CN109950032B - 可变电感 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种可变电感,包含主要导体、次要导体及开关。次要导体磁性耦合至主要导体。开关的两侧分别连接到次要导体,开关的闭合及开启状态,决定在次要导体上的电流路径,并改变可变电感的电感值。通过设置开关于电感的导体上,可通过决定其开启/关闭的状态来改变电流路径,进而改变电感值,因而制作出可变电感。可变电感使用上下两层金属导体与多个电晶体开关,可提供宽的可变电感值与高解析度。此外,由于在信号路径上并没有串联开关,与一般串联耦合开关式可变电感相比有较高的Q值。如此,可变电感提供更宽的可调电感范围、更好的电感解析度、以及更高的Q值。
Description
技术领域
本发明涉及电子电路领域,尤其是一种可变电感。
背景技术
在电子电路某些特定的应用上,必须在特定的范围,例如,温度、频率等来改变电性的阻抗值。在现有技术上,常以一组电感器相互组合来达成可变电感值的效能。但是,这样的设计,尤其在集成电路中,占据了较大的空间,转化成本高,用以串联的耦接开关会降低电感器的效能。
在通讯领域的应用中,针对上述的结构作频率变化的测试,虽然可以达到可变电感值的效能,但是存在可调范围小、解析度低、耐久性差及偏压问题严重等缺点。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种可变电感,可变电感包含主要导体、第一次要导体及第一开关。主要导体包含第一节点及第二节点,第一节点及第二节点分别位于主要导体的两侧。第一次要导体磁性耦合至主要导体。第一开关的两侧分别连接到第一次要导体,第一开关的闭合及开启状态,决定在第一次要导体上的电流路径,并改变可变电感的电感值。
在一些实施例中,可变电感更包含第二开关。第二开关的两侧分别连接到第一次要导体,第一开关及第二开关的闭合及开启状态,决定在第一次要导体上的电流路径,并改变可变电感的电感值。
在一些实施例中,可变电感更包含第三开关,第三开关的两侧分别连接到第一次要导体,第一开关、第二开关及第三开关的闭合及开启状态,决定在第一次要导体上的电流路径,并改变可变电感的电感值。
在一些实施例中,可变电感更包含基板/印刷电路板,且第一次要导体设置在主要导体底部的下方,而基板/印刷电路板设置在第一次要导体底部的下方。更进一步地,在一些实施例中,可变电感更包含第二次要导体,第二次要导体与主要导体彼此磁性耦合,第二次要导体设置于主要导体的上方。
在一些实施例中,可变电感更包含基板/印刷电路板,且第一次要导体设置在主要导体的上方,而基板/印刷电路板设置在主要导体底部的下方。进一步地,在一些实施例中,可变电感更包含第二次要导体,第二次要导体与主要导体彼此磁性耦合,第二次要导体设置于主要导体与基板/印刷电路板之间。
又进一步地,在一些实施例中,可变电感更包含第四开关,第四开关的两侧分别连接到第二次要导体,第四开关的闭合及开启状态,决定在第二次要导体上的电流路径,并改变可变电感的电感值。更进一步地,在另一些实施例中,可变电感更包含第五开关,第五开关的两侧分别连接到第二次要导体,第四开关及第五开关的闭合及开启状态,决定在第二次要导体上的电流路径,并改变可变电感的电感值。再进一步地,在又一些实施例中,可变电感更包含第六开关,第六开关的两侧分别连接到第二次要导体,第四开关、第五开关及第六开关的闭合及开启状态,决定在第二次要导体上的电流路径,并改变可变电感的电感值。
通过设置开关于电感的导体上,可通过决定其开启/关闭的状态来改变电流路径,进而改变电感值,而制作出可变电感。如此,可变电感提供更宽的可调电感范围、更好的电感解析度、以及更高的Q值。
有关本发明的其它功效及实施例的详细内容,配合图式说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的图仅仅是本申请中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些图获得其它的图。
图1为可变电感一实施例的立体图;
图2A至图2H分别为第一次要导体上不同电流路径的平面图;
图3为图1的可变电感的等效电路图;
图4A和图4B为可变电感二个实施例的的设置方式的示意图;
图5为可变电感另一实施例的立体图;
图6为图5的可变电感的等效电路图;
图7A和图7B为可变电感二个实施例的的设置方式的示意图;
图8为图1的模拟结果的曲线图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、特征及效果更容易理解,以下提供用于详细说明本发明的实施例及图。
在附图中,为了清楚起见,放大了部分元件、区域等的宽度。在整个说明书中,相同的附图标记表示相同的元件。应当理解,当诸如元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时,其可以直接在另一元件上或与另一元件连接,或者中间元件可以也存在。相反,当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时,不存在中间元件。
应当理解,尽管术语“第一”、“第二”“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、或部分,但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此,下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、或“部分”可以被称为第二元件、部件、区域、或部分而不脱离本文的教导。
此外,诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系,如图所示。应当理解,相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如,如果一个附图中的装置翻转,则被描述为在其他元件的“下”侧的元件将被定向在其他元件的“上”侧。因此,示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的取向,取决于附图的特定取向。类似地,如果一个附图中的装置翻转,则被描述为在其它元件“下方”的元件将被定向为在其它元件“上方”。因此,示例性术语“下面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。
图1为可变电感一实施例的立体图。如图1所示,可变电感100包含主要导体110、第一次要导体120、第一开关S1、第二开关S2及第三开关S3。主要导体110与第一次要导体120彼此磁性耦合以形成变压器结构。由于变压器结构的磁性耦合理论,通过控制第一开关S1至第三开关S3,能改变第一次要导体120 的等效电感和耦合因子。随着第一次要导体120的等效电感和耦合因子的改变,主要导体110的电感值改变。因此,主要导体110、第一次要导体120和第一开关S1至第三开关S3可以实现可变电感的目的。
如图1所示,第一次要导体120设置在主要导体110的上方。第一开关S1,第二开关S2和第三开关S3可以在基板或印刷电路板140上实现。基板或印刷电路板140可以设置在主要导体110底部的下方。
第一开关S1的两侧分别连接到第一次要导体120。第二开关S2的两侧分别连接到第一次要导体120。第三开关S3的两侧分别连接到第一次要导体120。另外,主要导体110的两侧,分别具有第一节点N1及第二节点N2,用以与外部元件(图1中未示出)电性连接。
图2A至图2H分别为第一次要导体上不同电流路径的平面图。第一开关S1,第二开关S2和第三开关S3决定第一电流路径P1、第二电流路径P2、以及第三电流路径P3的闭合/断开,也就是电流的导通/开路。通过决定第一电流路径P1、第二电流路径P2、以及第三电流路径P3的导通/关闭,来达到可变电感的功效。
如图2A所示,第一开关S1、第二开关S2和第三开关S3都被操作为断开。第一次要导体120在此状态下,仅具有主分支M的单一回路(single-loop)结构。如图2B所示,第一开关S1呈闭合,第二开关S2和第三开关S3被操作为断开。第一次要导体120在此状态下形成为具有主分支M和第一电流路径P1的结构。如图2C所示,第二开关S2呈闭合,第一开关S1和第三开关S3被操作为断开。第一次要导体120在此状态下形成为具有主分支M和第二电流路径P2的结构。如图2D所示,第三开关S3呈闭合,第一开关S1和第二开关S2被操作为断开。第一次要导体120在此状态下形成为具有主分支M和第三电流路径P3的结构。
如图2E所示,第一开关S1和第二开关S2呈闭合,第三开关S3被操作为断开。第一次要导体120在此状态下形成为具有主分支M,并具有第一电流路径 P1和第二电流路径P2的结构。如图2F所示,第一开关S1和第三开关S3呈闭合,第二开关S2被操作为断开。第一次要导体120在此状态下形成为具有主分支M,并具有第一电流路径P1和第三电流路径P3的结构。如图2G所示,第二开关S2 和第三开关S3呈闭合,第一开关S1被操作为断开。第一次要导体120在此状态下形成为具有主分支M,并具有第二电流路径P2和第三电流路径P3的结构。如图2H所示,第一开关S1、第二开关S2及第三开关S3均呈闭合。第一次要导体 120在此状态下形成为具有主分支M,并具有第一电流路径P1、第二电流路径 P2及第三电流路径P3的结构。
如图2A至图2H所示,第一次要导体120可以通过第一开关S1,第二开关S2 和第三开关S3的断开或闭合的状态的组合,而可以形成八个不同可变电流路径的结构。因此,通过决定第一开关S1,第二开关S2和第三开关S3的闭合或断开状态,可以改变可变电感100的电感值。因此,在此实施例中,可变电感100 具有可调节的电感范围。
图3为图1的可变电感的等效电路图。从主要导体110的第一节点N1到第二节点N2的电感值是根据第一次要导体120的第一开关S1,第二开关S2和第三开关S3的断开或闭合的状态而改变。
然而,以上仅为示例,而不限于此。例如,在一些实施例中,可以省略第三开关S3。也就是,第一次要导体120形成可以有四种电流路径的结构,其由第一开关S1和第二开关S2的断开或闭合的状态来决定。又例如,在另一些实施例中,也可以去除第二开关S2和第三开关S3。如此,第一次要导体120形成具有两种电流路径的结构,其由第一开关S1的状态确定。又在另一些实施例中,连接到第一次要导体120可以超过三个,从而,电流路径的可变数量,可以超过八个。
图4A和图4B为可变电感二个实施例的的设置方式的示意图。如图4A所示,第一次要导体120设置在主要导体110的上方,并且基板/印刷电路板140设置在主要导体110底部的下方。而如图4B所示,第一次要导体120设置在主要导体110 的底部下方,并且基板/印刷电路板140设置在第一次要导体120的底部下方。
图5为可变电感另一实施例的立体图。如图5所示,可变电感200具有主要导体210、第一次要导体220、第二次要导体230、第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4、第五开关S5、和第六开关S6。第二次要导体230与主要导体210彼此磁性耦合。
如图5所示,第二次要导体230设置在主要导体210底部的下方。第四开关 S4、第五开关S5、和第六开关S6可以在基板/印刷电路板240上实现。基板/印刷电路板240可以设置在主要导体210的底部下方。第四开关S4的两侧分别连接到第二次要导体230。第五开关S5的两侧分别连接到第二次要导体230。第六开关S6的两侧分别连接到第二次要导体230。第四开关S4、第五开关S5、和第六开关S6分别决定另外三个电流路径。
如同前述实施例,第二次要导体230可以具有主分支M的单环结构,可配合第四开关S4、第五开关S5、和第六开关S6的闭合/断开状态来决定不同的电流路径。因此,如果第四开关S4、第五开关S5、和第六开关S6中的任何一个的状态改变,则第二次要导体230的电流路径改变,进而改变了电感值。
在此实施例中,第一次要导体220和第二次要导体230的结构与前述实例的第一次要导体120的结构大致相同。因此,省略对第一次要导体220和第二次要导体230的详细描述。因此,由第一开关S1、第二开关S2、以及第三开关S3的闭合/断开的状态决定,第一次要导体220形成为具有八个可变电流路径的结构。同样地,由第四开关S4,第五开关S5、以及第六开关S6的闭合/断开的状态决定,第二次要导体230也形成为具有八个可变电流路径的结构。因此,可以通过闭合或断开第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4、第五开关S5、或第六开关S6来改变电流路径,进而改变可变电感200的电感值。因此,在此实施例中,可变电感器200具有可调节的电感范围,其包括分别对应于8×8个不同电流路径的64个不同电感值。图6为图5的可变电感的等效电路图。
图7A和图7B为可变电感二个实施例的的设置方式的示意图。如图7A所示,在一些实施例中,第二次要导体230设置在主要导体210的上方,第一次要导体 220设置在主要导体210底部的下方,基板/印刷电路板240设置在第一要导体 220底部的下方。如图7B所示,第一次要导体220设置在主要导体210的上方,第二次要导体230设置在主要导体210底部的下方,而基板/印刷电路板240设置在第二次要导体230底部的下方。
然而,以上仅为示例,而不限于此。例如,在一些实施例中,可以省略第六开关S6。也就是,第二次要导体230形成可以有四种电流路径的结构,其由第四开关S4和第五开关S5的断开或闭合的状态来决定。又例如,在另一些实施例中,也可以去除第五开关S5和第六开关S6。如此,第二次要导体230形成具有两种电流路径的结构,其由第四开关S4的状态确定。又在另一些实施例中,连接到第二次要导体230可以超过三个,从而,电流路径的可变数量,可以超过八个。
图8为图1的模拟结果的曲线图,在此实施例中,图1所示的第一开关S1、第二开关S2及第三开关S3是由线宽28nm的互补金属氧化物半导体 (complementary metal oxidesemiconductor,CMOS)来实现。如图8所示,可变电感100的电感值可调节范围是187pH-277pH。同时,Q值及实际阻抗(Zreal)也可以通过第一开关S1、第二开关S2及第三开关S3的闭合/断开状态来调整。
综上实施例所述,前述的可变电感100/200的技术特征在于通过设置开关于电感的导体上,可通过其开启/关闭来改变电流路径,进而改变电感值,从而制作出可变电感。如此,可变电感能提供更宽的可调电感范围、更好的电感解析度、以及更高的Q值。
以上所述的实施例及/或实施方式,仅是用以说明实现本发明技术的较佳实施例及/或实施方式,并非对本发明技术的实施方式作任何形式上的限制,任何本领域技术人员,在不脱离本发明内容所公开的技术手段的范围,当可作些许的更动或修饰为其它等效的实施例,但仍应视为与本发明实质相同的技术或实施例。
Claims (10)
1.一种可变电感,其特征在于,包含:
基板/印刷电路板;
主要导体,包含第一节点及第二节点,所述第一节点及所述第二节点分别位于所述主要导体的两侧;
第一次要导体,磁性耦合至所述主要导体,所述第一次要导体设置在所述主要导体底部的下方,而所述基板/印刷电路板设置在所述第一次要导体底部的下方;
第一开关,所述第一开关的两侧分别连接到所述第一次要导体,所述第一开关的闭合及开启状态,决定在所述第一次要导体上的电流路径,并改变所述可变电感的电感值;
第二开关,所述第二开关的两侧分别连接到所述第一次要导体,所述第一开关及所述第二开关的闭合及开启状态,决定在所述第一次要导体上的电流路径,并改变所述可变电感的电感值;以及
第三开关,所述第三开关的两侧分别连接到所述第一次要导体,所述第一开关、所述第二开关及所述第三开关的闭合及开启状态,决定在所述第一次要导体上的电流路径,并改变所述可变电感的电感值。
2.如权利要求1所述的可变电感,其特征在于:
所述可变电感更包含第二次要导体,所述第二次要导体与所述主要导体彼此磁性耦合,所述第二次要导体设置于所述主要导体的上方。
3.如权利要求2所述的可变电感,其特征在于:
所述可变电感更包含第四开关,所述第四开关的两侧分别连接到所述第二次要导体,所述第四开关的闭合及开启状态,决定在所述第二次要导体上的电流路径,并改变所述可变电感的电感值。
4.如权利要求3所述的可变电感,其特征在于:
所述可变电感更包含第五开关,所述第五开关的两侧分别连接到所述第二次要导体,所述第四开关及所述第五开关的闭合及开启状态,决定在所述第二次要导体上的电流路径,并改变所述可变电感的电感值。
5.如权利要求4所述的可变电感,其特征在于:
所述可变电感更包含第六开关,所述第六开关的两侧分别连接到所述第二次要导体,所述第四开关、所述第五开关及所述第六开关的闭合及开启状态,决定在所述第二次要导体上的电流路径,并改变所述可变电感的电感值。
6.一种可变电感,其特征在于:
基板/印刷电路板;主要导体,包含第一节点及第二节点,所述第一节点及所述第二节点分别位于所述主要导体的两侧;
第一次要导体,磁性耦合至所述主要导体,所述第一次要导体设置在所述主要导体的上方,而所述基板/印刷电路板设置在所述主要导体底部的下方;
第二次要导体,所述第二次要导体与所述主要导体彼此磁性耦合,所述第二次要导体设置于所述主要导体与所述基板/印刷电路板之间;
第一开关,所述第一开关的两侧分别连接到所述第一次要导体,所述第一开关的闭合及开启状态,决定在所述第一次要导体上的电流路径,并改变所述可变电感的电感值;以及
第二开关,所述第二开关的两侧分别连接到所述第一次要导体,所述第一开关及所述第二开关的闭合及开启状态,决定在所述第一次要导体上的电流路径,并改变所述可变电感的电感值。
7.如权利要求6所述的可变电感,其特征在于:
所述可变电感更包含第四开关,所述第四开关的两侧分别连接到所述第二次要导体,所述第四开关的闭合及开启状态,决定在所述第二次要导体上的电流路径,并改变所述可变电感的电感值。
8.如权利要求7所述的可变电感,其特征在于:
所述可变电感更包含第五开关,所述第五开关的两侧分别连接到所述第二次要导体,所述第四开关及所述第五开关的闭合及开启状态,决定在所述第二次要导体上的电流路径,并改变所述可变电感的电感值。
9.如权利要求8所述的可变电感,其特征在于:
所述可变电感更包含第六开关,所述第六开关的两侧分别连接到所述第二次要导体,所述第四开关、所述第五开关及所述第六开关的闭合及开启状态,决定在所述第二次要导体上的电流路径,并改变所述可变电感的电感值。
10.如权利要求6所述的可变电感,其特征在于:
所述可变电感更包含第三开关,所述第三开关的两侧分别连接到所述第一次要导体,所述第一开关、所述第二开关及所述第三开关的闭合及开启状态,决定在所述第一次要导体上的电流路径,并改变所述可变电感的电感值。
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN102655139A (zh) * | 2011-03-03 | 2012-09-05 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 可变电感 |
Family Cites Families (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5629652A (en) * | 1996-05-09 | 1997-05-13 | Analog Devices | Band-switchable, low-noise voltage controlled oscillator (VCO) for use with low-q resonator elements |
US6255913B1 (en) * | 1999-10-04 | 2001-07-03 | Agere Systems Guardian Corp. | Variable frequency oscillator circuit |
JP4458754B2 (ja) * | 2003-03-04 | 2010-04-28 | 株式会社ルネサステクノロジ | L負荷差動回路 |
EP1478045B1 (en) * | 2003-05-16 | 2012-06-06 | Panasonic Corporation | Mutual induction circuit |
US7460001B2 (en) * | 2003-09-25 | 2008-12-02 | Qualcomm Incorporated | Variable inductor for integrated circuit and printed circuit board |
US7375598B2 (en) * | 2004-02-19 | 2008-05-20 | Texas Instruments Incorporated | System and method for increasing radio frequency (RF)/microwave inductor-capacitor (LC) oscillator frequency tuning range |
US7091784B1 (en) * | 2004-03-03 | 2006-08-15 | Atheros Communications, Inc. | Tunable circuit including a switchable inductor |
US7151430B2 (en) * | 2004-03-03 | 2006-12-19 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Method of and inductor layout for reduced VCO coupling |
JP4471757B2 (ja) * | 2004-07-14 | 2010-06-02 | 株式会社リコー | 可変インダクタ |
JP2006135829A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Renesas Technology Corp | 可変インダクタ並びにそれを用いた発振器及び情報機器 |
US7250826B2 (en) * | 2005-07-19 | 2007-07-31 | Lctank Llc | Mutual inductance in transformer based tank circuitry |
DE102005048409B4 (de) * | 2005-10-10 | 2012-04-12 | Infineon Technologies Ag | Verstärkeranordnung für Ultra-Breitband-Anwendungen und Verfahren |
EP1788626B1 (en) * | 2005-11-17 | 2009-04-29 | Seiko Epson Corporation | Multilayer circuit with variable inductor, and method of manufacturing it |
DE102006023352A1 (de) * | 2006-05-17 | 2007-11-22 | Atmel Duisburg Gmbh | Integrierter abstimmbarer Schwingkreis |
KR100777394B1 (ko) * | 2006-05-17 | 2007-11-19 | 삼성전자주식회사 | 진폭 불균형을 개선하기 위한 온칩 트랜스포머 밸룬 |
US8044756B2 (en) * | 2006-07-07 | 2011-10-25 | St-Ericsson Sa | Programmable inductor |
JP2008311820A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Toshiba Corp | 電圧制御発振器および発振制御システム |
US7612612B2 (en) * | 2007-06-22 | 2009-11-03 | Texas Instruments Incorporated | Calibration circuitry and delay cells in rectilinear RF power amplifier |
KR100937402B1 (ko) * | 2007-09-19 | 2010-01-18 | 한국전자통신연구원 | 넓은 발진 주파수 범위와 선형 특성을 갖는 전압 제어발진기 |
TW200934098A (en) * | 2008-01-17 | 2009-08-01 | Univ Nat Taiwan | Transistor voltage-controlled oscillator |
JP2010093436A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Alps Electric Co Ltd | フィルタ回路及び電圧制御発振回路 |
US20100123536A1 (en) * | 2008-11-19 | 2010-05-20 | Yumin Lu | Tunable capacitively loaded transformer providing switched inductance for rf/microwave integrated circuits |
GB2467931A (en) * | 2009-02-19 | 2010-08-25 | Cambridge Silicon Radio Ltd | Tuning circuit with mutually coupled inductors |
WO2011073853A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Stmicroelectronics S.R.L. | Circuit arrangement of a voltage controlled oscillator |
JP2011159953A (ja) * | 2010-01-05 | 2011-08-18 | Fujitsu Ltd | 電子回路及び電子機器 |
JP2011182107A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Renesas Electronics Corp | 電力増幅装置 |
WO2011156379A2 (en) * | 2010-06-07 | 2011-12-15 | Cornell University | Resonator circuit and amplifier circuit |
US20120244802A1 (en) * | 2011-03-24 | 2012-09-27 | Lei Feng | On chip inductor |
US20120286889A1 (en) * | 2011-05-10 | 2012-11-15 | Samsung Electro-Mechanics Company | Systems and Methods for Wideband CMOS Voltage-Controlled Oscillators Using Reconfigurable Inductor Arrays |
EP2707946B1 (en) * | 2011-05-11 | 2017-11-15 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | A low noise oscillator |
GB2496387B (en) * | 2011-11-08 | 2014-02-26 | Cambridge Silicon Radio Ltd | A near field communications reader |
EP2648193B1 (en) * | 2012-04-03 | 2015-07-29 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (publ) | An inductor layout, and a voltage-controlled oscillator (VCO) system |
US9014653B2 (en) * | 2012-09-16 | 2015-04-21 | Technische Universiteit Delft | High-IF superheterodyne receiver incorporating high-Q complex band pass filter |
US10153728B2 (en) * | 2013-11-08 | 2018-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and method |
US9300246B2 (en) * | 2014-02-25 | 2016-03-29 | International Business Machines Corporation | Resonator having distributed transconductance elements |
TWI524658B (zh) * | 2014-06-30 | 2016-03-01 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 能抑制自身電磁輻射的電感電容共振腔及其製造方法 |
US9685910B2 (en) * | 2014-10-03 | 2017-06-20 | Short Circuit Technologies Llc | Transformer based impedance matching network and related power amplifier, ADPLL and transmitter based thereon |
US10270401B2 (en) * | 2014-10-20 | 2019-04-23 | Richwave Technology Corp. | Two-stage electromagnetic induction transformer |
US9325277B1 (en) * | 2014-12-16 | 2016-04-26 | Xilinx, Inc. | Voltage controlled oscillator including MuGFETS |
US9401696B1 (en) * | 2015-01-09 | 2016-07-26 | International Business Machines Corporation | Boosting varactor capacitance ratio |
CN104637920B (zh) * | 2015-01-15 | 2017-08-15 | 温州大学 | 一种电感值可调的片上集成单端电感 |
CN107210714A (zh) * | 2015-01-27 | 2017-09-26 | 华为技术有限公司 | 变换器、功率匹配网络和数字功率放大器 |
US9948265B2 (en) * | 2015-05-14 | 2018-04-17 | Mediatek Inc. | Inductor capacitor tank for resonator |
US9742353B2 (en) * | 2015-06-22 | 2017-08-22 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | CMOS VCO with implicit common-mode resonance |
CN105244345B (zh) * | 2015-09-21 | 2018-04-03 | 温州大学 | 一种电感值可调的片上集成差分电感 |
US10075131B2 (en) * | 2016-04-20 | 2018-09-11 | International Business Machines Corporation | Ultra-broadband switched inductor oscillator |
US10200009B2 (en) * | 2016-08-31 | 2019-02-05 | Analog Devices Global | Switchable transformer-based balun |
US10361154B2 (en) * | 2017-12-20 | 2019-07-23 | National Chung Shan Institute Of Science And Technology | Variable inductor and integrated circuit using the variable inductor |
-
2017
- 2017-12-20 US US15/847,960 patent/US20190189342A1/en not_active Abandoned
-
2018
- 2018-08-07 EP EP18187744.0A patent/EP3503132B1/en active Active
- 2018-08-09 JP JP2018150079A patent/JP6515240B1/ja active Active
- 2018-08-23 KR KR1020180098662A patent/KR102071800B1/ko active IP Right Grant
- 2018-12-12 CN CN201811517343.XA patent/CN109950032B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102543361A (zh) * | 2010-12-20 | 2012-07-04 | 联发科技(新加坡)私人有限公司 | 可调电感器 |
CN102655139A (zh) * | 2011-03-03 | 2012-09-05 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 可变电感 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190074937A (ko) | 2019-06-28 |
EP3503132B1 (en) | 2021-05-26 |
KR102071800B1 (ko) | 2020-01-30 |
CN109950032A (zh) | 2019-06-28 |
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