CN102646518B - 脉冲激光沉积制备石墨烯电极材料的方法及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种脉冲激光沉积制备石墨烯电极材料的方法及其应用。利用Hummers法制备氧化石墨烯（GO），经压片机压制成厚度约为2mm的薄片，脉冲激光烧蚀此氧化石墨烯靶材，在泡沫镍基底上溅射沉积制备石墨烯电极材料。此法在制备石墨烯电极材料的过程中不需任何黏附剂，从而避免了黏附剂可能对电极材料电容特性的影响。
Description
技术领域
本发明属于电化学储能领域，具体涉及一种脉冲激光沉积制备石墨烯电极材料的方法及其应用。
背景技术
当今社会资源匮乏和经济发展之间的矛盾日益突出，可再生资源（太阳能、风能等）的开发和利用备受关注。但其明显的不连续性和不稳定性阻碍了可再生资源的大规模利用。而高效储能装置可弥补可再生资源这一不足。众所周知，超级电容器（supercapacitors）可有效提高能量储存和转化效率，是一种介于常规电容器与二次电池之间的新型储能器件，同时兼具电容器功率密度大和二次电池能量密度高的优点。在超级电容器中电极材料是影响超级电容器性能和生产成本的关键因素，因此，设计高性能、低成本的电极材料成为超级电容器研究的热点。常用电极材料主要有碳材料、过渡金属氧化物、导电聚合物及复合材料。其中，碳材料具有比表面积大、导电率高且电位窗口宽、电解液浸润性好、价格低廉等优点，因而成为目前研究和应用最为广泛的超级电容器电极材料。碳材料主要包括活性炭、活性炭纤维、炭气凝胶、碳纳米管和石墨烯等。
在碳材料中，具有高比表面积和优异导电性的石墨烯是理想的超级电容器电极材料，可提高超级电容器功率密度和能量密度，有望成为价格低廉且性能优越的新一代超级电容器电极材料。目前石墨烯的制备方法主要包括剥离法（微机械剥离法和溶剂剥离法等），生长法（取向附生法、化学气相沉积和晶体外延生长等），氧化还原石墨法（Hummers法、Brodie法以及Standenmaier法等），电弧放电法与碳纳米管剥开法等。这些方法各有其优势与局限性，要制备高质量、高产率、低成本、结构稳定的石墨烯还需要进一步探索新的制备途径。
美国专利（US007790242B1，2010）提供了一种静电沉积石墨烯的方法。此方法可在基底上的选定位置沉积石墨烯，有利于石墨烯基本性质和石墨烯基器件的研究。同时所需能耗低，周期短，可在多种基底上沉积得到单层石墨烯，且无需添加任何化学助剂。
中国专利（CN10260849.9，2011）采用化学剥离法制备的不同碳/氧比的石墨烯为原料，通过保护气体并控制升温速率，在高温条件下，通入不同浓度的含氮或硼元素气体，调控处理时间，实现石墨烯的异质原子的掺杂，获得氮或硼掺杂的石墨烯，解决了化学剥离法制备石墨烯电极的不稳定问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种脉冲激光沉积制备石墨烯电极材料的方法及其应用，本发明方法制备出石墨烯电极材料的过程中不需添加任何黏合剂，实验操作简便。
本发明中提出的脉冲激光沉积制备石墨烯电极材料的方法，具体步骤如下：
（1）利用Hummers法制备氧化石墨烯，经研磨后在压片机上10MPa压成片，得到氧化石墨烯靶材；
（2）将泡沫镍在稀盐酸中浸泡10min，除去表面氧化物，再用去离子水冲洗，干燥后与步骤(1)制得的氧化石墨烯靶材一同置于真空室中，调节二者间距为2.5-3.5cm，利用机械泵和分子泵将真空室抽真空至10-4Pa；
（3）利用Nd:YAG脉冲激光器将激光束通过透镜和光学窗片聚焦到氧化石墨烯靶材上，激光束的高能量在瞬间熔融蒸发出靶材羽流，并沉积在泡沫镍基片上，沉积时间为60min，即制备出石墨烯电极材料，激光束波长为1064nm，重复频率为10Hz；
（4）关闭分子泵、机械泵及激光器，打开真空室，取出泡沫镍基片，进行表征和电化学性能测试。
利用本发明方法制备得到的石墨烯电极材料应用于超级电容器电极材料。
附图说明
图1为脉冲激光沉积制备石墨烯电极材料的装置示意图。
图2-5为扫描电子显微镜（SEM）图（放大倍数分别为800、5000、20000和80000）。
图6为石墨烯电极材料在不同扫描速率下的循环伏安曲线（电解质溶液为1M KOH溶液）。
图7为石墨烯电极材料在不同扫描速率下的比电容值。
图8和9为不同电流密度下石墨烯电极材料的放电曲线。
图10为石墨烯电极材料的循环寿命图。
图11为石墨烯电极材料的交流阻抗谱。
图中标号：1为压制的氧化石墨烯片，2为旋转靶，3为进气管，4为真空室，5为泡沫镍基片，6为Nd:YAG脉冲激光器，7为激光溅射产生的等离子羽流。
具体实施方式
下面通过实施例进一步说明本发明。
实施例1：
（1）利用Hummers法制备氧化石墨烯，具体过程简述如下：取5g石墨置于120 ml浓硫酸中，加入2.5g硝酸钠，在冰水浴中缓慢加入15gKMnO4，持续搅拌30min，再缓慢加入200 ml去离子水。继续搅拌15min。再加入温度为60℃的去离子水约200 ml和30%的H2O2溶液约30 ml，混合物由棕褐色变为亮黄色，趁热过滤，清洗后在60℃真空干燥箱中干燥得到氧化石墨。再将氧化石墨在300℃空气气氛中煅烧10min,即可得到氧化石墨烯。(用文字介绍其方法)，经仔细研磨后在压片机上10MPa压成片，作为靶材；
（2）将预处理后的泡沫镍和氧化石墨烯靶材置于真空室中，调节靶材与基片距离为3cm，利用机械泵和分子泵将真空室抽真空至10-4Pa。图1为系统装置示意图；
（3）利用Nd:YAG脉冲激光器将激光束（波长为1064nm，重复频率为10Hz）通过透镜和光学窗片聚焦到钴靶材上，激光束的高能量在瞬间熔融蒸发出靶材羽流，并沉积在泡沫镍基片上，沉积时间为60min，即制备出石墨烯电极材料。图2-5分别为放大倍数为800、5000、20000和80000倍的石墨烯电极材料扫描电子显微镜图片。
（4）关闭分子泵、机械泵及激光器，打开真空室，取出基片，进行表征，并在1M KOH溶液中测试石墨烯电极材料的电化学性能，其电化学性能测试结果见图7-11，其中图6为石墨烯电极材料在不同扫描速率（2-100 mV s-1）下的循环伏安曲线，图7为根据图6所测循环伏安曲线计算的不同扫描速率（2-100 mV s-1）下石墨烯电极材料的比电容，图8和9为不同电流密度（0.35-5A g-1）下石墨烯电极材料的放电曲线，图10为石墨烯电极材料的循环寿命图，经过500次循环后石墨烯电极材料在电流密度为5A g-1时比电容仅损耗12%，图11为石墨烯电极材料的交流阻抗谱。
实施例2：
（1）利用Hummers法（具体过程见实施例1（1））制备氧化石墨烯，经仔细研磨后在压片机上10MPa压成片，作为靶材；
（2）将预处理后的泡沫镍和氧化石墨烯靶材置于真空室中，调节靶材与基片距离为1cm。利用机械泵和分子泵将真空室抽真空至10-4Pa；
（3）利用Nd:YAG脉冲激光器将激光束（波长为1064nm，重复频率为10Hz）通过透镜和光学窗片聚焦到钴靶材上，激光束的高能量在瞬间熔融蒸发出靶材羽流，并沉积在泡沫镍基片上，沉积时间为60min，即制备出石墨烯电极材料。
（4）关闭分子泵、机械泵及激光器，打开真空室，取出基片，进行表征，并在1M KOH溶液中测试石墨烯电极材料的电化学性能。
实施例3：
（1）利用Hummers法（具体过程见实施例1（1））制备氧化石墨烯，经仔细研磨后在压片机上10MPa压成片，作为靶材；
（2）将预处理后的泡沫镍和氧化石墨烯靶材置于真空室中，调节靶材与基片距离为5cm。利用机械泵和分子泵将真空室抽真空至10-4Pa；
（3）利用Nd:YAG脉冲激光器将激光束（波长为1064nm，重复频率为10Hz）通过透镜和光学窗片聚焦到钴靶材上，激光束的高能量在瞬间熔融蒸发出靶材羽流，并沉积在泡沫镍基片上，沉积时间为60min，即制备出石墨烯电极材料。
（4）关闭分子泵、机械泵及激光器，打开真空室，取出基片，进行表征，并在1M KOH溶液中测试石墨烯电极材料的电化学性能。
Claims (2)
1.一种脉冲激光沉积制备石墨烯电极材料的方法，其特征在于具体步骤如下：
（1）利用Hummers法制备氧化石墨烯，经研磨后在压片机上10MPa压成片，得到氧化石墨烯靶材；
（2）将泡沫镍在稀盐酸中浸泡10min，除去表面氧化物，再用去离子水冲洗，干燥后与步骤(1)制得的氧化石墨烯靶材一同置于真空室中，调节二者间距为2.5-3.5cm，利用机械泵和分子泵将真空室抽真空至10-4Pa；
（3）利用Nd:YAG脉冲激光器将激光束通过透镜和光学窗片聚焦到氧化石墨烯靶材上，激光束的高能量在瞬间熔融蒸发出靶材羽流，并沉积在泡沫镍基片上，沉积时间为60min，即制备出石墨烯电极材料，激光束波长为1064nm，重复频率为10Hz；
（4）关闭分子泵、机械泵及激光器，打开真空室，取出泡沫镍基片，进行表征和电化学性能测试。
2.一种如权利要求1所述方法得到的石墨烯电极材料应用于超级电容器电极材料。
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