CN109643678A - 具有共享真空系统的多腔室处理系统 - Google Patents

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Abstract

本文公开了用于具有共享真空系统的多腔室处理系统的方法和装置。在一些实施例中，一种用于处理基板的多腔室处理系统包括：第一处理腔室、第二处理腔室、第一真空系统、及第二真空系统，第一真空系统通过第一阀和第二阀耦接到第一处理腔室和第二处理腔室，且第一真空系统耦接到第一共享真空泵，第二真空系统通过第三阀和第四阀耦接到第一处理腔室和第二处理腔室，且第二真空系统耦接到第二共享真空泵，其中第二真空系统流体独立于第一真空系统。

Description

具有共享真空系统的多腔室处理系统
技术领域
本公开的实施例一般涉及基板处理系统，而更具体而言涉及用于多腔室处理系统的方法和装置。
背景技术
利用处理系统(例如诸如在共享传送腔室上具有多个处理腔室的群集工具)来降低系统和制造成本并提升处理产量。然而，常规的处理腔室独立地配置有便于在其中执行特定工艺所需的处理资源。此种系统的拥有和操作成本是昂贵的。
因此，已开发出可通过在处理腔室之间共享资源来进一步减少系统成本的系统。具体地，处理系统可具有共享资源，诸如例如共享真空泵、共享气体面板、或类似者，来减少系统和基板制造成本。不幸的是，由于共享真空泵，本案发明人进一步发现到，维修多腔室处理系统的第一处理腔室需要关闭多腔室处理系统的至少一个其他处理腔室，从而减少系统的产量。
因此，本案发明人提供出一种具有共享真空系统的改进的多腔室处理系统。
发明内容
本文公开了用于具有共享真空系统的多腔室处理系统的方法和装置。在一些实施例中，一种用于处理基板的多腔室处理系统包括：第一处理腔室、第二处理腔室、第一真空系统、及第二真空系统，第一真空系统通过第一阀和第二阀耦接到第一处理腔室和第二处理腔室，且第一真空系统耦接到第一共享真空泵，第二真空系统通过第三阀和第四阀耦接到第一处理腔室和第二处理腔室，且第二真空系统耦接到第二共享真空泵，其中第二真空系统流体独立于第一真空系统。
在一些实施例中，一种将多腔室处理系统的一腔室选择性地耦接到第一真空系统或第二真空系统之一者的方法，包括以下步骤：关闭将腔室耦接到第一真空系统的第一阀，以将腔室与第一真空系统隔离；进行对腔室的维修；打开将腔室耦接到第二真空系统的第三阀；使用耦接到第二真空系统的第二共享真空泵来将腔室泵低到交叉压力；关闭第三阀，以将腔室与第二真空系统隔离；及打开第一阀，以将腔室流体耦接到第一真空系统，从而允许腔室恢复操作，其中第一真空系统和第二真空系统为彼此流体独立且耦接到多腔室处理系统的所有腔室。
在一些实施例中，一种用于处理基板的多腔室处理系统包括：具有第一处理容积的第一处理腔室、具有第二处理容积的第二处理腔室、第一真空系统、及第二真空系统，第一真空系统通过第一阀和第二阀耦接到第一处理腔室和第二处理腔室，且第一真空系统耦接到粗抽泵，第二真空系统通过第三阀和第四阀耦接到第一处理腔室和第二处理腔室，且第二真空系统耦接到涡轮分子泵，其中第二真空系统流体独立于第一真空系统，其中粗抽泵经配置以在多腔室处理系统的所有腔室中维持处理压力，及其中涡轮分子泵经配置以将在维修的第一处理容积和第二处理容积之一者中的压力降低到比由粗抽泵所提供的处理压力小的交叉压力以下。
下面描述本公开的其他和进一步的实施例。
附图说明
可通过参考附图中所描绘的本公开的说明性实施例，来理解在上文简要总结并在下文更详细论述的本公开的实施例。然而，附图仅示出本公开的典型实施例，而因此不应将其视为限制本公开的范围，因为本公开可允许其他同等有效的实施例。
图1描绘出根据本公开的一些实施例的处理系统的示意性俯视图。
图2描绘出根据本公开的一些实施例的多腔室处理系统的示意性侧视图。
图3描绘出根据本公开的一些实施例的针对维修多腔室处理系统的一个腔室的方法的流程图。
为便于理解，已尽量使用相同组件符号来指定图中共同的相同组件。附图并没有按比例绘制，且可能为了清楚而被简化。一个实施例的要素和特征可有利地并入其他实施例中，而无需进一步记载。
具体实施方式
本文公开了具有共享真空系统的多腔室处理系统的方法和装置。本发明的多腔室处理系统包括共享真空系统，其有利地允许对一个腔室进行维修，而同时允许不中断在其他腔室中运行工艺。此外，本发明的方法有利地控制共享真空系统的操作，以便利对一个腔室进行维修，而同时允许在多腔室处理系统的其他腔室中的工艺不中断。
本文所公开的多腔室处理系统可以是群集工具的一部分，该群集工具具有与其耦接的数个双腔室处理系统，例如诸如在图1中所示的处理系统100。参考图1，在一些实施例中，处理系统100一般可包括真空密封处理平台104、工厂接口102、一或更多个双腔室处理系统101、103、105、及系统控制器144。可根据本文所提供的教示进行适当修改的处理系统的示例包括整合式处理系统、系列处理系统之一者(如GTTM)、ADVANTEDGETM处理系统、处理系统、或可从位于加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司购得的其他适合的处理系统。可适配其他的处理系统(包括来自其他制造商的处理系统)以从本公开受益。
处理平台104包括一或更多个双腔室处理系统101、103、105(在图1中显示三个)，其中每个双腔室处理系统包括两个处理腔室(例如，110和111、112和132、及120和128)。平台进一步包括在真空耦接到基板传送腔室136的至少一个装载锁定腔室122(在图1中显示两个)。工厂接口102经由装载锁定腔室122耦接到传送腔室136。
每个双腔室处理系统101、103、105包括彼此隔离的独立处理容积。每个双腔室处理系统101、103、105可经配置以在下文所论述和在图2所示的双腔室处理系统的每个处理腔室之间共享资源(例如，处理气体供应、真空泵、或类似者)。
工厂接口102可以包括至少一个对接站108和至少一个工厂接口机器人114(在图1中显示两个)，以便于传送基板。对接站108可经配置以接受一或更多个(在图1中显示两个)前开式标准舱(FOUP)106A、106B。工厂接口机器人114可包括设置在工厂接口机器人114的一端上的叶片116，其经配置以将基板从工厂接口102通过装载锁定腔室122传送到处理平台104以供处理。可选地，一或更多个度量站118可连接到工厂接口102的终端127，以便于从FOUP 106A、106B测量基板。
每个装载锁定腔室122可包括耦接到工厂接口102的第一端口123及耦接到传送腔室136的第二端口125。装载锁定腔室122可耦接到压力控制系统(未示出)，该压力控制系统泵低且排出装载锁定腔室122，以便于在传送腔室136的真空环境与工厂接口102的基本上周围(例如，大气)环境之间传递基板。
传送腔室136具有设置在其中的真空机器人130。真空机器人130可具有耦接到可移动臂131的一或更多个传送叶片134(在图1中显示两个)。例如，在一些实施例中，如图所示在双腔室处理系统耦接到传送腔室136的位置，真空机器人130可具有两个平行的传送叶片134，其经配置以使得真空机器人130可同时地在装载锁定腔室122与双腔室处理系统的处理腔室(例如，双腔室处理系统101的处理腔室110、111)之间传送两个基板124、126。
每个双腔室处理系统101、103、105的处理腔室110、111或112、132或120、128可以是在基板处理中使用的任何类型处理腔室，例如，诸如蚀刻腔室，沉积腔室或类似者。在一些实施例中，每个双腔室处理系统(例如，双腔室处理系统101)的处理腔室(例如，处理腔室110、111)经配置用于相同的功能(例如，蚀刻)。例如，在双腔室处理系统的每个处理腔室是蚀刻腔室的实施例中，每个处理腔室可包括等离子体源(例如，电感或电容耦合等离子体源、远程等离子体源或类似者)。此外，双腔室处理系统的每个处理腔室可使用(例如)由共享气体面板(如下所述)所提供的含卤素气体，来蚀刻设置在其中的基板(例如，基板124、126)。含卤素气体的示例包括溴化氢(HBr)、氯(Cl2)、四氟化碳(CF4)及类似者。例如，在蚀刻基板124、126之后，含卤素残留物可能残留在基板表面上。含卤素残留物可通过在装载锁定腔室122中的热处理工艺或通过其他适合的手段去除。
图2示出根据本公开的一些实施例的双腔室处理系统(例如，双腔室处理系统101)的示意性侧视图。双腔室处理系统101包括处理腔室110、111，其中处理腔室110、111共享资源，例如，诸如如图2所示的第一真空系统222、与第一真空系统222流体独立的第二真空系统224、及共享气体面板204。第一真空系统222包括第一共享真空泵202。第二真空系统224包括第二共享真空泵206。
在一些实施例中，耦接到处理系统100的每个双腔室处理系统可类似地配置。处理腔室110(例如，第一处理腔室)具有第一处理容积208，其包括设置在其中以支撑第一基板(未示出)的第一基板支撑件。双腔室处理系统101的处理腔室111(例如，第二处理腔室)包括第二处理容积214，其具有设置在其中以支撑第二基板的第二基板支撑件。
第一处理容积208和第二处理容积214可彼此隔离，以便于在每个相应的处理腔室110、111中基本上独立处理基板。在双腔室处理系统内的处理腔室的隔离的处理容积有利地减少或消除了由于处理容积在处理期间流体耦接的多基板处理系统而可能产生的处理问题。然而，双腔室处理系统进一步有利地利用有助于减少系统占用空间、硬件费用、公用设施使用及成本、维护、及类似者的共享资源，而同时促进更高的基板产能。例如，共享硬件可包括处理前级管线和粗抽泵、AC分配和DC功率供应、冷却水分配、冷却器、多通道热控制器、气体面板、控制器及类似者中的一者或更多者。
现有的多腔室系统包括耦接到第一泵和第二泵的两个或两个以上腔室，第一泵用于在处理期间维持腔室内的处理压力，第二泵用于在维修腔室之后将处理腔室泵低到第一泵的操作压力。然而，因为腔室是通过共同管道耦接到第一泵和第二泵的，所以当第一腔室停用以进行维修时，没有维修的其他处理腔室亦必须停用。其他腔室停用是因为在维修期间(通常在大气压力下进行)所产生的任何颗粒或污染物可在两个腔室都再次流体耦接到第二泵时从第一腔室行进到其他腔室(即，较高压力腔室到较低压力腔室)。因此，本案发明人开发出共享真空系统，其包括彼此流体独立的第一真空系统222和第二真空系统224。
第一共享真空泵202分别通过第一阀218和第二阀220耦接到第一处理容积208和第二处理容积214。类似地，第二共享真空泵206分别通过第三阀210和第四阀216耦接到第一处理容积208和第二处理容积214。例如，第二共享真空泵206可耦接到第一处理容积208和第二处理容积214，用以在打开第一阀218和第二阀220之一者以将第一共享真空泵202流体耦接到维修过的处理容积之前将在维修的第一处理容积208和第二处理容积214之一者中的压力减小到低于交叉压力水平(例如，小于约200mTorr)。例如，交叉压力水平可以是比在处理期间由第一共享真空泵202所提供的操作压力更低的压力。然而，交叉压力水平可以是第一共享真空泵202开始操作所需的压力。
在处理期间，第三阀210和第四阀216处于关闭位置且第一阀218和第二阀220处于打开位置，以将第一处理容积208和第二处理容积214仅流体耦接到第一共享真空泵202以维持处理容积中的处理压力。例如，当需要对第一处理腔室110进行维修时，关闭第一阀218，因此将第一处理腔室110与第一真空系统222隔离而同时允许第二处理腔室111继续操作。在完成对第一处理腔室110的维修之后，打开第三阀210，以将第一处理容积208流体耦接到第二共享真空泵206，从而将第一处理容积208泵低到交叉压力(例如，小于约200mTorr)。因为关闭第四阀216且第二真空系统224流体独立于第一真空系统222，所以有利地防止了在维修第一处理腔室110期间所产生的颗粒或污染物由于第二处理腔室111处于比第一处理腔室110更低的压力而行进到第二处理腔室111。在第一处理容积208达到交叉压力之后，关闭第三阀210并打开第一阀218，以将第一处理容积208流体耦接到第一真空系统222，从而允许第一处理腔室110继续操作。
第一共享真空泵202能够在处理期间在第二共享真空泵206所耦接到的所有腔室中维持处理压力。在一些实施例中，例如，第一共享真空泵202是粗抽泵，其足够大以在处理期间在第一处理腔室110和第二处理腔室111中维持处理压力。在一些实施例中，第二共享真空泵206可以是涡轮分子泵。尽管第一真空系统222和第二真空系统224是如上所述并在图2中所示为耦接到两个处理腔室，但第一真空系统222和第二真空系统224可替代地耦接到在图1中所绘示的处理系统100的所有处理腔室110、111、112、132、120、128。在一些实施例中，并非是分开的阀将每个处理腔室耦接到第一真空系统222和第二真空系统224中的相应真空系统，而是可替代地使用三通阀来将给定腔室与第一真空系统222和第二真空系统224中之一者选择性地流体耦接。
共享气体面板204可耦接到处理腔室110、111中的每一者，用以将一或更多个处理气体提供到第一处理容积208和第二处理容积214。例如，共享气体面板可包括一或更多个气体源(未示出)，例如，其中由一或更多个流量控制器(如质量流量控制器、流量比控制器、或类似者)将来自每个气体源的气体计量到每个处理腔室。可将每个气体源独立提供到每个处理容积或同时提供到两个处理容积，以(例如)在两个处理腔室110、111中同时进行相同的处理。如本文所用，同时意味着在两个处理容积中在进行的处理将至少部分地重叠，在两个基板传送到两个处理容积之后开始，并在从两个处理容积中的任一者移除任一基板之前结束。
第一三通阀226可设置在共享气体面板204与处理腔室110的第一处理容积208之间，以将处理气体从共享气体面板204提供到第一处理容积208。例如，处理气体可在第一喷头228处或在用于将处理气体提供到处理腔室的任何适合的气体入口处进入处理腔室110。此外，第一三通阀226可将处理气体从共享气体面板204(例如，绕过第一处理容积208)转移到耦接于第二共享真空泵206的第二真空系统224中。在一些实施例中，测量装置250可通过出入阀249可选地耦接到第二真空系统224，以测量期望的处理参数。例如，测量装置250可以是用来测量进入给定腔室的处理气体的流量的独立质量流量系统(IMFS)。在此种实施例中，三通阀将处理气体转移到第二真空系统224，耦接给定腔室的阀被打开以将该腔室与第二真空系统224流体耦接，而出入阀249被打开以允许IMFS来测量处理气体流入腔室的流量。
第一喷头228可包括具有与其耦合的第一RF电源229的电极，(例如)用于在第一处理容积208中从处理气体冲击等离子体。替代地，第一RF电源229可耦接到与第一喷头228分开的电极(未示出)或耦接到设置在第一处理容积208之外的一或更多个感应线圈(未示出)。
第二三通阀232可设置在共享气体面板与第二处理腔室111的第二处理容积214之间，以将处理气体从共享气体面板204提供到第二处理容积21414。例如，处理气体可在第二喷头234处或在用于将处理气体提供到处理腔室的任何适合的气体入口处进入第二处理腔室111。此外，第二三通阀232可将处理气体从共享气体面板204(例如，绕过第二处理容积214)转移到耦接于第二共享真空泵206的第二真空系统224中。
第二喷头234可包括具有与其耦合的第二RF电源235的电极，(例如)用于在第二处理容积214中从处理气体冲击等离子体。替代地，第二RF电源235可耦接到与第二喷头234分开的电极(未示出)或耦接到设置在第二处理容积214之外的一或更多个感应线圈(未示出)。
第一三通阀226和第二三通阀232可响应于(例如)由第一终点检测器236以及由第二终点检测器238所检测的处理终点来进行操作，第一终点检测器236用于检测处理腔室110中的处理终点，第二终点检测器238用于检测处理腔室111中的处理终点。例如，控制器(例如诸如系统控制器144或耦接于双腔室处理系统101的部件中之一者或更多者的个体的控制器(未示出))可经配置以当在处理腔室110中达到处理终点时，从第一终点检测器236接收第一信号，并且若在第二处理腔室111中运行的处理中尚未达到处理终点，则指示第一三通阀226将处理气体转移到第二真空系统224中。例如，尽管处理在每个处理腔室110、111中可一开始同步进行，但是由于(例如)在每个处理腔室110、111中的在处理基板、基板温度、等离子体密度或通量、或类似者的小变化，该处理在每个处理腔室110、111中可在不同时间结束。类似地，控制器可经配置以当在第二处理腔室111中达到处理终点时，从第二终点检测器238接收第二信号，并且若在处理腔室110中运行的处理中尚未达到处理终点，则指示第二三通阀232将处理气体转移到第二真空系统224中。
替代地，且例如，就在从第一终点检测器236接收到针对在处理腔室110中的基板上正在进行的处理已达到处理终点的第一信号时，控制器可关掉第一RF电源229的功率，以终止在第一处理容积208中的等离子体。此外，在达到处理终点时，在关掉第一RF电源229之后，处理气体可继续流入第一处理容积208，而不是由第一三通阀226进行转移。在第二处理腔室111中可进行就在从第二终点检测器238接收到第二信号时的类似替代实施例。此外，若从第一终点检测器236或第二终点检测器238的任一者接收到信号，则在一些实施例中，控制器可终止在该两个腔室中的处理，而不论在该两个腔室中是否检测到处理终点。例如，若从第一终点检测器236接收到在处理腔室110中已达到处理终点的第一信号，则即使没有从第二终点检测器238接收到第二信号，控制器仍可终止在该两个处理腔室110、111中的处理。替代地，若接收到通知在处理腔室110中已达到处理终点的第一信号，则控制器可不在任一处理腔室110、111中采取任何动作，直到接收到通知在处理腔室111中亦已达到处理终点的第二信号。
替代地，工艺并不需要在两个处理腔室110、111中精确地同步进行，而例如可在基板已达到适当的处理温度或另一相似的处理条件时在每个腔室中开始。因此，当在给定腔室中达到处理终点时，在从处理腔室110、111移除基板之前或在开始进一步处理步骤之前，处理气体由三通阀转移到第二真空系统224中，直到在相邻腔室中达到处理终点。
共享气体面板可进一步提供用于净化处理腔室110、111的气体。例如，排气管线240可选择性地直接耦接到第一处理容积208和第二处理容积214中的每一者(如所示)。例如，净化气体可包括氮气(N2)、氩气(Ar)、氦气(He)、或类似者。可经由设置在共享气体面板204与第一处理容积208之间的第一净化阀242将净化气体选择性地提供到第一处理容积208。类似地，可经由设置在共享气体面板204与第二处理容积214之间的第二净化阀244将净化气体选择性地提供到第二处理容积214。此外，在使用净化气体来将每个处理腔室110、111排气到大气的应用中，可针对每个处理腔室110、111提供例如诸如阀或类似者的排气口(未示出)，以使得每个处理腔室110、111可独立于另一个腔室而排气到大气。
回到图1，系统控制器144耦接到处理系统100。系统控制器144使用对处理系统100的处理腔室110、111、112、132、128、120的直接控制，或替代地，通过控制与处理腔室110、111、112、132、128、120和/或每个双腔室处理系统101、103、105及处理系统100相关联的个体的控制器(未示出)，来控制处理系统100的操作。在操作中，系统控制器144使得来自相应腔室和系统控制器144的数据收集和反馈能够优化处理系统100的性能。
系统控制器144一般包括中央处理单元(CPU)138、存储器140、及支持电路142。CPU138可以是在工业环境中所能使用的任一种形式的通用计算器处理器。支持电路142常规地耦接到CPU 138并可包括：缓存、时钟电路、输入/输出子系统、功率供应、及类似者。当由CPU138执行时，像是下文描述的用于控制一或更多个腔室处理的方法300(如减小压力、排气或净化双腔室处理系统的每个腔室)的软件例程将CPU 138转换为专用计算机(控制器)144。亦可由远离处理系统100而设置的第二控制器(未示出)来存储和/或执行所述软件例程。
图3绘示出用于将多腔室处理系统的处理腔室中之一者选择性地耦接到第一真空系统和第二真空系统中之一者的方法300的流程图，在图3所绘示，且联系在图2所绘示的双腔室处理系统101在下文进行描述。例如，因为第一处理容积208和第二处理容积214共享共同的真空系统(例如，第一真空系统222和第二真空系统224)，所以可将每个处理容积选择性地流体耦接到第一真空系统222和第二真空系统224中的独立的一者，若另一个处理容积处于较低压力下，则将防止回流到该另一个处理容积中。方法300将联系第一处理腔室110来进行解释。然而，当需要维修第二处理腔室111时，方法300联系第二处理腔室111是相同的。方法300开始于第一阀218和第二阀220处于打开位置且第三阀210和第四阀216处于关闭位置，以使得两个腔室在处理期间都流体耦接到第一共享真空泵202。
在302处(即，当确定第一处理腔室110需要维修时)，关闭第一阀218，从而将第一处理腔室110与第一真空系统222隔离。在304处，进行对腔室的维修。维修可包括(例如)预防性维护、修理等。在完成对第一处理腔室110的维修之后，在306处，打开第三阀210，以将第一处理容积208流体耦接到第二真空系统224，其耦接到第二共享真空泵206。在308处，第二共享真空泵206将第一处理容积208泵低到小于或等于第一共享真空泵的操作压力的交叉压力(例如，小于约200mTorr)。一旦在第一处理容积208中的压力处于交叉压力，在310处，就关闭第三阀210。最后，在312处，打开第一阀218，以再次将第一处理腔室110流体耦接到第一真空系统222，并允许第一处理腔室继续操作。
因此，已提供出用于具有共享真空系统的多腔室处理系统的方法和装置。本发明的多腔室处理系统有利地允许维修第一腔室，而同时允许剩余腔室正常操作。附加地，本发明的多腔室处理系统有利地在已维修第一处理腔室之后防止对剩余处理腔室的污染。
尽管前述内容涉及本公开的实施例，但可在不脱离本公开的基本范围的情况下，设计出本公开的其他和进一步的实施例。

Claims (15)

1.一种用于处理基板的多腔室处理系统，包括：
具有第一处理容积的第一处理腔室；
具有第二处理容积的第二处理腔室；
第一真空系统，所述第一真空系统通过第一阀和第二阀耦接到所述第一处理腔室和所述第二处理腔室，并且所述第一真空系统耦接到第一共享真空泵；及
第二真空系统，所述第二真空系统通过第三阀和第四阀耦接到所述第一处理腔室和所述第二处理腔室，并且所述第二真空系统耦接到第二共享真空泵，其中所述第二真空系统流体独立于所述第一真空系统。
2.如权利要求1所述的多腔室处理系统，进一步包括：
测量装置，所述测量装置通过出入阀耦接到所述第二真空系统，其中所述测量装置经配置以测量所述第一处理腔室和所述第二处理腔室的处理参数。
3.如权利要求2所述的多腔室处理系统，进一步包括：
共享气体面板，所述共享气体面板耦接到所述第一处理腔室和所述第二处理腔室且经配置以将一或更多种处理气体提供到所述第一处理容积和所述第二处理容积，其中所述处理参数是所述一或更多种处理气体流入所述第一处理容积和所述第二处理容积之一者中的流量。
4.如权利要求3所述的多腔室处理系统，进一步包括：
第一三通阀，所述第一三通阀设置在所述共享气体面板与所述第一处理容积之间，以将所述一或更多种处理气体从所述共享气体面板选择性地提供到所述第一处理容积或所述测量装置之一者；及
第二三通阀，所述第二三通阀设置在所述共享气体面板与所述第二处理容积之间，以将所述一或更多种处理气体从所述共享气体面板选择性地提供到所述第二处理容积或所述测量装置之一者。
5.如权利要求3所述的多腔室处理系统，其中所述第一处理腔室包括流体耦接到所述共享气体面板的第一喷头，及其中所述第二处理腔室包括流体耦接到所述共享气体面板的第二喷头。
6.如权利要求5所述的多腔室处理系统，其中第一喷头耦接到第一RF电源，及其中第二喷头耦接到第二RF电源。
7.如权利要求1到6的任一项所述的多腔室处理系统，其中所述第一处理腔室包括第一终点检测器，所述第一终点检测器经配置以检测在所述第一处理腔室中的处理终点，及其中所述第二处理腔室包括第二终点检测器，所述第二终点检测器经配置以检测在所述第二处理腔室中的处理终点。
8.如权利要求1到6的任一项所述的多腔室处理系统，其中所述第一共享真空泵是粗抽泵，并且所述第二共享真空泵是涡轮分子泵，其中所述粗抽泵经配置以在所述多腔室处理系统的所有腔室中维持处理压力，以及其中所述涡轮分子泵经配置以将在维修的所述第一处理容积和所述第二处理容积之一者中的压力降低到比由所述粗抽泵所提供的所述处理压力小的交叉压力以下。
9.如权利要求8所述的多腔室处理系统，其中所述交叉压力小于约200mTorr。
10.一种将多腔室处理系统的一腔室选择性地耦接到第一真空系统或第二真空系统之一者的方法，包括以下步骤：
关闭将所述腔室耦接到所述第一真空系统的第一阀，以将所述腔室与所述第一真空系统隔离；
进行对所述腔室的维修；
打开将所述腔室耦接到所述第二真空系统的第三阀；
使用耦接到所述第二真空系统的第二共享真空泵来将所述腔室泵低到交叉压力；
关闭所述第三阀，以将所述腔室与所述第二真空系统隔离；及
打开所述第一阀，以将所述腔室流体耦接到所述第一真空系统，从而允许所述腔室恢复操作，
其中所述第一真空系统和所述第二真空系统为彼此流体独立且耦接到所述多腔室处理系统的所有腔室。
11.如权利要求10所述的方法，其中将第一共享真空泵耦接到所述第一真空系统，其中将第二共享真空泵耦接到所述第二真空系统。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述第一共享真空泵是粗抽泵，并且所述第二共享真空泵是涡轮分子泵。
13.如权利要求11所述的方法，其中所述交叉压力小于约200mTorr。
14.如权利要求11到13的任一项所述的方法，其中所述多腔室处理系统进一步包括：
测量装置，所述测量装置通过出入阀耦接到所述第二真空系统，其中所述测量装置经配置以测量所述腔室的处理参数。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述多腔室处理系统进一步包括：
共享气体面板，所述共享气体面板耦接到所述腔室且经配置以将一或更多种处理气体提供到所述腔室的处理容积，其中所述处理参数是所述一或更多种处理气体流入所述处理容积之一者中的流量。
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