CN109665559A - 一种TiO2纳米阵列薄膜及其制备方法 - Google Patents

一种TiO2纳米阵列薄膜及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109665559A
CN109665559A CN201811618373.XA CN201811618373A CN109665559A CN 109665559 A CN109665559 A CN 109665559A CN 201811618373 A CN201811618373 A CN 201811618373A CN 109665559 A CN109665559 A CN 109665559A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nano
tio
titanium foil
array film
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811618373.XA
Other languages
English (en)
Inventor
鄂磊
赖柳媛
赵丹
赵巍
李天昊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianjin Chengjian University
Original Assignee
Tianjin Chengjian University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianjin Chengjian University filed Critical Tianjin Chengjian University
Priority to CN201811618373.XA priority Critical patent/CN109665559A/zh
Publication of CN109665559A publication Critical patent/CN109665559A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G23/00—Compounds of titanium
    • C01G23/04—Oxides; Hydroxides
    • C01G23/047—Titanium dioxide
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/20—Particle morphology extending in two dimensions, e.g. plate-like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/50—Agglomerated particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

本发明提供一种TiO2纳米阵列薄膜及其制备方法，包括以下步骤：将化学抛光处理过的金属钛箔（20×20mm2），放入80mL反应釜中；将氯化钠（NaCl）加入到去离子水中，搅拌至完全溶解，再加入双氧水（H2O2），持续搅拌30min；将混合溶液转移至反应釜中，并在140℃下水热反应6h；待反应釜冷却至室温后，取出钛箔并用去离子水冲洗其表面，冲洗完毕后放入烘箱干燥；将干燥后的钛箔放入马弗炉中，在450℃下热处理2h，即可得到TiO2纳米阵列薄膜。本发明所制备的TiO2纳米阵列薄膜表面由垂直于基底的纳米片构成且制备流程简单易控。

Description

一种TiO2纳米阵列薄膜及其制备方法
技术领域
本发明是一种TiO2纳米阵列薄膜及其制备方法，属于光催化技术领域。
背景技术
TiO2薄膜因其优异的安全性、催化性能和稳定性，在光催化处理污水、净化空气领域得到广泛研究。单纯光照催化条件下的光生电子和空穴容易复合，活性较低。通过外置正向偏压，可以显著提高光生电子和空穴的分离效率，因此光电协同催化可以显著提高有机污染物的降解速率。光催化薄膜电极的结构对光电协同效果非常重要，电极结构及电荷传输性质，决定着光电催化的效果。理想的光电催化光阳极应具有较大的比表面积及优良的电子传输性能。TiO2纳米阵列薄膜拥有优良的电子传输性能，可减少光生电子和空穴的复合，因此具有良好的光电催化性能。
现有技术中，多采用液相化学法、溶胶-凝胶法等方法制备TiO2薄膜，其制备过程比较复杂、制备周期长，且存在原料成本高、使用的溶剂污染大等缺点。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明目的是提供一种TiO2纳米阵列薄膜及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题，本发明通过水热法，以H2O2为氧化剂，NaCl为形貌控制剂，钛箔为钛源制备大面积TiO2纳米阵列薄膜。
为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种TiO2纳米阵列薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤一：将20×20mm2面积大小的钛箔先后放入99.7wt% 乙醇和去离子水中分别超声清洗15min，然后放入40wt% HF、65-68wt% HNO3和H2O的混合酸溶液浸渍15-20s；取出后用去离子水反复冲洗，再将钛箔放入去离子水中超声清洗10-15min，得到洗净的钛箔；
步骤二：将步骤一中洗净的钛箔放入烘箱中经60-80℃干燥1-2h后，再放入80mL反应釜中；
步骤三：将一定量的NaCl溶液加入到30wt% H2O2中，搅拌30min，得到混合溶液；
步骤四：将步骤三得到的混合溶液转移至步骤二中的80mL反应釜中，并在140-160℃下水热反应4-6h；
步骤五：待反应釜冷却至室温后，取出钛箔并用去离子水反复冲洗其表面3-5次，在70-75℃下干燥1-2h，得到干燥钛箔；
步骤六：将步骤五中的干燥钛箔放入马弗炉中，在400-500℃下热处理2-10h，即得到TiO2纳米阵列薄膜。
进一步的，步骤一中所述的混合酸溶液的体积比为HF:HNO3:H2O=1:1:2。
进一步的，步骤三中所述的NaCl溶液的浓度为2mol/L，NaCl溶液的体积50mL，H2O2体积为10mL。
进一步的，步骤四优选为：将步骤三得到的混合溶液转移至步骤二中的80mL反应釜中，并在140℃下水热反应6h。
进一步的，步骤六具体为：将步骤五中的干燥钛箔放入马弗炉中，以1-5℃/min的升温速率升温至400-500℃，并保温2-10h，即得到TiO2纳米阵列薄膜。
进一步的，步骤六优选为：将步骤五中干燥的钛箔放入马弗炉中，以1℃/min的升温速率升温至450℃，并热处理2h，即得到TiO2纳米阵列薄膜。
进一步的，TiO2纳米阵列薄膜由垂直于基片、相互交错且高度为70-100nm、厚度为2-3nm片状结构构成，其表面为浅蓝色。
本发明的有益效果：
（1）本发明通过水热法，以H2O2为氧化剂，NaCl为形貌控制剂，钛箔为钛源制备大面积TiO2纳米阵列薄膜。
（2）本发明所制备的TiO2纳米阵列薄膜表面由垂直于基底的纳米片构成且制备流程简单易控。
（3）本发明采用简单的一步水热法制备，不添加任何表面活性剂，即可获得TiO2纳米阵列薄膜。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明实施例1制备的TiO2纳米阵列薄膜的低倍SEM照片。
图2为本发明实施例1制备的TiO2纳米阵列薄膜的高倍SEM照片。
图3为本发明实施例1制备的TiO2纳米阵列薄膜的EDS谱图。
图4为本发明实施例1制备的TiO2纳米阵列薄膜的XPS谱图。
图5为本发明实施例2制备的TiO2纳米阵列薄膜的低倍SEM照片。
图6为本发明实施例2制备的TiO2纳米阵列薄膜的高倍SEM照片。
图7为本发明实施例2制备的TiO2纳米阵列薄膜的EDS谱图。
图8为本发明实施例3制备的TiO2纳米阵列薄膜的低倍SEM照片。
图9为本发明实施例3制备的TiO2纳米阵列薄膜的高倍SEM照片。
图10为本发明实施例3制备的TiO2纳米阵列薄膜的EDS谱图。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
一种TiO2纳米阵列薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤一：将20×20mm2面积大小的钛箔先后放入99.7 wt%乙醇和去离子水中分别超声清洗15min，然后放入40wt% HF、65-68wt% HNO3和H2O的混合酸溶液（体积比为HF:HNO3:H2O=1:1:2）浸渍15-20s，去除钛箔表面的氧化层，从而获得新的钛表面，取出后用去离子水反复冲洗，再将钛箔放入去离子水中超声清洗10-15min，彻底去除混合酸溶液，得到洗净的钛箔；
步骤二：将步骤一中洗净的钛箔放入烘箱中经60-80℃干燥1-2h后，再放入80mL反应釜中；
步骤三：将50mL 2mol/L的NaCl溶液加入到10mL 30wt% H2O2中，搅拌30min，得到混合溶液，其中NaCl作为形貌控制剂，利于TiO2形成片状形貌；而H2O2作为氧化剂，可将钛箔表面氧化形成三维多孔结构；
步骤四：将步骤三得到的混合溶液转移至步骤二中的80mL反应釜中，并在140-160℃下水热反应4-6h，形成具有纳米片组成的阵列形貌；
步骤五：待反应釜冷却至室温后，取出钛箔并用去离子水反复冲洗其表面3-5次，去除反应体系中的残留离子，在70-75℃下干燥1-2h，得到干燥钛箔；
步骤六：将步骤五中的干燥钛箔放入马弗炉中，以1-5℃/min的升温速率升温至400-500℃，并保温2-10h，即得到TiO2纳米阵列薄膜，TiO2纳米阵列薄膜由垂直于基片、相互交错且高度为70-100nm、厚度为2-3nm的片状结构构成，其表面为浅蓝色。
实施例1：
将20×20mm2面积大小的钛箔分别放入99.7wt% 乙醇和去离子水中各超声清洗15min；然后用40wt% HF、65wt% HNO3和H2O的混合酸溶液（体积比为HF:HNO3:H2O=1:1:2）浸渍20s，取出后用去离子水反复冲洗，再将钛箔放入去离子水中超声清洗10min，得到洗净的钛箔；将洗净的钛箔放入烘箱中经70℃干燥2h后，再放入80mL反应釜中；将5.844g NaCl加入去离子水中，搅拌至完全溶解，配制成50mL浓度为2mol/L的NaCl溶液；将10mL 30wt% 的H2O2加入到上述NaCl溶液中，搅拌30min至完全溶解，得到混合溶液；将混合溶液转移至80mL反应釜中，在140℃下进行水热反应4h；待反应釜冷却至室温后，取出钛箔并用去离子水冲洗其表面4次后，70℃下干燥2h；将干燥后的钛箔放入马弗炉中，以3℃/min的升温速率升温至450℃并保温10h，即得到TiO2纳米阵列薄膜，其表面为浅蓝色。
参阅图1-图2，表明使用本发明实施例1制备的TiO2纳米阵列薄膜由垂直于基片、相互交错且高度为70nm、厚度为3nm的片状结构构成。
由图3和表1可知，O元素含量最多，为66.67%，其次是Ti元素，含量为33.33%，验证了TiO2为主要成分；参阅图4，检测到元素Ti、O和C的光电子峰；从TiO2纳米粒子薄膜中检测出Ti和O元素；其中C元素可能来源于XPS分析时表面吸附的二氧化碳。
表1 实施例1 EDS谱图元素分析表
元素 原子百分比（%）
O 66.67
Ti 33.33
实施例2：
将20×20mm2面积大小的钛箔分别放入99.7wt% 乙醇和去离子水中各超声清洗15min；然后用40wt% HF、68wt% HNO3和H2O的混合酸溶液（体积比为HF:HNO3:H2O=1:1:2）浸渍15s，取出后用去离子水反复冲洗，再将钛箔放入去离子水中超声清洗15min，得到洗净的钛箔；将洗净的钛箔放入烘箱中经60℃干燥1h后，再放入80mL反应釜中；将5.844g NaCl加入去离子水中，搅拌至完全溶解，配制成50mL浓度为2mol/L的NaCl溶液；将10mL 30wt% 的H2O2加入到上述NaCl溶液中，搅拌30min至完全溶解，得到混合溶液；将混合溶液转移至80mL反应釜中，在140℃下进行水热反应6h；待反应釜冷却至室温后，取出钛箔并用去离子水冲洗其表面3次后，70℃下干燥1h；将干燥后的钛箔放入马弗炉中，以1℃/min的升温速率升温至450℃并保温2h，即得到TiO2纳米阵列薄膜，其表面为浅蓝色。
参阅图5-图6，表明使用本发明实施例2制备的TiO2纳米阵列薄膜由垂直于基片、相互交错且高度为85nm、厚度为2nm的片状结构构成。
由图7和表2可知，O元素含量最多，为66.67%，其次是Ti元素，含量为33.33%，验证了TiO2为主要成分。
表2 实施例2 EDS谱图元素分析表
元素 原子百分比（%）
O 66.67
Ti 33.33
实施例3：
将20×20mm2面积大小的钛箔分别放入99.7wt% 乙醇和去离子水中各超声清洗15min；然后用40wt% HF、65wt% HNO3和H2O的混合酸溶液（体积比为HF:HNO3:H2O=1:1:2）浸渍15s，取出后用去离子水反复冲洗，再将钛箔放入去离子水中超声清洗10min，得到洗净的钛箔；将洗净的钛箔放入烘箱中经80℃干燥2h后，再放入80mL反应釜中；将5.844g NaCl加入去离子水中，搅拌至完全溶解，配制成50mL浓度为2mol/L的NaCl溶液；将10mL 30wt% 的H2O2加入到上述NaCl溶液中，搅拌30min至完全溶解，得到混合溶液；将混合溶液转移至80mL反应釜中，在160℃下进行水热反应4h；待反应釜冷却至室温后，取出钛箔并用去离子水冲洗其表面5次后，75℃下干燥2h；将干燥后的钛箔放入马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温至450℃并保温4h，即得到TiO2纳米阵列薄膜，其表面为浅蓝色。
参阅图8-图9，表明使用本发明实施例3制备的TiO2纳米阵列薄膜由垂直于基片、相互交错且高度为100nm、厚度为2.5nm的片状结构构成。
由图10和表3可知，O元素含量最多，为66.67%，其次是Ti元素，含量为33.33%，验证了TiO2为主要成分。
表3 实施例3 EDS谱图元素分析表
元素 原子百分比（%）
O 66.67
Ti 33.33
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点，对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (7)

1.一种TiO2纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：将20×20mm2面积大小的钛箔先后放入99.7wt% 乙醇和去离子水中分别超声清洗15min，然后放入40wt% HF、65-68wt% HNO3和H2O的混合酸溶液浸渍15-20s，取出后用去离子水反复冲洗，再将钛箔放入去离子水中超声清洗10-15min，得到洗净的钛箔；
步骤二：将步骤一中洗净的钛箔放入烘箱中经60-80℃干燥1-2h后，再放入80mL反应釜中；
步骤三：将一定量的NaCl溶液加入到30wt% H2O2中，搅拌30min，得到混合溶液；
步骤四：将步骤三得到的混合溶液转移至步骤二中的80mL反应釜中，并在140-160℃下水热反应4-6h；
步骤五：待反应釜冷却至室温后，取出钛箔并用去离子水反复冲洗其表面3-5次后，70-75℃下干燥1-2h，得到干燥钛箔；
步骤六：将步骤五中的干燥钛箔放入马弗炉中，在400-500℃下热处理2-10h，即得到TiO2纳米阵列薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种TiO2纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤一中所述的混合酸溶液的体积比为HF:HNO3:H2O=1:1:2。
3.根据权利要求1所述的一种TiO2纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤三中所述的NaCl溶液的浓度为2mol/L，NaCl溶液的体积50mL，H2O2的体积为10mL。
4.根据权利要求1所述的一种TiO2纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤四优选为：将步骤三得到的混合溶液转移至步骤二中的80mL反应釜中，并在140℃下水热反应6h。
5.根据权利要求1所述的一种TiO2纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤六具体为：将步骤五中的干燥钛箔放入马弗炉中，以1-5℃/min的升温速率升温至400-500℃，并保温2-10h，即得到TiO2纳米阵列薄膜。
6.根据权利要求1或5所述的一种TiO2纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤六优选为：将步骤五中干燥的钛箔放入马弗炉中，以1℃/min的升温速率升温至450℃，并热处理2h，即得到TiO2纳米阵列薄。
7.一种如权利要求1所述制备方法制得的TiO2纳米阵列薄膜，其特征在于，TiO2纳米阵列薄膜由垂直于基片、相互交错且高度为70-100nm、厚度为2-3nm的片状结构构成，其表面为浅蓝色。
CN201811618373.XA 2018-12-28 2018-12-28 一种TiO2纳米阵列薄膜及其制备方法 Pending CN109665559A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811618373.XA CN109665559A (zh) 2018-12-28 2018-12-28 一种TiO2纳米阵列薄膜及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811618373.XA CN109665559A (zh) 2018-12-28 2018-12-28 一种TiO2纳米阵列薄膜及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109665559A true CN109665559A (zh) 2019-04-23

Family

ID=66146474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811618373.XA Pending CN109665559A (zh) 2018-12-28 2018-12-28 一种TiO2纳米阵列薄膜及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109665559A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112442688A (zh) * 2020-11-25 2021-03-05 成都大学 一种钛基底制备锐钛矿相TiO2纳米管薄膜的方法
CN112467081A (zh) * 2020-12-02 2021-03-09 四川大学 高负载多层分级纳米结构自支撑钛酸锂电极及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1544684A (zh) * 2003-11-24 2004-11-10 甘 宪 金属钛表面制备二氧化钛薄膜的方法及其制备的表面覆盖二氧化钛薄膜的钛板
CN102115913B (zh) * 2011-01-22 2012-08-08 西北大学 一种二氧化钛纳米管薄膜的制备方法
CN103276382A (zh) * 2013-06-17 2013-09-04 南京碧盾新材料科技有限公司 一种分支纳米结构二氧化钛阵列薄膜的制法及其产品和用途
KR20160133936A (ko) * 2015-05-14 2016-11-23 (주) 시온텍 불용성 산화티타늄 복합 전극 및 이의 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1544684A (zh) * 2003-11-24 2004-11-10 甘 宪 金属钛表面制备二氧化钛薄膜的方法及其制备的表面覆盖二氧化钛薄膜的钛板
CN102115913B (zh) * 2011-01-22 2012-08-08 西北大学 一种二氧化钛纳米管薄膜的制备方法
CN103276382A (zh) * 2013-06-17 2013-09-04 南京碧盾新材料科技有限公司 一种分支纳米结构二氧化钛阵列薄膜的制法及其产品和用途
KR20160133936A (ko) * 2015-05-14 2016-11-23 (주) 시온텍 불용성 산화티타늄 복합 전극 및 이의 제조 방법

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
YANHUI AO ET AL.: "Investigation on preparation and photocatalytic activity of TiO2 nanosheet film on Ti substrate", 《MATERIALS LETTERS》 *
李垚: "《新型功能材料制备原理与工艺》", 30 August 2017, 哈尔滨工业大学出版社 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112442688A (zh) * 2020-11-25 2021-03-05 成都大学 一种钛基底制备锐钛矿相TiO2纳米管薄膜的方法
CN112442688B (zh) * 2020-11-25 2021-11-26 成都大学 一种钛基底制备锐钛矿相TiO2纳米管薄膜的方法
CN112467081A (zh) * 2020-12-02 2021-03-09 四川大学 高负载多层分级纳米结构自支撑钛酸锂电极及其制备方法
CN112467081B (zh) * 2020-12-02 2021-10-15 四川大学 高负载多层分级纳米结构自支撑钛酸锂电极及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101274281B (zh) 一种室温去除空气中甲醛催化剂及其制备方法
CN109665559A (zh) 一种TiO2纳米阵列薄膜及其制备方法
CN106040239A (zh) 一种高分散纳米金属单质/碳复合材料可控制备方法及其电催化应用
CN108538611B (zh) 一种纳米片阵列钴酸镍-碳复合材料及其制备方法和应用
CN103084184A (zh) 室内空气中臭氧去除的锰铁复合氧化物负载型催化剂
CN103508517A (zh) 一种碳纳米管修饰的钛基含氟二氧化铅电极及其制备方法
CN101332438A (zh) 对纳米多孔金进行贵金属镀层修饰的方法及制备的催化剂
CN102304724A (zh) 稀土镨和镝联合掺杂纳米钛基二氧化锡-锑双涂层电极的制备方法
CN104016449B (zh) 一种Sb-Ni-Nd共掺杂SnO2高催化活性阳极的制备及应用
CN102764659A (zh) 钴修饰的钨酸铋复合光催化剂及其制备方法和用途
CN109595708A (zh) 一种以原位同步调控活性炭纤维为载体的微波增强光催化氧化空气调节系统
CN108950570A (zh) 一种锂离子电池负极集流体用多孔铜箔的制备方法
CN105161730B (zh) 空气阴极以及微生物燃料电池
CN110272100A (zh) Ti4O7涂层的陶瓷微滤膜电极的制备方法
CN109482213A (zh) 一种Bi/(BiO)2CO3纳米花球状光催化剂的制备方法
CN106207201A (zh) 一种含氧官能团梯度分布的还原氧化石墨烯/石墨烯泡沫复合材料及其在钒电池中的应用
CN109411740A (zh) 磷掺杂青铜矿相二氧化钛纳米线阵列及其制备与应用
CN106669651B (zh) 防腐型光催化三维蜂窝陶瓷网的制备方法
CN109012695A (zh) 一种催化氧化甲醛的结构化催化剂的制备方法、由此得到的结构化催化剂及其应用
CN108426302A (zh) 立式空调室内机
CN105562111B (zh) Pd/ZIF‑67/TiO2纳米管复合催化剂的制备方法
CN110330078B (zh) 一种高效长寿命的三维结构锑掺杂氧化锡电极
CN105800741A (zh) 一种高机械强度Ti基双夹层阳极的制备方法
CN107815703B (zh) 析氢活性阴极及其制备方法和包含所述析氢活性阴极的电解槽
CN112121648A (zh) 一种具有光催化自清洁性能的聚偏氟乙烯混合基质膜及其制备方法与应用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190423

RJ01 Rejection of invention patent application after publication