CN109913942A - 一种气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷单晶的方法 - Google Patents

一种气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷单晶的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109913942A
CN109913942A CN201810349413.9A CN201810349413A CN109913942A CN 109913942 A CN109913942 A CN 109913942A CN 201810349413 A CN201810349413 A CN 201810349413A CN 109913942 A CN109913942 A CN 109913942A
Authority
CN
China
Prior art keywords
black phosphorus
phosphorus
seal chamber
transfer agent
adulterates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810349413.9A
Other languages
English (en)
Inventor
刘碧录
刘明强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tsinghua Berkeley Shenzhen College Preparatory Office
Original Assignee
Tsinghua Berkeley Shenzhen College Preparatory Office
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsinghua Berkeley Shenzhen College Preparatory Office filed Critical Tsinghua Berkeley Shenzhen College Preparatory Office
Priority to CN201810349413.9A priority Critical patent/CN109913942A/zh
Publication of CN109913942A publication Critical patent/CN109913942A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Glass Compositions (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

一种气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷的方法，该方法包括：将红磷、锡粉和传输剂混合置于密封腔的一端；对所述密封腔抽真空至10Pa以下；对所述密封腔加热、保温，然后分两阶段降温使黑磷晶体自发生长在所述密封腔的另一端获得黑磷晶体；其中，所述传输剂为SnI4、TeI4、SiI4、CoI2、BI3、SbI3、NH4I、BiI3、I2、PbI2、NaI、KI或LiI中的一种或数种。进一步还包括在所述密封腔中放置粉末状的掺杂单质，所述掺杂单质为Sb、Se、Te、Bi、Si、Co、B或Mn中的至少一种。通过系统研究黑磷单晶的气相输运法生长，揭示其生长机理，实现了高质量的黑磷及掺杂黑磷的高效、高产量、可控制备。

Description

一种气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷单晶的方法
技术领域
本发明涉及新材料合成方法，尤其涉及一种气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷的方法。
背景技术
自二维黑磷被首次报道以来，由于具有其独特的光电特性，因此已有众多学者投入到对黑磷的研究中来，并取得了一系列的成果。黑磷具有随层数可调的直接带隙，高的载流子迁移率及开关比，各向异性的光电性质，良好的生物相容性与载药能力，优异的非线性光学性质，高的光热转换效率等。这些性质使得黑磷在光电子器件、超快光学、生物医学、光伏器件等方面都有巨大的应用潜力。
要实现高性能黑磷光电器件的开发与应用，离不开高质量的黑磷的可控制备。早期制备块体单晶黑磷的方法，存在着高成本，低产率，原料不环保，制备过程耗时等缺点，而且黑磷单晶的生长机理还未明晰。
发明内容
本发明的目的是提供一种气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷的方法。
为达上述目的，本发明采用的技术方案如下：
一种气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷的方法，所述气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷的方法包括：将红磷、锡粉和传输剂混合置于密封腔的一端；对所述密封腔内抽真空至10Pa以下；对所述密封腔加热、保温，然后分两阶段降温使黑磷晶体自发生长在所述密封腔的另一端获得黑磷晶体；其中，所述传输剂为SnI4、TeI4、SiI4、CoI2、BI3、SbI3、NH4I、BiI3、I2、PbI2、NaI、KI或LiI中的一种或数种。
优选地，所述对密封腔加热、保温包括将所述密封腔加热至450～800℃，保温时间为6～15小时；所述分两阶段降温包括首先以0.1～6℃/分钟将温度降到480～510℃，然后以0.4～1.0℃/分钟降温到室温。优选地，对密封腔加热的时间为6～15小时。
优选地，所述红磷、锡粉和传输剂的摩尔比为50：(4～1)：(1～4)。例如，红磷、锡粉和传输剂的摩尔比可以为50：4：1，50：3：1，50：2：1，50：3：2，50：1：1，50：2：3，50：1：2，50：1：3，50：1：4。
优选地，在所述密封腔中还置有粉末状的掺杂单质，所述掺杂单质为Sb、Se、Te、Bi、Si、Co、B或Mn中的至少一种。
优选地，所述红磷、锡粉、传输剂和掺杂单质的摩尔比为50：(4～1)：(1～4)：(1～3)。即：锡粉和红磷的摩尔比为4：50～1：50，所述传输剂和红磷的摩尔比为1：50～4：50，所述掺杂单质和红磷的摩尔比为1：50～3：50。
优选地，所述传输剂为TeI4、SiI4、CoI2、BI3或SbI3，所述锡粉和红磷的摩尔比为4：50～1：50，所述传输剂和红磷的摩尔比为4：50～7：50。
优选地，所述对密封腔加热、保温包括将所述密封腔加热至500～1000℃，保温时间为6～15小时；所述分两阶段降温包括首先以0.1～6℃/分钟将温度降到500～550℃，然后以0.4～1.0℃/分钟降温到室温。优选地，对密封腔加热的时间为6～20小时。
与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：
通过系统研究黑磷单晶的气相输运法生长，深入理解其生长机理，实现了高质量的黑磷及掺杂黑磷的快速、高效率、高产量、可控制备。
附图说明
图1为制得的一种黑磷晶体的图片；
图2为制得的一种黑磷晶体的SEM图；
图3为制得的黑磷晶体的EDX图；
图4为制得的黑磷晶体的XRD图；
图5为制得的黑磷晶体的拉曼光谱；
图6为以SnI4、I2、NH4I、PbI2、BiI3、NaI为传输剂的反应结果；
图7为以SnI4为传输剂锡粉和传输剂在不同比例下的反应结果；
图8为不同反应温度的反应结果；
图9为制备参杂黑磷晶体的反应结果；
图10为制得的掺杂黑磷晶体的拉曼光谱。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
实施例一：
气相输运法制备黑磷的方法包括：按红磷(P4)、锡粉(Sn)和传输剂(SnI4)按摩尔比为50：4：1，将红磷、锡粉和传输剂混合装进石英管中，然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管分别放在马弗炉中反应，升温至500℃，升温时间6h，保温时间6h，然后以0.1℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，黑磷晶体自发的生长，当温度降到480℃时，再以0.4℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到黑磷晶体。
实施例二：
气相输运法制备黑磷的方法包括：按红磷(P4)、锡粉(Sn)和传输剂(SnI4)按摩尔比为50：3：1，将红磷、锡粉和传输剂混合装进石英管中，然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管分别放在马弗炉中反应，升温至500℃，升温时间7h，保温时间7h，然后以0.5℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，黑磷晶体自发的生长，当温度降到490℃时，再以0.5℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到黑磷晶体。
实施例三：
气相输运法制备黑磷的方法包括：按红磷(P4)、锡粉(Sn)和传输剂(SnI4)按摩尔比为50：3：2，将红磷、锡粉和传输剂混合装进石英管中，然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管分别放在马弗炉中反应，升温至600℃，升温时间10h，保温时间10h，然后以2℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，黑磷晶体自发的生长，当温度降到500℃时，再以0.8℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到黑磷晶体。
实施例四：
气相输运法制备黑磷的方法包括：按红磷(P4)、锡粉(Sn)和传输剂(SnI4)按摩尔比为50：1：3，将红磷、锡粉和传输剂混合装进石英管中，然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管分别放在马弗炉中反应，升温至800℃，升温时间12h，保温时间12h，然后以4℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，黑磷晶体自发的生长，当温度降到510℃时，再以1.0℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到黑磷晶体。
实施例五：
气相输运法制备黑磷的方法包括：按红磷(P4)、锡粉(Sn)和传输剂(SnI4)按摩尔比为50：2：1，将红磷、锡粉和传输剂混合装进石英管中，然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管分别放在马弗炉中反应，升温至550℃，升温时间8h，保温时间8h，然后以3℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，黑磷晶体自发的生长，当温度降到480℃时，再以1.0℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到黑磷晶体。
实施例六：
气相输运法制备黑磷的方法包括：按红磷(P4)、锡粉(Sn)和传输剂(SnI4)按摩尔比为50：1：1，将红磷、锡粉和传输剂混合装进石英管中，然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管分别放在马弗炉中反应，升温至700℃，升温时间15h，保温时间15h，然后以3℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，黑磷晶体自发的生长，当温度降到510℃时，再以0.7℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到黑磷晶体。
实施例七：
气相输运法制备黑磷的方法包括：按红磷(P4)、锡粉(Sn)和传输剂(SnI4)按摩尔比为50：1：2，将红磷、锡粉和传输剂混合装进石英管中，然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管分别放在马弗炉中反应，升温至600℃，升温时间9h，保温时间9h，然后以4℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，黑磷晶体自发的生长，当温度降到480℃时，再以1.0℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到黑磷晶体。
实施例八：
气相输运法制备黑磷的方法包括：按红磷(P4)、锡粉(Sn)和传输剂(SnI4)按摩尔比为50：2：3，将红磷、锡粉和传输剂混合装进石英管中，然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管分别放在马弗炉中反应，升温至650℃，升温时间7h，保温时间7h，然后以0.5℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，黑磷晶体自发的生长，当温度降到510℃时，再以0.2℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到黑磷晶体。
实施例九：
将红磷(P4)、锡粉(Sn)和传输剂按摩尔比为50：1：1，将红磷、锡粉和传输剂I2混合装进石英管(内径8～11mm,壁厚2mm，长度10～18cm)中，然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管分别放在马弗炉中反应，升温至650℃，升温时间7h，保温时间7h，然后以3℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，黑磷晶体自发的生长，当温度降到480℃时，再以0.8℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到黑磷晶体。
实施例十：
将红磷(P4)、锡粉(Sn)和传输剂按摩尔比为50：1：1，将红磷、锡粉和传输剂NH4I混合装进石英管中，然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管分别放在马弗炉中反应，升温至700℃，升温时间7h，保温时间7h，然后以2℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，黑磷晶体自发的生长，当温度降到500℃时，再以0.7℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到黑磷晶体。
实施例十一：
将红磷(P4)、锡粉(Sn)和传输剂按摩尔比为50：1：1，将红磷、锡粉和传输剂PbI2混合装进石英管中，然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管分别放在马弗炉中反应，升温至800℃，升温时间7h，保温时间7h，然后以5℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，黑磷晶体自发的生长，当温度降到510℃时，再以1.0℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到黑磷晶体。
实施例十二：
将红磷(P4)、锡粉(Sn)和传输剂按摩尔比为50：1：1，将红磷、锡粉和传输剂BiI3混合装进石英管中，然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管分别放在马弗炉中反应，升温至700℃，升温时间7h，保温时间7h，然后以4℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，黑磷晶体自发的生长，当温度降到510℃时，再以1.0℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到黑磷晶体。
实施例十三：
将红磷(P4)、锡粉(Sn)和传输剂按摩尔比为50：1：1，将红磷、锡粉和传输剂NaI混合装进石英管中，然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管分别放在马弗炉中反应，升温至500℃，升温时间7h，保温时间7h，然后以1℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，黑磷晶体自发的生长，当温度降到480℃时，再以0.4℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到黑磷晶体。
其中，马弗炉内部几乎是恒温区，可以精确控制降温过程。作为另一些实施例，将上述石英管放入单温区管式炉内反应，相较于马弗炉，单温区管式炉内有很大温差，对降温过程控制不够精确。实验中使用的石英管内径8～11mm，壁厚2mm，长度10～18cm。
图1中示出了制得的一种黑磷晶体的形貌。图2中示出了制得的一种黑磷晶体的SEM图。图3中示出了制得的黑磷晶体的EDX图。图4中示出了制得的黑磷晶体的XRD图。图5中示出了制得的黑磷晶体的拉曼光谱。图6中示出了分别以SnI4、I2、NH4I、PbI2、BiI3、NaI为传输剂的反应结果。图7中示出了以SnI4为传输剂，锡粉和传输剂在不同比例下的反应结果。图8中示出了不同反应温度的反应结果。
实施例十四：
将红磷(P4)、锡粉(Sn)、传输剂SnI4和掺杂单质Te按摩尔比50：4：1：1混合装进石英管中,然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管放在马弗炉中反应，升温至600℃，升温时间6h，保温时间6h，保温后以0.5℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，掺杂黑磷晶体自发的生长，当温度降到500℃时，以0.4℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到掺杂黑磷晶体，记为Te-BP。
实施例十五：
将红磷(P4)、锡粉(Sn)、传输剂TeI4按摩尔比50：4：6混合装进石英管中，然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管放在马弗炉中反应，升温至600℃，升温时间6h，保温时间6h，保温后以0.5℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，掺杂黑磷晶体自发的生长，当温度降到500℃时，以0.4℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到掺杂黑磷晶体，记为Te-BP。
实施例十六：
将红磷(P4)、锡粉(Sn)、传输剂SnI4和掺杂单质Sb按摩尔比50：4：2：3混合装进石英管中,然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管放在马弗炉中反应，升温至800℃，升温时间8h，保温时间8h，保温后以2℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，掺杂黑磷晶体自发的生长，当温度降到530℃时，以0.8℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到掺杂黑磷晶体，记为Sb-BP。
实施例十七：
将红磷(P4)、锡粉(Sn)、传输剂SbI3按摩尔比50：4：6混合装进石英管中,然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管放在马弗炉中反应，升温至800℃，升温时间8h，保温时间8h，保温后以2℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，掺杂黑磷晶体自发的生长，当温度降到530℃时，以0.8℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到掺杂黑磷晶体，记为Sb-BP。
实施例十八：
将红磷(P4)、锡粉(Sn)、传输剂SnI4和掺杂单质Si按摩尔比50：4：2：3混合装进石英管中,然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管放在马弗炉中反应，升温至1000℃，升温时间15h，保温时间15h，保温后以6℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，掺杂黑磷晶体自发的生长，当温度降到550℃时，以1.0℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到掺杂黑磷晶体，记为Si-BP。
实施例十九：
将红磷(P4)、锡粉(Sn)、传输剂SiI4按摩尔比50：4：6混合装进石英管中,然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管放在马弗炉中反应，升温至1000℃，升温时间15h，保温时间15h，保温后以6℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，掺杂黑磷晶体自发的生长，当温度降到550℃时，以1.0℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到掺杂黑磷晶体，记为Si-BP。
实施例二十：
将红磷(P4)、锡粉(Sn)、传输剂SnI4和掺杂单质Se按摩尔比50：2：3：2混合装进石英管中,然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管放在马弗炉中反应，升温至800℃，升温时间10h，保温时间12h，保温后以4℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，掺杂黑磷晶体自发的生长，当温度降到520℃时，以0.6℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到掺杂黑磷晶体，记为Se-BP。
实施例二十一：
将红磷(P4)、锡粉(Sn)、传输剂SnI4和掺杂单质Co按摩尔比50：1：4：2混合装进石英管中,然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管放在马弗炉中反应，升温至700℃，升温时间8h，保温时间10h，保温后以2℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，掺杂黑磷晶体自发的生长，当温度降到500℃时，以0.5℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到掺杂黑磷晶体，记为Co-BP。
实施例二十二：
将红磷(P4)、锡粉(Sn)、传输剂CoI2按摩尔比50：4：6混合装进石英管中,然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管放在马弗炉中反应，升温至700℃，升温时间8h，保温时间10h，保温后以2℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，掺杂黑磷晶体自发的生长，当温度降到500℃时，以0.5℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到掺杂黑磷晶体，记为Co-BP。
实施例二十三：
将红磷(P4)、锡粉(Sn)、传输剂SnI4和掺杂单质Bi按摩尔比50：4：1：2混合装进石英管中,然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管放在马弗炉中反应，升温至600℃，升温时间7h，保温时间10h，保温后以1℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，掺杂黑磷晶体自发的生长，当温度降到500℃时，以0.4℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到掺杂黑磷晶体，记为Bi-BP。
实施例二十四：
将红磷(P4)、锡粉(Sn)、传输剂BiI3按摩尔比50：4：6混合装进石英管中,然后抽真空(真空度在10Pa以下)密封石英管，然后将石英管放在马弗炉中反应，升温至600℃，升温时间7h，保温时间10h，保温后以1℃/min的降温速率进行第一阶段的降温，掺杂黑磷晶体自发的生长，当温度降到500℃时，以0.4℃/min进行第二阶段降温到室温，即得到掺杂黑磷晶体，记为Bi-BP。
图9中示出了制得的一些实施例制备参杂黑磷晶体的反应结果。
图10中示出了制得的掺杂黑磷晶体的拉曼光谱。
上述通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，这些详细的说明仅仅限于帮助本领域技术人员理解本发明的内容，并不能理解为对本发明保护范围的限制。本领域技术人员在本发明构思下对上述方案进行的各种润饰、等效变换等均应包含在本发明的保护范围内。

Claims (9)

1.一种气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷的方法，其特征在于，所述气相输运法制备黑磷的方法包括：将红磷、锡粉和传输剂混合置于密封腔的一端；对所述密封腔抽真空至10Pa以下；对所述密封腔加热、保温，然后分两阶段降温使黑磷晶体自发生长在所述密封腔的另一端获得黑磷晶体；其中，所述传输剂为SnI4、TeI4、SiI4、CoI2、BI3、SbI3、NH4I、BiI3、I2、PbI2、NaI、KI或LiI中的一种或数种。
2.根据权利要求1所述的气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷的方法，其特征在于：所述对密封腔加热、保温包括将所述密封腔加热至450～800℃，保温时间为6～15小时；所述分两阶段降温包括首先以0.1～6℃/分钟将温度降到480～510℃，然后以0.4～1.0℃/分钟降温到室温。
3.根据权利要求2所述的气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷的方法，其特征在于：对密封腔加热的时间为6～15小时。
4.根据权利要求1所述的气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷的方法，其特征在于：所述锡粉和红磷的摩尔比为4：50～1：50，所述传输剂和红磷的摩尔比为1：50～4：50。
5.根据权利要求1所述的气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷的方法，其特征在于：在所述密封腔中还置有粉末状的掺杂单质，所述掺杂单质为Sb、Se、Te、Bi、Si、Co、B或Mn中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷的方法，其特征在于：所述锡粉和红磷的摩尔比为4：50～1：50，所述传输剂和红磷的摩尔比为1：50～4：50，所述掺杂单质和红磷的摩尔比为1：50～3：50。
7.根据权利要求1所述的气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷的方法，其特征在于：所述传输剂为TeI4、SiI4、CoI2、BI3或SbI3，所述锡粉和红磷的摩尔比为4：50～1：50，所述传输剂和红磷的摩尔比为4：50～7：50。
8.根据权利要求6或7所述的气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷的方法，其特征在于：所述对密封腔加热、保温包括将所述密封腔加热至500～1000℃，保温时间为6～15小时；所述分两阶段降温包括首先以0.1～6℃/分钟将温度降到500～550℃，然后以0.4～1.0℃/分钟降温到室温。
9.根据权利要求8所述的气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷的方法，其特征在于：对密封腔加热的时间为6～20小时。
CN201810349413.9A 2018-04-18 2018-04-18 一种气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷单晶的方法 Pending CN109913942A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810349413.9A CN109913942A (zh) 2018-04-18 2018-04-18 一种气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷单晶的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810349413.9A CN109913942A (zh) 2018-04-18 2018-04-18 一种气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷单晶的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109913942A true CN109913942A (zh) 2019-06-21

Family

ID=66959649

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810349413.9A Pending CN109913942A (zh) 2018-04-18 2018-04-18 一种气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷单晶的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109913942A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113493929A (zh) * 2020-03-18 2021-10-12 深圳市中科墨磷科技有限公司 一种黑磷单晶片的制备方法
CN114164399A (zh) * 2021-11-08 2022-03-11 华中科技大学 一维链状晶体结构硒化锑薄膜及提高其空穴浓度的方法
CN115449898A (zh) * 2022-09-01 2022-12-09 湖北兴发化工集团股份有限公司 黑磷晶体的制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS638293A (ja) * 1986-06-27 1988-01-14 Nippon Chem Ind Co Ltd:The 黒リン単結晶の製造方法
CN105133009A (zh) * 2015-09-23 2015-12-09 清华大学 一种正交晶系黑磷单晶的制备方法
CN105603517A (zh) * 2016-01-11 2016-05-25 上海交通大学 基于固源化学气相沉积法生长单晶黑磷的方法
CN106087050A (zh) * 2016-05-30 2016-11-09 南京工业大学 一种低压下制备正交晶系黑磷单晶的方法
CN106498492A (zh) * 2016-11-01 2017-03-15 南京工业大学 一种制备正交晶系黑磷单晶的方法
CN107285289A (zh) * 2016-04-01 2017-10-24 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 具有高光电响应率的黑磷晶体、其制备方法及应用

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS638293A (ja) * 1986-06-27 1988-01-14 Nippon Chem Ind Co Ltd:The 黒リン単結晶の製造方法
CN105133009A (zh) * 2015-09-23 2015-12-09 清华大学 一种正交晶系黑磷单晶的制备方法
CN105603517A (zh) * 2016-01-11 2016-05-25 上海交通大学 基于固源化学气相沉积法生长单晶黑磷的方法
CN107285289A (zh) * 2016-04-01 2017-10-24 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 具有高光电响应率的黑磷晶体、其制备方法及应用
CN106087050A (zh) * 2016-05-30 2016-11-09 南京工业大学 一种低压下制备正交晶系黑磷单晶的方法
CN106498492A (zh) * 2016-11-01 2017-03-15 南京工业大学 一种制备正交晶系黑磷单晶的方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113493929A (zh) * 2020-03-18 2021-10-12 深圳市中科墨磷科技有限公司 一种黑磷单晶片的制备方法
CN114164399A (zh) * 2021-11-08 2022-03-11 华中科技大学 一维链状晶体结构硒化锑薄膜及提高其空穴浓度的方法
CN115449898A (zh) * 2022-09-01 2022-12-09 湖北兴发化工集团股份有限公司 黑磷晶体的制备方法
CN115449898B (zh) * 2022-09-01 2023-11-24 湖北兴发化工集团股份有限公司 黑磷晶体的制备方法
WO2024045903A1 (zh) * 2022-09-01 2024-03-07 湖北兴发化工集团股份有限公司 黑磷晶体的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109913942A (zh) 一种气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷单晶的方法
CN109913946A (zh) 一种气相输运法制备黑砷磷单晶的方法
CN105603517A (zh) 基于固源化学气相沉积法生长单晶黑磷的方法
CN101734630B (zh) 一种高纯碲化镉的制备方法
CN103232161A (zh) 一种Ge-Sb-Se系统红外玻璃的制备方法及设备
CN102191541B (zh) 磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置
CN110878425A (zh) 一种晶种诱导快速制备高质量二维黑磷晶体的方法
CN102786089B (zh) 一种生产砷化锌的方法
CN111334857B (zh) 一种SiP晶体生长调控方法
CN114105157B (zh) 砷化硼粉体材料的双温区密管合成技术
CN109402723A (zh) 一种vb/vgf法晶体生长用石英管及装置
CN115182050A (zh) 一种蒸气平衡生长BaGa2GeSe6单晶的方法
CN111285339A (zh) 一种Sn3P4诱导二维黑磷晶体的制备方法
CN102086031A (zh) 一种碲化镉液相合成方法
CN108059138A (zh) 一种高纯黑磷的制备方法
CN101619487B (zh) 一种p型导电性的碘化亚铜单晶体及其水热生长方法
CN102168305A (zh) 磷硅镉多晶料的合成方法
US11761112B2 (en) Method for preparing large-size two-dimensional layered metal thiophosphate crystal
CN113373511B (zh) 一种大尺寸CrI3单晶的制备方法
CN206279283U (zh) 高密闭性碲镉汞气相外延的石英套管
CN209260248U (zh) 一种vb/vgf法晶体生长用石英管及装置
CN205914359U (zh) 量子点光条后处理装置
CN100408731C (zh) 用碘化铅熔体生长单晶体的方法
CN111170291B (zh) 一种快速低成本制备黑磷的方法
CN210215617U (zh) 一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190621

RJ01 Rejection of invention patent application after publication