CN109891571B - 用于夹持弯曲晶片的方法及系统 - Google Patents

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Abstract

本文中提出用于将弯曲薄衬底真空安装到平整吸盘上的方法及系统。一种真空吸盘包含三个或更多个可折叠波纹管，所述三个或更多个可折叠波纹管在所述吸盘上方移动且移动到与弯曲衬底接触。所述波纹管密封且真空夹置到所述衬底的背侧表面上。在一些实施例中，在夹置时所述波纹管折叠达至少500微米。可延伸密封元件安装于吸盘主体的表面上的凹陷环形通道中。在所述衬底朝向所述夹持表面移动时，所述可延伸密封元件在所述吸盘主体上方延伸至少5毫米且延伸到与所述衬底接触。在抽空所述吸盘与所述衬底之间的空间时，所述可延伸密封元件折叠到所述凹陷环形通道中，且所述衬底夹置到所述吸盘主体的所述平整夹持表面上。

Description

用于夹持弯曲晶片的方法及系统
相关申请案的交叉参考
本专利申请案根据35U.S.C.§119规定主张来自2016年10月19日申请的第62/409,880号美国临时专利申请案的优先权，所述案的标的物的全文以引用方式并入本文中。
技术领域
所描述实施例涉及用于样品处置的系统，且更特定来说涉及将弯曲晶片夹置到平整晶片吸盘。
背景技术
通常通过应用于样品的一系列处理步骤而制造半导体装置(例如逻辑及存储器装置)。通过这些处理步骤形成半导体装置的各种特征及多个结构层级。例如，尤其光刻是涉及在半导体晶片上产生图案的一个半导体制造工艺。半导体制造工艺的额外实例包含但不限于化学机械抛光、蚀刻、沉积及离子植入。多个半导体装置可制造于单个半导体晶片上且接着分离成个别半导体装置。
执行如上文所描述的光刻工艺以选择性地移除上覆晶片的表面的抗蚀剂材料的部分，由此暴露在其上形成抗蚀剂以用于选择性处理(例如蚀刻、材料沉积、植入及类似者)的样品的下方区域。因此，在许多例子中，光刻工艺的性能大体上确定形成于样品上的结构的特性(例如，尺寸)。因此，光刻的趋势是设计能够形成具有更小尺寸的图案的系统及组件(例如，抗蚀剂材料)。特定来说，光刻工具的解析能力是光刻研究及发展的一个主要驱动力。
在半导体制造工艺期间的各种步骤使用基于光学度量的检验工艺以检测晶片上的缺陷以促进更高产量。光学度量技术提供高处理量的可能性而无样本损坏的风险。已描述用以特征化装置几何形状的数种基于光学度量的技术(包含散射测量实施方案及相关联的分析算法)。
晶片通过将薄晶片夹置到平整晶片吸盘而将晶片定位于晶片处理工具(例如，光刻工具、蚀刻工具、检验工具、度量工具等)内。晶片吸盘是提供晶片与机器其余部分之间的接口的机器部件。通过精确地控制晶片所附接到的晶片吸盘的移动而将晶片精确地定位于工具内。在工具操作期间精确地制造及维持介接晶片的晶片吸盘的表面的尺寸。
晶片自身是极薄的(例如，200微米到1.5毫米厚)且具有相对较大的尺寸(例如，200毫米到300毫米，或更大)。出于此原因，晶片的形状在其不受约束(即，非支撑)状态中并不特别稳定。晶片平整度尤为如此。在处理期间，在晶片的背侧表面区域的大部分上方，将晶片夹置到晶片吸盘。晶片吸盘通过迫使晶片符合晶片吸盘的形状来使晶片平整化，从而可成功地完成晶片处理及检验任务。
在许多实例中，通过真空将晶片夹置到晶片吸盘。在晶片下降到晶片吸盘上时，背侧晶片表面接触吸盘且覆盖加工到晶片吸盘的表面中的真空通道。在晶片覆盖真空通道时，所述通道处供应的真空将晶片有效地下拉到晶片吸盘的表面上且只要在所述通道处维持真空，便将晶片维持于夹置位置中。
不幸地，在晶片极度弯曲(即，非平整)时，用来将晶片夹置到晶片吸盘的表面的此方法是有问题的。在一些实例中，300毫米直径晶片展现从数百微米(例如，500微米)到若干毫米(例如，8毫米到10毫米)的平整度变动。在晶片极度弯曲(例如，超过1毫米的平整度变动)时，晶片未均匀地覆盖晶片吸盘的真空通道。此大真空泄漏，其导致减小由每一真空通道施加的夹置力。在许多案例中，减小的夹置力无法实现将晶片从其变形状态下拉到晶片吸盘上所要的适当力水平。因此，晶片吸盘无法充分地约束晶片且在无额外介入的情况下，晶片的进一步处理是不可能的。在一些案例中，增大的真空流能够补偿大泄漏且产生足够力以成功地夹置晶片。然而，从设计角度及操作角度两者来看，实现高真空流常常是非期望的(例如，增大的设计复杂度及成本)。在一些案例中，增大的真空流不足以克服由弯曲晶片产生的大泄漏。在这些案例中，可能必须舍弃或特殊地处理晶片以减少弯曲。
期望用于将弯曲晶片夹持于半导体处理装备中的改进方法及系统。
发明内容
本文中提出用于将弯曲薄衬底(例如半导体晶片)真空安装到平整吸盘上的方法及系统。在一个方面中，一种真空吸盘包含安装到提升结构的三个或更多个可折叠波纹管(bellow)。所述提升结构经配置以使所述波纹管在夹持表面上方移动且移动到与弯曲衬底接触。所述波纹管密封到所述衬底的背侧表面上且在所述波纹管内产生真空。在一些实施例中，所述波纹管折叠达至少500微米且将自身夹置到所述衬底。随后，所述提升结构使所述可折叠波纹管与所述所附接衬底一起朝向所述夹持表面移动。
在另一方面中，所述吸盘还可相对于运动载台子系统沿正交于吸盘主体的平整夹持表面的方向移动。以此方式，由可延伸波纹管的移动及吸盘主体的移动两者确定所述可延伸波纹管相对于吸盘主体的移动。
在另一方面中，可延伸密封元件安装到制造到所述吸盘主体的表面中的凹陷环形通道的底部表面。每一可延伸密封元件经配置以在所述吸盘主体的所述平整夹持表面上方延伸至少5毫米。所述可延伸密封元件沿所述凹陷环形通道的路径延伸且经塑形以在衬底完全夹置到吸盘主体的平整夹持表面上时折叠到所述凹陷环形通道中。
在进一步方面中，容纳可延伸密封元件的凹陷环形通道耦合到真空泄放孔以调节维持于所述凹陷环形通道中的真空量。尤其在衬底经真空夹置到所述吸盘主体时，所述真空泄放孔减少维持于所述凹陷环形通道中的真空。在一些实施例中，阀与所述真空泄放孔并排连接以进一步控制维持于所述凹陷环形通道中的真空量。在一些另外实施例中，所述阀可通过与所述真空吸盘介接的计算系统控制。
在另一方面中，一或多个真空通道跨所述吸盘主体的所述夹持表面分布。所述一或多个真空通道中的每一者耦合到真空源，使得经由所述一或多个真空通道抽取真空以将所述衬底真空夹置到所述吸盘主体的所述夹持表面。
前述内容是发明内容且因此必然含有细节的简化、概括及省略。因此，所属领域的技术人员将明白，发明内容仅是说明性的且不以任何方式限制。本文中所述的装置及/或工艺的其它方面、发明特征及优点将在本文中所陈述的非限制性详细描述中变得显而易见。
附图说明
图1是可用来执行本文中所描述的衬底夹持方法的真空吸盘100的一个实施例的简化示意图。
图2是说明图1中所说明的真空吸盘100的俯视图的图。
图3是说明处于其中可延伸波纹管远离吸盘主体101完全延伸的状态；支撑弯曲衬底110的真空吸盘100的图。
图4是说明处于其中衬底110向下真空夹置到吸盘主体101的平整夹持表面上的状态的真空吸盘100的图。
图5是说明在衬底110未真空夹置到吸盘主体101时的凹陷环形通道112的图。
图6是说明在衬底110真空夹置到吸盘主体101时的凹陷环形通道112的图。
图7说明经定位以检验衬底110或执行形成于通过真空吸盘100夹置的衬底110上的结构的测量的光学度量或检验系统160的简化示意图。
图8是说明在若干新颖方面中可用于将弯曲衬底真空夹置到真空吸盘上及解除夹置的实例方法200的流程图。
具体实施方式
现将详细参考本发明的背景实例及一些实施例，在所附图式中说明其实例。
本文中提出用于将弯曲薄衬底(例如半导体晶片)真空安装到平整吸盘上的方法及系统。
在一个方面中，一种真空吸盘包含安装到提升结构的三个或更多个可折叠波纹管，所述提升结构经配置以使所述波纹管在夹持表面上方移动。所述可折叠波纹管是在夹持表面上方移动且移动到与弯曲衬底接触，其中所述波纹管密封到所述衬底的背侧表面上。当在所述波纹管内产生真空时，所述波纹管自身折叠达至少500微米。随后，所述提升结构经配置以使所述可折叠波纹管与所述所附接衬底一起朝向所述夹持表面移动。
图1是可用来执行本文中所描述的衬底夹持方法的真空吸盘100的一个实施例的简化示意图。图1描绘真空吸盘100的剖视图。如图1中所描绘，真空吸盘100包含吸盘主体101、可折叠波纹管102、可延伸密封元件103、109与111、提升结构104及致动器105。
吸盘主体101包含大体上平整夹持表面，在操作期间，衬底110经真空夹持到所述大体上平整夹持表面。在一些实施例中，吸盘主体101的夹持表面依严格平整度容限(例如，跨夹持表面的小于2微米的平整度)制造。在一些其它实施例中，吸盘主体101的大体上平整表面包含依严格平整度容限(例如，跨夹持表面的小于2微米的平整度)制造的凸起垫阵列。可采用凸起垫以允许供背侧微粒搁置的空间而不干扰平整夹持表面与衬底的背侧之间的接口。另外，可在真空下固持凸起垫之间的空间以将衬底真空夹持到凸起垫的顶部。以此方式，凸起垫之间的空间在吸盘主体的平整夹持表面中形成水平真空通道。
吸盘主体101包含用于三个或更多个可折叠波纹管102的开口。每一可折叠波纹管可沿正交于吸盘主体的平整夹持表面的方向(即，沿如图1中所描绘的垂直方向)折叠达至少500微米。每一可折叠波纹管具有符合弯曲衬底(即，非平坦形衬底)的背侧表面的顺应式形状。在一些实例中，如从图1中所说明的角度观看，弯曲衬底是杯形的。在一些其它实例中，如从相同角度观看，弯曲衬底是圆顶形的。通过实例，在图3中说明圆顶形衬底。
提升结构104耦合到每一可折叠波纹管102。所述提升结构经配置以使可折叠波纹管沿正交于平整夹持表面的方向移动。在一些实施例中，所述提升结构是耦合到致动器(例如线性致动器105)的杆形结构。在这些实施例中，单独提升结构耦合于每一可折叠波纹管与致动器之间。在一些其它实施例中，所述提升结构包含：多个杆形结构，每一杆形结构耦合到不同可折叠波纹管；及框架，其将所述杆形结构中的每一者耦合在一起。在这些实施例中，单个致动器使所述提升结构及所附接可折叠波纹管中的所有者一起移动。以此方式，可采用单个致动器以通过所述提升结构的移动而使可折叠波纹管中的所有者一起移动。在一些实施例中，耦合到可折叠波纹管的提升结构104的元件是中空的，从而允许真空经由提升结构104的元件从真空源107传输到可折叠波纹管102。
如图1中所描绘，所述致动器是经配置以升高及降低杆形提升结构104及所附接可折叠波纹管102的气动缸105。然而，一般来说，可采用任何合适致动器以使所附接可折叠波纹管移动。例如，在本专利档案的范围内可预期压电致动器、洛兰兹(Lorentz)线圈致动器、螺线管致动器、真空驱动致动器、旋转驱动偏心致动器等中的任一者。
如图1中所描绘，致动器105使提升结构104及可折叠波纹管102相对于运动载台子系统108移动。在另一方面中，吸盘主体101还可相对于运动载台子系统108沿正交于吸盘主体101的平整夹持表面的方向移动。如图1中所描绘，致动器106经配置以使吸盘主体101相对于运动载台子系统108移动。以此方式，通过可延伸波纹管102的移动及吸盘主体101的移动两者确定可延伸波纹管102相对于吸盘主体101的移动。例如，为了增大可延伸波纹管102与吸盘主体101的平整夹持表面之间的距离，致动器105经延伸以使可延伸波纹管102向上移动，同时致动器106使吸盘主体101向下移动。以此方式，致动器105及致动器106的移动的组合使可延伸波纹管102在吸盘主体101的平整夹持表面上方移动。在一些实施例中，移动的组合引起可延伸波纹管102到达吸盘主体101的平整夹持表面上方至少10毫米。以此方式，可通过可延伸波纹管102有效地捕获极度弯曲晶片。类似地，为了减小可延伸波纹管102与吸盘主体101的平整夹持表面之间的距离，致动器105经回缩以使可延伸波纹管102向下移动，同时致动器106使吸盘主体101向上移动。以此方式，致动器105及致动器106的移动的组合使可延伸波纹管102朝向吸盘主体101的平整夹持表面移动。
图2描绘图1中所说明的真空吸盘100的俯视图。如图2中所描绘，吸盘主体101包含用于三个可延伸波纹管102的切口以在通过可延伸波纹管102捕获衬底110时，对所述衬底提供稳定支撑。尽管描绘三个可延伸波纹管102，但一般来说，可采用三个以上可延伸波纹管来支撑衬底110。再者，如图2中所描绘，可延伸波纹管102定位于两个凹陷环形通道103与109之间。然而，一般来说，在一些其它实施例中，可延伸波纹管102可定位于两个或更多个凹陷环形通道内(即，可延伸波纹管依小于两个或更多个凹陷环形通道的半径的半径布置)。尽管可延伸波纹管102依从吸盘主体101的夹持表面的中心的固定半径布置，但一般来说，可延伸波纹管102可依任何方便布置定位以提供衬底110的稳定支撑。
在另一方面中，可延伸密封元件安装到制造到吸盘主体的表面中的凹陷环形通道的底部表面。每一可延伸密封元件经配置以在吸盘主体的平整夹持表面上方延伸至少5毫米。所述可延伸密封元件沿所述凹陷环形通道的路径延伸且经塑形以在衬底110完全夹置到吸盘主体101的平整夹持表面上时折叠到所述凹陷环形通道中。在一些实例中，所述可延伸密封元件是由具有合适顺应性及密封性质的弹性体材料制成。
图1说明可延伸密封元件103、109及111的剖视图，而图2说明可延伸密封元件103、109及111的俯视图。图1描绘制造于吸盘主体101中的凹陷环形通道112。每一可延伸密封元件安装于凹陷环形通道(例如凹陷环形通道112)内。如图1中所描绘，燕尾特征部经制造到所述凹陷环形通道的底部表面中。所述可延伸密封元件的匹配轮廓配合于所述燕尾特征部内且将所述可延伸密封元件有效地安装到所述凹陷环形通道的底部。尽管图1中描绘燕尾特征部，但一般来说，在本专利档案内可预期经配置以将所述可延伸密封元件保持于所述凹陷环形通道内的任何合适特征部。
图3描绘处于其中可延伸波纹管远离吸盘主体101完全延伸的状态；支撑弯曲衬底110的真空吸盘100。在此配置中，可延伸波纹管符合且形成密封到衬底110的非平坦形(即，圆顶形)背侧表面。在可延伸波纹管102内维持真空，这将衬底110有效地真空夹置到可延伸波纹管102。在此配置中，可延伸密封元件103、109及111也完全延伸，但其尚未接触衬底110的背侧表面。一般来说，可延伸密封元件必须延伸距离，所述距离超过允许晶片装载/卸除机器人(未展示)将晶片装载/卸除到吸盘上所要的晶片翘曲加间隙。在一些实施例中，可延伸密封元件在吸盘主体101的夹持表面上方延伸5毫米或更多。在一些实施例中，所述可延伸密封元件在吸盘主体101的夹持表面上方延伸10毫米或更多。尽管由真空源107产生的真空引起从衬底110与吸盘主体101之间的空间朝向真空源107的流动，但可延伸密封元件与衬底110之间的间隙引起阻止衬底110的真空夹置的泄漏。
图1描绘处于其中可延伸波纹管102将衬底110降低到与可延伸密封元件103、109及111中的任一者接触的状态的真空吸盘100。在一些实施例中，在衬底110与吸盘主体101接触之前，可延伸密封元件103、109及111符合且形成密封到衬底110的背侧的形状。在密封形成于可延伸密封元件与衬底110之间的情况下，由真空源107供应的真空开始抽空衬底110与吸盘主体101之间的空间。这产生将衬底110向下牵引到吸盘主体101上的拉力。此时，由衬底110与吸盘主体101之间的空间产生的真空产生的力开始高出由可延伸波纹管产生的拉力。因此，当在衬底110与吸盘主体101之间的空间中产生的真空开始建立且将衬底110牵引到吸盘主体101上时，释放维持于可延伸波纹管102内的真空，且通过致动器105使提升结构104下降以移开可延伸波纹管102。
在其它实施例中，在可延伸密封元件103、109及111中的任一者与衬底110密封之前，衬底110与吸盘主体110接触。在这些实施例中，可折叠波纹管102在衬底110上施加大拉力以将衬底110向下牵引到吸盘主体101上，直到可延伸密封元件103、109及111符合且形成密封到衬底110的背侧的形状为止。在一些实施例中，每一可折叠波纹管产生10牛顿或更大的向下力，从而将衬底110牵引到吸盘主体101上。在密封形成于可延伸密封元件中的任一者与衬底110之间时，由真空源107供应的真空开始抽空衬底110与吸盘主体101之间的空间。这产生将衬底110向下牵引到吸盘主体101上的额外拉力。此时，由衬底110与吸盘主体101之间的空间中产生的真空产生的力开始高出由可延伸波纹管产生的拉力。因此，当在衬底110与吸盘主体101之间的空间中产生的真空开始建立且将衬底110牵引到吸盘主体101上时，释放维持于可延伸波纹管102内的真空，且通过致动器105使提升结构104下降以移开可延伸波纹管102。
图4描绘处于其中衬底110经向下真空夹置到吸盘主体101的平整夹持表面上的状态的真空吸盘100。应注意，当朝向吸盘主体101向下牵引衬底110时，可延伸密封元件折叠到凹陷环形通道中，所述可延伸密封元件安装到所述凹陷环形通道中。此外，弯曲衬底符合吸盘主体101的平整夹持表面。在此配置中，衬底110经真空夹置到呈平整配置的吸盘主体101，这适于所述衬底的进一步处理。
在进一步方面中，容纳可延伸密封元件的凹陷环形通道耦合到真空泄放孔以调节维持于所述凹陷环形通道中的真空量。尤其在衬底经真空夹置到吸盘主体时，所述真空泄放孔减少维持于所述凹陷环形通道中的真空。在一些实施例中，阀与所述真空泄放孔并排连接以进一步控制维持于所述凹陷环形通道中的真空量。在一些另外实施例中，所述阀可通过与真空吸盘100介接的计算系统控制。
图5描绘在衬底110未经真空夹置到吸盘主体101时的凹陷环形通道112。图6描绘在衬底110经真空夹置到吸盘主体101时的凹陷环形通道112。
在图5中所描绘的实施例中，通过真空源107在凹陷环形通道112之间维持真空，同时将衬底110向下朝向吸盘主体101夹置。在此实施例中，阀115经闭合以防止通过孔116的真空损耗。然而，在衬底110经真空夹置到吸盘主体101时，阀115经敞开以允许凹陷环形通道112中的真空减少或完全泄放。真空经减少以最小化横跨凹陷环形通道112的开口的衬底110的部分的偏转。跨凹陷环形通道112的开口的距离必须相对大以容纳可延伸密封元件。在一个实施例中，开口是近似9毫米。如果跨此开口维持真空，那么可能的是，薄衬底可跨开口向下偏转。通过降低凹陷环形通道内的真空水平，避免这些偏转。
在另一方面中，一或多个真空通道(即，凹陷通道)跨吸盘主体的夹持表面分布。一或多个真空通道中的每一者耦合到真空源，使得经由一或多个真空通道抽取真空以将衬底真空夹置到吸盘主体的夹持表面。
在一些实施例中，沿容纳可延伸密封元件的一或多个凹陷环形通道中的每一者的一或两侧在吸盘主体的夹持表面中制造真空通道中的一或多者。这尽可能接近于凹陷环形通道维持紧密夹置连接。图5到6描绘安置于凹陷环形通道112的两侧上的真空通道113及114。类似地，如图2中所描绘，真空通道120及121安置于容纳可延伸密封元件103的凹陷环形通道的两侧上，真空通道124及125安置于容纳可延伸密封元件109的凹陷环形通道的两侧上，且真空通道122及123安置于容纳环绕可折叠波纹管102中的每一者的可延伸密封元件111的凹陷环形通道的两侧上。
图7说明经定位以检验衬底110或执行形成于衬底110上的结构的测量的光学度量或检验系统160的简化示意图。在一些实施例中，系统160配置为扫描系统。在一些其它实施例中，系统160经配置为点对点测量系统。在所描绘实施例中，衬底110经真空夹置到吸盘主体101，同时吸盘主体101通过运动载台子系统108而以多个自由度移动。
如图7中所说明，由通过一或多个照射源161产生的法向入射光束163照射衬底110。替代地，照射子系统可经配置以按斜入射角将光束引导到样品。在一些实施例中，系统160可经配置以将多个光束引导到样品，例如斜入射光束及法向入射光束。多个光束可大体上同时地或循序地引导到样品。
照射源161可包含(通过实例)激光、一个二极管激光、氦氖激光、氩激光、固态激光、一个二极管激发式固态(DPSS)激光、氙弧光灯、气体放电灯及LED阵列或白炽灯。所述光源可经配置以发射近单色光或宽带光。照射子系统还可包含可限制引导到样品的光的波长的一或多个光谱滤光器。所述一或多个光谱滤光器可为带通滤光器及/或边缘滤光器及/或陷波滤光器。
法向入射光束163通过物镜164而聚焦到衬底110上。系统160包含用以收集由衬底110响应于照射光163而散射及/或反射的光的收集光学装置162。收集光学装置162将经收集光聚焦到检测器165上。由检测器165产生的输出信号166经供应到计算系统167以用于处理信号且确定测量参数值(例如，材料或结构性质、尺寸、微粒的存在等)。本文中通过非限制性实例而提出系统160，这是因为可在许多不同光学度量及检验系统内实施真空吸盘100。
如图7中所说明，系统160经配置为检验系统或度量系统。以此方式，所述系统可经配置以检验或测量用作半导体制造工艺的部分的晶片及光罩。本文中所描述的方法及系统不限于半导体晶片或光罩的检验或测量，且可应用于需要夹持到平整平面以用于处理的其它衬底的检验。
图8说明在若干新颖方面中可用于将弯曲衬底真空夹置到真空吸盘上及解除夹置的实例方法200的流程图。通过非限制性实例，出于说明性目的而参考图1到4中所说明的真空吸盘系统100描述方法200。尽管真空吸盘系统100的描述包含参考用来实现方法200的元素的特定硬件元件，但可预期所属领域的一般技术人员已知的许多其它硬件元件来实现类似结果。因此，可在不超出本文中所提供的描述的范围的情况下替换、合并、修改或剔除本文中所提出的所参考硬件元件中的任一者。类似地，方法200的一些元素及方法200的元素的呈现次序与参考真空吸盘系统100所描述的特定硬件元件的使用有关。然而，由于可预期所属领域的一般技术人员已知的许多其它硬件元件来实现类似结果，所以可在不超出本文中所提供的描述的范围的情况下替换、合并、修改或剔除一些方法元素及方法元素的呈现次序。
在框201中，使三个或更多个提升结构及耦合到所述三个或更多个提升结构的三个或更多个可折叠波纹管沿正交于真空吸盘主体的平整夹持表面的方向移动且移动到与衬底接触。
在框202中，在三个或更多个可折叠波纹管与衬底之间形成真空夹置连接。
在框203中，使三个或更多个提升结构、三个或更多个可折叠波纹管及衬底移动到与耦合到吸盘主体的一或多个可延伸密封元件接触。可延伸密封元件经配置以在真空吸盘主体的平整夹持表面上方延伸至少5毫米。
在框204中，抽空由衬底、一或多个可延伸密封元件及吸盘主体界定的空间。这将衬底夹置到真空吸盘主体的平整夹持表面上。
通过非限制性实例而提出真空吸盘系统的前述实施例。在本发明的范围内还可预期其它配置。
本发明的实施例允许独立于形状而有效地夹持凹形、凸形或非对称弯曲衬底。此外，这些实施例处置具有大于8毫米的最大平面外变形的晶片。本文中所描述的吸盘设备可为标准吸盘组件的简易替换。
本发明的实施例可通过仅在弯曲晶片需要时使用销特征部而增大衬底的处理量，由此节省正常晶片操作期间的时间。实施例还允许处理先前因为弯曲量而无法处理的弯曲晶片。
尽管本文中关于真空吸盘描述实施例，但本发明的实施例可适于结合其它类型的吸盘(例如静电、库仑(coulomb)或琼森-拉贝克(Johnson-Rahbeck)吸盘)使用。
本文中针对半导体处理系统(例如，检验系统、度量系统、光刻系统、蚀刻系统等)描述各个实施例。术语“衬底”在本文中用来指称晶片、光罩或可通过此项技术中已知的手段处理(例如，印刷或检验缺陷)的任何其它样本。
如本文中所使用，术语“晶片”大体上指称由半导体或非半导体材料形成的衬底。实例包含但不限于单晶硅、砷化镓及磷化铟。此类衬底通常可在半导体制造厂中找到及/或处理。在一些情况下，晶片可仅包含衬底(即，裸晶片)。替代地，晶片可包含形成于衬底上的一或多个不同材料层。形成于晶片上的一或多个层可“经图案化”或“未经图案化”。例如，晶片可包含具有可重复图案特征的多个裸片。
“光罩”可为处于光罩制造工艺的任何阶段的光罩，或为可能或可能未经释放以于半导体制造厂中使用的成品光罩。光罩或“光罩”被大体上定义为具有形成于其上且以图案配置的大体上不透明区域的大体上透明衬底。衬底可包含(例如)玻璃材料，例如石英。可在光刻工艺的暴露步骤期间将光罩安置于抗蚀剂覆盖的晶片上方，使得可将光罩上的图案转印到抗蚀剂。
形成于晶片上的一或多个层可经图案化或未经图案化。例如，晶片可包含每一裸片具有可重复图案特征的多个裸片。此类材料层的形成及处理可最终导致成品装置。许多不同类型的装置可形成于晶片上，且如本文中使用的术语晶片希望涵盖其上制造此项技术中已知的任何类型的装置的晶片。
在一或多个实例实施例中，可在硬件、软件、固件或其任何组合中实施所描述功能。如果在软件中实施，那么功能可作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或经由所述计算机可读媒体传输。计算机可读媒体包含计算机存储媒体及通信媒体两者，包含促成计算机程序从一个位置传送到另一位置的任何媒体。存储媒体可为可通过通用计算机或专用计算机存取的任何可用媒体。通过实例且非限制，此计算机可读媒体可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置或可用来携载或存储呈指令或数据结构的形式的所期望程序代码构件且可通过通用计算机或专用计算机或通用处理器或专用处理器存取的任何其它媒体。再者，任何连接被适当地称为计算机可读媒体。例如，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字用户线(DSL)或无线技术(例如红外线、无线电及微波)自网站、服务器或其它远程源传输软件，那么同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL或无线技术(例如红外线、无线电及微波)包含于媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘及光盘包含压缩光盘(CD)、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(DVD)、软盘及蓝光光盘，其中磁盘通常磁性地重现数据，而光盘使用激光光学地重现数据。上述内容的组合还应包含于计算机可读媒体的范围内。
尽管上文出于指导目的而描述某些特定实施例，但本专利档案的教示具有一般适用性且不限于上文所描述的特定实施例。据此，可在不脱离如权利要求书中所陈述的本发明的范围的情况下，实践所描述实施例的各种特征的各种修改、调整及组合。

Claims (19)

1.一种真空吸盘设备，其包括：
吸盘主体，其具有大体上平整夹持表面；
三个或更多个可折叠波纹管，每一可折叠波纹管可沿正交于所述吸盘主体的所述平整夹持表面的方向折叠达至少500微米，其中每一可折叠波纹管具有经配置以符合衬底的非平坦背侧表面的顺应式形状；
三个或更多个提升结构，每一提升结构耦合到所述三个或更多个可折叠波纹管中的一者；及
一或多个致动器，所述一或多个致动器经配置以使所述三个或更多个提升结构及所述三个或更多个可折叠波纹管沿正交于所述吸盘主体的所述平整夹持表面的方向移动且移动到与所述衬底接触，以在所述三个或更多个可折叠波纹管与所述衬底之间形成真空夹置连接，所述一或多个致动器进一步经配置以使所述三个或更多个提升结构、所述三个或更多个可折叠波纹管及所述衬底朝向所述吸盘主体的所述平整夹持表面移动；
其中所述吸盘主体安装到运动载台子系统，使得所述吸盘主体可相对于所述运动载台子系统沿正交于所述吸盘主体的所述平整夹持表面的所述方向移动；
其中所述吸盘主体能够沿与所述可折叠波纹管相反的方向移动，使得所述可折叠波纹管与所述吸盘主体的所述平整夹持表面之间的距离进一步增大或减小。
2.根据权利要求1所述的真空吸盘设备，其中所述三个或更多个提升结构可相对于所述运动载台子系统沿正交于所述吸盘主体的所述平整夹持表面的所述方向移动。
3.根据权利要求2所述的真空吸盘设备，其中所述三个或更多个提升结构可通过所述吸盘主体及所述三个或更多个提升结构相对于所述运动载台子系统的移动的组合，而相对于所述吸盘主体移动，使得所述三个或更多个可折叠波纹管在所述吸盘主体的所述平整夹持表面上方延伸至少10毫米。
4.根据权利要求1所述的真空吸盘设备，其进一步包括：
所述吸盘主体中的一或多个凹陷环形通道，其中所述一或多个凹陷环形通道中的每一者包含耦合到所述一或多个凹陷环形通道的底部表面的可延伸密封元件，其中每一可延伸密封元件经配置以在所述吸盘主体的所述平整夹持表面上方延伸至少5毫米。
5.根据权利要求4所述的真空吸盘设备，其中所述一或多个凹陷环形通道耦合到一或多个真空泄放孔以在所述衬底经真空夹置到所述吸盘主体的所述平整夹持表面时，调节维持于所述一或多个凹陷环形通道中的真空量。
6.根据权利要求1所述的真空吸盘设备，其进一步包括：
一或多个真空通道，所述一或多个真空通道跨所述吸盘主体的所述平整夹持表面分布，其中所述一或多个真空通道中的每一者耦合到真空源，使得经由所述一或多个真空通道抽取真空以将所述衬底真空夹置到所述吸盘主体的所述平整夹持表面。
7.根据权利要求6所述的真空吸盘设备，其中所述一或多个真空通道包含形成于所述吸盘主体的所述平整夹持表面中的所述吸盘主体的所述平整夹持表面的凸起区域之间的一或多个水平通道。
8.根据权利要求1所述的真空吸盘设备，其进一步包括：
一或多个真空通道，所述一或多个真空通道安置于所述吸盘主体的所述平整夹持表面中，环绕所述吸盘主体中与所述三个或更多个可折叠波纹管中的每一者相关联的每一开口。
9.根据权利要求4所述的真空吸盘设备，其进一步包括：
一或多个真空通道，所述一或多个真空通道沿所述一或多个凹陷环形通道中的每一者的一或两侧安置于所述吸盘主体的所述平整夹持表面中。
10.一种真空吸盘设备，其包括：
吸盘主体，其具有大体上平整夹持表面；
一或多个凹陷环形通道，所述一或多个凹陷环形通道安置于所述吸盘主体的所述大体上平整夹持表面中，其中所述一或多个凹陷环形通道中的每一者包含耦合到所述一或多个凹陷环形通道的底部表面的可延伸密封元件，其中每一可延伸密封元件经配置以在所述吸盘主体的所述平整夹持表面上方延伸至少5毫米；
三个或更多个提升结构，每一提升结构耦合到三个或更多个可折叠波纹管中的一者，其中每一可折叠波纹管具有经配置以符合衬底的非平坦背侧表面的顺应式形状；及
一或多个致动器，所述一或多个致动器经配置以使所述三个或更多个提升结构及所述三个或更多个可折叠波纹管沿正交于所述吸盘主体的所述平整夹持表面的方向移动且移动到与所述衬底接触，以在所述三个或更多个可折叠波纹管与所述衬底之间形成真空夹置连接，所述一或多个致动器进一步经配置以使所述三个或更多个提升结构、所述三个或更多个可折叠波纹管及所述衬底朝向耦合到所述吸盘主体的所述可延伸密封元件移动；
其中所述吸盘主体安装到运动载台子系统，使得所述吸盘主体可相对于所述运动载台子系统沿正交于所述吸盘主体的所述平整夹持表面的所述方向移动；
其中所述吸盘主体能够沿与所述可折叠波纹管相反的方向移动，使得所述可折叠波纹管与所述吸盘主体的所述平整夹持表面之间的距离进一步增大或减小。
11.根据权利要求10所述的真空吸盘设备，其中所述三个或更多个提升结构可相对于所述运动载台子系统沿正交于所述吸盘主体的所述平整夹持表面的所述方向移动。
12.根据权利要求11所述的真空吸盘设备，其中所述三个或更多个提升结构可通过所述吸盘主体及所述三个或更多个提升结构相对于所述运动载台子系统的移动的组合，而相对于所述吸盘主体移动，使得所述三个或更多个可折叠波纹管在所述吸盘主体的所述平整夹持表面上方延伸至少10毫米。
13.根据权利要求10所述的真空吸盘设备，其中所述一或多个凹陷环形通道耦合到一或多个真空泄放孔以在所述衬底经真空夹置到所述吸盘主体的所述平整夹持表面时，调节维持于所述一或多个凹陷环形通道中的真空量。
14.根据权利要求10所述的真空吸盘设备，其进一步包括：
一或多个真空通道，所述一或多个真空通道安置于所述吸盘主体的所述平整夹持表面中，其中所述一或多个真空通道环绕所述吸盘主体中与所述可折叠波纹管中的每一者相关联的每一开口。
15.根据权利要求10所述的真空吸盘设备，其进一步包括：
一或多个真空通道，所述一或多个真空通道沿所述一或多个凹陷环形通道中的每一者的一或两侧安置于所述吸盘主体的所述平整夹持表面中。
16.一种方法，其包括：
使三个或更多个提升结构及耦合到所述三个或更多个提升结构的三个或更多个可折叠波纹管沿正交于真空吸盘主体的平整夹持表面的方向移动且移动到与衬底接触；
在所述三个或更多个可折叠波纹管与所述衬底之间形成真空夹置连接；
使所述三个或更多个提升结构、所述三个或更多个可折叠波纹管及所述衬底移动到与耦合到所述吸盘主体的一或多个可延伸密封元件接触，所述可延伸密封元件经配置以在所述真空吸盘主体的所述平整夹持表面上方延伸至少5毫米；及
抽空由所述衬底、所述一或多个可延伸密封元件及所述吸盘主体界定的空间以将所述衬底夹置到所述真空吸盘主体的所述平整夹持表面上；
其中所述方法进一步包括：使所述吸盘主体沿与所述三个或更多个提升结构、所述三个或更多个可折叠波纹管及所述衬底的所述移动相反的方向移动，使得所述三个或更多个可折叠波纹管和所述真空吸盘主体的所述平整夹持表面之间的距离进一步增大或减小。
17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括：
在所述衬底经真空夹置到所述吸盘主体的所述平整夹持表面时，调整维持于一或多个凹陷环形通道中的真空量，所述可延伸密封元件经约束到所述一或多个凹陷环形通道中。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述三个或更多个可折叠波纹管在所述吸盘主体的所述平整夹持表面上方延伸至少10毫米以与所述衬底接触。
19.根据权利要求16所述的方法，其中每一可折叠波纹管具有经配置以符合所述衬底的非平坦背侧表面的顺应式形状。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10468288B2 (en) * 2016-10-19 2019-11-05 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for chucking a warped wafer
US11304290B2 (en) * 2017-04-07 2022-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor structures and methods
TWI766105B (zh) 2017-09-28 2022-06-01 美商魯道夫科技股份有限公司 晶圓級封裝組裝體處置
DE102018007307A1 (de) * 2018-09-17 2020-03-19 Vat Holding Ag Stifthubvorrichtung
EP3864690A1 (en) * 2018-10-10 2021-08-18 Nordson Corporation Vacuum clamping apparatus and method
US11209373B2 (en) 2019-06-21 2021-12-28 Kla Corporation Six degree of freedom workpiece stage
US11587818B2 (en) * 2019-07-18 2023-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Chuck design and method for wafer
JP2021044445A (ja) * 2019-09-12 2021-03-18 株式会社ディスコ リングフレームの保持機構
DE102020109996B3 (de) * 2020-04-09 2021-05-20 Frt Gmbh Spannvorrichtung und Verfahren zur Glättung einer gebogenen Probe, sowie Verwendung der Spannvorrichtung
US11508608B2 (en) * 2020-08-20 2022-11-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Vacuum wafer chuck for manufacturing semiconductor devices
JP2022099516A (ja) * 2020-12-23 2022-07-05 東京エレクトロン株式会社 基板の受け渡し方法及び基板受け渡し装置
EP4227738A1 (en) 2022-02-14 2023-08-16 ASML Netherlands B.V. Clamp
WO2023222198A1 (en) * 2022-05-17 2023-11-23 Applied Materials, Inc. Carrier for holding a substrate, apparatus for depositing a layer on a substrate, and method for supporting a substrate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040207838A1 (en) * 2001-04-30 2004-10-21 Martin Ebert Wafer chuck with integrated reference sample
US20130071996A1 (en) * 2011-09-16 2013-03-21 Tokyo Electron Limited Joint method, joint apparatus and joint system
US20130330154A1 (en) * 2010-09-24 2013-12-12 Ralph Sowden Support for semiconductor substrate
US20160154313A1 (en) * 2014-11-28 2016-06-02 Canon Kabushiki Kaisha Holding device, lithography apparatus, and method for manufacturing item

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5177857A (en) * 1990-05-17 1993-01-12 Fsk Inc. Method for holding an object to a surface using valve controlled vacuum force
JP2001520125A (ja) * 1997-10-22 2001-10-30 イョット． シュマルツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 真空固定保持装置
US6196532B1 (en) * 1999-08-27 2001-03-06 Applied Materials, Inc. 3 point vacuum chuck with non-resilient support members
US6502808B1 (en) * 1999-09-30 2003-01-07 The Boeing Company Vacuum cup with precision hard stop
TW200303593A (en) * 2002-02-19 2003-09-01 Olympus Optical Co Substrate sucking apparatus
US20060105182A1 (en) 2004-11-16 2006-05-18 Applied Materials, Inc. Erosion resistant textured chamber surface
US7292427B1 (en) 2004-10-12 2007-11-06 Kla-Tencor Technologies Corporation Pin lift chuck assembly for warped substrates
US7192017B2 (en) * 2005-04-18 2007-03-20 Anderson Industrial Corp. Mechanical suction device
US8079578B2 (en) * 2007-09-05 2011-12-20 Hgs Aerospace, Inc. Universal holding fixture
DE102011001879A1 (de) * 2011-04-07 2012-10-11 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Vorrichtung zum Spannen verformter Wafer
AT511627B1 (de) * 2011-07-01 2015-05-15 Mechatronic Systemtechnik Gmbh Vorrichtung zum halten eines flächigen substrats
US9851643B2 (en) 2012-03-27 2017-12-26 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for reticle handling in an EUV reticle inspection tool
JP6535206B2 (ja) * 2014-05-08 2019-06-26 株式会社ブイ・テクノロジー 露光方法及び露光装置
US10082461B2 (en) 2014-07-29 2018-09-25 Nanometrics Incorporated Optical metrology with purged reference chip
US9960070B2 (en) * 2014-12-06 2018-05-01 Kla-Tencor Corporation Chucking warped wafer with bellows
WO2016092700A1 (ja) * 2014-12-12 2016-06-16 キヤノン株式会社 基板保持装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
US10468288B2 (en) * 2016-10-19 2019-11-05 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for chucking a warped wafer

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040207838A1 (en) * 2001-04-30 2004-10-21 Martin Ebert Wafer chuck with integrated reference sample
US20130330154A1 (en) * 2010-09-24 2013-12-12 Ralph Sowden Support for semiconductor substrate
US20130071996A1 (en) * 2011-09-16 2013-03-21 Tokyo Electron Limited Joint method, joint apparatus and joint system
US20160154313A1 (en) * 2014-11-28 2016-06-02 Canon Kabushiki Kaisha Holding device, lithography apparatus, and method for manufacturing item

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