CN109686582A - 一种基于石墨烯和聚乙烯二氧噻吩制备复合电极的方法 - Google Patents
一种基于石墨烯和聚乙烯二氧噻吩制备复合电极的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109686582A CN109686582A CN201910027952.5A CN201910027952A CN109686582A CN 109686582 A CN109686582 A CN 109686582A CN 201910027952 A CN201910027952 A CN 201910027952A CN 109686582 A CN109686582 A CN 109686582A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cavity
- graphene
- orthogonal array
- electrode
- combination electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 52
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000259 microwave plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M lithium perchlorate Chemical compound [Li+].[O-]Cl(=O)(=O)=O MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 229910001486 lithium perchlorate Inorganic materials 0.000 claims description 8
- RCEAADKTGXTDOA-UHFFFAOYSA-N OS(O)(=O)=O.CCCCCCCCCCCC[Na] Chemical compound OS(O)(=O)=O.CCCCCCCCCCCC[Na] RCEAADKTGXTDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- -1 sodium dialkyl sulfate Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 4
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 claims description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 3
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 abstract description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 abstract description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000790917 Dioxys <bee> Species 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- SXMUSCUQMMSSKP-UHFFFAOYSA-N [O].C=1C=CSC=1 Chemical compound [O].C=1C=CSC=1 SXMUSCUQMMSSKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- MOTZDAYCYVMXPC-UHFFFAOYSA-N dodecyl hydrogen sulfate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOS(O)(=O)=O MOTZDAYCYVMXPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001488 sodium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/24—Electrodes characterised by structural features of the materials making up or comprised in the electrodes, e.g. form, surface area or porosity; characterised by the structural features of powders or particles used therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/32—Carbon-based
- H01G11/36—Nanostructures, e.g. nanofibres, nanotubes or fullerenes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/48—Conductive polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/84—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof
- H01G11/86—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof specially adapted for electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于石墨烯和聚乙烯二氧噻吩制备复合电极的方法,包括以下步骤:1)通过微波等离子体化学气相沉积法在电极衬底的表面形成垂直阵列石墨烯层;2)通过电化学沉积法在步骤1)所得半成品的垂直阵列石墨烯层上形成聚乙烯二氧噻吩层,即得。本发明的垂直阵列石墨烯可起到骨架构筑的作用,垂直阵列石墨烯之间的空隙还可以为电化学循环过程提供离子和电子快速进出的通道,同时以此种方法制备出的复合电极省去了常见制备过程中的粘结剂和导电剂,制备工艺简单,复合电极构造可靠,并具有更优异的电化学性能,更好的稳定性等特点。
Description
技术领域
本发明涉及纳米材料电极领域,具体涉及一种基于石墨烯和聚乙烯二氧噻吩制备复合电极的方法。
背景技术
近年来,随着新能源技术的发展和应用,对储能器件的电极提出了更高的要求。
以超级电容器为例,其充放电速度越快、效率越高、循环寿命越长则越好。电极是影响超级电容器综合电性能的关键部位,因此电极的材质选择及构造变得尤为重要。
传统超级电容器构建电极常用的材料有以聚乙烯二氧噻吩为代表的导电聚合物,这是一种具有易处理、成本低、电容化学稳定性好、循环可逆性强等优异特性的材料,其电性能介于半导体和金属之间;还有一种以石墨烯为代表,石墨烯具有二维纳米层结构,具有高强度、高热导率、高导电、高比表面积等特性。
然而,在实际应用过程中,以聚乙烯二氧噻吩为代表的导电聚合物存在骨架结构易损坏、容量衰减明显等不足,石墨烯受碳元素存储机制限制,应用的电容器性能并不令人满意。另外,传统电极的构造往往是电极材料的简单组合,电极的生产工艺也比较复杂,往往还需要再借助外加的粘结剂和导电剂,这会进一步产生不利影响。因此,有必要对上述的不足加以改进。
发明内容
为克服现有技术存在的上述不足,本发明提供一种基于石墨烯和聚乙烯二氧噻吩制备复合电极的方法,该方法工艺简单,制得的复合电极构造可靠,稳定性好,电化学性能高。本发明通过以下技术方案实现:一种基于石墨烯和聚乙烯二氧噻吩制备复合电极的方法,包括以下步骤:
1)通过微波等离子体化学气相沉积法在电极衬底的表面形成垂直阵列石墨烯层;
2)通过电化学沉积法在步骤1)所得半成品的垂直阵列石墨烯层上形成聚乙烯二氧噻吩层,即得。
优选的,在步骤1)中,将所述电极衬底放在微波等离子体化学气相沉积装置的石墨台上,关闭腔体并抽真空,再对所述腔体加热至320-375℃,并以3:2的流速比通入氢气和甲烷,然后通过微波使等离子体包裹所述电极衬底,调节抽气功率将所述腔体的气压保持稳定3-5min。
优选的,在步骤2)中,配置溶解有乙烯二氧噻吩、十二烷基硫酸钠和高氯酸锂的电解液,将所述半成品置于所述电解液中并进行电化学沉积。
优选的,所述氢气的流量为30sccm,所述甲烷的流量为20sccm,所述微波的功率为800W,所述腔体的气压为10Torr。
优选的,所述高氯酸锂、所述十二烷基硫酸钠和所述乙烯二氧噻吩的浓度依次为0.02mol/L、0.02mol/L和0.06mol/L。
优选的,电化学沉积的电压为1V,沉积时间为300s。
本发明采用微波等离子体化学气相沉积法,利用甲烷、氢气混合气体制备垂直阵列石墨烯,由此方法制备的垂直阵列石墨烯具有均匀、形貌可控等特点,同时使用电化学沉积法,能在不损害垂直阵列石墨烯层结构的条件下,制备出与垂直阵列石墨烯层紧密复合在一起的聚乙烯二氧噻吩层,垂直阵列石墨烯可起到骨架构筑的作用,垂直阵列石墨烯之间的空隙还可以为电化学循环过程提供离子和电子快速进出的通道,同时以此种方法制备出的复合电极省去了常见制备过程中的粘结剂和导电剂,因此制备工艺简单,复合电极构造可靠,比容量高,并具有更优异的电化学性能,更好的稳定性等特点。
附图说明
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。
图1为本发明实施例的微波等离子体化学气相沉积装置的结构示意图;
图2为本发明实施例电化学沉积的结构示意图;
图3为本发明实施例制得的垂直阵列石墨烯和聚乙烯二氧噻吩复合层的拉曼图谱;
图4为本发明实施例制得的垂直阵列石墨烯和聚乙烯二氧噻吩复合层的扫描电子显微镜图(图4A)、碳元素分布图(图4B)、氧元素分布图(图4C)、硫元素分布图(图4D);
图5为本发明实施例制得的垂直阵列石墨烯和聚乙烯二氧噻吩复合层在不同电流下恒流充放电曲线图。
图1和2中各标号对应如下,腔体1,波导管2,石英玻璃板3,进气口4,仓门5,真空泵抽气口6,样品台7,升降机构8,电解池9,对电极10,工作电极11,参比电极12,电解液13。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明进行进一步的描述:
作为几种示例,下述各实施例基于石墨烯和聚乙烯二氧噻吩制备复合电极的方法,所用微波等离子体化学气相沉积装置,如图1所示,包括腔体1,腔体1上设有仓门5,腔体1内设有容腔,并容置有石英玻璃板3和样品台7,样品台7设置在升降机构8上,腔体1上还设有与容腔连通的波导管2、进气口4和真空泵抽气口6,波导管2与微波发生器连接。
使用时,电极衬底由仓门5进入,放置于样品台7上,并通过升降控制器8调整至合适高度。氢气和甲烷由进气口4进入腔体1,同时通过调节真空泵抽气口6的抽气速率控制腔体1内压强。微波通过波导管2传输并在腔体1内耦合,石英玻璃板3能在通过微波的同时将腔体1的容腔下部和微波发生器的波导管2隔绝开,以防止热量损害微波发生器。充入腔体1的容腔下部的气体,吸收微波能量激发产生等离子体进行化学气相沉积。
图2示出了下述各实施例电化学沉积所用的电解池9,其中装有含有高氯酸锂、十二烷基硫酸钠和乙烯二氧噻吩的电解液13。伸入电解液13中的三根电极分别为由铂片组成的对电极10,由Ag/AgCl组成的参比电极12,以及由载有垂直阵列石墨烯层的电极衬底组成的工作电极11。
实施例1
本实施例基于石墨烯和聚乙烯二氧噻吩制备复合电极的方法,一并参考图1和2,包括以下步骤:
1)以碳布作为电极衬底放到腔体1内的石墨样品台7中央,对腔体1的容腔抽真空至真空度0.5torr。
2)使用加热源将腔体1内加热至370℃,并向腔体通入氢气和甲烷,氢气和甲烷的流量分别为30sccm和20sccm。当腔体内气压到达10torr,打开微波源,腔体内气体吸收微波生成等离子体,微波功率优选为800W;
3)调节抽气速率,使腔体1内气压在10Torr的条件下保持5min,以在碳布表面形成垂直阵列石墨烯层。
4)反应结束后,关闭微波源,待腔体1内温度冷却到300℃以下,取出覆盖有垂直阵列石墨烯层的碳布。
5)将步骤4)得到的碳布作为工作电极11,伸入含有乙烯二氧噻吩、十二烷基硫酸钠和高氯酸锂的电解液13中,使用恒电压沉积法,在垂直阵列石墨烯层上形成聚乙烯二氧噻吩层,使得垂直阵列石墨烯层和聚乙烯二氧噻吩层二者之间形成紧密连接的复合层,具体实施时,上述的乙烯二氧噻吩、十二烷基硫酸钠和高氯酸锂浓度依次分别优选为0.02mol/L、0.02mol/L和0.06mol/L,电沉积的电压为1V,持续时间500s。
6)步骤5)所得碳布从电解液中取出,用乙醇和去离子水反复冲洗,然后置于50℃空气中烘干30min,即制得复合电极。
对步骤6)制得的复合电极进行拉曼图谱检测,结果如图3所示,可以看出制得的复合电极具有明显的石墨烯标志性的D峰和G峰,这证实了石墨烯的存在,同时也可以看出一系列聚乙烯二氧噻吩标志性的峰。
对步骤6)制得的复合电极进行扫描电子显微镜检测,结果如图4所示,从中可以看出,垂直阵列石墨烯间隙得到了保留(图4A),由硫元素分布图(图4D)和图4A的对比可以看出,聚乙烯二氧噻吩均匀地沉积在了垂直阵列石墨烯表面。
对步骤6)制得的复合电极在不同电流密度下进行恒电流充放电测试,该测试在三电极体系中进行,工作电极为制得的复合电极,参比电极为Ag/AgCl,对电极为铂片电极,电解液为1mol/L硫酸溶液,结果如图5所示,从中可以看出该复合电极具有极佳的电化学性能,经计算,电流密度为7A/g时比容量为189F/g,电流密度为17.7A/g时比容量为184F/g,电流密度为35.4A/g时比容量为177F/g。
实施例2
本实施例基于石墨烯和聚乙烯二氧噻吩制备复合电极的方法,如图1和2,包括以下步骤:
1)以钛片作为电极衬底放到腔体内石墨样品台7中央,对腔体1内容腔抽真空至真空度0.5torr。
2)用加热源将腔体1内加热至320度,并向腔体1内通入氢气和甲烷,氢气和甲烷的流量分别为30sccm和20sccm。当腔体1容腔气压达到10torr,打开微波源,腔体1内气体吸收微波生成等离子体,微波功率为800W。
3)调节抽气速率,使腔体1内气压在10Torr的状态下保持3min。
4)反应结束后,关闭微波源,待腔体冷却到300℃以下,取出覆盖有垂直阵列石墨烯层的钛片。
5)将步骤4)得到的钛片放入含有乙烯二氧噻吩、十二烷基硫酸钠和高氯酸锂(浓度依次为0.02、0.02和0.06mol/L)的电解液13中,使用恒电压沉积法,在垂直阵列石墨烯层上形成聚乙烯二氧噻吩层,使得垂直阵列石墨烯层和聚乙烯二氧噻吩层二者之间形成紧密连接的复合层,电沉积的电压为1V,持续时间500s。
6)将步骤5)得到的钛片从电解液13中取出,用乙醇和去离子水反复冲洗,然后置于50℃空气中烘干30min,即制得复合电极。
应当理解的是,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
上面对本发明专利进行了示例性的描述,显然本发明专利的实现并不受上述方式的限制,只要采用了本发明专利的方法构思和技术方案进行的各种改进,或未经改进将本发明专利的构思和技术方案直接应用于其它场合的,均在本发明的保护范围内。
Claims (6)
1.一种基于石墨烯和聚乙烯二氧噻吩制备复合电极的方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)通过微波等离子体化学气相沉积法在电极衬底的表面形成垂直阵列石墨烯层;
2)通过电化学沉积法在步骤1)所得半成品的垂直阵列石墨烯层上形成聚乙烯二氧噻吩层,即得。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤1)中,将所述电极衬底放在微波等离子体化学气相沉积装置的石墨台上,关闭腔体并抽真空,再对所述腔体加热至320-375℃,并以3:2的流速比通入氢气和甲烷,然后通过微波使等离子体包裹所述电极衬底,调节抽气功率将所述腔体的气压保持稳定3-5min。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤2)中,配置溶解有乙烯二氧噻吩、十二烷基硫酸钠和高氯酸锂的电解液,将所述半成品置于所述电解液中并进行电化学沉积。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述氢气的流量为30sccm,所述甲烷的流量为20sccm,所述微波的功率为800W,所述腔体的气压为10Torr。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述高氯酸锂、所述十二烷基硫酸钠和所述乙烯二氧噻吩的浓度依次为0.02mol/L、0.02mol/L和0.06mol/L。
6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,电化学沉积的电压为1V,沉积时间为300s。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910027952.5A CN109686582A (zh) | 2019-01-11 | 2019-01-11 | 一种基于石墨烯和聚乙烯二氧噻吩制备复合电极的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910027952.5A CN109686582A (zh) | 2019-01-11 | 2019-01-11 | 一种基于石墨烯和聚乙烯二氧噻吩制备复合电极的方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109686582A true CN109686582A (zh) | 2019-04-26 |
Family
ID=66192249
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910027952.5A Pending CN109686582A (zh) | 2019-01-11 | 2019-01-11 | 一种基于石墨烯和聚乙烯二氧噻吩制备复合电极的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109686582A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110349756A (zh) * | 2019-05-21 | 2019-10-18 | 浙江工业大学 | 一种自支撑薄膜及其制备方法 |
CN114613604A (zh) * | 2022-03-23 | 2022-06-10 | 闽都创新实验室 | 一种连续化制备纤维状滤波电化学电容器的方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108517513A (zh) * | 2018-04-27 | 2018-09-11 | 北京石墨烯研究院 | 石墨烯复合铝箔及其制备方法 |
CN108649190A (zh) * | 2018-03-28 | 2018-10-12 | 浙江大学 | 具有三维多孔阵列结构的垂直石墨烯/钛铌氧/硫碳复合材料及其制备方法和应用 |
-
2019
- 2019-01-11 CN CN201910027952.5A patent/CN109686582A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108649190A (zh) * | 2018-03-28 | 2018-10-12 | 浙江大学 | 具有三维多孔阵列结构的垂直石墨烯/钛铌氧/硫碳复合材料及其制备方法和应用 |
CN108517513A (zh) * | 2018-04-27 | 2018-09-11 | 北京石墨烯研究院 | 石墨烯复合铝箔及其制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
XINGCHENG XIAO等: "Vertically aligned graphene electrode for lithium ion battery with high rate capability", 《ELECTROCHEMISTRY COMMUNICATIONS》 * |
张辉等: "石墨烯/聚 3,4-乙烯二氧噻吩复合物的电化学制备及其在超级电容器中的应用", 《无机化学学报》 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110349756A (zh) * | 2019-05-21 | 2019-10-18 | 浙江工业大学 | 一种自支撑薄膜及其制备方法 |
CN114613604A (zh) * | 2022-03-23 | 2022-06-10 | 闽都创新实验室 | 一种连续化制备纤维状滤波电化学电容器的方法 |
CN114613604B (zh) * | 2022-03-23 | 2024-03-26 | 闽都创新实验室 | 一种连续化制备纤维状滤波电化学电容器的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107204445B (zh) | 一种锂离子电池用三维多孔硅碳负极材料及其制备方法 | |
CN108649190A (zh) | 具有三维多孔阵列结构的垂直石墨烯/钛铌氧/硫碳复合材料及其制备方法和应用 | |
CN111199835B (zh) | 分级结构镍钴硒/镍钴双氢氧化物复合电极材料制备方法 | |
CN102646518B (zh) | 脉冲激光沉积制备石墨烯电极材料的方法及其应用 | |
CN104577059B (zh) | 泡沫镍基底上直接生长碳纳米管来制备电池电极的方法 | |
CN108878900A (zh) | 一种氮掺杂石墨烯改性碳毡的制备方法 | |
CN104269281A (zh) | 非对称式超级电容器的制作方法 | |
CN109796016A (zh) | 一种调控MXene纳米片层间距的方法 | |
CN105932236B (zh) | 一种锂离子电池电极材料的包覆改性方法 | |
CN106449132B (zh) | 一种介孔Co3O4纳米线@NiCo2O4纳米片分级核壳阵列材料、制备方法及应用 | |
CN109081333A (zh) | 一种电化学剥离制备氟掺杂石墨烯的方法 | |
CN108807888A (zh) | 一种三维多孔铜硅碳复合一体化电极及其制备方法 | |
CN103606683B (zh) | 一种线团状的锗纳米材料及其制备方法 | |
CN111403718B (zh) | 钛铌氧/垂直石墨烯/碳化钛-碳复合材料及其制备方法和应用 | |
CN110240145B (zh) | 一种无过渡层支撑的金属基阵列碳纳米管电极材料及其制备方法和应用 | |
CN109686582A (zh) | 一种基于石墨烯和聚乙烯二氧噻吩制备复合电极的方法 | |
CN106887572A (zh) | 一种锑‑碳复合材料及其制备方法和应用 | |
CN106024403B (zh) | 一种超级电容器碳管/碳化钼复合电极材料及其制备方法 | |
CN110311133A (zh) | 一种三维碳负极材料及其制备方法、应用 | |
CN106981650A (zh) | 一种纳米级单质铋的制备方法 | |
CN108963237A (zh) | 一种钠离子电池负极材料的制备方法 | |
Li et al. | MoS2 modified TiN nanotube arrays for advanced supercapacitors electrode | |
CN110890224A (zh) | 一种二硒化钼/碳纳米管阵列复合电极、制备方法及应用 | |
CN110444406A (zh) | 一种快速活化三维Ni-C纳米材料作为储能电极材料的制备方法 | |
CN102290250A (zh) | 一种制备太阳能电池光阳极的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190426 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |