CN109843992A - 含填料膜 - Google Patents

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CN109843992A CN201780063855.0A CN201780063855A CN109843992A CN 109843992 A CN109843992 A CN 109843992A CN 201780063855 A CN201780063855 A CN 201780063855A CN 109843992 A CN109843992 A CN 109843992A
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    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/29344—Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/29355—Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/29357—Cobalt [Co] as principal constituent
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    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29364—Palladium [Pd] as principal constituent
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    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
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    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
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    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Abstract

各向异性导电膜等的含填料膜10A具备填料分散层3，所述填料分散层3具有：树脂层2、在树脂层2中以单层分散的由填料1A构成的第一填料层、和在与第一填料层不同的深度在树脂层2中以单层分散的由填料1B构成的第二填料层。第一填料层的填料1A从树脂层2的一侧表面2a露出、或接近于该表面2a，第二填料层的填料1B从树脂层2的另一侧表面2b露出、或接近于该表面2b。

Description

含填料膜
技术领域
本发明涉及各向异性导电膜等的含填料膜。
背景技术
在树脂层中分散有填料的含填料膜被用于消光膜、电容器用膜、光学膜、标签用膜、抗静电用膜、各向异性导电膜等多种多样的用途(专利文献1、专利文献2、专利文献3、专利文献4)。
作为含填料膜的一个方案，例如，各向异性导电膜被广泛用于IC芯片等的电子部件的安装。从将各向异性导电膜应对高安装密度的观点出发，在各向异性导电膜中，使导电粒子高密度地分散于其绝缘性树脂层中。然而，若过度提高导电粒子的个数密度，则在使用各向异性导电膜的电子部件彼此的连接结构体中容易发生短路。
对此，有人提出了：在制造各向异性导电膜时，使用凹版涂布机等的在表面具有规则性沟的涂布辊，将含有导电粒子的树脂液涂布于绝缘性树脂层或剥离膜上，使导电粒子在绝缘性树脂层以单层规则排列的方法(专利文献5)。另外提出了：使用转印模，将以规定的配置分散的导电粒子分别转印于第一绝缘性树脂层和第二绝缘性树脂层上，使转印有导电粒子的第一绝缘性树脂层和第二绝缘性树脂层贴合，在各向异性导电膜的不同深度形成规则排列有导电粒子的第一导电粒子层和第二导电粒子层的方法(专利文献6)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-15680号公报；
专利文献2：日本特开2015-138904号公报；
专利文献3：日本特开2013-103368号公报；
专利文献4：日本特开2014-183266号公报；
专利文献5：日本特开2016-31888号公报；
专利文献6：日本特开2015-201435号公报。
发明内容
发明所要解决的课题
根据专利文献5所记载的各向异性导电膜的制造方法，由于导电粒子规则排列，因此即使提高导电粒子的个数密度，与导电粒子无规地配置的情况下相比，短路的易发性也降低。然而，由于导电粒子在各向异性导电膜的单面以单层配置，因此在提高个数密度的情况下使导电粒子精确地排列以便不引起短路是有限的。
根据专利文献6所记载的各向异性导电膜的制造方法，由于使导电粒子分别保持在第一绝缘性树脂层和第二绝缘性树脂层上，因此可以提高作为各向异性导电膜整体的导电粒子的个数密度，且抑制短路的发生。然而，按照在此所记载的各向异性导电膜的制造方法，将固化性树脂用于第一绝缘性树脂层和第二绝缘性树脂层，通过其固化使导电粒子保持在这些树脂层上，若将第一绝缘性树脂层和第二绝缘性树脂层贴合，则有降低各向异性导电膜表面的粘性的担忧，且在进行将各向异性导电膜贴合于电子部件的临时粘贴、或将各向异性导电膜低温压接于电子部件并固定于物品的临时压接时的操作性降低。
对此，本发明的课题在于：在以各向异性导电膜为代表的含填料膜中，通过在不同的深度具有第一填料层和第二填料层，可以提高填料的个数密度而提高功能性(例如，应对于高密度安装)。具体而言，课题在于：在将含填料膜作为各向异性导电膜构成的情况下，为了在电子部件彼此的连接结构体中抑制短路的发生、提高连接可靠性、而且提高在各向异性导电膜等的含填料膜的临时粘贴或临时压接的操作性，而对膜表面赋予粘性。
用于解决课题的手段
本发明人发现：通过在树脂层的不同的深度设置第一填料层和第二填料层来制造提高填料的个数密度的同时、特别是作为含填料膜的一个方案的各向异性导电膜的情况下抑制短路的发生的含填料膜时，若通过在树脂层的正反两面压入填料，将第一填料层设置成从树脂层的一侧表面露出或在其表面附近、同时将第二填料层设置成从树脂层的另一侧表面露出或在其表面附近，则导电粒子在各向异性导电连接的电子部件的端子上变得容易被捕捉而提高连接可靠性，而且也容易确保膜表面的粘性，从而想到了本发明。如此，通过在两面具备填料，可有助于赋予或提高含填料膜的性能、稳定品质和降低成本。
即，本发明提供含填料膜，其是具备填料分散层的含填料膜，所述填料分散层具有：树脂层、在该树脂层中以单层分散的由填料构成的第一填料层、和在与第一填料层不同的深度在该树脂层中以单层分散的由填料构成的第二填料层，
第一填料层的填料从树脂层的一侧表面露出、或接近于该一侧表面，
第二填料层的填料从树脂层的另一侧表面露出、或接近于该另一侧表面。特别是本发明提供：作为含填料膜的一个优选方案，填料为导电粒子、树脂层为绝缘性树脂层、用作各向异性导电膜的含填料膜。
另外，本发明提供上述含填料膜的制造方法，所述制造方法的特征在于，在树脂层的一侧表面使填料以规定的分散状态保持，并将该填料压入树脂层，在树脂层的另一侧表面也使另外的填料以规定的分散状态保持，并将该填料压入树脂层。
另外，本发明提供：膜粘贴体，其中，在物品上粘贴有上述的含填料膜；连接结构体，其中，将第一物品和第二物品经由上述的含填料膜进行连接，特别是下述的连接结构体，其中，第一电子部件和第二电子部件经由用作各向异性导电膜的含填料膜进行各向异性导电连接。而且，本发明提供连接结构体的制造方法，其中，将第一物品和第二物品经由上述的含填料膜进行压接；以及下述的连接结构体的制造方法，其中，第一物品、第二物品分别为第一电子部件、第二电子部件，将第一电子部件和第二电子部件经由用作各向异性导电膜的含填料膜进行热压接，由此制造第一电子部件和第二电子部件进行各向异性导电连接的连接结构体。
发明效果
根据作为本发明的含填料膜的一个方案的各向异性导电膜，由于填料从树脂层的正反各表面露出或接近于表面而存在，因此在作为各向异性导电膜构成的情况下，导电粒子容易被捕捉在各向异性导电连接的电子部件的端子上。因此，提高连接可靠性。
另外，与膜整体的填料的个数密度相比，第一填料层的个数密度和第二填料层的个数密度分别为较低。因此，即使填料在膜整体中以高密度存在，由此也可以避免使膜表面的粘性降低的担忧。而且，根据本发明的各向异性导电膜等的含填料膜，由于未必需要将填料固定于树脂层以使树脂层固化，由此也可以在膜表面上确保粘性。除了粘性的改善之外，通过不仅在含填料膜的单面的表面而且在两面具备填料，也可以期待赋予与仅在单面的表面具备填料的情况不同的功能性。
而且，通过使第一填料层的个数密度和第二填料层的个数密度分别低于膜整体的填料的个数密度，使得精确地控制各自的填料层中的填料的配置变得容易，且即使作为各向异性导电膜等的含填料膜整体的膜的配置间距窄，也可以将填料精确地配置成规定的配置。因此，结合上述的捕捉性的提高也适合于细间距的连接，例如，可以用于端子宽度为6μm~50μm、端子间间隔为6μm~50μm的电子部件的连接。另外，如果有效连接端子宽度(连接时相向的一对端子的宽度中，俯视下重叠部分的宽度)为3μm以上、最短端子间距离为3μm以上，则可以在不引起短路的情况下连接电子部件。另外，作为其他方案，例如有光学膜，但通过调整填料的树脂层中的厚度方向和俯视下的不接触而独立的个数比例，可以调整填料的光学性能。消光膜等与外观直接关联的膜也可以同样说明。由于可以对其在两面进行调整，因此容易有助于提高性能或品质和降低成本。
附图简述
[图1A] 图1A是显示实施例的含填料膜(作为其一个方案的各向异性导电膜)10A的填料(导电粒子)的配置的平面图。
[图1B] 图1B是实施例的含填料膜10A的截面图。
[图2] 图2是第一填料层的填料与第二填料层的填料的埋入率大约为100％、且填料从树脂层表面露出的含填料膜的截面图。
[图3] 图3是第一填料层的填料与第二填料层的填料的埋入率大约为100％、且以使树脂层的表面为平坦的方式将填料埋入树脂层的含填料膜的截面图。
[图4] 图4是填料的埋入率稍微超过100％、且填料的正上方的树脂层的表面存在凹陷的含填料膜的截面图。
[图5A] 图5A是显示实施例的含填料膜(作为其一个方案的各向异性导电膜)10B的填料(导电粒子)的配置的平面图。
[图5B] 图5B是实施例的含填料膜10B的截面图。
[图6] 图6是用含填料膜10A将电子部件进行各向异性导电连接时的截面图。
[图7A] 图7A是显示实施例的含填料膜(作为其一个方案的各向异性导电膜)10C的填料(导电粒子)的配置的平面图。
[图7B] 图7B是实施例的含填料膜10C的截面图。
[图8A] 图8A是显示实施例的含填料膜(作为其一个方案的各向异性导电膜)10D的填料(导电粒子)的配置的平面图。
[图8B] 图8B是实施例的含填料膜10D的截面图。
[图9] 图9是显示各向异性导电连接前后的填料单元1C的配置的平面图。
[图10] 图10是使用含填料膜10D将电子部件进行各向异性导电连接而得的连接结构体的截面图。
[图11A] 图11A是具有第二树脂层的含填料膜(作为其一个方案的各向异性导电膜)10E的截面图。
[图11B] 图11B是具有第二树脂层的含填料膜(作为其一个方案的各向异性导电膜)10F的截面图。
[图11C] 图11C是具有第二树脂层的含填料膜(作为其一个方案的各向异性导电膜)10G的截面图。
[图12] 图12是具有第二树脂层的含填料膜(作为其一个方案的各向异性导电膜)10的制造方法的工序说明图。
具体实施方式
以下，对本发明的含填料膜，以作为其一个方案的各向异性导电膜为主，边参照附图边进行详细地说明。需说明的是，各图中，相同符号表示相同或者同等的构成要素。
＜含填料膜的整体构成＞
图1A是说明本发明的一个实施例的含填料膜10A的填料配置的平面图，图1B是其X-X截面图。
含填料膜10A由填料分散层3构成，所述填料分散层3由下述的层形成：树脂层2、从该树脂层2的一侧表面2a沿着膜厚方向以规定的深度单层分散的由填料1A构成的第一填料层、和以与第一填料层不同的深度单层分散的由填料1B构成的第二填料层。第一填料层的填料1A偏向于树脂层2的一侧的表面2a侧存在、并从该表面2a露出，第二填料层的填料1B偏向于树脂层2的另一侧的表面2b侧存在、并从该表面2b露出。需要说明的是，在图中，第一填料层的填料1A以深色表示，第二填料层的填料1B以白色表示。
需要说明的是，除非另有说明，否则本发明中的填料的分散状态也含有填料1A、1B无规地分散的状态和以规则性配置分散的状态。
另外，在本实施例的含填料膜10A中，在膜的长边方向，第一填料层的填料1A的个数密度和第二填料层的填料1B的个数密度的一方逐渐增加、而另一方逐渐减少，在合并有第一填料层和第二填料层的填料1A、1B的个数密度的膜整体中的均匀性优异。
＜填料＞
填料1A、1B是根据含填料膜的用途从公知的无机系填料(金属、金属氧化物、金属氮化物等)、有机系填料(树脂粒子、橡胶粒子等)、有机系材料与无机系材料混合存在的填料(例如，芯由树脂材料形成、表面镀有金属的粒子(金属包覆树脂粒子)、在导电粒子的表面附着有绝缘性微粒的填料、导电粒子的表面进行了绝缘处理的填料等)中，根据硬度、光学性能等用途所要求的性能适当选择。例如，光学膜或消光膜中可以使用二氧化硅填料、氧化钛填料、苯乙烯填料、丙烯酸类填料、蜜胺填料或各种钛酸盐等。电容器用膜中可以使用氧化钛、钛酸镁、钛酸锌、钛酸铋、氧化镧、钛酸钙、钛酸锶、钛酸钡、钛酸锆酸钡、钛酸锆酸铅和它们的混合物等。粘接膜中可以含有聚合物系的橡胶粒子、有机硅橡胶粒子等。各向异性导电膜中可以含有导电粒子。作为导电粒子，可以列举镍、钴、银、铜、金、钯等金属粒子、焊料等合金粒子、金属包覆树脂粒子、表面附着有绝缘性微粒的金属包覆树脂粒子等。也可并用2种以上。其中，从连接后树脂粒子回弹而容易维持与端子的接触、导通性能稳定的角度考虑，优选金属包覆树脂粒子。另外，也可通过公知技术对导电粒子的表面实施不妨碍导通特性的绝缘处理。上述的按用途列举的填料并不限于该用途，根据需要，也可含有其他用途的含填料膜。另外，在各用途的含填料膜中，根据需要可以并用2种以上的填料。
填料的形状根据含填料膜的用途从球形、椭圆球、柱状、针状、它们的组合等中适当选择确定。从填料配置的确认变得容易、容易维持均等状态的角度考虑，优选球形。特别是，在将含填料膜作为各向异性导电膜构成的情况下，作为填料的导电粒子优选为近似圆球。通过使用近似圆球的粒子作为导电粒子，例如，如日本特开2014-60150号公报所记载的那样，在使用转印模制造排列有导电粒子的各向异性导电膜时，在转印模上导电粒子顺利地转印，因此可以将导电粒子高精度地填充到转印模上的规定位置。因此，可以精确地配置导电粒子。
填料1A、1B的粒径DA、DB，为了可以应对布线高度的偏差、而且抑制导通电阻的上升且抑制短路的发生，优选为1μm以上且30μm以下、更优选为3μm以上且9μm以下。
第一填料层的填料1A的粒径和第二填料层的填料1B的粒径可以相同或不同。在将含填料膜作为各向异性导电膜构成的情况下，作为导电粒子的双方的填料1A、1B的各向异性导电连接后的扁平率等的压缩状态、特别是导电粒子作为金属被覆树脂粒子的情况下，使它们的压缩状态相同而使导通性能稳定，从该角度考虑优选为相同。另外，填料1A和填料1B的材质或硬度(例如，压缩弾性率等)可以相同或不同。
需要说明的是，填料1A、1B的粒径可以通过普通的粒度分布测定装置进行测定，另外，平均粒径也可使用粒度分布测定装置来求出。作为测定装置的一个实例，可以列举FPIA-3000(Malvern公司)。膜中的填料直径可以通过由金属显微镜的观察或SEM等的电子显微镜观察来求出。这种情况下，希望将测定填料直径的样品数设为200以上。另外，在填料的形状不是球形的情况下，可以根据含填料膜的平面图像或截面图像将最大长度或模仿球形的形状的直径记为填料的粒径。
＜膜厚方向的填料的位置＞
关于填料1A、1B的膜厚方向的位置，图1B表示第一填料层的填料1A从树脂层2的一侧的表面2a露出、第二填料层的填料1B从另一侧的表面2b露出的方案，本发明包括：第一填料层的填料1A从树脂层2的一侧的表面2a露出、或填料1A在树脂层2内完全埋入但位于接近树脂层2的表面2a的位置、而且第二填料层的填料1B从树脂层2的另一侧的表面2b露出、或第二填料层的填料1B在树脂层2内完全埋入但位于接近树脂层2的表面2b的位置的方案。在此，填料1A、1B在树脂层2完全埋入但接近其表面2a、2b附近的位置是指，作为一个实例，填料1A、1B没有从树脂层2露出、且后述的埋入率为110％以下，优选为105％以下的情况。若填料1A、1B从树脂层2的表面2a、2b露出，则填料1A、1B的粒径可以相同或不同。在将含填料膜作为各向异性导电膜构成的情况下，各向异性导电连接时作为导电粒子的填料1A、1B的捕捉性显著提高，因此优选。另外，若填料1A、1B在树脂层2内埋入、且接近其表面2a、2b，则在不损及填料1A、1B的捕捉性的情况下而提高含填料膜的粘性，因此优选。特别是，若填料1A、1B相对于树脂层2的表面2a、2b以小于0.1μm接近，则在不损及粘性的情况下而提高填料1A、1B的捕捉性，因此优选。另外，填料的个数密度为5000个/mm2以上或面积占有率2％以上的填料层，优选填料1A、1B在树脂层2内埋入、且与树脂层2的表面2a、2b为大致齐平。由此，与填料从树脂层露出的情况相比，含填料膜的粘性不降低，且与埋入率超过100％而填料完全被埋入的情况相比，在将含填料膜作为各向异性导电膜构成的情况下，各向异性导电连接时作为导电粒子的填料变得难以受到树脂流动的影响，因此捕捉性提高。对此，若第一填料层和第二填料层的任何一方不从树脂层2露出、且不位于树脂层2的表面2a、2b的附近，则在将含填料膜作为各向异性导电膜构成的情况下，各向异性导电连接时作为导电粒子的填料变得容易受到树脂流动的影响，担心会降低捕捉性。或者，还担心由于填料附近的树脂排除变得难以均匀，而对填料的压入产生不利影响。这也同样适用于各向异性导电膜以外的含填料膜。
从在第一填料层内相邻的填料1A彼此的中央部的树脂层2的表面2a的切面到填料1A的最深部的距离(以下称为埋入量)L1与填料1A的粒径DA的比率(L1/DA)即埋入率，优选为30％以上且110％以下、更优选为30％以上且105％以下、进一步优选为超过30％且100％以下、特别优选为60％以上且100％以下。同样地，关于第二填料层的填料1B，从相邻的填料1B彼此的中央部的树脂层2的表面2b的切面到填料1B的最深部的距离(埋入量)L2与填料1B的粒径DB的比率(L2/DB)即埋入率，优选为30％以上且110％以下、更优选为30％以上且105％以下、进一步优选为超过30％且100％以下、特别优选为60％以上且100％以下。通过将埋入率(L1/DA)、(L2/DB)设为30％以上，填料1A、1B容易通过树脂层2维持于规定的规则性配置或者规定的排列，另外，通过设为110％以下，优选为105％以下，在将含填料膜作为各向异性导电膜构成的情况下，各向异性导电连接时由于树脂的流动难以引起端子间的导电粒子即填料不必要地流动。另外，在含填料膜中，通过使填料的树脂层2中的埋入率一致，可期待其特性提高的效果。作为其中一个实例，在光学膜的性能依存于填料的情况下，如果在俯视下的分散性(独立性)与埋入状态具有一定以上的规则性，则可推测与涂布单纯混炼的粘合剂等所得者相比，得到了性能的提高或品质的稳定性。
第一填料层的填料1A的埋入率和第二填料层的填料1B的埋入率可以相同或不同。
在此，填料直径DA、DB分别为第一填料层的填料1A、第二填料层的填料1B的填料直径的平均值。
另外，在本发明中，埋入率(L1/DA)、(L2/DB)的数值是指，各向异性导电膜等的含填料膜所含有的全部填料(例如导电粒子)数的80％以上、优选90％以上、更优选96％以上成为该埋入率(L1/DA)、(L2/DB)的数值。埋入率(L1/DA)、(L2/DB)可以通过从各向异性导电膜等的含填料膜中任意抽取10处以上的面积为30mm2以上的区域，在SEM图像中观察该膜截面的一部分，测量合计50个以上的填料来求出。为了进一步提高精度，也可以测量200个以上的填料来求出。
作为树脂层2中的填料1A、1B的特别优选的埋入方案的例子，可以列举：如图1B所示，填料1A、1B双方的埋入率均为60％以上且100％以下，且填料1A、1B分别从树脂层2的表面2a、2b露出，在露出的填料1A、1B的周围的树脂层2上形成凹陷2x的方案，或如图2所示，填料1A、1B双方的埋入率均大约为100%，且在树脂层2的正反面填料1A、1B分别与树脂层2的表面2a、2b齐平，填料1A、1B从树脂层2的表面2a、2b露出，在露出的填料1A、1B的周围的树脂层2上形成凹陷2x的方案。通过形成凹陷2x，在将含填料膜作为各向异性导电膜构成的情况下，对于各向异性导电连接时作为导电粒子的填料1A、1B在端子间被夹持时所产生的填料1A、1B的扁平化，从树脂受到的阻力与没有凹陷2x的情况相比减小，提高端子中的填料的捕捉性。即使作为含填料膜，与涂布单纯混炼的粘合剂等所得者相比，如上所述由于填料与树脂的状态存在特异性，因此也可以期待在性能或品质方面产生特征。
另一方面，在将含填料膜作为各向异性导电膜构成的情况下，使用各向异性导电膜将电子部件彼此进行连接时，从避免空气卷入的角度考虑，如图3所示，优选作为导电粒子的填料1A、1B的埋入率大约为100%、且以填料分散层3的表面平坦的方式将填料1A、1B埋入树脂层2的方案。
另外，在埋入率超过100%的情况下，如图4所示，优选在接近于填料1A、1B的树脂层2的表面2a、2b的填料1A、1B的正上方的区域形成凹陷2y的方案。通过形成凹陷2y，与没有凹陷2y的情况相比，在将含填料膜作为各向异性导电膜构成的情况下，各向异性导电连接时的压力容易集中在作为导电粒子的填料1A、1B上，提高端子中的填料1A、1B的捕捉性。即使作为含填料膜，与涂布单纯混炼的粘合剂等所得者相比，如上所述由于填料与树脂的状态存在特异性，因此也可以期待在性能或品质方面产生特征。
＜填料的排列＞
在图1A所示的含填料膜10A中，第一填料层的填料1A和第二填料层的填料1B分别排列成正方格子。如此在本发明的含填料膜中，优选填料1A、1B规则地排列。作为规则性排列，除了图1A所示的正方格子之外，可以列举长方格子、斜方格子、六方格子等的格子排列。作为格子排列以外的规则性排列，可以列举填料以规定间隔排成了直线状的粒子列以规定的间隔并列。通过使填料1A、1B为格子状等的规则性排列，在将含填料膜作为各向异性导电膜构成的情况下，各向异性导电连接时可以对于作为导电粒子的各填料1A、1B均等地施加压力，减小导通电阻的偏差。
第一填料层中填料1A的排列和第二填料层中填料1B的排列可以相同也可以不同。在相同的情况下，例如，如图5A、图5B所示的含填料膜10B那样，在含填料膜的俯视下可以使第一填料层的填料1A和第二填料层的填料1B不重叠，也可以形成第一填料层的填料1A与第二填料层的填料1B接触或接近而成的填料单元。这种情况下，优选填料单元彼此不接触而规则地排列。由此可以抑制短路的发生。
例如，在第一填料层和第二填料层中，填料1A、1B的排列本身是相同的，但一方的填料1A的排列相对于另一方的填料1B的排列在膜面方向以规定的距离偏移，可以在含填料膜的俯视下构成第一填料层的填料1A和第二填料层的填料1B的一部分重叠的填料单元。这种情况下，如作为图1A所示的含填料膜10A的一个方案的各向异性导电膜那样，若形成填料1A和填料1B部分重叠的填料单元1C，则由于含填料膜是各向异性导电膜，因此可以期待各向异性导电连接时作为导电粒子的填料1A和1B的任一者在端子中容易被捕捉的效果。即，在使用作为图1A所示的含填料膜10A的一个方案的各向异性导电膜将第一电子部件30的端子20和第二电子部件31的端子21进行各向异性导电连接的情况下，如图6所示，若填料1A位于端子20、21的边缘的位置，则由于含填料膜(各向异性导电膜)的俯视下与填料1A重叠的位置存在填料1B，因此即使在加热加压时填料1A或1B的位置偏移，在相邻的填料1A、1B的任一者中，端子20、21也得以连接，可以提高端子中的填料的捕捉性。另外，这种情况下，如果产生加热加压时的树脂流动，则填料1A和1B的距离变远，因此发生短路的风险也减小。尚且，如此将填料1A和1B部分重叠，是考虑作为含填料膜的一个方案的各向异性导电膜整体中的填料直径或个数密度、填料间的距离、连接的端子尺寸或端子间距离等在内，以填料1A和1B部分重叠在设计上也不发生短路为前提，若将填料1A和1B部分重叠，则在满足抑制短路的效果的同时也容易满足提高捕捉性的效果，因此优选。另外，在相邻的填料1A、1B分别与树脂层2的正反面2a、2b成为大致齐平的情况下、或者从该正反面2a、2b露出的情况下，这些效果进一步增大，因此优选。需要说明的是，如此在将含填料膜作为各向异性导电膜构成的情况下，在上述的含填料膜中，假设第一填料层的填料1A和第二填料层的填料1B在膜厚方向完全重叠，若用于各向异性导电连接，则由于各向异性导电连接时的加热加压也有产生树脂的熔融或流动的情况，由于已重叠的填料1A、1B的位置偏移，因此实用上没有问题。在各向异性导电膜以外的方案中，也可以同样说明。
另一方面，在使第一填料层中的填料1A的排列和第二填料层中的填料1B的排列不同的情况下，例如，如双方的排列的形状为相似等，优选在排列上具有共同点。这不限于各向异性导电膜。
另外，可以将填料1A的排列和填料1B的排列分别作为规则排列的一部分、合并填料1A的排列和填料1B的排列而形成格子状等的规则排列。例如，在合并填料1A的排列和填料1B的排列而成为六方格子的情况下，填料1A的排列具有六方格子所含的六角形的排列，填料1B的排列成为其六角形的中心的排列。需要说明的是，这种情况下的规则排列不限于六方格子。另外，填料1A的排列和填料1B的排列也不限于是否成为双方合并所形成的规则排列的任一部分。合并填料1A的排列和填料1B的排列所形成的规则性排列，可以相对于准确的格子排列扭曲，例如，本来成为直线的格子轴可以成为锯齿形。如此，通过使困难的排列条件简单地再现，可进行批次管理，也可以对含填料膜和使用其的连接结构体赋予可追踪能力(可进行追踪的性质)。这对于含填料膜或使用其的连接结构体的防止伪造、真假判定、防止不正当利用等也有效。另外，一般而言，在各向异性导电连接中，可能发生直线性排列的导电粒子的相当数量不在端子的边缘部分被捕捉的事情，但通过使排列成为锯齿形，可以避免这样的事情。由此，可以容易将端子中的导电粒子的捕捉数保持在一定的范围，因此优选。另外，通过重复这样的扭曲，采用抽样检查等可以容易地判断排列形状是否适当。
需要说明的是，如上述的填料扭曲的排列也可以使用一个转印模来形成，但也可以组合填料1A用的转印模和填料1B用的转印模的两个转印模来形成。通过使用填料1A用的转印模和填料1B用的转印模的两个转印模形成作为各向异性导电膜等的含填料膜整体的填料(例如导电粒子)的排列，使形成各种排列成为可能，对于设计变更也容易以短期间应对，可有助于降低制造成本，而且使降低包括为了制造使填料的排列不同的各种各向异性导电膜等的含填料膜的制造装置的持有、部件管理、维护等所需的费用在内的关于各向异性导电膜等的含填料膜的制造的总成本成为可能。本发明可以采取：如上所述使用填料1A用的转印模和填料1B用的转印模的两种的转印模设计在各向异性导电膜等的含填料膜整体的俯视下的填料(例如导电粒子)的排列状态的填料排列状态的设计方法、或按照该设计方法使用两种的转印模的各向异性导电膜等的含填料膜的制造方法。
需要说明的是，填料1A和填料1B在可得到含填料膜的预期的发明效果的范围内，可以在其排列状态中存在空缺。可以通过在膜的规定的方向规则地存在来确认。另外，通过使填料的空缺在膜的长边方向反复存在、或者使填料的空缺处在膜的长边方向上逐渐增加或减少，可得到与上述扭曲同样的效果。即，可进行批次管理，也可对含填料膜和使用其的连接结构体赋予追踪能力(可进行追踪的性质)。这对于含填料膜或使用其的连接结构体的防止伪造、真假判定、防止不正当利用等也有效。
在第一填料层和第二填料层的各层中，填料1A、1B的排列的格子轴或排列轴可以相对于各向异性导电膜等的含填料膜10A的长边方向平行，也可以与各向异性导电膜等的含填料膜10A的长边方向交叉。例如在作为各向异性导电膜的情况下，由于可以根据连接的端子宽度、端子间距等进行确定，因此没有特别限定。例如，在作为细间距用的各向异性导电膜的情况下，如图1A所示，使第一填料层的填料1A的格子轴A相对于各向异性导电膜等的含填料膜10A的长边方向斜行，将通过各向异性导电膜等的含填料膜10A连接的端子20的长边方向(膜的短边方向)与格子轴A所成的角度θ优选设为6°~84°、更优选设为11°~74°。即使为各向异性导电膜以外的用途，通过如此进行倾斜，可预期能够使捕捉状态稳定的效果。
填料1A、1B的粒子间距离根据填料(例如导电粒子)单元1C的形成的有无、用各向异性导电膜等的含填料膜连接的端子的尺寸、端子间距等适当确定。例如，在第一填料层内相邻的填料1A彼此的最接近粒子间距离L3和在第二填料层内相邻的填料1B彼此的最接近粒子间距离L4(图1A)，在各向异性导电膜的情况下，在作为该相邻的导电粒子的填料1A和1B不属于一个填料单元(导电粒子单元)的情况下，从抑制短路的观点出发，优选为填料1A、1B的粒径DA、DB的1.5倍以上，另外，在最低限确保端子中的填料捕捉数、得到稳定的导通方面上，优选为66倍以下。特别是，在将含填料膜作为各向异性导电膜构成的情况下，在使各向异性导电膜对应于细间距的COG(玻璃载芯片，Chip On Glass)的情况下，最接近粒子间距离L3、L4优选为粒径的1.5~5倍，在对应于间距较大的FOG(Film On Glass)的情况下，优选为粒径的10~66倍。除了各向异性导电膜以外，根据其特性适当调整即可。
需要说明的是，如后所述，在用第一填料层内的多个填料1A形成填料单元1C的情况下、或在用第二填料层内的多个填料1B形成填料单元1C的情况下，在作为含填料膜的一个方案的各向异性导电膜的情况中，优选使在一个填料单元1C内的第一填料层的填料1A彼此的距离为填料1A的粒径DA的1/4倍以下，填料1A彼此也可以接触。同样，优选使在一个填料单元1C内的第二填料层的填料1B彼此的距离为填料1B的粒径DB的1/4倍以下，填料1B彼此也可以接触。除了各向异性导电膜以外，根据其特征适当调整即可。
＜填料的个数密度＞
由于本发明的含填料膜整体的填料的个数密度根据其用途或所要求的特性和填料1A、1B的粒径、排列等进行适当调整，因此没有特别限定，可以适用下述的各向异性导电膜的情况。由于作为含填料膜的制造条件与各向异性导电膜的情况大致相同，因此认为填料的个数密度的条件也大致同样。在将含填料膜作为各向异性导电膜构成的情况下，根据用各向异性导电膜连接的电子部件中的端子的间距、各向异性导电膜中的填料(导电粒子)1A、1B的粒径、排列等进行适当调整。例如，关于个数密度的上限，为了抑制短路，优选为70000个/mm2以下、更优选为50000个/mm2以下、进一步优选为35000个/mm2以下。另一方面，关于个数密度的下限，为了抑制成本而降低填料(导电粒子)且满足导通性能，也优选100个/mm2以上、更优选150个/mm2以上、进一步优先为400个/mm2以上。特别是，在用各向异性导电膜连接的电子部件的最小端子的连接面积为2000μm2以下的细间距用途的情况下，优选10000个/mm2以上。第一填料层的填料1A的设计上的个数密度和第二填料层的填料1B的设计上的个数密度可以相同或不同。
在制造含填料膜时，在使填料在含填料膜的长边方向上进行附着的情况下，当存在填料的空缺或分布的不均匀性不可避免地增加的倾向时，优选在含填料膜的长边方向上第一填料层的填料1A的个数密度和第二填料层的填料1B的个数密度的一方逐渐增加而另一方逐渐减少，即优选个数密度的增加或减少的方向在第一填料层和第二填料层成为相反方向。在使各向异性导电膜等的含填料膜整体中的第一填料层的填料1A的个数密度的平均值为相同的情况下，如上所述，通过逐渐增加或减少填料的个数密度，在含填料膜的一端10Ap和另一端10Aq中，第一填料层的填料1A的个数密度和第二填料层的填料1B的个数密度的大小关系相反，且含填料膜整体中的填料的个数密度的均匀性提高。这如各向异性导电膜那样，在强烈要求整个面的填料的个数密度的均匀性的情况下，制造的难易程度降低，因此可期待其效果。而且无论是各向异性导电膜的用途还是其以外的用途均同样地可以期待成本降低的效果。
关于各向异性导电膜等的含填料膜的长边方向的第一填料层或第二填料层中的填料的个数密度，在含填料膜的长边方向上成为膜全长的20％以上或3m以上的区域内，作为填料的个数密度的测定区域，在含填料膜的长边方向的不同位置设定多处(优选为5处以上、更优选为10处以上)每边为100μm以上的矩形区域，测定区域的合计面积优选为2mm2以上，使用金属显微镜测定各测定区域的填料的个数密度，将它们进行平均，或者拍摄上述的膜全长的20％以上或3m以上的区域内的图像，通过图像分析软件(例如，WinROOF、三谷商事株式会社等)测定填料的个数密度，由此可以求出，另外，填料的个数密度逐渐增加或减少，可以通过在各测定区域所测量的填料的个数密度相对各向异性导电膜等的含填料膜的长边方向，单调地增加或减少来确认。需要说明的是，面积100μm×100μm区域在凸点间间隔50μm以下的连接对象中成为存在1个以上的凸点区域。尚且，测定区域可以根据填料的个数密度适当调整其测定区域每边的上限。在显著密集或稀疏的情况下，例如可以调整填料个数以使合计面积的总数计为200个以上、优选为1000个以上。
在将含填料膜作为各向异性导电膜构成的情况下，在将各向异性导电膜作为用该各向异性导电膜连接的电子部件的最小端子的连接面积为2000μm2以下的细间距用途时，含填料膜(各向异性导电膜)的一端10Ap中的合并有第一填料层和第二填料层的填料1A、1B的个数密度NpAB、和另一端10Aq中的合并有第一填料层和第二填料层的填料1A、1B的个数密度NqAB之差(NpAB﹣NqAB)，相对于它们的平均值((NpAB＋NqAB)/2)，优选为±2％以内、更优选为±1.5％以内、进一步优选为±1％以内，在最小端子的连接面积超过2000μm2的正常间距的情况下，(NpAB﹣NqAB)相对于((NpAB＋NqAB)/2)，优选为±20％以内、更优选为±10％以内。
在第一填料层和第二填料层中设计上的填料的排列和个数密度相同的情况下，作为将第一填料层和第二填料层形成于树脂层2的工序，如后所述，制造上优选：在将成为第一填料层的填料1A附着于树脂层2时、和将成为第二填料层的填料1B附着于树脂层2上时使树脂层2的走行方向相反，且重复相同工序。如此使走行方向相反意味着，如果在用于填料附着的转印模存在缺陷的情况下，各向异性导电膜等的含填料膜上的缺陷位置在膜的正反面不重叠，作为膜整体可以避免形成不良的风险，从该角度考虑也优选。
另一方面，在使第一填料层和第二填料层的填料1A、1B的个数密度不同的情况下，从提高端子中的填料的捕捉性的角度考虑，优选将其中的个数密度高的填料层设为更接近各向异性导电膜等的含填料膜的外界面的位置。另外，在使填料层露出于各向异性导电膜等的含填料膜的外表面的情况下，从抑制各向异性导电膜等的含填料膜的粘性降低的角度考虑，优选露出的填料层的个数密度低(个数密度低的一侧)。如此在含填料膜中，根据所需的特性，可以适当使第一填料层和第二填料层的填料1A、1B的个数密度不同。
＜树脂层＞
(树脂层的粘度)
对树脂层2的最低熔融粘度没有特别限定，可以根据含填料膜的用途或含填料膜的制造方法等适当确定。例如，只要在可以形成上述的凹陷2x、2y，也可以通过含填料膜的制造方法设为1000Pa・s左右。另一方面，作为含填料膜的制造方法，在进行将填料以规定的配置保持在树脂层的表面、并将该填料压入树脂层的方法时，从树脂层可进行膜成型的角度考虑，优选将树脂的最低熔融粘度设为1100Pa・s以上。凹陷2x、2y可以存在于两面，也可以仅存在于单面(即，填料1A、1B的任意一面)。
另外，如后述的含填料膜的制造方法中所说明的那样，从如图1B所示在压入树脂层2的填料1A、1B的露出部分的周围形成凹陷2x、或者如图4所示在压入树脂层2的填料1A、1B的正上方形成凹陷2y的角度考虑，优选为1500Pa・s以上、更优选为2000Pa・s以上、进一步优选为3000~15000Pa・s、更进一步优选为3000~10000Pa・s。作为一个实例，该最低熔融粘度可以利用旋转式流变仪(TA instruments公司制造)，在测定压力5g下保持恒定，使用直径为8mm的测定板来求出，更具体而言，可以通过在温度范围30~200℃下，设定升温速度为10℃/分钟、测定频率为10Hz、对上述测定板的负荷变动为5g而求出。
通过将树脂层2的最低熔融粘度设为1500Pa・s以上的高粘度，可以在含填料膜向物品的热压接中抑制填料的不必要的移动，特别是在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，可以防止各向异性导电连接时应夹持在端子间的导电粒子因树脂流动而流动。
另外，在通过将填料1A、1B压入树脂层2来形成含填料膜10A的填料分散层3的情况下，关于压入填料1A、1B时的树脂层2，在将填料1A、1B压入树脂层2使填料1A、1B从树脂层2露出时，树脂层2发生塑性变形，成为使在填料1A、1B的周围的树脂层2形成凹陷2x(图1B)的高粘度的粘性体，或者，在压入填料1A、1B使填料1A、1B不从树脂层2露出而是埋入树脂层2中时，成为使在填料1A、1B的正上方的树脂层2的表面形成凹陷2y(图4)的高粘度的粘性体。因此，关于树脂层2在60℃下的粘度，下限优选为3000Pa・s以上、更优选为4000Pa・s以上、进一步优选为4500Pa・s以上，上限优选为20000Pa・s以下、更优选为15000Pa・s以下、进一步优选为10000Pa・s以下。该测定可以通过与最低熔融粘度同样的测定方法进行，抽取温度为60℃的值而求出。
关于将填料1A、1B压入树脂层2时的该树脂层2的具体的粘度，根据要形成的凹陷2x、2y的形状或深度等，下限优选为3000Pa・s以上、更优选为4000Pa・s以上、进一步优选为4500Pa・s以上，上限优选为20000Pa・s以下、更优选为15000Pa・s以下、进一步优选为10000Pa・s以下。另外，这样的粘度是在优选40~80℃、更优选50~60℃下得到的。
如上所述，通过在从树脂层2露出的填料1A、1B的周围形成凹陷2x(图1B)，对于含填料膜向物品压接时所产生的填料1A、1B的扁平化，从树脂受到的阻力与没有凹陷2x的情况相比减少。因此，在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，各向异性导电连接时端子中的导电粒子的夹持变得容易，由此导通性能提高，而且捕捉性提高。特别是在各向异性导电膜中，由于在树脂层2的两面存在作为导电粒子的填料1A、1B，为了减小从树脂受到的阻力，这样的凹陷2x优选存在于任意的一面，更优选存在于两面。
另外，通过在不从树脂层2露出而埋入的填料1A、1B的正上方的树脂层2的表面形成有凹陷2y(图4)，与没有凹陷2y的情况相比，含填料膜向物品压接时的压力容易集中于填料1A、1B。因此，在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，各向异性导电连接时端子中的导电粒子的夹持变得容易，由此捕捉性提高，且导通性能提高。特别是在各向异性导电膜中，根据上述同样的理由，这样的凹陷2y优选存在于任意的一面，更优选存在于两面。2x和2y可以分别存在于单面，也可以混合存在。
＜代替凹陷的“倾斜”或“起伏”＞
如图1B、图4所示的含填料膜的“凹陷”2x、2y，也可以从“倾斜”或者“起伏”这样的观点出发来进行说明。以下，边参照附图边进行说明。
各向异性导电膜等的含填料膜10A由填料分散层3构成(图1B)。在填料分散层3中，在树脂层2的单面上填料1A、1B以露出的状态规则地分散。在膜的俯视下填料1A、1B互相不接触，在膜厚方向填料1A、1B也互相不重叠而规则地分散，构成使填料1A、1B的膜厚方向的位置一致的单层的填料层。
各自的填料1A、1B的周围的树脂层2的表面2a、2b相对于相邻填料间的中央部的树脂层2的切面2p形成倾斜2x。需要说明的是，如后所述，在本发明的含填料膜中，可以在树脂层2所埋入的填料1A、1B的正上方的树脂层的表面形成起伏2y(图4)。
本发明中，“倾斜”是指，在填料1A、1B的附近树脂层的表面平坦性受损、相对于上述切面2p树脂层的一部分缺损，从而导致树脂量减少的状态。换言之，在“倾斜”中，填料周围的树脂层的表面相对于切面缺损。另一方面，”起伏“是指，在填料的正上方的树脂层表面具有波浪，存在着如波浪样有高低差的部分，从而导致树脂减少的状态。换言之，填料正上方的树脂层的树脂量与填料正上方的树脂层的表面处于切面时相比变少。这些可以通过对比相当于填料的正上方的部位和填料间的平坦的表面部分(图1B、图4)来识别。需要说明的是，有时起伏的起始点还以倾斜的形式存在。
如上所述，通过在从树脂层2露出的填料1A、1B的周围形成倾斜2x(图1B)，在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，对于各向异性导电连接时填料1A、1B夹持在端子间时所产生的填料1A、1B的扁平化，从树脂受到的阻力与没有倾斜2x的情况相比减小，因此端子中的填料的夹持变得容易，由此导通性能提高，而且捕捉性提高。该倾斜优选沿着填料的外形。这是由于，除了连接中的效果更容易体现以外，也容易识别填料，由此各向异性导电膜等的含填料膜的制造中的检查等容易进行。另外，其倾斜和起伏有时因对树脂层进行热压等而消失其一部分，本发明包括这种情况。这种情况下，填料有时会在树脂层的表面在一点处露出。需要说明的是，在将含填料膜作为各向异性导电膜构成的情况下，连接的电子部件多种多样，除了配合这些进行调整以外，还期望设计的自由度高以满足各种要件，因此也可以使倾斜或起伏减小或部分地消失而使用。
另外，通过在不从树脂层2露出而埋入的填料1A、1B的正上方的树脂层2的表面形成起伏2y(图4)，与倾斜的情况同样，在将含填料膜作为各向异性导电膜构成的情况下，各向异性导电连接时来自端子的按压力容易施加给填料。另外，由于起伏的存在，与树脂平坦地堆积的情况相比，填料的正上方的树脂量减少，因此连接时的填料正上方的树脂的排除容易产生，端子与填料容易接触，因此提高端子中的填料的捕捉性，且提高导通可靠性。
从容易得到上述的填料的露出部分周围的树脂层2的倾斜2x(图1B)、或填料正上方的树脂层的起伏2y(图4)的效果的角度考虑，填料1A、1B的露出部分周围的倾斜2x的最大深度Le与填料1A、1B的粒径DA、DB之比(Le/DA)、(Le/DB)优选小于50％、更优选小于30％、进一步优选为20~25％，填料1A、1B的露出部分周围的倾斜2x的最大直径Ld与填料1A、1B的粒径DA、DB之比(Ld/DA)、(Ld/DB)优选为100％以上、更优选为100~150％，填料1A、1B正上方的树脂中的起伏2y的最大深度Lf与填料1A、1B的粒径DA、DB之比(Lf/DA)、(Lf/DB)大于0、优选小于10％、更优选为5％以下。
需要说明的是，填料1A、1B的露出部分的直径Lc可设为填料1A、1B的粒径DA、DB以下，优选为粒径DA、DB的10~90％。另外，可以设为在填料1A、1B的顶部的一点露出，也可设为DA、DB完全埋入树脂层2内，直径Lc为0。
在这样的本发明中，树脂层2的表面的倾斜2x、起伏2y的存在可以通过将各向异性导电膜等的含填料膜的截面用扫描型电子显微镜进行观察来确认，在平面视野观察中也可以确认。通过光学显微镜、金属显微镜也可进行倾斜2x、起伏2y的观察。另外，倾斜2x、起伏2y的大小也可以通过调整图像观察时的焦点等来确认。即使如上所述通过热压减少倾斜或起伏后也同样。这是由于有残留痕迹的情况。
(树脂层的层厚)
在本发明的各向异性导电膜等的含填料膜中，树脂层2的层厚La与全部填料1A、1B的平均粒径DA、DB之比(La/DA)、(La/DB)优选为0.3以上、更优选为0.6~10、进一步优选为0.6~8、特别优选为0.6~6。作为平均粒径DA、DB，在第一填料层的填料1A和第二填料层的填料1B的各平均粒径不同的情况下，可以为它们的平均值。若树脂层2的层厚La过大而使该比超过10，则在将含填料膜作为各向异性导电膜构成的情况下，各向异性导电连接时作为导电粒子的填料1A、1B的位置容易偏移，端子中的填料1A、1B的捕捉性降低。相反地，若树脂层2的层厚La过小而使该比小于0.3，则树脂层2中的填料1A、1B难以维持规定的排列。
(树脂层的组成)
树脂层2根据含填料膜的用途可以为导电性或绝缘性，而且也可以为可塑性或固化性，但优选可以由绝缘性的固化性树脂组合物形成，例如，可以由含有热聚合性化合物和热聚合引发剂的绝缘性的热聚合性组合物形成。热聚合性组合物中根据需要可以含有光聚合引发剂。这些可以使用公知的树脂或化合物。以下，以作为含填料膜的一个方案的各向异性导电膜为例，对绝缘性树脂的情况进行说明。
在并用热聚合引发剂和光聚合引发剂的情况下，可以使用既作为热聚合性化合物也作为光聚合性化合物而发挥功能的化合物，也可在热聚合性化合物之外还含有光聚合性化合物。优选在热聚合性化合物之外还含有光聚合性化合物。例如，作为热聚合引发剂使用阳离子系固化引发剂、作为热聚合性化合物使用环氧树脂、作为光聚合引发剂使用光自由基聚合引发剂、作为光聚合性化合物使用丙烯酸酯化合物。
作为光聚合引发剂，也可以含有与波长不同的光反应的多种。由此，在将含填料膜作为各向异性导电膜构成的情况下，在制造各向异性导电膜时，将在构成绝缘性树脂层的树脂的光固化、和各向异性导电连接时用于粘接电子部件彼此的树脂的光固化中使用的波长可以分开使用。
在含填料膜的一个方案的制造各向异性导电膜时的光固化中，可以使树脂层所含的光聚合性化合物的全部或一部分光固化。通过该光固化，树脂层2中的填料1A、1B的配置得以保持或固定化，且可期待抑制短路和提高捕捉性。另外，通过该光固化，也可适当调整各向异性导电膜的制造工序中的树脂层的粘度。
树脂层中的光聚合性化合物的掺混量优选30质量%以下、更优选10质量%以下、进一步优选小于2质量%。这是由于：若光聚合性化合物过多，则连接时的压入所耗费的推力增加。特别是在各向异性导电连接的情况下优选如此进行。这是由于：可兼具树脂流动和保持于树脂的导电粒子的压入。
作为热聚合性组合物的例子，可以列举：含有(甲基)丙烯酸酯化合物和热自由基聚合引发剂的热自由基聚合性丙烯酸酯系组合物，含有环氧化合物和热阳离子聚合引发剂的热阳离子聚合性环氧系组合物等。也可使用含有热阴离子聚合引发剂的热阴离子聚合性环氧系组合物，以代替含有热阳离子聚合引发剂的热阳离子聚合性环氧系组合物。另外，只要不产生特别的障碍，则可并用多种聚合性化合物。作为并用例，可以列举热阳离子聚合性化合物和热自由基聚合性化合物的并用等。
在此，作为(甲基)丙烯酸酯化合物，可以使用以往公知的热聚合型(甲基)丙烯酸酯单体。例如，可以使用单官能(甲基)丙烯酸酯系单体、二官能以上的多官能(甲基)丙烯酸酯系单体。
作为热自由基聚合引发剂，例如可以列举有机过氧化物、偶氮系化合物等。特别是，可以优选使用不会发生导致气泡的氮的有机过氧化物。
关于热自由基聚合引发剂的使用量，若过少则固化不良，若过多则产品寿命降低，因此相对于100质量份的(甲基)丙烯酸酯化合物，优选为2~60质量份、更优选为5~40质量份。
作为环氧化合物，可以列举：双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、它们的改性环氧树脂、脂环式环氧树脂等，可以并用它们的2种以上。另外，除了环氧化合物以外还可并用氧杂环丁烷化合物。
作为热阳离子聚合引发剂，可以采用作为环氧化合物的热阳离子聚合引发剂而公知的化合物，例如，通过热而产生酸的碘鎓盐、锍盐、鏻盐、二茂铁类等，特别是，可以优选使用对温度显示良好的潜伏性的芳香族锍盐。
关于热阳离子聚合引发剂的使用量，过少则有固化不良的倾向，过多则有产品寿命降低的倾向，因此相对于100质量份的环氧化合物，优选为2~60质量份、更优选为5~40质量份。
热聚合性组合物优选含有成膜树脂或硅烷偶联剂。作为成膜树脂，可以列举：苯氧树脂、环氧树脂、不饱和聚酯树脂、饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、丁二烯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚烯烃树脂等，可以并用它们的2种以上。这些之中，从制膜性、加工性、连接可靠性的角度考虑，可以优选使用苯氧树脂。重均分子量优选为10000以上。另外，作为硅烷偶联剂，可以列举环氧系硅烷偶联剂、丙烯酸系硅烷偶联剂等。这些硅烷偶联剂主要是烷氧基硅烷衍生物。
在热聚合性组合物中，为了调整熔融粘度，除上述的填料1A、1B外还可含有绝缘性填料。这可以列举二氧化硅粉、氧化铝粉等。绝缘性填料优选粒径为20~1000nm的微小填料，另外，掺混量相对于100质量份的环氧化合物等的热聚合性化合物(光聚合性化合物)优选设为5~50质量份。除填料1A、1B外含有的绝缘性填料在含填料膜的用途为各向异性导电膜的情况下优选使用，但根据用途也可以不是绝缘性的，例如也可以含有导电性的微小填料。在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，在形成填料分散层的树脂层中根据需要可以适当含有与填料1A、1B不同的更微小的绝缘性填料(所谓纳米填料)。
本发明的含填料膜中，除上述的绝缘性或导电性的填料外还可含有填充剂、软化剂、促进剂、抗老化剂、着色剂(颜料、染料)、有机溶剂、离子捕捉剂等。
＜含填料膜的变形方案＞
(填料单元)
本发明的含填料膜，关于填料的排列，可以采取各种方案。
例如，如图7A、图7B所示的各向异性导电膜等的含填料膜10C那样，可以列举：由第一填料层的多个填料1A形成填料单元1C1，由第二填料层的多个填料1B形成填料单元1C2，填料单元1C1、1C2彼此不接触，在含填料膜的俯视下也不重叠，填料单元1C1、1C2排列成格子状。这种情况下，第一填料层的每个填料单元1C1的填料1A的个数可以设为例如2~9个、特别是2~4个。在填料单元内，填料1A可以排成一列、也可以集合成块状。第二填料层的每个填料单元1C2的填料1B的个数也同样，可以设为例如2~9个、特别是2~4个。在填料单元内，填料1B可以排成一列、也可以集合成块状。这在各向异性导电膜的情况下，也可以通过配置填料单元来适用，以便根据端子布局降低短路风险。在各向异性导电膜以外的用途时，可以根据目的进行适当调整。
在各向异性导电膜的情况下，从提高填料(导电粒子)的捕捉性的同时抑制短路的角度考虑，优选由第一填料层的填料单元1C1和第二填料层的填料单元1C2分别排成一列的填料构成，优选使它们的长边方向为不平行，如图7A、图7B所示，特别优选垂直。
另外，如图8A、图8B所示的各向异性导电膜等的含填料膜10D那样，可以将相互接触或接近的第一填料层的多个填料1A、与互相接触或接近的第二填料层的多个填料1B进行接触或接近而形成填料单元1C。优选在该填料单元1C彼此也相互不接触的情况下，使填料单元1C规则排列。另外优选：每个填料单元1C的第一填料层的填料1A的个数优选为2~9个、特别是2~4个，第二填料层的填料1B为2~9个、特别是2~4个。这也与上述同样，在各向异性导电膜的情况下，也可以通过配置填料单元来适用，以便根据端子布局降低短路风险。在各向异性导电膜以外的用途时，可以根据目的进行适当调整。
在各向异性导电膜的情况下，将具有如此由多个填料(导电粒子)1A、1B形成的填料单元1C的含填料膜10D用于各向异性导电连接，若在膜厚方向上按压，则如图9所示，可以将已相互接触的填料(导电粒子)1A、1B以放射状(径向)扩散，且将填料(导电粒子)1A、1B彼此隔开。这种情况下，如图10所示，在填料(导电粒子)1A、1B相向的端子20、21不被按压的端子间区域，已形成填料单元1C的填料1A、1B在各向异性导电连接前隔开。因此，根据该含填料膜10D，可以抑制相邻的端子间的短路。另一方面，在填料(导电粒子)1A、1B位于各向异性导电连接前相向的端子20、21的边缘部分的情况下，通过各向异性导电连接填料1A和1B的至少一方也在端子20、21处被捕捉。因此，根据该含填料膜10D，提高导电粒子的捕捉效率。在各向异性导电膜以外的用途中，也可以根据目的形成这样的填料单元1C。被认为优选适用于通过压接辊按压的情况。这是由于：在膜的厚度方向以外的方向也容易施加加压的负荷。
(将一个填料层的配置的空缺由另一个填料层弥补的方案)
将第一填料层和第二填料层的一个填料层在设计上以规定的排列和规定的个数密度形成，然后对于整个区域确认填料的排列和个数密度，为了匹配该一个导电粒子层的粒子配置，进一步根据需要形成另一个填料层以弥补在一个填料层的粒子配置中的空缺，作为各向异性导电膜等的含填料膜整体，通过将填料设为规定的配置可以消除空缺。因此，后面形成的填料层可以在含填料膜的长边方向上改变个数密度。通过如此操作，含填料膜的产率提高，可以期待成本降低的效果。
(第二树脂层的层叠)
如图11A所示的各向异性导电膜等的含填料膜10E那样，在填料分散层3的一侧表面上可以层叠第二树脂层4，所述第二树脂层4优选最低熔融粘度低于形成填料分散层3的树脂层2。另外，在第一填料层和第二填料层的树脂层2中的埋入率不同、第一填料层相比第二填料层从树脂层露出的情况下，如图11B所示的各向异性导电膜等的含填料膜10F那样，可以在从树脂层2的突出量较大的第一填料层侧层叠第二树脂层4，如图11C所示的各向异性导电膜等的含填料膜10G那样，可以在填料层没有突出的树脂层2的表面上层叠第二树脂层4。通过第二树脂层4的层叠，在使用各向异性导电膜等的含填料膜将电子部件进行各向异性导电连接时，可以填充由电子部件的电极或凸点所形成的空间，而提高粘接性。需要说明的是，在层叠第二树脂层4的情况下，优选使第二树脂层4粘贴于由工具加压的电子部件(使树脂层2与担载于载台的电子部件粘贴)。通过如此操作，可以避免填料的非本意的移动，而提高捕捉性。
树脂层2与第二树脂层4的最低熔融粘度越存在差异，通过电子部件的电极或凸点形成的空间越容易被第二树脂层4填充，可以期待提高电子部件彼此的粘接性的效果。另外，越存在该差异，填料分散层3中存在的树脂层2的移动量相对越小，因此容易提高端子中的填料的捕捉性。树脂层2与第二树脂层4的最低熔融粘度比在实用上优选为2以上、更优选为5以上、进一步优选为8以上。另一方面，若该比过大，则在将长条的各向异性导电膜等的含填料膜制成卷装体的情况下，存在树脂的溢出或粘连的担忧，因此在实用上优选为15以下。更具体而言，第二树脂层4的优选的最低熔融粘度满足上述比率，并且为3000Pa・s以下、更优选为2000Pa・s以下，特别优选为100~2000Pa・s。
需要说明的是，第二树脂层4可以通过在与树脂层同样的树脂组合物中调整粘度而形成。
第二树脂层4的层厚优选为4~20μm。或者，相对于填料直径为1~8倍。
另外，合并有树脂层2和第二树脂层4的各向异性导电膜等的含填料膜10E、10F、10G整体的最低熔融粘度在实用上为8000Pa・s以下、优选为200~7000Pa・s以下、特别优选为200~4000Pa・s。
(第三树脂层的层叠)
也可以与第二树脂层4夹持树脂层2而在相反侧设置第三树脂层。可以使第三树脂层作为粘性层发挥作用。
第三树脂层的树脂组成、粘度和厚度可以和第二树脂层同样或不同。合并有树脂层2、第二树脂层4和第三树脂的各向异性导电膜的最低熔融粘度没有特别限制，在实用上可以为8000Pa・s以下，优选为200~7000Pa・s以下，特别优选为200~4000Pa・s。
(其他的层叠方案)
根据含填料膜的用途，可以层叠多个填料分散层3，也可以如第二树脂层那样使不含填料的层介于层叠的填料分散层之间，并且可以在最外层设置第二树脂层或第三树脂层。
＜含填料膜的制造方法＞
作为树脂层，具有填料分散层3的单层的本发明的含填料膜，可以通过例如在树脂层2的一侧表面将填料1A以规定的分散保持(优选以规定的排列保持)，将该填料1A用平板或辊等压入树脂层2，在树脂层2的另一侧表面也同样地将填料1B以规定的分散保持(优选以规定的排列保持)并压入而得到。另外，在树脂层两面将填料以规定的分散状态保持时，可以使用涂布辊附着、使用转印模附着、或者用各种手法附着，但优选使在树脂层的一侧表面上保持填料的方向与在另一侧表面上保持填料的方向相反(180度)。由此，以正反面一体观察时，能够缓和在膜表面中的填料的分散状态的不均匀性和在反面中的填料的分散状态的不均匀性。
另外，在填料分散层3上层叠有第二树脂层4的各向异性导电膜等的含填料膜，可以通过例如图12所示而得到。即，在树脂层2的一侧表面使填料1A附着(同图a)、压入(同图b)，接着在压入该填料1A的面上层叠第二树脂层4(同图c)。在与第二树脂层4相反侧的树脂层2的表面使填料1B附着(同图d)、将该填料1B压入树脂层2(同图e)。由此可以得到在填料分散层3上层叠有第二树脂层4的各向异性导电膜等的含填料膜10。这种情况下，通过适当设定从树脂层2的一侧表面压入的填料1A的配置和从另一侧面压入的填料1B的配置，形成在俯视下这些填料1A和1B接触或接近的填料单元1C。
关于树脂层由填料分散层3的单层形成的各向异性导电膜等的含填料膜、关于在填料分散层3层叠有第二树脂层4的各向异性导电膜等的含填料膜、进一步关于层叠有第三树脂层的方案，作为使填料1A、1B附着于树脂层2的手法或形成分散有填料1A、1B的树脂层2的方法，可以列举：使用转印模将填料转印于树脂层的方法、将填料散布于树脂层的方法、与专利文献1所记载的方法同样地使用凹版涂布机等的在表面具有规则性沟的涂布辊将含有填料的树脂液涂布于树脂层或剥离膜上的方法等。需要说明的是，在使用涂布辊将含有填料的树脂液涂布于剥离膜上的方法中，可以将由此形成的树脂层设为树脂层2。在专利文献1所记载的方法中，如上所述，推测与使用转印模的方法相比无法将填料精确地规则排列，但在本发明中，如果使形成第一填料层的填料1A和形成第二填料层的填料1B在各向异性导电膜的长边方向中的附着方向相反，则在形式导电粒子层时，即使在形成填料的空缺或个数密度的不均匀处的情况下，在第一填料层和第二填料层的双方中，几乎没有填料的空缺或个数密度的不均匀的部分重叠，因此可以减小在各自的填料层中的填料的空缺或个数密度的不均匀性对导通特性带来的影响。
上述方法之中，从提高填料排列的精度的角度考虑，优选使用转印模。作为转印模，例如可以使用：通过光刻法等公知的开口形成方法对硅、各种陶瓷、玻璃、不锈钢等金属等的无机材料或各种树脂等的有机材料等形成了开口的转印模。另外，转印模可以形成板状、辊状等形状。
一般来说，在使用转印模将导电粒子等的填料附着于树脂层的工序中，为了制造长条的各向异性导电膜等的含填料膜，从树脂层的一端到另一端的方向使导电粒子顺次附着，但伴随着填料的附着工序的继续，由于模型的堵塞而使填料无法附着于树脂层，在各向异性导电膜等的含填料膜中存在填料的空缺处增加的倾向。因此，在使成为第一填料层的填料从树脂层的一端向另一端附着的情况下，优选成为第二填料层的填料从树脂层的另一端向一端附着。如此使附着方向相反，由此在第一填料层中导电粒子的空缺存在概率高的区域，在第二填料层中成为填料的空缺存在概率低的区域，作为各向异性导电膜等的含填料膜整体可使填料的个数密度均匀化，可以在各向异性导电连接中消除对填料的性能造成影响的过度的空缺(在各向异性导电膜的情况下为连接不良)。另外，由于长条的各向异性导电膜等的含填料膜通常作为卷装体而制造，因此在使第一填料层和第二填料层的附着方向相反而制造的情况下，优选：首先从长条的树脂层的一端向另一端边附着成为第一填料层的填料，边将树脂层制成卷装体，其次边将该卷装体卷回，边将成为第二填料层的填料以与第一填料层的附着方向相反的方向附着于树脂层上，将该树脂层制成卷装体。由此，比起卷回形成有第一填料层的树脂层的卷装体、再次以与第一填料层相同的附着方向使成为第二填料层的填料附着于树脂层，可以简化工序，因此可预期成本降低的效果。需要说明的是，在使附着方向相反时，根据需要可以将堵塞的转印模交换为新的转印模或进行清洁。在产品可以在某种程度允许填料的空缺的情况下，由于可以减少转印模的交换或清洁的频率，因此也可预期成本降低的效果。
在使用涂布辊将含有导电粒子的树脂液涂布在树脂层或剥离膜上的方法中，由于伴随着涂布的继续使涂布辊表面的沟被堵塞，因此填料优选从该膜的另一端向一端涂布。
另外，在使填料散布于树脂层的方法中，也有填料的空缺周期性反复的情况。这样的情况下，在使成为第一填料层的填料附着于树脂层时和使成为第二填料层的填料附着于树脂层时，从填料的空缺的发生部位在树脂层的正反面不重叠的角度考虑，优选使树脂层的走行方向相反。
即使在通过上述的任一制法制造的情况，在制造长条的各向异性导电膜等的含填料膜的情况下，可预想会不可避免地形成填料的空缺处，但通过使第一填料层和第二填料层的各向异性导电膜等的含填料膜的长边方向中的填料的附着方向相反，在各向异性导电膜等的含填料膜上空缺处不会集中于一处，可以使空缺处分散。因此，可有助于提高各向异性导电膜等的含填料膜的产率或降低制造成本。
需要说明的是，使各向异性导电膜等的含填料膜中的第一填料层的附着方向和第二填料层的附着方向相反，在第一填料层中的填料的排列图案或个数密度、和在第二填料层中的填料的排列图案或个数密度相同的情况下或不同的情况下，均在减小各向异性导电膜等的含填料膜中的填料的个数密度的偏差上有效。例如，在各向异性导电膜等的含填料膜的设计上，在第一填料层和第二填料层中使填料的排列相同、使各自的个数密度例如设为400个/mm2的情况下，根据上述的制法，实际制造的各向异性导电膜等的含填料膜的长边方向的一端与另一端的个数密度之差的绝对值优选160个/mm2以下、更优选80个/mm2以下，同样地，在第一填料层和第二填料层的导电粒子的个数密度分别设为65000个/mm2的情况下，各向异性导电膜的长边方向的一端与另一端的个数密度之差的绝对值优选为26000个/mm2以下、更优选为13000个/mm2以下。即，各向异性导电膜等的含填料膜的长边方向的一端与另一端的个数密度之差的绝对值为合并有第一填料层和第二填料层的导电粒子的个数密度的平均的800~130000个/mm2的优选±20％的范围内、更优选±10％的范围内。尚且，本发明不除外个数密度少于400个/mm2的情况。另外，以各向异性导电膜为实例进行说明，但不限于此。例如在光学膜中，可以容易推测到通过使个数密度均匀化可以使其性能稳定化。消光膜等与外观直接关联的膜也可以同样说明。
附着于树脂层2的填料1A、1B的埋入量，可以通过压入填料1A、1B时的按压力、温度等来调整，另外，凹陷2x、2y的有无、形状和深度可以通过压入时的树脂层2的粘度、压入速度、温度等来调整。作为埋入率为超过100％的压入方法，可以列举通过具有与填料的排列对应的凸部的压板进行压入的方法。
形成为长条的各向异性导电膜等的含填料膜，适当剪切，作为卷装体成为各向异性导电膜等的含填料膜的产品。因此，本发明的各向异性导电膜等的含填料膜具有例如5~5000m的长度，可以作为卷装体。
为了使用含填料膜所含有的各向异性导电膜而经济地进行电子部件的连接，优选各向异性导电膜为某种程度的长条。因此含填料膜的长度制造成优选5m以上、更优选10m以上、进一步优选25m以上。另一方面，若各向异性导电膜过长，则难以使用利用各向异性导电膜制造电子部件的情况下所使用的现有的连接装置，操作性也差。因此，各向异性导电膜的长度制造成优选5000m以下、更优选1000m以下、进一步优选500m以下。从操作性优异的角度考虑，各向异性导电膜的这种长条体优选制成卷绕于卷芯的卷装体。
＜含填料膜的使用方法＞
本发明的含填料膜可以和以往的含填料膜同样使用，只要可以贴合含填料膜即可，对物品没有特别限定。可以根据含填料膜的用途通过压接、优选通过热压接而粘贴于各种物品。该贴合时可利用光照射，也可并用热和光。例如，在含填料膜的树脂层对要贴合该含填料膜的物品具有充分的粘着性的情况下，通过将含填料膜的树脂层轻轻压到物品上，即可得到含填料膜粘贴于一个物品表面而成的膜粘贴体。这种情况下，物品的表面不限于平面，可以有凹凸，也可以作为整体是弯曲的。在物品为膜状或平板状的情况下，也可以使用压接辊将含填料膜贴合于这些物品上。由此，还可以将含填料膜的填料与物品直接接合。
另外，也可以使含填料膜介于相向的2个物品之间，利用热压接辊或压接工具将相向的2个物品连接，使填料夹持在该物品间。另外，也可以不使填料与物品直接接触，而是通过物品夹入含填料膜。
特别是，在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，可以使用热压接工具，经由该各向异性导电膜，优选用于IC芯片、IC模块、FPC等第一电子部件与FPC、玻璃基板、塑料基板、刚性基板、陶瓷基板等第二电子部件的各向异性导电连接时。也可使用各向异性导电膜堆叠IC芯片或晶片进行多层化。需要说明的是，用本发明的各向异性导电膜连接的电子部件不限于上述的电子部件。近年来，可用于多样化的各种电子部件。
因此，本发明包括：本发明的含填料膜通过压接被粘贴于各种物品而得到的连接结构体、其制造方法。特别是，在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，还包括使用该各向异性导电膜将电子部件彼此进行各向异性导电连接的连接结构体的制造方法、由此得到的连接结构体，即电子部件彼此通过本发明的各向异性导电膜进行各向异性导电连接而得的连接结构体。
作为使用了各向异性导电膜的电子部件的连接方法，在各向异性导电膜由导电粒子分散层的单层构成的情况下，对于各种基板等的第二电子部件，从各向异性导电膜的导电粒子埋入表面的一侧临时粘贴并临时压接，在经临时压接的各向异性导电膜的导电粒子未埋入表面的一侧合并IC芯片等的第一电子部件并进行热压接，由此可以制造。在各向异性导电膜的绝缘性树脂层不仅含有热聚合引发剂和热聚合性化合物、还含有光聚合引发剂和光聚合性化合物(也可以与热聚合性化合物相同)的情况下，也可以是并用光和热的压接方法。只要如此操作，即可将导电粒子的非本意的移动抑制在最小限度。另外，也可将未埋入导电粒子的一侧临时粘贴于第二电子部件进行使用。尚需说明的是，也可以将各向异性导电膜临时粘贴于第一电子部件、而不是第二电子部件。
另外，在各向异性导电膜由导电粒子分散层和第二绝缘性树脂层的层叠体形成的情况下，将导电粒子分散层临时粘贴于各种基板等的第二电子部件并临时压接，将经临时压接的各向异性导电膜的第二绝缘性树脂层侧对准IC芯片等的第一电子部件并载置，进行热压接。也可以将各向异性导电膜的第二绝缘性树脂层侧临时粘贴于第一电子部件。另外，也可以将导电粒子分散层侧临时粘贴于第一电子部件进行使用。
实施例
以下，通过实施例，对作为本发明的含填料膜的一个方案的各向异性导电膜进行具体说明。
(1) 各向异性导电膜的制造
(1-1) 实施例1A、1B~实施例8
按照表1所示的掺混，调制要形成下述层的树脂组合物：(i)形成导电粒子分散层的高粘度的第一绝缘性树脂层(以下，也称为A层)、(ii)粘度比第一绝缘性树脂层低的第二绝缘性树脂层(以下，也称为N层)、以及(iii)形成粘性层的第三绝缘性树脂层。
使用刮棒涂布机在膜厚为50μm的PET膜上涂布要形成第一绝缘性树脂层(A层)的树脂组合物，在80℃的烘箱中干燥5分钟，于PET膜上形成表2所示厚度的绝缘性树脂层。同样操作，以表3所示的厚度于PET膜上形成第二绝缘性树脂层(N层)以及第三绝缘性树脂层(粘性层)。
[表1]
另一方面，制作模具，使第一导电粒子层的导电粒子(平均粒径3μm)在俯视下为图1A所示的正方格子排列，导电粒子的面密度如表2所示以FOG用途达到800个/mm2(实施例1A、1B)，或者如表3所示以COG用途达到10000、20000或30000个/mm2(实施例2~8)。即，制作模具，模具的凸部图案为正方格子排列、且格子轴与各向异性导电膜的短边方向所成的角度θ为15°，将公知的透明性树脂的颗粒在熔融状态下注入该模具中，进行冷却而凝固，由此形成凹部为图1A所示的排列图案的树脂模，呈辊状。
将导电粒子(积水化学工业(株)、AUL703、平均粒径为3μm)填充于该树脂模的凹部，在其上包覆上述的第一绝缘性树脂层(A层)，通过使用加压辊在60℃、0.5MPa下按压，从第一绝缘性树脂层的一端向另一端长度为300m使导电粒子粘贴。然后，从模上剥离第一绝缘性树脂层(A层)，将第一绝缘性树脂层(A层)上的导电粒子通过加压辊(按压条件：70℃、0.5MPa)压入该第一绝缘性树脂层(A层)中，形成第一导电粒子层。将压入率设为100%，使导电粒子与第一绝缘性树脂层(A层)的表面成为一个面。在被压入的导电粒子的周围，相对于相邻的导电粒子间的中央部的第一绝缘性树脂层的切面形成了凹陷。
接着，通过加热加压(45℃、0.5MPa)将第二绝缘性树脂层(N层)与第一绝缘性树脂层(A层)的压入有导电粒子的面贴合，在其相反侧的面上与上述同样地使导电粒子附着，经过长度为300m，通过压入导电粒子而形成第二电粒子层，得到了导电粒子分散层。这种情况下，使在先压入的导电粒子(第一导电粒子层)与随后压入的导电粒子(第二导电粒子层)在膜短边方向错开3μm。使附着导电粒子的第一绝缘性树脂层的走行方向与形成第一导电粒子层的情况相反。另外，形成第二导电粒子层的情况也将压入率设为100%，使导电粒子与第一绝缘性树脂层(A层)的表面成为一个面。在被压入的导电粒子的周围，相对于相邻的导电粒子间的中央部的第一绝缘性树脂层的切面形成了凹陷。
在实施例1A、2、3、4、6、7、8中，将如上操作所得的导电粒子分散层作为各向异性导电膜。在实施例1B中，使成为第一导电粒子层的导电粒子附着于第一绝缘性树脂层时的膜的行走方向与成为第二导电粒子层的导电粒子附着于第一绝缘性树脂层时的膜的行走方向相同。
在实施例5中，通过加热加压(45℃、0.5MPa)将第三绝缘性树脂层(粘性层)贴合于与导电粒子分散层的第二绝缘性树脂层(N层)相反侧的面。
在各实施例的从各向异性导电膜的一端到另一端的长度为300m的区域内，以在长边方向的不同位置设定10处每边为200μm的矩形区域作为导电粒子的个数密度的测定区域，用金属显微镜在该测定区域观察第一导电粒子层和第二导电粒子层，求出各导电粒子层中的导电粒子的个数密度，对于从上述一端到另一端的导电粒子的个数密度的变动倾向(增加或减少的倾向)进行了研究。结果见表2和表3。
(1-2) 比较例1~3
与实施例1同样地，形成了表1所示的树脂组成的第一绝缘性树脂层(A层)、第二绝缘性树脂层(N层)、第三绝缘性树脂层(粘性层)。
但是，在比较例1中，使导电粒子均匀地分散于形成第一绝缘性树脂层(A层)的树脂组合物中，将其涂布于PET膜上、进行干燥，由此形成了导电粒子以面密度40000个/mm2单分散的导电粒子分散层。
在比较例2中，作为导电粒子层，仅将成为第二绝缘性树脂层(N层)侧的第一导电粒子层以面密度40000个/mm2形成，除此之外，进行与实施例2同样的操作，制造了各向异性导电膜。
在比较例3中，作为导电粒子层，仅将成为与第二绝缘性树脂层(N层)的相反侧的第二导电粒子层以面密度40000个/mm2形成，除此之外，进行与实施例2同样的操作，制造了各向异性导电膜。
关于比较例1~3的各向异性导电膜，对于其从一端到另一端的导电粒子的个数密度的变动倾向(增加或减少的倾向)进行了研究。结果见表2和表3。
(2) 评价
对于(1)中制作的实施例和比较例的各向异性导电膜，以足以连接的面积裁断，如下操作，测定或评价了(a)初期导通电阻、(b)可靠性试验后的导通电阻、(c)粒子捕捉性、(d)短路率、(e)临时压接性。结果见表2和表3。
这种情况下，作为供于评价的试样，在实施例1A和实施例1B(FOG用各向异性导电膜)中，使用长度为300m的各向异性导电膜的长边方向的一端和另一端，在实施例2~8和比较例1~3(COG用各向异性导电膜)中，使用各向异性导电膜的长边方向的中间部分(距离一端150m的部分)。
(a) 初期导通电阻
(a1) FOG用各向异性导电膜的导通特性的评价(实施例1A、1B)
将各向异性导电膜的试样夹在导通特性的评价用FPC与玻璃基板之间，在工具宽度为1.5mm下进行加热加压(200℃、5MPa、5秒)，得到各评价用连接物，测定了所得评价用连接物的导通电阻。希望初期导通电阻为实用上1Ω以下。在此，将初期导通为1Ω以下设为OK、将超过1Ω的情况设为NG。
在此，就评价用FPC与玻璃基板而言，它们的端子图案对应，尺寸如下。另外，在连接评价用FPC和玻璃基板时，将各向异性导电膜的长边方向和端子的短边方向重合。
导通特性的评价用FPC
端子间距：50μm；
端子宽度：端子间间隔=1：1；
聚酰亚胺膜厚/铜箔厚(PI/Cu)=38/8、镀Sn。
玻璃基板
电极：ITO涂层；
厚度：0.7mm。
(a2) COG用各向异性导电膜的导通特性的评价(实施例2~8、比较例1~3)
将各向异性导电膜的试样夹在导通特性的评价用IC与玻璃基板之间，进行加热加压(180℃、80MPa、5秒)，得到各评价用连接物，测定所得评价用连接物的导通电阻。希望初期导通电阻为实用上1Ω以下。在此，将初期导通为1Ω以下评价为OK，将超过1Ω的情况评价为NG。
在此，就评价用IC与玻璃基板而言，它们的端子图案对应，尺寸如下。另外，连接评价用IC和玻璃基板时，将各向异性导电膜的长边方向和凸点的短边方向重合。
导通特性的评价用IC
外形：1.8×20.0mm；
厚度：0.5mm；
凸点规格：尺寸为30×85μm、凸点间距离为50μm、凸点高度为15μm。
玻璃基板
玻璃材质：Corning公司制造的1737F；
外形：30×50mm；
厚度：0.5mm；
电极：ITO布线。
(b) 可靠性试验后的导通电阻
与初期导通电阻同样地测定了将(a)中制作的评价用连接物在温度85℃、湿度85%RH的恒温槽中放置500小时后的导通电阻。希望可靠性试验后的导通电阻为实用上6Ω以下。在此，将6Ω以下设为OK，将超过6Ω的情况设为NG。
(c) 粒子捕捉性
(c1) FOG用各向异性导电膜的粒子捕捉性的评价(实施例1A、1B)
在导通特性评价用的连接物中，对于连接部分的FPC端子中25×400μm的区域的100个，测量导电粒子的捕捉数，求出最低捕捉数，按照以下标准进行评价。
A(良好)：3个以上；
B(实用上没有问题)：小于3个。
(c2) COG用各向异性导电膜的粒子捕捉性的评价(实施例2~8、比较例1~3)
使用粒子捕捉性的评价用IC，将该评价用IC与端子图案所对应的玻璃基板的对准偏移6μm，进行加热加压(180℃、60MPa、5秒)，对于评价用IC的凸点与基板的端子重叠的100个6μm×66.6μm的区域测量导电粒子的捕捉数，求出最低捕捉数，按照以下标准进行评价。实用上优选为B评价以上。
粒子捕捉性的评价用IC
外形：1.6×29.8mm；
厚度：0.3mm；
凸点规格：尺寸12×66.6μm、凸点间距22μm、凸点高度12μm。
粒子捕捉性评价标准
A(良好)：5个以上；
B(实用上没有问题)：3个以上且小于5个；
C(不良)：小于3个。
(d) 短路率
(d1) FOG用各向异性导电膜的短路率的评价(实施例1A、1B)
将与导通特性的评价用FPC相同的FPC在无碱玻璃(厚度0.7mm)上进行加热加压(200℃、5MPa、5秒)，测量所得的评价用连接物的短路数，根据所测量的短路数和评价用连接物的间隙数求出短路发生率，按照以下标准进行评价。
A(良好)：小于50ppm；
B(实用上没有问题)：50ppm以上且小于200ppm；
C(不良)：200ppm以上。
(d2) COG用各向异性导电膜的短路率的评价(实施例2~8、比较例1~3)
使用短路率的评价用IC，与(a)初期导通电阻的评价同样的方式得到评价用连接物，测量所得的评价用连接物的短路数，根据所测量的短路数和评价用连接物的间隙数求出短路发生率，按照以下标准进行评价。
短路率的评价用IC (7.5μm间隔的梳齿TEG (test element group))
外形：15×13mm；
厚度：0.5mm；
凸点规格：尺寸为25×140μm、凸点间距离为7.5μm、凸点高度为15μm。
短路率评价标准
A：小于50ppm；
B：50ppm以上且小于200ppm；
C：200ppm以上。
(e) 临时压接性
使用压接工具，将附有PET膜的各向异性导电膜(宽度1.5mm、长度50mm)以温度60℃或70℃、压接压力1MPa、压接时间1秒按压于ITO玻璃上进行临时压接。这种情况下，作为缓冲材的350μm厚的硅橡胶介于压接工具与PET膜之间。对于如此将各向异性导电膜按压于ITO玻璃上的临时压接样品100个，剥下PET膜。此时，将没有一个各向异性导电膜与PET膜一同从ITO玻璃上剥离的情况设为OK，将即使剥离一个的情况设为NG，方便判定临时压接的成否。
A：60℃以上为OK；
B：70℃以上为OK；
C：70℃以上为NG。
[表2]
[表3]
如表2所示，在导电粒子分别以100％的埋入率埋入绝缘性树脂层的正反的表面、从各向异性导电膜的长边方向的一端到另一端导电粒子的个数密度的增减倾向在第一导电粒子层与第二导电粒子层中为相反方向的实施例1A中，在各向异性导电膜的一端或在另一端，导通电阻、导通电阻的可靠性、粒子捕捉率、短路率、临时压接性的任一种均得到了良好的评价。对此，使在该个数密度的增减倾向在第一导电粒子层和第二导电粒子层一致的实施例1B中，在合并有第一导电粒子层和第二导电粒子层的导电粒子的个数密度变低的膜的一端，存在粒子捕捉性差的部分，在个数密度变高的膜的另一端，包括粒子捕捉性在内得到了良好的评价。需要说明的是，在该评价中，由于充分的连接面积，因此即使是小于3个的B评价，也判断为实用上没有问题。
如表3所示，实施例2~8的各向异性导电膜，也是导电粒子分别以100％的埋入率埋入绝缘性树脂层的正反的表面，各向异性导电膜的长边方向的导电粒子的个数密度的增减倾向在第一导电粒子层与第二导电粒子层中为相反方向，在任一种的评价项目中也均为良好。特别是，由实施例2和实施例5可知，本发明的各向异性导电膜即使不设置粘性层，临时粘贴性也良好，操作性优异，并且粒子捕捉性也优异。
另外，由比较例1可知，若导电粒子单分散于导电粒子分散层中，则粒子捕捉性和短路率均差。由比较例2可知，若导电粒子层仅形成于第二绝缘性树脂层(N层)侧，则粒子捕捉性差，由比较例3可知，若导电粒子层仅形成于与第二绝缘性树脂层(N层)相反侧，则临时压接性差。需要说明的是，在比较例3中，若将临时压接温度设为75℃，则即使采用500个临时压接样品，各向异性导电膜也不会从ITO玻璃上剥离，因此可以认为比较例3可以根据临时压接温度的设定而供于实际使用。
(3)转印率
关于实施例1的各向异性导电膜，分别测量了形成第一导电粒子层时(第一次)的导电粒子的转印率和形成第二导电粒子层时(第二次)的导电粒子的转印率。
在此，转印率是转印于第一绝缘性树脂层的导电粒子数与填充于树脂模的导电粒子数的比例。
转印率的测量是，将使用金属显微镜测量位于各向异性导电膜的长度0m、50m、100m、200m、300m的1mm2面积中所存在的第一导电粒子层或第二导电粒子层的导电粒子数并算出其平均值。需要说明的是，第一导电粒子层(第一次)通过在各向异性导电膜的从0m侧到300m侧的方向上转印导电粒子来形成，第二导电粒子层(第二次)通过在各向异性导电膜的从300m侧到0m侧的方向上转印来形成。
其结果，无论在第一导电粒子层还是在第二导电粒子层，从转印起始点到100m为止，转印率均超过了99.9％，但转印率伴随着转印的进行而降低。然而，合并有第一导电粒子层和第二导电粒子层的转印率，从转印起始点到300m为止，均超过了99.9％。
符号说明
1A、1B：填料
1C、1C1、1C2：填料单元
2：树脂层
2a、2b：树脂层的表面
2x：凹陷
2y：凹陷
3：填料分散层
4：第二树脂层
10、10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G：实施例的含填料膜
10Ap：含填料膜的一端
10Aq：含填料膜的另一端
20、21：端子
30：第一电子部件
31：第二电子部件
A：填料的排列的格子轴
DA、DB：粒径
La：树脂层的层厚
L1、L2：埋入量
L3：第一填料层内的填料间的最接近粒子间距离
L4：第二填料层内的填料间的最接近粒子间距离
Lc：填料的露出部分的直径
Ld：凹陷(倾斜)的最大直径
Le：凹陷(倾斜)的最大深度
Lf：凹陷(起伏)的最大深度
θ：端子的长边方向与导电粒子的排列的格子轴所成的角度。

Claims (17)

1.含填料膜，其是具备填料分散层的含填料膜，所述填料分散层具有：树脂层、在该树脂层中以单层分散的由填料构成的第一填料层、和在与第一填料层不同的深度在该树脂层中以单层分散的由填料构成的第二填料层，
第一填料层的填料从该树脂层的一侧表面露出、或接近于该一侧表面，
第二填料层的填料从该树脂层的另一侧表面露出、或接近于该另一侧表面。
2.权利要求1所述的含填料膜，其中，树脂层的层厚(La)与填料的平均粒径D之比(La/D)为0.6~10。
3.权利要求1或2所述的含填料膜，其中，在含填料膜的长边方向，第一填料层的填料的个数密度和第二填料层的填料的个数密度的一方逐渐增加，而另一方逐渐减少。
4.权利要求1~3中任一项所述的含填料膜，其中，形成有第一填料层的填料彼此或第二填料层的填料彼此接触或接近而成的填料单元，填料单元彼此不接触，且填料单元规则地排列。
5.权利要求1~3中任一项所述的含填料膜，其中，形成有第一填料层的填料和第二填料层的填料接触或接近而成的填料单元，填料单元彼此不接触，且填料单元规则地排列。
6.权利要求4所述的含填料膜，其中，在俯视下，第一填料层的填料单元的长边方向与第二填料层的填料单元的长边方向为不平行。
7.权利要求1~6中任一项所述的含填料膜，其中，填料分散层与第二树脂层层叠，与形成填料分散层的树脂层相比，第二树脂层的最低熔融粘度低。
8.权利要求1~7中任一项所述的含填料膜，其中，填料附近的树脂层的表面相对于相邻填料间的中央部的树脂层的切面具有倾斜或起伏，该倾斜中，填料周围的树脂层的表面相对于上述切面缺损，该起伏中，与该填料正上方的树脂层的表面位于上述切面时相比，填料正上方的树脂层的树脂量减少。
9.权利要求1~8中任一项所述的含填料膜，所述含填料膜被用作各向异性导电膜，其中，填料为导电粒子，树脂层为绝缘性树脂层。
10.权利要求1~8中任一项所述的含填料膜的制造方法，所述制造方法的特征在于，在树脂层的一侧表面使填料以规定的分散状态保持，并将该填料压入树脂层，在树脂层的另一侧表面也使另外的填料以规定的分散状态保持，并将该填料压入树脂层。
11.权利要求1~8中任一项所述的含填料膜的制造方法，所述含填料膜被用作各向异性导电膜，其中，填料为导电粒子，树脂层为绝缘性树脂层，
所述制造方法的特征在于，在树脂层的一侧表面使填料以规定的分散状态保持，并将该填料压入树脂层，在树脂层的另一侧表面也使另外的填料以规定的分散状态保持，并将该填料压入树脂层。
12.权利要求10或11所述的制造方法，其中，当在树脂层的两面使填料以规定的分散状态保持时，在树脂层的一侧表面保持填料的方向与在另一侧表面保持填料的方向相反。
13.膜粘贴体，其中，在物品上粘贴有权利要求1~9中任一项所述的含填料膜。
14.连接结构体，其中，第一物品和第二物品经由权利要求1~9中任一项所述的含填料膜进行连接。
15.权利要求14所述的连接结构体，其中，第一电子部件和第二电子部件经由权利要求9所述的含填料膜进行各向异性导电连接。
16.连接结构体的制造方法，其中，将第一物品和第二物品经由权利要求1~9中任一项所述的含填料膜进行压接。
17.权利要求15所述的连接结构体的制造方法，其中，第一物品、第二物品分别为第一电子部件、第二电子部件，将第一电子部件和第二电子部件经由权利要求9所述的含填料膜进行热压接，由此制造第一电子部件和第二电子部件进行各向异性导电连接的连接结构体。
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