CN109979962A - 柔性显示装置及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示技术领域，提供一种柔性显示装置及其制备方法。其中，该柔性显示装置包括：可熔柔性基板，以及设置在可熔柔性基板上的发光器件层；可熔第一封装层，层叠设置在可熔柔性基板远离发光器件层的一侧；可熔第二封装层，层叠设置在可熔柔性基板上并覆盖发光器件层；其中，可熔柔性基板、可熔第一封装层及可熔第二封装层在受热熔化时具有相互粘结性。通过熔化可熔柔性基板、可熔第一封装层以及可熔第二封装层的边沿区域从而将可熔柔性基板、可熔第一封装层以及可熔第二封装层的边沿密闭连接，形成封闭腔体，将发光器件层包覆在该封闭腔体内，能够防止水氧侵入发光器件层，提高了该柔性显示装置封装的密封性，从而能够延长其使用寿命。

Description

柔性显示装置及其制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种柔性显示装置及其制备方法。

背景技术

目前，柔性显示屏的成功量产不仅有利于新一代高端智能手机产业，也因其低功耗、可弯曲的特性对可穿戴式设备的应用带来深远的影响。并且在未来的发展中，柔性屏幕将随着个人智能终端的不断渗透而得到广泛应用。

实现柔性显示的有机发光功能材料对水氧非常敏感，因此，封装技术是实现柔性显示的关键技术之一。现有技术中的柔性显示装置，如图1所示，包括基板1，设置在基板1上的器件层2，在器件层2上镀上无机薄膜3，再使用柔性盖板4实现封装。其中，基板1与柔性盖板4通常用紫外固化的环氧树脂连接。

然而上述技术方案中，环氧树脂固化交联后容易产生较大的内应力，使得环氧树脂封装结构容易开裂并变脆。在柔性显示装置使用过程中，装置弯折时，基板或盖板会对环氧树脂封装结构产生拉应力，多次弯折后会导致密封性能下降，大大缩短了该柔性显示装置的寿命。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的柔性显示装置的密封性能不稳定的缺陷。

鉴于此，本发明提供一种柔性显示装置，包括：

可熔柔性基板，以及设置在所述可熔柔性基板上的发光器件层；

可熔第一封装层，层叠设置在所述可熔柔性基板远离所述发光器件层的一侧；

可熔第二封装层，层叠设置在所述可熔柔性基板上并覆盖所述发光器件层；

其中，所述可熔柔性基板、所述可熔第一封装层及所述可熔第二封装层在受热熔化时具有相互粘结性。

可选地，所述可熔第一封装层包括层叠交替设置的若干第一无机阻隔层和若干第一有机缓冲层；和/或，所述可熔第二封装层包括层叠交替设置的若干第二无机阻隔层和若干第二有机缓冲层。

可选地，一层所述第一无机阻隔层和/或一层所述第二无机阻隔层靠近所述可熔柔性基板设置。

可选地，所述发光器件层为OLED发光器件层和/或QLED发光器件层和/或LED发光器件层。

本发明还提供一种柔性显示装置的制备方法，包括以下步骤：

形成划分有若干阵列单元的可熔柔性基板；

在所述可熔柔性基板的工作面对应的所述阵列单元上制备发光器件层；

在所述可熔柔性基板的非工作面层叠设置可熔第一封装层；

在所述可熔柔性基板上形成覆盖所述发光器件层的可熔第二封装层；

沿所述阵列单元的边沿熔化所述可熔柔性基板、所述可熔第一封装层以及所述可熔第二封装层的边沿区域并施加压力，使得所述可熔柔性基板、所述可熔第一封装层以及所述可熔第二封装层的边沿密闭连接，并形成连接区；

在所述连接区对所述阵列单元进行切割。

可选地，通过第一激光工艺使得所述可熔柔性基板、所述可熔第一封装层以及所述可熔第二封装层的边沿密闭连接。

可选地，使用离焦量为5mm-10mm的第一激光使所述可熔柔性基板、所述可熔第一封装层以及所述可熔第二封装层的边沿密闭连接。

可选地，通过第二激光工艺切割所述连接区。

可选地，所述连接区形成为具有1～2mm的宽度。

本发明技术方案，具有如下优点：

1.本发明提供的柔性显示装置，通过将可熔柔性基板、可熔第一封装层以及可熔第二封装层的边沿密闭连接，形成封闭腔体，使得发光器件层包覆在该封闭腔体内，能够防止水氧侵入发光器件层，提高了该柔性显示装置封装的密封性，从而能够延长其使用寿命。

2.本发明提供的柔性显示装置，其中，可熔第一封装层和/或可熔第二封装层为柔性封装层，在保证其密封性的前提下，能够提高该柔性显示装置的柔性。

3.本发明提供的柔性显示装置，通过设置层叠交替设置的无机阻隔层和有机缓冲层作为可熔第一封装层和/或可熔第二封装层，其中，无机阻隔层用于隔绝水汽和氧气，保证其成膜的致密性和平整性，有机缓冲层用于释放膜层之间应力以及膜内缺陷的生长，可提高该柔性显示装置的水氧阻隔能力。

4.本发明提供的柔性显示装置，通过将无机阻隔层靠近可熔柔性基板设置，进一步防止可熔柔性基板周围的水氧侵入，提高了该柔性显示装置的密封性。

5.本发明提供的柔性显示装置的制备方法，通过将可熔柔性基板、可熔第一封装层以及可熔第二封装层的边沿密闭连接，并形成连接区，能够避免水氧对发光器件层的损害；同时，该连接区用作切割区域，同一连接区可作为相邻2个装置的封装区域，原料利用率高，能够减小资源的损耗；另外，阵列装置同时制备，生产效率高。

6.本发明提供的柔性显示装置，通过将第一激光工艺中激光的离焦量设置为5mm至10mm，使得最终形成类似一个约0.8mm宽度的矩形的激光轨迹，从而增加熔融区域的面积(即连接区的面积)，使可熔柔性基板、可熔第一封装层和可熔第二封装层接触熔化在一起，达到较好的封装效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中显示装置的一个具体示意的结构示意图；

图2为本发明实施例1中柔性显示装置的一个具体示意的结构图；

图3a-图3f为本发明实施例2中柔性显示装置的制备方法对应的一个具体示意的结构图；

附图标记：

图1：1-基板；2-器件层；3-无机薄膜；4-柔性盖板；

图2-图3f：10-可熔柔性基板；21-第一无机阻隔层；22-第一有机缓冲层；31-第二无机阻隔层；32-第二有机缓冲层；40-发光器件层；50-连接区。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

本发明可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本发明的构思充分传达给本领域技术人员，本发明将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层、区域或基板被称作“形成在”或“设置在”另一元件“上”或“层叠”时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上或“直接层叠”时，不存在中间元件。

此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

本领域技术人员应当理解的是，本发明实施例中记载的第一无机阻隔层21和第二无机阻隔层31，用于隔绝水汽和氧气；第一有机缓冲层22，和第二有机缓冲层32，分别用于保证第一无机阻隔层21，第二无机阻隔层31成膜的致密性和平整性，以及第一无机阻隔层21和第二无机阻隔层31的膜内缺陷的生长。

实施例1

本发明实施例提供一种柔性显示装置，如图2所示，包括：边沿直接密闭连接的可熔柔性基板10、可熔第一封装层以及可熔第二封装层。其中，可熔第一封装层和/或可熔第二封装层为柔性封装层。

可熔柔性基板10、可熔第一封装层以及可熔第二封装层的边沿直接密闭连接，熔化可熔柔性基板10、可熔第一封装层以及可熔第二封装层的边沿，使其密闭连接，并形成连接区50。

其中，可以通过第一激光工艺进行熔化封装可熔柔性基板10、可熔第一封装层以及可熔第二封装层的边沿，使其密闭连接。采用第一激光工艺进行熔化封装时，可以将激光的离焦量设置为5mm至10mm，使得最终形成类似一个约0.8mm宽度的矩形的激光轨迹，从而增加熔融区域的面积(即连接区的面积)，使可熔柔性基板10、可熔第一封装层和可熔第二封装层接触熔化在一起，达到较好的封装效果。

可熔柔性基板10上设置有发光器件层40，如图2所示，发光器件层40设置在可熔柔性基板10、可熔第一封装层以及可熔第二封装层所形成的封闭腔体内。此外，可熔柔性基板10选自但不限于聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚二甲基硅氧烷、聚氨酯中的至少一种。发光器件层40可以为OLED发光器件层、QLED发光器件层、LED发光器件层等类型的发光器件中的任一种或几种的组合。

通过将可熔柔性基板10、可熔第一封装层以及可熔第二封装层的边沿直接密闭连接，形成封闭腔体，将发光器件层40包覆在该封闭腔体内，能够防止水氧侵入发光器件层，提高了该柔性显示装置封装的密封性，从而能够延长其使用寿命。

可熔第一封装层，直接层叠设置在可熔柔性基板10远离发光器件层40的一侧，可熔第一封装层为两层层叠结构，如图2所示，可熔第一封装层包括层叠交替设置的第一无机阻隔层21和第一有机缓冲层22。其中，第一无机阻隔层21直接层叠设置在可熔柔性基板10远离发光器件层40的一侧。

可熔第二封装层，层叠设置在可熔柔性基板10上并覆盖发光器件层40，如图2所示，可熔第二封装层为两层层叠结构，包括层叠交替设置的第二无机阻隔层31和第二有机缓冲层32。其中，第二有机缓冲层32可以作为该柔性显示装置的柔性封装盖板。

通过设置层叠交替设置的无机阻隔层和有机缓冲层作为可熔第一封装层和/或可熔第二封装层，其中，无机阻隔层用于隔绝水汽和氧气，有机缓冲层用于保证其成膜的致密性和平整性，以及膜内缺陷的生长，可提高该柔性显示装置的水氧阻隔能力。

如图2所示，该柔性显示装置在其边沿包括有连接区50，该连接区50为通过熔化可熔柔性基板10，可熔第一封装层以及可熔第二封装层，使得其各自边沿直接连接所形成。

其中，可以在一个划分有若干阵列单元的可熔柔性基板上形成若干阵列排布的柔性显示装置，可以通过第一激光工艺使得可熔柔性基板，可熔第一封装层以及可熔第二封装层的边沿熔化，形成连接区50；此时，相邻的两个柔性显示装置通过同一个连接区50连接；通过切割连接区50，使得各柔性显示装置分离。可选地，可以通过第二激光工艺切割该连接区50。

作为本实施例的一种可替换实施方式，可熔第一封装层可以为若干层叠设置的第一无机阻隔层和第一有机缓冲层，其中，第一无机阻隔层和第一有机缓冲层的具体数量，依据柔性显示装置的具体器件要求进行相应的设置。

作为本实施例的一种可替换实施方式，可熔第二封装层可以为若干层叠设置的第二无机阻隔层和第二有机缓冲层，其中，第二无机阻隔层和第二有机缓冲层的具体数量，依据柔性显示装置的具体器件要求进行相应的设置。

作为本实施例的另一种可替换实施方式，连接区50可以采用其他柔性材料实现，即，通过其他柔性材料将可熔柔性基板10、可熔第一封装层和可熔第二封装层连接，形成封闭区域。只需保证发光器件层40设置在可熔柔性基板10、可熔第一封装层，可熔第二封装层以及其他柔性材料形成的封闭区域内即可。

实施例2

本发明实施例提供一种柔性显示装置的制备方法，如图3所示，包括以下步骤：

步骤S1，形成划分有若干阵列单元的可熔柔性基板。

如图3a所示，可熔柔性基板10上划分为若干阵列单元，每个阵列单元可以对应于一个柔性显示装置。即，在一个完整的可熔柔性基板10上可以形成若干的柔性显示装置。

步骤S2，可熔柔性基板的工作面对应的阵列单元上制备发光器件层。

其中，将可熔柔性基板10上制备发光器件层40的一面定义为工作面，将与工作面对应的另一面定义为非工作面。

如图3b所示，在可熔柔性基板10的工作面对应于每个柔性显示装置的阵列单元上制备发光器件层40。

该发光器件层40可以根据实际柔性显示装置的要求，进行具体的设置。例如，该发光器件层40可以为OLED发光器件层、QLED发光器件层、LED发光器件层等类型的发光器件中的任一种或几种的组合。

步骤S3，在可熔柔性基板的非工作面层叠设置可熔第一封装层。

如图3c所示，在可熔柔性基板10的非工作面上直接层叠设置可熔第一封装层，可熔第一封装层的尺寸与可熔柔性基板10的尺寸相同，或大于可熔柔性基板10的尺寸。即可熔第一封装层用作可熔柔性基板10上形成的所有阵列单元中的发光器件层的封装。

步骤S4，在可熔柔性基板上形成覆盖发光器件层的可熔第二封装层。

如图3d所示，在可熔柔性基板10上形成可熔第二封装层，该可熔第二封装层覆盖所有阵列单元中的发光器件层。其中，可熔第二封装层的尺寸可以与可熔第一封装层的尺寸相同，也可以大于可熔第一封装层的尺寸。

需要说明的是，可熔柔性基板，可熔第一封装层，以及可熔第二封装层的具体尺寸并无特别限定，只需保证制备完成的柔性显示装置的可熔柔性基板，可熔第一封装层以及可熔第二封装层能够直接连接，形成封闭腔体，且发光器件层形成在该封闭腔体内。

作为本实施例的一种可选实施方式，步骤S3与步骤S4可以同时进行，也可以先制备可熔第二封装层，再制备可熔第一封装层。

步骤S5，沿阵列单元的边沿熔化可熔柔性基板、可熔第一封装层以及可熔第二封装层的边沿区域，使得可熔柔性基板、可熔第一封装层以及可熔第二封装层的边沿密闭连接，并形成连接区。

如图3e所示，通过第一激光工艺沿阵列单元的边沿，熔化可熔柔性基板10、可熔第一封装层以及可熔第二封装层的边沿，并施加压力使得可熔柔性基板10、可熔第一封装层以及可熔第二封装层的边沿密闭连接，形成连接区50。

采用第一激光工艺进行熔化封装时，通过将激光的离焦量设置为5mm至10mm，使得最终形成类似一个约0.8mm宽度的矩形的激光轨迹，从而增加熔融区域的面积(即连接区的面积)，使可熔柔性基板、可熔第一封装层和可熔第二封装层接触熔化在一起，达到较好的封装效果。需要说明的是，激光的离焦量设置为5mm至10mm时，最终形成的激光轨迹并不仅限于0.8mm宽度的矩形，也可能为其他形状或其他宽度。

其中，在采用第一激光工艺进行封装时，设置连接区50的宽度d为1mm至2mm，使得激光在对可熔柔性基板10、可熔第一封装层以及可熔第二封装层熔化封装时，不会对发光器件层40造成损害。

步骤S6，在连接区对阵列单元进行切割。

如图3f所述，按照阵列单元的划分，通过第二激光工艺切割连接区50，以形成柔性显示装置。

采用第二激光工艺进行切割时，将激光调整为单激光，使得其轨迹为一条直线，利于切割。

作为本实施例的一种可选实施方式，第一激光工艺中设置的激光离焦量可以根据实际情况进行相应的调整，只需保证能够熔化可熔柔性基板、可熔第一封装层以及可熔第二封装层的前提下，不会影响发光器件层。

作为本实施例的另一种可选实施方式，连接区50的宽度d的大小可以根据具体情况进行相应的设置，只需保证采用第一激光工艺实现熔化封装时，不会对发光器件层造成损害。

作为本实施例的另一种可选实施方式，对可熔柔性基板、可熔第一封装层以及可熔第二封装层的边沿区域进行熔化封装时，不限于使用第一激光工艺，也可以采用其他制备工艺，只需保证熔化后的可熔柔性基板、可熔第一封装层以及可熔第二封装层的边沿区域密闭连接即可。

作为本实施例的另一种可选实施方式，在连接区对阵列单元进行切割时，不限于采用第二激光工艺，也可以采用其他切割工艺，只需保证能够将连接区50切割开，而不会对发光器件层造成损害。

未在本实施例中详细描述的具体结构细节，请参照实施例1，在此不再赘述。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (8)

1.一种柔性显示装置，其特征在于，包括：

可熔柔性基板，以及设置在所述可熔柔性基板上的发光器件层；

可熔第一封装层，层叠设置在所述可熔柔性基板远离所述发光器件层的一侧；

可熔第二封装层，层叠设置在所述可熔柔性基板上并覆盖所述发光器件层；

其中，所述可熔柔性基板、所述可熔第一封装层及所述可熔第二封装层在受热熔化时具有相互粘结性。

2.根据权利要求1所述的柔性显示装置，其特征在于，所述可熔第一封装层包括层叠交替设置的若干第一无机阻隔层和若干第一有机缓冲层；

和/或，

所述可熔第二封装层包括层叠交替设置的若干第二无机阻隔层和若干第二有机缓冲层。

3.根据权利要求2所述的柔性显示装置，其特征在于，一层所述第一无机阻隔层和/或一层所述第二无机阻隔层靠近所述可熔柔性基板设置。

4.一种柔性显示装置的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成划分有若干阵列单元的可熔柔性基板；

在所述可熔柔性基板的工作面对应的所述阵列单元上制备发光器件层；

在所述可熔柔性基板的非工作面层叠设置可熔第一封装层；

在所述可熔柔性基板上形成覆盖所述发光器件层的可熔第二封装层；

沿所述阵列单元的边沿熔化所述可熔柔性基板、所述可熔第一封装层以及所述可熔第二封装层的边沿区域并施加压力，使得所述可熔柔性基板、所述可熔第一封装层以及所述可熔第二封装层的边沿密闭连接，并形成连接区；

在所述连接区对所述阵列单元进行切割。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，通过第一激光工艺使得所述可熔柔性基板、所述可熔第一封装层以及所述可熔第二封装层的边沿密闭连接。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，使用离焦量为5mm-10mm的第一激光使所述可熔柔性基板、所述可熔第一封装层以及所述可熔第二封装层的边沿密闭连接。

7.根据权利要求4-6中任一项所述的制备方法，其特征在于，通过第二激光工艺切割所述连接区。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述连接区形成为具有1～2mm的宽度。