CN109728146A - 一种包含反射材料的氮化镓二极管 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种包含反射材料的氮化镓二极管。氮化镓二极管包括：衬底，所述衬底上表面上设置有若干平面图案；缓冲层，位于所述衬底上表面上，所述缓冲层与所述平面图案接触的表面涂有反射材料；N型氮化镓层，位于所述缓冲层的上表面上；有源发光层，位于所述N型氮化镓层的上表面上；P型氮化镓层，位于所述有源发光层的上表面上；阳极金属层，位于所述P型氮化镓层的上表面上；阴极金属层，位于所述N型氮化镓层上，且与所述P型氮化镓层、所述阳极金属层有设定间距。通过增加P型氮化镓层降低了金属‑半导体之间的反向漏电流，通过在衬底表面增涂反射材料，能够优化二极管的亮度，提高二极管的亮度。
Description
技术领域
本发明涉及光电子技术领域，特别是涉及一种包含反射材料的氮化镓二极管。
背景技术
现有技术中的氮化镓二极管的结构是在衬底上生长N型氮化镓层，在N型氮化镓层上沉积相互隔离的阳极金属层和阴极金属层以构成二极管。上述结构的氮化镓二极管具有如下缺点：阳极金属与N型氮化镓层之间的肖特基势垒高度较低，阳极金属-半导体之间的反向漏电流较高而且亮度较低。
发明内容
本发明的目的是提供一种包含反射材料的氮化镓二极管，降低金属-半导体之间的反向漏电流和提高二极管的亮度。
为实现上述目的，本发明提供了如下方案：
一种包含反射材料的氮化镓二极管，包括：
衬底，所述衬底上表面上设置有若干平面图案；
缓冲层，位于所述衬底上表面上，所述缓冲层与所述平面图案接触的表面涂有反射材料；
N型氮化镓层，位于所述缓冲层的上表面上；
有源发光层，位于所述N型氮化镓层的上表面上；
P型氮化镓层，位于所述有源发光层的上表面上；
阳极金属层，位于所述P型氮化镓层的上表面上；
阴极金属层，位于所述N型氮化镓层上，且与所述P型氮化镓层、所述阳极金属层有设定间距。
可选的，所述P型氮化镓层的厚度为10-150nm。
可选的，所述反射材料采用镜面银，所述镜面银的厚度为0.5-5nm。
可选的，所述反射材料采用抛光氧化镜面铝，所述抛光氧化镜面铝的厚度为0.1-1nm。
可选的，所述平面图案在所述衬底表面周期性排列分布。
可选的，所述衬底采用硅或蓝宝石或碳化硅。
可选的，所述阳极金属层和所述P型氮化镓层形成肖特基接触。
根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：本发明提供一种包含反射材料的氮化镓二极管，包括：衬底，所述衬底上表面上设置有若干平面图案；缓冲层，位于所述衬底上表面上，所述缓冲层与所述平面图案接触的表面涂有反射材料；N型氮化镓层，位于所述缓冲层的上表面上；有源发光层，位于所述N型氮化镓层的上表面上；P型氮化镓层，位于所述有源发光层的上表面上；阳极金属层，位于所述P型氮化镓层的上表面上；阴极金属层，位于所述N型氮化镓层上，且与所述P型氮化镓层、所述阳极金属层有设定间距。通过增加P型氮化镓层降低了金属-半导体之间的反向漏电流，通过在衬底表面增涂反射材料，能够优化二极管的亮度，提高二极管的亮度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例包含反射材料的氮化镓二极管结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的目的是提供一种包含反射材料的氮化镓二极管，降低金属-半导体之间的反向漏电流和提高二极管的亮度。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1为本发明实施例包含反射材料的氮化镓二极管结构示意图。如图1所示，一种包含反射材料的氮化镓二极管，包括：
衬底1，所述衬底上表面上设置有若干平面图案11；
缓冲层2，位于所述衬底1上表面上，所述缓冲层与所述平面图案接触的表面涂有反射材料；
N型氮化镓层3，位于所述缓冲层2的上表面上；
有源发光层4，位于所述N型氮化镓层3的上表面上；
P型氮化镓层5，位于所述有源发光层4的上表面上；
阳极金属层6，位于所述P型氮化镓层5的上表面上；
阴极金属层7，位于所述N型氮化镓层3上，且与所述P型氮化镓层5、所述阳极金属层6有设定间距。
所述P型氮化镓层5的厚度为10-150nm。
所述反射材料采用镜面银或抛光氧化镜面铝，镜面银的厚度范围为0.5-5nm，抛光氧化镜面铝的厚度范围为0.1-1nm。
所述平面图案11在所述衬底1表面周期性排列分布。
所述衬底1采用硅或蓝宝石或碳化硅。
所述N型氮化镓层3和所述阳极金属层6之间通过再生长或离子注入形成所述P型氮化镓层5和所述有源发光层4。
所述阳极金属层6和所述P型氮化镓层5形成肖特基接触。
本发明中的氮化镓二极管，通过增加P型氮化镓层，增加了阳极金属层与N型氮化镓层等半导体之间的肖特基势垒高度，从而降低金属-半导体之间的反向漏电流，并提升反向击穿电压；通过在衬底表面增涂反射材料，能够优化二极管的亮度，提高二极管的亮度。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的系统及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (7)
1.一种包含反射材料的氮化镓二极管，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上表面上设置有若干平面图案；
缓冲层，位于所述衬底上表面上，所述缓冲层与所述平面图案接触的表面涂有反射材料；
N型氮化镓层，位于所述缓冲层的上表面上；
有源发光层，位于所述N型氮化镓层的上表面上；
P型氮化镓层，位于所述有源发光层的上表面上；
阳极金属层，位于所述P型氮化镓层的上表面上；
阴极金属层，位于所述N型氮化镓层上，且与所述P型氮化镓层、所述阳极金属层有设定间距。
2.根据权利要求1所述的包含反射材料的氮化镓二极管，其特征在于，所述P型氮化镓层的厚度为10-150nm。
3.根据权利要求1所述的包含反射材料的氮化镓二极管，其特征在于，所述反射材料采用镜面银，所述镜面银的厚度为0.5-5nm。
4.根据权利要求1所述的包含反射材料的氮化镓二极管，其特征在于，所述反射材料采用抛光氧化镜面铝，所述抛光氧化镜面铝的厚度为0.1-1nm。
5.根据权利要求1所述的包含反射材料的氮化镓二极管，其特征在于，所述平面图案在所述衬底表面周期性排列分布。
6.根据权利要求1所述的包含反射材料的氮化镓二极管，其特征在于，所述衬底采用硅或蓝宝石或碳化硅。
7.根据权利要求1所述的包含反射材料的氮化镓二极管，其特征在于，所述阳极金属层和所述P型氮化镓层形成肖特基接触。
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