KR20190075247A - 쉐이딩층을 내장한 포토 마스크 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 - Google Patents

쉐이딩층을 내장한 포토 마스크 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 Download PDF

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Abstract

스필 오버 쉐이딩 영역(spill over shading region)을 포함하는 포토 마스크를 제시한다. 포토 마스크는 패턴 영역 및 주변 영역을 포함하고, 제1 및 제2표면들을 가지는 마스크 바디(mask body)를 포함한다. 마스크 바디의 제1표면의 패턴 영역에 중첩되는 부분에 마스크 패턴들이 배치된다. 주변 영역에 쉐이딩층(shading layer)이 배치된다. 쉐이딩층은 패턴 영역 내의 선폭(CD) 보정이 요구되는 선폭 보정 영역에 중첩되도록 확장된 스필 오버 쉐이딩 영역(spill over shading region)을 제공한다. .

Description

쉐이딩층을 내장한 포토 마스크 및 이를 이용한 패턴 형성 방법{Photomask including shading layer and method forming patterns using the same}
본 출원은 리소그래피 기술(lithography technology)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 쉐이딩층(shading layer)을 내장한 포토 마스크(photomask) 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 산업에서 보다 높은 소자 밀도를 갖는 집적 회로를 구현하기 위해서, 미세한 크기의 패턴들을 웨이퍼(wafer) 상에 구현하는 기술이 요구되고 있다. 미세 패턴의 크기들이 더 작아짐에 따라, 미세 패턴들의 임계 선폭(CD: Critical Dimension)을 제어하는 것이 점차 더 어려워지고 있다. 미세 패턴들의 임계 선폭을 보다 균일하게 개선할 수 있는 방법의 개발이 요구되고 있다.
웨이퍼 상에 미세 패턴들을 형성할 때, 포토 마스크에 구비된 마스크 패턴(mask pattern)들의 이미지(image)를 조명광을 이용하여 레지스트층에 전사하는 리소그래피 과정이 이용되고 있다. 이때, 레지스트층에 형성되는 이미지 전사된 패턴(transferred pattern)들의 임계 선폭(CD)들은, 패턴 위치에 따라 국부적으로 변동될 수 있다. 국부적으로 변동된 선폭들을 보정하도록, 포토 마스크를 보정하는 하는 방법들이 시도되고 있다. 포토 마스크에서의 보정 과정을 통해서, 전사된 패턴들의 임계 선폭의 균일도(uniformity)를 개선하고자하는 노력들이 많이 시도되고 있다.
본 출원은 선폭 보정이 요구되는 국부적 영역에 이웃하는 영역에 위치하는 쉐이딩층(shading layer)을 포함하는 포토 마스크 구조 및 이를 이용한 패턴 형성 방법을 제시하고자 한다.
본 출원은 스필 오버 쉐이딩 영역(spill over shading region)을 포함하는 포토 마스크를 제시한다. 포토 마스크는 패턴 영역 및 주변 영역을 포함하고, 제1 및 제2표면들을 가지는 마스크 바디(mask body), 상기 마스크 바디의 상기 제1표면의 상기 패턴 영역에 중첩되는 부분에 배치된 마스크 패턴들, 및 상기 주변 영역에 배치된 쉐이딩층(shading layer)을 포함할 수 있다. 상기 쉐이딩층은 상기 패턴 영역 내의 선폭(CD) 보정이 요구되는 선폭 보정 영역에 중첩되도록 확장된 스필 오버 쉐이딩 영역(spill over shading region)을 제공한다.
본 출원은 패턴 영역 및 주변 영역을 포함하고, 제1 및 제2표면들을 가지는 마스크 바디(mask body), 상기 마스크 바디의 상기 제1표면의 상기 패턴 영역에 중첩되는 부분에 배치된 마스크 패턴들, 및 상기 주변 영역에 배치된 쉐이딩층(shading layer)을 포함하고, 상기 쉐이딩층은 상기 패턴 영역 내의 선폭(CD) 보정이 요구되는 선폭 보정 영역에 중첩되도록 확장된 스필 오버 쉐이딩 영역(spill over shading region)을 제공하는 포토 마스크를 사용하여 레지스트층에 패턴을 전사하는 패턴 형성 방법을 제시한다. 이때, 상기 쉐이딩층의 위치를 변경하여 상기 스필 오버 쉐이딩 영역이 상기 패턴 영역에 중첩되는 폭을 조절한다.
본 출원의 실시예들에 따르면, 선폭 보정이 요구되는 국부적 영역에 이웃하는 영역에 위치하는 쉐이딩층(shading layer)을 포함하는 포토 마스크 구조를 제시할 수 있다. 포토 마스크의 쉐이딩층은 국부적 영역에 대응되는 레지스트층 영역에 위치하는 전사된 패턴들의 임계 선폭(CD) 균일도를 개선할 수 있다.
도 1은 일 실시에에 따른 포토 마스크의 영역 배치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 포토 마스크의 스필 오버 쉐이딩 영역(spill over shading region)의 배치를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 1의 A-A' 절단선을 따르는 단면 형상을 보여주는 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 포토 마스크의 쉐이딩층(shading layer)을 형성하는 과정을 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 1의 포토 마스크의 스필 오버 쉐이딩 영역에서의 감쇠율(attenuation) 변화를 보여주는 그래프이다.
도 6는 도 1의 포토 마스크의 스필 오버 쉐이딩 영역에서의 조명광 세기(intensity) 변화를 보여주는 그래프이다.
도 7은 일 실시에에 따른 포토 마스크의 쉐이딩층에 의한 선폭 보정 효과를 보여주는 그래프이다.
도 8 및 도 9는 일 실시에에 따른 포토 마스크의 쉐이딩층의 위치에 따라 달리 형성되는 스필 오버 쉐이딩 영역들을 보여주는 단면도들이다.
도 10는 비교예에 따른 포토 마스크에 의해 레지스트층(resist layer)에 전사된 패턴 형상을 보여주는 단면도이다.
본 출원의 예의 기재에서 사용하는 용어들은 제시된 실시예에서의 기능을 고려하여 선택된 용어들로서, 그 용어의 의미는 기술 분야에서의 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 사용된 용어의 의미는 본 명세서에 구체적으로 정의된 경우 정의된 정의에 따르며, 구체적인 정의가 없는 경우 당업자들이 일반적으로 인식하는 의미로 해석될 수 있다.
본 출원의 예의 기재에서 "제1" 및 "제2", "상부(top)"및 "하부(bottom or lower)"와 같은 기재는 부재를 구분하기 위한 것이며, 부재 자체를 한정하거나 특정한 순서를 의미하는 것으로 사용된 것은 아니고, 상대적인 위치 관계를 의미하는 것이지 그 부재에 직접 접촉하거나 또는 사이 계면에 다른 부재가 더 도입되는 특정한 경우를 한정하는 것은 아니다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들에서도 마찬가지의 해석이 적용될 수 있다.
본 출원의 실시예들은 DRAM 소자나, PcRAM 소자나 ReRAM 소자와 같은 집적 회로들을 구현하는 기술 분야에 적용될 수 있다. 또한, 본 출원의 실시예들은 SRAM, FLASH, MRAM 또는 FeRAM과 같은 메모리 소자나, 논리 집적회로가 집적된 로직(logic) 소자를 구현하는 기술 분야에도 적용될 수 있다. 본 출원의 실시예들은 미세 패턴들을 요구하는 다양한 제품을 구현하는 기술 분야에 적용될 수 있다.
명세서 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭할 수 있다. 동일한 참조 부호 또는 유사한 참조 부호들은 해당 도면에서 언급 또는 설명되지 않았더라도, 다른 도면을 참조하여 설명될 수 있다. 또한, 참조 부호가 표시되지 않았더라도, 다른 도면들을 참조하여 설명될 수 있다.
도 1은 일 실시에에 따른 포토 마스크(100)의 영역 배치를 보여주는 평면도이다. 도 10는 비교예에 따른 포토 마스크에 의해 레지스트층(resist layer)에 전사된 레지스트 패턴(210)들의 형상을 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 포토 마스크(100)는 패턴 영역들(pattern region: 101, 102)과 주변 영역(peripheral region: 103)을 포함할 수 있다. 패턴 영역(101, 102)은 웨이퍼 상에 형성된 레지스트층에 전사할 패턴들, 즉, 마스크 패턴(mask pattern)들이 배치된 영역일 수 있다. 패턴 영역(101, 102)는 반도체 소자의 셀 영역(cell region)에 대응되는 영역이거나 또는 필드 영역(field region)일 수 있다. 반도체 소자는 포토 마스크(100)에 의해 전사된 패턴들로 이루어지는 소자일 수 있다. 주변 영역(103)은 패턴 영역(101, 102)의 주위의 영역일 수 있다. 주변 영역(103)은 레지스트층에 전사할 마스크 패턴들이 위치하지 않는 영역, 즉, 패턴 금지 영역(pattern forbidden region)일 수 있다. 주변 영역(103)은 필드 영역 바깥의 영역이거나 또는 셀 영역들 사이의 영역에 대응되는 영역일 수 있다. 예컨대, 제1패턴 영역(101)과 이웃하는 제2패턴 영역(102) 사이에 주변 영역(103)이 배치될 수 있다. 주변 영역(103)은 제1패턴 영역(101)에 이웃하는 영역이고, 또한, 제2패턴 영역(102)에 이웃하는 영역일 수 있다.
제1패턴 영역(101) 중 주변 영역(103)에 인접하면서 주변 영역(103)을 바라보는 제1에지 영역(edge region: 101E)은, 레지스트층에 전사된 패턴의 선폭 변동이 유발될 수 있는 선폭 취약 영역일 수 있다. 제2패턴 영역(102) 중 주변 영역(103)에 인접하면서 주변 영역(103)을 바라보는 제2에지 영역(102E)은, 레지스트층에 전사된 패턴의 선폭 변동이 유발될 수 있는 선폭 취약 영역일 수 있다. 이에 따라, 제1에지 영역(101E) 및 제2에지 영역(102E)은 선폭 보정이 요구되는 영역일 수 있다. 레지스트층에 전사된 패턴의 선폭을 보정하기 위해서, 제1에지 영역(101E)에 배치된 마스크 패턴들을 수정 보정하는 것은 포토 마스크를 제조하는 공정에서의 제한으로 상당히 어려울 수 있다. 따라서, 포토 마스크에 형성된 마스크 패턴들의 변동 또는 수정없이, 레지스트층에 형성될 전사 패턴들의 선폭을 보정하는 방법이 요구된다.
본 출원에서는 포토 마스크(100)의 주변 영역(103)에 쉐이딩층 영역(region of shading layer: 104)을 배치할 수 있다. 쉐이딩층 영역(104)은 이웃하는 제1에지 영역(101E) 또는, 및 제2에지 영역(102E)에 대응되는 레지스트층 영역에 형성될 전사 패턴들의 선폭이 보정되도록 유도하는 요소(element)로 설정될 수 있다.
도 10는 비교예의 포토 마스크(도시되지 않음)를 사용하여, 웨이퍼(200) 상에 형성된 레지스트층에 노광 및 현상을 수행한 경우를 예시하고 있다. 도 1의 포토 마스크(100)와 달리 비교예의 포토 마스크는, 패턴 영역들 사이에 주변 영역만을 배치한 구조로 이루어질 수 있다. 비교예의 포토 마스크를 사용하는 노광 및 현상 과정으로 웨이퍼(200) 상에 레지스트 패턴(210)들이 형성될 수 있다. 레지스트 패턴(210)은 포토 마스크의 패턴 영역에 대응되는 웨이퍼의 패턴 영역(201)에 위치할 수 있다. 포토 마스크의 주변 영역에 대응되는 웨이퍼의 주변 영역(203)에는 패턴들이 형성되지 않는다.
포토 마스크의 패턴 영역의 에지 영역에 대응되는 웨이퍼의 에지 영역(201E)에 형성된 제1레지스트 패턴(210E)들은, 에지 영역(201E) 내측에 위치하는 내측 영역(201M)에 위치하는 제2레지스트 패턴(210M)들에 비해 변동된 선폭을 가지며 형성될 수 있다. 예컨대, 제1레지스트 패턴(210E)들 사이 간격인 제1선폭(S1)은 제2레지스트 패턴(210M)들 사이 간격인 제2선폭(S2)보다 커질 수 있다. 이와 같이 에지 영역(201E)에 위치하는 제1레지스트 패턴(210E)들의 선폭 또는 제1레지스트 패턴(210E)들 사이의 제1선폭(S1)이 원하지 않게 변동되므로, 에지 영역(201E)에 대응되는 포토 마스크의 에지 영역은 보정이 요구되는 영역으로 설정될 수 있다.
도 1을 다시 참조하면, 웨이퍼(도 10의 200)의 에지 영역(201E)에 대응하는 영역일 수 있는 포토 마스크(100)의 제1에지 영역(101E)에 이격된 위치에 쉐이딩층 영역(104)을 배치한다. 쉐이딩층 영역(104)은 제1에지 영역(101E)을 통해, 대응되는 레지스트층 영역에 형성될 전사 패턴들, 예컨대, 제1레지스트 패턴(210E)이 정상적인 선폭을 가지도록 유도하는 요소(element), 즉, 선폭이 보정되도록 유도하는 요소로 도입된다. 쉐이딩층 영역(104)은 포토 마스크(100)에 입사되는 조명광의 세기를 감쇠시키는 영역으로 설정된다.
제1에지 영역(101E)에 비해 내측에 위치하는 내측 영역(101M)에는 쉐이딩층 영역(104)에 의한 영향이 미치지 않도록 하고, 제1에지 영역(101E)에만 쉐이딩층 영역(104)에 의한 영향이 미치도록, 쉐이딩층 영역(104)은 제1에지 영역(101E) 또는 패턴 영역(101)과 일정 간격 이격된 위치에 위치한다. 쉐이딩층 영역(104)이 제1에지 영역(101E)에 중첩되지 않도록, 쉐이딩층 영역(104)의 위치는 주변 영역(103) 내로 제한된다. 쉐이딩층 영역(104)이 제1에지 영역(101E)에 중첩되지 않으므로, 쉐이딩층 영역(104)에 의한 조명광의 세기 감쇠 효과는 내측 영역(101M)에 실질적으로 영향을 주지 않는다.
포토 마스크(100)의 주변 영역(103)에 배치된 쉐이딩층 영역(104)은, 포토 마스크(100)의 내부에 형성될 쉐이딩층이 위치할 영역으로 설정될 수 있다. 쉐이딩층은 포토 마스크(100)에 입사되는 조명광의 일부를 감쇠시켜 그 세기를 감소시키는 층으로 형성될 수 있다. 쉐이딩층 영역(104)은 주변 영역(103) 내에 위치하고, 또한, 이웃하는 제1패턴 영역(101)과 일정 간격 이격되도록 위치할 수 있다. 쉐이딩층 영역(104)은 반대측에 이웃하는 제2패턴 영역(102)과 일정 간격 이격되도록 위치할 수 있다.
도 2는 도 1의 포토 마스크(100)의 스필 오버 쉐이딩 영역(spill over shading region: 105, 106)의 배치를 보여주는 평면도이다. 도 3은 도 1의 A-A' 절단선을 따르는 단면 형상을 보여주는 단면도이다. 도 4는 일 실시예에 따른 포토 마스크의 쉐이딩층(140)을 형성하는 과정을 보여주는 단면도이다. 도 5는 도 1의 포토 마스크의 스필 오버 쉐이딩 영역(105, 106)에서의 감쇠율(attenuation) 변화를 보여주는 그래프이다. 도 6은 도 1의 포토 마스크의 스필 오버 쉐이딩 영역(105, 106)에서의 조명광 세기(intensity) 변화를 보여주는 그래프이다.
도 2에 제시된 쉐이딩층 영역(104)에 도 3에 제시된 쉐이딩층(140)이 형성될 수 있다. 쉐이딩층(140)은 포토 마스크(100)의 마스크 바디(body: 110) 내에 입사되는 조명광의 세기를 감소시키는 층으로 형성될 수 있다.
포토 마스크(100)는 앞면인 제1표면(111)과 반대측의 뒷면인 제2표면(112)를 가지는 포토 마스크 바디(110)를 포함할 수 있다. 포토 마스크 바디(110)는 실질적으로 투명한 기판으로 형성될 수 있다. 예컨대, 쿼츠(quartz) 기판으로 포토 마스크 바디(110)가 이루어질 수 있다. 포토 마스크 바디(110)의 제1표면(111)에는 웨이퍼의 레지스트층으로 전사할 패턴 이미지를 제공하는 마스크 패턴(120)들이 형성될 수 있다. 마스크 패턴(120)들은 포토 마스크 바디(110)의 제1표면(111)의 패턴 영역(101, 102) 부분에 배치될 수 있다. 마스크 패턴(120)들은 포토 마스크 바디(110)의 제1표면(111)의 주변 영역(103) 부분에는 배치가 배제될 수 있다.
쉐이딩층(140)은, 도 4에 제시된 것과 같이, 레이저(laser) 광의 조사를 이용하여 형성될 수 있다. 예컨대, 포토 마스크 바디(110) 내의 일정 깊이에 레이저 광이 포커스(focus)되도록 하고, 레이저 광을 포토 마스크 바디(110)의 제2표면(112)으로부터 입사되도록 쉐이딩층 영역(104)에 조사한다. 레이저 광의 조사는 쉐이딩층 영역(104) 내에 변형 요소(deformation element: 149)를 유도한다. 변형 요소(149)는 3차원적인 체적을 가질 수 있으며, 주위의 마스크 바디(110)의 쿼츠 재질 부분과 다른 결정 구조를 가질 수 있다. 레이저 광이 스캔(scan)되며, 변형 요소(149)들이 쉐이딩층(140)을 이루도록 여러 개 형성될 수 있다. 변형 요소(149)들은 실질적으로 투명한 쿼츠 재질 내에서 광 투과도를 감소시키는 역할을 할 수 있다. 변형 요소(149)는 투명한 쿼층 재질 내에 형성된 스크래치(scratch)일 수 있다. 쉐이딩층(140)은 쉐이딩층(140)에 중첩되는 영역을 지나는 조명광의 세기를 감소시키는 역할을 할 수 있다.
도 2 및 3을 함께 참조하면, 포토 마스크의 바디(110) 내에 형성된 쉐이딩층(140)은 직접 중첩된 영역(D3), 즉, 쉐이딩층 영역(104) 바깥으로 스필 오버 쉐이딩 영역(spill over shading region: 105, 106)을 제공할 수 있다. 스필 오버 쉐이딩 영역(105, 106)은 쉐이딩층(140) 바깥으로 음영지는 쉐이딩 효과가 확장된 영역일 수 있다. 쉐이딩층(140)이 직접 중첩된 영역(D3)은 포토 마스크(100)의 제1표면(111), 즉, 조명광이 출사되는 표면을 기준으로, 주변 영역(103) 내에 제한된다. 스필 오버 쉐이딩 영역(105, 106)은, 포토 마스크(100)의 광 출사면인 제1표면(111)에서, 쉐이딩층 영역(104)으로부터 일정한 거리까지 확장된 영역(D1)을 가질 수 있다.
도 3에 묘사된 것과 같이, 스필 오버 쉐이딩 영역(105, 106)은 쉐이딩층 영역(104)에 입사되는 조명광의 스필 오버(spill over) 현상에 의해서 형성될 수 있다. 쉐이딩층(140)에 의한 조명광의 쉐이딩 작용이, 쉐이딩층(140)이 중첩된 영역 바깥에까지 확장되어 스필 오버 쉐이딩 영역(105, 106)이 수반될 수 있다. 도 5에 묘사된 것과 같이, 쉐이딩층 영역(104)에 직접적으로 그리고 실질적으로 완전히 중첩되는 영역(110-3)은, 쉐이딩층(140)에 의한 감쇠 작용이 실질적으로 100% 적용될 수 있는 영역일 수 있다. 예컨대, 쉐이딩층(140)이 3%의 감쇠율을 제공하는 층으로 형성된 경우, 중첩된 영역(110-3)을 투과하는 조명광은 실질적으로 3% 감소된 세기를 가질 수 있다. 즉, 중첩된 영역(110-3)은 쉐이딩층(140)에 의한 세기 감쇠가 완전히 적용되는 영역일 수 있다.
쉐이딩층(140) 바깥에서 일정 거리까지에 해당되는 감쇠율 감소 영역(110-2)에서는, 중첩된 영역(110-3) 바깥으로 갈수록 세기 감쇠율이 점차 감소된다. 즉, 이 영역에 조명광의 세기가 부분적(partially)으로 감쇠되는 감소율 감소 영역(110-2)이 형성된다. 다시 말해서, 스필 오버 현상에 의해서 조명광이 감쇠되는 쉐이딩 효과, 즉, 음영지는 효과가 부분적으로 이루어지는 영역이 스필 오버 쉐이딩 영역(105, 106)으로 수반된다. 쉐이딩층(140)에 의해서 세기 감쇠가 실질적으로 완전히 적용된 중첩된 영역(110-3)과, 쉐이딩 효과가 영향을 미치지 않는 영역(110-1) 사이에, 부분적으로 쉐이딩 효과가 영향을 미치는 감소율 감소 영역(110-2)이 수반된다. 스필 오버 쉐이딩 영역(105, 106)은 쉐이드층(140)이 직접적으로 제공하는 조명광 세기에 대한 감쇠율 보다 낮은 감쇠율, 예컨대, 1%, 또는 2% 또는 이들 값들에 근사한 감소율 값을 제공할 수 있다. 이러한 부분적으로 쉐이딩 효과가 영향을 미치는 영역으로 스필 오버 쉐이딩 영역(105, 106)을 설정한다.
도 6을 도 5 및 도 3과 함께 참조하면, 쉐이딩층 영역(104)에 직접적으로 그리고 실질적으로 완전히 중첩되는 영역(110-3)에서, 포토 마스크(100)의 바디(110)의 제2표면(112)에 입사되는 조명광의 세기(I-1)는, 쉐이딩층(140)에 의해 그 세기가 상대적으로 작은 세기(I-2)로 감쇠되어 제1표면(111)으로 출사될 수 있다. 쉐이딩층 영역(104)에 직접적으로 그리고 실질적으로 완전히 중첩되는 영역(110-3)은 쉐이딩층(140)에 의한 감쇠 작용이 실질적으로 100% 적용될 수 있는 영역이므로, 쉐이딩층(140)에 의해 제공될 수 있는 감쇠율, 예컨대, 3% 감쇠율이 적용될 수 있다.
도 3 및 도 2에 묘사된 것과 같이, 스필 오버 쉐이딩 영역(105, 106)의 일부가, 선폭 보정이 요구되는 제1에지 영역(101E) 또는, 및 제2에지 영역(102E)에 중첩되도록 할 수 있다. 이를 위해서, 쉐이딩층(140)의 위치는 조절될 수 있다. 제1스필 오버 쉐이딩 영역(105)이 예컨대 선폭 보정이 요구되는 제1에지 영역(101E)을 완전히 중첩하도록, 쉐이딩층(140)의 위치가 변경되거나 설정될 수 있다. 제2스필 오버 쉐이딩 영역(106)이 예컨대 선폭 보정이 요구되는 제2에지 영역(102E)을 완전히 중첩하도록 형성될 수 있다. 제1스필 오버 쉐이딩 영역(105)과 제1패턴 영역(101)이 서로 중첩되는 영역(E1)은, 선폭 보정이 요구되는 제1에지 영역(101E)을 실질적으로 완전히 중첩하도록 확장될 수 있다.
도 6을 도 3과 함께 다시 참조하면, 예컨대 제1스필 오버 쉐이딩 영역(105)에 해당되는 감소율 감소 영역(110-2)에서, 포토 마스크(100)의 바디(110)의 제2표면(112)에 입사되는 조명광의 세기(I-1)는, 쉐이딩층(140)에 의한 쉐이딩 효과에 의한 형상을 받아 감소된 세기를 가지며 제1표면(111)으로 출사될 수 있다. 이때, 제1스필 오버 쉐이딩 영역(105)에서, 제1패턴 영역(101)의 내측 영역(101M)쪽으로 갈수록 조명광 세기는 점차 더 증가할 수 있다. 즉, 제1스필 오버 쉐이딩 영역(105)에서, 내측 영역(101M)에 이르기까지, 완전히 감소된 조명광 세기(I-2)에서 입사 조명광 세기(I-1)에 이르기까지 점차 증가할 수 있다.
제1스필 오버 쉐이딩 영역(105)과 제1패턴 영역(101)이 서로 중첩되는 영역(E1) 또는 보정이 요구되는 제1에지 영역(101E)에서, 제1표면(111)으로 출사되는 조명광 세기는, 제2표면(112)에 입사되는 조명광의 세기(I-1) 보다 작고, 감소된 조명광 세기(I-2) 보다는 큰 값을 가질 수 있다. 즉, 제1스필 오버 쉐이딩 영역(105)은, 마스크 바디(110)의 제1표면(111)의 쉐이딩층(140)이 직접적으로 중첩된 부분에서 출사되는 조명광의 세기 보다, 제1스필 오버 쉐이딩 영역(105)에 중첩된 제1표면(111) 부분에서 출사되는 조명광의 세기 보다 크고, 제1스필 오버 쉐이딩 영역(105)에 중첩되지 않은 제1표면(111)부분에서 출사되는 조명광의 세기 보다 작도록 제공된다. 제1스필 오버 쉐이딩 영역(105)과 제1패턴 영역(101)이 서로 중첩되는 영역(E1) 또는 보정이 요구되는 제1에지 영역(101E)에서, 제1표면(111)으로 출사되는 조명광 세기는, 주변 영역(103)에 접하는 제1에지 영역(E1)의 일단 부분에서 내측 영역(101M)에 접하는 타단 부분으로 갈수록 점차 증가할 수 있다.
제1스필 오버 쉐이딩 영역(105)과 제1패턴 영역(101)이 서로 중첩되는 영역(E1) 또는 보정이 요구되는 제1에지 영역(101E)에서, 포토 마스크(100)의 제1표면(111)으로 출사되는 조명광 세기를 입사되는 조명광 세기(I-1) 보다 작은 값을 가지도록 조절할 수 있다. 이에 따라, 보정이 요구되는 제1에지 영역(101E)에 배치된 마스크 패턴(120)들 레지스트층에 이미지 전사되어 형성되는 제1레지스트 패턴(도 10의 210E)의 선폭(S1)을 보정할 수 있다. 예컨대, 제1레지스트 패턴(도 10의 210E)의 선폭(S1)이 보다 작은 크기를 가지도록 보정할 수 있다.
도 2를 다시 참조하면, 스필 오버 쉐이딩 영역(105, 106)의 쉐이딩층 영역(104)으로부터 확장된 영역(D1)의 폭은, 쉐이딩층(140)이 포토 마스크 바디(110)의 제2표면(112)로부터 이격된 깊이(T1)에 의존하여 달라질 수 있다. 또한, 스필 오버 쉐이딩 영역(105, 106)의 쉐이딩층 영역(104)으로부터 확장된 영역(D1)의 폭은, 쉐이딩층(140)이 패턴 영역(101)과 이격된 거리(D2)에 따라 달라질 수 있다. 또한, 스필 오버 쉐이딩 영역(105, 106)의 쉐이딩층 영역(104)으로부터 확장된 영역(D1)의 폭은, 쉐이딩층(140)의 폭, 즉, 쉐이딩층(140)이 직접 중첩된 영역(D3)의 폭에 따라 달라질 수 있다.
이에 따라, 쉐이딩층(140)이 위치하는 깊이(T1), 폭(D3), 이격 거리(D2)를 변경함으로써, 제1에지 영역(101E)에 제1스필 오버 쉐이딩 영역(105)의 일부(E1)가 중첩되도록 확장된 영역(D1)의 거리를 조절할 수 있다. 즉, 쉐이딩층(도 3의 140)이 간접적으로 영향을 미치는 영역을 임의로 조절하는 것이 가능하다. 따라서, 쉐이딩층(도 3의 140)에 의해서 선폭 보정이 이루어질 영역을 제1에지 영역(101E) 보다 작은 특정한 국부적인 영역으로 한정하는 것도 가능하다.
도 7은 일 실시에에 따른 포토 마스크의 쉐이딩층에 의한 선폭 보정 효과를 보여주는 그래프이다.
도 7을 참조하면, 쉐이딩층(도 3의 140)이 주변 영역(103)에 도입된 경우의 포토 마스크(도 1의 100)를 사용하여, 레지스트층에 레지스트 패턴들을 형성할 때, 에지 영역들(101E, 102E)에 해당되는 영역에 위치하는 레지스트 패턴들의 선폭(54)은 감소되도록 보정될 수 있다. 쉐이딩층이 도입되지 않은 비교예의 포토 마스크(도시되지 않음)을 사용한 경우, 에지 영역들(101E, 102E)에 해당되는 영역에 위치하는 레지스트 패턴들의 선폭(51)은 내측 영역(101M)에 위치하는 패턴들의 선폭에 비해 상대적으로 큰 선폭을 가지도록 형성되는 현상이 관측된다. 쉐이딩층(140)은, 도 3에 묘사된 것과 같이, 에지 영역들(101E, 102E)에 중첩되지 않고, 에지 영역들(101E, 102E)에 이격되어 위치함으로써, 선폭의 보정이 요구되는 영역, 즉, 에지 영역들(101E, 102E)에서의 선폭을 감소시킬 수 있다. 쉐이딩층(140)의 도입에 의해서, 국부적인 영역, 즉, 에지 영역들(101E, 102E)에서만 선택적으로 선폭을 감소시킬 수 있다.
쉐이딩층을 에지 영역들(101E, 102E)에 중첩되도록 도입할 경우를 가정하면, 쉐이딩층에 수반되는 스필 오버 쉐이딩 영역에 의한 조명광 세기의 감소가, 정상적인 선폭을 가지도록 패턴들에 영향을 미칠 수 있다. 이에 따라, 내측 영역(101M)에서 정상적인 선폭을 가지도록 형성될 패턴들이 상대적으로 더 작은 선폭을 가지는 패턴들로 형성되는 불량이 유발될 수 있다. 본 출원에서의 쉐이딩층(140)은 에지 영역들(101E, 102E)에 중첩되지 않고, 에지 영역들(101E, 102E)에 이격된 주변 영역(103)에 배치되므로, 보정이 요구되는 국부적인 영역, 즉, 에지 영역들(101E, 102E)에서의 선폭 보정을 구현할 수 있다.
도 8 및 도 9는 일 실시에에 따른 포토 마스크(100A, 100B)의 쉐이딩층(141, 142)의 위치에 따라 달리 형성되는 스필 오버 쉐이딩 영역들을 보여주는 단면도들이다.
도 8을 참조하면, 포토 마스크(100A)의 주변 영역(103)에서의 쉐이딩층(141)이 위치하는 깊이(T2)를 증가시키면, 스필 오버 쉐이딩 영역이 제1에지 영역(101E)에 중첩되는 중첩 영역(E2)의 폭을 상대적으로 더 좁게 유도할 수 있다. 쉐이딩층(141)이 위치하는 깊이(T2), 즉, 제2표면(112)으로부터의 깊이가, 도 3의 쉐이딩층(140)의 깊이(T1) 보다 더 깊게 설정되면, 쉐이딩층(141)에 수반되는 스필 오버 쉐이딩 영역의 확장된 영역(D1-1)이 제1에지 영역(101E)에 중첩되는 중첩 영역(E2)은 보다 작은 폭으로 제한될 수 있다. 이에 따라, 선폭 보정이 이루어지는 영역 또한 보다 작은 영역으로 국한될 수 있다.
도 9를 참조하면, 포토 마스크(100A)의 주변 영역(103)에 형성된 쉐이딩층(142)과 제1패턴 영역(101)의 에지(edge) 사이의 이격 간격(D5)가 상대적으로 더 좁아지면, 스필 오버 쉐이딩 영역의 확장된 영역(D6)의 위치를 제1패턴 영역(101) 쪽으로 더 근접하게 변경시킬 수 있다. 이에 따라, 제1에지 영역(101E)을 포함하는 제1패턴 영역(101)에 중첩되는 중첩 영역(E3)의 폭을 상대적으로 더 확장시킬 수 있다. 또한, 주변 영역(103)에 형성된 쉐이딩층(142)의 폭(D4)을 더 넓게 확장시키면, 쉐이딩층(142)과 제1패턴 영역(101) 사이의 이격 간격(D5)가 상대적으로 더 작게 유도할 수 있다.
도 8 및 도 9를 함께 참조하면, 쉐이딩층(도 8의 141, 도 9의 142)이 포토 마스크(100A, 100B)의 바디(110)에 위치하는 위치, 깊이, 쉐이딩층(141, 142)의 폭 등을 변경하고 조절함으로써, 제1패턴 영역(101)과 스필 오버 쉐이딩 영역의 확장된 영역(도 8의 D1-1, D6)이 중첩되는 영역(E2, E3)의 폭이 달라지도록 유도할 수 있다. 따라서, 선폭 보정이 요구되는 영역에 국한하여 스필 오버 쉐이딩 영역의 확장된 영역(D1-1, D6)이 중첩되도록, 쉐이딩층(141, 142)이 포토 마스크(100A, 100B)의 바디(110)에 위치하는 위치, 깊이, 쉐이딩층(141, 142)의 폭 등을 조절할 수 있다. 이에 따라, 선폭 보정이 요구되는 영역에서만 조명광의 세기 감소를 유도하여 국부적으로 선폭 보정을 유도할 수 있다. 다시 언급하면, 도 2에 제시된 것과 같이 쉐이딩층이 배치되는 쉐이딩 영역(104)의 크기 또는 면적, 위치는, 선폭 보정이 요구되는 영역의 크기 및 위치에 따라 달라질 수 있다.
도 3을 다시 참조하면, 본 출원의 실시예에 따른 포토 마스크(100)를 이용하여 레지스트층에 패턴들을 형성할 수 있다. 이때, 쉐이딩층(140)의 위치를 변경하여 스필 오버 쉐이딩 영역이 패턴 영역에 중첩되는 영역(E1)의 폭을 조절할 수 있다. 포토 마스크(100)를 이용하여 레지스트층에 패턴 전사할 때, 스필 오버 쉐이딩 영역이 패턴 영역에 중첩되는 영역(E1)에 대응되는 영역에 위치하는 패턴들의 선폭이 보정될 수 있다.
상술한 바와 같이 본 출원의 실시 형태들을 도면들을 예시하며 설명하지만, 이는 본 출원에서 제시하고자 하는 바를 설명하기 위한 것이며, 세밀하게 제시된 형상으로 본 출원에서 제시하고자 하는 바를 한정하고자 한 것은 아니다. 본 출원에서 제시한 기술적 사상이 반영되는 한 다양한 다른 변형예들이 가능할 것이다.
100: 포토 마스크,
101, 102: 패턴 영역,
103: 주변 영역,
140, 141, 142: 쉐이딩층.

Claims (18)

  1. 패턴 영역 및 주변 영역을 포함하고, 제1 및 제2표면들을 가지는 마스크 바디(mask body);
    상기 마스크 바디의 상기 제1표면의 상기 패턴 영역에 중첩되는 부분에 배치된 마스크 패턴들; 및
    상기 주변 영역에 배치된 쉐이딩층(shading layer)을 포함하고,
    상기 쉐이딩층은 상기 패턴 영역 내의 선폭(CD) 보정이 요구되는 선폭 보정 영역에 중첩되도록 확장된 스필 오버 쉐이딩 영역(spill over shading region)을 제공하는 포토 마스크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 쉐이딩층은
    상기 마스크 바디의 상기 제1 및 제2표면 사이의 상기 주변 영역 내에 위치하는 포토 마스크.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 쉐이딩층은
    상기 패턴 영역과 일정 간격 이격된 위치에 위치하는 포토 마스크.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 쉐이딩층은
    상기 스필 오버 쉐이딩 영역이
    상기 쉐이딩층 바깥으로 확장되고 상기 패턴 영역의 일부 부분을 중첩하도록 확장되도록 배치되는 포토 마스크.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 스필 오버 쉐이딩 영역의
    상기 패턴 영역에 중첩되는 부분의 폭은
    상기 쉐이딩층이 상기 마스크 바디의 제2표면으로부터의 이격된 깊이에 의존하여 설정된 포토 마스크.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 스필 오버 쉐이딩 영역의
    상기 패턴 영역에 중첩되는 부분의 폭은
    상기 쉐이딩층이 상기 패턴 영역과 이격된 간격에 의존하여 설정된 포토 마스크.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 스필 오버 쉐이딩 영역의
    상기 패턴 영역에 중첩되는 부분의 폭은
    상기 쉐이딩층의 폭에 의존하여 설정된 포토 마스크.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 스필 오버 쉐이딩 영역은
    상기 마스크 바디의 상기 제1표면의 상기 쉐이딩층이 직접적으로 중첩된 부분에서 출사되는 조명광의 세기 보다
    상기 마스크 바디의 상기 제1표면의 상기 스필 오버 쉐이딩 영역에 중첩된 부분에서 출사되는 조명광의 세기 보다 크고,
    상기 마스크 바디의 상기 제1표면의 상기 스필 오버 쉐이딩 영역에 중첩되지 않은 부분에서 출사되는 조명광의 세기 보다 작도록 제공되는 포토 마스크.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 스필 오버 쉐이딩 영역은
    상기 쉐이딩층이 직접적으로 제공하는 조명광 세기에 대한 감쇠율 보다 낮은 감쇠율을 제공하는 포토 마스크.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 쉐이딩층은
    상기 마스크 바디의 재질과 다른 결정 구조를 가지는 변형 요소들을 포함하는 포토 마스크.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 주변 영역은
    상기 마스크 바디의 상기 제1표면의 상기 주변 영역에 중첩되는 부분에 상기 마스크 패턴들의 배치가 배제된 영역인 포토 마스크.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 패턴 영역은
    반도체 소자의 셀 영역에 대응되는 영역이고,
    상기 주변 영역은 상기 패턴 영역과 또 다른 패턴 영역 사이에 위치하는 영역인 포토 마스크.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 선폭 보정 영역은
    상기 패턴 영역 내의 상기 주변 영역에 인접하는 에지 영역인 포토 마스크.
  14. 패턴 영역 및 주변 영역을 포함하고, 제1 및 제2표면들을 가지는 마스크 바디(mask body),
    상기 마스크 바디의 상기 제1표면의 상기 패턴 영역에 중첩되는 부분에 배치된 마스크 패턴들, 및
    상기 주변 영역에 배치된 쉐이딩층(shading layer)을 포함하고,
    상기 쉐이딩층은 상기 패턴 영역 내의 선폭(CD) 보정이 요구되는 선폭 보정 영역에 중첩되도록 확장된 스필 오버 쉐이딩 영역(spill over shading region)을 제공하는 포토 마스크의
    상기 쉐이딩층의 위치를 변경하여 상기 스필 오버 쉐이딩 영역이 상기 패턴 영역에 중첩되는 폭을 조절하는 단계; 및
    상기 포토 마스크를 이용하여 레지스트층에 패턴 전사하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 쉐이딩층의 위치를 변경하는 단계는
    상기 쉐이딩층과 상기 패턴 영역 사이의 이격된 간격을 변경하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 쉐이딩층의 위치를 변경하는 단계는
    상기 쉐이딩층과 상기 마스크 바디의 상기 제2표면 사이의 깊이를 변경하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 쉐이딩층의 위치를 변경하는 단계는
    상기 쉐이딩층의 폭을 변경하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 스필 오버 쉐이딩 영역은
    상기 마스크 기판의 상기 제1표면의 상기 스필 오버 쉐이딩 영역에 중첩된 부분에서 출사되는 조명광의 세기를 감소시켜
    상기 레지스트층에 형성되는 패턴의 선폭(CD)이 감소되도록 유도하는 패턴 형성 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230288812A1 (en) * 2020-09-18 2023-09-14 Applied Materials, Inc. Methods to improve process window and resolution for digital lithography with two exposures

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61239247A (ja) * 1985-04-16 1986-10-24 Canon Inc 光学マスク
KR20050015205A (ko) * 2003-08-04 2005-02-21 삼성전자주식회사 포토마스크 제조방법
KR20070063397A (ko) * 2005-12-14 2007-06-19 후지쯔 가부시끼가이샤 포토마스크의 제조 방법, 디바이스의 제조 방법 및포토마스크의 모니터 방법
US20070287077A1 (en) * 2006-05-18 2007-12-13 Hoya Corporation Photomask and exposure method
KR20090047009A (ko) * 2007-11-07 2009-05-12 주식회사 하이닉스반도체 포토마스크의 투과율 조절 방법
JP2015219324A (ja) * 2014-05-15 2015-12-07 大日本印刷株式会社 フォトマスクの欠陥検査方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101435518B1 (ko) 2008-04-18 2014-08-29 삼성전자주식회사 포토 마스크의 제조방법
KR100604940B1 (ko) * 2005-06-14 2006-07-28 삼성전자주식회사 포토 마스크의 측정 장치, 이를 이용한 포토 마스크의 ｃｄ측정방법, ｃｄ를 이용하여 포토 마스크를 보정하는장치와 방법 및 포토 마스크의 제조방법
US8137870B2 (en) * 2005-06-14 2012-03-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing photomask
US7771902B2 (en) * 2006-03-09 2010-08-10 Panasonic Corporation Photomask, fabrication method for the same and pattern formation method using the same
KR101095676B1 (ko) * 2008-03-05 2011-12-19 주식회사 하이닉스반도체 위상반전 마스크 제조방법
KR101068327B1 (ko) * 2008-12-19 2011-09-28 주식회사 하이닉스반도체 노광마스크 및 이를 이용한 반도체소자의 형성방법
US9075319B2 (en) * 2009-03-31 2015-07-07 Hoya Corporation Mask blank and transfer mask
KR101097026B1 (ko) * 2010-02-01 2011-12-20 주식회사 하이닉스반도체 Ｅｕｖ 마스크 및 그 형성방법
KR20110109563A (ko) * 2010-03-31 2011-10-06 삼성전자주식회사 포토 마스크의 광학 파라미터 보정 방법
JP5686216B1 (ja) * 2013-08-20 2015-03-18 大日本印刷株式会社 マスクブランクス、位相シフトマスク及びその製造方法
US9829786B2 (en) * 2015-06-29 2017-11-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. PSM blank for enhancing small size CD resolution
JP6586344B2 (ja) * 2015-10-20 2019-10-02 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、フォトマスク、および、表示装置の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61239247A (ja) * 1985-04-16 1986-10-24 Canon Inc 光学マスク
KR20050015205A (ko) * 2003-08-04 2005-02-21 삼성전자주식회사 포토마스크 제조방법
KR20070063397A (ko) * 2005-12-14 2007-06-19 후지쯔 가부시끼가이샤 포토마스크의 제조 방법, 디바이스의 제조 방법 및포토마스크의 모니터 방법
US20070287077A1 (en) * 2006-05-18 2007-12-13 Hoya Corporation Photomask and exposure method
KR20090047009A (ko) * 2007-11-07 2009-05-12 주식회사 하이닉스반도체 포토마스크의 투과율 조절 방법
JP2015219324A (ja) * 2014-05-15 2015-12-07 大日本印刷株式会社 フォトマスクの欠陥検査方法

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