CN109912404A - 三氯甲基取代苯或相应酰卤的纯化方法及设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种三氯甲基取代苯或相应酰卤的纯化方法，解决了现有产品纯化过程中分离效果有待进一步提高的问题，具体包括以下步骤：步骤一、加料；步骤二、结晶，所述结晶器内间隔设置有两种列管，向一种列管内通入冷媒，向另一种列管内通入热媒；步骤三、发汗和/或吹扫和/或溶剂冲洗；步骤四、熔化。本方案通过在结晶纯化过程中，同时加入热媒和冷媒，冷媒列管周边形成结晶，热媒列管周边则形成结晶母液通道，不会造成设备堵塞，提高分离效率；在步骤三发汗过程中，可以通入气体，对晶体表面进行气体吹扫，减少晶体表面的母液残留量，进一步提高结晶产品的纯度。

Description

三氯甲基取代苯或相应酰卤的纯化方法及设备

技术领域

本申请涉及化工产品纯化方法，具体涉及三氯甲基取代苯或相应酰卤的纯化方法及设备。

背景技术

三氯甲基取代苯是制备高分子材料、医药、染料、农药等重要的中间产物。例如，二(三氯甲基)苯与其对应的苯二甲酸等物质反应制备得到的二(氯甲酰基)苯，可以作为近年来广受关注的芳纶纤维生产的原料。

二(三氯甲基)苯具有热敏性，传统的纯化方法，例如常压蒸馏、精馏等是根据化合物的沸点差异来进行分离纯化，并且需要长时间停留在高温环境，使得二(三氯甲基)苯会有部分发生聚合，采用这些方法纯化二(三氯甲基)苯时会产生结焦问题，造成二(三氯甲基)苯收率低，同时底部结焦物一方面会造成对设备的损害，需要定期清理；另一方面底部结焦物对环境有害，需要妥善处理，环境成本高；减压精馏虽然可以降低分离所需温度，但待分离物料要在再沸器中保持一定的液位而产生静压差，从而使得物料在塔釜内的汽化温度升高，故有时难以避免物料的热分解；惰性气体的存在有利于热敏性物料的精馏，但是给冷凝或冷却带来了麻烦。另外，物料在再沸器中容易出现受热不均匀等情况。特别地，当在工业上以金属制设备长时间加热这类物质时，它们容易发生二聚反应而转化成高沸点杂质，进而降低目标产物的总收率。

苯二甲酰氯的分离提纯方法包括重结晶法、减压蒸馏法、熔融结晶法以及各种纯化方法的结合使用等，例如美国专利US4165337采用重结晶法对间/对苯二甲酰氯进行提纯；中国专利CN104225952A公开了一种高纯度间苯二甲酰氯的熔融结晶提纯装置及提纯方法，包括熔融结晶、冷却结晶、升温去杂和完全熔融等步骤；中国专利CN104003868A中公开了一种针对采用氯化亚砜法制备得到的对苯二甲酰氯的提纯方法，采用熔融结晶或者减压蒸馏；李改真等研究了采用熔融结晶法提纯对苯二甲酰氯(李改真.熔融结晶法提纯对苯二甲酰氯[D].河南大学,2017.)。

随着对高纯和超纯物质需求量的增加，以及节能的需要，近年来熔融结晶技术越来越受到关注。熔融结晶技术具有环境友好、操作温度低、能耗低、使用范围广泛等优点。然而现有熔融结晶操作过程中，基本上采用的是先通冷媒等方法进行降温，使物料结晶。操作过程中，特别是长时间操作后，结晶设备容易堵塞，设备内各处结晶率不同，而导致母液不易放出，分离效果有待进一步提高。

发明内容

针对现有技术存在的上述不足，本发明的目的在于提供一种三氯甲基取代苯或相应酰卤的纯化方法。

为实现以上目的，本发明提供的一种三氯甲基取代苯或相应酰卤的纯化方法，采用如下技术方案：

三氯甲基取代苯或相应酰卤的纯化方法，包括以下步骤：

步骤一、将熔融状态的三氯甲基取代苯或相应酰卤粗品物料加入结晶器内；

步骤二、结晶：所述结晶器内间隔设置有两种列管，向一种列管内通入冷媒，向另一种列管内通入热媒，物料在冷媒列管外壁结晶析出，形成结晶层，热媒列管外壁周围为未结晶的母液，杂质溶解在母液中，形成母液通道，待物料的结晶率达到要求后，将母液排放出结晶器；

步骤三、发汗和/或气体吹扫和/或溶剂冲洗：通过提高热媒和/或冷媒温度的办法，升高结晶器内温度，使部分晶体融化，和/或向结晶器内通入气体进行气体吹扫，和/或向结晶器内通入溶剂，对晶体进行溶剂冲洗，并排出本步骤分离产生的母液；

步骤四、熔化：提高热媒和/或冷媒温度，将结晶层全部熔化，得到纯化后的物料。

所述三氯甲基取代苯是指化学式为(X)aC6H6-a-b(CCl3)b的芳烃类化合物，所述相应酰卤是指化学式为(X)aC6H6-a-b(COCl)b的芳烃类化合物，所述X为氯或溴或氟原子，a为选自0、1、2、3、4或5的整数，b为选自1、2、3或4的整数，且a+b≤6。

优选的，所述步骤一中，加入溶剂溶解三氯甲基取代苯或相应酰卤粗品。

本领域技术人员能够了解，所述三氯甲基取代苯包括例如1,3-二(三氯甲基)苯、1,4-二(三氯甲基)苯、三氯甲基苯、对氯(三氯甲基)苯、间氯(三氯甲基)苯、均三(三氯甲基)苯等，所述相应酰卤是指间苯二甲酰氯、对苯二甲酰氯、苯甲酰氯、对氯苯甲酰氯、间氯苯甲酰氯、均三苯甲酰氯等。

所述步骤二中的结晶率是指结晶析出的纯化后的物料(不含溶剂)与加入结晶器内粗品物料(不含溶剂)的质量百分比，优选的，待物料的结晶率达到40～90％后，排放出母液。在本发明的一些优选方面，结晶率可以适当调整。例如，当结晶率达到40～50％、40～60％、45～60％、60～65％、60～75％、70～75％、70～85％、75～85％、75～90％或80～90％后，排放出母液。

所述步骤二结晶过程中，本领域技术人员可以根据实际情况来调整热媒和冷媒的温度，例如，当粗品物料为间苯二甲酰氯时，通入的热媒温度为20～50℃，优选30～50℃，冷媒温度在低于热媒温度的基础上为-20～39℃，优选-10～30℃；当粗品物料为对苯二甲酰氯时，通入的热媒温度为70～90℃，优选70～85℃，冷媒温度在低于热媒温度的基础上为-20～70℃，优选10～65℃；当粗品物料为1,3-二(三氯甲基)苯时，通入的热媒温度为20～50℃，优选30～50℃，冷媒温度在低于热媒温度的基础上为-20～38℃，优选-5～20℃；当粗品物料为1,4-二(三氯甲基)苯时，通入的热媒温度为40～120℃，优选90～115℃，冷媒温度在低于热媒温度的基础上优选为-20～105℃，优选10～30℃。

所述步骤二中大部分母液已从母液通道放出，但是晶体表面仍然会吸附一层含杂质的母液，这部分母液不能依靠重力作用排放出来，可以根据需要选择进行步骤三发汗和/或气体吹扫和/或溶剂冲洗等一种或多种方法尽可能的去除这部分吸附在晶体表面的母液。

所述步骤三中发汗，通过提高热媒和/或冷媒温度的办法，升高结晶器内温度，使部分晶体融化。本领域技术人员可以根据实际情况来选择合适的发汗温度。例如，当粗品物料为间苯二甲酰氯时，提高热媒和/或冷媒的温度至30～50℃；当粗品物料为对苯二甲酰氯时，提高热媒和/或冷媒的温度至70～90℃；当粗品物料为1,3-二(三氯甲基)苯时，提高热媒和/或冷媒的温度至30～50℃；当粗品物料为1,4-二(三氯甲基)苯时，提高热媒和/或冷媒的温度至90～120℃。在本发明的一些优选方面，提高热媒和/或冷媒的温度可以适当调整。

优选的，所述步骤三中发汗，通过提高热媒温度的办法，升高结晶器内温度，使部分晶体融化。例如，当粗品物料为间苯二甲酰氯时，升高热媒的温度至30～50℃；当粗品物料为对苯二甲酰氯时，升高热媒的温度至70～90℃；当粗品物料为1,3-二(三氯甲基)苯时，升高热媒的温度至30～50℃；当粗品物料为1,4-二(三氯甲基)苯时，升高热媒的温度至90～120℃。

进一步的，所述步骤三中气体吹扫通入的气体是惰性气体和/或溶剂气体。

优选的，所述步骤三中气体吹扫，气体通过空隙的流速为0～30米/秒。本处所述空隙是指步骤二结晶并排放出母液后，留下的空隙。

所述步骤三中气体吹扫，当吹扫气体温度较高时，既有剪切力分离晶体表面的母液同时又有发汗作用。本领域技术人员可以根据实际情况选择吹扫气体的温度，例如，当粗品物料为间苯二甲酰氯时，气体温度为-5～38℃；当粗品物料为对苯二甲酰氯时，气体温度为-5～80℃；当粗品物料为1,3-二(三氯甲基)苯时，气体温度为-5～36℃；当粗品物料为1,4-二(三氯甲基)苯时，气体温度为-5～105℃。进一步优选较高的吹扫气体温度，例如，当粗品物料为间苯二甲酰氯时，气体温度为15～35℃；当粗品物料为对苯二甲酰氯时，气体温度为60～80℃；当粗品物料为1,3-二(三氯甲基)苯时，气体温度为10～35℃；当粗品物料为1,4-二(三氯甲基)苯时，气体温度为50～105℃。

步骤三中所述溶剂冲洗，一般温度越低越好，温度低，在冲洗过程中溶解高含量的晶体量较少，一次结晶的收率较高，本领域技术人员可以根据实际的需要选取合适的温度。例如，当粗品物料为间苯二甲酰氯时，溶剂温度优选为-20～5℃；当粗品物料为对苯二甲酰氯时，溶剂温度优选为-20～10℃；当粗品物料为1,3-二(三氯甲基)苯时，溶剂温度优选为-20～5℃；当粗品物料为1,4-二(三氯甲基)苯时，溶剂温度优选为-20～15℃。

优选的，所述步骤三中升高结晶器内温度的同时向结晶器内进行气体吹扫。

特别优选的，所述步骤一中，加入溶剂溶解三氯甲基取代苯或相应酰卤粗品，步骤三中升高温度的同时向结晶器内通入惰性气体进行气体吹扫。由于步骤一中加入了溶剂，在发汗吹扫的过程中，没有排放完的部分溶剂会留在晶体表面，在吹扫过程中，液体溶剂会蒸发成气体并与惰性气体混合，从而形成含有一定量溶剂气体的吹扫气体。

步骤三中所述气体吹扫，可以是通入气体的同时，打开出气口；也可以是先通入气体达到一定压力后，再打开出气口，两种目的一样，就是为了让晶体表面的气体达到一定流速后，靠气体与晶体表面的剪切作用将母液与晶体分开。可以根据需要进行多次气体吹扫。

本领域技术人员能够理解，所述步骤三中发汗和/或气体吹扫和/或溶剂冲洗，可以同步进行，也可以分开进行，在能够操作的前提下，优选同步进行。例如在溶剂冲洗的同时用惰性气体吹扫，也可以先用溶剂冲洗再进行惰性气体吹扫，优选前者，收率较高。

所述步骤四中提高热媒和/或冷媒温度，将结晶层全部熔化，本领域技术人员能够根据实际情况，选择合适的温度从而满足不同物料的熔化要求，例如，当粗品物料为间苯二甲酰氯时，提高热媒和/或冷媒温度至≥45℃；当粗品物料为对苯二甲酰氯时，提高热媒和/或冷媒温度至≥85℃；当粗品物料为1,3-二(三氯甲基)苯时，提高热媒和/或冷媒温度至≥45℃；当粗品物料为1,4-二(三氯甲基)苯时，提高热媒和/或冷媒温度至≥115℃；也可以逐步提高热媒温度或同时逐步提高热媒和冷媒温度，满足物料的熔化要求。

优选的，所述步骤四中熔化，可以采用同时提高热媒和冷媒温度的方法。

优选的，所述步骤一中将粗品物料加入结晶器之前，用氮气置换排出结晶器内空气。

本申请中所述惰性气体是指相对于物料属于惰性气体，例如氮气、氩气、氦气等。

本申请中所述溶剂(包括溶解三氯甲基取代苯或相应酰卤粗品的溶剂、溶剂气体)是指能够溶解被纯化物料晶体的溶剂，例如氯仿、甲苯等。

本发明的另一方面，在于提供一种结晶设备。

一种结晶设备，包括结晶器主体，所述结晶器主体上部依次设置有第一管板和第二管板，下部依次设置有第三管板和第四管板，四个所述管板将结晶器主体从上至下依次分为A区、B区、C区、D区和E区，所述结晶器主体内部间隔设置有冷媒列管和热媒列管，冷媒列管和热媒列管中的一种列管连通A区和D区，另一种列管则连通B区和E区，所述结晶器主体上根据冷媒列管和热媒列管的固定位置对应设置热媒进口、热媒出口、冷媒进口和冷媒出口。

进一步地，所述冷媒列管连通B区和E区，热媒列管连通A区和D区，则所述冷媒进口和冷媒出口中的任意一个位于第四管板下部，另一个位于第一管板和第二管板之间；所述热媒进口和热媒出口中的任意一个位于第一管板上部，另一个位于第三管板和第四管板之间；

或者，所述热媒列管连通B区和E区，冷媒列管连通A区和D区，则所述热媒进口和热媒出口中的任意一个位于第四管板下部，另一个位于第一管板和第二管板之间；所述冷媒进口和冷媒出口中的任意一个位于第一管板上部，另一个位于第三管板和第四管板之间。

进一步地，所述C区还设置有进气口、进料口、出气口和放料口。

所述冷媒列管和热媒列管可垂直安装、横向安装或倾斜安装于结晶器主体内。

所述冷媒列管和热媒列管可以为竖直列管、弯曲型列管、螺旋状列管或扭曲型列管。

本申请所述冷媒列管和热媒列管可以根据物料性质，按照一定规格排布，可以是均匀分布排列，也可以非均匀分布排列。

优选的，所述冷媒列管和热媒列管均匀分布排列。

在本申请的一种优选实施方式中，所述冷媒列管和热媒列管为扭曲型列管。

进一步地，所述进气口、进料口、出气口或出料口可以设置有一个或多个。

进一步地，所述结晶器，还包括溶剂进口，所述溶剂进口处设置有液体分布器，用于向结晶器内通入溶剂，对晶体表面进行溶剂冲洗。

优选的，所述C区设置有折流板。

优选的，所述C区设置有温度计插口。

优选的，所述结晶器主体的顶部设置有排空口，结晶器主体的底部设置有放尽口。

本申请所述扭曲型是指与物料接触的列管是扭曲的，但是不是所有的列管都具有相同的扭曲状态，优选是每根列管扭曲的程度或者方向不同。

与现有技术相比，本申请具有以下有益效果：

(1)纯化过程中，同时加入热媒和冷媒，冷媒列管周边形成结晶，热媒列管周边则形成结晶母液通道，冷热管相间保证母液的流动通畅，防止形成碗状的晶块滞留母液，不易造成设备堵塞，提高分离效率；

(2)在步骤三发汗过程中，同时通入气体，对晶体表面进行气体吹扫，可以把留在晶体表面的母液吹走，减少晶体表面的母液残留量，进一步提高结晶产品的纯度；并且当向结晶器内通入热气体，既能起到发汗或者辅助发汗作用，又能进一步对晶体表面进行吹扫，进一步提高结晶产品的纯度和纯化效率；

(3)步骤一中，加入溶剂溶解三氯甲基取代苯或相应酰卤粗品，步骤三中发汗过程中，同时向结晶器内通入惰性气体进行气体吹扫。由于步骤一中加入了溶剂，在发汗吹扫的过程中，没有放完的部分溶剂留在晶体表面，在吹扫过程中，液体溶剂会蒸发成气体并与惰性气体混合，从而形成含有一定量溶剂气体的吹扫气体；

(4)当采用扭曲型列管时，在发汗过程中，整个设备内晶体表面的温度会更加均匀，发汗效果更好。常规的列管结晶器，热管周围的热物料、冷管周围的冷物料大都是垂直上下对流的，往两边扩散的少，“扭曲”了以后，热管和冷管的垂直方向实现位移，在发汗过程中，可以使整个设备内所有晶体表面的温度比较均匀，从而发汗效果更好；

(5)本申请设备，当降低热媒的温度时，可以让热媒列管外壁也有晶体析出，作为常规结晶器使用。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为实施例1结晶设备(竖直列管)结构示意图；

图2为扭曲型列管结构示意图；

图3为实施例34结晶设备(弯曲型列管)结构示意图；

图4为实施例35结晶设备(螺旋状列管)结构示意图；

图中附图标记：1-结晶器主体，2-热媒进口，3-热媒出口，4-冷媒进口，5-冷媒出口，6-第一管板，7-第二管板，8-第三管板，9-第四管板，10-冷媒列管，11-热媒列管，12-进气口，13-进料口，14-出气口，15-放料口，16-折流板，17-温度计插口，18-排空口，19-放尽口。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。

本申请中收率是指所得到的折纯物料质量与粗品中该物料的折纯质量之比。

实施例1

本实施例采用的结晶设备如图1所示，包括结晶器主体1、热媒进口2、热媒出口3、冷媒进口4和冷媒出口5，所述结晶器主体1上部依次设置有第一管板6和第二管板7，下部依次设置有第三管板8和第四管板9，四个所述管板将结晶器主体从上至下依次分为A区、B区、C区、D区和E区，所述结晶器主体1内部间隔设置有冷媒列管10和热媒列管11，热媒列管11连通B区和E区，冷媒列管10则连通A区和D区，所述冷媒进口4位于第三管板8和第四管板9之间，所述冷媒出口5位于第一管板6上部；所述热媒进口2位于第四管板9下部，热媒出口3则位于第一管板6和第二管板7之间，所述第二管板7和第三管板8之间还设置有进气口12、进料口13、出气口14和放料口15。

本实施例中，所述冷媒列管和热媒列管均匀分布排列，冷媒列管和热媒列管为竖直列管，垂直安装于结晶器主体内。所述出气口14设置有两个。

所述C区设置有折流板16和温度计插口17。所述结晶器主体的顶部设置有排空口18，结晶器主体的底部设置有放尽口19。

本实施例纯化的物料为间苯二甲酰氯，纯化方法包括以下步骤：

本实施例纯化的物料为间苯二甲酰氯，纯化方法包括以下步骤：

步骤一、苯二甲酰氯粗品加入结晶器之前，用氮气置换排出结晶器内空气，并且在结晶过程中保持结晶器处于密封状态。将间苯二甲酰氯溶于溶剂中(本实施例中采用氯仿为溶剂)，从进料口13加入结晶器主体1内；

步骤二、结晶：冷媒从冷媒进口4进入，从冷媒出口5排出，热媒从热媒进口2进入，从热媒出口3排出，通入的热媒的温度为35℃，通入的冷媒的温度为5℃；物料在冷媒列管10外壁结晶析出，形成结晶层，热媒列管11外壁周围为未结晶的母液，杂质溶解在母液中，形成母液通道，待物料的结晶率达到65％后，从放料口15排放出母液；

步骤三、发汗：通过逐渐升高热媒的温度至45℃的办法，升高结晶器内温度，使部分晶体融化，从放料口15排出发汗液；

步骤四、熔化：同时提高热媒和冷媒温度至50℃，将结晶层全部熔化，从放料口15得到纯化后的物料。

本实施例中，粗品物料配比：间苯二甲酰氯粗品90.53千克，氯仿10.01千克，间苯二甲酰氯粗品纯度为95.03％；结晶纯化后的产物经过简单蒸馏，脱去溶剂后得到的物料纯度为99.72％，收率78.5％(为所得到的折纯物料质量与粗品中该物料的折纯质量之比)。

实施例2

本实施例采用的结晶设备同实施例1。

本实施例纯化的物料为间苯二甲酰氯，纯化方法包括以下步骤：

步骤一、苯二甲酰氯粗品加入结晶器之前，用氮气置换排出结晶器内空气，并且在结晶过程中保持结晶器处于密封状态。将熔融状态的间苯二甲酰氯粗品物料(未加溶剂)从进料口13加入结晶器主体1内；

步骤二、结晶：冷媒从冷媒进口4进入，从冷媒出口5排出，热媒从热媒进口2进入，从热媒出口3排出，通入的热媒的温度为45℃，通入的冷媒的温度为5℃；物料在冷媒列管10外壁结晶析出，形成结晶层，热媒列管11外壁周围为未结晶的母液，杂质溶解在母液中，形成母液通道，待物料的结晶率达到65％后，从放料口15排放出母液；

步骤三、发汗：通过逐渐升高热媒的温度至50℃的办法，升高结晶器内温度，使部分晶体融化，从放料口15排出发汗液；

步骤四、熔化：同时提高热媒和冷媒温度至70℃，将结晶层全部熔化，从放料口15得到纯化后的物料。

本实施例中，间苯二甲酰氯粗品100.16千克，间苯二甲酰氯粗品纯度为95.03％；纯化后得到的产物纯度为99.46％，收率为78.95％。

实施例3

本实施例纯化的物料为间苯二甲酰氯，结晶设备同实施例1，纯化方法与实施例1的区别在于：所述步骤二中通入的热媒的温度为30℃，通入的冷媒的温度为20℃；所述步骤三中发汗通过逐渐升高热媒的温度至40℃来实现，并且在升高温度的同时通过进气口12向结晶器内通入氮气，并打开出气口14，所述氮气温度为15℃，氮气通过空隙的流速为15米/秒；所述步骤四中通入的热媒的温度为60℃。其余与实施例1相同。

本实施例中，粗品物料配比：间苯二甲酰氯粗品90.11千克，氯仿10.21千克，间苯二甲酰氯粗品纯度为95.03％；结晶纯化后得到的产物，脱去溶剂后得到的物料纯度为99.93％，收率78.82％。

实施例4

本实施例纯化的物料为间苯二甲酰氯，纯化方法与实施例2的区别：所述步骤二中通入的热媒的温度为46℃，通入的冷媒的温度为20℃；所述步骤三中发汗通过逐渐升高热媒的温度至50℃来实现，并且在升高温度的同时通过进气口12向结晶器内通入30℃的氩气，并打开出气口14，所述氩气通过空隙的流速为15米/秒；所述步骤四中同时提高热媒和冷媒温度至60℃。其余与实施例2相同。

本实施例中，间苯二甲酰氯粗品纯度为95.03％，间苯二甲酰氯粗品100.36千克，纯化后的间苯二甲酰氯纯度为99.83％，收率79.63％。

实施例5

本实施例纯化的物料为间苯二甲酰氯，纯化方法与实施例1的区别在于：所述步骤二中通入的热媒的温度为40℃，通入的冷媒的温度为15℃，待物料的结晶率达到70％后，从放料口排放出母液；所述步骤三中发汗通过逐渐升高热媒的温度至45℃来实现，并且在升高温度的同时通过进气口12向结晶器内通入含有一定比例氦气的氯仿气体进行吹扫，并打开出气口14，所述氦气与氯仿气体的体积比为4:1，混合气体(氦气与氯仿气体)温度为20℃，混合气体通过空隙的流速为5米/秒；所述步骤四中同时提高热媒和冷媒温度至70℃。其余与实施例1相同。

本实施例中，粗品物料配比：间苯二甲酰氯粗品90.05千克，氯仿10.03千克，间苯二甲酰氯粗品纯度为95.03％；结晶纯化后得到的产物经过简单蒸馏，脱去溶剂后得到的物料纯度为99.94％，收率77.53％。

实施例6

本实施例纯化的物料为间苯二甲酰氯，纯化方法与实施例2的区别在于：所述步骤二中通入的热媒的温度为43℃，通入的冷媒的温度为15℃，待物料的结晶率达到70％后，从放料口排放出母液；所述步骤三中发汗通过逐渐升高热媒的温度至45℃来实现，并且在升高温度的同时通过进气口12向结晶器内通入含有一定比例氮气的氯仿气体进行吹扫，并打开出气口14，所述氮气与氯仿气体的体积比为4:1，混合气体温度为20℃，混合气体通过空隙的流速为5米/秒；所述步骤四中同时提高热媒和冷媒温度至70℃。其余与实施例2相同。

本实施例中，间苯二甲酰氯粗品纯度为95.03％，间苯二甲酰氯粗品100.16千克，纯化后的间苯二甲酰氯纯度为99.89％，收率78.69％。

实施例7

本实施例纯化的物料为间苯二甲酰氯，纯化设备同实施例1，纯化方法包括以下步骤：

步骤一、将间苯二甲酰氯溶于溶剂中，从进料口13加入结晶器主体1内；

步骤二、结晶：通入的热媒的温度为30℃，通入的冷媒的温度为18℃，待物料的结晶率达到62％后，从放料口排放出母液；

步骤三、发汗：向结晶器内晶体上部均匀加入(可通过分布器来实现)温度为-5℃的氯仿冲洗晶体，冲洗后的液体从结晶器底部的放料口放出；

步骤四、熔化：同时提高热媒和冷媒温度至80℃，将结晶层全部熔化，从放料口15得到纯化后的物料。

本实施例中，粗品物料配比：间苯二甲酰氯粗品90.05千克，氯仿10.03千克，间苯二甲酰氯粗品纯度为95.03％；结晶纯化后得到的产物经过简单蒸馏，脱去溶剂后得到物料纯度为99.3％，收率68.85％。

实施例8

本实施例纯化的物料为间苯二甲酰氯，纯化设备同实施例1，纯化方法包括以下步骤：

步骤一、将熔融状态的间苯二甲酰氯(未加溶剂)从进料口13加入结晶器主体1内；

步骤二、结晶：通入的热媒的温度为44℃，通入的冷媒的温度为25℃，待物料的结晶率达到62％后，从放料口排放出母液；

步骤三、发汗：向结晶器内晶体上部均匀加入-10℃的氯仿溶剂冲洗晶体，冲洗后的液体从结晶器底部的放料口放出；

步骤四、熔化：同时提高热媒和冷媒温度至70℃，将结晶层全部熔化，从放料口15得到纯化后的物料。

本实施例中，间苯二甲酰氯粗品纯度为95.03％，间苯二甲酰氯粗品100.16千克，纯化后的间苯二甲酰氯纯度为99.4％，收率70.7％。

实施例9

本实施例纯化的物料为间苯二甲酰氯，纯化方法与实施例1的区别在于：所述步骤二中通入的热媒的温度为35℃，通入的冷媒的温度为15℃，待物料的结晶率达到80％后，从放料口排放出母液；所述步骤三为：向结晶器内晶体上部均匀加入0℃的氯仿溶剂冲洗晶体，并且冲洗的同时用20℃的氮气吹扫，冲洗后的液体从结晶器底部的放料口放出，氮气通过空隙的流速为10米/秒。其余与实施例1相同。

本实施例中，粗品物料配比：间苯二甲酰氯粗品90.05千克，氯仿10.03千克，间苯二甲酰氯粗品纯度为95.03％；结晶纯化后得到的产物经过简单蒸馏，脱去溶剂后得到物料纯度为99.95％，收率64.89％。

实施例10

本实施例纯化的物料为间苯二甲酰氯，纯化方法与实施例2的区别在于：所述步骤二中通入的热媒的温度为47℃，通入的冷媒的温度为15℃，待物料的结晶率达到80％后，从放料口排放出母液；步骤三中向结晶器内晶体上部均匀加入-10℃的氯仿冲洗晶体，冲洗的同时用20℃的氩气吹扫，氩气通过空隙的流速为15米/秒，冲洗后的液体从结晶器底部的放料口放出。其余与实施例2相同。

本实施例中，间苯二甲酰氯粗品纯度为95.03％，间苯二甲酰氯粗品100.16千克，纯化后的间苯二甲酰氯纯度为99.93％，收率63.89％。

实施例11

本实施例纯化方法与实施例2的区别在于：所述步骤二中通入的热媒的温度为46℃，通入的冷媒的温度为-10℃；所述步骤三中仅采用温度为20℃的氮气吹扫，氮气通过空隙的流速为20米/秒。其余与实施例2相同。

本实施例中，粗品物料配比：间苯二甲酰氯粗品100.16千克，间苯二甲酰氯粗品纯度为95.03％；结晶纯化后得到的产物纯度为99.8％，收率为82.31％。

实施例12

本实施例纯化的物料为间苯二甲酰氯，纯化方法与实施例2的区别在于：所述步骤二中通入的热媒的温度为45℃，通入的冷媒的温度为28℃；所述步骤三中升高温度的同时通过进气口12向结晶器内通入含有一定比例氩气的氯仿气体进行吹扫，并打开出气口14，所述氩气和氯仿气体的体积比为5:1，混合气体温度为20℃、通过空隙的流速为8米/秒，吹扫结束后再向结晶器内晶体上部均匀加入3℃的氯仿溶剂冲洗晶体，冲洗后的液体从结晶器底部的放料口放出。其余与实施例2相同。

本实施例中，间苯二甲酰氯粗品纯度为95.03％，间苯二甲酰氯粗品100.16千克，纯化后的间苯二甲酰氯纯度为99.96％，收率58.01％。

实施例13

本实施例中纯化设备同实施例1的区别在于结晶设备内的冷媒列管和热媒列管为扭曲型(参见图2，其效果相当于列管的两端分别固定于管板上，一个管板保持不动，另一个管板旋转，旋转的管板带动列管整体扭曲后得到的形状)，并且未安装折流板。

所述纯化方法同实施例1，本实施例中，粗品物料配比：间苯二甲酰氯粗品90.05千克，氯仿10.03千克，间苯二甲酰氯粗品纯度为95.03％；结晶纯化后得到的产物经过简单蒸馏，脱去溶剂后得到物料纯度为99.91％，收率81.8％。

实施例14

本实施例中纯化方法设备同实施例13。

本实施例中纯化方法同实施例2，间苯二甲酰氯粗品纯度为90.06％，纯化后的间苯二甲酰氯纯度为99.9％，收率为82.22％。

实施例15

本实施例中结晶设备及纯化步骤同实施例2，区别在于纯化的物料为对苯二甲酰氯。所述步骤二中通入的热媒的温度为80℃，通入的冷媒的温度为20℃；所述步骤三中发汗通过逐渐升高热媒和冷媒的温度至85℃来实现；所述步骤四中同时提高热媒和冷媒温度至100℃。其余与实施例2相同。

本实施例中，对苯二甲酰氯粗品纯度为96.39％，纯化后的对苯二甲酰氯纯度为99.78％，收率为80.1％。

实施例16

本实施例纯化的物料为对苯二甲酰氯，纯化方法同实施例15的区别在于：所述步骤二中通入的热媒的温度为85℃，通入的冷媒的温度为65℃；所述步骤三中发汗过程中逐渐升高热媒和冷媒的温度至90℃，并且在升高温度的同时通过进气口12向结晶器内通入80℃的氮气，并打开出气口14，所述氮气通过空隙的流速为3～15米/秒。其余与实施例15相同。

本实施例中，对苯二甲酰氯粗品纯度为96.39％，对苯二甲酰氯粗品100.36千克，纯化后的对苯二甲酰氯纯度为99.92％，收率75.6％。

实施例17

本实施例纯化的物料为对苯二甲酰氯，纯化方法同实施例1，区别在于：所述步骤二中通入的热媒的温度为70℃，通入的冷媒的温度为20℃；步骤三中发汗通过逐渐升高热媒和冷媒的温度至85℃来实现，并且在发汗结束后，向结晶器内晶体上部均匀加入温度为-5℃的氯仿冲洗晶体，冲洗后的液体从结晶器底部的放料口放出；步骤四中同时提高热媒和冷媒温度至95℃。其余与实施例1相同。

本实施例中，对苯二甲酰氯粗品纯度为96.39％，结晶纯化后得到的产物经过简单蒸馏，脱去溶剂后得到物料纯度为99.9％，收率79.5％。

实施例18

本实施例中结晶设备及纯化步骤同实施例2，区别在于：纯化的物料为1,3-二(三氯甲基)苯；所述步骤二中通入的热媒的温度为42℃，通入的冷媒的温度为15℃；所述步骤三中发汗通过逐渐升高热媒和冷媒的温度至47℃来实现；所述步骤四中提高热媒和冷媒温度至60℃。其余与实施例2相同。

本实施例中，1,3-二(三氯甲基)苯粗品纯度为92.79％，纯化后的1,3-二(三氯甲基)苯纯度为99.1％，收率为82.52％。

实施例19

本实施例纯化的物料为1,3-二(三氯甲基)苯，结晶设备及纯化方法同实施例1，区别在于：所述步骤二中通入的热媒的温度为39℃，通入的冷媒的温度为-5℃；所述步骤三中逐渐升高热媒温度至48℃，并且在升高温度的同时通过进气口12向结晶器内通入30℃的氮气，并打开出气口14，氮气通过空隙的流速为10米/秒；所述步骤四中提高热媒和冷媒温度至60℃。其余与实施例1相同。

本实施例中，1,3-二(三氯甲基)苯粗品纯度为92.79％，结晶纯化后得到的产物经过简单蒸馏，脱去溶剂后得到物料纯度为99.75％，收率为79.3％。

实施例20

本实施例纯化的物料为1,3-二(三氯甲基)苯，结晶设备及纯化方法同实施例19，区别在于：所述步骤二中通入的热媒的温度为39℃，通入的冷媒的温度为18℃；所述步骤三中发汗通过逐渐升高热媒温度至50℃来实现，升高温度的同时通过进气口12向结晶器内通入含有一定比例氩气的氯仿气体，并打开出气口14，氩气和氯仿气体的体积比为5.5:1，混合气体温度为20℃，混合气体通过空隙的流速为5～20米/秒。其余与实施例19相同。

本实施例中，1,3-二(三氯甲基)苯粗品纯度为92.79％，结晶纯化后得到的产物经过简单蒸馏，脱去溶剂后得到物料纯度为99.91％，收率为68.5％。

实施例21

本实施例中结晶设备及纯化步骤同实施例2，区别在于：纯化的物料为1,4-二(三氯甲基)苯；所述步骤二中通入的热媒的温度为110℃，通入的冷媒的温度为20℃；所述步骤三中发汗通过逐渐升高热媒和冷媒的温度至118℃来实现；所述步骤四中通入的热媒的温度为130℃。其余与实施例2相同。

本实施例中，1,4-二(三氯甲基)苯粗品纯度为93.46％，纯化后的1,4-二(三氯甲基)苯纯度为99.4％，收率为80.35％。

实施例22

本实施例纯化的物料为1,4-二(三氯甲基)苯，纯化方法同实施例21，区别在于：所述步骤三中升高温度的同时通过进气口12向结晶器内通入105℃的氮气，氮气通过空隙的流速为7米/秒，并打开出气口14。

本实施例中，1,4-二(三氯甲基)苯粗品纯度为93.46％，纯化后的1,4-二(三氯甲基)苯纯度为99.89％，收率为76.4％。

实施例23

本实施例中结晶设备及纯化步骤同实施例1，区别在于纯化的物料为1,4-二(三氯甲基)苯；所述步骤二中通入的热媒的温度为103℃，通入的冷媒的温度为20℃；所述步骤三中发汗通过逐渐升高热媒和冷媒的温度至118℃来实现，并且在升高温度的同时通过进气口12向结晶器内通入含有一定比例氦气的氯仿气体，并打开出气口14，氦气和氯仿气体的体积比为5.5:1，混合气体温度为80℃，混合气体通过空隙的流速为5～20米/秒；所述步骤四中通入的热媒的温度为130℃。其余与实施例1相同。

本实施例中，1,4-二(三氯甲基)苯粗品纯度为93.46％，结晶纯化后得到的产物经过简单蒸馏，脱去溶剂后得到物料纯度为99.78％，收率为78.7％。

实施例24

本实施例中纯化的物料为1,3-二(三氯甲基)苯，纯化方法同实施例1，区别在于：所述步骤二中通入的热媒的温度为35℃，通入的冷媒的温度为15℃；所述步骤三中发汗通过逐渐升高热媒的温度至45℃来实现；所述步骤四中通入的热媒的温度为60℃。

本实施例中，粗品物料配比：1,3-二(三氯甲基)苯粗品90.05千克，氯仿10.03千克，1,3-二(三氯甲基)苯粗品纯度为92.79％；结晶纯化后得到的产物经过简单蒸馏，脱去溶剂后得到物料纯度为99.61％，收率78.89％。

实施例25

本实施例中纯化的物料为1,4-二(三氯甲基)苯，纯化方法同实施例1，区别在于所述步骤二中通入的热媒的温度为95℃，通入的冷媒的温度为20℃；所述步骤三中发汗通过升高热媒和冷媒的温度至104℃来实现；所述步骤四中通入的热媒的温度为125℃。

本实施例中，粗品物料配比：1,4-二(三氯甲基)苯粗品90.05千克，氯仿10.03千克，1,4-二(三氯甲基)苯粗品纯度为93.46％；结晶纯化后得到的产物经过简单蒸馏，脱去溶剂后得到物料纯度为99.56％，收率84.93％。

实施例26

本实施例纯化的物料为对苯二甲酰氯，纯化方法同实施例7，区别在于：所述步骤二中通入的热媒的温度为81℃，通入的冷媒的温度为25℃；所述步骤三中溶剂温度为0℃；所述步骤四中提高热媒和冷媒温度至125℃，本实施例溶剂选择氯仿。

本实施例中，对苯二甲酰氯粗品纯度为96.39％，对苯二甲酰氯粗品100.36千克，纯化后的对苯二甲酰氯纯度为99.52％，收率68.2％。

实施例27

本实施例纯化的物料为1,3-二(三氯甲基)苯，纯化设备同实施例1，纯化方法包括以下步骤：

步骤一、将熔融状态的1,3-二(三氯甲基)苯从进料口13加入结晶器主体1内；

步骤二、结晶：通入的热媒的温度为50℃，通入的冷媒的温度为10℃，待物料的结晶率达到70％后，从放料口排放出母液；

步骤三、发汗：通过进气口12向结晶器内通入含有一定比例氮气的氯仿气体，并打开出气口14，氮气和氯仿气体的体积比为5.5:1，混合气体温度为20℃，混合气体通过空隙的流速为15米/秒；

步骤四、熔化：同时提高热媒和冷媒温度至60℃，将结晶层全部熔化，从放料口15得到纯化后的物料。

本实施例中，1,3-二(三氯甲基)苯粗品纯度为92.79％，纯化后的1,3-二(三氯甲基)苯纯度为99.68％，收率为65.5％。

实施例28

本实施例纯化的物料为1,4-二(三氯甲基)苯，纯化设备同实施例1，纯化方法包括以下步骤：

步骤一、将熔融状态的1,4-二(三氯甲基)苯从进料口13加入结晶器主体1内；

步骤二、结晶：通入的热媒的温度为112℃，通入的冷媒的温度为25℃，待物料的结晶率达到67％后，从放料口排放出母液；

步骤三、发汗通过逐渐升高热媒的温度至118℃来实现，发汗结束后向结晶器内晶体上部均匀加入温度10℃氯仿冲洗晶体，冲洗后的液体从结晶器底部的放料口放出；

步骤四、熔化：同时提高热媒和冷媒温度至125℃，将结晶层全部熔化，从放料口15得到纯化后的物料。

本实施例中，1,4-二(三氯甲基)苯粗品纯度为93.46％，纯化后的1,4-二(三氯甲基)苯纯度为99.91％，收率为60.3％。

实施例29

本实施例中纯化的物料为三氯甲基苯，纯化方法同实施例2，区别在于：所述步骤二中通入的热媒的温度为0℃，通入的冷媒的温度为-9℃；所述步骤三中发汗通过逐渐升高热媒的温度至8℃来实现；所述步骤四中提高热媒和冷媒温度至20℃。

本实施例中，三氯甲基苯粗品99.24千克，三氯甲基苯粗品纯度为96.83％；纯化后得到的产物纯度为99.43％，收率为83.52％。

实施例30

本实施例中纯化的物料为对氯(三氯甲基)苯，纯化方法同实施例2，区别在于：所述步骤二中通入的热媒的温度为8℃，通入的冷媒的温度为0℃；所述步骤三中发汗通过逐渐升高热媒的温度至15℃来实现；所述步骤四中提高热媒和冷媒温度至25℃。

本实施例中，对氯(三氯甲基)苯粗品100.1千克，对氯(三氯甲基)苯粗品纯度为95.17％；纯化后得到的产物纯度为99.5％，收率为82.21％。

实施例31

本实施例中纯化的物料为苯甲酰氯，纯化方法同实施例2，区别在于：所述步骤二中通入的热媒的温度为5℃，通入的冷媒的温度为-5℃；所述步骤三中发汗通过升高热媒的温度至10℃来实现；所述步骤四中通入的热媒的温度为20℃。

本实施例中，苯甲酰氯粗品100.1千克，苯甲酰氯粗品纯度为94.52％；纯化后得到的产物纯度为99.72％，收率为72.4％。

实施例32

本实施例中纯化的物料为对氯苯甲酰氯，纯化方法同实施例2，区别在于：所述步骤二中通入的热媒的温度为25℃，通入的冷媒的温度为0℃；所述步骤三中发汗通过逐渐升高热媒的温度至32℃来实现；所述步骤四中通入的热媒的温度为40℃。

本实施例中，对氯苯甲酰氯粗品99.58千克，对氯苯甲酰氯粗品纯度为98.33％；纯化后得到的产物纯度为99.91％，收率为71.6％。

实施例33

本实施例中纯化的物料为均三苯甲酰氯，纯化方法同实施例2，区别在于：所述步骤二中通入的热媒的温度为38℃，通入的冷媒的温度为10℃；所述步骤三中发汗通过逐渐升高热媒的温度至45℃来实现；所述步骤四中通入的热媒的温度为50℃。

本实施例中，均三苯甲酰氯粗品99.92千克，均三苯甲酰氯粗品纯度为93.79％；纯化后得到的产物纯度为99.67％，收率为75.1％。

实施例34

如图3所示，一种结晶设备，包括结晶器主体1、热媒进口2、热媒出口3、冷媒进口4和冷媒出口5，所述结晶器主体1上部依次设置有第一管板6和第二管板7，下部依次设置有第三管板8和第四管板9，四个所述管板将结晶器主体从上至下依次分为A区、B区、C区、D区和E区，所述结晶器主体1内部间隔设置有冷媒列管10和热媒列管11，所述冷媒列管10连通B区和E区，热媒列管11则连通A区和D区，所述冷媒进口4位于第四管板9下部，冷媒出口5则位于第一管板6和第二管板7之间，所述热媒进口2位于第三管板8和第四管板9之间，所述热媒出口3位于第一管板6上部，所述第二管板7和第三管板8之间还设置有进气口12、进料口13、出气口14和放料口15。

本实施例中，所述冷媒列管和热媒列管均匀分布排列，冷媒列管和热媒列管为弯曲型列管。所述出气口14设置有两个。

所述C区设置有温度计插口17。所述结晶器主体1的顶部设置有排空口18，结晶器主体1的底部设置有放尽口19。

采用本实施例设备进行对苯二甲酰氯的纯化，纯化步骤同实施例15，区别在于：所述步骤二中通入的热媒的温度为80℃，通入的冷媒的温度为25℃。所述步骤三中发汗可以通过升高热媒和/或冷媒的温度来实现，本实施例中逐渐升高热媒的温度至90℃。所述步骤四中同时提高热媒和冷媒温度至100℃。其余同实施例15。

本实施例中，对苯二甲酰氯粗品纯度为96.39％，纯化后的对苯二甲酰氯纯度为99.83％，收率为79.9％。

实施例35

如图4所示，一种结晶设备，包括结晶器主体1、热媒进口2、热媒出口3、冷媒进口4和冷媒出口5，所述结晶器主体1上部依次设置有第一管板6和第二管板7，下部依次设置有第三管板8和第四管板9，四个所述管板将结晶器主体从上至下依次分为A区、B区、C区、D区和E区，所述结晶器主体1内部间隔设置有冷媒列管10和热媒列管11，所述热媒列管11连通B区和E区，冷媒列管则连通A区和D区，所述冷媒进口4位于第三管板8和第四管板9之间，所述冷媒出口5位于第一管板6上部；所述热媒进口2位于第四管板9下部，热媒出口3则位于第一管板6和第二管板7之间，所述第二管板7和第三管板8之间还设置有进气口12、进料口13、出气口14和放料口15。

本实施例中，所述冷媒列管和热媒列管均匀分布排列，冷媒列管和热媒列管为螺旋状列管。所述出气口14设置有两个。

所述C区设置有温度计插口17。所述结晶器主体1的顶部设置有排空口18，结晶器主体1的底部设置有放尽口19。

采用本实施例设备进行间苯二甲酰氯的纯化，纯化方法同实施例2，区别在于：所述步骤二中通入的热媒的温度为45℃，通入的冷媒的温度为16℃。所述步骤三中发汗可以通过升高热媒和/或冷媒的温度来实现，本实施例中逐渐升高热媒的温度至48℃。所述步骤四中同时提高热媒和冷媒温度至100℃。

间苯二甲酰氯粗品纯度为95.03％，纯化后的间苯二甲酰氯纯度为99.45％，收率为79.1％。

对比实施例1

本实施例纯化的物料为间苯二甲酰氯，结晶设备与纯化方法均同实施例1，区别在于：步骤二结晶过程中，向所有列管中均通入冷媒，通入的冷媒温度为5℃。

本实施例中，粗品物料配比：间苯二甲酰氯粗品90.53千克，氯仿10.01千克，间苯二甲酰氯粗品纯度为95.03％；结晶纯化后得到的产物经过简单蒸馏，脱去溶剂后得到物料纯度为99.57％，收率53.31％。

对比实施例2

本实施例纯化的物料为间苯二甲酰氯，结晶设备与纯化方法均同实施例2，区别在于：步骤二结晶过程中，向所有列管中均通入冷媒，通入的冷媒温度为5℃。

本实施例中，间苯二甲酰氯粗品100.16千克，间苯二甲酰氯粗品纯度为95.03％；纯化后得到的产物纯度为99.01％，收率为50.9％。

对比实施例3

本实施例纯化的物料为间苯二甲酰氯，结晶设备与纯化方法均同实施例3，区别在于：步骤二结晶过程中，向所有列管中均通入冷媒，通入的冷媒温度为20℃。

本实施例中，粗品物料配比：间苯二甲酰氯粗品90.11千克，氯仿10.21千克，间苯二甲酰氯粗品纯度为95.03％；结晶纯化后得到的产物脱去溶剂后纯度为99.76％，收率55.8％。

对比实施例4

本实施例纯化的物料为间苯二甲酰氯，结晶设备与纯化方法均同实施例4，区别在于：步骤二结晶过程中，向所有列管中均通入冷媒，通入的冷媒温度为20℃。

本实施例中，间苯二甲酰氯粗品纯度为95.03％，间苯二甲酰氯粗品100.36千克，纯化后的间苯二甲酰氯纯度为99.13％，收率51.01％

以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本发明的实质内容。

Claims (13)

1.三氯甲基取代苯或相应酰卤的纯化方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、将熔融状态的三氯甲基取代苯或相应酰卤粗品物料加入结晶器内；

步骤二、结晶：所述结晶器内间隔设置有两种列管，向一种列管内通入冷媒，向另一种列管内通入热媒，物料在冷媒列管外壁结晶析出，形成结晶层，热媒列管外壁周围为未结晶的母液，杂质溶解在母液中，形成母液通道，待物料的结晶率达到要求后，将母液排放出结晶器；

步骤三、发汗和/或气体吹扫和/或溶剂冲洗：通过提高热媒和/或冷媒温度的办法，升高结晶器内温度，使部分晶体融化；和/或向结晶器内通入气体进行气体吹扫；和/或向结晶器内通入溶剂，对晶体进行溶剂冲洗，并排出本步骤分离产生的母液；

步骤四、熔化：提高热媒和/或冷媒温度，将结晶层全部熔化，得到纯化后的物料。

所述三氯甲基取代苯是指化学式为(X)_aC₆H_6-a-b(CCl₃)_b的芳烃类化合物，所述相应酰卤是指化学式为(X)_aC₆H_6-a-b(COCl)_b的芳烃类化合物，所述X为氯或溴或氟原子，a为选自0、1、2、3、4或5的整数，b为选自1、2、3或4的整数，且a+b≤6。

2.根据权利要求1所述三氯甲基取代苯或相应酰卤的纯化方法，其特征在于，所述步骤一中，加入溶剂溶解三氯甲基取代苯或相应酰卤粗品。

3.根据权利要求1所述三氯甲基取代苯或相应酰卤的纯化方法，其特征在于，所述步骤二中，待物料的结晶率达到40～90％后，排放出母液。

4.根据权利要求1所述三氯甲基取代苯或相应酰卤的纯化方法，其特征在于，所述步骤三中发汗，通过提高热媒温度的办法，升高结晶器内温度，使部分晶体融化。

5.根据权利要求1所述三氯甲基取代苯或相应酰卤的纯化方法，其特征在于，所述步骤三中气体吹扫通入的气体是惰性气体和/或溶剂气体。

6.根据权利要求1所述三氯甲基取代苯或相应酰卤的纯化方法，其特征在于，所述步骤三中气体吹扫，气体通过空隙的流速为0～30米/秒。

7.根据权利要求1所述三氯甲基取代苯或相应酰卤的纯化方法，其特征在于，所述步骤三中升高结晶器内温度的同时向结晶器内进行气体吹扫。

8.根据权利要求1所述三氯甲基取代苯或相应酰卤的纯化方法，其特征在于，所述步骤一中，加入溶剂溶解三氯甲基取代苯或相应酰卤粗品，步骤三中升高结晶器内温度的同时向结晶器内通入惰性气体进行气体吹扫。

9.根据权利要求1所述三氯甲基取代苯或相应酰卤的纯化方法，其特征在于，所述步骤四中熔化，可以采用同时提高热媒和冷媒温度的方法。

10.一种用于权利要求1～9任一项氯甲基取代苯或相应酰卤的纯化方法的结晶设备，其特征在于，包括结晶器主体，所述结晶器主体上部依次设置有第一管板和第二管板，下部依次设置有第三管板和第四管板，四个所述管板将结晶器主体从上至下依次分为A区、B区、C区、D区和E区，所述结晶器主体内部间隔设置有冷媒列管和热媒列管，冷媒列管和热媒列管中的一种列管连通A区和D区，另一种列管则连通B区和E区，所述结晶器主体上根据冷媒列管和热媒列管的固定位置对应设置热媒进口、热媒出口、冷媒进口和冷媒出口。

11.根据权利要求10所述结晶设备，其特征在于，所述冷媒列管连通B区和E区，热媒列管连通A区和D区，则所述冷媒进口和冷媒出口中任意一个位于第四管板下部，另一个位于第一管板和第二管板之间；所述热媒进口和热媒出口中的任意一个位于第一管板上部，另一个位于第三管板和第四管板之间；

或者，所述热媒列管连通B区和E区，冷媒列管连通A区和D区，则所述热媒进口和热媒出口中的任意一个位于第四管板下部，另一个位于第一管板和第二管板之间；所述冷媒进口和冷媒出口中的任意一个位于第一管板上部，另一个位于第三管板和第四管板之间。

12.根据权利要求11所述结晶设备，其特征在于，所述冷媒列管和热媒列管为为竖直列管、弯曲型列管、螺旋状列管或扭曲型列管。

13.根据权利要求12所述结晶设备，其特征在于，所述冷媒列管和热媒列管为扭曲型列管。