CN109979963A - 显示装置和电致发光显示器 - Google Patents

显示装置和电致发光显示器 Download PDF

Info

Publication number
CN109979963A
CN109979963A CN201811228229.5A CN201811228229A CN109979963A CN 109979963 A CN109979963 A CN 109979963A CN 201811228229 A CN201811228229 A CN 201811228229A CN 109979963 A CN109979963 A CN 109979963A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
substrate
opening portion
tft
display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811228229.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109979963B (zh
Inventor
余准镐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Priority to CN202310927489.6A priority Critical patent/CN116709827A/zh
Priority to CN202310932698.XA priority patent/CN116709829A/zh
Priority to CN202310928030.8A priority patent/CN116709828A/zh
Publication of CN109979963A publication Critical patent/CN109979963A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109979963B publication Critical patent/CN109979963B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/32—Additional lead-in metallisation on a device or substrate, e.g. additional pads or pad portions, lines in the scribe line, sacrificed conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/70—Testing, e.g. accelerated lifetime tests
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851—Division of substrate
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404—Matrix technologies
    • G09G2300/0408—Integration of the drivers onto the display substrate
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

公开了一种显示装置和电致发光显示器，该显示装置可以包括：基板，该基板包括显示区和与该显示区相邻的非显示区；薄膜晶体管，该薄膜晶体管设置在所述显示区中；集成驱动器，该集成驱动器设置在所述非显示区中，并且与所述薄膜晶体管电连接；多个测试线，所述多个测试线设置在所述非显示区中，所述多个测试线与所述集成驱动器连接并且彼此间隔开；以及开口部分，该开口部分被设置成暴露所述基板的上表面，并且通过去除设置在所述多个测试线之间的区域中的多个无机绝缘层来获得。

Description

显示装置和电致发光显示器
技术领域
本公开的实施方式涉及电致发光显示器，并且更具体地说，涉及能够防止因激光修整工序而使显示板损坏或破裂的显示装置和电致发光显示器。
背景技术
近来，已经被开发和使用了各种显示装置，例如，液晶显示器(LCD)、诸如有机发光显示器(OLED)和量子点发光显示器(QLED)的电致发光显示器(EL)、以及电泳显示器(ED)。
电致发光显示器(EL)是自发光显示装置。电致发光显示器(EL)设置有用于注入电子的阴极和用于注入空穴的阳极。当在阴极生成的电子和在阳极生成的空穴被注入发射层的内部时，因电子和空穴的结合而生成激子。然后，当激子从激发态下降到基态时，电致发光显示器(EL)发射光。
根据光发射方向，电致发光显示器(EL)可以分类成顶发射型、底发射型以及双发射型。根据驱动方法，电致发光显示器(EL)可以分类成无源矩阵型和有源矩阵型。
与液晶显示器(LCD)不同，电致发光显示器(EL)可以被制造得轻且薄，因为其不需要分离的光源。而且，电致发光显示器(EL)因低电压驱动而就功耗而言是有利的，并且对于颜色实现、响应速度、视角以及对比度(CR)来说优越，由此，电致发光显示器(EL)已被研究作为下一代的显示器。
电致发光显示器(EL)可以根据使用环境和目的而设计成各种形状。例如，可以将电致发光显示器(EL)制造成各种形状，从典型的矩形形状到具有部分弯曲表面的圆形或椭圆形或诸如凹口部分的差异化部分。
如果显示装置具有这样的显示板，即，其具有差异化部分或圆形或椭圆形显示板，则可以改进设计方面的自由度，其吸引了重视产品设计的客户。
为了获得具有差异化部分的显示板，其不可避免地需要激光修整工序。当显示板被激光修整工序加以处理时，在显示板的基板上的绝缘层中可能会发生破裂。在这种情况下，湿气可能会渗透到裂缝中。
发明内容
电致发光显示器易受潮。因此，如果湿气渗透到电致发光显示器的内部，那么电致发光显示器的金属电极被氧化或发射层变形，使得其可以造成寿命缩短和图片质量劣化(如像素收缩和暗点)的问题。
当金属电极与发射层之间的边界表面因湿气渗透而被氧化或变形时，其可能导致像素收缩，也就是说，像素的边缘首先变成黑色。如果像素收缩长时间保持，那么整个像素区变成黑色，其导致暗点，从而劣化电致发光显示器的可靠性。
在现有技术电致发光显示器中，湿气可能渗透通过因制造具有带有差异化部分的显示板或圆形或椭圆形显示板的电致发光显示器的工序而产生的损坏部分或破裂，由此可能引起与诸如像素收缩或暗点的图片质量劣化有关的问题。为了克服这些问题，已经研究了各种方法。
为了实现具有差异化部分的显示板，可以在显示板中执行使用激光的修整工序。在这种情况下，本发明人已经发明了这样一种电致发光显示器，即，其有助于减少显示板的基板上的无机绝缘层中的损坏或破裂。
为了防止因修整工序而在显示板中造成的损坏或破裂，可以通过去除显示板的修整线上的无机绝缘层来形成开口部分。在这种情况下，本发明人发明了能够防止无机绝缘层分离的电致发光显示器。
因此，本公开的实施方式致力于提供一种基本上消除因现有技术的局限性和缺点而造成的一个或更多个问题的电致发光显示器。
本公开的实施方式的一个方面是致力于提供这样一种电致发光显示器，即，其通过去除显示板的修整线上的无机绝缘层而便于形成开口部分，从而防止显示板的基板上的绝缘层中的损坏或破裂。
本公开的实施方式的另一方面是致力于提供这样一种电致发光显示器，即，其中通过去除修整线上的无机绝缘层来形成开口部分，以防止因修整工序而造成显示板中的损伤或破裂，并且将有机膜设置在所述开口部分的收缩边缘中，由此防止湿气渗入暴露在收缩开口部分中的无机绝缘层。
为实现这些和其它优点并且根据本公开的实施方式的目的，如在此具体实施和广泛描述的，提供了一种电致发光显示器，其可以包括：基板，该基板包括显示区和与该显示区相邻的非显示区；薄膜晶体管，该薄膜晶体管设置在所述显示区中；集成驱动器，该集成驱动器设置在所述非显示区中，并且与所述薄膜晶体管电连接；多个测试线，所述多个测试线与所述集成驱动器连接并且彼此间隔开；以及开口部分，该开口部分被设置成暴露所述基板的上表面，并且通过去除设置在所述多个测试线之间的区域中的多个无机绝缘层来获得。
在本公开一实施方式的另一方面中，提供了一种电致发光显示装置，其可以包括：基板，该基板具有显示区和非显示区，薄膜晶体管，该薄膜晶体管设置在所述显示区上，以及发光二极管，该发光二极管在其间插置有保护绝缘层与第一平坦化层的条件下与所述薄膜晶体管连接，其中，所述非显示区包括：与所述显示区的所述薄膜晶体管电连接的集成驱动器，与所述集成驱动器连接并且延伸至所述基板的最外侧线的多个测试线，以及开口部分，该开口部分与所述基板的所述最外侧线交叠，并且被设置成，通过去除设置在彼此间隔开的所述多个测试线之间的区域中的多个无机绝缘层来暴露所述基板的上表面。
要明白的是，本公开的实施方式的前述一般描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对如要求保护的本公开的进一步阐释。
附记1.一种显示装置，该显示装置包括：
基板，该基板包括显示区和与该显示区相邻的非显示区；
薄膜晶体管，该薄膜晶体管设置在所述显示区中；
集成驱动器，该集成驱动器设置在所述非显示区中，并且与所述薄膜晶体管电连接；
多个测试线，所述多个测试线设置在所述非显示区中，所述多个测试线与所述集成驱动器连接并且彼此间隔开；以及
开口部分，该开口部分被配置成暴露所述基板的上表面，并且通过去除设置在所述多个测试线之间的区域中的多个无机绝缘层来获得所述开口部分。
附记2.根据附记1所述的显示装置，其中，所述多个测试线设置在所述基板的一端部与所述集成驱动器之间。
附记3.根据附记1所述的显示装置，其中，所述开口部分设置在所述基板的一端部与所述集成驱动器之间。
附记4.根据附记1所述的显示装置，所述显示装置还包括：有机膜，该有机膜被设置成覆盖所述开口部分的边缘。
附记5.根据附记4所述的显示装置，其中，所述有机膜覆盖所述开口部分的所述边缘中的、所述基板与所述多个无机绝缘层当中的最下侧的无机绝缘层之间的边界表面。
附记6.根据附记5所述的显示装置，其中，所述有机膜覆盖所述开口部分的所述边缘中的所述多个无机绝缘层的侧表面。
附记7.根据附记6所述的显示装置，其中，所述多个无机绝缘层包括：缓冲绝缘层、栅极绝缘层、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层以及保护绝缘层。
附记8.根据附记7所述的显示装置，
其中，所述薄膜晶体管包括：半导体层，所述半导体层设置在所述缓冲绝缘层上；栅极，在所述栅极与所述半导体层之间插置有所述栅极绝缘层的条件下所述栅极与所述半导体层交叠；所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层，所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层设置在所述栅极上；以及源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述第二层间绝缘层上并且与所述半导体层连接，并且
所述保护绝缘层设置在所述薄膜晶体管上。
附记9.根据附记7所述的显示装置，其中，所述有机膜覆盖所述开口部分的所述边缘中的、所述基板与所述缓冲绝缘层之间的所述边界表面。
附记10.根据附记7所述的显示装置，其中，所述有机膜延伸以覆盖所述开口部分的所述边缘中的所述缓冲绝缘层、所述栅极绝缘层、所述第一层间绝缘层、所述第二层间绝缘层以及所述保护绝缘层的侧表面。
附记11.根据附记10所述的显示装置，其中，所述多个测试线设置在所述第二层间绝缘层和所述保护绝缘层之间。
附记12.根据附记3所述的显示装置，其中，所述基板的所述端部对应于修整线。
附记13.根据附记12所述的显示装置，所述显示装置还包括测试焊盘，所述测试焊盘设置在所述非显示区中，其中，所述测试焊盘设置在所述修整线的外围并且彼此间隔开。
附记14.根据附记13所述的显示装置，其中，所述多个测试线连接所述集成驱动器和所述测试焊盘，以在所述显示区中形成的像素中执行点亮测试工序。
附记15.根据附记12所述的显示装置，其中，所述修整线与所述多个测试线垂直，使得所述多个测试线能够在点亮测试工序之后被切割。
附记16.根据附记12所述的显示装置，其中，所述开口部分与所述修整线交叠。
附记17.根据附记7所述的显示装置，所述显示装置还包括平坦化层，所述平坦化层被设置为覆盖所述开口部分的所述边缘。
附记18.一种电致发光显示器，该电致发光显示器包括：基板，该基板具有显示区和非显示区；薄膜晶体管，该薄膜晶体管设置在所述显示区上；以及发光二极管，该发光二极管在所述发光二极管和所述薄膜晶体管之间插置有保护绝缘层与第一平坦化层的条件下与所述薄膜晶体管连接，
其中，所述非显示区包括：
集成驱动器，该集成驱动器与所述显示区的所述薄膜晶体管电连接；
多个测试线，所述多个测试线与所述集成驱动器连接并且延伸至所述基板的最外侧线；以及
开口部分，该开口部分与所述基板的所述最外侧线交叠，并且被配置成通过去除设置在彼此间隔开的所述多个测试线之间的区域中的多个无机绝缘层来暴露所述基板的上表面。
附记19.根据附记18所述的电致发光显示器，其中，所述基板的所述最外侧线对应于修整线。
附记20.根据附记19所述的电致发光显示器，所述电致发光显示器还包括测试焊盘，所述测试焊盘设置在所述非显示区中，其中，所述测试焊盘设置在所述修整线的外围并且彼此间隔开。
附记21.根据附记20所述的电致发光显示器，其中，所述多个测试线连接所述集成驱动器和所述测试焊盘，以在所述显示区中形成的像素中执行点亮测试工序。
附记22.根据附记19所述的电致发光显示器，其中，所述修整线与所述多个测试线垂直，使得所述多个测试线能够在点亮测试工序之后被切割。
附记23.根据附记19所述的电致发光显示器，所述电致发光显示器还包括：有机膜，该有机膜被设置成覆盖所述开口部分的边缘。
附记24.根据附记23所述的电致发光显示器，其中，所述有机膜覆盖所述开口部分的所述边缘中的、所述基板与所述多个无机绝缘层当中的最下侧的无机绝缘层之间的边界表面，并且所述有机膜延伸以覆盖所述多个无机绝缘层的侧表面。
附记25.根据附记24所述的电致发光显示器，其中，所述多个无机绝缘层包括：缓冲绝缘层、栅极绝缘层、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层以及保护绝缘层。
附记26.根据附记25所述的电致发光显示器，
其中，所述薄膜晶体管包括：半导体层，所述半导体层设置在所述缓冲绝缘层上；栅极，在所述栅极与所述半导体层之间插置有所述栅极绝缘层的条件下所述栅极与所述半导体层交叠；所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层，所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层设置在所述栅极上；以及源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述第二层间绝缘层上并且与所述半导体层连接，并且
所述保护绝缘层设置在所述薄膜晶体管上。
附记27.根据附记26所述的电致发光显示器，其中，所述测试线设置在与所述薄膜晶体管的所述源极以及所述漏极相同的层中，并且由与所述薄膜晶体管的所述源极以及所述漏极相同的材料形成。
附记28.根据附记24所述的电致发光显示器，所述电致发光显示器还包括：第二平坦化层，该第二平坦化层设置在所述第一平坦化层上，
其中，所述有机膜由所述第一平坦化层和所述第二平坦化层中的至少一个平坦化层形成。
附图说明
附图被包括进来以提供对本公开的实施方式的进一步理解，并且被并入并构成本的一部分，例示了本公开的实施方式，并与本描述一起用于说明本公开的实施方式的原理。在图中：
图1是例示根据本公开一实施方式的电致发光显示器的框图；
图2是例示图1所示像素(P)结构的电路图；
图3是例示图1所示像素(P)结构的截面图；
图4是例示图1的“X”的放大平面图；
图5A是图4的沿I-I’的截面图；
图5B是图4的沿II-II’的截面图；
图6是例示图1的“X”的放大平面图；
图7A是图6的沿I-I’的截面图；并且
图7B是图6的沿II-II’的截面图。
具体实施方式
本公开的优点和特征，及其实现方法通过下面参照附图描述的实施方式而清楚。然而，本公开可以按不同形式具体实施，而不应解释为对在此阐述的实施方式进行限制。相反地，提供这些实施方式，以使本公开透彻和完整，并且向本领域技术人员全面表达本公开的范围。而且，本公开仅根据权利要求书的范围来限定。
在用于描述本公开的实施方式的图中公开的形状、尺寸、比率、角度，以及数字仅仅是示例，并由此，本公开不限于所示细节。贯穿全文，相同标号指相同部件。在下面的描述中，如果相关已知功能或构造的详细描述被确定成不必要地模糊本公开的重要点，则省略该详细描述。对于使用本规范中描述的“包含(comprise)”、“具有(have)”，以及“包括(include)”的情况来说，可以添加另一部分，除非使用“唯一(only)”。单数形式的术语可以包括复数形式，除非所指相反。
在构造一部件时，该部件被视为包括误差区，尽管没有明确描述。
在描述位置关系方面，例如，当位置次序被描述为“在…之上”、“在…上方”、“在…下面”，以及“紧接着(next)”时，可以包括不接触的情况，除非使用“刚才”或“直接”。
在描述时间关系方面，例如，当时间顺序被描述为“在…之后”、“随后的”、“接着的”，以及“在…之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用“刚才”或“直接”。
应当明白，尽管术语“第一”、“第二”等在此可以被用于描述各个组件，但这些部件不应受限于这些术语。这些术语仅被用于区别一个部件与另一部件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一部件可以被称作第二部件，并且类似地，第二部件可以被称作第一部件。
本公开的不同实施方式的特征可以部分或者总体上彼此耦接或组合，并且如本领域技术人员可以充分理解地，可以彼此不同地互操作和技术上驱动。本公开的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以按相互依赖关系一起执行。
下面，参照附图，对根据本公开该实施方式的电致发光显示器进行描述。
图1是例示根据本公开一实施方式的电致发光显示器的框图。图2是例示图1所示像素(P)结构的电路图。图3例示了一截面图，其例示了图1的像素(P)中的薄膜晶体管、存储电容器以及发光二极管。
参照图1，根据本公开实施方式的电致发光显示器可以包括：显示板10、第一选通驱动器21、第二选通驱动器22，以及集成驱动器30。集成驱动器30可以包括数据驱动器、电平移位器以及定时控制器。
显示板10可以包括用于显示信息的显示区(AA)和除了显示板10的显示区(AA)之外的非显示区。非显示区可以被限定为其上不显示信息的区域。显示区(AA)可以是显示输入图像的区域，并且可以被限定为其上多个像素(P)以矩阵配置排列的区域。
显示区(AA)包括：数据线(D1～Dn，“n”是2或大于2的整数)、选通线(G1～Gn，“n”是2或大于2的整数)，并且像素(P)可以形成在显示板10上。数据线(D1～Dn)可以垂直于选通线(G1～Gn)。像素(P)可以与数据线(D1～Dn)中的任一个和选通线(G1～Gn)中的任一个连接。第一选通驱动器21、第二选通驱动器22以及集成驱动器30可以设置在非显示区中。数据驱动器，电平移位器以及定时控制器可以形成为一个集成电路(IC)，如图1的集成驱动器30所示，但不限于此。例如，数据驱动器、电平移位器以及定时控制器中的每一个都可以形成为单独的集成电路。集成驱动器30可以通过玻璃上芯片(COG)方法或塑料上芯片(COP)方法直接放置到显示板10上。
在非显示区中，存在用于将第一选通驱动器21和第二选通驱动器22与设置在显示区(AA)中的选通线(G1～Gn)电连接的选通链接线(GL1～GLn)，和用于将集成驱动器30与设置在显示区(AA)中的数据线(D1～Dn)电连接的数据链接线(DL1～DLn)。而且，用于向显示板10的像素(P)供应对应于高电位电压的第一电源(Vdd)的第一电源链接线(VDL1～VDLn)可以设置在非显示区中。而且，用于向显示板10的像素(P)供应对应于低电位电压的第二电源(VSS)的第二电源线(VSL)可以设置在非显示区中。
第一选通驱动器21和第二选通驱动器22可以通过选通链接线(GL1～GLn)与选通线(G1～Gn)连接，由此第一选通驱动器21和第二选通驱动器22可以将选通信号提供给选通线(G1～Gn)。
第一选通驱动器21和第二选通驱动器22可以以板内选通驱动器(GIP)方法形成在非显示区上。例如，如图1所示，第一选通驱动器21可以与显示区(AA)的一侧相邻地设置，并且第二选通驱动器22可以与显示区(AA)的另一侧相邻地设置。可以省略第一选通驱动器21和第二选通驱动器22中的任一个。在这种情况下，一个选通驱动器可以与显示区(AA)的一侧相邻地设置。
电平移位器可以将起始电压的电压电平和从定时控制器提供的时钟信号电平移位至能够开关形成在显示板10中的薄膜晶体管的栅极导通电压(Von)和栅极截止电压(Voff)。电平移位器可以通过时钟线(CL)将电平移位的时钟信号提供给第一选通驱动器21和第二选通驱动器22，并且可以通过起始线(STL)将电平移位的起始信号提供给第一选通驱动器21和第二选通驱动器22。时钟线(CL)和起始线(STL)对应于用于传送与选通控制信号相对应的起始信号和时钟信号的线。在本公开中，时钟线(CL)和起始线(STL)可以被称为选通控制线。
数据线(D1～Dn)可以通过数据链接线(DL1～DLn)与集成驱动器30连接。可以向数据线(D1～Dn)提供来自集成驱动器30的定时控制器的数字视频数据和数据控制信号。集成驱动器30可以根据数据控制信号将数字视频数据转换成模拟数据电压。集成驱动器30可以将模拟数据电压提供给数据线(D1～Dn)。
可以向集成驱动器30的定时控制器提供来自外部系统板的数字视频数据和定时信号。定时信号可以包括垂直同步信号、水平同步信号以及数据使能信号。
集成驱动器30的定时控制器可以基于定时信号生成用于控制第一选通驱动器21和第二选通驱动器22的操作定时的选通控制信号。集成驱动器30的定时控制器可以生成用于控制集成驱动器30中的数据驱动器的操作定时的数据控制信号。
根据本公开的实施方式的电致发光显示器的显示板10可以包括设置在非显示区中的测试焊盘(TP)和测试线(TL)。测试焊盘(TP)可以在修整线(TRIM)的外围制备。所述多个测试焊盘(TP)可以在修整线(TRIM)的外围中被制备的同时彼此间隔开。所述多条测试线(TL)可以彼此间隔开，并且所述多条测试线(TL)可以分别与所述多个测试焊盘(TP)连接。要利用修整工序执行的修整线(TRIM)可以垂直于测试线(TL)，使得测试线(TL)能够在点亮测试工序之后被切割。
测试线(TL)可以将集成驱动器30和测试焊盘(TP)彼此电连接。测试线(TL)将集成驱动器30和测试焊盘(TP)彼此连接，以在形成在显示板10的显示区(AA)中的像素(P)中执行点亮测试工序，其中，在像素(P)的点亮测试工序之后，测试线(TL)不被用作信号线。
测试焊盘(TP)可以通过修整工序与显示板10分离。测试线(TL)可以通过修整工序来切割。
根据通过修整工序沿显示板10上限定的修整线(TRIM)切割显示板10，如图1所示，可以制造具有带凹口部分的差异化显示板的电致发光显示器。设置在修整线(TRIM)外围的测试焊盘(TP)可以通过修整工序去除。限定在显示板10上的修整线(TRIM)垂直于测试线(TL)，使得测试线(TL)可以通过修整工序来加以切割。
在根据本公开该实施方式的电致发光显示器中，将设置在显示板10的非显示区中的、通过修整工序切割的所述多条测试线(TL)中的每条测试线(TL)之间的区域中的无机绝缘层被去除，使得可以防止显示板10中的损坏或破裂。例如，将设置在测试线(TL)与要利用修整工序执行的修整线(TRIM)的交叉区域中的无机绝缘层从彼此间隔开的所述多个测试线(TL)中的每一个之间的区域去除，使得可以防止无机绝缘层被修整工序损坏或破裂，并且防止湿气渗透通过在无机绝缘层中生成的裂缝。参照图4以及图5A和5B，对从与修整线(TRIM)相对应的区域去除无机绝缘层的工序进行详细描述。
在根据本公开该实施方式的电致发光显示器中，显示板10可以包括：用于生成诸如用于驱动像素(P)的第一电源(VDD)和第二电源(VSS)的多个电源电压的电源供应部分，用于驱动第一选通驱动器21和第二选通驱动器22的诸如栅极导通电压(Von)和栅极截止电压(Voff)的选通驱动电压，用于驱动数据驱动器的源极驱动电压，以及用于驱动定时控制器的控制驱动电压。
图2是例示电致发光显示器的像素(P)结构的电路图。
参照图2，每个像素(P)可以包括开关晶体管(SW)、驱动晶体管(DT)、补偿电路(CC)以及发光二极管(LED)。根据由驱动晶体管(DT)形成的驱动电流驱动发光二极管(LED)以发光。在像素(T)结构中，发光二极管可以包括诸如有机发光二极管(OLED)或量子点发光二极管(QLED)的无机发光二极管。
开关晶体管(SW)可以响应于通过选通线(G1～Gn)提供的选通脉冲，将从数据线(D1～Dn)提供的数据电压存储在存储电容器(Cst)中。驱动晶体管(DT)根据存储电容器(Cst)中充入的电压的电平来控制提供给发光二极管(LED)的电流量，从而控制发光二极管(LED)的发光水平。发光二极管(LED)中的发光亮度可以与从驱动晶体管(DT)供应的驱动电流成比例。
补偿电路(CC)补偿驱动晶体管(DT)的迁移率和阈值电压，其中，该补偿电路(CC)可以通过组合至少一个薄膜晶体管来获得，但不限于这种结构。
在根据本公开的实施方式的电致发光显示器的显示板10中，可以通过第一电源线(VDL1～VDLn)向像素(P)提供与高电位电压相对应的第一电源(VDD)，并且可以通过第二电源线(VSL)向像素(P)提供与低电位电压相对应的第二电源(VSS)。
用于像素(P)的薄膜晶体管(TFT)可以按p型或n型形成。用于像素(P)的TFT的半导体层可以包括非晶硅、多晶硅或氧化物。发光二极管(LED)可以包括介于阳极电极与阴极电极之间的发光结构。阳极电极可以与驱动晶体管(DT)连接。发光结构可以包括发射层(EML)，其中，空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)可以设置在相对于发射层(EML)的一侧，而电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)可以是设置在相对于发射层(EML)的另一侧。
图2所示的像素(P)结构的电路图示出了电致发光显示器的一实施方式，但不限于图2所示电路图的实施例。
图3是图1所示像素(P)的截面图。在图3中，显示板10的像素(P)包括具有阳极电极250、发射结构260以及阴极电极270的发光二极管(LED)。
参照图3，缓冲绝缘层110可以设置在基板(SUB)的一个表面上。基板(SUB)可以是塑料膜或玻璃基板，但不限于此。缓冲绝缘层110可以形成在基板(SUB)的一个表面上，以保护薄膜晶体管210和发射结构260免受湿气渗透，其中，湿气可以渗透通过易受潮湿的基板(SUB)。缓冲绝缘层110可以通过交替地淀积多个无机膜而由单层结构或多层结构形成。缓冲绝缘层110可以由无机绝缘层形成。例如，缓冲绝缘层110可以由氧化硅膜(SiOx)或氮化硅膜(SiNx)的单层结构形成，或者由氧化硅膜(SiOx)和氮化硅膜(SiNx)的多层结构形成。根据基板(SUB)的种类和材料，以及薄膜晶体管210的结构和特性，可以省略缓冲绝缘层110。
然后，薄膜晶体管210和电容器220可以形成在缓冲绝缘层110上。
薄膜晶体管210可以包括：有源层211、栅极212、源极213，以及漏极214。图3示出了顶栅极方法，其中，薄膜晶体管210的栅极212设置在有源层211上方，但不限于顶栅极方法。例如，薄膜晶体管210可以以其中栅极212被设置在有源层211下方的底栅极方法或者其中栅极212被设置在有源层211的上方和下方的双栅极方法来形成。
电容器220可以包括：第一电容器电极221、第二电容器电极222、第三电容器电极223以及第四电容器电极224。
如图3所示，有源层211可以设置在缓冲绝缘层100上。有源层211可以由基于硅的半导体材料或基于氧化物的半导体材料形成。在缓冲绝缘层110与有源层211之间，可以存在用于遮挡入射在有源层221上的环境光的附加设置的遮光层。
栅极绝缘层120可以形成在有源层211上。栅极绝缘层120可以是无机绝缘层。例如，栅极绝缘层120可以由氧化硅膜(SiOx)或氮化硅膜(SiNx)的单层结构形成，或者由氧化硅膜(SiOx)和氮化硅膜(SiNx)的多层结构形成。
薄膜晶体管210的栅极212和电容器220的第一电容器电极221可以设置在栅极绝缘层120上。栅极212和第一电容器电极221可以由导电金属材料形成。例如，第一电容器电极221可以按选自下列材料当中的任一材料的单层结构来形成：钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)以及它们的合金，或者可以按选自下列材料当中的多个材料的多层结构来形成：钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)以及它们的合金。栅极212可以在与有源层211交叠的同时设置在栅极绝缘层112上。
薄膜晶体管210的栅极212和电容器220的第一电容器电极221可以通过同一工序制造，可以按同一厚度形成，并且可以由同一材料形成。
第一层间绝缘层130可以设置在栅极212和第一电容器电极221上。第一层间绝缘层130可以由无机绝缘材料形成。例如，第一层间绝缘层130可以由氧化硅膜(SiOx)或氮化硅膜(SiNx)的单层结构形成，或者由氧化硅膜(SiOx)和氮化硅膜(SiNx)的多层结构形成。
第二电容器电极222可以设置在第一层间绝缘层130上。第二电容器电极222可以按选自下列材料当中的任一材料的单层结构来形成：钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)以及它们的合金，或者可以按选自下列材料当中的多个材料的多层结构来形成：钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)以及它们的合金。
第二层间绝缘层140可以设置在第二电容器电极222上。第二层间绝缘层140可以由无机绝缘材料形成。例如，第一层间绝缘层130可以由氧化硅膜(SiOx)或氮化硅膜(SiNx)的单层结构形成，或者由氧化硅膜(SiOx)和氮化硅膜(SiNx)的多层结构形成。
漏极213、源极214以及第三电容器电极223可以设置在第二层间绝缘层140上。薄膜晶体管210的源极214和漏极213可以经由贯穿栅绝缘层120、第一层间绝缘层130以及第二层间绝缘层140的第一接触孔(CT1)与有源层211连接。电容器220的第三电容器电极223可以经由贯穿第二层间绝缘层140的第二接触孔(CT2)与第二电容器电极222连接。源极214、漏极213以及第三电容器电极223可以由导电金属材料形成。例如，源极214、漏极213以及第三电容器电极223中的每一个都可以按选自下列材料当中的任一材料的单层结构来形成：钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)，以及它们的合金，或者可以按选自下列材料当中的多个材料的多层结构来形成：钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)，以及它们的合金。
薄膜晶体管210的源极214和漏极213以及电容器220的第三电容器电极223可以通过同一工序制造，可以按同一厚度形成，并且可以由同一材料形成。
保护绝缘层150可以设置在源极214、漏极213以及第三电容器电极223上。保护绝缘层150可以由无机绝缘材料形成。例如，保护绝缘层150可以由氧化硅膜(SiOx)或氮化硅膜(SiNx)的单层结构形成，或者由氧化硅膜(SiOx)和氮化硅膜(SiNx)的多层结构形成。
第一平坦化层160可以设置在保护绝缘层150上，其中，第一平坦化层160可以补偿因薄膜晶体管210和电容器220而造成的阶状差异。第一平坦化层160可以由有机绝缘材料层形成。例如，第一平坦化层160可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛(phenolic)树脂、聚酰胺(polyamide)树脂或聚酰亚胺(polyimide)树脂的有机材料层形成。
阳极辅助电极240和第四电容器电极224可以设置在第一平坦化层160上。阳极辅助电极240可以经由贯穿保护绝缘层150和第一平坦化层160的第三接触孔(CT3)与薄膜晶体管210的漏极213连接。第四电容器电极224可以经由贯穿保护绝缘层150和第一平坦化层160的第四接触孔(CT4)与第三电容器电极223连接。阳极辅助电极240和第四电容器电极224可以由导电金属材料形成。例如，阳极辅助电极240和第四电容器电极224可以按选自下列材料当中的任一材料的单层结构来形成：钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)，以及它们的合金，或者可以按选自下列材料当中的多个材料的多层结构来形成：钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)，以及它们的合金。
可以将第二平坦化层170设置在阳极辅助电极240和第四电容器电极224上。第二平坦化层170可以由有机绝缘材料层形成。例如，第二平坦化层170可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机材料层形成。
根据电致发光显示器的显示板10的特性，第二平坦化层170和阳极辅助电极240可以省略。例如，如果不提供第二平坦化层170和阳极辅助电极240，那么阳极电极250可以形成在第一平坦化层160上，并且阳极电极250可以经由第一平坦化层160和第二层间绝缘层150的接触孔与薄膜晶体管210的漏极213电连接150。
发光二极管(LED)和堤部(bank)180可以设置在第二平坦化层170上。发光二极管(LED)可以包括：阳极电极250、发射结构260以及阴极电极270。
阳极电极250可以设置在第二平坦化层170上。阳极电极250可以经由贯穿第二平坦化层170的第五接触孔(CT5)与阳极辅助电极240连接。阳极电极250可以由以下材料形成：铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、钼和钛的淀积结构(Mo/Ti)、铝和钛的淀积结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的淀积结构(ITO/Al/ITO)、APC合金或者APC合金和ITO的淀积结构(ITO/APC/ITO)。在此，APC合金对应于银(Ag)、钯(Pd)以及铜(Cu)的合金。
堤部180可以覆盖阳极电极250的边缘，由此像素(P)的发射区域可以由堤部180限定。像素(P)的发射区域可以通过淀积阳极电极250、发射结构260以及阴极电极270来获得，其中，从阳极电极250提供的空穴和从阴极电极270提供的电子在发射区域彼此结合以发光。在这种情况下，与堤部180一起提供的区域可以被限定为非发射区。堤部180可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机材料层形成。
发射结构260可以设置在阳极电极250和堤部180上。发射结构260可以是共同为像素(P)形成的公共层，其中，发射结构260可以是用于发射白光的白光发射结构。在这种情况下，发射结构260可以形成为具有至少2个堆叠体的串联结构。每个堆叠体都可以包括：空穴传输层、至少一个发光层以及电子传输层。而且，电荷产生层可以设置在堆叠体之间。
空穴传输层能将从阳极电极250或电荷产生层注入的空穴平滑地传递至发光层。发光层可以由具有磷光或荧光材料的有机材料形成,由此发光。电子传输层能将从阴极电极270或电荷产生层注入的电子平滑地传递至发光层。
电荷产生层可以包括与下堆叠体相邻定位的n型电荷产生层和与上堆叠体相邻定位的p型电荷产生层。n型电荷产生层将电子注入下堆叠体，而p型电荷产生层将空穴注入上堆叠体。N型电荷产生层可以通过向具有电子传输能力的有机主体材料掺杂碱性金属(如锂(Li)、钠(Na)、钾(K)或铯(Cs))或者碱土金属(如镁(Mg)、锶(Sr)、钡(Ba)或镭(Ra))来形成，但不限于这些材料。P型电荷产生层可以通过向具有空穴传输能力的有机主体材料掺杂掺杂剂来形成。
在图3中，发射结构260可以是共同为像素(P)形成的公共层，并且发射结构260可以是用于发射白光的白光发射结构，但不限于这种结构。例如，发射结构260的发光层可以由每个像素(P)形成。在这种情况下，发光结构260的发光层可以被分类成：包括用于发射红光的红光发射层的红色像素、包括用于发射绿光的绿色发光层的绿色像素、以及包括用于发射蓝光的蓝色发光层的蓝色像素。
阴极电极270可以设置在发射结构260上。阴极电极270可以是共同为像素(P)形成的公共层。阴极电极270可以由能够透过光的透明导电材料(TCO)(如ITO或IZO)，或者半透光导电材料(如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金来形成。如果阴极电极270由半透光导电材料形成，那么可以提高微腔的发光效率。可以另外将覆盖层设置在阴极电极270上。
封装结构190可以设置在阴极电极270上。封装结构190防止湿气或氧气渗透到发射结构260和阴极电极270中。封装结构190可以包括至少一个无机膜。该无机膜可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝，或氧化钛形成。而且，封装结构190还可以包括至少一个有机膜，其用于防止微粒通过无机膜渗透到发射结构260和阴极270中。
图4是例示图1的“X”的放大平面图。图4是用于说明根据本公开该实施方式的电致发光显示器的显示板10中的“X”的详细平面结构的平面图。图5A是图4的沿I-I’的截面图。图5B是图4的沿II-II’的截面图。
参照图4，根据本公开该实施方式的电致发光显示器的显示板10可以包括开口部分(OP)，该开口部分通过去除与非显示区中的彼此间隔开的所述多个测试线(TL)之间的区域相对应的多个无机绝缘层而形成。
在靠近显示区(DA)的非显示区中，所述多个测试线(TL)可以彼此间隔开。所述多个测试线(TL)可以将集成驱动器30和测试焊盘(TP)彼此连接。
修整线(TRIM)可以与所述多个测试线(TL)交叉。可以通过修整工序来切割与修整线(TRIM)交叉的所述多个测试线(TL)。
修整工序可以通过使用激光来执行。显示板10可以通过激光修整工序以各种形状制造，例如，圆形形状、椭圆形状、具有部分弯曲表面或诸如凹口部分的差异化部分的矩形形状等。
参照图1和图4，显示板10的非显示区可以相对于修整线(TRIM)被划分成第一区域(A)和第二区域(B)。第二区域(B)可以去除。例如，可以去除设置在修剪线(TRIM)外围的测试线(TL)和测试焊盘(TP)。
第一区域(A)可以是设置在修整线(TRIM)与显示区(AA)之间的区域。集成驱动器30可以设置在修整线(TRIM)与显示区(AA)之间。因此，集成驱动器30可以设置在第一区域(A)中，并且第二区域(B)可以是修整线(TRIM)的外围区域。
在该修整工序之后，修整线(TRIM)可以是显示板10的最外侧部分。如图1所示，对应于修整线(TRIM)的外围区域的第二区域(B)被去除，使得修整线(TRIM)可以是具有显示板10的形状的最外侧部分。
开口部分(OP)可以通过去除设置在彼此间隔开的所述多个测试线(TL)之间的区域中的无机绝缘层来形成。开口部分(OP)可以与显示板10的修整线(TRIM)交叠。
参照图5A，缓冲绝缘层110、栅极绝缘层120、第一层间绝缘层130、第二层间绝缘层140以及保护绝缘层150被淀积并设置在显示板10的非显示区中的基板(SUB)上。而且，用于暴露基板(SUB)的开口部分(OP)可以通过去除与要利用修整工序执行的修整线(TRIM)相对应的区域中的多个无机绝缘层来形成。例如，可以通过激光修整工序沿着限定在显示板10上的修整线(TRIM)来切割基板(SUB)。用于暴露基板(SUB)的开口部分(OP)可以通过去除诸如设置在基板(SUB)的切割区域中的缓冲绝缘层110、栅极绝缘层120、第一层间绝缘层130、第二层间绝缘层140以及保护绝缘层150的所述多个无机绝缘层来形成。
参照图1、图4以及5B，对应于修整线(TRIM)的外围区域的第二区域(B)可以通过修整工序来去除。设置在修整线(TRIM)与显示区(AA)之间的第一区域(A)不被修整工序去除。因此，第二区域(B)通过修整工序去除，修整线(TRIM)可以是显示板10的最外侧部分。因此，修整线(TRIM)可以被称为显示板10的最外侧线或者基板(SUB)的末端。
开口部分(OP)可以暴露基板(SUB)的端部中的上表面。开口部分(OP)可以设置在集成驱动器30与基板(SUB)的端部之间。
因此，用于暴露基板(SUB)的开口部分(OP)通过去除设置在要切割的基板(SUB)的区域中的无机绝缘层来形成，通过修整工序可以防止无机绝缘层中的损伤或破裂，并且防止湿气渗透通过无机绝缘层的裂缝。
参照图5B，缓冲绝缘层110、栅极绝缘层120、第一层间绝缘层130和第二层间绝缘层140淀积并设置在显示板10的非显示区中的基板(SUB)上。所述多条测试线(TL)可以设置在第二层间绝缘层140上。可以针对形成薄膜晶体管210的源极214和漏极213的工序来制造测试线(TL)。这时，测试线(TL)由与源极214和漏极213相同的材料形成，并且按与源极214和漏极213相同的厚度形成。例如，测试线(TL)可以按选自下列材料当中的任一材料的单层结构来形成：钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)以及它们的合金，或者可以按选自下列材料当中的多个材料的多层结构来形成：钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)以及它们的合金。
保护绝缘层150可以形成在测试线(TL)和第二层间绝缘层140上。保护绝缘层150可以包围测试线(TL)的侧表面和上表面两者以保护测试线(TL)。
测试线(TL)可以与集成驱动器30连接，并且可以与设置在修整线(TRIM)外围的测试焊盘(TP)连接。因此，通过修整工序沿着修整线(TRIM)切割基板(SUB)，可以将测试焊盘(TP)去除，并且可以切割测试线(TL)。
如图5B中所示，用于暴露基板(SUB)的开口部分(OP)可以通过去除设置在彼此间隔开的所述多个测试线(TL)之间的区域中的所述多个无机绝缘层来形成，例如，缓冲绝缘层110、栅极绝缘层120、第一层间绝缘层130、第二层间绝缘层140以及保护绝缘层150。该开口部分(OP)可以与修整线(TRIM)交叠。
参照图1、图4、图5A以及图5B，开口部分(OP)可以设置在彼此间隔开的所述多条测试线(TL)之间的区域中，并且开口部分(OP)可以设置在与修整线(TRIM)交叠的区域中。可以从与修整线(TL)的外围区域相对应的第二区域(B)去除开口部分(OP)。对应于修整线(TRIM)与显示区(AA)之间的第一区域(A)的开口部分(OP)可以暴露基板(SUB)的上表面。这里，修整线(TRIM)可以是具有显示板10的形状的最外侧线。修整线(TRIM)可以是基板(SUB)的末端。因此，开口部分(OP)可以设置在基板(SUB)的端部与显示区(AA)之间。开口部分(OP)可以设置在基板(SUB)的端部与集成驱动器30之间。
图6是例示图1的“X”的放大平面图。图6是用于说明根据本公开另一实施方式的电致发光显示器的显示板10中的“X”的详细平面结构的平面图。图7A是图6的沿I-I’的截面图。图7B是图6的沿II-II’的截面图。参照图4、图5A以及图5B，对根据本公开另一实施方式的电致发光显示器的显示板10中的'X'的详细平面结构进行描述，其中，针对相同部分的详细描述将被省略或加以简要描述。
参照图6，显示板10可以包括用于覆盖设置在彼此间隔开的多个测试线(TL)之间的开口部分(OP)的边缘的第一平坦化层160，但不限于这种结构。例如，第二平坦化层170可以形成为覆盖开口部分(OP)的该边缘，或者第一平坦化层160和第二平坦化层170可以形成为覆盖开口部分(OP)的该边缘。
对应于修整线(TRIM)的外围区域的第二区域(B)可以通过修整工序来去除。因此，可以去除对应于第二区域(B)的测试线(TL)和开口部分(OP)。因此，通过修整工序切割显示板10，修整线(TRIM)可以是显示板10的最外侧线。这里，与作为修整线(TRIM)的内部区域的第一区域(A)相对应的开口部分(OP)和测试线(TL)，例如修整线(TRIM)与显示区(AA)之间的区域，不会被去除。例如，如图1和6所示，开口部分(OP)可以在与显示板10的最外侧线相对应的修整线(TRIM)交叠的同时加以设置。第二区域(B)通过修整工序被去除，而第一区域(A)不被去除。形成在第一区域(A)中的每条测试线(TL)之间的开口部分(OP)可以暴露基板(SUB)。
参照图7A，开口部分(OP)可以暴露基板(SUB)的、与显示板10的最外侧线对应的上表面。可以在开口部分(OP)中设置用于防止湿气渗入基板(SUB)与缓冲绝缘层110之间的边界表面中的有机膜。例如，可以设置用于覆盖开口部分(OP)中的、基板(SUB)与缓冲绝缘层110之间的边界表面的第一平坦化层160，但不限于这种结构。而且，第二平坦化层170可以设置为覆盖开口部分(OP)中的、基板(SUB)与缓冲绝缘层110之间的区域。
参照图7B，可以设置有机膜以覆盖彼此间隔开的所述多个测试线(TL)中的每一个。例如，第一平坦化层160可以设置在测试线(TL)上方的保护绝缘层150上。有机膜可以覆盖开口部分(OP)中的多个无机绝缘层的侧表面。该有机膜覆盖基板(SUB)与所述多个无机绝缘层当中的最下侧绝缘层之间的边界表面。在如图7B所示的开口部分(OP)中，第一平坦化层160可以覆盖所述多个无机绝缘层的侧表面，如缓冲绝缘层110、栅极绝缘层120、第一层间绝缘层130、第二层间绝缘层140，以及保护绝缘层150。第一平坦化层160可以覆盖基板(SUB)与对应于最下侧绝缘层的缓冲绝缘层110之间的边界表面。第一平坦化层160可以覆盖开口部分(OP)的边缘。
在图7A和图7B中，第一平坦化层160覆盖开口部分(OP)的所述边缘。然而，可以设置第二平坦化层170以覆盖开口部分(OP)的所述边缘。例如，在开口部分(OP)中，第二平坦化层170可以覆盖所述多个无机绝缘层的侧表面，如缓冲绝缘层110、栅极绝缘层120、第一层间绝缘层130、第二层间绝缘层140以及保护绝缘层150。第二平坦化层170可以覆盖基板(SUB)与对应于最下侧绝缘层的缓冲绝缘层110之间的边界表面。第二平坦化层170可以覆盖开口部分(OP)的边缘。
参照图6和图7B，例如第一平坦化层160这样的有机膜可以设置为覆盖开口部分(OP)的所述边缘。该有机膜可以覆盖开口部分(OP)的所述边缘中的、基板(SUB)与所述多个无机绝缘层当中的最下侧绝缘层之间的边界表面。例如，如图7B所示，第一平坦化层160可以设置为覆盖开口部分(OP)的边缘中的、基板(SUB)与缓冲绝缘层110之间的边界表面。
而且，该有机膜可以延伸以覆盖开口部分(OP)的所述边缘中的、所述多个无机绝缘层的侧表面。例如，第一平坦化层160可以延伸以覆盖开口部分(OP)的所述边缘中的缓冲绝缘层110、栅极绝缘层120、第一层间绝缘层130、第二层间绝缘层140以及保护绝缘层150的侧表面。
因此，有机膜覆盖开口部分(OP)中的所述多个无机绝缘层的侧表面以及基板SUB与所述多个无机绝缘层当中的最下侧绝缘层之间的边界表面，可以防止湿气渗透到开口部分(OP)中。
因此，可以延长根据本公开该实施方式的电致发光显示器的寿命。
根据本公开的一个或更多个实施方式，一种电致发光显示器，该电致发光显示器包括：基板，该基板包括显示区和与该显示区相邻的非显示区；薄膜晶体管，该薄膜晶体管设置在所述显示区中；集成驱动器，该集成驱动器设置在所述非显示区中，并且与所述薄膜晶体管电连接；多个测试线，所述多个测试线与所述集成驱动器连接并且彼此间隔开；以及开口部分，该开口部分被设置成暴露所述基板的上表面，并且通过去除设置在所述多个测试线之间的区域中的多个无机绝缘层来获得。
根据本公开的一个或更多个实施方式，所述多个测试线设置在所述基板的一端部与所述集成驱动器之间。
根据本公开的一个或更多个实施方式，所述开口部分设置在所述基板的一端部与所述集成驱动器之间。
根据本公开的一个或更多个实施方式，该电致发光显示器还包括：有机膜，该有机膜被设置成覆盖所述开口部分的一边缘。
根据本公开的一个或更多个实施方式，所述有机膜覆盖所述开口部分的所述边缘中的、所述基板与所述多个无机绝缘层当中的最下侧无机绝缘层之间的边界表面。
根据本公开的一个或更多个实施方式，所述有机膜覆盖所述开口部分的所述边缘中的、所述多个无机绝缘层的侧表面。
根据本公开的一个或更多个实施方式，所述多个无机绝缘层包括：缓冲绝缘层、栅极绝缘层、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层以及保护绝缘层。
根据本公开的一个或更多个实施方式，所述薄膜晶体管包括：设置在所述缓冲绝缘层上的半导体层，在其间插置有所述栅极绝缘层的条件下与所述半导体层交叠的栅极，所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层设置在所述栅极上，以及设置在所述第二层间绝缘层上并且与所述半导体层连接的源极和漏极，并且所述保护绝缘层设置在所述薄膜晶体管上。
根据本公开的一个或更多个实施方式，所述有机膜覆盖所述开口部分的所述边缘中的、所述基板与所述缓冲绝缘层之间的边界表面。
根据本公开的一个或更多个实施方式，所述有机膜延伸以覆盖所述开口部分的所述边缘中的所述缓冲绝缘层、所述栅极绝缘层、所述第一层间绝缘层、所述第二层间绝缘层以及所述保护绝缘层的侧表面。
根据本公开的一个或更多个实施方式，所述基板的所述端部对应于修整线。
根据本公开的一个或更多个实施方式，所述开口部分与所述修整线交叠。
根据本公开的一个或更多个实施方式，一种电致发光显示器，该电致发光显示器包括：基板，该基板具有显示区和非显示区，薄膜晶体管，该薄膜晶体管设置在所述显示区上，以及发光二极管，该发光二极管在其间插置有保护绝缘层与第一平坦化层的条件下与所述薄膜晶体管连接，其中，所述非显示区包括：与所述显示区的所述薄膜晶体管电连接的集成驱动器，与所述集成驱动器连接并且延伸至所述基板的最外侧线的多个测试线，以及开口部分，该开口部分与所述基板的所述最外侧线交叠，并且被设置成，通过去除设置在彼此间隔开的所述多个测试线之间的区域中的多个无机绝缘层来暴露所述基板的上表面。
根据本公开的一个或更多个实施方式，所述基板的所述最外侧线对应于修整线。
根据本公开的一个或更多个实施方式，将一有机膜设置成覆盖所述开口部分的一边缘。
根据本公开的一个或更多个实施方式，所述有机膜覆盖所述开口部分的所述边缘中的、所述基板与所述多个无机绝缘层当中的最下侧绝缘层之间的边界表面，并且所述有机膜延伸以覆盖所述多个无机绝缘层的侧表面。
根据本公开的一个或更多个实施方式，所述多个无机绝缘层包括：缓冲绝缘层、栅极绝缘层、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层，以及保护绝缘层。
根据本公开的一个或更多个实施方式，所述薄膜晶体管包括：设置在所述缓冲绝缘层上的半导体层，在其间插置有所述栅极绝缘层的条件下与所述半导体层交叠的栅极，所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层设置在所述栅极上，以及设置在所述第二层间绝缘层上并且与所述半导体层连接的源极和漏极，并且所述保护绝缘层设置在所述薄膜晶体管上。
根据本公开的一个或更多个实施方式，所述测试线设置在和所述薄膜晶体管的所述源极以及所述漏极相同的层中，并且由和所述薄膜晶体管的所述源极以及漏极相同的材料形成。
根据本公开的一个或更多个实施方式，该电致发光显示器还包括：第二平坦化层，该第二平坦化层设置在所述第一平坦化层上，其中，所述有机膜由所述第一平坦化层和所述第二平坦化层中的至少一个平坦化层形成。
在根据本公开该实施方式的电致发光显示器中，开口部分通过去除显示板的修整线上的无机绝缘层来形成，使得可以防止因利用激光的修整工序而造成显示板的基板上的无机绝缘层中的损坏或破裂，以实现具有差异化部分的显示板，
而且，根据本公开该实施方式的电致发光显示器包括通过去除修整线上的无机绝缘层而获得的开口部分的边缘中的有机膜，以防止因修整工序而在显示板中造成的损坏或破裂，使得可以防止湿气渗透通过暴露在开口部分中的无机绝缘层，而且，防止因湿气渗透而造成基板与无机绝缘层之间分离。
本领域技术人员显见的是，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以对本公开进行各种修改和变化。因而，本公开旨在覆盖落入所附权利要求书及其等同物的范围内的、本公开的修改例和变型例。
相关申请的交叉引用
本申请要求保护2017年12月27日提交的韩国专利申请No.10-2017-0180390的权益，其通过引用并入本文，如同在此全面阐述一样。

Claims (10)

1.一种显示装置，该显示装置包括：
基板，该基板包括显示区和与该显示区相邻的非显示区；
薄膜晶体管，该薄膜晶体管设置在所述显示区中；
集成驱动器，该集成驱动器设置在所述非显示区中，并且与所述薄膜晶体管电连接；
多个测试线，所述多个测试线设置在所述非显示区中，所述多个测试线与所述集成驱动器连接并且彼此间隔开；以及
开口部分，该开口部分被配置成暴露所述基板的上表面，并且通过去除设置在所述多个测试线之间的区域中的多个无机绝缘层来获得所述开口部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个测试线设置在所述基板的一端部与所述集成驱动器之间。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述开口部分设置在所述基板的一端部与所述集成驱动器之间。
4.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：有机膜，该有机膜被设置成覆盖所述开口部分的边缘。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述有机膜覆盖所述开口部分的所述边缘中的、所述基板与所述多个无机绝缘层当中的最下侧的无机绝缘层之间的边界表面。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述有机膜覆盖所述开口部分的所述边缘中的所述多个无机绝缘层的侧表面。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述多个无机绝缘层包括：缓冲绝缘层、栅极绝缘层、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层以及保护绝缘层。
8.根据权利要求7所述的显示装置，
其中，所述薄膜晶体管包括：半导体层，所述半导体层设置在所述缓冲绝缘层上；栅极，在所述栅极与所述半导体层之间插置有所述栅极绝缘层的条件下所述栅极与所述半导体层交叠；所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层，所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层设置在所述栅极上；以及源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述第二层间绝缘层上并且与所述半导体层连接，并且
所述保护绝缘层设置在所述薄膜晶体管上。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述有机膜覆盖所述开口部分的所述边缘中的、所述基板与所述缓冲绝缘层之间的所述边界表面。
10.一种电致发光显示器，该电致发光显示器包括：基板，该基板具有显示区和非显示区；薄膜晶体管，该薄膜晶体管设置在所述显示区上；以及发光二极管，该发光二极管在所述发光二极管和所述薄膜晶体管之间插置有保护绝缘层与第一平坦化层的条件下与所述薄膜晶体管连接，
其中，所述非显示区包括：
集成驱动器，该集成驱动器与所述显示区的所述薄膜晶体管电连接；
多个测试线，所述多个测试线与所述集成驱动器连接并且延伸至所述基板的最外侧线；以及
开口部分，该开口部分与所述基板的所述最外侧线交叠，并且被配置成通过去除设置在彼此间隔开的所述多个测试线之间的区域中的多个无机绝缘层来暴露所述基板的上表面。
CN201811228229.5A 2017-12-27 2018-10-22 显示装置和电致发光显示器 Active CN109979963B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310927489.6A CN116709827A (zh) 2017-12-27 2018-10-22 显示装置
CN202310932698.XA CN116709829A (zh) 2017-12-27 2018-10-22 显示装置
CN202310928030.8A CN116709828A (zh) 2017-12-27 2018-10-22 显示装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0180390 2017-12-27
KR1020170180390A KR102565907B1 (ko) 2017-12-27 2017-12-27 표시장치 및 전계발광 표시장치

Related Child Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310927489.6A Division CN116709827A (zh) 2017-12-27 2018-10-22 显示装置
CN202310932698.XA Division CN116709829A (zh) 2017-12-27 2018-10-22 显示装置
CN202310928030.8A Division CN116709828A (zh) 2017-12-27 2018-10-22 显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109979963A true CN109979963A (zh) 2019-07-05
CN109979963B CN109979963B (zh) 2023-08-15

Family

ID=66950674

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310928030.8A Pending CN116709828A (zh) 2017-12-27 2018-10-22 显示装置
CN201811228229.5A Active CN109979963B (zh) 2017-12-27 2018-10-22 显示装置和电致发光显示器
CN202310927489.6A Pending CN116709827A (zh) 2017-12-27 2018-10-22 显示装置
CN202310932698.XA Pending CN116709829A (zh) 2017-12-27 2018-10-22 显示装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310928030.8A Pending CN116709828A (zh) 2017-12-27 2018-10-22 显示装置

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310927489.6A Pending CN116709827A (zh) 2017-12-27 2018-10-22 显示装置
CN202310932698.XA Pending CN116709829A (zh) 2017-12-27 2018-10-22 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10497760B2 (zh)
KR (2) KR102565907B1 (zh)
CN (4) CN116709828A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110993624A (zh) * 2019-12-16 2020-04-10 云谷（固安）科技有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法、柔性显示装置
CN111081739A (zh) * 2019-12-06 2020-04-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
WO2021093002A1 (zh) * 2019-11-14 2021-05-20 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板、显示面板及制备方法
CN113130576A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 乐金显示有限公司 透明显示装置

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102498288B1 (ko) 2017-12-22 2023-02-09 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
KR102605335B1 (ko) * 2018-06-27 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102469187B1 (ko) * 2018-09-04 2022-11-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN110136642B (zh) * 2019-05-30 2021-02-02 上海天马微电子有限公司 一种像素电路及其驱动方法和显示面板
US11121351B2 (en) * 2019-08-26 2021-09-14 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Flexible display panel and preparation method thereof
KR20210030773A (ko) * 2019-09-10 2021-03-18 삼성전자주식회사 칩 온 필름 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN110970484B (zh) * 2019-12-20 2022-08-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN113748507B (zh) * 2020-03-27 2022-08-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
KR20220010202A (ko) * 2020-07-17 2022-01-25 삼성전자주식회사 디스플레이 장치, 발광 다이오드 모듈

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140138638A1 (en) * 2012-11-20 2014-05-22 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
US20150048329A1 (en) * 2013-08-13 2015-02-19 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display
KR20170107122A (ko) * 2016-03-14 2017-09-25 삼성디스플레이 주식회사 표시장치의 제조 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010272759A (ja) * 2009-05-22 2010-12-02 Renesas Electronics Corp テープキャリアパッケージ、テープキャリアパッケージ個別品、及びそれらの製造方法
TWI483361B (zh) * 2012-03-23 2015-05-01 Chipmos Technologies Inc 半導體封裝基板以及半導體封裝結構
US10553508B2 (en) * 2014-01-13 2020-02-04 Nxp Usa, Inc. Semiconductor manufacturing using disposable test circuitry within scribe lanes
KR102402195B1 (ko) * 2015-06-30 2022-05-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
US20170053832A1 (en) * 2015-08-20 2017-02-23 Beijing Acuti Microsystems Co., Ltd. Wafer structure and processing method thereof
KR102517446B1 (ko) * 2015-12-02 2023-04-04 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
KR102465377B1 (ko) * 2016-02-12 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140138638A1 (en) * 2012-11-20 2014-05-22 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
US20150048329A1 (en) * 2013-08-13 2015-02-19 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display
KR20170107122A (ko) * 2016-03-14 2017-09-25 삼성디스플레이 주식회사 표시장치의 제조 방법

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021093002A1 (zh) * 2019-11-14 2021-05-20 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板、显示面板及制备方法
CN111081739A (zh) * 2019-12-06 2020-04-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN110993624A (zh) * 2019-12-16 2020-04-10 云谷（固安）科技有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法、柔性显示装置
CN113130576A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 乐金显示有限公司 透明显示装置
US11903286B2 (en) 2019-12-30 2024-02-13 Lg Display Co., Ltd. Transparent display device
CN113130576B (zh) * 2019-12-30 2024-04-16 乐金显示有限公司 透明显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190078746A (ko) 2019-07-05
CN116709828A (zh) 2023-09-05
CN116709829A (zh) 2023-09-05
KR102565907B1 (ko) 2023-08-09
CN109979963B (zh) 2023-08-15
US10497760B2 (en) 2019-12-03
CN116709827A (zh) 2023-09-05
KR20230121697A (ko) 2023-08-21
US20190198582A1 (en) 2019-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109979963A (zh) 显示装置和电致发光显示器
KR102514414B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102602164B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US11056667B2 (en) Display device
TWI766481B (zh) 包含觸控感測器的有機發光二極體顯示裝置及其製造方法
CN107565041A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
CN105742323A (zh) 具有多层堆叠结构的有机发光二极管显示器
KR101895616B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102608669B1 (ko) 전계 발광 표시 장치
TWI759046B (zh) 有機發光二極體顯示裝置及製造其之方法
JP2019102450A (ja) 有機発光表示装置
CN109920824A (zh) 显示装置
CN114664886A (zh) 电致发光显示装置
CN108010939A (zh) 电致发光显示装置
KR102722115B1 (ko) 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102698317B1 (ko) 유기 발광 다이오드 표시 장치
KR102528305B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US20230209873A1 (en) Light emitting display device
KR102726714B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102727008B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20240147184A (ko) 표시 장치
KR20180078830A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant