CN109705759B - 一种通电后失粘胶带及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及胶带技术领域，尤其涉及一种通电后失粘胶带及其制备方法，该通电后失粘胶带包括由下至上依次设置的压敏胶带层、导电层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、界面缓冲层和阴极层；压敏胶带层是通过光照减粘的压敏胶带层；发光层为OLED发光薄膜层；导电层为PEDOT:PSS导电层。本发明还提供一种上述通电后失粘胶带的制备方法。该通电后失粘胶带的原理为：当导电层和阴极层通电后，发光层发光，引发压敏胶带层中的胶水涂层发生反应，使胶水涂层失去粘性；该胶带可广泛应用至电子电器领域中，如应用至手机电池的安装过程中，起到方便拆卸的作用。
Description
技术领域
本发明涉及胶带技术领域，尤其涉及一种通电后失粘胶带及其制备方法。
背景技术
在便携智能电子电器领域，为了安全固定设备电池，越来越多的智能手机、平板电脑等电子设备将电池粘接固定在主板上，但这同时又给设备的维修和回收中的电池的拆卸造成了困难，固定的电池能否便捷的进行拆卸影响了电子设备的发展，现有的设备电池的固定方法一般采用在设备电池与机身设置易拉胶带，使得设备电池可以便捷高效的进行拆卸，但是现在的易拉胶带存有较多问题，第一是拉伸强度不够，现有以150微米厚的易拉胶带为例，拉伸强度不超过25N/10mm；第二是粘着力较差，以150微米厚的易拉胶带为例，与机身之间的粘着力不超过40N/25mm；第三是残胶风险较高，现有的易拉胶带自身开裂或拉断，从而在电池与机身之间残留，影响电池的拆卸质量和效率。
现市面还有一种电池易撕贴，虽可解决电池封装结构存在无法拆卸的问题，但是在易撕贴工艺非常复杂，易撕贴胶带其中一面是需要对压敏胶层进行有规整的杀胶，来减少粘性，同时还需设计一个提拉片，整个工艺需要与胶带厂家及模切厂多道复杂工艺才能完成。
因此，亟需提供一种通电后失粘胶带及其制备方法，以解决现有技术的不足。
发明内容
本发明目的在于，针对现有技术不足而提供的一种通电后失粘胶带及其制备方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：
一种通电后失粘胶带，包括由下至上依次设置的压敏胶带层、导电层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、界面缓冲层和阴极层；所述压敏胶带层是通过光照减粘的压敏胶带层；所述压敏胶带层由UV型压敏减粘胶水制成，所述UV型压敏减粘胶水包括以下重量份的原料：丙烯酸酯压敏胶100份、UV预聚物50～70份、固化剂1～3份、光引发剂8～10份、溶剂40～60份、流平剂0.1～3份；所述丙烯酸酯压敏胶的分子量为38万～68万，玻璃化转变温度为-40℃～-20℃，分子量分布为1.01～2.3；所述发光层为OLED发光薄膜层，所述发光层的厚度为40～50nm；所述导电层为PEDOT:PSS导电层。
本发明还提供一种上述通电后失粘胶带的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：在基膜上涂上UV型压敏减粘胶水；烘干后，胶水涂层的厚度为5μm～20μm；覆上离型膜；然后在50℃～70℃的温度条件下，熟化2～3天，制得所述压敏胶带层。该压敏胶带层具有粘着力高、拉伸强度高的优点。
步骤S2：加热有机溶剂至125℃～135℃；在所述有机溶剂中加入丙烯酸系粘结剂和烷氧基硅烷制得混合溶液；在搅拌状态下向上述混合溶液中滴加PEDOT/PSS导电性高分子分散溶液；滴加完成后，继续搅拌混合1～2h，制得成品溶液；将玻片浸入所述成品溶液中，在拉膜机上进行拉膜，提拉速率为2～10cm/min；提拉后得到的PEDOT/PSS导电膜在90℃～100℃的温度下热处理10～20min后得到所述导电层；将所述导电层覆在所述压敏胶带层上。该导电层具有优良的透光性能和导电性能，透光率可达92％，面电阻仅为40～60Ω/□，且能够通过涂布的方式成膜，制成的薄膜导电层具有较强的拉伸强度。
步骤S3：将PS和NPB按1：2～8的质量比配成浓度为20～25mg/mL的氯仿溶液，在温度为35℃～40℃的条件下搅拌25～30小时，制得PS：NPB溶液；使用匀胶机对该PS：NPB溶液进行旋涂，涂层厚度控制在30～40nm；制得所述空穴传输层；将所述空穴传输层覆在所述导电层上。通过选择PS和NPB配比的最佳值，不仅降低了生产成本，还提高了器件整体的最大亮度和流明效率。
步骤S4：在氮气的保护下，将8-羟基喹啉溶于乙醇中，加热至62℃～68℃，搅拌直至完全溶解，调节溶液pH至6.0～6.5；在搅拌状态下分批加入氢化铝锂，氢化铝锂和8-羟基喹啉的摩尔比为1:3.9～4.1，生成黄色固体沉淀；添加完毕后继续搅拌20～30min，抽滤出上述黄色固体沉淀，将该黄色固体沉淀放置在真空干燥箱中干燥2～3h，干燥后得粗制品；将上述粗制品放于索氏提取器中进行提纯，用乙酸进行连续萃取，待溶液冷却后析出Alq3晶体；对上述Alq3晶体进行重结晶提纯得到Alq3制品。该Alq3制品具有高纯度的优点。
步骤S5：抽真空至4.0～4.5-4Pa，在所述空穴传输层上依次蒸镀步骤S4制得的Alq3、DPVBi、LiF和铝，依次制得所述发光层、所述空穴阻挡层、所述界面缓冲层和所述阴极层后得到所述通电后失粘胶带。DPVBi空穴阻挡层对提高发光层的效率和亮度起到优化作用。LiF界面缓冲层有效阻挡空穴注入，增强载流子注入平衡，提高了发光层的亮度和效率。铝阴极层具有导电性能好的优点。
较优地，所述UV型压敏减粘胶水包括以下重量份的原料：丙烯酸酯压敏胶100份、UV预聚物50～70份、固化剂1～5份、光引发剂5～10份、溶剂40～60份、流平剂0.1～3份。
较优地，所述丙烯酸酯压敏胶的分子量为38万～68万，玻璃化转变温度为-40℃～-20℃，分子量分布为1.01～2.3。
较优地，所述UV预聚物为聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯和聚醚(甲基)丙烯酸酯中的一种或几种；所述固化剂为多异氰酸酯固化剂、环氧固化剂和有机过氧化物固化剂中的一种或几种；所述光引发剂为自由基型光引剂或阳离子型光引发剂中一种或几种。
较优地，所述离型膜的离型力为2～4g/25mm。
较优地，所述丙烯酸系粘结剂包括以下重量份的原料：不具羟基的第一丙烯酸系单体100份、具有羟基的第二丙烯酸系单体70～120份。
较优地，所述烷氧基硅烷选自甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、四乙氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、氨丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三乙氧基硅烷和γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷中的一种或多种。
较优地，在所述步骤S2中，所述成品溶液的原料质量占比为：丙烯酸系粘结剂5％～10％、PEDOT/PSS导电性高分子分散溶液70％～90％和烷氧基硅烷1％～5％；且PEDOT/PSS导电性高分子分散溶液中PEDOT和PSS的摩尔比为1：2～4。
较优地，在所述步骤S5中，DPVBi和LiF的蒸发速率为0.02～0.04nm/s；Alq3的蒸发速率为0.25～0.3nm/s；铝的蒸发速率为1.1～1.5nm/s。所述空穴阻挡层的厚度为30～50nm，提高了电流效率和发光层的发光亮度。所述界面缓冲层的厚度为0.1～0.4nm，使器件具有更好的亮度和效率。所述阴极层的厚度为70～90nm，提高了阴极层的导电性能。
本发明的有益效果为：该通电后失粘胶带的原理为，当导电层和阴极层形成通路后，发光层发光，引发压敏胶带层中的胶水涂层聚合交联固化，使胶水涂层失去粘性；该胶带可广泛应用至电子电器领域中，如应用至手机电池的粘贴安装，起到方便拆卸的作用；该胶带还具有拉伸强度高，粘着力高的优点；经过测试，拉伸强度最高可达60N/10mm；粘着力高最高可达70N/25mm。
附图说明
图1为本发明的一种通电后失粘胶带的结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的说明，这是本发明的较佳实施例。
实施例1
如图1所示，一种通电后失粘胶带，包括由下至上依次设置的压敏胶带层1、导电层2、空穴传输层3、发光层4、空穴阻挡层5、界面缓冲层6和阴极层7；所述压敏胶带层1是通过光照减粘的压敏胶带层；所述发光层4为OLED发光薄膜层；所述导电层2为PEDOT:PSS导电层。
本发明还提供一种上述通电后失粘胶带的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：在基膜上涂上UV型压敏减粘胶水；烘干后，胶水涂层的厚度为5μm；覆上离型膜；然后在50℃的温度条件下，熟化2天，制得所述压敏胶带层1；
步骤S2：加热有机溶剂至125℃；在所述有机溶剂中加入丙烯酸系粘结剂和烷氧基硅烷制得混合溶液；在搅拌状态下向上述混合溶液中滴加PEDOT/PSS导电性高分子分散溶液；滴加完成后，继续搅拌混合1h，制得成品溶液；将玻片浸入所述成品溶液中，在拉膜机上进行拉膜，提拉速率为2cm/min；提拉后得到的PEDOT/PSS导电膜在90℃的温度下热处理10min后得到所述导电层2；将所述导电层2覆在所述压敏胶带层1上；
步骤S3：将PS和NPB按1：2的质量比配成浓度为20mg/mL的氯仿溶液，在温度为35℃的条件下搅拌25小时，制得PS：NPB溶液。其中，PS是聚苯乙烯树脂，NPB是空穴传输材料：N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺。使用匀胶机对该PS：NPB溶液进行旋涂，涂层厚度控制在30nm；制得所述空穴传输层3；将所述空穴传输层3覆在所述导电层2上；
步骤S4：在氮气的保护下，将8-羟基喹啉溶于乙醇中，加热至62℃，搅拌直至完全溶解，调节溶液pH至6.0；在搅拌状态下分批加入氢化铝锂，氢化铝锂和8-羟基喹啉的摩尔比为1:3.9，生成黄色固体沉淀；添加完毕后继续搅拌20min，抽滤出上述黄色固体沉淀，将该黄色固体沉淀放置在真空干燥箱中干燥2h，干燥后得粗制品；将上述粗制品放于索氏提取器中进行提纯，用乙酸进行连续萃取，待溶液冷却后析出Alq3晶体；对上述Alq3晶体进行重结晶提纯得到Alq3制品；
步骤S5：抽真空至4.0-4Pa，在所述空穴传输层上依次蒸镀步骤S4制得的Alq3、DPVBi、LiF和铝，依次制得所述发光层4、所述空穴阻挡层5、所述界面缓冲层6和所述阴极层7后得到所述通电后失粘胶带。
所述UV型压敏减粘胶水包括以下重量份的原料：丙烯酸酯压敏胶100份、UV预聚物50份、固化剂1份、光引发剂5份、溶剂40份、流平剂0.1份。
所述丙烯酸酯压敏胶的分子量为38万～68万，玻璃化转变温度为-40℃～-20℃，分子量分布为1.01。
所述UV预聚物为聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯和聚醚(甲基)丙烯酸酯中的一种或几种；所述固化剂为多异氰酸酯固化剂、环氧固化剂和有机过氧化物固化剂中的一种或几种；所述光引发剂为自由基型光引剂或阳离子型光引发剂中一种或几种。
所述离型膜的离型力为2g/25mm。
所述丙烯酸系粘结剂包括以下重量份的原料：不具羟基的第一丙烯酸系单体100份、具有羟基的第二丙烯酸系单体70份。
所述烷氧基硅烷选自甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、四乙氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、氨丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三乙氧基硅烷和γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷中的一种或多种。
在所述步骤S2中，所述成品溶液的原料质量占比为：丙烯酸系粘结剂5％～10％、PEDOT/PSS导电性高分子分散溶液70％～90％和烷氧基硅烷1％～5％；且PEDOT/PSS导电性高分子分散溶液中PEDOT和PSS的摩尔比为1：2。
在所述步骤S5中，DPVBi和LiF的蒸发速率为0.02nm/s；Alq3的蒸发速率为0.25nm/s；铝的蒸发速率为1.1nm/s；所述发光层4的厚度为40nm；所述空穴阻挡层5的厚度为30nm；所述界面缓冲层6的厚度为0.1nm；所述阴极层7的厚度为70nm。
实施例2
实施例2与实施例1不同的处在于通电后失粘胶带的制备方法，上述通电后失粘胶带的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：在基膜上涂上UV型压敏减粘胶水；烘干后，胶水涂层的厚度为12μm；覆上离型膜；然后在60℃的温度条件下，熟化2.5天，制得所述压敏胶带层；
步骤S2：加热有机溶剂至130℃；在所述有机溶剂中加入丙烯酸系粘结剂和烷氧基硅烷制得混合溶液；在搅拌状态下向上述混合溶液中滴加PEDOT/PSS导电性高分子分散溶液；滴加完成后，继续搅拌混合1.5h，制得成品溶液；将玻片浸入所述成品溶液中，在拉膜机上进行拉膜，提拉速率为5cm/min；提拉后得到的PEDOT/PSS导电膜在95℃的温度下热处理15min后得到所述导电层；将所述导电层覆在所述压敏胶带层上；
步骤S3：将PS和NPB按1：5的质量比配成浓度为22mg/mL的氯仿溶液，在温度为38℃的条件下搅拌38小时，制得PS：NPB溶液；使用匀胶机对该PS：NPB溶液进行旋涂，涂层厚度控制在35nm；制得所述空穴传输层；将所述空穴传输层覆在所述导电层上；
步骤S4：在氮气的保护下，将8-羟基喹啉溶于乙醇中，加热至65℃，搅拌直至完全溶解，调节溶液pH至6.2；在搅拌状态下分批加入氢化铝锂，氢化铝锂和8-羟基喹啉的摩尔比为1:4.0，生成黄色固体沉淀；添加完毕后继续搅拌25min，抽滤出上述黄色固体沉淀，将该黄色固体沉淀放置在真空干燥箱中干燥2.5h，干燥后得粗制品；将上述粗制品放于索氏提取器中进行提纯，用乙酸进行连续萃取，待溶液冷却后析出Alq3晶体；对上述Alq3晶体进行重结晶提纯得到Alq3制品；
步骤S5：抽真空至4.2-4Pa，在所述空穴传输层上依次蒸镀步骤S4制得的Alq3、DPVBi、LiF和铝，依次制得所述发光层、所述空穴阻挡层、所述界面缓冲层和所述阴极层后得到所述通电后失粘胶带。
所述UV型压敏减粘胶水包括以下重量份的原料：丙烯酸酯压敏胶100份、UV预聚物60份、固化剂3份、光引发剂8份、溶剂50份、流平剂2份。
所述丙烯酸酯压敏胶的分子量为38万～68万，玻璃化转变温度为-40℃～-20℃，分子量分布为1.01～2.3。
所述UV预聚物为聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯和聚醚(甲基)丙烯酸酯中的一种或几种；所述固化剂为多异氰酸酯固化剂、环氧固化剂和有机过氧化物固化剂中的一种或几种；所述光引发剂为自由基型光引剂或阳离子型光引发剂中一种或几种。
所述离型膜的离型力为3g/25mm。
所述丙烯酸系粘结剂包括以下重量份的原料：不具羟基的第一丙烯酸系单体100份、具有羟基的第二丙烯酸系单体100份。
所述烷氧基硅烷选自甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、四乙氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、氨丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三乙氧基硅烷和γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷中的一种或多种。
在所述步骤S2中，所述成品溶液的原料质量占比为：丙烯酸系粘结剂5％～10％、PEDOT/PSS导电性高分子分散溶液70％～90％和烷氧基硅烷1％～5％；且PEDOT/PSS导电性高分子分散溶液中PEDOT和PSS的摩尔比为1：3。
在所述步骤S5中，DPVBi和LiF的蒸发速率为0.02～0.04nm/s；Alq3的蒸发速率为0.28nm/s；铝的蒸发速率为1.3nm/s；所述发光层的厚度为45m；所述空穴阻挡层的厚度为40nm；所述界面缓冲层的厚度为0.2nm；所述阴极层的厚度为80nm。
实施例3
实施例3与实施例1、实施例2不同之处在于述通电后失粘胶带的制备方法，上述通电后失粘胶带的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：在基膜上涂上UV型压敏减粘胶水；烘干后，胶水涂层的厚度为20μm；覆上离型膜；然后在70℃的温度条件下，熟化3天，制得所述压敏胶带层；
步骤S2：加热有机溶剂至135℃；在所述有机溶剂中加入丙烯酸系粘结剂和烷氧基硅烷制得混合溶液；在搅拌状态下向上述混合溶液中滴加PEDOT/PSS导电性高分子分散溶液；滴加完成后，继续搅拌混合2h，制得成品溶液；将玻片浸入所述成品溶液中，在拉膜机上进行拉膜，提拉速率为10cm/min；提拉后得到的PEDOT/PSS导电膜在100℃的温度下热处理20min后得到所述导电层；将所述导电层覆在所述压敏胶带层上；
步骤S3：将PS和NPB按1：8的质量比配成浓度为25mg/mL的氯仿溶液，在温度为40℃的条件下搅拌30小时，制得PS：NPB溶液；使用匀胶机对该PS：NPB溶液进行旋涂，涂层厚度控制在40nm；制得所述空穴传输层；将所述空穴传输层覆在所述导电层上；
步骤S4：在氮气的保护下，将8-羟基喹啉溶于乙醇中，加热至68℃，搅拌直至完全溶解，调节溶液pH至6.5；在搅拌状态下分批加入氢化铝锂，氢化铝锂和8-羟基喹啉的摩尔比为1:4.1，生成黄色固体沉淀；添加完毕后继续搅拌30min，抽滤出上述黄色固体沉淀，将该黄色固体沉淀放置在真空干燥箱中干燥3h，干燥后得粗制品；将上述粗制品放于索氏提取器中进行提纯，用乙酸进行连续萃取，待溶液冷却后析出Alq3晶体；对上述Alq3晶体进行重结晶提纯得到Alq3制品；
步骤S5：抽真空至4.5-4Pa，在所述空穴传输层上依次蒸镀步骤S4制得的Alq3、DPVBi、LiF和铝，依次制得所述发光层、所述空穴阻挡层、所述界面缓冲层和所述阴极层后得到所述通电后失粘胶带。
所述UV型压敏减粘胶水包括以下重量份的原料：丙烯酸酯压敏胶100份、UV预聚物70份、固化剂5份、光引发剂10份、溶剂60份、流平剂3份。
所述丙烯酸酯压敏胶的分子量为38万～68万，玻璃化转变温度为-40℃～-20℃，分子量分布为1.01～2.3。
所述UV预聚物为聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯和聚醚(甲基)丙烯酸酯中的一种或几种；所述固化剂为多异氰酸酯固化剂、环氧固化剂和有机过氧化物固化剂中的一种或几种；所述光引发剂为自由基型光引剂或阳离子型光引发剂中一种或几种。
所述离型膜的离型力为4g/25mm。
所述丙烯酸系粘结剂包括以下重量份的原料：不具羟基的第一丙烯酸系单体100份、具有羟基的第二丙烯酸系单体120份。
所述烷氧基硅烷选自甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、四乙氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、氨丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三乙氧基硅烷和γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷中的一种或多种。
在所述步骤S2中，所述成品溶液的原料质量占比为：丙烯酸系粘结剂5％～10％、PEDOT/PSS导电性高分子分散溶液70％～90％和烷氧基硅烷1％～5％；且PEDOT/PSS导电性高分子分散溶液中PEDOT和PSS的摩尔比为1：4。
在所述步骤S5中，DPVBi和LiF的蒸发速率为0.04nm/s；Alq3的蒸发速率为0.3nm/s；铝的蒸发速率为1.5nm/s；所述发光层的厚度为50nm；所述空穴阻挡层的厚度为50nm；所述界面缓冲层的厚度为0.4nm；所述阴极层的厚度为90nm。
本发明并不限于上述实施方式，凡采用和本发明相似结构及其方法来实现本发明目的的所有方式，均在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种通电后失粘胶带，其特征在于，包括由下至上依次设置的压敏胶带层、导电层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、界面缓冲层和阴极层；所述压敏胶带层是通过光照减粘的压敏胶带层；所述压敏胶带层由UV型压敏减粘胶水制成，所述UV型压敏减粘胶水包括以下重量份的原料：丙烯酸酯压敏胶100份、UV预聚物50～70份、固化剂1～3份、光引发剂8～10份、溶剂40～60份、流平剂0.1～3份；所述丙烯酸酯压敏胶的分子量为38万～68万，玻璃化转变温度为-40℃～-20℃，分子量分布为1.01～2.3；所述发光层为OLED发光薄膜层，所述发光层的厚度为40～50nm；所述导电层为PEDOT:PSS导电层。
2.一种如权利要求1所述的通电后失粘胶带的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：在基膜上涂上UV型压敏减粘胶水；烘干后，胶水涂层的厚度为5μm～20μm；覆上离型膜；然后在50℃～70℃的温度条件下，熟化2～3天，制得所述压敏胶带层；
步骤S2：加热有机溶剂至125℃～135℃；在所述有机溶剂中加入丙烯酸系粘结剂和烷氧基硅烷制得混合溶液；在搅拌状态下向上述混合溶液中滴加PEDOT/PSS导电性高分子分散溶液；滴加完成后，继续搅拌混合1～2h，制得成品溶液；将玻片浸入所述成品溶液中，在拉膜机上进行拉膜，提拉速率为2～10cm/min；提拉后得到的PEDOT/PSS导电膜在90℃～100℃的温度下热处理10～20min后得到所述导电层；将所述导电层覆在所述压敏胶带层上；
步骤S3：将PS和NPB按1：2～8的质量比配成浓度为20～25mg/mL的氯仿溶液，在温度为35℃～40℃的条件下搅拌25～30小时，制得PS：NPB溶液；使用匀胶机对该PS：NPB溶液进行旋涂，涂层厚度控制在30～40nm；制得所述空穴传输层；将所述空穴传输层覆在所述导电层上；
步骤S4：在氮气的保护下，将8-羟基喹啉溶于乙醇中，加热至62℃～68℃，搅拌直至完全溶解，调节溶液pH至6.0～6.5；在搅拌状态下分批加入氢化铝锂，氢化铝锂和8-羟基喹啉的摩尔比为1:3.9～4.1，生成黄色固体沉淀；添加完毕后继续搅拌20～30min，抽滤出上述黄色固体沉淀，将该黄色固体沉淀放置在真空干燥箱中干燥2～3h，干燥后得粗制品；将上述粗制品放于索氏提取器中进行提纯，用乙酸进行连续萃取，待溶液冷却后析出Alq3晶体；对上述Alq3晶体进行重结晶提纯得到Alq3制品；
步骤S5：抽真空至4.0～4.5-4Pa，在所述空穴传输层上依次蒸镀步骤S4制得的Alq3、DPVBi、LiF和铝，依次制得所述发光层、所述空穴阻挡层、所述界面缓冲层和所述阴极层后得到所述通电后失粘胶带。
3.如权利要求2所述的通电后失粘胶带的制备方法，其特征在于，所述UV预聚物为聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯和聚醚(甲基)丙烯酸酯中的一种或几种；所述固化剂为多异氰酸酯固化剂、环氧固化剂和有机过氧化物固化剂中的一种或几种；所述光引发剂为自由基型光引剂或阳离子型光引发剂中一种或几种。
4.如权利要求2所述的通电后失粘胶带的制备方法，其特征在于，所述离型膜的离型力为2～4g/25mm。
5.如权利要求2所述的通电后失粘胶带的制备方法，其特征在于，所述丙烯酸系粘结剂包括以下重量份的原料：不具羟基的第一丙烯酸系单体100份、具有羟基的第二丙烯酸系单体70～120份。
6.如权利要求2所述的通电后失粘胶带的制备方法，其特征在于，所述烷氧基硅烷选自甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、四乙氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、氨丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三乙氧基硅烷和γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷中的一种或多种。
7.如权利要求2所述的通电后失粘胶带的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述成品溶液的原料质量占比为：丙烯酸系粘结剂5％～10％、PEDOT/PSS导电性高分子分散溶液70％～90％和烷氧基硅烷1％～5％；且PEDOT/PSS导电性高分子分散溶液中PEDOT和PSS的摩尔比为1：2～4。
8.如权利要求2所述的通电后失粘胶带的制备方法，其特征在于，在所述步骤S5中，DPVBi和LiF的蒸发速率为0.02～0.04nm/s；Alq3的蒸发速率为0.25～0.3nm/s；铝的蒸发速率为1.1～1.5nm/s；所述空穴阻挡层的厚度为30～50nm；所述界面缓冲层的厚度为0.1～0.4nm；所述阴极层的厚度为70～90nm。
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