够抑制得到的导电性高分子的凝聚,并抑制导电性高分子的粒径变大,能够得到对于有机溶剂的高分散性。为了得到更优异的溶剂分散性,优选所述取代基键合于硅酮骨架的单末端。
<1.4导电性高分子用掺杂剂A的合成>
导电性高分子用掺杂剂A的合成路线没有特别限定,能够向导电性高分子用掺杂剂中的一部分被有机基改性的化合物引入磺酸基或其盐、或者磷酸基或其盐即可。例如可列举,向硅酮化合物的一部分被环氧基、甲醇基、二醇基、甲基丙烯酸基、羧基、聚醚基、胺基、巯基、苯酚、硅烷醇基、丙烯酸基等改性的化合物引入磺酸基或磷酸基或者它们的盐的合成路线等。
导电性高分子用掺杂剂A例如可以如下合成。即,重均分子量500以上,将具有硅酮骨架的化合物(例如,单末端环氧基有机硅氧烷(信越化学工业制造的X-22-173BX))、2-巯基乙磺酸钠、异丙醇、三乙胺进行混合,在加热回流下进行规定时间(例如为15小时)的反应,在反应物加水,并通过减压蒸馏来去除异丙醇,从而利用磺酸化合物的乳化液得到导电性高分子用掺杂剂A。这里,有机取代基的键合位置不限于单末端,也可以在两末端键合。
<2.导电性高分子>
本发明的导电性高分子包含导电性高分子用掺杂剂A、以及π共轭系高分子。该导电性高分子具有溶剂分散性。这里,关于导电性高分子用掺杂剂,若在本发明的掺杂剂A的构成的范围内,则可以进行适当变更。
并且,所述高分子用掺杂剂A之外,可以并用在导电性高分子的领域通常使用的掺杂剂。
在导电性高分子的领域通常使用的掺杂剂一般为电子接受性的物质,例如可利用卤素、路易斯酸、质子酸、过渡金属卤化物等。除所述导电性高分子用掺杂剂A之外,将上述通常的掺杂剂作为导电性高分子用掺杂剂B并用时,掺杂剂A和掺杂剂B可以以任意比例并用,根据目的进行适当的选择。
所述π共轭系高分子是指,通过π共轭系高分子的单体的聚合而得到的高分子,具体而言可列举聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、聚3,4-亚乙基二氧噻吩、聚3-甲氧基噻吩、聚3,4-二甲氧基噻吩、聚3-己基噻吩、聚3-甲基吡咯、聚3-甲基噻吩、聚邻甲苯胺、聚邻茴香胺、聚邻-乙基苯胺、聚仲丁基苯胺等。
并且,π共轭系高分子的数平均分子量通常为1000~300000。若在该范围内,则不限定用途而作为导电性高分子来利用,因而优选。该数平均分子量是指,使掺杂成分脱离后,利用π共轭系高分子骨架可溶的溶剂,以GPC测定的値,也是包括了掺杂脱离行程(碱处理或电解等)时的π共轭系高分子的分解等的参考值。
本发明的导电性高分子具有在聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯等π共轭系高分子进行掺杂而得到的导电性高分子所具有的导电率(10-6[S/cm]以上)和同等以上的导电率,可适用于要求导电性的部分,不特别限定用途。导电性高分子的导电率具体而言例如呈现在10-6~10-1[S/cm]的范围内的导电率即可,也可以呈现比该范围的导电率更高的导电率。并且,导电性高分子的导电率也可以选自10-6、10-5、10-4、10-3、10-2、10-1[S/cm]的数值中的任意2个之间的范围内。其中,实际利用中,从呈现稳定性能的观点考虑,优选呈现10-3[S/cm]以上的导电率。
并且,本发明的导电性高分子可以和本发明的导电性高分子之外的高分子并用。这里,作为高分子没有特别限定,可适用公知的高分子,例如可列举丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、聚酯树脂、环氧树脂等各种树脂。
<3.导电性高分子的分散液>
本发明的导电性高分子可以稳定地分散于甲基乙基酮、甲基异丁基酮、丙酮等の酮系溶剂、乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯系溶剂、甲苯等芳香族系溶剂、四氢呋喃等醚系溶剂等。这里,从使本发明的导电性高分子更稳定地分散,且作为各种溶剂系树脂通用溶剂使用的观点考虑,优选分散于甲基乙基酮、乙酸乙酯。
导电性高分子的分散液例如可以如下进行准备。在投入有上述的溶剂等的容器,利用分散机进行剪断并投入本发明的导电性高分子,从而制备分散液。这里,可以一次性进行导电性高分子的投入,也可以分为多次来投入。一次性投入能使分散时间缩短,因而优选。并且,也可以同时投入溶剂和导电性高分子制备分散液。作为分散机,可使用高速搅拌机、高压均质机、超声波均质机等。
在通过上述过程得到的导电性高分子的分散液中,可使用促进高导电化的助剂或用于提高分散稳定性的分散剂、除此之外,均化剂、增塑剂、润湿剂、增稠剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂、填充剂、防锈剂、颜料等各种通用添加剂。
<4.导电性高分子的制造方法>
本发明的导电性高分子的制造方法具备:准备所述导电性高分子用掺杂剂A的步骤;准备包含所述导电性高分子用掺杂剂A和π共轭系高分子单体的混合物的步骤;将所述混合物进行聚合的步骤。即,本发明的导电性高分子可以在π共轭系高分子的单体聚合时,掺杂所述导电性高分子用掺杂剂A而得到。结果,可以抑制导电性高分子的凝聚,可得到有机溶剂(例如无论极性、非极性,乙酸乙酯、甲基乙基酮、甲苯等)中稳定的分散性。
本发明的导电性高分子例如可以如下进行合成。即,将所述π共轭系高分子的单体(例如噻吩)、导电性高分子用掺杂剂A、浓盐酸、硫酸铁进行混合,控制为保持规定温度(例如30℃)并搅拌规定时间之后,历经规定时间(例如1小时)滴下过硫酸铵等氧化剂,进行数个小时(例如5小时)的氧化聚合,得到聚合物。接着,利用规定方法固液分离反应液,得到导电性高分子的湿料品。接着,将导电性高分子的湿料品在规定时间、规定温度的条件下进行冻结干燥,可得到导电性高分子。
本发明的导电性高分子的制造方法中,对于导电性高分子用掺杂剂A,可以按照上述的方法来进行准备。
接着,通过使所述导电性高分子用掺杂剂A包含π共轭系高分子的单体,能够得到用于聚合导电性高分子的混合物。并且,也可以并用所述高分子用掺杂剂A之外的掺杂剂。
所述π共轭系高分子的单体是指可通过聚合而得到如下高分子的单体,即,能够形成π电子可共轭的结构、或者单键与多键交替连接的结构的高分子。例如可列举噻吩、苯胺、吡咯、以及它们的衍生物等单体。并且,从溶剂溶解性的观点考虑,上述单体优选具有碳原子数1~4的烷基取代基(例如甲基、乙基、丙基、丁基)以及烷氧基取代基(例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基)中的至少一方的取代基。
应予说明,作为所述π共轭系高分子的单体的聚合引发剂,例如可使用过硫酸铵、过氧化氢溶液或过氧化苯甲酰等过氧化物、氯苯醌等苯醌、三氯化铁等化学氧化剂。
本发明的导电性高分子对于已说明的所述导电性高分子用掺杂剂A和π共轭系高分子的单体的混合物,包含规定的氧化剂等添加剂,通过进行聚合反应而得到。
这里,所述π共轭系高分子的单体与所述导电性高分子用掺杂剂A的摩尔混合比优选为在π共轭系高分子的单体/导电性高分子用掺杂剂A=100/1~100/70的范围内,更优选为在π共轭系高分子的单体/导电性高分子用掺杂剂A=100/5~100/50的范围内。即,通过在π共轭系高分子的单体/导电性高分子用掺杂剂A=100/5~100/50的范围内,由于掺杂剂的空间位阻,π共轭高分子骨架彼此的堆积被抑制,可向溶剂稳定分散的同时,通过加热干燥使溶剂挥发时,π共轭高分子骨架彼此通过堆积来呈现高导电性,因而优选。
本发明的导电性高分子在聚合时,也可以将非π共轭系高分子的单体或由这些衍生的高分子、导电剂等根据需要进行适当混合。
本发明中,非π共轭系高分子是指,如所述π共轭系高分子,单键与多键交互连接的高分子之外的高分子。
作为所述非π共轭系高分子,例如可列举丙烯酸系高分子、甲基丙烯酸系高分子、聚氨酯系高分子、橡胶系高分子等热塑性树脂、苯酚系高分子等热固性树脂、热塑性弹性体等。这可以单独使用,也可以并用2种。
【实施例】
接着,关于实施例,以下与比较例一并进行说明。
<硅酮化合物的合成>
合成例1:硅酮化合物1的合成
将单末端环氧基有机硅氧烷(信越化学工业制造的X-22-173BX)30g、2-巯基磺酸钠1.98g、异丙醇23g、三乙胺0.3g进行混合,使其在加热回流下反应15小时。在反应物中加水,并通过减压蒸馏来去除异丙醇,得到了硅酮化合物1的乳化液(不挥发分量12.6%)。利用GPC测定化合物1的重均分子量,结果为3500。
合成例2:硅酮化合物2的合成
使单末端环氧基有机硅氧烷(信越化学工业制造的X-22-173DX)和2-巯基磺酸钠以与合成例1同样的顺序反应,得到了硅酮化合物2的乳化液。利用GPC测定化合物2的重均分子量,结果为5400。
合成例3:硅酮化合物3的合成
将单末端甲基丙烯酰基有机硅氧烷(信越化学工业制造的X-22-2426)15g、2-巯基磺酸钠2.08g、异丙醇48g进行混合,在氮气环境下,在加热回流下搅拌30分钟。接着,加入过氧化苯甲酰1.55g,使其反应15小时。在反应物中加水并通过减压蒸馏来去除异丙醇,得到硅酮化合物3的乳化液。利用GPC测定化合物3的重均分子量,结果为16300。
合成例4:硅酮化合物4的合成
将单末端甲基丙烯酰基有机硅氧烷(信越化学工业制造的X-22-2404)15g、2-巯基磺酸钠5.93g、异丙醇66g进行混合,在氮气环境下,在加热回流下搅拌30分钟。接着,加入过氧化苯甲酰4.12g,使其反应7小时。在反应物中加水并通过减压蒸馏来去除异丙醇,得到硅酮化合物4的乳化液。利用GPC测定化合物4的重均分子量,结果为750。
合成例5:硅酮化合物5的合成
使两末端羧甲基硅氧烷(信越化学工业制造的X-22-162C)30g、亚硫酰氯20g,在氮气环境下,在室温反应5小时,接着通过减压蒸馏来去除未反应的亚硫酰氯,使官能基变换为羧酸酰氯。使得到的羧酸酰氯物与羟乙基磺酸钠3.68g,在60℃下反应5小时,得到了硅酮化合物5的乳化液。利用GPC测定化合物5的重均分子量,结果为5600。
合成例6:硅酮化合物6的合成
将两末端硫醇有机硅氧烷(信越化学工业制造的X-22-167B)30g和磷酸2-(甲基丙烯酰氧基)乙基3.70g、异丙醇66g进行混合,在氮气环境下,在加热回流下搅拌30分钟。接着,加入过氧化苯甲酰4.27g,使其反应7小时。在反应物中加水并通过减压蒸馏来去除异丙醇,另外,利用碳酸氢钠中和,得到了硅酮化合物6的乳化液。利用GPC测定化合物6的重均分子量,结果为4100。
合成例7:硅酮化合物7的合成
将丙烯酸三异丙基硅烷基酯15g、甲基丙烯酸3-磺丙酯钾16.2g、异丙醇66g进行混合,在氮气环境下,在加热回流下搅拌30分钟。接着,加入过氧化苯甲酰16.2g,使其反应7小时。在反应物中加水并通过减压蒸馏来去除异丙醇,得到了硅酮化合物7的乳化液。利用GPC测定化合物7的重均分子量,结果为340。
将上述合成例1~7中得到的硅酮化合物1~7、作为比较对象而使用的其他化合物A~C、以及它们的结构(分子量、主链的结构、取代基等)如下所示为表1。
【表1】
化合物A:多环苯基醚的聚环氧乙烷末端磺酸系乳化剂(日本乳化剂制造的Newcol723-SF分子量1100)
化合物B:十二烷基苯磺酸钠(分子量348)
化合物C:两末端羧甲基硅氧烷(信越化学工业制造的X-22-162C,分子量4600)
利用GPC(HLC-8120GPC:TOSOH制造)在以下的条件下测定导电性高分子用掺杂剂的重均分子量。应予说明,在测定时,进行离子交换,溶解于四氢呋喃,在如下的条件下,通过标准聚环氧乙烷换算而求得。
<测定条件>
GPC柱构成:以下的5连柱
(i)TSK-GEL HXL-H(保护柱、TOSOH制造)
(ii)TSK-GEL 7000HXL(TOSOH制造)
(iii)TSK-GEL GMHXL(TOSOH制造)
(iv)TSK-GEL GMHXL(TOSOH制造)
(v)TSK-GEL G2500HXL(TOSOH制造)
样品浓度:用四氢呋喃稀释为1.0mg/cm3
流动相溶剂:四氢呋喃
流速:1.0cm3/min.
柱温度:40℃
<导电性高分子的合成>
将表1所示的硅酮化合物和其他的化合物A~C作为掺杂剂使用,进行了导电性高分子的合成。
合成例8:导电性高分子的合成
分别将在合成例1中得到的酸改性硅酮化合物1的乳化液142.5g、浓盐酸1.6g、作为π共轭系高分子的单体的乙烯二氧噻吩(EDOT)3.2g、硫酸鉄0.09g进行混合,在30℃下搅拌30分钟。接着,在上述混合物中,历经1小时滴入将过硫酸铵5.9g溶解于离子交换水50g的水溶液。接着,保持30℃的状态,使其反应5小时。将得到的反应液进行固液分离,从而得到了导电性高分子1的湿料品。在0℃下冻结干燥该湿料品24小时,得到了导电性高分子1的干燥粉末。
合成例9~19:导电性高分子的合成
利用表2所示的掺杂剂和π共轭系高分子的单体,与合成例8同样的顺序合成导电性高分子2~12,得到了各导电性高分子的干燥粉末。(导电性高分子12的聚合没有进行而无法得到)这里,任一合成例中,π共轭系高分子的单体/掺杂剂的摩尔比为100/23,为相同。将这个示于以下的表2。
【表2】
实施例1~8、比较例1~4
利用以上述的顺序合成的各导电性高分子1~11,对于溶剂分散性和导电性进行了如下评价。将其结果示于以下的表3。
<溶剂分散性的评价>
将各导电性高分子1~11相对于乙酸乙酯、甲基乙基酮、甲苯的非挥发成分呈现为1.5%的比率混合,用探头型超声波均质机进行处理,制备了各导电性高分子1~11的有机溶剂分散液。对于各有机溶剂分散液,以肉眼确认从超声波处理经过1小时后的沉淀物的方法进行评价。这里,分散处理1小时后,用定性滤纸(No.2)过滤时,无法确认凝聚物的为○、确认凝聚物的为△、超声波处理之后紧接着发生凝聚物而成为非均质液的为×。
<导电性的评价>
在溶剂分散性的评价中制作的各导电性高分子1~11的乙酸乙酯分散液滴到经清洗的玻璃基板上使干燥膜厚成为2μm之后,在90℃下加热干燥5分钟,从而制作了导电率测定样品。对于制作的样品,利用电阻率仪(三菱化学Analytech制造,Loresta GP)测定了导电率(S/cm)。
【表3】
如实施例1~8所示,导电性高分子1~8呈现从极性溶剂到非极性溶剂的广范围的一定以上的有机溶剂中的分散性和导电性。其中,实施例1、2中,对于作为优选溶剂种类的乙酸乙酯、甲基乙基酮呈现了优异的分散性的同时,呈现了高导电率。并且,掺杂剂A的重均分子量大的实施例3中,导电率下降,但呈现优异的溶剂分散性,重均分子量小的实施例4中溶剂分散性下降,但呈现了更高的导电率。在实施例5,6中,由于两末端具有官能基,相较于实施例1、2,溶剂分散性较差,但相较于比较例,呈现了足够高的溶剂分散性和导电率。实施例7、8中,即使改变π共轭系高分子的单体,也呈现了具有高溶剂分散性。
另一方面,比较例1中,掺杂剂A的重均分子量小于500,在比较例2中,由于不具有硅酮骨架,因此溶剂中的分散性非常差,因而膜质也差,导电率低或者无法测定导电率。比较例3中,分子量小于500,由于不具有硅酮骨架,因此没有溶剂分散性,因而无法进行制膜而进行导电率的评价。比较例4中,由于掺杂剂A无水溶性,因此无法适当地进行导电性高分子的聚合而无法进行评价。
Claims (8)
1.一种导电性高分子用掺杂剂,其是重均分子量为500以上、具有硅酮骨架且至少具有1个以上取代基的化合物,所述取代基为磺酸基或磷酸基或者它们的盐中的任一者。
2.根据权利要求1所述的导电性高分子用掺杂剂,其中,
所述取代基与所述硅酮骨架的单末端或两末端键合。
3.根据权利要求1或2所述的导电性高分子用掺杂剂,其中,
所述硅酮骨架为具有以下述通式(1)表示的结构单元,
【化1】
式中,n表示2~200的整数,各R独立地表示碳原子数为3以下的烷基或者未经取代或经取代的苯基。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的导电性高分子用掺杂剂,其中,
所述重均分子量为500~20000。
5.一种导电性高分子,其包含权利要求1~4中任一项所述的所述导电性高分子用掺杂剂、以及π共轭系高分子。
6.根据权利要求5所述的导电性高分子,其中,
所述π共轭系高分子是将选自噻吩、苯胺、吡咯以及它们的衍生物的至少1个单体进行聚合而构成的。
7.一种导电性高分子的分散液,其是使权利要求5或6所述的导电性高分子分散于有机溶剂而得。
8.一种导电性高分子的制造方法,具备:
准备权利要求1~4中任一项所述的所述导电性高分子用掺杂剂的步骤;
准备包含所述导电性高分子用掺杂剂和π共轭系高分子的单体的混合物的步骤;以及
聚合所述混合物的步骤。
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