CN109946921A - 包括遮光层的光掩模及利用其形成图案的方法 - Google Patents

包括遮光层的光掩模及利用其形成图案的方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种光掩模和利用所述光掩模形成图案的方法。所述光掩模包括掩模主体，所述掩模主体包括图案区域和外围区域，并且具有第一表面和第二表面。掩模图案设置在与所述掩模主体的第一表面的图案区域重叠的部分上。遮光层设置在所述外围区域中。所述遮光层提供溢出遮光区域，所述溢出遮光区域延伸以与在所述图案区域中需要CD校正的临界尺寸(CD)校正区域重叠。

Description

包括遮光层的光掩模及利用其形成图案的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年12月21日提交的申请号为10-2017-0176686的韩国专利申请的优先权，该申请通过引用整体并入本文。
技术领域
本申请涉及一种光刻技术，更具体地，涉及包括遮光层(shading layer)的光掩模和利用该光掩模形成图案的方法。
背景技术
在半导体工业中，用于在晶片上形成精细图案的各种技术已经被用来提高半导体器件的集成密度。通常，随着精细图案的尺寸减小，控制精细图案的临界尺寸(CD)变得更加困难。因此，可能需要开发用于改善精细图案的CD的均匀性的技术。
当在晶片上形成精细图案时，光刻技术可以用于将光掩模的掩模图案的图像利用照射光转移到涂覆在晶片上的光致抗蚀剂层上。在这种方法中，形成在抗蚀剂层中的转移图案的CD可能根据转移图案的位置而局部不均匀。尽管已经提出了许多校正光掩模的掩模图案的方法以改进形成在晶片上的转移图案的CD的均匀性，但是还需要进一步的改进。
发明内容
根据一个实施例，提供了一种光掩模。所述光掩模包括：第一表面和第二表面，所述第一表面包括第一图案区域和外围区域；掩模图案，其设置在所述第一图案区域上；以及遮光层，其设置在所述外围区域中。所述遮光层提供溢出遮光区域，所述溢出遮光区域延伸以与所述第一图案区域的临界尺寸(CD)校正区域重叠。
根据另一个实施例，提供一种利用光掩模形成图案的方法，所述光掩模包括：掩模主体，其包括图案区域和外围区域，并且具有第一表面和第二表面；掩模图案，其设置在与所述掩模主体的第一表面的所述图案区域重叠的部分上；以及遮光层，其设置在所述外围区域中，其中所述遮光层提供溢出遮光区域，所述溢出遮光区域延伸以与在所述图案区域中需要CD校正的临界尺寸(CD)校正区域重叠。所述方法包括改变所述遮光层的位置以控制所述溢出遮光区域与所述图案区域的重叠区域的宽度。图案图像利用所述光掩模而被转移到抗蚀剂层上。
根据另一个实施例，所述方法包括提供光掩模，其中所述光掩模包括：掩模主体，其包括第一表面和第二表面，所述第一表面包括第一图案区域和外围区域；掩模图案，其设置在所述第一图案区域上；以及遮光层，其设置在所述外围区域中，并且其中所述遮光层提供溢出遮光区域，所述溢出遮光区域延伸以与所述第一图案区域的临界尺寸(CD)校正区域重叠。所述方法还包括：改变所述遮光层的位置以控制所述溢出遮光区域与所述第一图案区域的重叠区域的宽度，以及利用所述光掩模将图案图像转移到抗蚀剂层上。
附图说明
图1是示出根据一个实施例的光掩模的平面图。
图2是示出与图1的光掩模结合的溢出遮光区域的平面图。
图3是沿图1的线A-A’截取的截面图。
图4是示出根据一个实施例的形成光掩模的遮光层的工艺的截面图。
图5是示出图2中所示的光掩模的溢出遮光区域中的衰减率的曲线图。
图6是示出图2中所示的光掩模的溢出遮光区域中的照射光强度的变化的曲线图。
图7是示出由于存在根据一个实施例的光掩模的遮光层而带来的临界尺寸(CD)校正效果的曲线图。
图8和图9是示出根据实施例的、根据光掩模的遮光层的位置而不同地形成的溢出遮光区域的截面图。
图10是示出通过根据比较示例的光掩模而被转移到晶片上的抗蚀剂图案的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图以实施例所属领域的技术人员可以容易地实现这些实施例的程度来详细描述各种实施例。在附图中呈现的附图标记之中，相同的附图标记表示相同的构件。
在描述本公开时，当确定已知的相关技术的详细描述可能使本公开的主旨模糊时，将省略其详细描述。
本文使用的术语可以对应于考虑到它们在实施例中的功能而选择的词语，并且，根据具有本领域普通技术的技术人员在考虑所描述的实施例的情况下的理解，这些术语的含义可能被解释得不同。如果被详细定义，则这些术语可以根据该定义而被解释。除非另外定义，否则本文使用的术语具有与实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。
应当理解，尽管术语第一、第二、第三等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开，而不用于仅限定元件本身或用于表示特定的顺序。因此，在不脱离本发明构思的教导的情况下，一些实施例中的第一元件可以在其他实施例中被称为第二元件。
还应理解，当一元件或层被称为在其他元件或层“上”、“之上”、“下”、“之下”或“外部”时，该元件或层可以与其他元件或层直接接触，或者可以存在中间元件或层。用于描述元件或层之间的关系的其他词语应以类似的方式解释(例如，“在...之间”与“直接在...之间”、或“相邻”与“直接相邻”)。
以下实施例可以应用于实现诸如动态随机存取存储器(DRAM)器件、相变随机存取存储器(PcRAM)器件、或电阻式随机存取存储器(ReRAM)器件的集成电路。而且，以下实施例可以应用于实现诸如静态随机存取存储器(SRAM)器件、快闪存储器件、磁随机存取存储器(MRAM)器件、或铁电随机存取存储器(FeRAM)器件的存储器件。此外，以下实施例可以应用于实现集成有逻辑电路的逻辑器件。以下实施例也可以应用于用于实现包括精细图案的各种产品的技术。
在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。即使一附图标记没有参考一附图而被提及或描述，但该附图标记可以参考另一附图而被提及或描述。另外，即使一附图标记未在一附图中示出，但该附图标记可以参考另一附图而被提及或描述。
在以下描述中，阐述了许多具体细节以便提供对本发明的完整理解。本发明可以在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下实现。在其他情况下，没有详细描述众所周知的工艺结构和/或过程，以免不必要地模糊本发明。
还应注意，在一些情况下，如对于相关领域的技术人员而言明显的是，除非另有明确说明，否则结合一个实施例描述的特征或元件可以单独使用，或与另一实施例的其他特征或元件组合使用。
图1是示出根据一个实施例的光掩模100的平面图。图10是示出通过根据比较示例的光掩模而被转移到晶片上的抗蚀剂图案210的截面图。
参考图1，光掩模100可以包括图案区域(例如，第一图案区域101和第二图案区域102)和外围区域103。图案区域101和102中的每一个可以包括掩模图案120(参见图3)，所述掩模图案120的图像被转移到涂覆在晶片上的抗蚀剂层上。图案区域101和102可以对应于半导体器件的单元阵列区域或场区域。半导体器件可以是包括通过将光掩模100的掩模图案的图像转移到晶片上而形成的图案的器件。外围区域103可以与图案区域101和102相邻。外围区域103可以设置在图案区域101与102之间，并且可以与图案区域101和102中的每一个间隔开预定距离。外围区域103与第一图案区域101之间的预定距离可以和外围区域103与第二图案区域102之间的距离相同。外围区域103可以是其中没有设置掩模图案120的区域。即，外围区域103可以是没有任何掩模图案要被转移到晶片上的掩模图案禁止区域。外围区域103可以位于场区域的外部区域中，或者可以位于单元阵列区域之间。例如，外围区域103可以设置在第一图案区域101与第二图案区域102之间。外围区域103可以与第一图案区域101和第二图案区域102相邻。
第一图案区域101可以包括与外围区域103相邻的第一边缘区域101E。通过将第一边缘区域101E中的掩模图案转移到晶片上而形成的抗蚀剂图案的临界尺寸(CD)变化可能超出允许的范围。类似地，第二图案区域102可以包括与外围区域103相邻的第二边缘区域102E，并且通过将第二边缘区域102E中的掩模图案转移到晶片上而形成的抗蚀剂图案的CD变化也可能超出允许的范围。因此，可能需要对第一边缘区域101E和第二边缘区域102E中的掩模图案的尺寸进行校正。到目前为止，用于校正第一边缘区域101E和第二边缘区域102E中的掩模图案的尺寸的一种方法包括使用用于制造光掩模的工艺。然而，通常可能难以使用光掩模的制造工艺来校正第一边缘区域101E和第二边缘区域102E中的掩模图案的尺寸。本申请提供了一种在不用校正光掩模中包括的掩模图案的尺寸的情况下校正晶片上的转移图案(例如，抗蚀剂图案)的CD的新方法和器件。
根据本公开的各种实施例，可以在光掩模100的外围区域103中设置遮光层区域104。遮光层区域104可以作用为如下的校正元件，该校正元件引起形成在抗蚀剂层的对应于与遮光层区域104相邻的第一边缘区域101E和/或第二边缘区域102E的区域中的转移图案的CD的校正。
图10示出了利用传统光掩模(未示出)通过曝光步骤和显影步骤在晶片200上形成的图案作为比较示例。根据该比较示例的光掩模，仅在一对图案区域之间设置外围区域。可以利用比较示例的光掩模通过曝光步骤和显影步骤在晶片200上形成抗蚀剂图案210。抗蚀剂图案210可以位于晶片200的与比较示例的光掩模的图案区域相对应的图案区域201中。没有图案形成在晶片200的与比较示例的光掩模的外围区域相对应的外围区域203中。
抗蚀剂图案210中包括的第一抗蚀剂图案210E可以形成在晶片200的与比较示例的光掩模的图案区域的边缘区域相对应的边缘区域201E中，并且，与形成在位于边缘区域201E的内部的内部区域201M中的第二抗蚀剂图案210M(被包括在抗蚀剂图案210中)相比，第一抗蚀剂图案210E可被形成为具有相对大的CD变化。例如，与第一抗蚀剂图案210E之间的距离相对应的第一间隔S1可以大于与第二抗蚀剂图案210M之间的距离相对应的第二间隔S2。即，第一抗蚀剂图案210E的线宽、或第一抗蚀剂图案210E之间的第一间隔S1，可能被不期望地控制。因此，光掩模的与晶片200的边缘区域201E相对应的边缘区域是需要图案校正的区域。
返回参考图1，遮光层区域104可以被设置为与光掩模100的第一边缘区域101E间隔开，所述第一边缘区域101E可以被认为是与晶片(图10的200)的边缘区域(图10的201E)相对应的区域。可以引入遮光层区域104以提供引起形成在抗蚀剂层的与第一边缘区域101E相对应的区域中的转移图案(例如，图10的第一抗蚀剂图案210E)具有正常的均匀CD的校正元件。遮光层区域104可以被设置为使辐射到光掩模100上的照射光的强度衰减的区域。
第一图案区域101还可以包括内部区域101M，所述内部区域101M与第一边缘区域101E的与遮光层区域104相对的一侧相邻。在这种情况下，遮光层区域104可以被设置为与第一边缘区域101E或第一图案区域101间隔开，使得内部区域101M不受遮光层区域104的影响，而第一边缘区域101E受到遮光层区域104的影响。遮光层区域104的位置可以被限制在外围区域103中，使得遮光层区域104不与第一边缘区域101E重叠。由于遮光层区域104不与第一边缘区域101E重叠，因此穿过遮光层区域104的照射光的强度的衰减实质上不影响在内部区域101M中设置的掩模图案的图像的转移。
位于光掩模100的外围区域103中的遮光层区域104可以包括遮光层140(参见图3)。遮光层140可以设置在遮光层区域104中。遮光层140可以减弱辐射到光掩模100上的一部分照射光以使照射光的强度衰减。遮光层区域104可以设置在外围区域103中，并且可以与第一图案区域101间隔开。遮光层区域104也可以被设置为与第二图案区域102间隔开，所述第二图案区域102与遮光层区域104的与第一图案区域101相对的一侧相邻。
图2是示出与图1的光掩模100结合的溢出遮光区域(spill-over-shadingregion)105和106的平面图。图3是沿图1中的线A-A’截取的截面图。图4是示出根据一个实施例的形成光掩模的遮光层140的工艺的截面图。图5是示出图2中所示的光掩模100的溢出遮光区域105和106的衰减率的曲线图。图6是示出图2中所示的光掩模100的溢出遮光区域105和106中的照射光强度的变化的曲线图。
图3中示出的遮光层140可以形成在图2中所示的遮光层区域104中。遮光层140可以使辐射到光掩模100的掩模主体110中的照射光的强度衰减。
光掩模100可以包括具有彼此相对的第一表面111和第二表面112的掩模主体110。第一表面111可以对应于掩模主体110的前侧表面，而第二表面112可以对应于掩模主体110的后侧表面。掩模主体110可以是透明基板。例如，掩模主体110可以是石英基板。掩模图案120可以设置在掩模主体110的第一表面111上，以提供被转移到涂覆在晶片上的抗蚀剂层上的图案图像。掩模图案120可以设置在掩模主体110的第一表面111的第一图案区域101和第二图案区域102中。掩模图案120可以不设置在掩模主体110的第一表面111的外围区域103中。
遮光层140可以利用激光束来形成，如图4中所示。例如，激光束可以辐射到掩模主体110的第二表面112上，以被聚焦在掩模主体110中的遮光层区域104的一部分上，从而在遮光层区域104中形成形变元件149。形变元件149可以具有三维体积，并且可以具有与掩模主体110的材料(例如，石英材料)不同的晶体结构。如果沿一个方向重复地并且间歇性地扫描激光束，则可以在遮光层区域104中形成多个形变元件149以提供遮光层140。形变元件149可以降低基本上由透明材料例如石英材料构成的掩模主体110中的遮光层区域104的光学透射率。在一个实施例中，形变元件149可以是在掩模主体110的遮光层区域104中形成的划痕(scratch)。因此，遮光层140可以使穿过与遮光层140重叠的区域的照射光的强度衰减。
参考图2和图3，由于在掩模主体110中形成的遮光层140的存在，因此溢出遮光区域105和106可以设置在区域D3(即，遮光层区域104)的两侧，所述区域D3与遮光层140直接重叠，如图2的平面图中所示。当照射光辐射到掩模主体110上时，溢出遮光区域105和106可以对应于遮光层140的阴影区域。与遮光层140直接重叠的区域D3可以限制在与第一表面111的一部分相对应的外围区域103中，照射光经由第一表面111的该部分从掩模主体110输出。溢出遮光区域105和106中的每一个可以具有如下的区域D1，所述区域D1在掩模主体110的第一表面111从遮光层区域104延伸一定距离。
如图3中所示，溢出遮光区域105和106是通过辐射到遮光层区域104上的照射光的溢出现象(spill-over phenomenon)来形成的。当照射光辐射到遮光层区域104上时，遮光层140的阴影可以延伸出遮光层140以提供溢出遮光区域105和106。如图5中所示，与遮光层区域104基本上完全重叠的区域110-3可以是被完全施加遮光层140的100％衰减效果的区域。例如，如果遮光层140被形成为具有3％的衰减率，则穿过区域110-3的照射光可以具有减小了3％的强度。即，与遮光层区域104基本上完全重叠的区域110-3可以是被完全施加遮光层140的衰减效果的区域。
在从遮光层140朝向第一图案区域101或第二图案区域102延伸一定距离的区域110-2中，穿过区域110-2的照射光的强度可以从远离区域110-3开始逐渐减小。即，穿过与溢出遮光区域105相对应的区域110-2的照射光的强度可以从远离区域110-3开始逐渐减小，以提供部分地呈现遮光层140的遮光效果的溢出遮光区域105。区域110-2可以位于被完全施加遮光层140的衰减效果的区域110-3与未被施加遮光层140的衰减效果的区域110-1之间。溢出遮光区域105和106可以提供比遮光层140直接提供的照射光的衰减率更低的衰减率。例如，溢出遮光区域105和106可以提供大约1％至大约2％的平均衰减率。部分地受到遮光层140的遮光效果影响的区域被定义为溢出遮光区域105和106。
参考图3、图5和图6，在与遮光层区域104基本上完全重叠的区域110-3中，辐射到光掩模100的掩模主体110的第二表面112上的照射光的强度I-1可以借助于遮光层140被减小到强度I-2，并且具有强度I-2的照射光可以经由掩模主体110的第一表面111从掩模主体110输出。由于与遮光层区域104基本上完全重叠的区域110-3是被完全施加遮光层140的100％衰减效果的区域，因此由遮光层140提供的衰减率(例如，3％)可以被施加于遮光层区域104。
如图2和图3中所示，溢出遮光区域105和106中的每一个的一部分可以被定位成与其中需要CD校正的第一边缘区域101E或第二边缘区域102E重叠。在这种情况下，可以调节遮光层140的位置。即，可以改变或控制遮光层140的位置，使得第一溢出遮光区域105与其中需要CD校正的第一边缘区域101E的整个部分重叠。另外，可以改变或控制遮光层140的位置，使得第二溢出遮光区域106与其中需要CD校正的第二边缘区域102E的整个部分重叠。第一溢出遮光区域105与第一图案区域101的重叠区域E1可以延伸以至少包括其中需要CD校正的第一边缘区域101E。
再次参考图3和图6，在与第一溢出遮光区域105相对应的区域110-2中，辐射到光掩模100的掩模主体110的第二表面112上的照射光的强度I-1可以借助于遮光层140的遮光效果而被减小，并且具有减小的强度的照射光可以经由掩模主体110的第一表面111从掩模主体110输出。在这种情况下，在第一溢出遮光区域105中，照射光的强度可以从遮光层区域104朝向内部区域101M逐渐增大。即，在第一溢出遮光区域105中，照射光的强度可以从具有最小值的强度I-2朝向内部区域101M逐渐增大到强度I-1，所述强度I-1与辐射到掩模主体110的第二表面112上的照射光的初始强度相对应。
在第一溢出遮光区域105与第一图案区域101的重叠区域E1中、或者在其中需要CD校正的第一边缘区域101E中，经由第一表面111从掩模主体110输出的照射光可以具有比辐射到第二表面112上的照射光的强度I-1更小并且比减小的强度I-2更大的强度。即，经由第一表面111从第一溢出遮光区域105输出的照射光的强度可以大于经由与遮光层140直接重叠的第一表面111的一部分输出的照射光的强度，并且可以小于经由不与第一溢出遮光区域105重叠的内部区域101M的第一表面111输出的照射光的强度。在第一溢出遮光区域105与第一图案区域101的重叠区域E1中、或者在其中需要CD校正的第一边缘区域101E中，经由第一表面111输出的照射光的强度可以从第一边缘区域101E的与外围区域103相邻的一侧开始朝向内部区域101M逐渐增大。
在第一溢出遮光区域105与第一图案区域101的重叠区域E1中、或者在其中需要CD校正的第一边缘区域101E中，经由第一表面111输出的照射光可以被控制为具有比辐射到第二表面112上的照射光的强度I-1更小的强度。因此，校正或改变通过将设置在第一边缘区域101E中的掩模图案120的图像转移到抗蚀剂层而形成的第一抗蚀剂图案(图10的210E)之间的第一间隔(图10的S1)可以是可能的。例如，减小第一抗蚀剂图案(图10的210E)之间的第一间隔(图10的S1)可以是可能的。
再次参考图3，从遮光层区域104延伸的区域D1的宽度可以根据如下的深度T1变化，所述深度T1对应于遮光层140与掩模主体110的第二表面112之间的距离。此外，从遮光层区域104延伸的区域D1的宽度可以根据遮光层140与第一图案区域101之间的距离D2变化。此外，从遮光层区域104延伸的区域D1的宽度可以根据与遮光层140直接重叠的区域D3的宽度变化，即，根据遮光层140的宽度变化。
因此，从遮光层区域104延伸以与第一边缘区域101E重叠的区域D1的宽度可以通过改变遮光层140的深度T1、区域D3的宽度、以及距离D2来控制。即，第一溢出遮光区域105和第二溢出遮光区域106的边界可以通过设置遮光层140的位置来限定。因此，通过改变遮光层140的位置或宽度来将第一溢出遮光区域105和第二溢出遮光区域106中的每一个限定为比第一边缘区域101E更窄的特定区域可以是可能的。
图7是示出根据一个实施例的通过光掩模的遮光层获得的临界尺寸(CD)校正效果的曲线图。
参考图7，如果利用包括设置在外围区域(图1中的103)中的遮光层(图3中的140)的光掩模(图1中的100)在晶片上形成抗蚀剂图案，则形成在晶片的与第一边缘区域101E和第二边缘区域102E相对应的区域上的抗蚀剂图案之间的间隔54，可以被校正为基本上等于或接近于形成在晶片的与光掩模100的内部区域101M相对应的区域上的抗蚀剂图案之间的间隔。相反，如果利用如参考图10所述的没有遮光层(图3中的140)的光掩模(未示出)在晶片200上形成抗蚀剂图案210，则形成在晶片200的与第一边缘区域101E和第二边缘区域102E相对应的区域上的抗蚀剂图案210之间的间隔51(即，图10的第一间隔S1)可大于间隔54。如参考图3所述，遮光层140可以被设置为在平面图中与第一边缘区域101E和第二边缘区域102E间隔开而不与第一边缘区域101E和第二边缘区域102E重叠。因此，遮光层140可以作用为如下的CD校正层，所述CD校正层减小形成在晶片的与其中需要CD校正的边缘区域101E和102E相对应的区域上的抗蚀剂图案之间的间隔。如果适当地控制遮光层140的位置，则可以选择性地仅校正与设置在第一边缘区域101E和第二边缘区域102E中的掩模图案相对应的抗蚀剂图案的CD。
如果假设遮光层140设置为与第一边缘区域101E和第二边缘区域102E重叠，则由遮光层所提供的溢出遮光区域而引起的照射光强度的衰减效果可能会影响内部区域101M。因此，通过将内部区域101M中的掩模图案120的图像转移到晶片上而形成的抗蚀剂图案之间的间隔可能被减小，从而导致工艺失败。根据实施例，遮光层140可以在平面图中设置在外围区域103中以与第一边缘区域101E和第二边缘区域102E间隔开，而不与第一边缘区域101E和第二边缘区域102E重叠。因此，通过转移第一边缘区域101E和第二边缘区域102E中的掩模图案120的图像而形成的抗蚀剂图案的CD可以被校正。
图8和图9是示出根据一些实施例的、根据光掩模100A和100B的遮光层141和142的位置而不同地形成的溢出遮光区域的截面图。
参考图8，如果光掩模100A的外围区域103中包括的遮光层141位于比深度(图3中的T1)更大的深度T2处，则由遮光层141提供的溢出遮光区域与第一边缘区域101E之间的重叠区域E2的宽度可以减小。如果遮光层141的深度T2被设置为大于图3中所示的遮光层140的深度T1，则由遮光层141提供的延伸区域D1-1与第一边缘区域101E之间的重叠区域E2的宽度可以减小。因此，其中掩模图案的CD被校正的区域的宽度也可以减小。
参考图9，如果遮光层142与第一图案区域101之间的距离D5减小为小于图3中所示的距离D2，则与遮光层142所提供的溢出遮光区域相对应的区域D6可以进一步延伸到内部区域101M中。因此，区域D6与包括第一边缘区域101E的第一图案区域101之间的重叠区域E3的宽度可以增大。此外，如果遮光层142的宽度D4增大，则可以额外减小遮光层142与第一图案区域101之间的距离D5。
参考图8和图9，通过改变设置在光掩模100A或100B的掩模主体110中的遮光层141或142的位置、深度和/或宽度，第一图案区域101与延伸区域D1-1和D6之间的重叠区域E2和E3的宽度可以被控制得不同。因此，通过适当地改变设置在光掩模100A或100B的掩模主体110中的遮光层141或142的位置、深度和/或宽度，可以容易地控制与延伸区域D1-1和D6重叠的CD校正区域的宽度。因此，可以选择性地减小辐射到CD校正区域中的照射光的强度，以局部地校正形成在晶片上的图案的CD。即，如图3中所示，其中设置有遮光层140的遮光层区域104的尺寸、深度或位置可以根据其中需要CD校正的区域的尺寸和位置而被设置得不同。
再次参考图3，可以利用根据一个实施例的光掩模100在晶片上形成抗蚀剂图案。在这种情况下，通过改变遮光层140的位置，可以控制溢出遮光区域(图2中的105)与第一图案区域101之间的重叠区域E1的宽度。当光掩模100中包括的掩模图案120的图像被转移到涂覆在晶片上的抗蚀剂层上以形成抗蚀剂图案时，形成在与重叠区域E1相对应的区域中的抗蚀剂图案的CD可以被校正。
尽管已经参考附图描述了本公开的实施例，但是上述实施例仅用于说明性目的，并不旨在限制本公开的范围。因此，本领域技术人员将理解，在不脱离本公开和所附权利要求的范围和精神的情况下，各种修改、添加和替换都是可能的。

Claims (20)

1.一种光掩模，包括：
掩模主体，其包括第一表面和第二表面，所述第一表面包括第一图案区域和外围区域；
掩模图案，其设置在所述第一图案区域上；以及
遮光层，其设置在所述外围区域中，
其中，所述遮光层提供溢出遮光区域，所述溢出遮光区域延伸以与所述第一图案区域的临界尺寸CD校正区域重叠。
2.根据权利要求1所述的光掩模，其中，所述遮光层在所述掩模主体的所述第一表面与所述第二表面之间设置在所述外围区域中。
3.根据权利要求1所述的光掩模，其中，所述遮光层被设置为与所述第一图案区域间隔开一定的距离。
4.根据权利要求1所述的光掩模，其中，所述遮光层被设置成使得所述溢出遮光区域延伸到所述遮光层的外部以与所述第一图案区域的一部分重叠。
5.根据权利要求1所述的光掩模，其中，所述溢出遮光区域与所述第一图案区域的重叠区域的宽度根据与所述遮光层和所述掩模主体的第二表面之间的距离相对应的深度来设置。
6.根据权利要求1所述的光掩模，其中，所述溢出遮光区域与所述第一图案区域的重叠区域的宽度根据所述遮光层与所述第一图案区域之间的距离来设置。
7.根据权利要求1所述的光掩模，其中，所述溢出遮光区域与所述第一图案区域的重叠区域的宽度根据所述遮光层的宽度来设置。
8.根据权利要求1所述的光掩模，其中，穿过所述溢出遮光区域以经由所述掩模主体的第一表面输出的照射光的强度，大于经由与所述溢出遮光区域直接重叠的第一表面输出的照射光的强度，并且小于经由不与所述溢出遮光区域重叠的第一表面输出的照射光的强度。
9.根据权利要求1所述的光掩模，其中，所述溢出遮光区域提供比所述遮光层直接提供的照射光的衰减率更低的衰减率。
10.根据权利要求1所述的光掩模，其中，所述遮光层包括具有与所述掩模主体不同的晶体结构的形变元件。
11.根据权利要求1所述的光掩模，其中，所述外围区域不包括掩模图案。
12.根据权利要求1所述的光掩模，还包括第二图案区域，
其中，所述第一图案区域和所述第二图案区域对应于半导体器件的单元阵列区域；以及
其中，所述外围区域设置在所述第一图案区域与所述第二图案区域之间。
13.根据权利要求1所述的光掩模，其中，所述临界尺寸CD校正区域包括：
所述第一图案区域的第一边缘区域，其与所述外围区域相邻，以及
第二图案区域的第二边缘区域，其与所述外围区域相邻。
14.一种利用光掩模形成图案的方法，所述光掩模包括：掩模主体，其包括图案区域和外围区域，并且具有第一表面和第二表面；掩模图案，其设置在与所述掩模主体的第一表面的所述图案区域重叠的部分上；以及遮光层，其设置在所述外围区域中，其中所述遮光层提供溢出遮光区域，所述溢出遮光区域延伸以与在所述图案区域中需要CD校正的临界尺寸CD校正区域重叠，所述方法包括：
改变所述遮光层的位置以控制所述溢出遮光区域与所述图案区域的重叠区域的宽度；以及
利用所述光掩模将图案图像转移到抗蚀剂层上。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，改变所述遮光层的位置包括改变所述遮光层与所述图案区域之间的距离。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，改变所述遮光层的位置包括改变与所述遮光层和所述掩模主体的第二表面之间的距离相对应的深度。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，改变所述遮光层的位置包括改变所述遮光层的宽度。
18.根据权利要求14所述的方法，其中，所述溢出遮光区域使经由所述掩模主体的第一表面从所述溢出遮光区域输出的照射光的强度衰减，以减小形成在所述抗蚀剂层中的图案之间的间隔。
19.一种形成精细图案的方法，所述方法包括：
提供光掩模，其中所述光掩模包括：掩模主体，其包括第一表面和第二表面，所述第一表面包括第一图案区域和外围区域；掩模图案，其设置在所述第一图案区域上；以及遮光层，其设置在所述外围区域中，并且其中所述遮光层提供溢出遮光区域，所述溢出遮光区域延伸以与所述第一图案区域的临界尺寸CD校正区域重叠；
改变所述遮光层的位置以控制所述溢出遮光区域与所述第一图案区域的重叠区域的宽度；以及
利用所述光掩模将图案图像转移到抗蚀剂层上。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，改变所述遮光层的位置包括改变所述遮光层与所述第一图案区域之间的距离。
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