CN106531865A - 一种紫外led封装用的围坝陶瓷基板制备方法 - Google Patents

一种紫外led封装用的围坝陶瓷基板制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106531865A
CN106531865A CN201610944502.9A CN201610944502A CN106531865A CN 106531865 A CN106531865 A CN 106531865A CN 201610944502 A CN201610944502 A CN 201610944502A CN 106531865 A CN106531865 A CN 106531865A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
box dam
ceramic substrate
dam
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610944502.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106531865B (zh
Inventor
章军
罗素扑
唐莉萍
郭晓泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jinhua Xinci Technology Co ltd
Original Assignee
Dongguan Kechenda Electronic Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongguan Kechenda Electronic Technology Co Ltd filed Critical Dongguan Kechenda Electronic Technology Co Ltd
Priority to CN201610944502.9A priority Critical patent/CN106531865B/zh
Publication of CN106531865A publication Critical patent/CN106531865A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106531865B publication Critical patent/CN106531865B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明公开一种紫外LED封装用的围坝陶瓷基板制备方法，包括有以下步骤：（1）在陶瓷基板的表面制作多个独立线路，各个独立线路彼此间隔分开；在围坝基板上开设多个通孔，各个通孔在底端的内径大于独立线路的最大宽度；（2）在围坝基板的底面涂胶形成一粘结层；（3）使粘结层夹设于围坝基板的底面和陶瓷基板的表面之间；（4）待粘结层凝固后，对叠合固定在一起的陶瓷基板和围坝基板进行分切而得到成品。各个独立线路与围坝基板分开，不会发生接触，有效杜绝短路现象的发生，同时可直接于围板基板的底面涂胶，无需担心粘胶定位不好，便于自动化作业，有效提高生产制作效率，并提高产品良率。

Description

一种紫外LED封装用的围坝陶瓷基板制备方法
技术领域
本发明涉及LED支架领域技术，尤其是指一种紫外LED封装用的围坝陶瓷基板制备方法。
背景技术
对于目前要求气密性封装的光器件来说，通常需要在DPC陶瓷基板上设置有围坝，利用围坝所围构形成的空间可填充封装胶水，从而实现更好的气密性。现有技术中，通常是采用绝缘胶将围坝基板粘贴固定在预先布满线路的陶瓷基板的表面，然而，陶瓷基板表面上的各组线路彼此连通，绝缘胶覆盖在线路上，这种方式将难以使得围坝与基板实现牢固结合，并且，由于围坝一般为金属材质，若干粘胶不好，线路将与围坝导通，从而容易导致短路现象的产生，对产品的使用造成很大的不良影响。
发明内容
有鉴于此，本发明针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种紫外LED封装用的围坝陶瓷基板制备方法，其能有效解决现有之围坝陶瓷基板制备方法使围坝不能与陶瓷基板牢固结合并且容易出现短路现象的问题。
为实现上述目的，本发明采用如下之技术方案：
一种紫外LED封装用的围坝陶瓷基板制备方法，包括有以下步骤：
（1）制作好陶瓷基板和围坝基板：在陶瓷基板的表面制作多个独立线路，各个独立线路彼此间隔分开；在围坝基板上开设多个通孔，各个通孔在底端的内径大于独立线路的最大宽度；
（2）在围坝基板的底面涂胶形成一粘结层；
（3）将各个通孔与对应的独立线路彼此上下正对并将围坝基板叠于陶瓷基板的表面上，使得粘结层夹设于围坝基板的底面和陶瓷基板的表面之间；
（4）待粘结层凝固后，陶瓷基板和围坝基板固定在一起，然后对叠合固定在一起的陶瓷基板和围坝基板进行分切而得到成品。
作为一种优选法方案，所述通孔的下端周缘形成有第一环形凹槽，第一环形凹槽的内径大于独立线路的最大宽度。
作为一种优选法方案，所述通孔的上端周缘形成有第二环形凹槽，第二环形凹槽的内径大于第一环形凹槽的内径。
作为一种优选法方案，所述围坝基板为金属或陶瓷材质。
作为一种优选法方案，所述围坝基板为铝材质。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知：
通过在陶瓷基板的表面预先制作多个独立线路，配合各个通孔底端的内径大于独立线路的最大宽度，以确保各个独立线路与围坝基板分开，不会发生接触，有效杜绝短路现象的发生，同时可直接于围坝基板的底面涂胶，无需担心粘胶定位不好，便于自动化作业，有效提高生产制作效率，并提高产品良率，且围坝基板通过粘结层直接与陶瓷基板的表面粘接固定，结构更加牢固可靠。
为更清楚地阐述本发明的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本发明进行详细说明。
附图说明
图1是本发明之较佳实施例中单个成品的截面图；
图2是本发明之较佳实施例中围坝的仰视图；
图3是本发明之较佳实施例中围坝的俯视图；
图4是本发明之较佳实施例中制作完成后整板的俯视图。
附图标识说明：
10、陶瓷基板 11、本体
20、围坝基板 21、围坝
201、通孔 202、第一环形凹槽
203、第二环形凹槽 30、独立线路
40、粘结层。
具体实施方式
本发明揭示一种紫外LED封装用的围坝陶瓷基板制备方法，包括有以下步骤：
（1）制作好陶瓷基板和围坝基板：在陶瓷基板10的表面制作多个独立线路30，独立线路30可通过电镀蚀刻或印刷等各种方式形成，各个独立线路30彼此间隔分开；在围坝基板20上开设多个通孔201，各个通孔201底端的内径大于独立线路30的最大宽度。所述围坝基板20为金属或陶瓷材质，在本实施例中，所述围坝基板20为铝材质，散热效果更好。以及，所述通孔201的下端周缘形成有第一环形凹槽202，第一环形凹槽202的内径大于独立线路30的最大宽度，以更好地避让独立线路30，避免独立线路30与围坝基板20发生接触；以及，所述通孔201的上端周缘形成有第二环形凹槽203，第二环形凹槽203的内径大于第一环形凹槽202的内径，以使得LED封装后，封装胶更好地与陶瓷基板10结合，结合更加牢固可靠。
（2）在围坝基板20的底面涂胶形成一粘结层40。
（3）将各个通孔201与对应的独立线路30彼此上下正对并将围坝基板20叠于陶瓷基板10的表面上，使得粘结层40夹设于围坝基板20的底面和陶瓷基板10的表面之间。
（4）待粘结层40凝固后，陶瓷基板10和围坝基板20固定在一起，如图4所示，然后对叠合固定在一起的陶瓷基板10和围坝基板20进行分切而得到成品，如图1所示，每一成品均包括有本体11、围坝21、独立线路30和粘结层40，本体11由陶瓷基板10分切形成，围坝21由围坝基板20分切形成，围坝21与独立线路30完全隔绝分开。
本发明的设计重点在于：通过在陶瓷基板的表面预先制作多个独立线路，配合各个通孔底端的内径大于独立线路的最大宽度，以确保各个独立线路与围坝基板分开，不会发生接触，有效杜绝短路现象的发生，同时可直接于围坝基板的底面涂胶，无需担心粘胶不好，便于自动化作业，有效提高生产制作效率，并提高产品良率，且围坝基板通过粘结层直接与陶瓷基板的表面粘接固定，结构更加牢固可靠。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明的技术范围作任何限制，故凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (5)

1.一种紫外LED封装用的围坝陶瓷基板制备方法，其特征在于：包括有以下步骤：
（1）制作好陶瓷基板和围坝基板：在陶瓷基板的表面制作多个独立线路，各个独立线路彼此间隔分开；在围坝基板上开设多个通孔，各个通孔在底端的内径大于独立线路的最大宽度；
（2）在围坝基板的底面涂胶形成一粘结层；
（3）将各个通孔与对应的独立线路彼此上下正对并将围坝基板叠于陶瓷基板的表面上，使得粘结层夹设于围坝基板的底面和陶瓷基板的表面之间；
（4）待粘结层凝固后，陶瓷基板和围坝基板固定在一起，然后对叠合固定在一起的陶瓷基板和围坝基板进行分切而得到成品。
2.根据权利要求1所述的一种紫外LED封装用的围坝陶瓷基板制备方法，其特征在于：所述通孔的下端周缘形成有第一环形凹槽，第一环形凹槽的内径大于独立线路的最大宽度。
3.根据权利要求2所述的一种紫外LED封装用的围坝陶瓷基板制备方法，其特征在于：所述通孔的上端周缘形成有第二环形凹槽，第二环形凹槽的内径大于第一环形凹槽的内径。
4.根据权利要求1所述的一种紫外LED封装用的围坝陶瓷基板制备方法，其特征在于：所述围坝基板为金属或陶瓷材质。
5.根据权利要求1所述的一种紫外LED封装用的围坝陶瓷基板制备方法，其特征在于：所述围坝基板为铝材质。
CN201610944502.9A 2016-10-24 2016-10-24 一种紫外led封装用的围坝陶瓷基板制备方法 Active CN106531865B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610944502.9A CN106531865B (zh) 2016-10-24 2016-10-24 一种紫外led封装用的围坝陶瓷基板制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610944502.9A CN106531865B (zh) 2016-10-24 2016-10-24 一种紫外led封装用的围坝陶瓷基板制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106531865A true CN106531865A (zh) 2017-03-22
CN106531865B CN106531865B (zh) 2019-06-21

Family

ID=58292169

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610944502.9A Active CN106531865B (zh) 2016-10-24 2016-10-24 一种紫外led封装用的围坝陶瓷基板制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106531865B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108428779A (zh) * 2017-09-21 2018-08-21 张胜翔 一种紫外线发光二极体无机接合封装结构
CN111477733A (zh) * 2020-04-26 2020-07-31 深圳市环基实业有限公司 一种晶片封装方法
CN111613710A (zh) * 2020-06-29 2020-09-01 松山湖材料实验室 一种电子设备、半导体器件、封装结构、支架及其制作方法
CN113013041A (zh) * 2021-02-09 2021-06-22 池州昀冢电子科技有限公司 封装结构及其制备方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010001740A1 (en) * 1999-03-30 2001-05-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having a package structure
CN1100347C (zh) * 1994-05-24 2003-01-29 夏普株式会社 制造半导体器件的方法
CN200959193Y (zh) * 2006-09-29 2007-10-10 上海三思电子工程有限公司 用硅胶和环氧树脂两次封装成型的led显示点阵块
CN201163628Y (zh) * 2008-01-18 2008-12-10 和谐光电科技（泉州）有限公司 一种改进的led光源封装结构
KR100961770B1 (ko) * 2009-08-28 2010-06-07 주식회사 네오스코 발광다이오드 소자의 패키징 방법
CN103035815A (zh) * 2011-09-29 2013-04-10 光颉科技股份有限公司 发光二极管的封装结构及其制造方法
CN202972602U (zh) * 2012-10-23 2013-06-05 中蓝光电科技（上海）有限公司 Led照明装置
CN103875084A (zh) * 2011-10-05 2014-06-18 普因特工程有限公司 制造外壳封装型光学设备的方法和利用该方法制造的光学设备
CN104900768A (zh) * 2015-04-14 2015-09-09 芜湖九瓷电子科技有限公司 一种led用氧化铝陶瓷基板制造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1100347C (zh) * 1994-05-24 2003-01-29 夏普株式会社 制造半导体器件的方法
US20010001740A1 (en) * 1999-03-30 2001-05-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having a package structure
CN200959193Y (zh) * 2006-09-29 2007-10-10 上海三思电子工程有限公司 用硅胶和环氧树脂两次封装成型的led显示点阵块
CN201163628Y (zh) * 2008-01-18 2008-12-10 和谐光电科技（泉州）有限公司 一种改进的led光源封装结构
KR100961770B1 (ko) * 2009-08-28 2010-06-07 주식회사 네오스코 발광다이오드 소자의 패키징 방법
CN103035815A (zh) * 2011-09-29 2013-04-10 光颉科技股份有限公司 发光二极管的封装结构及其制造方法
CN103875084A (zh) * 2011-10-05 2014-06-18 普因特工程有限公司 制造外壳封装型光学设备的方法和利用该方法制造的光学设备
CN202972602U (zh) * 2012-10-23 2013-06-05 中蓝光电科技（上海）有限公司 Led照明装置
CN104900768A (zh) * 2015-04-14 2015-09-09 芜湖九瓷电子科技有限公司 一种led用氧化铝陶瓷基板制造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108428779A (zh) * 2017-09-21 2018-08-21 张胜翔 一种紫外线发光二极体无机接合封装结构
CN108428779B (zh) * 2017-09-21 2021-03-16 江苏奥创深紫电子科技有限公司 一种紫外线发光二极体无机接合封装结构
CN111477733A (zh) * 2020-04-26 2020-07-31 深圳市环基实业有限公司 一种晶片封装方法
CN111613710A (zh) * 2020-06-29 2020-09-01 松山湖材料实验室 一种电子设备、半导体器件、封装结构、支架及其制作方法
CN113013041A (zh) * 2021-02-09 2021-06-22 池州昀冢电子科技有限公司 封装结构及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106531865B (zh) 2019-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106531865A (zh) 一种紫外led封装用的围坝陶瓷基板制备方法
TWI328293B (en) Light emitting diode and wafer level package method, wafer level bonding method thereof and circuit structure for wafer level package
CN104393154A (zh) 一种led芯片级白光光源的晶圆级封装方法
CN101123286A (zh) 发光二极管封装结构和方法
CN103367599A (zh) 发光二极管封装结构的制造方法
CN103872212B (zh) 一种led封装方法
CN102820384B (zh) 发光二极管封装结构的制造方法
CN103258920A (zh) 发光二极管封装结构的制造方法
CN109801902B (zh) 一种封装基板、半导体器件及其制作方法
TW201327934A (zh) 發光二極體封裝結構及其螢光薄膜的製造方法
CN201766097U (zh) 一种led封装结构
JP2013168647A (ja) 蛍光膜の製造方法及び発光ダイオードパッケージの製造方法
CN103872223A (zh) 一种led晶片级封装方法
TW201351710A (zh) Ｌｅｄ封裝件及其製法
CN104091860B (zh) Led封装光源及其生产工艺
CN116154048A (zh) 一种基于表面贴片制备led器件的方法
CN105720165B (zh) 一种白光led芯片的制作方法
CN102412360A (zh) 发光二极管封装基板及发光二极管封装结构的形成方法
WO2017206331A1 (zh) 一种led封装基板及其制备方法
WO2017206332A1 (zh) 一种led封装基板的制备方法
CN203746896U (zh) Led
TWI443872B (zh) 發光二極體封裝結構之形成方法及其基座之形成方法
CN102593332A (zh) 一种led发光器件及其制作方法
TW200843137A (en) LED package with uniform color phase
WO2017206333A1 (zh) 一种led封装基板的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20180423

Address after: 523000 No. 12, ancient Liao Road, Tangxia Town, Dongguan, Guangdong

Applicant after: DONGGUAN CHINA ADVANCED CERAMIC TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: No. two Tangxia Zhen Gu Liao 523000 Guangdong city of Dongguan province No. 2 Dongguan kaichangde electronic Polytron Technologies Inc

Applicant before: DONGGUAN KECHENDA ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of invention: Preparation method of dam ceramic substrate for ultraviolet LED package

Effective date of registration: 20200707

Granted publication date: 20190621

Pledgee: Guangxin (Yili) Financial Leasing Co.,Ltd.

Pledgor: DONGGUAN CHINA ADVANCED CERAMIC TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Registration number: Y2020980003830

PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right
PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right

Date of cancellation: 20201015

Granted publication date: 20190621

Pledgee: Guangxin (Yili) Financial Leasing Co.,Ltd.

Pledgor: DONGGUAN CHINA ADVANCED CERAMIC TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Registration number: Y2020980003830

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20201109

Address after: 710000 unit 1707, building 1, Wanke hi tech living Plaza, No.56 Xifeng Road, Yanta District, Xi'an, Shaanxi Province

Patentee after: Xi'an Boxin Chuangda Electronic Technology Co.,Ltd.

Address before: 523000 No. 12, ancient Liao Road, Tangxia Town, Dongguan, Guangdong

Patentee before: DONGGUAN CHINA ADVANCED CERAMIC TECHNOLOGY Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20240430

Address after: 321000 No. 828 Jinshi Road, Jiangdong Town, Jindong District, Jinhua City, Zhejiang Province (self declared)

Patentee after: Jinhua Xinci Technology Co.,Ltd.

Country or region after: China

Address before: Unit 1707, unit 1, building 1, Vanke hi tech living Plaza, 56 Xifeng Road, Yanta District, Xi'an City, Shaanxi Province, 710000

Patentee before: Xi'an Boxin Chuangda Electronic Technology Co.,Ltd.

Country or region before: China