CN109887930A - 显示面板及其制作方法 - Google Patents
显示面板及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109887930A CN109887930A CN201910126134.0A CN201910126134A CN109887930A CN 109887930 A CN109887930 A CN 109887930A CN 201910126134 A CN201910126134 A CN 201910126134A CN 109887930 A CN109887930 A CN 109887930A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- display panel
- titanium dioxide
- oxide semiconductor
- structure sheaf
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
一种显示面板，包括衬底基板、有源层、结构层、饨化层及像素定义层。有源层设于衬底基板上。结构层设于有源层上，并包括氧化物半导体层。饨化层设于结构层上，并包括无机材料层及二氧化钛层。像素定义层设于钝化层上。二氧化钛层通过紫外光催化作用而形成疏水膜结构。
Description
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及其制作方法。
【背景技术】
薄膜晶体管(thin-film transistor，TFT)阵列基板是目前液晶显示装置和有源矩阵有机发光二极体(active matrix organic light emitting diode,AMOLED)显示装置中的主要组成部件，用于向显示器提供驱动电路。所述阵列基板通常设置有数条栅极扫描线和数条数据线，其共同定义多个像素单元。每个像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管的栅极与相应的栅极扫描线相连，当栅极扫描线上的电压达到开启电压时，薄膜晶体管的源极和漏极导通，从而将数据线上的数据电压输入至像素电极，进而控制相应像素区域的显示。
氧化物薄膜晶体管(oxide TFT)因其具有较高的迁移率，并且与现有非晶硅薄膜晶体管具有非常高的工艺兼容性等优点，已成为下一代TFT技术的代表之一。然而，氧化物薄膜晶体管在长时间工作后会出现阈值电压的漂移，严重影响了以薄膜晶体管为器件的电路的可靠性和稳定性，其中造成薄膜晶体管阈值电压漂移的重要原因之一就是空气中水气透过薄膜进入金属氧化物等膜层的界面，影响稳定性。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种显示面板及其制作方法，其利用简单的膜层结构，可达到阻止水气影响氧化物半导体层的目的，进而稳定阀值电压。
为实现上述目的，本发明的显示面板，包括衬底基板；有源层，设于所述衬底基板上；结构层，设于所述有源层上，并包括氧化物半导体层；饨化层，设于所述结构层上，并包括无机材料层及二氧化钛层；及像素定义层，设于所述钝化层上；其中所述二氧化钛层通过紫外光催化作用而形成疏水膜结构。
依据本发明的一实施例，所述钝化层的无机材料包括二氧化硅，且所述钝化层包括接触孔，其中所述像素定义层通过所述接触孔连接于所述结构层。
依据本发明的另一实施例，所述钝化层的无机材料层更包括氮化硅。
依据本发明的另一实施例，所述结构层更包括经过图案化的源极及漏极，且所述氧化物半导体层包括氧化铟镓锌，所述源极及所述漏极分别连接于所述氧化物半导体层。
依据本发明的另一实施例，所述有源层包括栅极及栅极绝缘层，其中所述栅极为金属材料所制，所述栅极绝缘层的材料包括氮化硅或氧化硅。
本发明另外提供一种制作显示面板的方法，包括：在衬底基板上形成包括有栅极及栅极绝缘层的有源层；在所述有源层上利用光刻工艺形成包括氧化物半导体层的结构膜层；在所述结构膜层上沉积钝化层，其包括无机材料层及二氧化钛层，其中所述二氧化钛层通过紫外光照射而形成疏水膜结构；及在所述钝化层上利用光刻工艺形成像素电极层。
依据本发明的一实施例，在沉积所述二氧化钛层之前，先在所述二氧化硅层上利用所述等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅层，再于所述氮化硅层上沉积所述二氧化钛层。
依据本发明的另一实施例，所述结构膜层的形成更包括：利用物理气相沉积法及氧化铟镓锌形成所述所述氧化物半导体层，并通过光刻工艺形成图案化的源极及漏极，其连接于所述氧化物半导体层。
依据本发明的另一实施例，所述二氧化钛层利用物理气相沉积法形成，其中在通过紫外光照射前先进行清洗及吹干工序，再进行紫外光照射，并利用二氧化钛的光催化作用将所述二氧化钛层的表面的水分进行分解，进而形成所述疏水膜结构。
依据本发明的另一实施例，所述栅极绝缘层利用等离子体增强化学气相沉积法形成，且所述钝化层包括接触孔，其中所述像素定义层通过所述接触孔连接于所述结构层。
本发明的显示面板及其制作方法，利用紫外光照射所述二氧化钛层产生光催化作用，进而使所述钝化层的表面形成疏水膜结构，可以有效阻止水气侵入所述氧化物半导体层，进而稳定氧化物薄膜晶体管的阀值电压，避免对显示器件造成不良影响，有效解决传统显示面板容易因外界水气侵入显示器件内的膜层，影响器件运作的稳定性及显示效果的缺点。
【附图说明】
图1A-图1H分别为根据本发明的一较佳实施例的显示面板的局部结构剖面示意图。
图2为根据本发明的所述较佳实施例的显示面板的另一局部结构剖面示意图。
图3为根据本发明的所述较佳实施例的显示面板的另一局部结构剖面示意图。
图4为根据本发明的所述较佳实施例的显示面板的结构剖面示意图。
图5为制作本发明的一较佳实施例的显示面板的方法流程图。
【具体实施方式】
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
本发明为一种显示面板，其可为液晶显示面板或有机发光显示面板。图1A-1H分别为根据本发明的一较佳实施例的显示面板的局部结构剖面示意图，其中每一个局部结构剖面示意图亦可作为制作本发明显示面板的流程说明。请先参阅图1A，本发明的显示面板1包括衬底基板10，其可为玻璃或石英材质所制。利用物理气相沉积法(physical chemicaldeposition,PVD)于所述衬底基板2上形成有源层11，其包括栅极12及栅极绝缘层13。具体而言，利用PVD沉积栅极金属层(如图1A所示)，并对所述栅极金属层进行包括曝光、显影、蚀刻的光刻工艺，进而形成图案化的栅极12(如图1B所示)。利用等离子体增强化学气相沉积法(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在所述衬底基板10上形成所述栅极绝缘层13(如图1C所示)，其可为氮化硅或氧化硅所制，惟并不以此为限。
如图1D所示，在所述栅极绝缘层13上形成结构层2(如图1D所示)，其包括氧化物半导体层21、源极22及漏极23(如图1E-1G所示)。于此较佳实施例中，所述氧化物半导体层21为氧化铟镓锌((indium gallium zinc oxide,IGZO)所制。具体而言，所述氧化物半导体层21是通过PVD制程形成于所述栅极绝缘层13上(如图1E所示)。再利用PVD于所述栅极绝缘层13形成一金属层(如图1F所示)，并采用光罩等的光刻工艺图案化所述金属层，用以形成图案化的的所述源极22及所述漏极23(如图1G所示)。所述有源层11及所述结构层2共同形成一氧化物薄膜晶体管结构。
请参阅图1H。所述结构层2上设有钝化层3。于此较佳实施例中，所述钝化层3包括无机材料层30及二氧化钛层33，其中所述无机材料层30包括二氧化硅(SiO2)，或于另一实施例中，所述无机材料包括二氧化硅及氮化硅(SiN)。具体而言，利用PECVD在所述结构层2上，由下而上依次形成一层二氧化硅层31、一层氮化硅层32及所述二氧化钛层33。
请参阅图2。所述钝化层3包括接触孔30，其是利用光罩进行开孔工艺，使所述接触孔30刻蚀所述二氧化硅层31、所述氮化硅层32及所述二氧化钛层33。完成所述接触孔30的制作后，利用紫外光照射所述二氧化钛层33(如图3所示)。最后，在所述钝化层3上设置像素定义层4。具体而言，在所述二氧化钛层33上沉积所述像素电极层4，并通过光刻工艺形成像素电极(如图4所示)。所述像素定义层4的像素电极通过所述接触孔30连接于所述结构层2。
特别说明的是，本发明的钝化层3包括所述二氧化钛层33，其通过紫外光照射后，利用二氧化钛的光催化作用将所述二氧化钛层33的表面的水分进行分解，同时分解完成的羟基与粘附于膜层表面的有机类物质小分子化，进而形成一疏水膜结构。
图5为制作本发明的一较佳实施例的显示面板的方法流程图。本发明提供一种制作显示面板的方法，包括步骤S10-S40，其中有关各步骤流程的详细说明已详述于先前所述段落的实施例，于此不再复述。请参阅图5。本发明制作显示面板的方法包括：
步骤S10：在衬底基板上形成包括有栅极及栅极绝缘层的有源层；
步骤S20：在所述有源层上利用光刻工艺形成包括氧化物半导体层的结构膜层；
步骤S30：在所述结构膜层上沉积钝化层，其包括无机材料层及二氧化钛层，其中所述二氧化钛层通过紫外光照射而形成疏水膜结构；及
步骤S40：在所述钝化层上利用光刻工艺形成像素电极层。
于本发明制作所述显示面板的方法中有关所述显示面板的各种构造元件，与图4所示的显示面板的结构元件相同，于此不再复述。
在沉积所述二氧化钛层之前，先在所述二氧化硅层上利用所述等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅层，再于所述氮化硅层上沉积所述二氧化钛层。此外，所述结构膜层的形成更包括：利用物理气相沉积法及氧化铟镓锌形成所述所述氧化物半导体层，并通过光刻工艺形成图案化的源极及漏极，其连接于所述氧化物半导体层。所述栅极绝缘层利用等离子体增强化学气相沉积法形成，且所述钝化层包括接触孔，其中所述像素定义层通过所述接触孔连接于所述结构层。
特别说明的是，所述二氧化钛层利用物理气相沉积法形成，其中在通过紫外光照射前先进行清洗及吹干工序，再进行紫外光照射，并利用二氧化钛的光催化作用将所述二氧化钛层的表面的水分进行分解，进而形成所述疏水膜结构。
本发明的显示面板及其制作方法，利用紫外光照射所述二氧化钛层33产生光催化作用，进而使所述钝化层3的表面形成疏水膜结构，可以有效阻止水气侵入所述氧化物半导体层21，进而稳定氧化物薄膜晶体管的阀值电压，避免对显示器件造成不良影响，有效解决传统显示面板容易因外界水气侵入显示器件内的膜层，影响器件运作的稳定性及显示效果的缺点。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板；
有源层，设于所述衬底基板上；
结构层，设于所述有源层上，并包括氧化物半导体层；
饨化层，设于所述结构层上，并包括无机材料层及二氧化钛层；及
像素定义层，设于所述钝化层上；
其中所述二氧化钛层通过紫外光催化作用而形成疏水膜结构。
2.如权利要求1的显示面板，其特征在于，所述钝化层的无机材料包括二氧化硅，且所述钝化层包括接触孔，其中所述像素定义层通过所述接触孔连接于所述结构层。
3.如权利要求2的显示面板，其特征在于，所述钝化层的无机材料层更包括氮化硅。
4.如权利要求1的显示面板，其特征在于，所述结构层更包括经过图案化的源极及漏极，且所述氧化物半导体层包括氧化铟镓锌，所述源极及所述漏极分别连接于所述氧化物半导体层。
5.如权利要求1的显示面板，其特征在于，所述有源层包括栅极及栅极绝缘层，其中所述栅极为金属材料所制，所述栅极绝缘层的材料包括氮化硅或氧化硅。
6.一种制作显示面板的方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成包括有栅极及栅极绝缘层的有源层；
在所述有源层上利用光刻工艺形成包括氧化物半导体层的结构膜层；
在所述结构膜层上沉积钝化层，其包括无机材料层及二氧化钛层，其中所述二氧化钛层通过紫外光照射而形成疏水膜结构；及
在所述钝化层上利用光刻工艺形成像素电极层。
7.如权利要求6的制作显示面板的方法，其特征在于，在沉积所述二氧化钛层之前，先在所述二氧化硅层上利用所述等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅层，再于所述氮化硅层上沉积所述二氧化钛层。
8.如权利要求6的制作显示面板的方法，其特征在于，所述结构膜层的形成更包括：利用物理气相沉积法及氧化铟镓锌形成所述所述氧化物半导体层，并通过光刻工艺形成图案化的源极及漏极，其连接于所述氧化物半导体层。
9.如权利要求6的制作显示面板的方法，其特征在于，所述二氧化钛层利用物理气相沉积法形成，其中在通过紫外光照射前先进行清洗及吹干工序，再进行紫外光照射，并利用二氧化钛的光催化作用将所述二氧化钛层的表面的水分进行分解，进而形成所述疏水膜结构。
10.如权利要求6的制作显示面板的方法，其特征在于，所述栅极绝缘层利用等离子体增强化学气相沉积法形成，且所述钝化层包括接触孔，其中所述像素定义层通过所述接触孔连接于所述结构层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910126134.0A CN109887930A (zh) | 2019-02-20 | 2019-02-20 | 显示面板及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910126134.0A CN109887930A (zh) | 2019-02-20 | 2019-02-20 | 显示面板及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109887930A true CN109887930A (zh) | 2019-06-14 |
Family
ID=66928528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910126134.0A Pending CN109887930A (zh) | 2019-02-20 | 2019-02-20 | 显示面板及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109887930A (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103367459A (zh) * | 2012-03-28 | 2013-10-23 | 索尼公司 | 半导体装置和电子设备 |
| CN104269438A (zh) * | 2014-09-16 | 2015-01-07 | 复旦大学 | 无结场效应晶体管及其制备方法 |
| CN104503169A (zh) * | 2014-11-21 | 2015-04-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 垂直配向型液晶显示器 |
| CN105374748A (zh) * | 2015-10-13 | 2016-03-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管基板的制作方法及制得的薄膜晶体管基板 |
| CN105655298A (zh) * | 2016-01-05 | 2016-06-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种tft液晶显示模组及其封装结构和封装方法 |
| CN106206744A (zh) * | 2016-08-30 | 2016-12-07 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN106992189A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-07-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 氧化物半导体tft基板结构及氧化物半导体tft基板的制作方法 |
| CN107946199A (zh) * | 2017-11-16 | 2018-04-20 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种改善igzo薄膜晶体管的稳定性的方法 |
-
2019
- 2019-02-20 CN CN201910126134.0A patent/CN109887930A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103367459A (zh) * | 2012-03-28 | 2013-10-23 | 索尼公司 | 半导体装置和电子设备 |
| CN104269438A (zh) * | 2014-09-16 | 2015-01-07 | 复旦大学 | 无结场效应晶体管及其制备方法 |
| CN104503169A (zh) * | 2014-11-21 | 2015-04-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 垂直配向型液晶显示器 |
| CN105374748A (zh) * | 2015-10-13 | 2016-03-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管基板的制作方法及制得的薄膜晶体管基板 |
| CN105655298A (zh) * | 2016-01-05 | 2016-06-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种tft液晶显示模组及其封装结构和封装方法 |
| CN106206744A (zh) * | 2016-08-30 | 2016-12-07 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN106992189A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-07-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 氧化物半导体tft基板结构及氧化物半导体tft基板的制作方法 |
| CN107946199A (zh) * | 2017-11-16 | 2018-04-20 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种改善igzo薄膜晶体管的稳定性的方法 |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| 中国感光学会: "《2016-2017感光影像学学科发展报告》", 31 March 2018 * |
| 吴超: "《微颗粒黏附与清除》", 31 January 2014 * |
| 姚爱华: "《二氧化钛薄膜的制备及其光催化性能的应用》", 《材料导报》 * |
| 孙文涛: "《锐钛矿二氧化钛薄膜表面浸润性快速转变的研究》", 《中国科协2003年学术年会论文集》 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104867942B (zh) | Tft基板的制作方法及其结构 | |
| CN109166896A (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| CN104867959B (zh) | 双栅极氧化物半导体tft基板的制作方法及其结构 | |
| CN103745955B (zh) | 显示装置、阵列基板及其制造方法 | |
| CN109326609A (zh) | 一种阵列基板及其制作方法 | |
| CN104659285A (zh) | 适用于amoled的tft背板制作方法及结构 | |
| CN103314431A (zh) | 制造氧化物薄膜晶体管阵列的方法和结合其的装置 | |
| CN107221501A (zh) | 垂直型薄膜晶体管及其制备方法 | |
| CN104143533B (zh) | 高解析度amoled背板制造方法 | |
| CN106129086B (zh) | Tft基板及其制作方法 | |
| CN103887245B (zh) | 一种阵列基板的制造方法 | |
| CN104617152A (zh) | 氧化物薄膜晶体管及其制作方法 | |
| WO2015096350A1 (zh) | 阵列基板及其制备方法 | |
| CN110164873A (zh) | 阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置 | |
| CN102723279A (zh) | 一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法 | |
| CN103258827B (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN106601754A (zh) | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN110061034A (zh) | Oled显示面板的制备方法及oled显示面板 | |
| CN109166802A (zh) | Ltps阵列基板及其制造方法、显示面板 | |
| CN107799466A (zh) | Tft基板及其制作方法 | |
| CN104157608B (zh) | Tft基板的制作方法及其结构 | |
| CN107946368A (zh) | 顶栅型薄膜晶体管的制作方法及顶栅型薄膜晶体管 | |
| CN104505372A (zh) | 金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法 | |
| CN107910351A (zh) | Tft基板的制作方法 | |
| CN107833893A (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示面板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant after: TCL Huaxing Photoelectric Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20190614 |