CN109586681A - 具有内部静电屏蔽的体声波（baw）滤波器结构 - Google Patents

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Abstract

本公开的实施方案涉及一种具有内部静电屏蔽的体声波(BAW)滤波器结构。在本文公开的示例性方面，屏蔽的BAW滤波器结构包括衬底、在所述衬底上方的多个换能器以及在所述衬底和所述多个换能器的顶部电极之间的平面静电屏蔽体。所述多个换能器中的每一个形成BAW谐振器的一部分并且驻留在包括寄生电容的滤波器中。所述平面静电屏蔽体耦合到接地节点并中断与所述滤波器的所述寄生电容相关联的电场以减小所述寄生电容。因此，与未屏蔽的BAW滤波器结构相比，所述屏蔽的BAW滤波器结构减小了寄生电容的影响力，从而提供改善的滤波性能。

Description

具有内部静电屏蔽的体声波(BAW)滤波器结构
发明领域
本发明涉及一种具有内部静电屏蔽的体声波(BAW)滤波器结构，其用于改善滤波，特别是改善滤波器抑制。
背景技术
声波谐振器且尤其是体声波(BAW)谐振器用于许多高频通信应用中。特定地说，BAW谐振器通常用于在高于1.5GHz频率下操作并需要平坦通带的滤波器网络中，在通带的上端和下端具有异常陡峭的滤波器裙边和方形肩部，并且在通带外提供优良抑制。基于BAW的滤波器还具有相对较低的插入损耗，随着操作频率的增加尺寸趋于减小，并且在宽温度范围内相对稳定。因此，基于BAW的滤波器是许多第三代(3G)和第四代(4G)无线装置的首选滤波器，并且注定主导第五代(5G)无线装置的滤波器应用。这些无线装置中的大多数在同一无线装置上支持蜂窝、无线保真(Wi-Fi)、蓝牙和/或近场通信，并且因此提出极具挑战性的滤波需求。虽然这些需求不断提高无线装置的复杂性，但仍需要持续改善BAW谐振器和基于BAW的滤波器的性能以及降低与之相关联的成本和尺寸。
BAW滤波器(例如，BAW裸片、BAW滤波器裸片等)或其他BAW结构中的静电干扰可对性能产生负面影响。特定地说，BAW滤波器中的寄生电容(即，电容寄生、寄生耦合、寄生电容耦合等)可使阻带中的滤波器抑制降级。不想要的寄生电容的类型包括级间耦合和电容馈通。电容馈通通常比级间耦合更严峻，并且由直接耦合在滤波器的输入和输出之间的寄生电容限定。低至0.5F的馈通电容可导致显著的滤波器抑制降级，从而对滤波器性能产生负面影响。
发明内容
本公开的实施方案涉及一种具有内部静电屏蔽的体声波(BAW)滤波器结构。在本文公开的示例性方面，屏蔽的BAW滤波器结构包括衬底、在所述衬底上方的多个换能器以及在所述衬底和所述多个换能器的顶部电极之间的平面静电屏蔽体。所述多个换能器中的每一个形成BAW谐振器的一部分并且驻留在耦合在输入节点和输出节点之间的滤波器中。所述滤波器包括寄生电容，所述寄生电容可影响滤波性能(例如，滤波器抑制降级)。所述平面静电屏蔽体耦合到接地节点并中断与滤波器的寄生电容相关联的电场以减小寄生电容。换句话说，平面静电屏蔽体定位在形成寄生电容的电场附近或电场内，以中断电场并削弱寄生电容的强度。因此，与未屏蔽的BAW滤波器结构相比，屏蔽的BAW滤波器结构减小了寄生电容的影响力，从而提供改善的滤波性能。
本公开的一个实施方案涉及一种具有内部屏蔽的BAW滤波器结构。所述BAW滤波器结构包括衬底、在衬底上方的多个换能器以及平面静电屏蔽体。所述多个换能器中的每一个包括底部电极、在底部电极上方的压电层以及在压电层上方的顶部电极。所述多个换能器中的每一个形成BAW谐振器的一部分并且驻留在滤波器中，所述滤波器耦合在输入节点和输出节点之间并且具有形成寄生电容的寄生电场线。平面静电屏蔽体定位在衬底和多个换能器的顶部电极中的至少一个之间。所述平面静电屏蔽体耦合到接地节点并中断与滤波器的寄生电容相关联的电场以减小寄生电容。
本公开的额外实施方案涉及一种BAW滤波器组件，其包括层压板和BAW滤波器结构。所述层压板包括层压电介质、至少部分定位在层压电介质内的接地迹线以及至少部分定位在层压电介质内的信号迹线。所述BAW滤波器结构包括衬底、在衬底上方的多个换能器以及平面静电屏蔽体。所述多个换能器中的每一个包括底部电极、在底部电极上方的压电层以及在压电层上方的顶部电极。所述多个换能器中的每一个形成BAW谐振器的一部分并且驻留在滤波器中，所述滤波器耦合在输入节点和输出节点之间并且具有寄生电容。平面静电屏蔽体定位在衬底和多个换能器的顶部电极中的至少一个之间。所述平面静电屏蔽体耦合到接地节点并中断与滤波器的寄生电容相关联的电场以减小寄生电容。所述BAW滤波器结构倒置地定位在层压板的顶部上方。
本领域技术人员在结合附图阅读以下优选实施方案的详细描述之后，将了解本公开的范围并且认识到本公开的额外的方面。
附图说明
并入且形成本说明书一部分的附图示出了本公开的若干方面，并且连同描述内容一起用来解释本公开的原理。
图1示出了常规的体声波(BAW)谐振器。
图2是作为理想BAW谐振器的频率函数的阻抗随频率响应的幅度和相位的曲线图。
图3A-图3C是各种BAW谐振器配置的相位响应曲线图。
图4示出了具有边界环的常规BAW谐振器。
图5A是常规梯形网络的示意图。
图5B和图5C是图5A的常规梯形网络中BAW谐振器的频率响应和图5A的常规梯形网络的频率响应的曲线图。
图6A-图6E是图5A的梯形网络在图5C中所标出的频率点1、2、3、4和5处的电路等效图。
图7A是示出电耦合到滤波器的寄生电容的一般电路图。
图7B是没有静电屏蔽的第一滤波器结构的部分俯视图，所述第一滤波器结构具有寄生电容，所述寄生电容通常类似于(但不同于)图7A所示的寄生电容。
图7C是示出包括静电屏蔽以减小寄生电容对图7A的滤波器的影响的一般电路图。
图7D是图7B的第一滤波器结构的部分俯视图，所述第一滤波器结构包括静电屏蔽以减小寄生电容的影响。
图7E是比较静电屏蔽对图7B和图7D的第一滤波器结构的滤波器抑制的影响的曲线图。
图7F是示出图7E的曲线图的放大部分的曲线图。
图8A是BAW谐振器的一部分的剖视图，其示出了图7C和图7D的定位在BAW谐振器的反射体底部的静电屏蔽体的第一实施方案。
图8B是BAW谐振器的一部分的剖视图，其示出了图7C和图7D的静电屏蔽体的第二实施方案，所述静电屏蔽体由BAW谐振器的反射体内的第一导电反射体层形成。
图8C是BAW谐振器的一部分的剖视图，其示出了图7C和图7D的静电屏蔽体的第三实施方案，所述静电屏蔽体由BAW谐振器的反射体内的第二导电反射体层形成。
图8D是BAW谐振器的一部分的剖视图，其示出了图7C和图7D的静电屏蔽体的第四实施方案，所述静电屏蔽体由反射体顶部处的底部电极的外部部分形成，底部电极的外部部分与底部电极的有源部分物理分离。
图9A是没有静电屏蔽的第二滤波器的部分俯视图，所述第二滤波器具有寄生电容，所述寄生电容通常类似于(但不同于)图7A所示的寄生电容。
图9B是图9A的第二滤波器的底部电极层的俯视图。
图9C是图9A的第二滤波器的顶部电极层的俯视图。
图9D是图9A的第二滤波器的部分俯视图，其中静电屏蔽减小了寄生电容的影响，如图7C中类似所示。
图9E是图9D的第二滤波器的电路图。
图9F是比较静电屏蔽对图9A-图9E的第二滤波器的滤波器抑制的影响的曲线图。
图10A是没有静电屏蔽的第三滤波器的第二实施方案的部分俯视图，所述第三滤波器具有寄生电容，所述寄生电容通常类似于(但不同于)图7A所示的寄生电容。
图10B是图10A的第三滤波器的底部电极层的俯视图。
图10C是图10A的第三滤波器的顶部电极层的俯视图。
图10D是图10A的第三滤波器的部分俯视图，其中静电屏蔽减小了寄生电容的影响，如图7C中类似所示。
图10E是图10D的第三滤波器的电路图。
图10F是比较静电屏蔽对图10A-图10E的第三滤波器的滤波器抑制的影响的曲线图。
图11是包括类似于图7D、图8A、图9D和图10D的那些静电屏蔽体的静电屏蔽体的BAW滤波器组件的剖视图。
具体实施方式
下文陈述的实施方案代表使得本领域技术人员能够实践所述实施方案的必要信息，并且示出实践所述实施方案的最佳模式。在根据附图来阅读以下描述之后，本领域技术人员将理解本公开的概念，并且将认识到本文中未具体提出的这些概念的应用。应理解，这些概念和应用落在本公开和随附权利要求书的范围内。
应理解，虽然术语第一、第二等在本文中可以用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件与另一个元件进行区分。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以称为第二元件，且类似地，第二元件可以称为第一元件。如本文中所使用，术语“和/或”包括相关列出项目中一个或多个的任何和所有组合。
还应理解，当元件被称为“连接”或“耦合”到另一元件时，其可以直接连接或耦合到另一元件，或者可以存在中间元件。相比之下，当元件被称为“直接连接”或“直接耦合”到另一元件时，不存在中间元件。
应理解，尽管本文可以使用术语“上部”、“下部”、“底部”、“中间”、“中央”、“顶部”等来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用来将一个元件与另一个元件进行区分。例如，第一元件可以称为“上部”元件，并且类似地，第二元件可以称为“上部”元件，这取决于这些元件的相对取向，而不脱离本公开的范围。
本文中使用的术语仅用于描述特定实施方案的目的，而且并不意在限制本公开。如本文所使用，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式“一个”和“所述”意欲同样包括复数形式。应进一步理解，当在本文中使用时，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”和/或“包含(including)”指明所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在或添加。
除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)都具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解相同的含义。应进一步理解，本文所使用的术语应被解释为具有与本说明书和相关领域的上下文中的含义一致的含义，且不会以理想化或过度正式的方式解释，除非本文明确定义为如此。
如本文所公开，具有内部屏蔽的体声波(BAW)滤波器结构包括衬底、在衬底上方的多个换能器以及在衬底和多个换能器的顶部电极之间的平面静电屏蔽体。多个换能器中的每一个形成BAW谐振器的一部分并且驻留在耦合在输入节点和输出节点之间的第一滤波器中。第一滤波器包括寄生电容，所述寄生电容可以影响滤波性能(例如，滤波器抑制降级)。所述平面静电屏蔽体耦合到接地节点并中断与第一滤波器的寄生电容相关联的电场以减小寄生电容。换句话说，平面静电屏蔽体定位在形成寄生电容的电场附近或电场内，以中断电场并削弱寄生电容的强度。因此，与未屏蔽的BAW滤波器结构相比，屏蔽的BAW滤波器结构减小了寄生电容的影响力，从而提供改善的滤波性能。
在深入研究这些概念的细节之前，提供BAW谐振器和采用BAW谐振器的滤波器的概述。BAW谐振器用于许多高频滤波器应用中。
图1中示出了示例性BAW谐振器10。BAW谐振器10是固态安装的谐振器(SMR)型BAW谐振器10，并且通常包括衬底12、安装在衬底12上方的反射体14以及安装在反射体14上方的换能器16。换能器16搁置在反射体14上并包括压电层18，所述压电层夹置在顶部电极20和底部电极22之间。顶部电极20和底部电极22可以由钨(W)、钼(Mo)、铂(Pt)或类似材料形成，并且压电层18可以由氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)或其他合适的压电材料形成。尽管在图1中示出为包括单层，但是压电层18、顶部电极20和/或底部电极22可以包括相同材料的多层、其中至少两层是不同材料的多层、或者其中每层是不同的材料的多层。
BAW谐振器10被划分为有源区域24和外部区域26。有源区域24通常对应于BAW谐振器10的其中顶部电极20和底部电极22重叠的区段并且还包括在重叠的顶部电极20和底部电极22下方的层。外部区域26对应于BAW谐振器10的包围有源区域24的区段。
对于BAW谐振器10，横跨顶部电极20和底部电极22施加电信号激发压电层18中的声波。这些声波主要进行垂直传播。BAW谐振器设计的主要目标是将这些垂直传播的声波限制在换能器16中。向上行进的声波通过顶部电极20的顶部表面处的空气-金属边界被反射回到换能器16中。向下行进的声波被反射体14或被气腔反射回到换能器16中，所述气腔刚好设置在薄膜BAW谐振器(FBAR)中的换能器下方。
反射体14通常由一叠反射体层(RL)28A至28E(整体称为反射体层28)形成，这些反射体层在材料组合物中交替以在相邻反射体层28的接合点处产生显著的反射系数。通常，反射体层28A至28E在具有高和低声波阻抗的材料之间交替，诸如钨(W)和二氧化硅(SiO2)。虽然图1中仅示出了五个反射体层28A至28E，但是反射体层28的数量和反射体14的结构将在不同设计之间变化。
图2中提供了作为相对理想的BAW谐振器10的频率(GHz)函数的电阻抗的幅值(Z)和相位电阻抗的幅值(Z)由实线示出，而电阻抗的相位由虚线示出。BAW谐振器10的独特特征是其具有谐振频率和反谐振频率两者。谐振频率通常被称为串联谐振频率(fs)，并且反谐振频率通常被称为并联谐振频率(fp)。当BAW谐振器10的阻抗或电抗的幅值接近零时，出现串联谐振频率(fs)。当BAW谐振器10的阻抗或电抗的幅值峰值达到相当高的水平时，出现并联谐振频率(fp)。通常，串联谐振频率(fs)是压电层18的厚度和底部电极20和顶部电极22的质量的函数。
对于相位，BAW谐振器10类似于电感作用，在串联谐振频率(fs)和并联谐振频率(fp)之间提供90°相移。相比之下，BAW谐振器10类似于电容作用，在串联谐振频率(fs)以下和并联谐振频率(fp)以上提供-90°相移。BAW谐振器10在串联谐振频率(fs)处呈现非常低的接近零的电阻，并且在并联谐振频率(fp)处呈现非常高的电阻。BAW谐振器10的电性质有助于在相对较短的频率范围内实现非常高的品质因数(Q)电感，这已被证明在高频滤波器网络中是非常有益的，特别是在1.8GHz左右及以上的频率下操作的滤波器网络中。
遗憾的是，图2的相位(φ)曲线代表理想的相位曲线。实际上，接近这一理想状况是具有挑战性的。图3A中示出了图1的BAW谐振器10的典型相位曲线。图3A的相位曲线不是平滑曲线，而是在串联谐振频率(fs)以下、在串联谐振频率(fs)和并联谐振频率(fp)之间以及在并联谐振频率(fp)以上包括涟波。所述涟波是伪模式的结果，所述伪模式是由相应频率中发生的伪谐振引起。虽然BAW谐振器10中的绝大多数声波垂直传播，但是关于换能器16的各种边界条件导致侧向(水平)声波的传播，所述侧向(水平)声波被称为侧向驻波。这些侧向驻波的存在降低了与BAW谐振器10相关联的潜在品质因数(Q)。
如图4所示，边界(BO)环30形成在顶部电极20上或内，以抑制某些伪模式。由BO环30抑制的伪模式是在串联谐振频率(fs)以上的伪模式，如图3B的相位曲线中的圆圈A和B所突显。圆圈A示出了驻留在串联谐振频率(fs)和并联谐振频率(fp)之间的相位曲线的通带中的涟波和因此伪模式的抑制。圆圈B示出了在并联谐振频率(fp)以上的涟波和因此伪模式的抑制。值得注意的是，通带的刚好在并联谐振频率(fp)以下的上肩部中的伪模式和通带上方的伪模式被抑制，如串联谐振频率(fs)和并联谐振频率(fp)之间以及并联谐振频率(fp)以上的平滑或基本无涟波相位曲线所证明。
BO环30对应于顶部电极20围绕有源区域24的外围延伸的部分的质量负载。BO环30可以对应于顶部电极20的加厚部分或者顶部电极20上方额外的适当材料层的施加。BAW谐振器10的包括并驻留在BO环30下方的部分被称为BO区域32。因此，BO区域32对应于有源区域24的外周边部分并驻留在有源区域24的内部。
虽然BO环30在抑制串联谐振频率(fs)以上的伪模式方面是有效的，但是BO环30对串联谐振频率(fs)以下的那些伪模式几乎没有或没有影响，如图3B所示。一种被称为变迹法的技术通常用于抑制处于串联谐振频率(fs)之下的伪模式。
变迹法用于避免或至少显著减少BAW谐振器10中或者至少其换能器16中的任何侧向对称性。侧向对称性对应于换能器16的覆盖区，并且避免侧向对称性对应于避免与覆盖区的侧面相关联的对称性。例如，我们可以选择对应于五边形而不是正方形或矩形的覆盖区。避免对称性有助于减少换能器16中侧向驻波的存在。图3C的圆圈C示出了变迹法的效果，其中串联谐振频率(fs)以下的伪模式被抑制。假设没有提供BO环30，则我们可以在图3C中容易地看出，变迹法不能抑制串联谐振频率(fs)以下的那些伪模式。因此，典型的BAW谐振器10采用变迹法和BO环30两者。
如上所述，BAW谐振器10通常用在高频操作并需要高Q值的滤波器网络中。图5A中示出了基本梯形网络40。梯形网络40包括两个串联谐振器BSER和两个分流谐振器BSH，它们以传统的梯形配置布置。通常，串联谐振器BSER具有相同或类似的第一频率响应，并且分流谐振器BSH具有相同或类似的第二频率响应，所述第二频率响应不同于第一频率响应，如图5B所示。在许多应用中，分流谐振器BSH是串联谐振器BSER的失谐版本。因此，串联谐振器BSER和分流谐振器BSH的频率响应通常非常类似，但相对于彼此移动使得分流谐振器的并联谐振频率(fP，SH)近似于串联谐振器BSER的串联谐振频率(fS，SER)。注意，分流谐振器BSH的串联谐振频率(fS,SH)小于串联谐振器BSER的串联频率(fS,SER)。分流谐振器BSH的并联谐振频率(fP,SH)小于串联谐振器BSER的并联谐振频率(fP,SER)。
图5C与图5B相关联并且示出了梯形网络40的响应。分流谐振器BSH的串联谐振频率(fS,SH)对应于通带裙边的低侧(相位2)，而串联谐振器BSER的并联谐振频率(fP,SER)对应于通带裙边的高侧(相位4)。串联谐振器BSER的基本上对齐的串联谐振频率(fS,SER)和分流谐振器BSH的并联谐振频率(fP,SH)落在通带内。
图6A到图6E提供了梯形网络40的响应的五个相位的电路等效图。在第一相位期间(相位1，图5C、图6A)，梯形网络40用于衰减输入信号。随着接近分流谐振器BSH的串联谐振频率(fS,SH)，分流谐振器BSH的阻抗陡然下降，使得分流谐振器BSH基本上在分流谐振器的串联谐振频率(fS,SH)下提供对接地的短路(相位2，图5C、图6B)。在分流谐振器BSH的串联谐振频率(fS,SH)下(相位2)，输入信号基本上从梯形网络40的输出被阻止。
在分流谐振器BSH的串联谐振频率(fS,SH)与串联谐振器BSER的并联谐振频率(fP,SER)之间(其对应于通带)，输入信号以相对小的衰减或没有衰减地传递到输出(相位3，图5C、图6C)。在通带内，串联谐振器BSER呈现相对较低的阻抗，而分流谐振器BSH呈现相对较高的阻抗，其中这两者的组合导致平坦的通带为陡峭的低侧裙边和高侧裙边。随着接近串联谐振器BSER的并联谐振频率(fP,SER)，串联谐振器BSER的阻抗变得非常高，使得串联谐振器BSER基本上在串联谐振器的并联谐振频率(fP,SER)下将自身呈现为开口(相位4，图5C、图6D)。在串联谐振器BSER的并联谐振频率(fP,SER)下(相位4)，输入信号再次基本上从梯形网络40的输出被阻止。在最后一个相位期间(相位5，图5C、图6E)，梯形网络40用于以与相位1中提供的方式类似的方式衰减输入信号。随着传递串联谐振器BSER的并联谐振频率(fP,SER)，串联谐振器BSER的阻抗减小，并且分流谐振器BSH的阻抗归一化。因此，梯形网络40用于在分流谐振器BSH的串联谐振频率(fS,SH)与串联谐振器BSER的并联谐振频率(fP,SER)之间提供高Q通带。梯形网络40在分流谐振器BSH的串联谐振频率(fS,SH)和串联谐振器的并联谐振频率(fP,SER)两者下提供非常高的衰减。梯形网络40在分流谐振器BSH的串联谐振频率(fS,SH)以下和串联谐振器BSER的并联谐振频率(fP,SER)以上提供良好衰减。
已经提供了BAW谐振器和采用BAW谐振器的滤波器的概述，图7A-图11讨论具有内部静电屏蔽的BAW滤波器结构的细节。
图7A-图7F示出了在BAW滤波器结构上使用静电屏蔽体及其效果。特定地说，图7A是示出电耦合到滤波器44的寄生电容的一般电路图42。滤波器44(例如，带通滤波器)电耦合到输入节点46、输出节点48和接地节点50。输入信号从输入节点46传播到滤波器44中，并且然后输出信号从滤波器44传播到输出节点48。在此实例中，寄生电容52(本文中也称为电容寄生、寄生耦合、寄生电容耦合等)形成在输入节点46和输出节点48之间。换句话说，寄生电容52形成在两个导体之间。具体地说，这种类型的寄生电容52也称为电容馈通。尽管示出并描述了电容馈通，但是可以通过本公开的静电屏蔽体(例如，级间耦合)来减少其他类型的寄生电容52。如上所述，寄生电容52可导致滤波器抑制降级并且可能对滤波器性能产生负面影响。
图7B是没有静电屏蔽的第一滤波器结构54的部分俯视图。特定地说，图7B示出了第一滤波器44的第一部分滤波器结构54。第一滤波器结构54具有寄生电容52，如上文关于图7A类似所述。第一滤波器结构54(也称为滤波器裸片、滤波器裸片布局等)是B7TX滤波器裸片布局的部分俯视图，其示出了顶部电极20(也称为顶部电极层)、底部电极22(也称为底部电极层)和它们相应的换能器16。尽管示出了B7TX滤波器裸片布局，但是可以使用任何类型的滤波器裸片布局(例如，B3TX滤波器裸片布局)。此外，应注意，仅出于说明目的，第一部分滤波器裸片布局54省略了第一滤波器44的反射体14和衬底12。应注意，反射体14包括多个部分，其中每个部分定位在相应的换能器16下方并略大于所述换能器。特定地说，反射体14定位在第一换能器16下方的部分可以与反射体14定位在第二换能器16下方的部分电隔离。
如下文更详细说明，顶部电极20可以包括多个物理分离的部分，其中每个这样的部分可以包括有源部分(在有源区域24中)和/或互连部56(在外部区域26中)。类似地，底部电极22可以包括多个物理分离的部分，其中每个这样的部分可以包括有源部分(在有源区域24中)和互连部58(在外部区域26中)。如上面图1中所述，顶部电极20和底部电极22的有源部分的重叠形成换能器16的有源区域24。每个换能器16对应于相应的谐振器10。因此，第一滤波器44包括十三个换能器16和十三个对应的谐振器10。
根据滤波器44的设计和性能要求，顶部电极20的互连部56(本文中也称为互连部分)和底部电极58的互连部58(本文中也称为互连部分)可以通过互连导通体60彼此物理连接和电连接，所述互连导通体60在顶部电极20的互连部56的一部分和底部电极58的互连部58的一部分之间垂直延伸。此外，互连部56、58还可以连接到连接导通体62(本文中也称为连接接脚、连接柱、金属柱等)。导通体62提供与一个或多个输入节点46、输出节点48和/或接地节点50的电连接。因此，互连部56、58将换能器16(和对应的谐振器10)彼此物理连接和电连接，以及连接到一个或多个输入节点46、输出节点48和/或接地节点50。
在第一滤波器44中，多个寄生电容52沿着滤波器结构54的右侧位于底部电极22的互连部58之间。注意，除了所示的那些寄生电容之外，第一滤波器44还可以包括额外的寄生电容52。换句话说，第一滤波器44中存在的寄生电容不限于所示的那些寄生电容。如上所解释，这些寄生电容52负面地影响滤波器性能(例如，滤波器抑制降级)。
图7C是示出包括静电屏蔽体66以减小寄生电容52对图7A的滤波器44的影响的一般电路图64。静电屏蔽体66(本文中也称为静电屏蔽、接地导体、静电屏蔽层、平面静电屏蔽体等)由接地导体(例如，接地金属导体、接地金属层等)形成，并且可以是平面的(尽管可以使用其他形状)。然而，平面静电屏蔽体66易于制造并集成到BAW滤波器结构54中。静电屏蔽体66被配置和定位成中断(本文中也称为破坏、扰乱、干扰等)与滤波器的寄生电容相关联的电场以减小寄生电容。应注意，静电屏蔽体66可以与滤波器44一起形成一个或多个屏蔽电容68A、68B(在本文中也称为屏蔽电容耦合等)。换句话说，静电屏蔽体66定位在两个导体的附近，寄生电容52存在于两个导体之间。以这种方式，至少一些最初从第一导体发出并终止于第二导体的电场线反而终止于静电屏蔽体66，使得不期望的寄生电容52大大减小并且恢复期望的滤波器抑制。在此实例中，静电屏蔽体66与输入节点46形成第一屏蔽电容68A(例如，在寄生电容52的一侧上)，并且与输出节点48形成第二屏蔽电容68B(例如，在寄生电容52的另一侧上)。当然，可导致更少或更多的屏蔽电容。例如，在某些实施方案中，静电屏蔽体66仅形成第一屏蔽电容68A(并且不形成第二屏蔽电容68B)。
将静电屏蔽体66定位在形成寄生电容52的电场附近或电场内(本文中也称为寄生电场、寄生电场线等)，这显著减小(或削弱)寄生电容52。寄生电容52的这种减小还降低了寄生电容52对滤波器44的影响(或影响力)，从而改善滤波器性能并减少抑制降级(下面进行更详细说明)。在某些实施方案中，屏蔽电容68A、68B中的至少一个的幅值(或强度)可以远远大于寄生电容52。
图7D是图7B的第一滤波器44的部分俯视图，所述第一滤波器包括第一静电屏蔽体66以减小寄生电容52的影响。第一静电屏蔽体66包括屏蔽导通体70(也称为屏蔽销、屏蔽柱、金属屏蔽柱等)。第一静电屏蔽体66的配置(例如，尺寸、形状和位置)可以根据滤波器结构54的性能要求和寄生电容52的位置而变化。特定地说，第一静电屏蔽体66被配置成放置在寄生电容52的一端或两端附近和/或其上方(例如，在形成寄生电容52的电场附近或在电场内)以减小其幅值。例如，在第一滤波器44中，如上所述，多个寄生电容52沿着滤波器结构54的右侧位于底部电极22的互连部58之间。然而，第一滤波器44内的寄生电容52不限于所示的寄生电容，并且可以包括第一滤波器44内的额外寄生电容52。第一静电屏蔽体66被配置成沿着滤波器结构54的右侧定位，以削弱其间的寄生电容52的幅值。应注意，第一静电屏蔽体66的屏蔽电容68A、68B可以影响滤波器结构54的性能，从而需要对第一静电屏蔽体66的配置(例如，尺寸、形状和位置)的选择性。例如，在某些实施方案中，可能不可能具有跨越滤波器结构54的整个覆盖区(例如，宽度和长度)的第一静电屏蔽体66。
在此实例中，静电屏蔽体66垂直地定位在反射体14(本文中也称为反射体结构、反射体层等)和衬底12(本文中也称为衬底层等)之间。换句话说，静电屏蔽体66定位在反射体的底部(即，底部表面)。这种配置的优点是增加了静电屏蔽体66的设计(例如，尺寸和形状)灵活性。如下面更详细解释，静电屏蔽体66可以垂直地定位在BAW滤波器结构54内的其他位置。
图7E是比较静电屏蔽对图7B和图7D的第一滤波器44的滤波器抑制的影响的曲线图72。特定地说，曲线图72示出了在2000MHz和6000MHz的频率之间的滤波器性能。理想的集总电路74为第一滤波器44提供理想的滤波器性能，其没有寄生电容52(或其他不想要的干扰)。裸片em(die em)76表示未屏蔽的第一滤波器44(如图7B所示)，其示出了寄生电容52对滤波器性能的影响。具有屏蔽体78的裸片em表示屏蔽的第一滤波器44(如图7D所示)，其中第一静电屏蔽体66减小寄生电容52的影响。如图所示，具有屏蔽的第一滤波器44的屏蔽体78的裸片em比未屏蔽的第一滤波器44的裸片em 76更接近理想的集总电路74。
图7F是示出图7E的曲线图的放大部分的曲线图72。特定地说，曲线图72示出了在2400MHz和2700MHz的频率之间的滤波器性能。如在圆圈D中所突显，与未屏蔽的第一滤波器44的裸片em 76相比，具有屏蔽的第一滤波器44的屏蔽体78的裸片em的滤波器抑制降级显著降低。
图8A-图8D是示出静电屏蔽体66在BAW谐振器10内的垂直定位的视图。此外，应注意，尽管示出并描述了具有反射体14的BAW谐振器10，但是平面静电屏蔽体66可以与其他类型的BAW谐振器(例如，FBAR等)一起使用。
图8A是BAW谐振器10的一部分的剖视图，其示出了图7C和图7D的静电屏蔽体66的第一实施方案，所述静电屏蔽体定位在BAW谐振器10的反射体14的底部(即，底部表面)。如上所述，通常，反射体层28A至28F在具有高和低声波阻抗的材料(诸如钨(W)和二氧化硅(SiO2))之间交替，因为钨通常是导电的并且二氧化硅通常是绝缘的(例如，介电的)。因此，反射体层28A至28F也在导电材料和绝缘材料(例如，介电材料)之间交替。换句话说，反射体层28A、28C和28E包括二氧化硅并且是绝缘的，而反射体层28B、28D和28F包括钨并且是导电的。
在此实施方案中，反射体层28F形成具有大致平面形状的静电屏蔽体66，但是可以使用其他形状(例如，轮廓、纹理等)。此外，平面静电屏蔽体66基本上平行于衬底12、底部电极22、压电层18和/或顶部电极20的顶部表面。另选地，在某些实施方案中，与反射体14分开的静电屏蔽体66可以在反射体14的底部处定位在反射体14和衬底12之间。在当前实施方案中，反射体层28F从有源区域24(例如，静电屏蔽体66的至少一部分与有源区域24垂直对齐)延伸到外部区域26中(例如，静电屏蔽体66的至少一部分与外部区域26垂直对齐)，以提供静电屏蔽体66的屏蔽导通体70的接触点。特定地说，屏蔽导通体70物理连接和电连接到静电屏蔽体66(在反射体层28F的外部区域26中)并且从其顶部表面延伸穿过反射体14的顶部表面。以这种方式，屏蔽导通体70被配置成形成接地连接，并且从而将静电屏蔽体66接地。静电屏蔽体66示出为在有源区域24和外部区域26之间延伸，但是另选地，静电屏蔽体66可以仅在有源区域24中的一个中或仅在外部区域26中。
如上所述，反射体层28A至28F在导电材料(例如，钨)和绝缘材料(例如，二氧化硅)之间交替。因此，在反射体层28B和28D与屏蔽导通体70之间形成间隙80，因为反射体层28B和28D是导电的。例如，在某些实施方案中，间隙80包括二氧化硅。类似的间隙可以定位在反射体层28F内，以更具体地使静电屏蔽体66成形。此外，在此实施方案中，压电层18被示出为在有源区域24内。然而，如下面更详细解释，在其他实施方案中，压电层18延伸到外部区域26中。在这样的实施方案中，屏蔽导通体70还可以从反射体14的顶部向上延伸穿过压电层18的底部穿过压电层18到达压电层18的顶部。
图8B-图8C是BAW谐振器10的一部分的视图，其示出了通过BAW谐振器10的反射体14内的导电反射体层形成静电屏蔽体66。特定地说，图8B是BAW谐振器10的一部分的剖视图，其示出了图7C和图7D的静电屏蔽体66的第二实施方案，所述静电屏蔽体由BAW谐振器的反射体14内的第一导电反射体层28D形成。除非另有说明，否则静电屏蔽体66和屏蔽导通体70与上面图8A中讨论的相同。在此实施方案中，反射体14包括五个反射体层28A-28E，其具有交替的导电材料层(例如，钨)和绝缘材料(例如，二氧化硅)。换句话说，反射体层28A、28C和28E是绝缘的，并且反射体层28B和28D是导电的。在此实施方案中，反射体层28D(定位在导电反射体层28B下方)形成静电屏蔽体66。如同上面的图8A，在反射体层28B和屏蔽导通体70之间形成间隙80。
图8C是BAW谐振器10的一部分的剖视图，其示出了图7C和图7D的静电屏蔽体66的第三实施方案，所述静电屏蔽体由BAW谐振器10的反射体14内的第二导电反射体层形成。除非另有说明，否则静电屏蔽体66和屏蔽导通体70与上面图8B中讨论的相同。在此实施方案中，反射体层28B形成静电屏蔽体66。与上面讨论的图8B的实施方案不同，在此实施方案中不需要间隙80(未示出)，因为反射体层28B是反射体14内的最上面的导电层。应注意，尽管导电反射体层28D被示出为从有源区域24延伸到外部区域26中，但是在某些实施方案中，导电反射层(例如，反射体层28D)限于有源区域24的边界或者靠近其的部分(例如，导电反射体层从有源区域24延伸到刚好超出有源区域24的点)。
图8D是BAW谐振器10的一部分的剖视图，其示出了图7C和图7D的静电屏蔽体66的第四实施方案，所述静电屏蔽体由与底部电极22的有源部分23B物理分离的底部电极22的外部部分23A形成。静电屏蔽体66定位在反射体14的顶部(即，顶部表面)处。除非另有说明，否则静电屏蔽体66和屏蔽导通体70与上面图8C中讨论的相同。在此实施方案中，底部电极22的外部部分23A形成静电屏蔽体66。特定地说，底部电极22包括形成谐振器10的换能器16的部分的有源部分23B和通过间隙82与有源部分23B物理分离并电断开的外部部分23A。以这种方式，静电屏蔽体66形成在反射体14的顶部处。
反射体层28A-28E并非如同前述实施方案包括间隙，因为屏蔽导通体70定位在反射体14的顶部处并且不延伸穿过反射体14。应注意，尽管导电反射体层28B和28D被示出为从有源区域24延伸到外部区域26中，但是在某些实施方案中，导电反射层(例如，反射体层28B、28D)限于有源区域24的边界或者靠近其的部分(例如，导电反射体层28B、28D从有源区域24延伸到刚好超出有源区域24的点)。
与上面讨论的其他实施方案不同，压电层18延伸超出有源区域24进入外部区域26，使得屏蔽导通体70从底部电极22的外部部分23A向上延伸穿过压电层18。然而，应注意，与本文所公开的其他实施方案一样，压电层18可以在有源区域24处或附近终止并且不延伸到外部区域26中。
图9A-图9F是没有和具有静电屏蔽体66的第二滤波器44的视图。特定地说，图9A-图9C是没有静电屏蔽体66的第二滤波器44的第二部分滤波器结构54的视图。图9A是没有静电屏蔽体66的第二滤波器44的第二部分滤波器结构54的部分俯视图。第二滤波器44包括多个谐振器10-1至10-11的多个换能器16-1至16-11，所述多个换能器通过顶部电极22的互连部56和底部电极22的互连部58彼此物理连接和电连接。换句话说，互连部56、58是顶部电极20和底部电极22的彼此不重叠并且因此不形成有源区域24的部分。寄生电容52发生在换能器16-10和换能器16-5之间。此外，多个谐振器10-1至10-11的多个换能器16-1至16-11物理连接和电连接到输入导通体62A、输出导通体62B和多个接地导通体62C。
图9B是图9A的第二滤波器44的底部电极22的俯视图。底部电极22包括多个部分22A-22F，其中每个部分22A-22F彼此物理分离。如下面更详细解释，这些部分22A-22F中的每一个在滤波器44中形成不同的电节点。此外，这些部分22A-22F中的每一个包括有源部分22-1至22-11和互连部58。图9C是图9A的第二滤波器44的顶部电极层20的俯视图。顶部电极20包括多个部分20A-20F，其中每个部分20A-20F彼此物理分离。如下面更详细解释，这些部分20A-20F中的每一个在滤波器44中形成不同的电节点。
图9D是图9A的第二滤波器44的部分俯视图，其中静电屏蔽体66减小寄生电容52的影响。静电屏蔽体66被配置和定位成覆盖换能器16-10(和对应的谐振器10-10)和换能器16-11的一部分(以及对应的谐振器10-11)。以这种方式，静电屏蔽体66定位在形成寄生电容52的电场附近或电场内。顺便提及，静电屏蔽体66在接地和电节点之间形成屏蔽电容，所述电节点包括换能器16-10(和对应的谐振器10-10)、换能器16-11(和对应的谐振器10-11)和互连部58。应注意，修改底部电极部分22F的互连部58以为静电屏蔽体66的屏蔽导通体70提供足够的空间。
图9E是图9D的第二滤波器的电路图64。静电屏蔽体66在形成寄生电容52的电场内或附近的配置和定位减小寄生电容52在滤波器44上的强度和对所述寄生电容的影响。由静电屏蔽体66形成的屏蔽电容68A远远大于寄生电容52，并且屏蔽电容68B小得多。应注意，底部电极22的每个部分22A-22F和顶部电极20的每个部分20A-20F形成图9E的电路图内的电节点。
图9F是比较静电屏蔽体66对图9A-图9D的第二滤波器44的滤波器抑制的影响的曲线图72。特定地说，曲线图72示出了在1000MHz和3000MHz的频率之间的滤波器性能。理想的集总电路74为第二滤波器44提供理想的滤波器性能，其没有寄生电容52(或其他不想要的干扰)。裸片em 76表示未屏蔽的第二滤波器44(如图10A所示)，示出了寄生电容52对滤波器性能的影响。具有屏蔽体78的裸片em表示屏蔽的第二滤波器44(如图10D所示)，其中第二静电屏蔽体66减小寄生电容52的影响。如图所示，具有屏蔽的第一滤波器44的屏蔽体78的裸片em比未屏蔽的第一滤波器44的裸片em 76更接近理想的集总电路74。
图10A-图10F是没有和具有静电屏蔽体66的第三滤波器44的视图。特定地说，图10A-图10C是没有静电屏蔽体66的第三滤波器44的第三部分滤波器结构54的视图。图10A是没有静电屏蔽体66的第三滤波器44的第三部分滤波器结构54的部分俯视图。第三滤波器44包括多个谐振器10-12至10-25的多个换能器16-12至16-25，所述多个换能器通过顶部电极20的互连部56和底部电极22的互连部58彼此物理连接和电连接。寄生电容52发生在换能器16-16和换能器16-23之间。此外，多个谐振器10-12至10-25的多个换能器16-12至16-25物理连接和电连接到输入通孔62A、输出导通体62B和多个接地导通体62C。
图10B是图10A的第三滤波器44的底部电极22的俯视图。底部电极22包括多个部分22G-22N，其中每个部分22G-22N彼此物理分离。如下面更详细解释，这些部分22G-2N中的每一个在滤波器44中形成不同的电节点。此外，这些部分22G-22N中的每一个包括有源部分22-12至22-25和互连部58。图10C是图10A的第三滤波器44的顶部电极层20的俯视图。顶部电极20包括多个部分20H-20P，其中每个部分20H-20P彼此物理分离。如下面更详细解释，这些部分20H-20P中的每一个在滤波器44中形成不同的电节点。
图10D是图10A的第三滤波器44的部分俯视图，其中静电屏蔽体66减小寄生电容52的影响。静电屏蔽体66被配置和定位成覆盖换能器16-23(和对应的谐振器10-23)的一部分以及换能器16-16(和对应的谐振器10-16)的一部分。换句话说，静电屏蔽体66在一对相邻的换能器16-16、16-23(和对应的一对相邻的谐振器10-16、10-23)之间延伸。以这种方式，静电屏蔽体66横跨寄生电容52并中断形成寄生电容52的电场以减小寄生电容。静电屏蔽体66还在接地和电节点之间形成屏蔽电容，所述电节点包括换能器16-24(和对应的谐振器10-24)、换能器16-17(和对应的谐振器10-17)和互连部58。
图10E是图10D的第三滤波器的电路图64。静电屏蔽体66在形成寄生电容52的电场内或附近的配置和定位减小寄生电容52在滤波器44上的强度和对所述寄生电容的影响。由静电屏蔽体66形成的屏蔽电容68A、68B可以大于或小于寄生电容52。应注意，底部电极22的每个部分22G-22N和顶部电极20的每个部分20H-20P形成图10E的电路图内的电节点。
图10F是比较静电屏蔽体66对图10A-图10D的第三滤波器44的滤波器抑制的影响的曲线图72。特定地说，曲线图72示出了在1500MHz和2000MHz的频率之间的滤波器性能。理想的集总电路74为第三滤波器44提供理想的滤波器性能，其没有寄生电容52(或其他不想要的干扰)。裸片em 76表示未屏蔽的第三滤波器44(如图10A所示)，其示出了寄生电容52对滤波器性能的影响。具有屏蔽体78的裸片em表示屏蔽的第三滤波器44(如图10D所示)，其中第二静电屏蔽体66减小寄生电容52的影响。如图所示，具有屏蔽的第一滤波器44的屏蔽体78的裸片em比未屏蔽的第一滤波器44的裸片em 76更接近理想的集总电路74。
图11是包括类似于图7D、图8A、图9D和图10D的那些静电屏蔽体的静电屏蔽体的BAW滤波器组件84的剖视图。特定地说，BAW滤波器组件84包括安装到层压结构86的倒置BAW滤波器结构54，使得底部电极22在顶部电极20上方。为了与本申请的其余部分保持一致和清楚，将描述BAW滤波器结构54，假设其原始取向(例如，顶部电极20位于BAW滤波器结构54的顶部，而底部电极22定位在顶部电极20下方)。BAW滤波器结构54包括多个谐振器10A-10C。当然，根据滤波器44的性能要求，可以使用更多或更少的谐振器10A-10C。多个谐振器10A-10C中的每一个包括衬底12、反射体14和换能器16。每个换能器16包括顶部电极20、底部电极22和它们之间的压电层18。压电层18在谐振器10A-10C中的每一个之间延伸。换句话说，压电层18是单片的，但是在其他实施方案中，在每个谐振器10A-10C的压电层18之间可以存在间隙(例如，气隙)。
反射体14包括多个层28A-28F。反射体14包括导电层28A、28C和28E，所述导电层具有导电材料(例如，钨)和绝缘材料(例如，二氧化硅)的交替层。换句话说，反射体层28A、28C和28E是绝缘的(例如，介电的)，并且反射体层28B、28D和28F是导电的。在此实施方案中，反射体层28F形成静电屏蔽体66，其中反射体层28F(和对应的静电屏蔽体66)仅延伸到谐振器10C的有源区域24中，并且不延伸到谐振器10A-10B的有源区域24中。间隙80形成在反射体层28F和屏蔽导通体70之间。屏蔽导通体70从静电屏蔽体66延伸穿过反射体14，穿过压电层18(并且因此经过底部电极22和顶部电极20)以形成接地连接，如下面更详细解释。此外，导电反射体层28B和28D包括在每个谐振器10A-10C之间的间隙88(例如，从而将第一谐振器10A的有源区域24的导电反射体层28B和28D与第二和第三谐振器10B-10C的有源区域24的导电反射体层28B和28D隔离)。
应注意，反射体层28F(和对应的静电屏蔽体66)可以延伸到一个或多个谐振器10A-10C的有源区域24中。此外，如同反射体层28B和28D，反射体层28F可以延伸到多个谐振器10A-10C的有源区域24中，但是彼此隔离。在这种情况下，反射体层28F的每个隔离区域可以形成一个静电屏蔽体66和/或多个静电屏蔽体66的不同部分。此外，在某些实施方案中，不同的层形成多个不同的静电屏蔽体66。例如，在某些实施方案中，反射体层28F形成延伸到第三谐振器10C的有源区域24中的第一静电屏蔽体66，并且第二静电屏蔽体66由不同的层(例如，反射体层28B、反射体层28C和/或底部电极22的互连部等)形成。在这种情况下，第一静电屏蔽体66与第二静电屏蔽体66垂直偏移。
底部电极22从有源区域24延伸到外部区域26，其中信号导通体90从底部电极延伸穿过压电层18(并且因此经过底部电极22和顶部电极20)以形成信号连接，如下面更详细解释。
BAW滤波器组件84还包括聚合物腔壁92，所述聚合物腔壁定位在多个谐振器10A-10C的顶部电极22上方，并在滤波器结构54和层压结构86之间。聚合物腔壁92保护谐振器10A-10C的声音以改善其性能。
层压结构86包括层压电介质94，所述层压电介质具有信号迹线96(本文中也称为信号电感器等)和定位在层压结构86内的接地迹线98(本文中也称为接地电感器等)。层压结构86和/或滤波器结构54被配置成使得当安装在一起时，滤波器结构54的信号导通体90(本文中也称为信号接脚、信号柱、金属信号柱等)与层压结构86的信号迹线96接触并形成电连接，并且屏蔽导通体70与层压结构86的接地迹线98接触并形成电连接。
本领域技术人员将认识到本公开的优选实施方案的改善和修改。所有此类改善和修改都视为在本文所公开的概念和所附权利要求书的范围内。

Claims (20)

1.一种具有内部屏蔽的体声波(BAW)滤波器结构，其包括：
衬底；
在所述衬底上方的多个换能器，所述多个换能器中的每一个包括底部电极、在所述底部电极上方的压电层以及在所述压电层上方的顶部电极，所述多个换能器中的每一个形成BAW谐振器的一部分并驻留在滤波器中，所述滤波器耦合在输入节点和输出节点之间并且具有形成寄生电容的电场；以及
在所述衬底和所述多个换能器的所述顶部电极中的至少一个之间的平面静电屏蔽体，所述平面静电屏蔽体耦合到接地节点并中断与所述滤波器的所述寄生电容相关联的所述电场以减小所述寄生电容。
2.根据权利要求1所述的BAW滤波器结构，其还包括电耦合到所述平面静电屏蔽体的导通体，其中所述平面静电屏蔽体通过所述导通体接地。
3.根据权利要求2所述的BAW滤波器结构，其还包括定位在所述衬底上方的反射体结构，其中所述导通体延伸穿过所述反射体结构的至少一部分。
4.根据权利要求2所述的BAW滤波器结构，其中所述导通体延伸穿过所述压电层的至少一部分。
5.根据权利要求1所述的BAW滤波器结构，其还包括定位在所述衬底上方的反射体结构，其中所述反射体结构包括多个反射体结构，并且所述BAW谐振器包括多个BAW谐振器，所述多个BAW谐振器中的每一个包括所述多个反射体结构中的至少一个。
6.根据权利要求1所述的BAW滤波器结构，其还包括定位在所述衬底上方的反射体结构，其中所述反射体结构包括多个绝缘反射体和至少一个导电反射体。
7.根据权利要求6所述的BAW滤波器结构，其中所述至少一个导电反射体包括所述平面静电屏蔽体。
8.根据权利要求6所述的BAW滤波器结构，其中所述至少一个导电反射体包括多个导电反射体，所述多个导电反射体中的至少一个包括所述平面静电屏蔽体。
9.根据权利要求1所述的BAW滤波器结构，其还包括定位在所述衬底上方的反射体结构，其中所述平面静电屏蔽体平行于所述衬底的顶部表面并且是以下项中的至少一者：
在所述反射体结构的顶部表面上方，
在所述反射体结构的底部表面上方，或
在所述反射体结构内。
10.根据权利要求1所述的BAW滤波器结构，其中所述底部电极包括彼此物理分离的多个底部电极部分，并且所述多个底部电极部分中的至少一个包括所述平面静电屏蔽体。
11.根据权利要求1所述的BAW滤波器结构，其中所述平面静电屏蔽体包括多个平面静电屏蔽体。
12.根据权利要求11所述的BAW滤波器结构，其中第一平面静电屏蔽体与第二平面静电屏蔽体垂直偏移。
13.根据权利要求1所述的BAW滤波器结构，其中所述平面静电屏蔽体仅通过屏蔽电容电连接到所述滤波器。
14.根据权利要求1所述的BAW滤波器结构，其中所述平面静电屏蔽体的至少一部分定位在所述多个换能器中的一个的至少一部分下方。
15.根据权利要求1所述的BAW滤波器结构，其中所述平面静电屏蔽体不定位在所述多个换能器中的一个下方。
16.根据权利要求1所述的BAW滤波器结构，其中所述平面静电屏蔽体在所述多个换能器中的一对相邻换能器之间延伸。
17.一种体声波(BAW)滤波器组件，其包括：
层压板，其包括层压电介质、至少部分定位在所述层压电介质内的接地迹线以及至少部分定位在所述层压电介质内的信号迹线；以及BAW滤波器结构，所述BAW滤波器结构包括：
衬底；
在所述衬底上方的多个换能器，所述多个换能器中的每一个包括底部电极、在所述底部电极上方的压电层以及在所述压电层上方的顶部电极，所述多个换能器中的每一个形成BAW谐振器的一部分并驻留在滤波器中，所述滤波器耦合在输入节点和输出节点之间并且具有形成寄生电容的电场；以及
在所述衬底和所述多个换能器的所述顶部电极中的至少一个之间的平面静电屏蔽体，所述平面静电屏蔽体耦合到接地节点并中断与所述滤波器的所述寄生电容相关联的电场以减小所述寄生电容，
其中所述BAW滤波器结构倒置地定位在所述层压板的顶部上。
18.根据权利要求17所述的BAW滤波器组件，其中所述BAW滤波器结构还包括电耦合到所述接地迹线和所述平面静电屏蔽体的屏蔽柱。
19.根据权利要求18所述的BAW滤波器组件，其中所述BAW滤波器结构还包括信号柱，所述信号柱电耦合到所述信号迹线和所述多个换能器中的至少一个的所述底部电极。
20.根据权利要求17所述的BAW滤波器组件，其中所述BAW滤波器结构包括多个BAW滤波器结构。
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