CN109979947B - 显示装置及显示装置的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种显示装置及显示装置的制备方法，涉及显示技术领域。该显示装置包括：预设弯折区，包括基材层和设置在所述基材层一侧的第一刻蚀阻挡层；与所述预设弯折区连接的非弯折区，包括层叠设置的所述基材层、所述第一刻蚀阻挡层和第一无机材料层；以及设置于所述第一刻蚀阻挡层和所述第一无机材料层表面的金属走线层。本申请的实施例通过在第一无机材料层和基材层之间设置第一刻蚀阻挡层，从而避免在刻蚀第一无机材料层的过程中，位于第一无机材料层下方的基材层被过度刻蚀，进而避免刻蚀室污染。

Description

显示装置及显示装置的制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置及显示装置的制备方法。
背景技术
目前，在显示装置的制备的过程中，通常会包括对膜层刻蚀的步骤。然而在刻蚀膜层的过程中，经常会出现刻蚀室污染。
因此，如何避免刻蚀室污染成为亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本申请实施例致力于提供一种显示装置及显示装置的制备方法，以解决现有技术中刻蚀室容易污染的问题。
本申请一方面提供了一种显示装置，包括：预设弯折区，包括基材层和设置在所述基材层一侧的第一刻蚀阻挡层；与所述预设弯折区连接的非弯折区，包括层叠设置的所述基材层、所述第一刻蚀阻挡层和第一无机材料层；以及设置于所述第一刻蚀阻挡层和所述第一无机材料层表面的金属走线层。
在本申请的一个实施例中，所述金属走线层包括设置在所述第一刻蚀阻挡层表面的至少一个金属走线单元。
在本申请的一个实施例中，所述显示装置进一步包括：依次层叠设置的第二无机材料层和第二刻蚀阻挡层；其中，在所述预设弯折区，所述第二无机材料层和第二刻蚀阻挡层设置在所述金属走线层和所述第一刻蚀阻挡层之间，其中，所述第二无机材料层包括至少一个第二无机材料单元，所述第二刻蚀阻挡层包括至少一个第二刻蚀阻挡单元，其中，所述第二无机材料单元、所述第二刻蚀阻挡单元和所述金属走线单元在垂直于所述第一刻蚀阻挡层的方向上对应设置；在所述非弯折区，所述第二无机材料层和第二刻蚀阻挡层设置在所述第一无机材料层和所述第一刻蚀阻挡层之间。
在本申请的一个实施例中，所述第一刻蚀阻挡层的厚度为10nm。
在本申请的一个实施例中，所述第一刻蚀阻挡层采用的材料包括非晶硅。
在本申请的一个实施例中，所述第一无机材料层与所述第一刻蚀阻挡层的刻蚀选择比大于1。
本申请另一方面提供了一种显示装置的制备方法，包括：在基材层上形成依次层叠的第一刻蚀阻挡层和第一无机材料层；对位于预设弯折区的所述第一无机材料层进行第一刻蚀；当监测到刻蚀至所述第一刻蚀阻挡层表面时，停止所述第一刻蚀；以及在所述第一无机材料层和所述第一刻蚀阻挡层表面形成金属走线层。
在本申请的一个实施例中，在所述第一无机材料层和所述第一刻蚀阻挡层表面形成金属走线层之后，所述方法进一步包括：对位于所述预设弯折区的所述金属走线层进行第二刻蚀；当监测到刻蚀至所述第一刻蚀阻挡层表面时，停止所述第二刻蚀以形成至少一个金属走线单元。
本申请另一方面提供了一种显示装置的制备方法，包括：在基材层上形成依次层叠的第一刻蚀阻挡层、第二无机材料层、第二刻蚀阻挡层和第一无机材料层；对预设弯折区的所述第一无机材料层进行第一刻蚀；当监测到刻蚀至所述第二刻蚀阻挡层表面时，停止所述第一刻蚀；在所述第一无机材料层和所述第二刻蚀阻挡层表面形成金属走线层；以及对所述预设弯折区的所述金属走线层、所述第二刻蚀阻挡层以及所述第二无机材料层进行刻蚀，以形成多组在垂直于所述第一刻蚀阻挡层的方向上对应设置的所述第二无机材料单元、所述第二刻蚀阻挡单元和所述金属走线单元。
在本申请的一个实施例中，对所述预设弯折区的所述金属走线层、所述第二刻蚀阻挡层以及所述第二无机材料层进行刻蚀，以形成多组在垂直于所述第一刻蚀阻挡层的方向上对应设置的所述第二无机材料单元、所述第二刻蚀阻挡单元和所述金属走线单元包括：对位于所述预设弯折区的所述金属走线层进行第二刻蚀；当监测到刻蚀至所述第二刻蚀阻挡层表面时，停止所述第二刻蚀以形成至少一个金属走线单元；依据所述至少一个金属走线单元所组成的图案对所述第二刻蚀阻挡层和所述第二无机材料层进行第三刻蚀；以及当监测到刻蚀至所述第一刻蚀阻挡层表面时，停止所述第三刻蚀，以形成多组在垂直于所述第一刻蚀阻挡层的方向上与所述金属走线单元对应设置的所述第二无机材料单元和所述第二刻蚀阻挡单元。
本申请的实施例通过在第一无机材料层和基材层之间设置第一刻蚀阻挡层，从而避免在刻蚀第一无机材料层的过程中，位于第一无机材料层下方的基材层被过度刻蚀，进而避免刻蚀室污染。
附图说明
图1是根据本申请一个实施例的显示装置的示意性结构图。
图2是根据本申请另一个实施例的显示装置的示意性结构图。
图3是根据本申请又一个实施例的显示装置的示意性结构图。
图4是根据本申请再一个实施例的显示装置的示意性结构图。
图5是根据本申请又一个实施例的显示装置的示意性结构图。
图6是根据本申请一个实施例的显示装置的制备方法的示意性流程图。
图7是根据本申请一个实施例的显示装置的制备过程的示意性流程图。
图8是根据本申请另一个实施例的显示装置的制备方法的示意性流程图。
图9A至9C是根据本申请另一个实施例的显示装置的制备过程的示意性流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在可能的情况下，附图中相同或相似的部分将采用相同的附图标记。
正如背景技术所述，目前在刻蚀膜层的过程中，会存在刻蚀室污染的问题。发明人对此进行了研究，发现当被刻蚀的膜层的下方的膜层为基材层时，由于刻蚀步骤的重复性往往会存在波动，从而导致被刻蚀的膜层下方的基材层被刻蚀，进而导致刻蚀室污染。
为了解决刻蚀室容易污染的问题，发明人意识到，若是能够避免被刻蚀的膜层下方的基材层被刻蚀，将有效改善刻蚀室污染的问题。
图1是根据本申请一个实施例的显示装置的示意性结构图。
鉴于此，本申请的实施例提供了一种显示装置。如图1所示，该显示装置可以包括预设弯折区8和与该预设弯折区8连接的非弯折区7。预设弯折区8可以包括基材层4和设置在基材层4一侧的第一刻蚀阻挡层2。非弯折区7可以包括层叠设置的基材层4、第一刻蚀阻挡层2和第一无机材料层1。设置于第一刻蚀阻挡层2和第一无机材料层1表面的金属走线层3。
具体地，预设弯折区8可以是显示装置的扇出(fanout)区。由于预设弯折区8和非弯折区7相互连接，因此，预设弯折区8的基材层4和非弯折区7的基材层4可以属于同一个膜层。类似地，第一刻蚀阻挡层2也是如此。对于非弯折区7中的第一无机材料层1，由于在预设弯折区8被刻蚀，从而使得预设弯折区8的第一无机材料层1的形态和非弯折区7的第一无机材料层1的形态不一致。
在这里，第一刻蚀阻挡层2能够对第一无机材料层1的刻蚀步骤起到阻挡作用，进而避免在刻蚀第一无机材料层1的过程中，第一无机材料层1下方的基材层4被过度刻蚀。在这里，基材层4可以是指柔性基材，采用的材料可以具体为聚酰亚胺(PI)。在相同的刻蚀条件下，第一无机材料层1的刻蚀速率小于基材层4的刻蚀速率，从而导致在刻蚀基材层4时，刻蚀室中会产生大量颗粒，进而导致刻蚀室的污染。
在本申请的一个实施例中，第一无机材料层1与第一刻蚀阻挡层2的刻蚀选择比可以大于1。在这里，刻蚀选择比可以是指在同一刻蚀条件下第一无机材料层1的刻蚀速率与第一刻蚀阻挡层2的刻蚀速率的比值。由于该刻蚀选择比大于1，所以第一无机材料层1的刻蚀速率大于第一刻蚀阻挡层2的刻蚀速率。即使第一刻蚀阻挡层2被过度刻蚀，由于刻蚀速率较慢，也不容易刻蚀到下方的基材层4，从而有效避免了刻蚀室的污染。
例如，当第一无机材料层1采用的材料为无机硅氧化合物(SiOx)时，第一刻蚀阻挡层2采用的材料可以为非晶硅(a-Si)。在这里，无机硅氧化合物与非晶硅的刻蚀选择比大于1。
本申请的实施例通过在第一无机材料层1和基材层4之间设置第一刻蚀阻挡层2，从而避免在刻蚀第一无机材料层1的过程中，位于第一无机材料层1下方的基材层4被过度刻蚀，进而避免刻蚀室污染。
为了便于描述，下面以第一无机材料层1采用的材料为无机硅氧化合物为例，详细描述本申请的实施例。
图2是根据本申请另一个实施例的显示装置的示意性结构图。
在本申请的一个实施例中，如图2所示，金属走线层3可以包括设置在第一刻蚀阻挡层2表面的至少一个金属走线单元31。
在预设弯折区8，第一刻蚀阻挡层2远离基材层4的表面上可以进一步包括金属走线层3。该金属走线层3可以包括多个金属走线单元31。
具体地，如图2所示，预设弯折区8的多个金属走线单元31可以设置在第一刻蚀阻挡层2上。应当理解，非弯折区7的金属走线层3可以包括多个金属走线单元31，即非弯折区7的金属走线层3经过图形化，非弯折区7的金属走线层3也可以未经过图形化，这里对于非弯折区7的金属走线层3是否经过图形化不做限定。
在这里，预设弯折区8的第一无机材料层1被完全刻蚀。由于预设弯折区8的第一刻蚀阻挡层2的设置，可以有效防止在第一无机材料层1的过程中发生上述过度刻蚀的情况。由于预设弯折区8的第一无机材料层1被完全刻蚀，从而有效避免在弯折预设弯折区8时，由于第一无机材料层1的应力集中而导致的第一无机材料层1上方的金属走线层3断裂。
在本申请的一个实施例中，当第一刻蚀阻挡层2采用的材料为非晶硅时，第一刻蚀阻挡层2的厚度可以为10nm。
具体地，当预设弯折区8的第一无机材料层1被完全刻蚀时，且非弯折区7的第一无机材料层1的厚度为500nm时，第一刻蚀阻挡层2的厚度可以为10nm。由于第一刻蚀阻挡层2的厚度相较于第一无机材料层1的厚度薄很多，因此，当弯折显示装置的弯折区时，第一刻蚀阻挡层2的应力集中对金属走线层3的破坏作用远小于第一无机材料层1的应力集中对金属走线层3的破坏作用。
图3是根据本申请又一个实施例的显示装置的示意性结构图。
在本申请的另一个实施例中，如图3所示，在预设弯折区8，第一刻蚀阻挡层2远离基材层4的表面上可以进一步包括第一无机材料层1和金属走线层3。第一无机材料层1设置在金属走线层3和第一刻蚀阻挡层2之间，第一无机材料层1包括多个第一材料单元11，相邻的两个第一材料单元11之间存在间隔，金属走线层3包括多个金属走线单元31，金属走线单元31与第一材料单元11相对设置。
具体地，为了避免在弯折显示装置的弯折区时，弯折区的金属走线层3断裂，除了将预设弯折区8的第一无机材料层1完全刻蚀掉外，还可以将预设弯折区8的第一无机材料层1刻蚀为多个第一材料单元11。在这里，第一无机材料层1的刻蚀可以依照图形化后的金属走线层3的图形，也可以不依照图形化后的金属走线层3的图形，这里对于第一无机材料层1是否依照图形化后的金属走线层3的图形不做限定。
在弯折显示装置的弯折区时，由于相邻的两个第一材料单元11之间存在间隔，因此第一无机材料层1的应力集中可以有效得到避免，进而避免金属走线层3的断裂。
图4是根据本申请再一个实施例的显示装置的示意性结构图。
可选地，如图4所示，由于金属走线层3本身具有可弯折特性，因此，当第一无机材料层1的刻蚀与金属走线层3的图形化无关时，金属走线层3可以覆盖相邻的两个第一材料单元11之间的间隔而不易发生断裂。
图5是根据本申请又一个实施例的显示装置的示意性结构图。
在本申请的一个实施例中，如图5所示，显示装置可以进一步包括：依次层叠设置的第二无机材料层6和第二刻蚀阻挡层5。在预设弯折区8，第二无机材料层6和第二刻蚀阻挡层5设置在金属走线层3和第一刻蚀阻挡层2之间，其中，第二无机材料层6包括至少一个第二无机材料单元61，第二刻蚀阻挡层5包括至少一个第二刻蚀阻挡单元51，其中，第二无机材料单元61、第二刻蚀阻挡单元51和金属走线单元31在垂直于第一刻蚀阻挡层2的方向上对应设置；在非弯折区7，第二无机材料层6和第二刻蚀阻挡层5设置在第一无机材料层1和第一刻蚀阻挡层2之间。
具体地，第二刻蚀阻挡层5可以用于阻挡第一无机材料层1的过度刻蚀。第一刻蚀阻挡层2可以用于阻挡第二无机材料层6的过度刻蚀。在图5中，第一刻蚀阻挡层2和第二刻蚀阻挡层5的特性可以参考前面实施例中的第一刻蚀阻挡层2的特性，为了避免重复，这里不再赘述。类似地，在图5中，第一无机材料层1和第二无机材料层6可以参考前面实施例中的第一无机材料层1。
在这里，通过设置多个层刻蚀阻挡层，可以有效控制各个被刻蚀膜层的刻蚀厚度，进而保持刻蚀后膜层残余量的稳定可控，避免因残余量过多而导致的弯折裂纹扩展。
图6是根据本申请一个实施例的显示装置的制备方法的示意性流程图。
图7是根据本申请一个实施例的显示装置的制备过程的示意性流程图。
本申请实施例还提供了一种显示装置的制备方法，如图6所示，该方法可以包括如下步骤。
步骤610：在基材层4上形成依次层叠的第一刻蚀阻挡层2和第一无机材料层1。此步骤得到的结构可以如图7中的(a)所示。
步骤620：对位于预设弯折区8的第一无机材料层1进行第一刻蚀。在这里，预设弯折区8与非弯折区7相互连接。
步骤630：当监测到刻蚀至第一刻蚀阻挡层2表面时，停止第一刻蚀。此时，得到的结构可以如图7中的(b)所示。
步骤640：在第一无机材料层1和第一刻蚀阻挡层2表面形成金属走线层3。此步骤得到的结构可以如图7中的(c)所示。
在这里，显示装置中各个部件的结构和功能可以参考前述显示装置的实施例，为了避免重复，这里不再赘述。
本申请的实施例通过在第一无机材料层1和基材层4之间设置第一刻蚀阻挡层2，从而避免在刻蚀第一无机材料层1的过程中，位于第一无机材料层1下方的基材层4被过度刻蚀，进而避免刻蚀室污染。
在本申请的一个实施例中，在步骤640之后，制备方法可以进一步包括对位于预设弯折区8的金属走线层3进行第二刻蚀，以及当监测到刻蚀至第一刻蚀阻挡层2表面时，停止第二刻蚀以形成至少一个金属走线单元31。
在这里，对金属走线层3的刻蚀可以是指金属走线层3的图形化过程，相邻的两个金属走线单元31之间可以存在间隔。此步骤得到的结构可以如图7中的(d)所示。
图8是根据本申请另一个实施例的显示装置的制备方法的示意性流程图。图9A至9C是根据本申请另一个实施例的显示装置的制备过程的示意性流程图。
本申请又提供了一种显示装置的制备方法，如图8所示，该方法可以包括如下步骤。
步骤810：在基材层4上形成依次层叠的第一刻蚀阻挡层2、第二无机材料层6、第二刻蚀阻挡层5和第一无机材料层1。
具体的形成过程可以如图9A所示。在步骤810之后，得到的结构可以入图9A中的(d)所示。
步骤820：对预设弯折区8的第一无机材料层1进行第一刻蚀。
步骤830：当监测到刻蚀至第二刻蚀阻挡层5表面时，停止第一刻蚀。
具体地，预设弯折区8的第一无机材料层1被完全刻蚀，得到的结构如图9B中的(e)所示。
步骤840：在第一无机材料层1和第二刻蚀阻挡层5表面形成金属走线层3。此时，得到的结构可以如图9B中的(f)所示。
步骤850：对预设弯折区8的金属走线层3、第二刻蚀阻挡层5以及第二无机材料层6进行刻蚀，以形成多组在垂直于第一刻蚀阻挡层2的方向上对应设置的第二无机材料单元61、第二刻蚀阻挡单元51和金属走线单元31。此时，得到的结构可以如图9C中的(i)所示。
在这里，显示装置中各个部件的结构和功能可以参考前述显示装置的实施例，为了避免重复，这里不再赘述。
本申请的实施例通过在无机材料层和基材层4之间设置刻蚀阻挡层，从而避免在刻蚀无机材料层的过程中，位于无机材料层下方的基材层4被过度刻蚀，进而避免刻蚀室污染。此外，通过设置多个层刻蚀阻挡层，可以有效控制各个被刻蚀膜层的刻蚀厚度，进而保持刻蚀后膜层残余量的稳定可控，避免因残余量过多而导致的弯折裂纹扩展。
在本申请的一个实施例中，步骤850可以包括：对位于预设弯折区8的金属走线层3进行第二刻蚀；当监测到刻蚀至第二刻蚀阻挡层5表面时，停止第二刻蚀以形成至少一个金属走线单元31(此时到的结构可以如图9B中的(g)所示)；依据至少一个金属走线单元31所组成的图案对第二刻蚀阻挡层5和第二无机材料层6进行第三刻蚀；以及当监测到刻蚀至第一刻蚀阻挡层2表面时，停止第三刻蚀，以形成多组在垂直于第一刻蚀阻挡层2的方向上与金属走线单元31对应设置的第二无机材料单元61和第二刻蚀阻挡单元51(此时到的结构可以如图9C中的(i)所示)。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
预设弯折区，包括基材层和设置在所述基材层一侧的第一刻蚀阻挡层；
与所述预设弯折区连接的非弯折区，包括层叠设置的所述基材层、所述第一刻蚀阻挡层和第一无机材料层；以及
设置于所述第一刻蚀阻挡层和所述第一无机材料层表面的金属走线层；
所述金属走线层包括设置在所述第一刻蚀阻挡层表面的至少一个金属走线单元；
进一步包括：
依次层叠设置的第二无机材料层和第二刻蚀阻挡层；
其中，在所述预设弯折区，所述第二无机材料层和第二刻蚀阻挡层设置在所述金属走线层和所述第一刻蚀阻挡层之间，其中，所述第二无机材料层包括至少一个第二无机材料单元，所述第二刻蚀阻挡层包括至少一个第二刻蚀阻挡单元，其中，所述第二无机材料单元、所述第二刻蚀阻挡单元和所述金属走线单元在垂直于所述第一刻蚀阻挡层的方向上对应设置；
在所述非弯折区，所述第二无机材料层和第二刻蚀阻挡层设置在所述第一无机材料层和所述第一刻蚀阻挡层之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡层的厚度为10nm。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡层采用的材料包括非晶硅。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一无机材料层与所述第一刻蚀阻挡层的刻蚀选择比大于1。
5.一种如权利要求1所述的显示装置的制备方法，其特征在于，包括：
在基材层上形成依次层叠的第一刻蚀阻挡层、第二无机材料层、第二刻蚀阻挡层和第一无机材料层；
对预设弯折区的所述第一无机材料层进行第一刻蚀；
当监测到刻蚀至所述第二刻蚀阻挡层表面时，停止所述第一刻蚀；
在所述第一无机材料层和所述第二刻蚀阻挡层表面形成金属走线层；以及
对所述预设弯折区的所述金属走线层、所述第二刻蚀阻挡层以及所述第二无机材料层进行刻蚀，以形成多组在垂直于所述第一刻蚀阻挡层的方向上对应设置的所述第二无机材料单元、所述第二刻蚀阻挡单元和所述金属走线单元。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，对所述预设弯折区的所述金属走线层、所述第二刻蚀阻挡层以及所述第二无机材料层进行刻蚀，以形成多组在垂直于所述第一刻蚀阻挡层的方向上对应设置的所述第二无机材料单元、所述第二刻蚀阻挡单元和所述金属走线单元包括：
对位于所述预设弯折区的所述金属走线层进行第二刻蚀；
当监测到刻蚀至所述第二刻蚀阻挡层表面时，停止所述第二刻蚀以形成至少一个金属走线单元；
依据所述至少一个金属走线单元所组成的图案对所述第二刻蚀阻挡层和所述第二无机材料层进行第三刻蚀；以及
当监测到刻蚀至所述第一刻蚀阻挡层表面时，停止所述第三刻蚀，以形成多组在垂直于所述第一刻蚀阻挡层的方向上与所述金属走线单元对应设置的所述第二无机材料单元和所述第二刻蚀阻挡单元。
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