CN109863580A - 半导体处理用组合物及处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种可抑制对被处理体的含有钨的配线等造成的由腐蚀所引起的损伤，且自被处理体的表面有效率地去除污染的半导体处理用组合物及使用其的处理方法。本发明的处理方法包括如下步骤：在使用含有铁离子及过氧化物的组合物对含有钨作为配线材料的配线基板进行化学机械研磨后，使用半导体处理用组合物进行处理，所述半导体处理用组合物含有具有两个以上的选自由三级氨基及其盐所组成的群组中的至少一种基的化合物(A)与溶解参数为10以上的水溶性化合物(B)，且pH值为2～7。

Description

半导体处理用组合物及处理方法
技术领域
本发明涉及一种半导体处理用组合物及使用其的处理方法。
背景技术
所谓被有效地用于制造半导体装置的化学机械研磨(Chemical MechanicalPolishing，CMP)，为将被处理体(被研磨体)压接于研磨垫上，一面在研磨垫上供给化学机械研磨用水系分散体(以下，也简称为“CMP浆料”)一面使被处理体与研磨垫相互滑动，对被处理体以化学且机械方式进行研磨的技术。此种CMP中所使用的CMP浆料中，除研磨粒以外，也含有蚀刻剂或pH调整剂等化学药品。而且，因CMP而产生研磨屑。若这些研磨屑残留于被处理体上，则有时成为致命的装置缺陷。因此，在CMP后必须进行清洗被处理体的步骤。
在CMP后的被处理体的表面上，铜或钨等金属配线材料、氧化硅等绝缘材料、氮化钽或氮化钛等阻障金属材料等露出。在此种异种材料共存于被研磨面上的情形时，必须自被研磨面仅将污染去除，并不造成腐蚀等损伤(damage)地进行处理。例如专利文献1中公开有如下技术：使用酸性的半导体处理用组合物，抑制配线材料与阻障金属材料露出的被研磨面的腐蚀。另外，例如专利文献2或专利文献3公开有如下技术：使用中性至碱性的半导体处理用组合物，对配线材料与钴那样的阻障金属材料露出的被研磨面进行处理。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2010-258014号公报
专利文献2：日本专利特开2009-055020号公报
专利文献3：日本专利特开2013-157516号公报
发明内容
发明所要解决的问题
然而，伴随着近年来的电路结构的进一步微细化，要求如下处理技术：可进一步抑制对被处理体的金属配线等造成的损伤，且自被处理体的表面有效率地去除污染。
例如在含有钨作为金属配线的被处理体的CMP中，使用含有硝酸铁及其他氧化剂(过氧化氢、碘酸钾等)的CMP浆料。所述CMP浆料中所含的铁离子容易吸附于被处理体的表面，因此被处理体的表面容易受到铁污染。在所述情形时，可通过使用含有氨及过氧化氢的组合物或稀氢氟酸对被处理体的表面进行处理而将铁污染去除，但被处理体的表面被腐蚀而容易受到损伤。因此，要求如下处理技术：能够尽可能抑制对被处理体的金属配线等造成的由腐蚀所引起的损伤，且自被处理体的表面有效地去除污染。
因此，本发明的若干方案通过解决所述课题的至少一部分，而提供一种半导体处理用组合物及使用其的处理方法，所述半导体处理用组合物可抑制对被处理体的含有钨的配线等造成的由腐蚀所引起的损伤，且自被处理体的表面有效率地去除污染。
解决问题的技术手段
本发明是为了解决所述课题的至少一部分而成，可作为以下的方案或应用例来实现。
[应用例1]
本发明的处理方法的一方案包括如下步骤：
在使用含有铁离子及过氧化物的组合物对含有钨作为配线材料的配线基板进行化学机械研磨后，
使用半导体处理用组合物进行处理的步骤，所述半导体处理用组合物含有具有两个以上的选自由三级氨基及其盐所组成的群组中的至少一种基的化合物(A)与溶解参数为10以上的水溶性化合物(B)，且pH值为2～7。
[应用例2]
在所述应用例的处理方法中，
可进而包括将所述半导体处理用组合物稀释至20倍～500倍的步骤。
[应用例3]
在所述应用例的任一处理方法中，
可进而包括将所述半导体处理用组合物在25℃下的粘度调整为5mPa·s以下的步骤。
[应用例4]
在所述应用例的任一处理方法中，
可进而包括利用深型过滤器或折叠式过滤器对所述半导体处理用组合物进行过滤的步骤。
[应用例5]
在所述应用例的任一处理方法中，
使用所述半导体处理用组合物进行处理的手段可为如下任一手段：在清洗槽中充满所述半导体处理用组合物并使所述配线基板浸渍的浸渍式；一面自喷嘴使所述半导体处理用组合物流下至所述配线基板上，一面使所述配线基板高速旋转的旋涂式；或对所述配线基板喷雾所述半导体处理用组合物而进行清洗的喷射式。
[应用例6]
在所述应用例的任一处理方法中，
作为使用所述半导体处理用组合物进行处理的手段，可进而包含利用物理力的处理手段。
[应用例7]
在所述应用例的任一处理方法中，
可进而包括使用超纯水或纯水对所述配线基板进行清洗的步骤。
[应用例8]
在所述应用例的任一处理方法中，
所述水溶性化合物(B)可为水溶性高分子。
[应用例9]
在所述应用例的任一处理方法中，
所述半导体处理用组合物可进而含有选自由有机酸及磷酸所组成的群组中的至少一种。
[应用例10]
本发明的半导体处理用组合物的一方案为一种经浓缩的组合物，
其含有具有两个以上的选自由三级氨基及其盐所组成的群组中的至少一种基的化合物(A)与溶解参数为10以上的水溶性化合物(B)，pH值为2～7，并且用以对设置有含有钨的配线的被处理体表面进行处理。
[应用例11]
所述应用例的半导体处理用组合物可稀释至1倍～500倍而使用。
[应用例12]
本发明的半导体处理用组合物的一方案为一种不加以稀释而使用的组合物，
其含有具有两个以上的选自由三级氨基及其盐所组成的群组中的至少一种基的化合物(A)与溶解参数为10以上的水溶性化合物(B)，pH值为2～7，并且用以对设置有含有钨的配线的被处理体表面进行处理。
[应用例13]
在所述应用例的任一半导体处理用组合物中，
所述水溶性化合物(B)可为水溶性高分子。
[应用例14]
在所述应用例的任一半导体处理用组合物中，
可进而含有有机酸。
[应用例15]
在所述应用例的任一半导体处理用组合物中，
可进而含有钾及钠，
在将半导体处理用组合物中的所述钾的含量设为MK(ppm)、将半导体处理用组合物中的所述钠的含量设为MNa(ppm)时，MK/MNa＝1×10-1～1×104。
[应用例16]
在所述应用例的任一半导体处理用组合物中，
25℃下的粘度可未满5mPa·s。
发明的效果
通过使用本发明的半导体处理用组合物，可抑制对被处理体的含有钨的配线等造成的由腐蚀所引起的损伤，且自被处理体的表面有效率地去除污染。另外，根据本发明的处理方法，于在使用含有铁离子及过氧化物的组合物对含有钨作为配线材料的配线基板进行化学机械研磨后，对所述配线基板进行处理的情形时，可抑制对含有钨的配线等造成的由腐蚀所引起的损伤，且自配线基板的表面有效率地去除污染。
附图说明
图1为示意性地表示本实施方式的处理方法中所使用的配线基板的制作工艺的剖面图。
图2为示意性地表示本实施方式的处理方法中所使用的配线基板的制作工艺的剖面图。
具体实施方式
以下，对本发明的合适的实施方式进行详细说明。再者，本发明并不限定于下述实施方式，也包含在不变更本发明的主旨的范围内所实施的各种变形例。
1.半导体处理用组合物
本发明的一实施方式的半导体处理用组合物为用以对设置有含有钨的配线层的被处理体表面进行处理的组合物，且含有具有两个以上的选自由三级氨基及其盐所组成的群组中的至少一种基的化合物(A)与溶解参数为10以上的水溶性化合物(B)，pH值为2～7。
本实施方式的半导体处理用组合物可为以利用纯水或有机溶剂等液状介质稀释后使用为目的的浓缩型，也可为以不加以稀释而直接使用为目的的非稀释型。在本说明书中，在未指定为浓缩型或非稀释型的情形时，“半导体处理用组合物”这一用语是解释为包含浓缩型及非稀释型这两者的概念。
此种半导体处理用组合物主要可用作用以将存在于CMP结束后的设置有含有钨的配线层的被处理体的表面上的颗粒或有机残渣等污染物质去除的清洗剂。以下，对本实施方式的半导体处理用组合物中所含的各成分进行详细说明。
1.1.化合物(A)
本实施方式的半导体处理用组合物含有具有两个以上的选自由三级氨基及其盐所组成的群组中的至少一种基的化合物(A)(在本说明书中，也简称为“化合物(A)”)。所谓本发明中的“三级氨基”，是指-NR1R2(其中，R1、R2分别独立地表示烃基，R1与R2可键结而形成环状结构)。此处，R1及R2表示烃基，但与后述的通式(1)中的R1～R3所表示的烃基为相同含义。
化合物(A)具有吸附于被处理面的金属表面而减少腐蚀的功能。因此，若向半导体处理用组合物中添加化合物(A)，则可抑制对被处理体的含有钨的配线等造成的由腐蚀所引起的损伤。另外，若在使用本实施方式的半导体处理用组合物对被处理体进行处理后，利用超纯水或纯水进行淋洗，则化合物(A)不残留于含有钨的配线等中而被冲洗，因此可获得洁净且无污染的被处理面。进而，化合物(A)也具有用以调整半导体处理用组合物的pH值的作为pH调整剂的功能。
作为化合物(A)，优选为水溶性胺。所谓本发明中的“水溶性”，是指溶解于20℃的100g的中性水中的质量为0.1g以上。作为水溶性胺，例如可列举三级胺。
作为此种三级胺，例如可列举：四甲基乙二胺、N,N,N',N'-四甲基-1,3-丙二胺、1,1,4,7,10,10-六甲基三乙四胺、2,4,6-三(二甲基氨基甲基)苯酚、1,8-二氮杂双环(5,4,0)十一烯-7、1,5-二氮杂双环(4,3,0)壬烯-5、4-二甲基氨基吡啶、2-甲基吡嗪、联吡啶、N,N'-二甲基哌嗪等。这些化合物(A)可单独使用一种，也可混合使用两种以上。
本实施方式的半导体处理用组合物中的化合物(A)的含量可根据在CMP后的被处理体的表面上所露出的钨等金属配线材料、氧化硅等绝缘材料、氮化钽或氮化钛等阻障金属材料等的材质或所使用的CMP浆料的组成而适当变更。
进而，也可根据本实施方式的浓缩型的半导体处理用组合物的稀释程度而适当变更化合物(A)的含量。关于化合物(A)的含量，相对于将浓缩型的半导体处理用组合物稀释而制备的清洗剂或非稀释型的半导体处理用组合物100质量份，优选为0.0001质量份～10质量份，更优选为0.001质量份～5质量份，特别优选为0.05质量份～1质量份。若化合物(A)的含量处于所述范围内，则可通过吸附于被处理体的含有钨的配线等的表面并加以保护来减少腐蚀，从而抑制对配线等造成的损伤。另外，在利用超纯水或纯水对被处理体进行淋洗后，化合物(A)不残留于配线等的表面上而被冲洗，因此可获得更洁净且无污染的被处理面。
本实施方式的半导体处理用组合物中，化合物(A)的三级氨基可形成下述通式(1)所表示的盐。
[化1]
(所述式(1)中，R1至R3分别独立地表示氢原子或烃基；M-表示阴离子；再者，R1～R3不会均为氢原子，至少两个以上为烃基；R1～R3的两个以上可键结而形成环结构)
所述通式(1)中，作为R1至R3所表示的烃基，可为脂肪族、芳香族、芳香脂肪族或脂环族的任一种。另外，脂肪族及芳香脂肪族的脂肪族可为饱和，也可为不饱和，可为直链状，也可为分支状。作为这些烃基，例如可列举直链状、分支状、环状的烷基、烯基、芳烷基及芳基等。
作为烷基，通常优选为碳数为1～6的低级烷基，更优选为碳数1～4的低级烷基。作为此种烷基，例如可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、新戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、环戊基、环己基等。
作为烯基，通常优选为碳数1～6的低级烯基，更优选为碳数1～4的低级烯基。作为此种烯基，例如可列举：乙烯基、正丙烯基、异丙烯基、正丁烯基、异丁烯基、仲丁烯基、叔丁烯基等。
作为芳烷基，通常优选为碳数7～12者。作为此种芳烷基，例如可列举：苄基、苯乙基、苯基丙基、苯基丁基、苯基己基、甲基苄基、甲基苯乙基、乙基苄基等。
作为芳基，通常优选为碳数6～14者。作为此种芳基，例如可列举：苯基、邻甲苯基、间甲苯基、对甲苯基、2,3-二甲苯基、2,4-二甲苯基、2,5-二甲苯基、2,6-二甲苯基、3,5-二甲苯基、萘基、蒽基等。
所述芳基或芳烷基的芳香环也可具有例如甲基、乙基等低级烷基或卤素原子、硝基、氨基、羟基等作为取代基。
在所述通式(1)中，作为M-所表示的阴离子，例如可列举源自酸性化合物的阴离子、氢氧化物离子(OH-)等。
1.2.化合物(B)
本实施方式的半导体处理用组合物含有溶解参数为10以上的水溶性化合物(B)(在本说明书中，也简称为“化合物(B)”)。化合物(B)是以对被处理体的表面进行作用来去除有机残渣的目的而使用。
所谓本发明中的“溶解参数(Solubility Parameter：SP值)”，是指利用费德尔(Fedors)的计算方法而算出的值。SP值(δ)可根据下述式(2)而求出。
δ＝(ΔE/ΔV)1/2(cal/cm3)1/2 (2)
式(2)中，ΔE表示蒸发能量(cal/mol)，ΔV表示25℃下的摩尔体积(cm3/mol)。
所谓本发明中的“水溶性化合物”，是指溶解于20℃的100g的中性水中的质量为0.1g以上的化合物。
化合物(B)的溶解参数的下限值为10以上，优选为11以上，更优选为12以上。另一方面，化合物(B)的溶解参数的上限值优选为20以下，更优选为16以下。溶解参数处于所述范围内的化合物(B)容易与残留于被处理体的表面的有机残渣相互作用，可使有机残渣可溶化于或分散于处理剂中，且可自被处理体的表面有效率地去除有机残渣。另一方面，溶解参数未满所述范围的化合物的水溶性低，因此自被处理体的表面去除有机残渣等污染的效率变差。
作为化合物(B)，可列举：甲醇、乙醇、正丙醇、1-丙醇、乙二醇、丙二醇、二乙二醇单乙醚、乙腈、N,N-二甲基甲酰胺、环丁砜、三乙酸甘油酯(triacetin)、碳酸亚丙酯、碳酸亚乙酯、N-甲基吡咯烷酮等溶解参数为10以上的化合物及以下例示的溶解参数为10以上的水溶性高分子。
作为溶解参数为10以上的水溶性高分子，例如可列举：聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚马来酸、聚乙烯基磺酸、聚烯丙基磺酸、聚苯乙烯磺酸及这些的盐；
苯乙烯、α-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯等单体与(甲基)丙烯酸、马来酸等酸单体的共聚物，或利用福尔马林使苯磺酸、萘磺酸等缩合而成的含有具有芳香族烃基的重复单元的聚合物及这些的盐；
聚乙烯醇、聚氧乙烯、聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙烯基吡啶、聚丙烯酰胺、聚乙烯基甲酰胺、聚乙烯亚胺、聚乙烯基恶唑啉、聚乙烯基咪唑、聚烯丙胺等乙烯系合成聚合物；
羟乙基纤维素、羧甲基纤维素、加工淀粉等天然多糖类的改性物等，
但并不限定于这些。作为化合物(B)，优选为水溶性高分子。这些化合物(B)可单独使用一种，也可组合使用两种以上。
作为化合物(B)的水溶性高分子可为均聚物，也可为使两种以上的单量体进行共聚合而成的共聚物。作为此种单量体，可使用具有羧基的单量体、具有磺酸基的单量体、具有羟基的单量体、具有聚环氧乙烷链的单量体、具有氨基的单量体、具有杂环的单量体等。
作为化合物(B)的水溶性高分子的重量平均分子量(Mw)优选为1千以上且150万以下，更优选为3千以上且120万以下。再者，所谓本说明书中的“重量平均分子量(Mw)”，是指利用凝胶渗透色谱法(Gel Permeation Chromatography，GPC)而测定的聚乙二醇换算的重量平均分子量。
作为化合物(B)的水溶性高分子也可调整半导体处理用组合物的粘度。本实施方式的半导体处理用组合物在25℃下的粘度优选为未满5mPa·s，更优选为4mPa·s以下，进而优选为2mPa·s以下，进而更优选为1.2mPa·s以下，特别优选为1mPa·s以下。若本实施方式的半导体处理用组合物在25℃下的粘度处于所述范围内，则在对半导体处理用组合物进行过滤并加以纯化时，可呈现充分的过滤速度，且可获得用以供于实用的充分的产量。另外，若半导体处理用组合物在25℃下的粘度处于所述范围内，则在使用半导体处理用组合物的处理步骤中，于在被处理体的表面存在凹凸的情形时，由于组合物可侵入至所述凹凸中而与凹凸表面接触来进行处理，因此也可更均匀地对被处理体的表面进行处理。若半导体处理用组合物在25℃下的粘度超出所述范围，则有时粘度变得过高，由此无法向被处理体稳定地供给半导体处理用组合物。在化合物(B)为水溶性高分子的情形时，半导体处理用组合物的粘度是由所添加的水溶性高分子的重量平均分子量或含量而大致决定，因此可一面考虑这些的平衡一面进行调整。
再者，所谓本说明书中的“半导体处理用组合物的粘度”，是指依据日本工业标准(Japanese Industrial Standards，JIS)K2283而测定的乌氏粘度。
本实施方式的半导体处理用组合物中的化合物(B)的含量可根据设置有含有钨的配线层的被处理体的CMP后的表面状态或所使用的CMP浆料的组成而适当变更。
进而，也可根据本实施方式的浓缩型的半导体处理用组合物的稀释程度而适当变更化合物(B)的含量。关于化合物(B)的含量，相对于将浓缩型的半导体处理用组合物稀释而制备的清洗剂或非稀释型的半导体处理用组合物100质量份，下限值优选为0.001质量份以上，更优选为0.01质量份以上，上限值优选为10质量份以下，更优选为1质量份以下。若化合物(B)的含量处于所述范围内，则促进将CMP浆料中所含的颗粒或有机残渣等污染物质自配线基板上去除的效果，因此容易获得更洁净的被处理面。
1.3.其他成分
本实施方式的半导体处理用组合物除所述成分及作为主成分的液状介质以外，也可视需要而含有钾或钠、有机酸、其他成分。
1.3.1.钾及钠
本实施方式的半导体处理用组合物可进而以既定的量比含有钾及钠。通常如日本专利特开2000-208451号公报等中所记载那样，在半导体的制造步骤中，将钠或钾等碱金属理解为应尽可能去除的杂质。然而，在本案发明中，颠覆了迄今为止的概念，判明了通过在设置有含有钨的配线层的被处理体的清洗步骤中，使用以既定的量比含有钾及钠的半导体处理用组合物，而有不使半导体特性大幅度地劣化，反而使处理特性进一步提高的效果。
在本实施方式的半导体处理用组合物含有钾及钠的情形时，关于钾及钠的含有比率，在将钾的含量设为MK(ppm)、将钠的含量设为MNa(ppm)时，优选为MK/MNa＝1×10-1～1×104，更优选为3×10-1～7×103，特别优选为5×10-1～5×103。可认为：若钾及钠的含有比率处于所述范围内，则在半导体处理步骤中，可有效地抑制在被处理面上所露出的钨被过剩蚀刻而溶出的情况。
在本实施方式的浓缩型的半导体处理用组合物含有钠的情形时，优选为含有1×10-6ppm～1×102ppm的钠，更优选为含有1×10-5ppm～5×101ppm的钠，特别优选为含有1×10-4ppm～5×100ppm的钠。另外，在本实施方式的浓缩型的半导体处理用组合物含有钾的情形时，优选为含有1×10-4ppm～5×103ppm的钾，更优选为含有5×10-4～3×103的钾，特别优选为含有1×10-3ppm～2×103ppm的钾。
在本实施方式的非稀释型的半导体处理用组合物含有钠的情形时，优选为含有1×10-8ppm～1×102ppm的钠，更优选为含有1×10-7ppm～5×101ppm的钠，特佳为含有1×10- 6ppm～5×100ppm的钠。另外，在本实施方式的非稀释型的半导体处理用组合物含有钾的情形时，优选为含有1×10-6ppm～5×103ppm的钾，更优选为含有5×10-6ppm～3×103ppm的钾，特别优选为含有1×10-5ppm～2×103ppm的钾。
可认为：在本实施方式的半导体处理用组合物中，通过以所述含有比率含有钾及钠，且钾及钠的含量处于所述范围内，可在处理步骤中，更有效地抑制在被处理面上所露出的钨被过剩地蚀刻而溶出的情况，并维持稳定的处理特性。
本实施方式的半导体处理用组合物可通过以水溶性盐的形式调配钾或钠，而使钾或钠含有于半导体处理用组合物中。作为此种水溶性盐，例如可使用钠或钾的氢氧化物、碳酸盐、铵盐、卤化物等。
再者，在本发明中，半导体处理用组合物中所含有的钾的含量MK(ppm)及钠的含量MNa(ppm)可通过使用感应耦合等离子体原子发射光谱分析法(Inductively CoupledPlasma-Atomic Emission Spectrometry，ICP-AES)、感应耦合等离子体质谱分析法(Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometry，ICP-MS)或原子吸收分光光度法(Atomic Absorption spectrophotometry，AA)对半导体处理用组合物进行定量而求出。作为ICP原子发射光谱分析装置，例如可使用“ICPE-9000(岛津制作所股份有限公司制造)”等。作为ICP质谱分析装置，例如可使用“ICPM-8500(岛津制作所股份有限公司制造)”、“易兰德加(ELAN DRC PLUS)(帕金艾尔玛(Perkin Elmer)公司制造)”等。作为原子吸光分析装置，例如可使用“AA-7000(岛津制作所股份有限公司制造)”、“ZA3000(日立高科技科学(Hitachi High-Tech Science)股份有限公司)”等。
再者，在含有钨作为配线材料的被处理体的CMP中，使用含有铁离子及过氧化物(过氧化氢、碘酸钾等)的CMP浆料。所述CMP浆料中所含的铁离子容易吸附于被处理体的表面，因此被研磨面容易受到铁污染。在所述情形时，通过使用本实施方式的含有钾及钠的半导体处理用组合物对被研磨面进行清洗，而在清洗步骤中促进钨酸钾或钨酸钠那样的易溶性盐的生成。可认为：由此可减少配线基板上的金属污染，可减少被处理体的损伤并且有效率地去除研磨残渣。
1.3.2.有机酸
本实施方式的半导体处理用组合物可含有有机酸。有机酸优选为具有一个以上的羧基、磺基等酸性基。再者，本发明中的“有机酸”为不包括所述化合物(B)的概念。
作为有机酸的具体例，可列举：柠檬酸、马来酸、苹果酸、酒石酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、乙二胺四乙酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、苯甲酸、苯基乳酸、羟基苯基乳酸、苯基琥珀酸、萘磺酸及这些的盐等。这些有机酸可单独使用一种，也可混合使用两种以上。
作为有机酸，也可使用氨基酸。作为氨基酸，可列举下述通式(3)所表示的化合物等。
[化2]
(所述通式(3)中，R4表示选自由氢原子、碳数1～10的烃基及具有杂原子的碳数1～20的有机基所组成的组群中的任一个)
作为所述通式(3)中的R4的碳数1～10的烃基，例如可列举：碳数1～10的饱和脂肪族烃基、碳数1～10的环状饱和烃基、碳数6～10的芳香族烃基等，这些中，优选为碳数1～10的饱和脂肪族烃基。
作为所述通式(3)中的R4的具有杂原子的碳数1～20的有机基，例如可列举：具有羧基的碳数1～20的烃基、具有羟基的碳数1～20的烃基、具有氨基的碳数1～20的烃基、具有巯基的碳数1～20的烃基、具有杂环的碳数1～20的有机基等，这些基也可进而含有氧、硫、卤素等杂原子，其一部分也可经其他取代基所取代。
作为所述通式(3)所表示的化合物，可列举：丙氨酸、精氨酸、天冬酰胺、天冬氨酸、半胱氨酸、谷氨酰胺、谷氨酸、甘氨酸、异亮氨酸、亮氨酸、赖氨酸、甲硫氨酸、苯丙氨酸、丝氨酸、苏氨酸、酪氨酸、缬氨酸、色氨酸、组氨酸、2-氨基-3-氨基丙酸等。这些氨基酸可单独使用一种，也可组合使用两种以上。
作为有机酸，也优选为使用下述通式(4)所表示的化合物。
[化3]
(所述通式(4)中，R5表示碳数1～20的有机基)
作为所述通式(4)中的R5的碳数1～20的有机基，例如可列举：碳数6～20的饱和脂肪族烃基、碳数6～20的不饱和脂肪族烃基、具有环状饱和烃基的碳数6～20的有机基、具有不饱和环状烃基的碳数6～20的有机基、具有羧基的碳数1～20的烃基、具有羟基的碳数1～20的烃基、具有氨基的碳数1～20的烃基、具有杂环基的碳数1～20的有机基等，其中，优选为具有不饱和环状烃基的碳数6～20的有机基或具有羧基的碳数1～20的烃基，特别优选为具有芳基的碳数6～20的有机基或羧基甲基。其中，所述通式(4)所表示的化合物是将所述通式(3)所表示的化合物除外。
作为所述通式(4)所表示的化合物的具体例，可列举羟基苯基乳酸、羟基丙二酸等，这些中，优选为羟基苯基乳酸。所述例示的化合物可单独使用一种，也可组合使用两种以上。
有机酸的含量可根据在CMP后的被处理体的表面上所露出的钨配线材料、氧化硅等绝缘材料、氮化钽或氮化钛等阻障金属材料等的材质或所使用的CMP浆料的组成而适当变更。
进而，也可根据本实施方式的浓缩型的半导体处理用组合物的稀释程度而适当变更有机酸的含量。关于有机酸的含量，相对于将浓缩型的半导体处理用组合物稀释而制备的清洗剂或非稀释型的半导体处理用组合物100质量份，下限值优选为0.0001质量份以上，更优选为0.0005质量份以上，上限值优选为1质量份以下，更优选为0.5质量份以下。若有机酸的含量处于所述范围内，则可有效地去除附着于配线材料表面的杂质。另外，可更有效地抑制过度蚀刻的进行，获得良好的被处理面。
1.3.3.液状介质
本实施方式的半导体处理用组合物为以液状介质为主成分的液体。作为液状介质，优选为以水为主成分的水系介质。作为此种水系介质，可列举：水、水及醇的混合介质、含有水及与水具有相溶性的有机溶剂的混合介质等。这些中，优选为使用水、水及醇的混合介质，更优选为使用水。
1.3.4.其他成分
本实施方式的半导体处理用组合物可适时含有必要的成分，例如可含有pH调整剂或表面活性剂等。
＜pH调整剂＞
本实施方式的半导体处理用组合物中，pH值的上限值优选为7以下，更优选为6以下，pH值的下限值优选为2以上。若半导体处理用组合物的pH值处于所述范围内，则促进含有钨的配线的腐蚀的抑制与有机残渣的去除效果的并存，容易获得更良好的被处理面。
在本实施方式的半导体处理用组合物中，在无法通过添加所述化合物(A)或有机酸而获得所需的pH值的情形时，也可为了将pH值调整至所述范围内而另行添加pH调整剂。作为pH调整剂，例如可列举：磷酸、硝酸、硫酸等无机酸；氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铷、氢氧化铯等碱金属的氢氧化物；氨等碱性化合物。这些pH调整剂可单独使用一种，也可混合使用两种以上。
＜表面活性剂＞
作为表面活性剂，可适时使用公知的成分，可优选地使用非离子性表面活性剂或阴离子性表面活性剂。通过添加表面活性剂，有时将CMP浆料中所含的颗粒或金属杂质自配线基板上去除的效果提高，可获得更良好的被处理面。
作为非离子性表面活性剂，例如可列举：聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯鲸蜡基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯油基醚等聚氧乙烯烷基醚；聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚等聚氧乙烯芳基醚；山梨醇酐单月桂酸酯、山梨醇酐单棕榈酸酯、山梨醇酐单硬脂酸酯等山梨醇酐脂肪酸酯；聚氧乙烯山梨醇酐单月桂酸酯、聚氧乙烯山梨醇酐单棕榈酸酯、聚氧乙烯山梨醇酐单硬脂酸酯等聚氧乙烯山梨醇酐脂肪酸酯等。所述例示的非离子性表面活性剂可单独使用一种，也可混合使用两种以上。
作为阴离子性表面活性剂，例如可列举：十二烷基苯磺酸等烷基苯磺酸；烷基萘磺酸；月桂基硫酸等烷基硫酸酯；聚氧乙烯月桂基硫酸等聚氧乙烯烷基醚的硫酸酯；萘磺酸缩合物；烷基亚氨基二羧酸；木质素磺酸等。这些阴离子性表面活性剂也能以盐的形态使用。在所述情形时，作为抗衡阳离子，例如可列举钠离子、钾离子、铵离子等，就防止过剩地含有钾或钠的观点而言，优选为铵离子。
在含有钨作为配线材料的被处理体的CMP中，使用含有铁离子及过氧化物(过氧化氢、碘酸钾等)的CMP浆料。所述CMP浆料中所含的铁离子容易吸附于被处理体的表面，因此被处理体的表面容易受到铁污染。在所述情形时，铁离子带正电，因此有时通过在半导体处理用组合物中添加阴离子性表面活性剂，可将被处理体表面的铁污染有效地去除。
表面活性剂的含量可根据在CMP后的被处理体的表面上所露出的钨等金属配线材料、氧化硅等绝缘材料、氮化钽或氮化钛等阻障金属材料等的材质或所使用的CMP浆料的组成而适当变更。
进而，也可根据本实施方式的浓缩型的半导体处理用组合物的稀释程度而适当变更表面活性剂的含量。相对于将浓缩型的半导体处理用组合物稀释而制备的清洗剂或非稀释型的半导体处理用组合物100质量份，表面活性剂的含量优选为0.001质量份以上且1质量份以下。若表面活性剂的含量在所述范围内，则在CMP结束后的处理步骤中，可自设置有含有钨的配线层的被处理体有效率地去除CMP浆料中所含的颗粒或金属杂质。
1.3.半导体处理用组合物的制备方法
本实施方式的半导体处理用组合物并无特别限制，可通过使用公知的方法而制备。具体而言，可通过使所述各成分溶解于水或有机溶剂等液状介质中并进行过滤而制备。所述各成分的混合顺序或混合方法并无特别限制。
本实施方式的半导体处理用组合物的制备方法中，优选为视需要而利用深(depth)型过滤器或折叠式过滤器进行过滤来控制粒子量。此处所谓深型过滤器，为也被称为深层过滤或体积过滤型的过滤器的高精度过滤过滤器。此种深型过滤器有呈使形成有多数个孔的过滤膜层叠而成的层叠结构的过滤器、或缠绕有纤维束的过滤器等。作为深型过滤器，具体可列举：普罗法(Profile)II、奈克西斯(Nexis)NXA、奈克西斯(Nexis)NXT、宝理凡(Polyfine)XLD、奥奇普利茨普罗法(Ultipleat Profile)等(全部为日本颇尔(PallJapan)公司制造)，深滤芯(depth cartridge filter)、绕线滤芯(wynd cartridgefilter)等(全部为爱多邦得科(Advantec)公司制造)，CP过滤器、BM过滤器等(全部为智索(Chisso)公司制造)，斯洛浦皮亚(Slope-Pure)、迪亚(Dia)、微西莉亚(Microsyria)等(全部为洛奇技术(Roki Techno)公司制造)等。
作为折叠式过滤器，可列举：将包含不织布、滤纸、金属丝网等的微滤膜片折叠加工后，成形为筒状并且将所述片的折褶的接缝液密地密封，且将筒的两端液密地密封所得的筒状的高精度过滤过滤器。具体可列举：HDCII、宝理凡(Polyfine)II等(全部为日本颇尔(Pall Japan)公司制造)，PP打褶滤芯(PP pleated cartridge filter)(爱多邦得科(Advantec)公司制造)，保拉斯凡(Porous Fine)(智索(Chisso)公司制造)，沙敦宝(SartonPore)、微纯净(Micropure)等(全部为洛奇技术(Roki Techno)公司制造)等。
过滤器优选为使用标称过滤精度为0.01μm～20μm的过滤器。通过使用标称过滤精度为所述范围的过滤器，可高效率地获得利用颗粒计数器进行测定时的每1mL中的粒径20μm以上的粒子数为0个的滤液。另外，因过滤器中捕捉的粗大粒子的个数成为最小限度，因此过滤器的可使用期间延长。
2.清洗剂
所谓本发明中的“清洗剂”，为通过在所述浓缩型的半导体处理用组合物中添加液状介质进行稀释而制备的清洗剂或所述非稀释型的半导体处理用组合物本身，且是指实际对被处理面进行清洗时所使用的液剂。所述浓缩型的半导体处理用组合物通常是以各成分经浓缩的状态而存在。因此，各使用者可适当利用液状介质将所述浓缩型的半导体处理用组合物稀释而制备清洗剂，或将非稀释型的半导体处理用组合物直接用作清洗剂。
此处用于稀释的液状介质与所述半导体处理用组合物中所含有的液状介质为相同含义，可自所述例示的液状介质中适当选择。
作为向浓缩型的半导体处理用组合物中添加液状介质进行稀释的方法，有以下方法：使供给浓缩型的半导体处理用组合物的配管与供给液状介质的配管在中途合流而混合，将所述所混合的清洗剂供给于被处理面。所述混合可采用以下方法：在施加压力的状态下通过狭窄的通路使液体彼此碰撞混合的方法；在配管中填塞玻璃管等填充物而反复进行使液体的流动分流分离、合流的方法；在配管中设置通过动力而旋转的叶片的方法等通常进行的方法。
另外，在浓缩型的半导体处理用组合物中添加液状介质进行稀释的其他方法有以下方法：独立地设置供给浓缩型的半导体处理用组合物的配管与供给液状介质的配管，自各配管将既定量的液体供给于被处理面，在被处理面上混合。进而，在浓缩型的半导体处理用组合物中添加液状介质进行稀释的其他方法有以下方法：在一个容器中加入既定量的浓缩型的半导体处理用组合物与既定量的液状介质并进行混合后，将所述经混合的清洗剂供给于被处理面。
关于在浓缩型的半导体处理用组合物中添加液状介质进行稀释时的稀释倍率，优选为添加液状介质而将浓缩型的半导体处理用组合物1质量份稀释至1质量份～500质量份(1倍～500倍)，更优选为稀释至20质量份～500质量份(20倍～500倍)，特别优选为稀释至30质量份～300质量份(30倍～300倍)。再者，优选为利用与所述浓缩型的半导体处理用组合物中所含有的液状介质相同的液状介质进行稀释。通过如此那样将半导体处理用组合物设为经浓缩的状态，与将清洗剂直接搬送并保管的情形相比较，可利用更小型的容器进行搬送或保管。结果，可降低搬送或保管的成本。另外，与进行直接将清洗剂过滤等操作等而进行纯化的情形相比，变得对更少量的清洗剂进行纯化，因此可缩短纯化时间，由此可进行大量生产。
3.处理方法
本发明的一实施方式的处理方法包括以下步骤：使用所述半导体处理用组合物(所述清洗剂)，对包含钨的配线基板进行处理。以下，对于本实施方式的处理方法的一例，一面使用附图一面加以详细说明。
＜配线基板的制作＞
图1为示意性地表示本实施方式的处理方法中所使用的配线基板的制作工艺的剖面图。所述配线基板是通过经过以下的工艺而形成。
图1为示意性地表示CMP处理前的被处理体的剖面图。如图1所示，被处理体100具有基体10。基体10例如可包含硅基板及形成于其上的氧化硅膜。进而，基体10上，虽未图示，但也可形成有晶体管等功能元件。
被处理体100是在基体10上依序层叠设有配线用凹部20的绝缘膜12、以将绝缘膜12的表面以及配线用凹部20的底部及内壁面覆盖的方式设置的阻障金属膜14、及填充配线用凹部20且形成于阻障金属膜14上的钨膜16而构成。
作为绝缘膜12，例如可列举：利用真空工艺所形成的氧化硅膜(例如等离子体增强四乙氧基硅烷膜(Plasma Enhanced-Tetraethoxysilane film，PETEOS膜)、高密度等离子体增强四乙氧基硅烷膜(High Density Plasma Enhanced-TEOS film，HDP膜)、利用热化学气相蒸镀法所得的氧化硅膜等)、被称为掺氟的硅酸盐玻璃(Fluorine-doped silicateglass，FSG)的绝缘膜、硼磷硅酸盐玻璃膜(Boro Phospho Silicate Glass film，BPSG膜)、被称为SiON(氮氧化硅(Silicon oxynitride))的绝缘膜、氮化硅(Siliconnitride)等。
作为阻障金属膜14，例如可列举钽、钛、钴、钌、锰及这些的化合物等。阻障金属膜14大多情况下是由这些的一种所形成，也可并用钛与氮化钛等两种以上。
钨膜16必须如图1所示那样完全填埋配线用凹部20。为此，通常利用化学蒸镀法、物理蒸镀法或原子层堆积法而使的钨膜堆积。
继而，利用CMP对图1的被处理体100中埋没于配线用凹部20中的部分以外的钨膜16进行高速研磨直至阻障金属膜14露出为止(第1研磨步骤)。进而，利用CMP对于表面露出的阻障金属膜14进行研磨(第2研磨步骤)。如此而获得图2所示那样的配线基板200。
＜配线基板的处理＞
继而，使用所述清洗剂对图2中所示的配线基板200的表面(被处理面)进行处理。根据本实施方式的处理方法，在对CMP结束后的配线材料及阻障金属材料在表面共存的配线基板进行处理时，可抑制配线材料及阻障金属材料的腐蚀，并且有效率地去除配线基板上的氧化膜或有机残渣。
本实施方式的处理方法若在使用日本专利特开平10-265766号公报等中记载的含有铁离子及过氧化物的组合物(芬顿试剂(Fenton's reagent))对含有钨作为配线基板的配线材料的所述配线基板进行化学机械研磨后进行，则非常有效。在设置有包含钨的配线的被处理体的CMP中，多使用含有铁离子及过氧化物(过氧化氢、碘酸钾等)的CMP浆料。所述CMP浆料中所含的铁离子容易吸附于被处理体的表面，因此被处理体的表面容易受到铁污染。在所述情形时，可通过使用稀氢氟酸对被处理体的表面进行处理而去除铁污染，但被研磨面的表面被蚀刻而容易受到损伤。然而，所述半导体处理用组合物含有化合物(A)及化合物(B)，在处理步骤中，化合物(A)与铁离子经由化合物(A)的三级氨基的非共用电子对键结，并通过淋洗而被冲洗。可认为：由此可减少配线基板上的金属污染，且可减少被处理体的损伤并且有效率地去除研磨残渣。
作为处理方法，并无特别限制，可通过使所述清洗剂与配线基板200直接接触的方法而进行。作为使清洗剂与配线基板200直接接触的方法，可列举：在清洗槽中充满清洗剂并使配线基板浸渍的浸渍式；一面自喷嘴使清洗剂流下至配线基板上，一面使配线基板高速旋转的旋涂式；对配线基板喷雾清洗剂而进行清洗的喷射式等方法。另外，作为用以进行此种方法的装置，可列举：对收容于匣盒内的多片配线基板同时进行处理的批次式处理装置、将一片配线基板安装于固持器上并进行处理的单片式处理装置等。
在本实施方式的处理方法中，清洗剂的温度通常是设为室温，也可在不损及性能的范围内加温，例如也可加温至40℃～70℃左右。
另外，除了所述的使清洗剂与配线基板200直接接触的方法以外，也优选为并用利用物理力的处理方法。由此，由附着于配线基板200上的颗粒所致的污染的去除性提高，可缩短处理时间。作为利用物理力的处理方法，可列举使用清洗毛刷的擦除清洗或超声波清洗。
进而，理想的是在利用本实施方式的处理方法进行的清洗之前和/或之后，利用超纯水或纯水进行清洗。
4.实施例
以下，通过实施例对本发明加以说明，但本发明丝毫不限定于这些实施例。再者，本实施例中的“份”及“％”只要无特别说明，则为质量基准。
4.1.实施例1
4.1.1.半导体处理用组合物(浓缩型)的制备
向聚乙烯制容器中以成为表1中所示的含有比例的方式添加各成分，加入适量的离子交换水并搅拌15分钟。视需要而向所述混合物中以所有构成成分的合计量成为100质量份的方式添加离子交换水、氢氧化钾及氢氧化钠，并以成为表1中所示的pH值、K含量、Na含量的方式制备组合物。
4.1.2.评价试验
＜腐蚀性评价＞
关于含有钨的配线的腐蚀性，可通过对将钨膜晶片浸渍于清洗剂中时的蚀刻速度进行比较评价来判断优劣。可判断为蚀刻速度越低，含有钨的配线的腐蚀性越小。
将爱多邦得科(Advantec)公司制造的钨膜晶片切成5cm见方并设为试验片。将所述试验片在清洗剂中且在45℃下浸渍1小时后，进行水洗、干燥处理，所述清洗剂是通过以成为表1中记载的稀释倍率的方式添加离子交换水来稀释所述制备的半导体处理用组合物(浓缩型)而制备。测定浸渍前后的试验片的重量，并根据钨密度19.25g/cm3与钨膜晶片的面积(5cm×5cm)而算出经蚀刻的钨膜厚度，并对钨的蚀刻速度进行评价。将其结果示于表1中。再者，评价基准如下所述。
(评价基准)
关于蚀刻速度，
·在为未满的情形时，腐蚀性极低，因此非常良好。
·在为以上且未满的情形时，腐蚀性低，因此可使用。
·在为以上的情形时，腐蚀性高，因此不良。
4.2.实施例2、实施例5、实施例6
将所使用的半导体处理用组合物变更为表1中记载的组成，并以成为表1中记载的稀释倍率的方式添加离子交换水来制备清洗剂，除此以外，与实施例1同样地进行评价。
4.3.比较例6
将所使用的半导体处理用组合物变更为表1中记载的组成，并以成为表1中记载的稀释倍率的方式添加离子交换水，除此以外，与实施例1同样地制备清洗剂。在腐蚀性评价中，使用直径200mm的爱多邦得科(Advantec)公司制造的铜膜晶片。将所述晶片在所述制备的清洗剂中且在23℃下浸渍1小时后，进行水洗、干燥处理。使用四探针法片电阻测定器OmniMap RS75(科磊(KLA-Tencor)公司制造)来测定浸渍前后的膜厚，并算出铜膜的蚀刻速度。将其结果示于表1中。
4.4.比较例7
将所使用的半导体处理用组合物变更为表1中记载的组成，并以成为表1中记载的稀释倍率的方式添加离子交换水，除此以外，与实施例1同样地制备清洗剂。在腐蚀性评价中，使用直径200mm的先进材料技术(Advanced Material Technology)公司制造的钴膜晶片。将所述晶片在所述制备的清洗剂中且在23℃下浸渍1小时后，进行水洗、干燥处理。使用四探针法片电阻测定器OmniMap RS75(科磊(KLA-Tencor)公司制造)来测定浸渍前后的膜厚，并算出钴膜的蚀刻速度。将其结果示于表1中。
4.5.实施例3、实施例4、实施例7及比较例1～比较例5
4.5.1.半导体处理用组合物(非稀释型)的制备及评价
向聚乙烯制容器中以成为表1中所示的含有比例的方式添加各成分，加入适量的离子交换水并搅拌15分钟。视需要而向所述混合物中以所有构成成分的合计量成为100质量份的方式添加离子交换水、氢氧化钾及氢氧化钠，并以成为表1中所示的pH值、K含量、Na含量的方式制备半导体处理用组合物。
除将以所述方式获得的半导体处理用组合物(非稀释型)直接用作清洗剂以外，与实施例1同样地进行评价。
4.6.实施例8
4.6.1.半导体处理用组合物的制备
与实施例1同样地制备半导体处理用组合物。
4.6.2.钨基板的清洗试验
(1)化学机械研磨步骤
使用荏原制作所股份有限公司制造的化学机械研磨装置“EPO112”，在下述条件下对爱多邦得科(Advantec)公司制造的钨膜晶片实施一阶段化学机械研磨。
＜研磨条件＞
·化学机械研磨用水系分散体：卡博特(Cabot)(股)制造，“W2000”(含有铁离子及过氧化氢的浆料)
·研磨垫：罗德尔-霓达(Rodel·Nitta)(股)制造，“IC1000/SUBA400”
·压盘转速：70rpm
·研磨头转速：71rpm
·研磨头负重：50g/cm2
·化学机械研磨用水系分散体供给速度：200mL/min
·研磨时间：150秒
(2)清洗步骤
对于所述获得的研磨后的基板表面，向所述制成的半导体处理用组合物中以成为表2中记载的稀释倍率的方式添加超纯水(粒径0.3μm以上的颗粒为10个/mL以下，pH值＝6.5)进行稀释，由此制备清洗剂，并在下述条件下供于压盘上清洗。其后，在下述条件下供于毛刷擦除清洗。其后，在下述条件下供于淋洗清洗。
＜压盘上清洗＞
·清洗剂：所述制备的清洗剂
·研磨头转速：71rpm
·研磨头负重：100g/cm2
·压盘转速：70rpm
·清洗剂供给速度：300mL/min
·清洗时间：30秒
＜毛刷擦除清洗＞
·清洗剂：所述制备的清洗剂
·上部毛刷转速：100rpm
·下部毛刷转速：100rpm
·基板转速：100rpm
·清洗剂供给量：300mL/min
·清洗时间：30秒
＜淋洗清洗＞
·清洗剂：超纯水
·上部毛刷转速：100rpm
·下部毛刷转速：100rpm
·基板转速：100rpm
·清洗剂供给量：300mL/min
·清洗时间：10秒
4.6.3.评价试验
＜可靠性评价＞
对于所述获得的清洗后的1000片钨膜晶片的表面，使用晶片缺陷检查装置(科磊(KLA-Tencor)公司制造，型号“KLA2351”)，针对在所述清洗步骤中无法去除的颗粒或成为金属污染的原因的微粒子缺陷，对整个被研磨面中的缺陷数进行计测。将所述晶片整个表面中的缺陷数多于250个的情形视为不良。对1000片中成为不良的晶片数进行计数，由此对清洗剂的可靠性进行评价。将其结果示于表2中。评价基准如下所述。
(评价基准)
关于1000片中成为不良的晶片的数量，
·在为50片以下的情形时，判断为非常良好并表述作“◎”；
·在多于50片且为100片以下的情形时，判断为可使用并表述作“○”；
·在多于100片的情形时，判断为不良并表述作“×”。
4.7.实施例9～实施例14及比较例8～比较例9
将半导体处理用组合物变更为表2中记载的组成，并制成表2中记载的组成的清洗剂，除此以外，与实施例8同样地进行配线基板的清洗试验及评价试验。
4.8.评价结果
将各半导体处理用组合物的组成及它们的评价结果示于以下的表1、表2中。
在上文的表1、表2中，各成分的数值表示质量份。在各实施例及各比较例中，各成分的合计量为100质量份，剩余部分为离子交换水。另外，对上文的表1、表2中的下述成分进行补充说明。
＜化合物(A)＞
·2,4,6-三(二甲基氨基甲基)苯酚：化药阿克苏(KAYAKU AKZO)股份有限公司制造，商品名“TAP”
·1,8-二氮杂双环(5,4,0)十一烯-7：桑阿普隆(SAN-APRO)股份有限公司制造，商品名“DBU”
·1,1,4,7,10,10-六甲基三乙四胺：广荣化学工业股份有限公司制造，商品名“六甲基三乙四胺”
＜化合物(B)＞
·丙二醇(SP值：14.7)：和光纯药工业股份有限公司制造
·环丁砜(SP值：12.1)：三协化学股份有限公司制造
·聚丙烯酸(Mw＝55,000、SP值：14.0)：东亚合成股份公司制造，商品名“朱丽马(Julimar)AC-10L”
·聚乙烯基吡咯烷酮(Mw＝45,000、SP值：12.1)：第一工业制药股份有限公司制造，商品名“匹茨克鲁(Pitzcol)K-30”
＜酸＞
·磷酸：拉莎(RASA)工业股份有限公司制造
·酒石酸：东京化成工业股份有限公司制造
＜碱＞
·单乙醇胺：林纯药工业股份有限公司制造
·胆碱：多摩化学工业股份有限公司制造
·氨：三菱瓦斯化学股份有限公司制造
根据上文的表1而明确得知：实施例1～实施例7的半导体处理用组合物的钨腐蚀耐性优异，因此对于抑制对被处理体的含有钨的配线等造成的损伤而言有用。
根据上文的表2而明确得知：根据使用实施例8～实施例14的半导体处理用组合物的清洗方法，在使用含有铁离子及过氧化物的化学机械研磨用组合物对钨膜晶片进行化学机械研磨后，对所述钨膜晶片进行清洗，由此可抑制对钨膜晶片造成的由腐蚀所引起的损伤，且可自钨膜晶片的表面有效率地去除污染。
本发明不限定于所述实施方式，可进行各种变形。例如，本发明包括与实施方式中说明的构成实质上相同的构成(例如功能、方法及结果相同的构成，或目的及效果相同的构成)。另外，本发明包括将实施方式中说明的构成的非本质部分替换而成的构成。另外，本发明包括发挥与实施方式中说明的构成相同的作用效果的构成或可达成相同目的的构成。另外，本发明包括对实施方式中说明的构成附加公知技术所得的构成。
符号的说明
10：基体
12：绝缘膜
14：阻障金属膜
16：钨膜
20：配线用凹部
100：被处理体
200：配线基板

Claims (17)

1.一种处理方法，其包括如下步骤：
在使用含有铁离子及过氧化物的组合物对含有钨作为配线材料的配线基板进行化学机械研磨后，
使用半导体处理用组合物进行处理的步骤，所述半导体处理用组合物含有具有两个以上的选自由三级氨基及其盐所组成的群组中的至少一种基的化合物(A)与溶解参数为10以上的水溶性化合物(B)，且pH值为2～7。
2.根据权利要求1所述的处理方法，其进而包括将所述半导体处理用组合物稀释至20倍～500倍的步骤。
3.根据权利要求1或2所述的处理方法，其进而包括将所述半导体处理用组合物在25℃下的粘度调整为5mPa.s以下的步骤。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的处理方法，其进而包括利用深型过滤器或折叠式过滤器对所述半导体处理用组合物进行过滤的步骤。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的处理方法，其中使用所述半导体处理用组合物进行处理的手段为如下任一手段：在清洗槽中充满所述半导体处理用组合物并使所述配线基板浸渍的浸渍式；一面自喷嘴使所述半导体处理用组合物流下至所述配线基板上，一面使所述配线基板高速旋转的旋涂式；或对所述配线基板喷雾所述半导体处理用组合物而进行清洗的喷射式。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的处理方法，其中作为使用所述半导体处理用组合物进行处理的手段，进而包含利用物理力的处理手段。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的处理方法，其进而包括使用超纯水或纯水对所述配线基板进行清洗的步骤。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的处理方法，其中所述水溶性化合物(B)为水溶性高分子。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的处理方法，其中所述半导体处理用组合物进而含有选自由有机酸及磷酸所组成的群组中的至少一种。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的处理方法，其中所述半导体处理用组合物含有钾及钠，
在将所述半导体处理用组合物中的所述钾的含量设为MK(ppm)、将所述半导体处理用组合物中的所述钠的含量设为MNa(ppm)时，MK/MNa＝1×10-1～1×104。
11.一种半导体处理用组合物，其为经浓缩的半导体处理用组合物，且含有：
具有两个以上的选自由三级氨基及其盐所组成的群组中的至少一种基的化合物(A)、与
溶解参数为10以上的水溶性化合物(B)，
pH值为2～7，并且
用以对设置有含有钨的配线的被处理体表面进行处理。
12.根据权利要求11所述的半导体处理用组合物，其是稀释至1倍～500倍而使用。
13.一种半导体处理用组合物，其是不加以稀释而使用，且含有：
具有两个以上的选自由三级氨基及其盐所组成的群组中的至少一种基的化合物(A)、与
溶解参数为10以上的水溶性化合物(B)，
pH值为2～7，并且
用以对设置有含有钨的配线的被处理体表面进行处理。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的半导体处理用组合物，其中所述水溶性化合物(B)为水溶性高分子。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的半导体处理用组合物，其进而含有有机酸。
16.根据权利要求11至15中任一项所述的半导体处理用组合物，其进而含有钾及钠，
在将半导体处理用组合物中的所述钾的含量设为MK(ppm)、将半导体处理用组合物中的所述钠的含量设为MNa(ppm)时，MK/MNa＝1×10-1～1×104。
17.根据权利要求11至16中任一项所述的半导体处理用组合物，其在25℃下的粘度未满5mPa.s。
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